JPWO2012114403A1 - 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 - Google Patents
有機el表示パネルおよび有機el表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012114403A1 JPWO2012114403A1 JP2013500714A JP2013500714A JPWO2012114403A1 JP WO2012114403 A1 JPWO2012114403 A1 JP WO2012114403A1 JP 2013500714 A JP2013500714 A JP 2013500714A JP 2013500714 A JP2013500714 A JP 2013500714A JP WO2012114403 A1 JPWO2012114403 A1 JP WO2012114403A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole injection
- organic
- layer
- injection layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 594
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 594
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 196
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 194
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 48
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 39
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 27
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 795
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 description 109
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 82
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 78
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 78
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 71
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 59
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 description 49
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 39
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 35
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 32
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 27
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 23
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 23
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 8
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002186 photoelectron spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical class [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazin-2-one Chemical class C1=CC=C2OC(=O)N=CC2=C1 BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-thiopyran-1-ylidene)propanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=S1CC=CC=C1 TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229960005057 canrenone Drugs 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum Chemical compound [Cr].[Mo] VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- YSZJKUDBYALHQE-UHFFFAOYSA-N rhenium trioxide Chemical compound O=[Re](=O)=O YSZJKUDBYALHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明の一態様に係る有機EL表示パネルは、基板と、前記基板上または前記基板内に形成された第1電極と、前記基板上または前記基板内に前記第1電極と離間して形成された補助配線と、前記第1電極の上方に形成され、少なくとも発光層を含む機能層と、前記機能層と前記第1電極との間に介在し前記機能層へのホール注入を行うホール注入層と、前記機能層の上方に形成された第2電極と、を具備し、前記ホール注入層および前記第2電極の各々は、前記第1電極の上方および前記補助配線の上方に連続して形成され、前記第2電極と前記補助配線とは、前記ホール注入層を介して電気接続され、前記ホール注入層は、酸化タングステンを含み、UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.83以下である。
第1に、本発明者は、有機EL素子の駆動電圧の増大や素子の寿命の低下を防止するため、製造工程において各層の形成後に、洗浄により各層の表面の吸着物を除去するプロセスを設けることを着想した。
本発明者がこれらの方法について鋭意検討した結果、酸化モリブデンや酸化タングステンなどの金属酸化物からなるホール注入層を有する有機EL素子において、UVオゾン洗浄および酸素プラズマ洗浄は、前記ホール注入層の洗浄には適していないことを見出した。
以下、本発明の一態様に係る有機EL表示パネルおよび有機EL表示装置を説明し、続いて各性能確認実験の結果と考察を述べる。なお、各図面における部材縮尺は、実際のものとは異なる。
図1は、本発明の一態様に係る有機EL表示パネルを説明するための図であって、図1(a)は、有機EL表示パネルの要部を説明する部分平面図、図1(b)は、図1(a)におけるA−A’線に沿って切断した要部断面図である。
基板10は、有機EL素子の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
陽極20は、例えば、Alからなる厚さ400nmの金属膜に、ITOからなる厚さ20nmの透明導電膜を積層させて構成される。なお、陽極20の構成はこれに限定されず、例えばITO、IZOなどの透明導電膜、Al、Agなどの金属膜、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)などの合金膜の単層から構成されていてもよい。また、それら透明導電膜、金属膜および合金膜の中から選択した複数の膜を積層させて構成することもできる。
補助配線30は、例えば、Alからなる厚さ400nmの金属膜に、ITOからなる厚さ20nmの透明導電膜を積層させて構成される。なお、補助配線30の構成はこれに限定されず、例えばITO、IZOなどの透明導電膜、Al、Agなどの金属膜、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)などの合金膜の単層から構成されていてもよい。また、それら透明導電膜、金属膜および合金膜の中から選択した複数の膜を積層させて構成することもできる。
ホール注入層40は、例えば、酸化タングステン(組成式WOxにおいて、xは概ね2<x<3の範囲における実数)を用いた、少なくとも膜厚が2nm以上(ここでは一例として30nm)の層として構成される。膜厚が2nm未満であると、均一な成膜を行いにくく、また、画素部の陽極20とホール注入層40の間のショットキーオーミック接続を形成しにくいので、好ましくない。前記ショットキーオーミック接続は酸化タングステンの膜厚が2nm以上で安定して形成されるため、これ以上の膜厚でホール注入層40を形成すれば、画素部の陽極20からホール注入層40への安定したホール注入効率を期待できる。
バンク50は、例えば、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなり、画素開口部45が複数の陽極20の各々に対応して形成された井桁構造、または、画素開口部45が複数配置された陽極20のラインごとに対応して形成されたストライプ構造をなすように形成されている。なお、バンク50は、本発明に必須の構成ではなく、有機EL素子を単体で使用する場合等には不要である。
バッファ層60は、例えば、厚さ20nmのアミン系有機高分子であるTFB(poly(9,9−di−n−octylfluorene−alt−(1,4−phenylene−((4−sec−butylphenyl)imino)−1,4−phenylene))で構成されている。
発光層70は、例えば、厚さ70nmの有機高分子であるF8BT(poly(9,9−di−n−octylfluorene−alt−benzothiadiazole))で構成される。しかしながら、発光層70はこの材料からなる構成に限定されず、公知の有機材料を含むように構成することが可能である。たとえば特開平5−163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。
本発明における機能層は、ホールを輸送するホール輸送層、注入されたホールと電子とが再結合することで発光する発光層、光学特性の調整または電子ブロックの用途に用いられるバッファ層等のいずれか、もしくはそれらの2層以上の組み合わせ、または全ての層を指す。本発明はホール注入層を対象としているが、有機EL素子はホール注入層以外に上記したホール輸送層、発光層等のそれぞれ所要機能を果たす層が存在する。機能層とは、本発明の対象とするホール注入層以外の、有機EL素子に必要な層を意味している。
電子注入層80は、例えば、厚さ5nmのバリウム層で構成されており、陰極90から発光層70に電子を注入する機能を有する。電子注入層80は、陽極20の上方および補助配線30の上方に連続して形成されており、陽極20の上方では陰極90と発光層70との間に介在し、補助配線30の上方では陰極90とホール注入層40との間に介在する。本実施の形態のように、光を上方に取り出す方式(トップ・エミッション方式)においては、電子注入層80は光透過性を有する必要があり、電子注入層を上記したように厚さ5nmのバリウム層で構成する場合には、光透過性を有する。なお、光を下方に取り出す方式(ボトムエミッション方式)においては、素子構造にも依存するが、電子注入層は必ずしも光透過性は求められない。
陰極90は、例えば、ITOからなる厚さ35nmの透明導電膜を積層させて構成される。なお、陰極90の構成はこれに限定されず、IZOなどの他の透明導電膜や、Al、Agなどの金属やAPC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)などの合金からなる薄膜で構成されていてもよい。また、それら透明導電膜、金属膜および合金膜の中から選択した複数の膜を積層させて構成することもできる。
図2に基づいて、本発明の一態様に係る有機EL表示装置について説明する。図2は、本発明の一態様に係る有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
以下に、本実施の形態に係る有機EL表示パネルの製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
次に、紫外光照射装置について説明する。図5に示す紫外光照射装置200は、有機EL表示パネル110の中間製品110Aに対し紫外光を照射するための装置であって、波長域が主として184.9nm超380nm以下である紫外光を出射する光源201と、当該光源201から出射した紫外光を前記中間製品110Aに向けて集光する反射鏡202と、それら光源201および反射鏡202を覆いかつ保持する筐体203と、前記光源201を点灯制御する制御部204とを備える。
(紫外光照射による吸着物の除去効果について)
本実施の形態では、酸化タングステンからなるホール注入層の成膜後、所定の条件で紫外光を照射することにより、ホール注入層表面の吸着物を除去している。この吸着物除去効果については以下の実験で確認された。
バイアス:なし
出射角 :基板法線方向
まず、各サンプルをワイドスキャン測定したところ、観測された元素はいずれのサンプルもタングステン(W)、酸素(O)、および炭素(C)のみであった。そこで、Wの4f軌道(W4f)、およびCの1s軌道(C1s)のナロースキャンスペクトルの測定を行い、酸化タングステンからなるホール注入層の表層数nmにおける、タングステン原子の数密度に対する炭素原子の数密度の相対値、すなわち、WとCとの組成比を求めた。なお、スペクトルから組成比を求めるためには、測定に使用した光電子分光装置に付属のXPS解析ソフトウェア「MultiPak」の組成比算出機能を使用した。
本実施の形態では、酸化タングステンからなるホール注入層表面の吸着物を、紫外光照射で除去する際、ホール注入層からバッファ層へのホール注入能力、およびホール注入層と各電極の間のショットキーオーミック接続能力に作用する、酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位は、照射の影響はほとんど受けずに維持されている。この維持性については、以下の実験で確認された。
バイアス:なし
出射角 :基板法線方向
図6に、各サンプルのフェルミ面近傍のUPSスペクトルを示す。なお、以降、光電子分光(UPS、XPS)スペクトルは、横軸の結合エネルギーの原点は測定装置のフェルミレベル(陽極のフェルミレベルに一致する)に採り、左方向を正の向きとした。照射なしサンプル、照射1分サンプル、照射10分サンプルのいずれも、図中に(I)で示したフェルミ面近傍の隆起構造が明確に確認できる。したがって、ホール注入能力に作用する酸素欠陥に類する構造が、紫外光の照射を受けても維持されていることがわかる。
本実施の形態の紫外光照射による、酸化タングステンからなるホール注入層の表面の洗浄では、ある程度以上の照射時間において、その吸着物除去効果が飽和することが、以下の実験で確認された。
本実施の形態では、ホール注入能力およびショットキーオーミック接続能力に作用する酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位が、少なくとも表面洗浄後からその表面に上層が積層されるまでの間において継続的に維持される。その根拠は以下の通りである。
紫外光照射によりホール注入層を洗浄した本実施の形態に係る有機EL表示パネルを構成する有機EL素子は、照射をしないで作製した有機EL表示パネルを構成する有機EL素子に比べて特性がよい。これに関しては、以下の実験で確認された。
本実施の形態では、ホール注入層の成膜後に所定の波長の紫外光を大気中にて照射することで、ホール注入層の吸着物が除去されており、除去されたホール注入層を用いた有機EL表示パネル110は、除去を行わない有機EL表示パネルよりも低電圧駆動を実現する。この紫外光の波長については、以下の考察により規定された。
O + O2 → O3
また、さらにオゾンが分解し、再び酸素ラジカルが発生するための紫外光の波長は253.7nmである。
上式より、波長184.9nmの紫外光のエネルギーは647kJ/mol、波長253.7nmの紫外光のエネルギーは472kJ/molに相当する。これらの値を表4と比較すると、本実施の形態の波長域の紫外光は、吸着物に見られる多くの原子間結合を切断できることがわかる。特に、後述するように、化学吸着の場合は、吸着物は酸化タングステンの酸素原子と主に単結合すると考えられるが、この吸着物との単結合のエネルギーは、大きくてもO−H結合の463kJ/mol(波長258nmに相当)程度であるから、本実施の形態の波長域の紫外光で切断が可能であることがわかる。また、物理吸着の場合は、化学吸着よりもはるかに結合が弱いため、これも紫外光照射で容易に除去される。
本実施の形態では、紫外光の照射後も、ホール注入層表面の酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位が継続的に維持され、したがって、バッファ層へのホール注入能力も安定して維持され、電子注入層とのショットキーオーミック接続能力も安定して維持でき、低駆動電圧の有機EL表示パネル110の製造を安定して行うことが可能である。この維持性に関して以下に考察する。
本実施の形態では、ホール注入層を構成する酸化タングステンを所定の成膜条件で成膜することで、ホール注入層に前記したフェルミ面近傍の占有準位を存在させ、ホール注入層とバッファ層との間のホール注入障壁を低減して、有機EL表示パネル110を低電圧駆動できるようにしている。
本実施の形態の有機EL表示パネル110のホール注入層を構成する酸化タングステンには、前記フェルミ面近傍の占有準位が存在している。このフェルミ面近傍の占有準位は、先の実験で示した成膜条件の調整により形成されるものである。詳細を以下に述べる。
バイアス :なし
出射角 :基板法線方向
測定点間隔:0.05eV
図22に、サンプルAの酸化タングステン層12のUPSスペクトルを示す。横軸の結合エネルギーの原点は導電性シリコン基板11のフェルミレベルとし、左方向を正の向きとした。
酸化タングステンからなるホール注入層において、UPSスペクトル等でフェルミ面近傍の隆起構造として確認できるフェルミ面近傍の占有準位が、ホール注入層から機能層へのホール注入効率に作用する原理は、以下のように考えることができる。
次に、陽極と、本発明の酸化タングステンからなるホール注入層との間に形成される、ショットキーオーミック接続、およびその安定性(陽極の材料や表面状態に対する依存性)について説明する。
まず、陽極と機能層を直接積層した従来構成の有機EL素子における、陽極と機能層との界面付近におけるエネルギーダイアグラムを、図30〜33にそれぞれ示す。なお、ここでは機能層としてα−NPDを用いた。また、図中の縦軸の結合エネルギーは、陽極のフェルミレベルを原点とした絶対値表記にしている。
上記のように、本発明の酸化タングステンからなるホール注入層は、膜厚が2nm以上であれば、陽極との間に安定したショットキーオーミック接続を形成できる。このことを素子の特性によっても確認した。
当該有機EL素子1は、表10で用いたものと同じ構成であり、ホール注入層の膜厚は2〜30nmの範囲とし、また、比較のために、ホール注入層を省略した膜厚0nmの素子1も作製した。
上記では、有機EL素子における陽極とホール注入層に関して考察するという観点から、キャリアとしてはホールと表現し、また電流は陽極からホール注入層への方向のみを議論した。しかしながら、陽極等の電極と本発明のホール注入層の間のショットキーオーミック接続は、電流の方向を電極からホール注入層のみに限定するものではない。
<有機EL表示パネルの全体構成>
図39(a)は、本実施の形態に係る有機EL表示パネル110Cの構成を示す模式的な断面図である。図39(b)はホール注入層40C付近の部分拡大図である。
(陽極・補助配線)
陽極20Cは、画素単位ごと複数マトリックス状に配置されており、補助配線30Cは、画素列ごとに各陽極20Cに沿って配置して設けられている。
(ITO層)
ITO(酸化インジウムスズ)層25Cは、陽極20Cとホール注入層40Cの間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。有機EL表示パネル110Cでは、ITO層25Cを陽極20Cと分けているが、ITO層25Cを陽極20Cの一部とみなすこともできる。
(ホール注入層)
ホール注入層40Cは、実施の形態1のホール注入層40と同様に、所定の成膜条件で成膜された、少なくとも2nm以上の膜厚(ここでは一例として30nm)の酸化タングステン層で構成されている。これにより、画素部(図39(a)の省略波線の左側)においては、ホール注入層40Cとバッファ層60Cは界面準位接続しており、ITO層25Cとホール注入層40Cはショットキーオーミック接続している。また、配線部(図39(a)の省略波線の右側)においては、ITO層25Cとホール注入層40C、ホール注入層40Cと陰極90Cがショットキーオーミック接続している。これらのショットキーオーミック接続を具体的に言えば、ITO層25Cおよび陰極90Cのフェルミレベルと、それらの表面からホール注入層40C側への距離が2nmの位置におけるフェルミ面近傍の占有準位で最も低い結合エネルギーとの差が、±0.3eV以内に収まっている。これにより有機EL表示パネル110Cでは、画素部においては従来構成に比べてITO層25Cとホール注入層40Cの間、ホール注入層40Cとバッファ層60Cの間のホール注入障壁が緩和され、配線部においてはITO層25Cとホール注入層40Cの間、ホール注入層40Cと陰極90Cの間のキャリアの授受が容易であり、良好な低電圧駆動が可能となっている。
(電子注入層・陰極・封止層)
電子注入層85Cは、電子を陰極90Cから発光層70Cへ注入する機能を有し、例えば、膜厚5nm程度のバリウム、厚さ1nm程度のフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、あるいはこれらを組み合わせた層で形成されることが好ましい。
陽極20Cおよび補助配線30Cには直流電源が接続され、外部より有機EL表示パネル110Cに給電されるようになっている。
次に、図40〜42を用いて、有機EL表示パネル110Cの全体的な製造方法を例示する。
(陽極および補助配線形成工程からバンク形成工程までの別の工程例)
次に図43、44を用いて、陽極および補助配線形成工程からバンク形成工程までのプロセスの別例を説明する。なお、当該プロセスでは、基板10Cの表面に平坦化膜17Cを形成する構成を例示している。
[ドライエッチング条件]
処理対象;酸化タングステン膜
エッチングガス;フッ素系ガス(SF6、CF4CHF3)
混合ガス;O2、N2
混合ガス比;CF4:O2=160:40
供給パワー;Source 500W、Bias 400W
圧力;10〜50mTorr
エッチング温度;室温
上記ドライエッチング処理を実施後、ホール注入層40Dが形成される。その後はO2ガスでアッシング処理を行うことで、次のウェットエッチング(W/E)処理におけるレジストパターンRの剥離を容易にしておく。
[ウェットエッチング条件]
処理対象;IZO薄膜及びAl合金薄膜
エッチャント;リン酸、硝酸、酢酸の混合水溶液
溶剤の混合比率;任意(一般的な条件で混合可能)
エッチング温度;室温よりも低くする。
以上、本発明の一態様に係る有機EL表示パネル、および、有機EL表示装置を具体的に説明してきたが、上記実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かり易く説明するために用いた例であって、本発明の内容は、上記の実施の形態に限定されない。例えば、理解を容易にするために挙げた各部のサイズや材料などは、あくまでも典型的な一例に過ぎず、本発明がそれらサイズや材料などに限定されるものではない。
20,20C 第1電極
30,30C 補助配線(配線)
40,40C ホール注入層(酸化タングステン層)
45 開口部
50,50C 隔壁
70,70C 発光層(有機層)
80 金属層(電子注入層)
90,90C 第2電極
100 有機EL表示装置
110,110C 有機EL表示パネル
Claims (23)
- 基板と、
前記基板上または前記基板内に形成された第1電極と、
前記基板上または前記基板内に前記第1電極と離間して形成された補助配線と、
前記第1電極の上方に形成され、少なくとも発光層を含む機能層と、
前記機能層と前記第1電極との間に介在し前記機能層へのホール注入を行うホール注入層と、
前記機能層の上方に形成された第2電極と、を具備し、
前記ホール注入層および前記第2電極の各々は、前記第1電極の上方および前記補助配線の上方に連続して形成され、
前記第2電極と前記補助配線とは、前記ホール注入層を介して電気接続され、
前記ホール注入層は、酸化タングステンを含み、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.83以下である、
有機EL表示パネル。 - 前記第2電極は、透明電極である、
請求項1記載の有機EL表示パネル。 - 前記透明電極は、ITOまたはIZOからなる、
請求項2記載の有機EL表示パネル。 - 前記第2電極は、AlまたはAgを主成分とする、
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1電極の上方および前記補助配線の上方に連続して形成された金属層を有し、
前記金属層は、
前記第1電極の上方では、前記第2電極と前記発光層との間に介在し、
前記補助配線の上方では、前記第2電極と前記ホール注入層との間に介在する、
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記金属層は、前記第1電極の上方にて、前記第2電極から前記発光層に電子を注入する電子注入層である、
請求項5に記載の有機EL表示パネル。 - 前記金属層がBaを含んでなる、
請求項6に記載の有機EL表示パネル。 - 前記補助配線は、ITOまたはIZOからなる、
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1電極の上方に形成されたホール注入層と同一層のホール注入層が、前記補助配線の上方に形成されている、
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 少なくとも前記補助配線上に形成されるホール注入層の膜厚が4nm以上である、
請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1電極の上方に開口部を有する隔壁が、前記ホール注入層上に形成され、
前記機能層は、前記隔壁の開口部内に形成されている、
請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1電極は画素単位に複数配置され、
前記隔壁の開口部は、前記複数の第1電極の各々に対応して形成されている、
請求項11に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1電極は画素単位に複数配置され、
前記隔壁の開口部は、前記複数配置された第1電極のラインごとに、対応して形成されている、
請求項11に記載の有機EL表示パネル。 - 前記UPSスペクトルにおいて、前記隆起した形状は、前記価電子帯の上端に対し、1.8〜3.6eV低い結合エネルギー領域内に位置する、
請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記その他の原子の数密度の比は、0.62以下である、
請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記その他の原子は炭素原子である、
請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 前記ホール注入層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.83以下となるように、紫外線が照射されて構成されている、
請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の有機EL表示パネル。 - 基板と、
前記基板上または前記基板内に形成された第1電極と、
前記基板上または前記基板内に前記第1電極と離間して形成された配線と、
前記第1電極の上方に形成され、有機材料を含む有機層と、
前記有機層と前記第1電極との間に介在し、酸化タングステンを含む酸化タングステン層と、
前記有機層の上方に形成された第2電極と、を具備し、
前記酸化タングステン層および前記第2電極の各々は、前記第1電極の上方および前記配線の上方に連続して形成され、
前記第2電極と前記配線とは、前記酸化タングステン層を介して電気接続され、
前記酸化タングステン層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.83以下である、
有機EL表示パネル。 - 基板と、
前記基板上または前記基板内に形成された第1電極と、
前記基板上または前記基板内に前記第1電極と離間して形成された補助配線と、
前記第1電極の上方に形成され、少なくとも発光層を含む機能層と、
前記機能層と前記第1電極との間に介在し前記機能層へのホール注入を行うホール注入層と、
前記機能層の上方に形成された第2電極と、を具備し、
前記ホール注入層および前記第2電極の各々は、前記第1電極の上方および前記補助配線の上方に連続して形成され、
前記第2電極と前記補助配線とは、前記ホール注入層を介して電気接続され、
前記ホール注入層は、酸化タングステンを含み、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、
かつ、
結合エネルギーが4.5〜5.4eVにおいて、ピーク形状を有する、
有機EL表示パネル。 - 前記UPSスペクトルにおいて、前記隆起した形状は、前記価電子帯の上端に対し、1.8〜3.6eV低い結合エネルギー領域内に位置する、
請求項19記載の有機EL表示パネル。 - 前記ホール注入層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、
かつ、
結合エネルギーが4.5〜5.4eVにおいて、ピーク形状を有するように、
紫外線が照射されて構成されている、
請求項19記載の有機EL表示パネル。 - 基板と、
前記基板上または前記基板内に形成された第1電極と、
前記基板上または前記基板内に前記第1電極と離間して形成された配線と、
前記第1電極の上方に形成され、有機材料を含む有機層と、
前記有機層と前記第1電極との間に介在し、酸化タングステンを含む酸化タングステン層と、
前記有機層の上方に形成された第2電極と、を具備し、
前記酸化タングステン層および前記第2電極の各々は、前記第1電極の上方および前記配線の上方に連続して形成され、
前記第2電極と前記配線とは、前記酸化タングステン層を介して電気接続され、
前記酸化タングステン層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端よりも低い結合エネルギー領域のフェルミ面近傍に隆起した形状を有し、
かつ、
結合エネルギーが4.5〜5.4eVにおいて、ピーク形状を有する、
有機EL表示パネル。 - 請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の有機EL表示パネルを備える有機EL表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013500714A JP5809234B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-11-18 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040760 | 2011-02-25 | ||
JP2011040760 | 2011-02-25 | ||
JP2013500714A JP5809234B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-11-18 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
PCT/JP2011/006448 WO2012114403A1 (ja) | 2011-02-25 | 2011-11-18 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012114403A1 true JPWO2012114403A1 (ja) | 2014-07-07 |
JP5809234B2 JP5809234B2 (ja) | 2015-11-10 |
Family
ID=46720225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013500714A Active JP5809234B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-11-18 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8981361B2 (ja) |
JP (1) | JP5809234B2 (ja) |
WO (1) | WO2012114403A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9065069B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-06-23 | Joled Inc. | Method for producing organic light-emitting element |
US9324964B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-04-26 | Joled Inc. | Organic light-emitting element with hole injection layer having concave portion |
US9112189B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-08-18 | Joled Inc. | Method for producing organic light-emitting element |
KR20130024029A (ko) * | 2011-08-30 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6387547B2 (ja) | 2012-03-02 | 2018-09-12 | 株式会社Joled | 有機el素子とその製造方法、および金属酸化物膜の成膜方法 |
CN103503190B (zh) | 2012-04-27 | 2016-08-24 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件和具备该元件的有机el面板、有机el发光装置、有机el显示装置 |
KR102046157B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9704925B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-07-11 | Joled Inc. | EL display device |
JP6136890B2 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
US9929228B2 (en) * | 2014-06-26 | 2018-03-27 | Joled Inc. | Display device |
KR102273654B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6358946B2 (ja) | 2014-12-18 | 2018-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP2017168397A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6640034B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2020-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置の製造方法 |
KR20180075918A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN106941111A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置 |
CN108735777B (zh) * | 2017-04-21 | 2020-11-06 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
KR102577233B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시 장치 |
Family Cites Families (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5294869A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5688551A (en) | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
DE69723538T2 (de) | 1996-11-29 | 2004-06-09 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Organisches elektrolumineszentes Bauteil |
JPH10162959A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3782245B2 (ja) | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6309801B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-10-30 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an electronic device comprising two layers of organic-containing material |
JP4198253B2 (ja) | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2002075661A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 有機el素子及び有機el表示装置 |
US7153592B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material |
TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
JP2002318556A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
EP1388180A2 (en) | 2001-05-18 | 2004-02-11 | Cambridge University Technical Services Limited | Electroluminescent device |
JP2003007460A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP3823916B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
JP2003264083A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 有機led素子とその製造方法 |
JP4165173B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-10-15 | 株式会社デンソー | 有機el素子の製造方法 |
JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Seiko Epson Corp | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
JP2004234901A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機el表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
KR101172526B1 (ko) | 2003-05-12 | 2012-08-13 | 캠브리지 엔터프라이즈 리미티드 | 고분자 소자의 제조 방법 |
ATE414995T1 (de) | 2003-05-12 | 2008-12-15 | Cambridge Entpr Ltd | Polymerer transistor |
JP2005012173A (ja) | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2004363170A (ja) | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 導電パターンの形成方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
KR20060110323A (ko) | 2003-12-16 | 2006-10-24 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법 |
US20090160325A1 (en) | 2003-12-16 | 2009-06-25 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
JP2005203340A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005203339A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
JP4857521B2 (ja) | 2004-01-09 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
JP4002949B2 (ja) | 2004-03-17 | 2007-11-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 両面発光有機elパネル |
JP2005268099A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示パネル、有機el表示装置、および有機el表示パネルの製造方法 |
JP4645064B2 (ja) | 2004-05-19 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
US7541099B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative and light emitting element and light emitting device using the same |
JP4161956B2 (ja) | 2004-05-27 | 2008-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
US7211456B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-05-01 | Au Optronics Corporation | Method for electro-luminescent display fabrication |
JP2006185869A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2006253443A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法および電子機器 |
JP2006294261A (ja) | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
TWI307612B (en) | 2005-04-27 | 2009-03-11 | Sony Corp | Transfer method and transfer apparatus |
JP2006344459A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | 転写方法および転写装置 |
US7994711B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2007073499A (ja) | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7635858B2 (en) | 2005-08-10 | 2009-12-22 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution |
GB0517195D0 (en) | 2005-08-23 | 2005-09-28 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device structures and fabrication methods |
JP2007095606A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法、及び電子機器 |
JP4318689B2 (ja) | 2005-12-09 | 2009-08-26 | 出光興産株式会社 | n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法 |
JP2007214066A (ja) | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
JP2007288074A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
JP2007288071A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法、それを用いた表示装置、露光装置 |
US20070241665A1 (en) | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same |
JP2007287353A (ja) | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法およびそれを用いて作成された有機エレクトロルミネッセント素子 |
US20070290604A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of producing the same |
JP2008041747A (ja) | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント発光装置およびその製造方法 |
JP4915650B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008091072A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、およびその製造方法 |
JP4915913B2 (ja) | 2006-11-13 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008140724A (ja) | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
WO2008075615A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
JP5326289B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | 有機el素子およびそれを備えた表示装置 |
WO2008120714A1 (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2009004347A (ja) | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el表示素子の製造方法及び有機el表示素子 |
US7764014B2 (en) | 2007-05-30 | 2010-07-27 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel with banks defining line-state pixels |
EP2141964B1 (en) | 2007-05-31 | 2011-09-07 | Panasonic Corporation | Organic EL element and manufacturing method thereof |
JP5384856B2 (ja) | 2007-06-04 | 2014-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機金属錯体、発光素子、発光装置、照明装置、及び電子機器 |
KR101581475B1 (ko) | 2007-07-31 | 2015-12-30 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
JP5001745B2 (ja) | 2007-08-10 | 2012-08-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
JP2009048960A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Canon Inc | 電極洗浄処理方法 |
JP2009058897A (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
WO2009075075A1 (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Panasonic Corporation | 有機elデバイスおよびelディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
WO2009084209A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Panasonic Corporation | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
JP4418525B2 (ja) | 2008-02-28 | 2010-02-17 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイパネル |
JP2009218156A (ja) | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Casio Comput Co Ltd | Elパネル及びelパネルの製造方法 |
JP5267246B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2009239180A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4931858B2 (ja) | 2008-05-13 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP4678421B2 (ja) | 2008-05-16 | 2011-04-27 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4975064B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2008241238A (ja) | 2008-05-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍空調装置及び冷凍空調装置の制御方法 |
JP2010021138A (ja) | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセント装置およびその製造方法 |
GB0811199D0 (en) | 2008-06-18 | 2008-07-23 | Cambridge Entpr Ltd | Electro-optic diode devices |
JP5199773B2 (ja) | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
KR101148458B1 (ko) | 2008-09-19 | 2012-05-24 | 파나소닉 주식회사 | 유기 일렉트로 루미네슨스 소자 및 그 제조 방법 |
JP5138542B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2011040167A (ja) | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2010123716A (ja) | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP4856753B2 (ja) | 2008-12-10 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | 光学素子および光学素子を具備する表示装置の製造方法 |
KR101251725B1 (ko) | 2008-12-18 | 2013-04-05 | 파나소닉 주식회사 | 유기 일렉트로 루미네슨스 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2010161185A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法 |
WO2010092796A1 (ja) | 2009-02-10 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
WO2010092797A1 (ja) | 2009-02-10 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 |
JP5437736B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
JP5720006B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2015-05-20 | 株式会社Joled | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5677431B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5612691B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
CN103053042B (zh) | 2010-08-06 | 2016-02-24 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件及其制造方法 |
CN103053041B (zh) | 2010-08-06 | 2015-11-25 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
JP5677433B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
KR101707254B1 (ko) | 2010-11-29 | 2017-02-15 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 발광 소자의 제조 방법, 유기 발광 소자, 발광 장치, 표시 패널, 및 표시 장치 |
WO2012098587A1 (ja) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
CN103314462B (zh) * | 2011-02-23 | 2016-03-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板和有机el显示装置 |
WO2012153445A1 (ja) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
-
2011
- 2011-11-18 WO PCT/JP2011/006448 patent/WO2012114403A1/ja active Application Filing
- 2011-11-18 US US14/000,977 patent/US8981361B2/en active Active
- 2011-11-18 JP JP2013500714A patent/JP5809234B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5809234B2 (ja) | 2015-11-10 |
WO2012114403A1 (ja) | 2012-08-30 |
US20130328039A1 (en) | 2013-12-12 |
US8981361B2 (en) | 2015-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5809234B2 (ja) | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 | |
JP5884224B2 (ja) | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 | |
JP5677432B2 (ja) | 有機el素子、表示装置および発光装置 | |
JP5720006B2 (ja) | 有機el素子、表示装置および発光装置 | |
WO2012153445A1 (ja) | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 | |
JP5612691B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP5677433B2 (ja) | 有機el素子、表示装置および発光装置 | |
JP5612693B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP5676652B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP5677434B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP5677431B2 (ja) | 有機el素子、表示装置および発光装置 | |
JP5612692B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP5612503B2 (ja) | 有機発光装置 | |
US8703530B2 (en) | Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device | |
JP2012174712A (ja) | 有機発光素子 | |
JP2012174346A (ja) | 有機発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140516 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140606 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5809234 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |