JP5720006B2 - 有機el素子、表示装置および発光装置 - Google Patents
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Description
本発明者は、有機EL素子の駆動電圧の増大や素子の寿命の低下を防止するため、製造工程において各層の形成後に、洗浄により各層の表面の吸着物を除去するプロセスを設けることを着想した。
本発明者がこれらの方法について鋭意検討した結果、酸化モリブデンや酸化タングステンなどの金属酸化物からなるホール注入層を有する有機EL素子において、UVオゾン洗浄および酸素プラズマ洗浄は、前記ホール注入層の洗浄には適していないことを見出した。
ところで、吸着物を除去する別の方法としては、成膜後に真空容器中にてアルゴンイオンスパッタなどを施すスパッタエッチング処理が挙げられる。このスパッタエッチング処理は、吸着物の除去だけでなく、酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位を増大させることも報告されており、一見優れた洗浄方法のようにも受け取れる。
以下、本発明の一態様に係る有機EL素子およびその製造方法、表示装置、発光装置を説明し、続いて各性能確認実験の結果と考察を述べる。なお、各図面における部材縮尺は、実際のものとは異なる。
図1は、本実施の形態における有機EL素子1の構成を示す模式的な断面図である。
ホール注入層3は、例えば、厚さ30nmの、金属酸化物である酸化タングステンの薄膜(層)からなる。酸化タングステンは、その組成式(WOx)において、xは概ね2<x<3の範囲における実数である。ホール注入層3はできるだけ酸化タングステンのみで構成されることが望ましいが、通常レベルで混入し得る程度に、極微量の不純物が含まれていてもよい。
バッファ層4は、例えば、厚さ20nmのアミン系有機高分子であるTFB(poly(9,9−di−n−octylfluorene−alt−(1,4−phenylene−((4−sec−butylphenyl)imino)−1,4−phenylene))で構成されている。
発光層5は、例えば、厚さ70nmの有機高分子であるF8BT(poly(9,9−di−n−octylfluorene−alt−benzothiadiazole))で構成される。しかしながら、発光層5はこの材料からなる構成に限定されず、公知の有機材料を含むように構成することが可能である。たとえば特開平5−163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。
本発明における機能層は、ホールを輸送するホール輸送層、注入されたホールと電子とが再結合することで発光する発光層、光学特性の調整または電子ブロックの用途に用いられるバッファ層等のいずれか、もしくはそれらの2層以上の組み合わせ、または全ての層を指す。本発明はホール注入層を対象としているが、有機EL素子はホール注入層以外に上記したホール輸送層、発光層等のそれぞれ所要機能を果たす層が存在する。機能層とは、本発明の対象とするホール注入層以外の、有機EL素子に必要な層を意味している。
陽極2は、例えば、厚さ50nmのITO薄膜で構成されている。陰極6は、例えば、厚さ5nmのバリウム層6aと、厚さ100nmのアルミニウム層6bを積層して構成される。陽極2および陰極6には直流電源8が接続され、外部より有機EL素子1に給電されるようになっている。
以上の構成を持つ有機EL素子1では、金属酸化物である酸化タングステンからなるホール注入層3の成膜後にその表面に所定の波長の紫外光が照射されているため、金属酸化物の酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位が維持されたまま、その表面から吸着物が最大限に除去されている。これにより、低駆動電圧で長寿命の有機EL素子となっている。
図2に基づいて、本発明の一態様に係る表示装置について説明する。図2は、本発明の一態様に係る表示装置の全体構成を示す図である。
図3は、本発明の一態様に係る発光装置を示す図であって、(a)は縦断面図、(b)は横断面図である。図3に示すように、発光装置200は、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法により製造された有機EL素子210と、それら有機EL素子210が上面に実装されたベース220と、当該ベース220にそれら有機EL素子210を挟むようにして取り付けられた一対の反射部材230とを備え、照明装置や光源として用いられる。各有機EL素子210は、ベース220上に形成された導電パターン(不図示)に電気的に接続されており、前記導電パターンにより供給された駆動電力によって発光する。各有機EL素子210から出射された光の一部は、反射部材230によって配光が制御される。
次に、有機EL素子1の製造方法を図4に基づき例示する。図4は、実施の形態に係る有機EL素子の製造方法の要部を説明するための図である。
以上の有機EL素子1の製造方法では、酸化タングステンからなるホール注入層3の成膜後、所定の波長の紫外光を照射する工程を含む。これにより、ホール注入層表面における金属酸化物の酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位を維持したまま、ホール注入層3の表面から吸着物を除去することができる。
(紫外光照射による吸着物の除去効果について)
本実施の形態では、酸化タングステンからなるホール注入層3の成膜後、所定の条件で紫外光を照射することにより、ホール注入層3表面の吸着物を除去している。この吸着物除去効果については以下の実験で確認された。
バイアス:なし
出射角 :基板法線方向
まず、各サンプルをワイドスキャン測定したところ、観測された元素はいずれのサンプルもタングステン(W)、酸素(O)、および炭素(C)のみであった。そこで、Wの4f軌道(W4f)、およびCの1s軌道(C1s)のナロースキャンスペクトルの測定を行い、酸化タングステンからなるホール注入層3の表層数nmにおける、タングステン原子の数密度に対する炭素原子の数密度の相対値、すなわち、WとCとの組成比を求めた。なお、スペクトルから組成比を求めるためには、測定に使用した光電子分光装置に付属のXPS解析ソフトウェア「MultiPak」の組成比算出機能を使用した。
本実施の形態では、酸化タングステンからなるホール注入層3表面の吸着物を、紫外光照射で除去する際、ホール注入能力に作用する酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位は、照射の影響はほとんど受けずに維持されている。この維持性については、以下の実験で確認された。
バイアス:なし
出射角 :基板法線方向
図5に、各サンプルのフェルミ面近傍のUPSスペクトルを示す。なお、以降、光電子分光(UPS、XPS)スペクトルは、横軸の結合エネルギーの原点はフェルミ面に採り、左方向を正の向きとした。照射なしサンプル、照射1分サンプル、照射10分サンプルのいずれも、図中に(I)で示したフェルミ面近傍の隆起構造が明確に確認できる。したがって、ホール注入能力に作用する酸素欠陥に類する構造が、紫外光の照射を受けても維持されていることがわかる。
本実施の形態の紫外光照射による、酸化タングステンからなるホール注入層3の表面の洗浄では、ある程度以上の照射時間において、その吸着物除去効果が飽和することが、以下の実験で確認された。
本実施の形態では、ホール注入能力に作用する酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位が、少なくとも表面洗浄後からその表面に上層が積層されるまでの間において継続的に維持される。その根拠は以下の通りである。
紫外光照射によりホール注入層3を洗浄した本実施の形態に係る有機EL素子1は、照射をしないで作製した有機EL素子に比べて素子特性が良い。これに関しては、以下の実験で確認された。
本実施の形態では、ホール注入層3の成膜後に所定の波長の紫外光を大気中にて照射することで、ホール注入層3の吸着物が除去されており、除去されたホール注入層3を用いた有機EL素子1は除去を行わない有機EL素子よりも低電圧駆動を実現する。この紫外光の波長については、以下の考察により規定された。
O + O2 → O3
また、さらにオゾンが分解し、再び酸素ラジカルが発生するための紫外光の波長は253.7nmである。
E=Nhc/λ(N:アボガドロ数、h:プランク定数、c:光速、λ:波長 )
上式より、波長184.9nmの紫外光のエネルギーは647kJ/mol、波長253.7nmの紫外光のエネルギーは472kJ/molに相当する。これらの値を表4と比較すると、本実施の形態の波長域の紫外光は、吸着物に見られる多くの原子間結合を切断できることがわかる。特に、後述するように、化学吸着の場合は、吸着物は酸化タングステンの酸素原子と主に単結合すると考えられるが、この吸着物との単結合のエネルギーは、大きくてもO−H結合の463kJ/mol(波長258nmに相当)程度であるから、本実施の形態の波長域の紫外光で切断が可能であることがわかる。また、物理吸着の場合は、化学吸着よりもはるかに結合が弱いため、これも紫外光照射で容易に除去される。
本実施の形態では、紫外光の照射後も、ホール注入層3表面の酸素欠陥に類する構造が形成する電子準位が継続的に維持され、したがって、ホール注入能力も安定して維持され、低駆動電圧の有機EL素子の製造を安定して行うことが可能である。この維持性に関して以下に考察する。
次に、本発明の一態様に係る紫外光照射装置について説明する。図4(b)に示す本発明の一態様に係る紫外光照射装置20は、有機EL素子1の中間製品9に対し紫外光を照射するための装置であって、波長域が主として184.9nm超380nm以下である紫外光を出射する光源21と、当該光源21から出射した紫外光を前記中間製品9に向けて集光する反射鏡22と、それら光源21および反射鏡22を覆いかつ保持する筐体23と、前記光源21を点灯制御する制御部24とを備える。
以上、本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法、および、紫外光照射装置を具体的に説明してきたが、上記実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かり易く説明するために用いた例であって、本発明の内容は、上記の実施の形態に限定されない。例えば、理解容易のために挙げた各部のサイズや材料などは、あくまでも典型的な一例に過ぎず、本発明がそれらサイズや材料などに限定されるものではない。
本発明の一態様に係る有機EL素子の製造方法において、紫外光照射は、大気中以外にも、減圧雰囲気、不活性ガス雰囲気、真空など、様々なガス雰囲気内で適用できる。これは、酸素ラジカルが発生しない波長の紫外光による洗浄方法だからである。しかしながら、大気中で行うことは、前述のように、大型パネルの製造において有利である。
1A ホールオンリー素子
2 陽極
3 ホール注入層
4 バッファ層(機能層)
5 発光層(機能層)
6 陰極
6a バリウム層
6b アルミニウム層
6A 陰極(金層)
7 基板
8 直流電源
9 中間製品
20 紫外光照射装置
21 光源
22 反射鏡
23 筐体
24 制御部
25 搬送コンベア
100 表示装置
200 発光装置
Claims (9)
- 陽極と陰極との間に、ホール注入層と、有機材料を含み前記ホール注入層からホールが注入される機能層とが設けられた有機EL素子であって、
前記ホール注入層は、酸化タングステンを含み、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端に対し1.8〜3.6eV低い結合エネルギー領域内に、全ての半値点が位置するピーク形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.62以上0.83以下である、
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記その他の原子は炭素原子である、請求項1記載の有機EL素子。
- 前記ホール注入層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端に対し1.8〜3.6eV低い結合エネルギー領域内に、全ての半値点が位置するピーク形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.62以上0.83以下となるように、紫外線が照射されて構成されている、請求項1記載の有機EL素子。 - 陽極と陰極との間に、ホール注入層と、有機材料を含み前記ホール注入層からホールが注入される機能層とが設けられた有機EL素子であって、
前記ホール注入層は、酸化タングステンを含み、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端に対し1.8〜3.6eV低い結合エネルギー領域内に、全ての半値点が位置するピーク形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.62以上0.83以下であり、
かつ、
結合エネルギーが4.5〜5.4eVにおいて、ピーク形状を有する、
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記ホール注入層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端に対し1.8〜3.6eV低い結合エネルギー領域内に、全ての半値点が位置するピーク形状を有し、
XPS測定に基づく、前記酸化タングステンのタングステン原子に対する、前記タングステン原子および酸素原子以外のその他の原子の数密度の比が、0.62以上0.83以下であり、
かつ、
結合エネルギーが4.5〜5.4eVにおいて、ピーク形状を有するように、
紫外線が照射されて構成されている、請求項4記載の有機EL素子。 - 陽極と陰極との間に、ホール注入層と、有機材料を含み前記ホール注入層からホールが注入される機能層とが設けられた有機EL素子であって、
前記ホール注入層は、酸化モリブデンを含み、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端に対し1.2〜3.0eV低い結合エネルギー領域内に、全ての半値点が位置するピーク形状を有し、
かつ、
結合エネルギーが3.7〜5.2eVにおいて、紫外線が照射されない場合のスペクトルをベースラインとしたピーク形状を有する、
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記ホール注入層は、
UPS測定に基づくUPSスペクトルにおいて、価電子帯の上端に対し1.2〜3.0eV低い結合エネルギー領域内に、全ての半値点が位置するピーク形状を有し、
かつ、
結合エネルギーが3.7〜5.2eVにおいて、紫外線が照射されない場合のスペクトルをベースラインとしたピーク形状を有するように、
紫外線が照射されて構成されている、請求項6記載の有機EL素子。 - 請求項1〜7いずれかに記載の有機EL素子を備えた表示装置。
- 請求項1〜7いずれかに記載の有機EL素子を備えた発光装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/004212 WO2011161726A1 (ja) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011161726A1 JPWO2011161726A1 (ja) | 2013-08-19 |
JP5720006B2 true JP5720006B2 (ja) | 2015-05-20 |
Family
ID=45370942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550374A Active JP5720006B2 (ja) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8664669B2 (ja) |
JP (1) | JP5720006B2 (ja) |
CN (1) | CN102473847B (ja) |
WO (1) | WO2011161726A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103053040B (zh) | 2010-08-06 | 2015-09-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
WO2012017503A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
JP5677436B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
WO2012098587A1 (ja) | 2011-01-21 | 2012-07-26 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
CN103314462B (zh) | 2011-02-23 | 2016-03-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板和有机el显示装置 |
WO2012114403A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
US9112189B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-08-18 | Joled Inc. | Method for producing organic light-emitting element |
JP5861210B2 (ja) | 2011-07-15 | 2016-02-16 | 株式会社Joled | 有機発光素子 |
WO2013011539A1 (ja) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子の製造方法 |
WO2013128504A1 (ja) | 2012-03-02 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | 有機el素子とその製造方法、および金属酸化物膜の成膜方法 |
WO2013157058A1 (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
CN103503190B (zh) | 2012-04-27 | 2016-08-24 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件和具备该元件的有机el面板、有机el发光装置、有机el显示装置 |
US9105868B2 (en) | 2012-06-04 | 2015-08-11 | Joled Inc. | Organic EL element including a hole injection layer with a proportion of sulphur atoms relative to metal atoms |
CN104009174A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
US10276795B2 (en) * | 2016-08-15 | 2019-04-30 | Arm Ltd. | Fabrication of correlated electron material film via exposure to ultraviolet energy |
EP3471164B1 (en) | 2017-08-11 | 2023-03-29 | LG Chem, Ltd. | Organic electroluminescent element and manufacturing method therefor |
Family Cites Families (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
US5294869A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5688551A (en) | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
EP1119221B1 (en) | 1996-11-29 | 2004-03-03 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
JPH10162959A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3782245B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6309801B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-10-30 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an electronic device comprising two layers of organic-containing material |
JP4198253B2 (ja) | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
US7153592B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material |
JP2002075661A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 有機el素子及び有機el表示装置 |
TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
JP2002318556A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP4220253B2 (ja) | 2001-05-18 | 2009-02-04 | ケンブリッジ・ユニバーシティ・テクニカル・サービシズ・リミテッド | エレクトロルミネセンス装置 |
JP2003007460A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP3823916B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
JP2003264083A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 有機led素子とその製造方法 |
JP4165173B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-10-15 | 株式会社デンソー | 有機el素子の製造方法 |
JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Seiko Epson Corp | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
JP2004234901A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機el表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
WO2004100282A2 (en) | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Cambridge University Technical Services Limited | Manufacture of a polymer device |
WO2004100281A1 (en) | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Cambridge University Technical Services Limited | Polymer transistor |
JP2005012173A (ja) | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2004363170A (ja) | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 導電パターンの形成方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
US20090160325A1 (en) | 2003-12-16 | 2009-06-25 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
JP2005203339A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
DE602004021424D1 (de) | 2003-12-16 | 2009-07-16 | Panasonic Corp | Organisches elektrolumineszenzbauelement und herstellungsverfahren dafür |
JP2005203340A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4857521B2 (ja) | 2004-01-09 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
JP4002949B2 (ja) | 2004-03-17 | 2007-11-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 両面発光有機elパネル |
JP2005268099A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示パネル、有機el表示装置、および有機el表示パネルの製造方法 |
JP4645064B2 (ja) | 2004-05-19 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
US7541099B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative and light emitting element and light emitting device using the same |
US7211456B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-05-01 | Au Optronics Corporation | Method for electro-luminescent display fabrication |
JP2006185869A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2006253443A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法および電子機器 |
JP2006294261A (ja) | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
TWI307612B (en) | 2005-04-27 | 2009-03-11 | Sony Corp | Transfer method and transfer apparatus |
JP2006344459A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | 転写方法および転写装置 |
US7994711B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2007073499A (ja) | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7635858B2 (en) * | 2005-08-10 | 2009-12-22 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution |
JP2007095606A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法、及び電子機器 |
JP4318689B2 (ja) | 2005-12-09 | 2009-08-26 | 出光興産株式会社 | n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法 |
JP2007214066A (ja) | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
US20070241665A1 (en) | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same |
JP2007287353A (ja) | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法およびそれを用いて作成された有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2007288074A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
JP2007288071A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法、それを用いた表示装置、露光装置 |
US20070290604A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of producing the same |
JP2008041747A (ja) | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント発光装置およびその製造方法 |
JP4915650B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP3351377B1 (en) | 2006-09-08 | 2019-08-21 | Toppan Printing Co., Ltd. | Laminate |
JP2008091072A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、およびその製造方法 |
JP4915913B2 (ja) | 2006-11-13 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008140724A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
WO2008075615A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
JP5326289B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | 有機el素子およびそれを備えた表示装置 |
JP5333211B2 (ja) | 2007-03-29 | 2013-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2009004347A (ja) | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el表示素子の製造方法及び有機el表示素子 |
WO2008149499A1 (ja) | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP4280301B2 (ja) | 2007-05-31 | 2009-06-17 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、およびその製造方法 |
US20080312437A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-18 | Semiconductor Energy Labratory Co., Ltd. | Organometallic Complex, and Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Electronic Device Using the Organometallic Complex |
US8628986B2 (en) | 2007-07-31 | 2014-01-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same |
JP5001745B2 (ja) | 2007-08-10 | 2012-08-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
JP2009048960A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Canon Inc | 電極洗浄処理方法 |
JP2009058897A (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
CN101855742B (zh) | 2007-12-10 | 2011-12-28 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光器件和有机电致发光显示面板及其制造方法 |
US7888867B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Organic el device having bank with groove, organic el display panel, and method for manufacturing the organic el device |
KR100959466B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-05-25 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디스플레이 패널 |
JP2009218156A (ja) | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Casio Comput Co Ltd | Elパネル及びelパネルの製造方法 |
JP5267246B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2009239180A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4931858B2 (ja) | 2008-05-13 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP4678421B2 (ja) | 2008-05-16 | 2011-04-27 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4975064B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2008241238A (ja) | 2008-05-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍空調装置及び冷凍空調装置の制御方法 |
JP2010021138A (ja) | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセント装置およびその製造方法 |
GB0811199D0 (en) * | 2008-06-18 | 2008-07-23 | Cambridge Entpr Ltd | Electro-optic diode devices |
JP5199773B2 (ja) | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
CN101911831B (zh) | 2008-09-19 | 2013-08-14 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件及其制造方法 |
JP5138542B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2011040167A (ja) | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2010123716A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP4856753B2 (ja) | 2008-12-10 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | 光学素子および光学素子を具備する表示装置の製造方法 |
JP4852660B2 (ja) | 2008-12-18 | 2012-01-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2010161185A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法 |
KR101581989B1 (ko) | 2009-02-10 | 2015-12-31 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광 소자, 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법 |
JP5357194B2 (ja) | 2009-02-10 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
JP5437736B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
JP5612693B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2012017503A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
WO2012017495A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-24 JP JP2011550374A patent/JP5720006B2/ja active Active
- 2010-06-24 CN CN201080025874.2A patent/CN102473847B/zh active Active
- 2010-06-24 WO PCT/JP2010/004212 patent/WO2011161726A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-01-30 US US13/360,984 patent/US8664669B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8664669B2 (en) | 2014-03-04 |
US20120132934A1 (en) | 2012-05-31 |
WO2011161726A1 (ja) | 2011-12-29 |
CN102473847B (zh) | 2015-01-14 |
JPWO2011161726A1 (ja) | 2013-08-19 |
CN102473847A (zh) | 2012-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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