JPWO2009057596A1 - 導体内蔵セラミックスの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 金属リード線の加工を不要にし、脱脂・焼成時に発生する基体間の隙間からの異物・埃等の進入を防止し、絶縁破壊不良を低減することができる導体内蔵セラミックスの製造方法、およびその製造方法で製造した導体内蔵セラミックスを提供する。【解決手段】 導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物を用いて通電部用成形体11を作製する工程と、通電部用成形体11を金型13内に保持し、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物15を金型13内に充填することにより、通電部用成形体11が基体用混合物15で覆われた素子成形体17を作製する工程と、素子成形体17を焼成する工程とを備えた導体内蔵セラミックスの製造方法である。通電部と基体との間に空隙が生じるのを抑制できるとともに、脱脂時や焼成時に素子成形体17内に外部からの異物や埃等が混入するのを抑制できる。【選択図】 図1

Description

本発明は、導体内蔵セラミックスの製造方法に関する。
従来、導体内蔵セラミックスの製造方法として種々の方法が提案されている。例えば特許文献1〜3には、セラミックスとバインダーからなる混合物を造粒して得られる顆粒をホットプレスして予備成形体を作製し、予備成形体間に金属部材を設置して一軸加圧成形を行い、ホットプレスで焼成することによって金属部材を内蔵したセラミックスを得る方法が開示されている。また特許文献4,5には、基体となる第1のセラミックス成形体上に電極となるセラミックス材料のペーストを塗布し、さらに基体となる第2のセラミックス成形体を載せて焼成することにより、電極内蔵セラミックスを得る方法が開示されている。さらに特許文献6には、予備成形体間に金属リード線を挟み込み、ホットプレス焼成を行なうことにより、通電部内蔵のセラミックスを製造する方法が開示されている。
特開平10−249843号公報 特開平10−259059号公報 特開平11−255566号公報 特開2002−16128号公報 特開2002−93550号公報 特開2002−47067号公報 特開昭59−231322号公報
しかしながら、特許文献1〜3に記載の製造方法は、一軸の加圧成形方法を使用して成形するため、複雑な形状を作製することが難しく、かつ導体部分になる金属部材は加圧成形時の変形をなくするために強度を持つものが必要になるという課題がある。また、特許文献4,5に記載の製造方法は、ペーストを使用して通電部を印刷するため、にじみやムラが発生しやすく、また基体をのせて焼成するため、基体間に異物・埃等を噛み込みやすくなるという課題がある。さらに、特許文献6に記載の製造方法は、通電部に金属リード線を用いているためにW,W−Re合金等の線材を曲げたり、切断したりする金属リード線の作製工程が必要になるという課題がある。
上記課題に鑑み、本発明の目的は、煩雑な金属リード線の加工が不要であるとともに、脱脂時や焼成時に基体間に異物や埃等が進入するのを防止してクラック,断線,絶縁破壊等の発生を抑制できる導体内蔵セラミックスの製造方法を提供することである。
本発明の導体内蔵セラミックスの製造方法は、導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物を用いて通電部用成形体を作製する工程と、該通電部用成形体を金型内に保持し、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物を前記金型内に充填することにより、前記通電部用成形体が前記基体用混合物で覆われた素子成形体を作製する工程と、該素子成形体を焼成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また、前記素子成形体を作製する工程において、前記通電部用成形体の一部を支持するための支持部材により前記通電部用成形体を前記金型内に保持した状態で、前記金型に設けられた充填口から前記基体用混合物を前記金型内に充填してもよい。
さらに、前記素子成形体を作製する工程において、前記通電部用成形体を複数の前記支持部材を用いて前記金型内に保持した状態で、前記複数の支持部材のうち前記充填口に近い方の支持部材から順に前記通電部用成形体から離隔させながら、前記充填口から前記基体用混合物を前記金型内に充填してもよい。
また、前記素子成形体を作製する工程において、前記金型が、一方側および他方側に互いに対向配置された少なくとも2つの金型部材を有し、これらの金型部材のうち一方側に配置された第1の金型部材の内面に前記通電部用成形体が配置され、他方側に配置された第2の金型部材の内面と前記通電部用成形体の他方側の表面との間にキャビティが設けられた状態で、このキャビティに前記基体用混合物を充填した後、前記第1の金型部材を第3の金型部材と交換して、この第3の金型部材の内面と前記通電部用成形体の一方側の表面との間にキャビティが設けられた状態で、このキャビティに前記基体用混合物を充填することによって、前記通電部用成形体が前記基体用混合物で覆われた前記素子成形体を作製してもよい。
本発明の他の導体内蔵セラミックスの製造方法は、導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物を用いて通電部用成形体を作製する工程と、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物を用いて複数の基体用成形体を作製する工程と、前記通電部用成形体を前記基体用成形体間に配置して前記通電部用成形体を前記基体用成形体で覆うとともに、前記基体用成形体間を接着することにより素子成形体を作製する工程と、前記素子成形体を焼成する工程とを備えたことを特徴とする。
また、上記構成において、前記通電部用混合物に含まれる前記バインダーのガラス転移点をTg(A)とし、前記基体用混合物に含まれる前記バインダーのガラス転移点をTg(B)とするとき、これらの関係はTg(B)<Tg(A)を満足することが好ましい。
また、上記構成において、前記通電部用混合物の粘度が100mPa・sになる温度をTv(A)とし、前記基体用混合物の粘度が100mPa・sになる温度をTv(B)とするとき、これらの関係はTv(B)<Tv(A)を満足することが好ましい。
また、上記構成において、前記焼成工程の前に、前記バインダーが可溶な溶媒に前記素子成形体を浸漬することにより素子成形体中における前記溶媒可溶のバインダーを抽出する工程をさらに備えていることが好ましい。
本発明によれば、通電部用成形体を金型内に保持し、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物を前記金型内に充填することにより、通電部用成形体が基体用混合物で覆われた素子成形体を作製するので、通電部と基体との間に空隙が生じるのを抑制できるとともに、脱脂時や焼成時に素子成形体内に外部からの異物や埃等が混入するのを抑制できる。これにより焼成後に変形が生じるのを抑制することができ、また、クラック,断線,絶縁破壊等の発生を抑制できる。
以下、本発明の一実施形態にかかる導体内蔵セラミックスの製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
<第1の実施形態>
図1(a)〜(f)は、それぞれ本実施形態にかかる製造方法を示す横断面図である。本実施形態にかかる製造方法は、導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物(コンパウンド)を用いて射出成形で通電部用成形体11を作製する工程(図1(a))と、通電部用成形体11を射出成形用金型13内に保持し(図1(b))、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物15(スラリーまたはコンパウンド)を金型13内に充填する(図1(c)〜(e))ことにより、通電部用成形体11が基体用混合物15で覆われた素子成形体17を作製する工程(図1(f))と、素子成形体17を焼成する工程とを備えている。
具体的には、図1(c)〜(e)に示すように、素子成形体17を作製する工程において、通電部用成形体11の一部を支持する支持部材19により通電部用成形体11を金型13内に保持した状態で、金型13に設けられた充填口13aから基体用混合物15を金型13内に充填する。
なおここで「コンパウンド」とは、樹脂などのバインダー中にセラミックスを分散させたものであり、溶剤分を含まず、室温では固体状のものをいう。また「スラリー」とは、溶剤,分散剤,バインダー,セラミックスなどを混合したものであり、室温では液体状のものをいう。
本実施形態では、通電部用成形体11を複数の棒状のピン(支持部材)19を用いて金型13内に保持している。この状態で、複数のピン19のうち充填口13aに近い方のピン19から順に通電部用成形体11から離隔させながら、充填口13aから基体用混合物15を金型13内に充填する。これにより、通電部用成形体11と基体用混合物15間に空隙が生じるのを抑制できるとともに、脱脂時や焼成時に素子成形体17内に外部からの異物や埃等が混入するのを抑制できる。その結果、焼成後に変形が生じるのを抑制することができ、また、クラック,断線等の発生を抑制できる。ピン19を通電部用成形体11から離隔させるには、例えば金型13の内部にピン19を格納する空間を設けておき、この格納空間にピン19を順次収納していけばよい。また、本実施形態にかかる製造方法によれば、素子成形体17が複雑な形状であっても自由に成形することができる。
通電部用成形体11を構成するセラミックス材料としては特に限定されるものではないが、例えばタングステンカーバイト(WC)などを使用することができる。このタングステンカーバイドを主成分とし、必要に応じて窒化珪素(Si),窒化ホウ素(BN),タングステン(W),タンタル(Ta),モリブデン(Mo),レニウム(Re)等を添加することによって導体の抵抗値を最適化することができる。
素子成形体17を形成するセラミックス材料としては特に限定されるものではないが、例えば窒化珪素(Si),窒化アルミニウム(AlN)などを使用することができる。これらを主成分とし、必要に応じてY,Yb,Er,Al,BN,SiO等を添加することによって電気絶縁性および導体内蔵セラミックスの強度を向上させることができる。
本実施形態におけるバインダーとしては、例えば熱可塑性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂の具体例としては、例えばポリプロピレン,ポリエチレン,ポリスチレン,スチレン酢酸共重合体,ナイロン,パラフィンワックス,ポリブチルメタクリレート,ポリメチルメタクリレート(PMMA)等が挙げられる。これらのうちから1種ないし2種以上のものを選択することができる。
また、通電部用混合物に含まれるバインダーのガラス転移点をTg(A)(以下、単位は℃)とし、基体用混合物に含まれるバインダーのガラス転移点をTg(B)(以下、単位は℃)とするとき、これらの関係はTg(B)<Tg(A)を満足することが好ましい。この関係を満足することで、素子成形体作製工程において通電部用成形体11を基体用混合物15で覆う際に、通電部用成形体11が変形したり溶解したりするのを抑制することができる。これにより、所望の形状により近い形状の素子成形体17を得ることができるので、所望の発熱特性を備えた導体内蔵セラミックスを得ることができる。
また、通電部用混合物の粘度が100mPa・sになる温度をTv(A)(以下、単位は℃)とし、基体用混合物の粘度が100mPa・sになる温度をTv(B)(以下、単位は℃)とするとき、これらの関係はTv(B)<Tv(A)を満足することが好ましい。この関係を満足することで、素子成形体作製工程において通電部用成形体11を基体用混合物15で覆う際に、上記と同様に通電部用成形体11が変形したり溶解したりするのを抑制することができる。これにより、所望の形状により近い形状の素子成形体17を得ることができる。
また、本実施形態にかかる製造方法は、焼成工程の前に脱脂工程をさらに備えていることが好ましい。具体的には、上記工程で作製された素子成形体17に離型剤を塗布した後、例えば窒素雰囲気下で400℃,8時間の加熱脱脂工程を実施する。その後、例えば非酸化雰囲気で焼成することによって焼結体(本発明の導体内蔵セラミックス)を得ることができる。得られた焼結体については、必要に応じて所望の形状に外周加工を施してもよい。
また、脱脂工程は、バインダーが可溶な溶媒に素子成形体17を浸漬することにより素子成形体17中における溶媒可溶のバインダーを抽出する方法を用いてもよい。この脱脂工程の場合、まず素子成形体17を溶媒に浸漬し、素子成形体17中の溶媒可溶のバインダーを抽出して脱脂を行なう。次いで、脱脂後の素子成形体17に離型剤を塗布し、例えば非酸化雰囲気で焼成することによって焼結体を得ることができる。
溶媒に浸漬する脱脂工程に用いる溶媒としては、例えばアセトン,メチルエチルケトン,メチルイソブチルケトン等のケトン類,シクロへキサン,へキサン,シクロへプタン,へプタン,オクタン,ノナン,デカン等の炭化水素系溶媒,ベンゼン,トルエン,キシレン等の芳香族系溶媒,α−ピネン,リモネン,テルピネオール等のテルペン系,トルエン,キシレンの芳香族系溶媒などから適宜選択することができる。この脱脂工程に用いるバインダーとしては、上記溶媒に可溶なものを選択すればよい。
<第2の実施形態>
次に、本発明の第2の実施形態にかかる製造方法について説明する。この製造方法は、図2に示すように、素子成形体作製工程において、通電部用成形体11を基体用混合物15で被覆する際に、通電部用成形体11の一部を基体用混合物15により被覆した後、残りの部分を基体用混合物15により被覆する。これにより、素子成形体33を作製することができる。具体例を以下に示す。
図2(a)〜(d)は、それぞれ本発明の第2の実施形態にかかる製造方法を示す横断面図である。図2(a)〜(d)に示すように、本実施形態にかかる製造方法は、前記第1の実施形態とは素子成形体33を作製する工程が異なっている。
本実施形態における素子成形体作製工程では、射出成形用金型23として、一方側および他方側に互いに対向配置された複数の金型部材25,27,31を用いる。まず、これらの金型部材25,27,31のうち一方側に配置された第1の金型部材25の内面25aに、一方側の面11aが接するように通電部用成形体11が配置される。このとき、他方側に配置された第2の金型部材27の内面27aと通電部用成形体11の他方側の表面11bとの間にキャビティ29が設けられている。この状態で、充填口23aを通じてキャビティ29に基体用混合物15を充填して射出成形する(図2(b))。
次いで、第1の金型部材25を第3の金型部材31と交換する。この第3の金型部材31の内面31aと通電部用成形体11の一方側の表面11aとの間にはキャビティ29が設けられている。この状態で、充填口23bを通じてキャビティ29に基体用混合物15を充填して射出成形する(図2(c))。これにより、通電部用成形体11が基体用混合物15で覆われた素子成形体33が得られる。
このような製造方法によれば、素子成形体33が細いあるいは小さい等の折損が生じやすい構造の場合であっても、第1の実施形態と比較して安定して素子成形体33を作製することができる。また、この方法によれば、第1の実施形態と同様に、通電部用成形体11と基体用混合物15との間に空隙が生じるのを抑制できるとともに、脱脂時や焼成時に素子成形体33内に外部からの異物や埃等が混入するのを抑制できる。これにより、焼成後に変形が生じるのを抑制することができ、また、クラック,断線等の発生を抑制できる。
<第3の実施形態>
図3(a),(b)は本発明の第3の実施形態にかかる製造方法を示す横断面図である。図3(a),(b)に示すように、本実施形態にかかる製造方法は、導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物(コンパウンド)を用いて射出成形で通電部用成形体11を作製する工程(図3(a))と、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物(コンパウンド)を用いて射出成形で2つの基体用成形体35,37を作製する工程(図3(a))と、通電部用成形体11を基体用成形体35,37間に配置し、基体用成形体35,37間を接着することにより、通電部用成形体11が基体用成形体35,37で覆われた素子成形体39を作製する工程(図3(b))と、素子成形体39を焼成する工程とを備えている。
このように本実施形態にかかる製造方法では、基体用成形体35,37間を接着面41において接着することにより、脱脂時や焼成時に基体間の界面に隙間が生じるのを抑制できる。これにより、脱脂時や焼成時に基体間から埃や異物が進入するのを抑制できるので、クラック,断線,絶縁破壊等の発生が抑制された、安定した製品を得ることができる。
本実施形態において基体用成形体35,37間を接着する方法としては、例えば接着剤を用いる方法が挙げられる。この接着剤としては、例えばアクリル系,エポキシ系,ポリウレタン系,ポリオレフィン系等の接着剤が挙げられる。これらの接着剤は1液硬化タイプ,2液硬化タイプ,3液硬化タイプなどの接着剤を用いることができる。また、基体用成形体35,37間を接着する方法としては、例えば超音波ウエルダー,高周波ウエルダー,レーザ溶着等の手法を用いてもよい。これらの方法を用いる際に、特に温度をかけて接着する場合においては、通電部用成形体11が基体用成形体35,37よりも先に軟化するのを防止するために、Tg(B)<Tg(A)の関係を満足することが好ましい。この関係を満足することで、通電部用成形体11が変形したり溶解したりするのを抑制することができる。これにより、所望の形状により近い形状の素子成形体39を得ることができるので、所望の発熱特性を備えた導体内蔵セラミックスを得ることができる。
本発明の導体内蔵セラミックスは、例えば半導体製造用ヒータ等のセラミックヒータなどの種々のセラミック製品に適用することができる。
(実施例1)
WC粉末とSi粉末とポリプロピレンとを表1に示す割合で含むコンパウンド(Tg=140℃,Tv=190℃)を用いて射出成形により通電部用成形体を成形した。この通電部用成形体を金型内に保持した状態で、アクリル樹脂(Tg=50℃),エチルアルコール,Si粉末を表1に示す割合で含むスラリーで射出成形により通電部用成形体を被覆(埋包)することによって素子成形体を作製した。次いで、この素子成形体を加熱脱脂した後、焼成することによって焼結体(導体内蔵セラミックス)を得た。この導体内蔵セラミックスの抵抗値および抗折強度を下記方法により評価した。なお、加熱脱脂条件は250℃×1時間とし、焼成条件は1800℃×3時間とした。
(実施例2)
通電部用成形体の材料としてWC粉末とSi粉末とポリエチレンとを表1に示す割合で含むコンパウンド(Tg=90℃,Tv=150℃)を用い、通電部用成形体を被覆する材料としてアクリル樹脂(Tg=50℃),イソプロピルアルコール,Si粉末を表1に示す割合で含むスラリーを用いた他は、実施例1と同様にして焼結体を得た。この焼結体の抵抗値および抗折強度を実施例1と同様にして評価した。
(実施例3)
通電部用成形体の材料としてWC粉末とBN粉末とパラフィンワックスとを表1に示す割合で含むコンパウンド(Tg=70℃,Tv=120℃)を用い、通電部用成形体を被覆する材料としてイソパラフィンワックスとSi粉末を表1に示す割合で含むコンパウンド(Tg=40℃,Tv=70℃)を用いた他は、実施例1と同様にして焼結体を得た。この焼結体の抵抗値および抗折強度を実施例1と同様にして評価した。
(実施例4)
通電部用成形体の材料としてWC粉末とSi粉末とポリスチレン(Tg=90℃)とパラフィンワックス(Tg=70℃)とを表1に示す割合で含むコンパウンド(Tv=180℃)を用い、通電部用成形体を被覆する材料としてポリスチレン(Tg=90℃),イソパラフィンワックス(Tg=40℃),Si粉末を表1に示す割合で含むコンパウンド(Tv=150℃)を用いた他は、実施例1と同様にして素子成形体を作製した。次いで、この素子成形体を、α−ピネンを用いて溶媒脱脂を行なった後、焼成することによって、焼結体(導体内蔵セラミックス)を得た。この導体内蔵セラミックスの抵抗値および抗折強度を実施例1と同様にして評価した。
(実施例5)
WC粉末とSi粉末とイソパラフィンワックスとを表1に示す割合で含むコンパウンド(Tg=70℃,Tv=120℃)を用いて射出成形により通電部用成形体を作製した。また、パラフィンワックスとSi粉末とを表1に示す割合で含むコンパウンド(Tg=40℃,Tv=70℃)を用いて射出成形により基体用成形体を複数作製した。次いで、基体用成形体間に通電部用成形体を挟み込み、基体用成形体同士の界面をレーザ溶着することによって素子成形体を作製した。この素子成形体を加熱脱脂し、焼成することによって焼結体(導体内蔵セラミックス)を得た。この導体内蔵セラミックスの抵抗値および抗折強度を実施例1と同様にして評価した。
(比較例1)
WC粉末とSi粉末とパラフィンワックスとを表2に示す割合で含むコンパウンド(Tg=60℃,Tv=110℃)を用いて射出成形により通電部用成形体を作製した。この通電部用成形体を金型内に保持した状態で、パラフィンワックスとWC粉末とを表2に示す割合で含むコンパウンド(Tg=70℃,Tv=120℃)で射出成形により通電部用成形体を被覆することによって素子成形体を作製した。次いで、この素子成形体を加熱脱脂した後、焼成することによって焼結体(導体内蔵セラミックス)を得た。この導体内蔵セラミックスの抵抗値および抗折強度を実施例1と同様にして評価した。なお、加熱脱脂条件は250℃×1時間とし、焼成条件は1800℃×3時間とした。
(比較例2)
WC粉末とSi粉末とイソパラフィンワックスとを表2に示す割合で含むコンパウンド(Tg=70℃,Tv=120℃)を用いて射出成形により通電部用成形体を作製した。また、パラフィンワックスとSi粉末とを表2に示す割合で含むコンパウンド(Tg=40℃,Tv=70℃)を用いて射出成形により基体用成形体を複数作製した。次いで、基体用成形体間に通電部用成形体を挟み込むことにより素子成形体を作製した。この素子成形体を加熱脱脂し、焼成することによって、焼結体(導体内蔵セラミックス)を得た。この導体内蔵セラミックスの抵抗値および抗折強度を実施例1と同様にして評価した。なお、加熱脱脂条件は250℃×1時間とし、焼成条件は1800℃×3時間とした。
Figure 2009057596
Figure 2009057596
セラミックヒータの通電部の抵抗値はプラスおよびマイナスの端子電極間をテスターで測定した。抗折強度については、東洋精機製作所製ストログラフを用いて片持ち強度を測定した。結果を表3に示す。
Figure 2009057596
表3に示すように、実施例1から実施例5に示す導電性セラミックスについては、抵抗値が設計通りの値を示しており、抗折強度に問題もないことが確認され、導体内蔵セラミックスとしての機能を果たすことが確認された。
比較例1は、基体にWC粉末を使用しており、焼成が十分できないだけでなく、焼結後は全体が通電部となってしまうため、導体内蔵セラミックスとしての機能を果たさなかった。
比較例2は、基体間を接着せずに、素子成形体に離型剤を塗布した後、脱脂・焼成を実施しため、離型剤成分が基体間に進入し、異物として導電体内もしくは周囲に存在していた。このため、導電体がショートしてしまい、導体内蔵セラミックスとしての機能を果たさなかった。
(a)〜(f)は、それぞれ本発明の第1の実施形態にかかる製造方法を示す概略断面図である。 (a)〜(d)は、それぞれ本発明の第2の実施形態にかかる製造方法を示す概略断面図である。 (a),(b)は、それぞれ本発明の第3の実施形態にかかる製造方法を示す概略断面図である。
符号の説明
11・・・・・・・・・通電部用成形体
13・・・・・・・・・金型
13a・・・・・・・・充填口
15・・・・・・・・・基体用混合物
17・・・・・・・・・素子成形体
19・・・・・・・・・ピン(支持部材)
23・・・・・・・・・金型
23a,23b・・・・充填口
25・・・・・・・・・第1の金型部材
27・・・・・・・・・第2の金型部材
29・・・・・・・・・キャビティ
31・・・・・・・・・第3の金型部材
33・・・・・・・・・素子成形体
35,37・・・・・・基体用成形体
39・・・・・・・・・素子成形体
41・・・・・・・・・接着面

Claims (8)

  1. 導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物を用いて通電部用成形体を作製する工程と、
    該通電部用成形体を金型内に保持し、絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物を前記金型内に充填することにより、前記通電部用成形体が前記基体用混合物で覆われた素子成形体を作製する工程と、
    該素子成形体を焼成する工程と、
    を備えたことを特徴とする導体内蔵セラミックスの製造方法。
  2. 前記素子成形体を作製する工程において、前記通電部用成形体の一部を支持するための支持部材により前記通電部用成形体を前記金型内に保持した状態で、前記金型に設けられた充填口から前記基体用混合物を前記金型内に充填することを特徴とする請求項1に記載の導体内蔵セラミックスの製造方法。
  3. 前記素子成形体を作製する工程において、前記通電部用成形体を複数の前記支持部材を用いて前記金型内に保持した状態で、前記複数の支持部材のうち前記充填口に近い方の支持部材から順に前記通電部用成形体から離隔させながら、前記充填口から前記基体用混合物を前記金型内に充填することを特徴とする請求項2に記載の導体内蔵セラミックスの製造方法。
  4. 前記素子成形体を作製する工程において、前記金型が、一方側および他方側に互いに対向配置された少なくとも2つの金型部材を有し、
    これらの金型部材のうち一方側に配置された第1の金型部材の内面に前記通電部用成形体が配置され、他方側に配置された第2の金型部材の内面と前記通電部用成形体の他方側の表面との間にキャビティが設けられた状態で、このキャビティに前記基体用混合物を充填した後、
    前記第1の金型部材を第3の金型部材と交換して、この第3の金型部材の内面と前記通電部用成形体の一方側の表面との間にキャビティが設けられた状態で、このキャビティに前記基体用混合物を充填することによって、前記通電部用成形体が前記基体用混合物で覆われた前記素子成形体を作製することを特徴とする請求項1に記載の導体内蔵セラミックスの製造方法。
  5. 導電性セラミックス粉末およびバインダーを含む通電部用混合物を用いて通電部用成形体を作製する工程と、
    絶縁性セラミックス粉末およびバインダーを含む基体用混合物を用いて複数の基体用成形体を作製する工程と、
    前記通電部用成形体を前記基体用成形体間に配置して前記通電部用成形体を前記基体用成形体で覆うとともに、前記基体用成形体間を接着することにより素子成形体を作製する工程と、
    前記素子成形体を焼成する工程と
    を備えたことを特徴とする導体内蔵セラミックスの製造方法。
  6. 前記通電部用混合物に含まれる前記バインダーのガラス転移点をTg(A)とし、前記基体用混合物に含まれる前記バインダーのガラス転移点をTg(B)とするとき、これらの関係がTg(B)<Tg(A)を満足することを特徴とする請求項1または5に記載の導体内蔵セラミックスの製造方法。
  7. 前記通電部用混合物の粘度が100mPa・sになる温度をTv(A)とし、前記基体用混合物の粘度が100mPa・sになる温度をTv(B)とするとき、これらの関係がTv(B)<Tv(A)を満足することを特徴とする請求項1または5に記載の導体内蔵セラミックスの製造方法。
  8. 前記焼成工程の前に、前記バインダーが可溶な溶媒に前記素子成形体を浸漬することにより該素子成形体中における前記溶媒可溶のバインダーを抽出する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1または5に記載の導体内蔵セラミックスの製造方法。
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