JP3268263B2 - 金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法 - Google Patents
金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属部材内蔵セラ
ミックス部材の製造方法に関し、さらに詳しくは、静電
チャックなどの半導体製造装置の基材、あるいはセラミ
ックヒータの基材などとして有効な金属部材内蔵セラミ
ックス部材の製造方法に関する。
ミックス部材の製造方法に関し、さらに詳しくは、静電
チャックなどの半導体製造装置の基材、あるいはセラミ
ックヒータの基材などとして有効な金属部材内蔵セラミ
ックス部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電チャックやセラミックヒータなどの
セラミックス部材は、セラミックス基材中に金属電極を
埋設するとともに、この金属電極に電流を導入するため
の高融点金属からなる端子を、前記金属電極に接触させ
た状態で埋設している。例えば、窒化シリコンのセラミ
ックス基材中に、タングステンのバルク体からなる端子
を、あるいは窒化アルミニウムのセラミックス基材中
に、モリブデンのバルク体からなる端子を埋め込んで形
成された静電チャックやセラミックスヒータがよく知ら
れている。
セラミックス部材は、セラミックス基材中に金属電極を
埋設するとともに、この金属電極に電流を導入するため
の高融点金属からなる端子を、前記金属電極に接触させ
た状態で埋設している。例えば、窒化シリコンのセラミ
ックス基材中に、タングステンのバルク体からなる端子
を、あるいは窒化アルミニウムのセラミックス基材中
に、モリブデンのバルク体からなる端子を埋め込んで形
成された静電チャックやセラミックスヒータがよく知ら
れている。
【０００３】これらのセラミックス部材は、原料となる
セラミックス粉末を予め予備成形した後、この予備成形
体中に金属電極及び金属端子を埋設し、これら全体を一
軸加圧成形法などによって成形し、次いで、金属電極に
対して実質的に垂直な方向に圧力が加わるようにホット
プレス焼成し、さらに、得られた焼成体に研磨加工など
を施すことにより、最終的に金属電極と端子とが埋設さ
れたセラミックス部材を得ていた。
セラミックス粉末を予め予備成形した後、この予備成形
体中に金属電極及び金属端子を埋設し、これら全体を一
軸加圧成形法などによって成形し、次いで、金属電極に
対して実質的に垂直な方向に圧力が加わるようにホット
プレス焼成し、さらに、得られた焼成体に研磨加工など
を施すことにより、最終的に金属電極と端子とが埋設さ
れたセラミックス部材を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法においては、端子として高融点金属のバルク体を使
用しているため、端子自らの塑性変形が小さく、セラミ
ックスとの収縮率が合わない。あるいは、セラミックス
原料粉末中のカーボン、酸素とバルク体が結合し、Ｍｏ
Ｏx Ｍ0 Ｃ1-x 、Ｍｏ2 Ｃと変化するために、熱膨張が
大きくなることにより、基材及び端子双方にクラックが
発生したり、空孔が発生したりするという問題があっ
た。したがって、セラミックス基材と端子との密着性に
劣り、セラミックス部材中にふくれや、ハクリが生じる
という問題があった。
方法においては、端子として高融点金属のバルク体を使
用しているため、端子自らの塑性変形が小さく、セラミ
ックスとの収縮率が合わない。あるいは、セラミックス
原料粉末中のカーボン、酸素とバルク体が結合し、Ｍｏ
Ｏx Ｍ0 Ｃ1-x 、Ｍｏ2 Ｃと変化するために、熱膨張が
大きくなることにより、基材及び端子双方にクラックが
発生したり、空孔が発生したりするという問題があっ
た。したがって、セラミックス基材と端子との密着性に
劣り、セラミックス部材中にふくれや、ハクリが生じる
という問題があった。
【０００５】このような問題を解決すべく、発明者ら
は、原料となるセラミックス粉末の粒度、粒径、及び成
形時の圧力、添加するバインダの種類を適宜選択して、
セラミックス部材を製造する方法を試みたが、ホットプ
レス時において、成形体よりガスが発生し、セラミック
ス部材中にクラックなどが発生するという新たな問題を
生じてしまっていた。また、バインダの多量添加に伴う
ホットプレス時の保形性の劣化という問題も生じてい
た。
は、原料となるセラミックス粉末の粒度、粒径、及び成
形時の圧力、添加するバインダの種類を適宜選択して、
セラミックス部材を製造する方法を試みたが、ホットプ
レス時において、成形体よりガスが発生し、セラミック
ス部材中にクラックなどが発生するという新たな問題を
生じてしまっていた。また、バインダの多量添加に伴う
ホットプレス時の保形性の劣化という問題も生じてい
た。
【０００６】本発明の目的は、セラミックス基材と端子
などの金属部材との熱膨張差に起因するクラックなどの
発生しないセラミックス部材の製造方法を提供すること
である。
などの金属部材との熱膨張差に起因するクラックなどの
発生しないセラミックス部材の製造方法を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、気孔率が２０
〜６０体積％の多孔質金属部材と、基材となるセラミッ
クス材料とを一軸加圧成形法によって成形して成形体を
得た後、この成形体をホットプレス焼成することを特徴
とする、セラミックス部材の製造方法である。
〜６０体積％の多孔質金属部材と、基材となるセラミッ
クス材料とを一軸加圧成形法によって成形して成形体を
得た後、この成形体をホットプレス焼成することを特徴
とする、セラミックス部材の製造方法である。
【０００８】本発明の金属部材内蔵セラミックス部材の
製造方法では、気孔率が２０〜６０体積％の多孔質金属
部材を予め製造し、この多孔質金属部材とセラミックス
材料とを一軸加圧成形して成形体を得た後、この成形体
をホットプレス焼成するようにしているので、前述のよ
うにセラミックス基材と金属部材との熱膨張差が発生し
ても、この多孔質金属部材自身が、この熱膨張に起因し
た歪みを吸収してしまうため、クラックなどの発生を防
止することができる。
製造方法では、気孔率が２０〜６０体積％の多孔質金属
部材を予め製造し、この多孔質金属部材とセラミックス
材料とを一軸加圧成形して成形体を得た後、この成形体
をホットプレス焼成するようにしているので、前述のよ
うにセラミックス基材と金属部材との熱膨張差が発生し
ても、この多孔質金属部材自身が、この熱膨張に起因し
た歪みを吸収してしまうため、クラックなどの発生を防
止することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の製造方法
によって得られた金属部材内蔵セラミックス部材の一例
として、静電チャックの場合を示す断面図である。この
静電チャック１は、所定平面に沿って内蔵された平面状
金属電極４によって、第１の部分２と第２の部分３とに
区分されており、端子５は、第２の部分３において、平
面状金属電極４と接触するように埋設されている。
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の製造方法
によって得られた金属部材内蔵セラミックス部材の一例
として、静電チャックの場合を示す断面図である。この
静電チャック１は、所定平面に沿って内蔵された平面状
金属電極４によって、第１の部分２と第２の部分３とに
区分されており、端子５は、第２の部分３において、平
面状金属電極４と接触するように埋設されている。
【００１０】また、上記多孔質金属部材の材料として高
融点金属部材を用い、これをセラミックス材料とともに
一軸加圧成形及びホットプレス焼成することにより、セ
ラミックス焼成体中に、相対密度９５〜９７％の高融点
金属部材を埋設した、上記セラミックス部材を得ること
ができる。
融点金属部材を用い、これをセラミックス材料とともに
一軸加圧成形及びホットプレス焼成することにより、セ
ラミックス焼成体中に、相対密度９５〜９７％の高融点
金属部材を埋設した、上記セラミックス部材を得ること
ができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の金属部材
内蔵セラミックス部材の一例として、静電チャックの場
合を示す断面図である。この静電チャック１は、所定平
面に沿って内蔵された平面状金属電極４によって、第１
の部分２と第２の部分３とに区分されており、端子５
は、第２の部分３において、平面状金属電極４と接触す
るように埋設されている。
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の金属部材
内蔵セラミックス部材の一例として、静電チャックの場
合を示す断面図である。この静電チャック１は、所定平
面に沿って内蔵された平面状金属電極４によって、第１
の部分２と第２の部分３とに区分されており、端子５
は、第２の部分３において、平面状金属電極４と接触す
るように埋設されている。
【００１２】平面状金属電極４は、セラミックスとの一
体焼成を行うという観点から、金属バルク材であること
が好ましい。具体的には、平板状の金属バルク材、エッ
チングメタル及びパンチングメタルなどの平板状の金属
バルク材中に、多数の小空間が形成されているもの、並
びに多数の小孔を有する板状体からなる金属バルク材
や、網状の金属バルク材などを例示することができる。
体焼成を行うという観点から、金属バルク材であること
が好ましい。具体的には、平板状の金属バルク材、エッ
チングメタル及びパンチングメタルなどの平板状の金属
バルク材中に、多数の小空間が形成されているもの、並
びに多数の小孔を有する板状体からなる金属バルク材
や、網状の金属バルク材などを例示することができる。
【００１３】図３は、本発明の金属部材内蔵セラミック
ス部材の製造方法における、一軸加圧成形法の各工程を
説明するための断面図である。図４は、本発明の金属部
材内蔵セラミックス部材の製造方法における、ホットプ
レス工程を説明するための断面図である。
ス部材の製造方法における、一軸加圧成形法の各工程を
説明するための断面図である。図４は、本発明の金属部
材内蔵セラミックス部材の製造方法における、ホットプ
レス工程を説明するための断面図である。
【００１４】セラミックス基材６としては、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮx ）、窒化シリコン（ＳｉＮx ）、炭化
シリコン（ＳｉＣx ）、窒化ホウ素（ＢＮx ）、及びア
ルミナ（ＡｌＯx ）などを例示することができる。
ニウム（ＡｌＮx ）、窒化シリコン（ＳｉＮx ）、炭化
シリコン（ＳｉＣx ）、窒化ホウ素（ＢＮx ）、及びア
ルミナ（ＡｌＯx ）などを例示することができる。
【００１５】本発明の金属部材内蔵セラミックス部材
は、以下のようにして製造する。図３は、本発明の金属
部材内蔵セラミックス部材の製造方法における、一軸加
圧成形法の各工程を説明するための断面図である。図４
は、本発明の金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法
における、ホットプレス工程を説明するための断面図で
ある。
は、以下のようにして製造する。図３は、本発明の金属
部材内蔵セラミックス部材の製造方法における、一軸加
圧成形法の各工程を説明するための断面図である。図４
は、本発明の金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法
における、ホットプレス工程を説明するための断面図で
ある。
【００１６】セラミックス基材６の原料となるセラミッ
クス粉末とバインダとを、予めトロンメルなどの方法に
よって混合し、得られた混合物を噴霧造粒装置によって
造粒する。
クス粉末とバインダとを、予めトロンメルなどの方法に
よって混合し、得られた混合物を噴霧造粒装置によって
造粒する。
【００１７】次に、得られた造粒顆粒を図３（ａ）に示
すように型９、下パンチ１０、及び上パンチ１１の中に
充填し、一軸加圧成型することにより第１の予備成形部
分１２Ａを得る。このときの成形圧力は、第２の予備成
形部分を成形する際に、成形圧力が平面状金属電極４及
び多孔質金属部材７を介して第１の予備成形部分１２Ａ
に加わったときに、変形することのない密度と強度とを
得るべく、好ましくは５０〜２００ｋｇ／ｃｍ2 の範囲
で実施する。
すように型９、下パンチ１０、及び上パンチ１１の中に
充填し、一軸加圧成型することにより第１の予備成形部
分１２Ａを得る。このときの成形圧力は、第２の予備成
形部分を成形する際に、成形圧力が平面状金属電極４及
び多孔質金属部材７を介して第１の予備成形部分１２Ａ
に加わったときに、変形することのない密度と強度とを
得るべく、好ましくは５０〜２００ｋｇ／ｃｍ2 の範囲
で実施する。
【００１８】次に、図３（ｂ）に示すように、第１の予
備成形部分１２Ａの表面上に、図２に示す形状の平面状
金属電極４を配置し、次いで、多孔質金属部材７を、平
面状金属電極４に接触するように配置し、さらに平面状
金属電極４の周囲を埋めるように前記造粒顆粒１３を充
填する。
備成形部分１２Ａの表面上に、図２に示す形状の平面状
金属電極４を配置し、次いで、多孔質金属部材７を、平
面状金属電極４に接触するように配置し、さらに平面状
金属電極４の周囲を埋めるように前記造粒顆粒１３を充
填する。
【００１９】その後、図３（ｃ）に示すように、再度一
軸加圧成形することにより、第１の予備成形部分１２及
び平面状金属電極４の上に、この平面状金属電極４と接
触した多孔質金属部材７が埋設された、第２の予備成形
部分１４を新たに形成する。
軸加圧成形することにより、第１の予備成形部分１２及
び平面状金属電極４の上に、この平面状金属電極４と接
触した多孔質金属部材７が埋設された、第２の予備成形
部分１４を新たに形成する。
【００２０】次に上記のようにして得た成形体１７を、
図４に示すホットプレス装置に収容する。図４に示すホ
ットプレス装置は、型２７の内側面２７ａに接するよう
に、略半円筒形状のスリーブ２８Ａ、２８Ｂが収容され
ている。また、スリーブ２８Ａ、２８Ｂの内側面２８ａ
に沿って、上パンチ２６を、一軸方向（図４においては
上下方向）へと向かって移動させることができるように
なっている。さらに、スリーブ２８Ａ、２８Ｂの下側に
は、受け台２５が設置、固定されており、上パンチ２６
の加圧面２６ａと、受け台２５の加圧面２５ａとが互い
に対向し、ホットプレス用の空間を形成している。上パ
ンチ２６の加圧面２６ａの内側には、スペーサ２４Ａが
設置されており、受け台２５の加圧面２５ａの内側に
は、スペーサ２４Ｂが設置されている。
図４に示すホットプレス装置に収容する。図４に示すホ
ットプレス装置は、型２７の内側面２７ａに接するよう
に、略半円筒形状のスリーブ２８Ａ、２８Ｂが収容され
ている。また、スリーブ２８Ａ、２８Ｂの内側面２８ａ
に沿って、上パンチ２６を、一軸方向（図４においては
上下方向）へと向かって移動させることができるように
なっている。さらに、スリーブ２８Ａ、２８Ｂの下側に
は、受け台２５が設置、固定されており、上パンチ２６
の加圧面２６ａと、受け台２５の加圧面２５ａとが互い
に対向し、ホットプレス用の空間を形成している。上パ
ンチ２６の加圧面２６ａの内側には、スペーサ２４Ａが
設置されており、受け台２５の加圧面２５ａの内側に
は、スペーサ２４Ｂが設置されている。
【００２１】成形体１７を、前記ホットプレス用の空間
に収容した後、型２７内において上パンチ２６を受け台
２５に向かって移動させることにより、成形体１７をス
ペーサ２４Ａ及び２４Ｂを介して加圧すると同時に、黒
鉛ヒータ２９により加熱して非酸化性雰囲気下でホット
プレス焼成を行う。
に収容した後、型２７内において上パンチ２６を受け台
２５に向かって移動させることにより、成形体１７をス
ペーサ２４Ａ及び２４Ｂを介して加圧すると同時に、黒
鉛ヒータ２９により加熱して非酸化性雰囲気下でホット
プレス焼成を行う。
【００２２】ホットプレスは、温度１５００〜２０００
℃において、５０〜２００ｋｇ／ｃｍ 2 の圧力下、１〜
８時間保持して行う。その後、得られた焼結体の表面を
研磨仕上げして、最終的な静電チャック１を得る。
℃において、５０〜２００ｋｇ／ｃｍ 2 の圧力下、１〜
８時間保持して行う。その後、得られた焼結体の表面を
研磨仕上げして、最終的な静電チャック１を得る。
【００２３】本発明の実施の形態においては、上記造粒
顆粒中に、予めバインダを含有させているが、このバイ
ンダの含有は必ずしも必要とされるものではない。しか
しながら、造粒顆粒の流動性を向上させて均一な予備成
形体を容易に製造するためには、造粒顆粒に対してバイ
ンダを０．４〜５重量％含有させることが好ましく、さ
らには、１〜３重量％含有させることが好ましい。本発
明で使用することのできるバインダとしては、アクリル
系バインダー及びブチラール系バインダーなどの熱可塑
性樹脂、あるいはフェノールなどの熱硬化性樹脂などを
例示することができる。
顆粒中に、予めバインダを含有させているが、このバイ
ンダの含有は必ずしも必要とされるものではない。しか
しながら、造粒顆粒の流動性を向上させて均一な予備成
形体を容易に製造するためには、造粒顆粒に対してバイ
ンダを０．４〜５重量％含有させることが好ましく、さ
らには、１〜３重量％含有させることが好ましい。本発
明で使用することのできるバインダとしては、アクリル
系バインダー及びブチラール系バインダーなどの熱可塑
性樹脂、あるいはフェノールなどの熱硬化性樹脂などを
例示することができる。
【００２４】本発明の金属部材内蔵セラミックス部材の
製造方法においては、セラミックス焼結後の多孔質金属
部材の保形性の観点から、多孔質金属部材７の気孔率の
上限は、６０体積％であることが必要であり、好ましく
は５５体積％、さらに好ましくは５３体積％である。一
方、多孔質金属部材７の気孔率の下限は、２０体積％で
あることが必要であり、好ましくは４０体積％、さらに
好ましくは４５体積％である。気孔率の下限が２０体積
％よりも小さいと、本発明の目的を達成することができ
ない。
製造方法においては、セラミックス焼結後の多孔質金属
部材の保形性の観点から、多孔質金属部材７の気孔率の
上限は、６０体積％であることが必要であり、好ましく
は５５体積％、さらに好ましくは５３体積％である。一
方、多孔質金属部材７の気孔率の下限は、２０体積％で
あることが必要であり、好ましくは４０体積％、さらに
好ましくは４５体積％である。気孔率の下限が２０体積
％よりも小さいと、本発明の目的を達成することができ
ない。
【００２５】例えば、低温用静電チャックの場合、図１
に示す厚さｔは約０．４ｍｍであり、そのバラツキは±
０．１ｍｍの範囲に抑える必要がある。さらに、ワイド
レンジ用静電チャックの場合、厚さｔは約０．６ｍｍで
あり、そのバラツキは±０．２５ｍｍの範囲に抑える必
要がある。したがって、上述のような、平面状金属電極
４の変形及び破壊の防止は、本発明の製造方法に従って
得たセラミックス部材を、本発明の実施の形態に示すよ
うな静電チャックに使用する場合においては、極めて重
要な要素となる。
に示す厚さｔは約０．４ｍｍであり、そのバラツキは±
０．１ｍｍの範囲に抑える必要がある。さらに、ワイド
レンジ用静電チャックの場合、厚さｔは約０．６ｍｍで
あり、そのバラツキは±０．２５ｍｍの範囲に抑える必
要がある。したがって、上述のような、平面状金属電極
４の変形及び破壊の防止は、本発明の製造方法に従って
得たセラミックス部材を、本発明の実施の形態に示すよ
うな静電チャックに使用する場合においては、極めて重
要な要素となる。
【００２６】しかしながら、本発明が示すように、上述
のような金属部材として、気孔率が２０〜６０体積％で
ある多孔質金属部材７を用いることにより、成形時に圧
力が付加された場合においても、多孔質金属部材７自身
が容易に変形することができるため、平面状金属電極４
への圧迫を著しく低減することができ、その結果、平面
状金属電極４の変形や破壊を防止することができる。そ
の結果、図１に示す半導体ウエハ設置面１ａでの吸着力
を一定化することができる。
のような金属部材として、気孔率が２０〜６０体積％で
ある多孔質金属部材７を用いることにより、成形時に圧
力が付加された場合においても、多孔質金属部材７自身
が容易に変形することができるため、平面状金属電極４
への圧迫を著しく低減することができ、その結果、平面
状金属電極４の変形や破壊を防止することができる。そ
の結果、図１に示す半導体ウエハ設置面１ａでの吸着力
を一定化することができる。
【００２７】例えば、低温用静電チャックの場合、図１
に示す厚さｔは約０．４ｍｍであり、そのバラツキは±
０．１ｍｍの範囲に抑える必要がある。さらに、ワイド
レンジ用静電チャックの場合、厚さｔは約０．６ｍｍで
あり、そのバラツキは±０．２５ｍｍの範囲に抑える必
要がある。したがって、上述のような、平面状金属電極
４の変形及び破壊の防止は、本発明のセラミックス部材
として、本発明の実施の形態に示すような静電チャック
に使用する場合においては、極めて重要な要素となる。
に示す厚さｔは約０．４ｍｍであり、そのバラツキは±
０．１ｍｍの範囲に抑える必要がある。さらに、ワイド
レンジ用静電チャックの場合、厚さｔは約０．６ｍｍで
あり、そのバラツキは±０．２５ｍｍの範囲に抑える必
要がある。したがって、上述のような、平面状金属電極
４の変形及び破壊の防止は、本発明のセラミックス部材
として、本発明の実施の形態に示すような静電チャック
に使用する場合においては、極めて重要な要素となる。
【００２８】また、本発明の実施の形態に示すように、
静電チャック１における平面状金属電極４の端子５とし
て、相対密度９５％の金属部材を使用する場合、図７に
示す厚さＨ／直径Ｄの比が、好ましくは２以下、さらに
好ましくは１．５以下となるように、多孔質金属部材７
を予め製造しておくことにより、原料となるセラミック
ス粉末がＳＤ顆粒でなく、また適切な量のバインダをも
含有しておらず、セラミックス粉末の流動性が低い場合
においても、図６に示すように、端子５の法線方向から
の傾きθを極めて小さくすることができる。その結果、
端子５と平面状金属電極４とが離間して、非接触状態と
なることがない。実際には、上記θの値は、１５度以下
であることが好ましく、さらには１０度以下であること
が好ましい。
静電チャック１における平面状金属電極４の端子５とし
て、相対密度９５％の金属部材を使用する場合、図７に
示す厚さＨ／直径Ｄの比が、好ましくは２以下、さらに
好ましくは１．５以下となるように、多孔質金属部材７
を予め製造しておくことにより、原料となるセラミック
ス粉末がＳＤ顆粒でなく、また適切な量のバインダをも
含有しておらず、セラミックス粉末の流動性が低い場合
においても、図６に示すように、端子５の法線方向から
の傾きθを極めて小さくすることができる。その結果、
端子５と平面状金属電極４とが離間して、非接触状態と
なることがない。実際には、上記θの値は、１５度以下
であることが好ましく、さらには１０度以下であること
が好ましい。
【００２９】以上、本発明の実施の形態においては、セ
ラミックス部材として静電チャックの場合について詳述
したが、形状、材質、及び構成を変化させることによ
り、セラミックスヒータ、高周波発生用電極などの各種
能動型装置に使用することができる。
ラミックス部材として静電チャックの場合について詳述
したが、形状、材質、及び構成を変化させることによ
り、セラミックスヒータ、高周波発生用電極などの各種
能動型装置に使用することができる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例において、さらに詳述
する。 実施例１〜７及び比較例１及び２ 原料となるセラミックス粉末として、窒化アルミニウム
粉末（平均粒径７０μｍ）を用い、イットリアを０．１
重量％添加して、トロンメルによりこれらの混合物を製
造した。続いて、この混合物を噴霧造粒装置（スプレー
ドライヤー）によって造粒した。
する。 実施例１〜７及び比較例１及び２ 原料となるセラミックス粉末として、窒化アルミニウム
粉末（平均粒径７０μｍ）を用い、イットリアを０．１
重量％添加して、トロンメルによりこれらの混合物を製
造した。続いて、この混合物を噴霧造粒装置（スプレー
ドライヤー）によって造粒した。
【００３１】次に、φ２１５金型プレスを用い、上記造
粒顆粒を所定量投入して、２００ｋｇ／ｃｍ2 にて１軸
加圧成形し、第１の予備成形体を得た。その後、第１の
予備成形体上に、図２に示すようなＭｏ電極（細径０．
１２ｍｍ、外形２００ｍｍ、５０メッシュ）を配置し、
さらに、このＭｏ電極に、表１に示す気孔率の多孔質Ｍ
ｏ端子（直径３ｍｍ、厚さ１．５ｍｍ）を有機性接着剤
で接着して、配置した。その後、再び所定量の上記窒化
アルミニウム造粒顆粒を投入し、２００ｋｇ／ｃｍ2 に
て１軸加圧成形して、直径２１５ｍｍ、厚さ３０ｍｍの
成形体を得た。
粒顆粒を所定量投入して、２００ｋｇ／ｃｍ2 にて１軸
加圧成形し、第１の予備成形体を得た。その後、第１の
予備成形体上に、図２に示すようなＭｏ電極（細径０．
１２ｍｍ、外形２００ｍｍ、５０メッシュ）を配置し、
さらに、このＭｏ電極に、表１に示す気孔率の多孔質Ｍ
ｏ端子（直径３ｍｍ、厚さ１．５ｍｍ）を有機性接着剤
で接着して、配置した。その後、再び所定量の上記窒化
アルミニウム造粒顆粒を投入し、２００ｋｇ／ｃｍ2 に
て１軸加圧成形して、直径２１５ｍｍ、厚さ３０ｍｍの
成形体を得た。
【００３２】上記成形体に対し、窒素ガス１．５ｋｇ／
ｃｍ2 Ｇの雰囲気下で、１７００℃、２００ｋｇ／ｃｍ
2 で４時間のホットプレス焼成を実施した。得られた焼
成体をダイヤモンド砥石によって粗加工して、図１に示
すようなセラミックス部材を得た。
ｃｍ2 Ｇの雰囲気下で、１７００℃、２００ｋｇ／ｃｍ
2 で４時間のホットプレス焼成を実施した。得られた焼
成体をダイヤモンド砥石によって粗加工して、図１に示
すようなセラミックス部材を得た。
【００３３】Ｘ線撮影にて、上記Ｍｏ端子位置を確認し
た後、この端子周辺部のメッシュから表面までの厚み
（図１のｔに相当）を超音波膜厚計にて測定後、この厚
さが０．６ｍｍになるように平面研削した。その後、こ
のセラミックス部材を切断して断面観察し、メッシュの
変形量を測定するとともに、端子周辺のマイクロクラッ
クの有無を調べた。結果を表１に示す。
た後、この端子周辺部のメッシュから表面までの厚み
（図１のｔに相当）を超音波膜厚計にて測定後、この厚
さが０．６ｍｍになるように平面研削した。その後、こ
のセラミックス部材を切断して断面観察し、メッシュの
変形量を測定するとともに、端子周辺のマイクロクラッ
クの有無を調べた。結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１から明らかなように、成形後のＭｏ端
子の相対密度が本発明の範囲内にある場合は、端子周辺
のセラミックス基材にマイクロクラックが発生しないこ
とが分かる。また、成形前のＭｏ端子の気孔率が、４０
〜６０体積％の場合、セラミックス部材を成形した後の
Ｍｏメッシュの変形量が、極めて小さいことが分かる。
子の相対密度が本発明の範囲内にある場合は、端子周辺
のセラミックス基材にマイクロクラックが発生しないこ
とが分かる。また、成形前のＭｏ端子の気孔率が、４０
〜６０体積％の場合、セラミックス部材を成形した後の
Ｍｏメッシュの変形量が、極めて小さいことが分かる。
【００３６】実施例８〜１２ 次に、成形前のＭｏ端子の気孔率を４０体積％に固定し
ておき、その直径及び厚さを表２に示すように変化さ
せ、上記同様に、一軸加圧成形及びホットプレス焼成し
た場合における、図６に示す、焼成後の端子の法線方向
からの傾きθの大きさを調べた。結果を表２に示す。
ておき、その直径及び厚さを表２に示すように変化さ
せ、上記同様に、一軸加圧成形及びホットプレス焼成し
た場合における、図６に示す、焼成後の端子の法線方向
からの傾きθの大きさを調べた。結果を表２に示す。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の金属部材内
蔵のセラミックス部材の製造方法によれば、セラミック
ス基材と端子などの金属部材との熱膨張差に起因するク
ラックなどの発生しないセラミックス部材を、制御性よ
く、簡易に提供することができる。
蔵のセラミックス部材の製造方法によれば、セラミック
ス基材と端子などの金属部材との熱膨張差に起因するク
ラックなどの発生しないセラミックス部材を、制御性よ
く、簡易に提供することができる。
【００３８】表２から明らかなように、成形前のＭｏ端
子の厚さＨと直径Ｄとの比が２以下の場合は、上述した
ように、端子の傾きθは著しく小さくなり、上記比が１
以下になると、傾きθは０になることが分かる。
子の厚さＨと直径Ｄとの比が２以下の場合は、上述した
ように、端子の傾きθは著しく小さくなり、上記比が１
以下になると、傾きθは０になることが分かる。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の金属部材内
蔵のセラミックス部材及びその製造方法によれば、セラ
ミックス基材と端子などの金属部材との熱膨張差に起因
するクラックなどの発生しないセラミックス部材及びそ
の製造方法を、制御性よく、簡易に提供することができ
る。
蔵のセラミックス部材及びその製造方法によれば、セラ
ミックス基材と端子などの金属部材との熱膨張差に起因
するクラックなどの発生しないセラミックス部材及びそ
の製造方法を、制御性よく、簡易に提供することができ
る。
【図１】本発明の製造方法によって得た金属部材内蔵セ
ラミックス部材の一例を示す断面図である。
ラミックス部材の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法によって得た金属部材内蔵セ
ラミックス部材に用いる平面状金属電極の一例を示す図
である。
ラミックス部材に用いる平面状金属電極の一例を示す図
である。
【図３】本発明の金属部材内蔵セラミックス部材の製造
方法における、一軸加圧成形工程を説明するための図で
ある。
方法における、一軸加圧成形工程を説明するための図で
ある。
【図４】本発明の金属部材内蔵セラミックス部材の製造
方法における、ホットプレス焼成工程を説明するための
図である。
方法における、ホットプレス焼成工程を説明するための
図である。
【図５】本発明の製造方法によって得た金属部材内蔵セ
ラミックス部材の、平面状金属電極の変形量を説明する
ための図である。
ラミックス部材の、平面状金属電極の変形量を説明する
ための図である。
【図６】本発明の製造方法によって得た金属部材内蔵セ
ラミックス部材の、金属部材（端子）の傾きを説明する
ための図である。
ラミックス部材の、金属部材（端子）の傾きを説明する
ための図である。
【図７】本発明の製造方法によって得た金属部材内蔵セ
ラミックス部材の、成形前の金属部材（端子）の寸法を
説明するための図である。
ラミックス部材の、成形前の金属部材（端子）の寸法を
説明するための図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 3/14 Ｃ０４Ｂ 35/64 Ｎ 3/18 Ｌ (56)参考文献 特開 平６−260263（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−273164（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/645 C04B 35/64 C04B 35/74 C04B 37/02 H01L 21/68 H05B 3/14 H05B 3/18
Claims (4)
- 【請求項１】気孔率が２０〜６０体積％の多孔質金属部
材と、基材となるセラミックス材料とを一軸加圧成形法
によって成形して成形体を得た後、この成形体をホット
プレス焼成することを特徴とする、セラミックス部材の
製造方法。 - 【請求項２】基材となるセラミックス材料を一軸加圧成
形法によって成形して第１の予備成形部分を形成した
後、この第１の予備成形部分の表面に金属製平面部材を
配置し、次いで、この金属製平面部材上に気孔率が２０
〜６０体積％の多孔質金属部材を配置し、次いで前記セ
ラミックス材料を、前記第１の予備成形部分及び前記金
属製平面部材上において、前記多孔質金属部材の周囲を
埋めるように配置し、一軸加圧成形法によって成形して
第２の予備成形部分を形成した後、得られた成形体をホ
ットプレス焼成することを特徴とする、セラミックス部
材の製造方法。 - 【請求項３】前記多孔質金属部材の気孔率は、４０〜６
０体積％であることを特徴とする、請求項１又は２に記
載のセラミックス部材の製造方法。 - 【請求項４】前記多孔質金属部材は、Ｗ、Ｍｏ、及びＷ
／Ｍｏ合金から選ばれる少なくとも１種の金属からなる
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の
セラミックス部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06147498A JP3268263B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06147498A JP3268263B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11255566A JPH11255566A (ja) | 1999-09-21 |
| JP3268263B2 true JP3268263B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=13172105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06147498A Expired - Lifetime JP3268263B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 金属部材内蔵セラミックス部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3268263B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906346B1 (ko) | 2005-08-17 | 2009-07-06 | 주식회사 코미코 | 세라믹 성형체의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 세라믹성형체 |
| WO2009057596A1 (ja) | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Kyocera Corporation | 導体内蔵セラミックスの製造方法 |
| JP5458050B2 (ja) | 2011-03-30 | 2014-04-02 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックの製法 |
| JP5819895B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-11-24 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| JP6380987B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-08-29 | 一般財団法人電力中央研究所 | 一体型参照電極の作製方法および一体型参照電極 |
| KR102154289B1 (ko) * | 2020-06-10 | 2020-09-10 | 주식회사 미코세라믹스 | 세라믹 히터의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP06147498A patent/JP3268263B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11255566A (ja) | 1999-09-21 |
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