JP2766443B2 - セラミックスヒーターの製造方法 - Google Patents
セラミックスヒーターの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の半導体製造装
置、エッチング装置等に使用できる、セラミックスヒー
ターの製造方法に関するものである。
置、エッチング装置等に使用できる、セラミックスヒー
ターの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、緻密質セラミックスからな
る円盤状基体の内部に、高融点金属からなるワイヤーを
埋設したセラミックスヒーターを開示した。このワイヤ
ーは、円盤状基体内部で螺旋状に巻回されており、かつ
このワイヤーの両端に端子を接続する。こうしたセラミ
ックスヒーターは、特に半導体製造用として、優れた特
性を備えていることが解った。
る円盤状基体の内部に、高融点金属からなるワイヤーを
埋設したセラミックスヒーターを開示した。このワイヤ
ーは、円盤状基体内部で螺旋状に巻回されており、かつ
このワイヤーの両端に端子を接続する。こうしたセラミ
ックスヒーターは、特に半導体製造用として、優れた特
性を備えていることが解った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、こうした円盤
状のセラミックスヒーターにおいても、特に製造上の理
由から、幾つかの問題が生ずることが解った。即ち、上
記したようなセラミックスヒーターを製造するために
は、まず高融点金属からなるワイヤーを螺旋状に巻回さ
せ、ワイヤーの両端に端子（電極）を接着し、真空中で
アニールする。一方、プレス成形機内にセラミックス粉
体を仕込み、ある程度の硬さになるまで予備成形し、こ
の際、予備成形体の表面に凹みを設ける。そして、ワイ
ヤーをこの凹部に収容し、その上に更にセラミックス粉
体を充填する。そして、セラミックス粉体を一軸加圧成
形して円盤状成形体を作製し、円盤状成形体をホットプ
レス焼結させる。
状のセラミックスヒーターにおいても、特に製造上の理
由から、幾つかの問題が生ずることが解った。即ち、上
記したようなセラミックスヒーターを製造するために
は、まず高融点金属からなるワイヤーを螺旋状に巻回さ
せ、ワイヤーの両端に端子（電極）を接着し、真空中で
アニールする。一方、プレス成形機内にセラミックス粉
体を仕込み、ある程度の硬さになるまで予備成形し、こ
の際、予備成形体の表面に凹みを設ける。そして、ワイ
ヤーをこの凹部に収容し、その上に更にセラミックス粉
体を充填する。そして、セラミックス粉体を一軸加圧成
形して円盤状成形体を作製し、円盤状成形体をホットプ
レス焼結させる。
【０００４】しかし、抵抗発熱体をアニール用装置から
予備成形体へと運ぶ際、抵抗発熱体の形状を崩さずに運
ぶことは極めて難しく、どうしても型崩れしてしまうこ
とが多い。また、予備成形体の凹みへ抵抗発熱体を設置
した後、その上にセラミックス粉体を充填し、一軸加圧
成形するのだが、この際にも粉体の充填密度が場所によ
って異なることから、抵抗発熱体が型崩れし易い。更
に、ホットプレス時に大きな圧力が円盤状基体の厚さ方
向にかかるので、たとえ成形時点で型崩れがなくとも、
ホットプレス時に抵抗発熱体が位置ズレすることがあ
る。これらの現象が生ずると、いずれの場合も、ヒータ
ー発熱面の温度にムラが生じるし、ヒーター特性が一定
しない。
予備成形体へと運ぶ際、抵抗発熱体の形状を崩さずに運
ぶことは極めて難しく、どうしても型崩れしてしまうこ
とが多い。また、予備成形体の凹みへ抵抗発熱体を設置
した後、その上にセラミックス粉体を充填し、一軸加圧
成形するのだが、この際にも粉体の充填密度が場所によ
って異なることから、抵抗発熱体が型崩れし易い。更
に、ホットプレス時に大きな圧力が円盤状基体の厚さ方
向にかかるので、たとえ成形時点で型崩れがなくとも、
ホットプレス時に抵抗発熱体が位置ズレすることがあ
る。これらの現象が生ずると、いずれの場合も、ヒータ
ー発熱面の温度にムラが生じるし、ヒーター特性が一定
しない。
【０００５】この問題を解決するため、本発明者は、特
願平４−66157 号明細書（本出願時には未公開）におい
て、上記予備成形体の表面に金属箔を設置し、この上に
更にセラミックス粉体を充填し、セラミックス粉体を一
軸加圧成形して円盤状成形体を作製する方法を提案し
た。この方法によれば、抵抗発熱体が金属箔からなり、
ワイヤーと異なり三次元的に変形しないので、運搬時や
設置時に型崩れしない。
願平４−66157 号明細書（本出願時には未公開）におい
て、上記予備成形体の表面に金属箔を設置し、この上に
更にセラミックス粉体を充填し、セラミックス粉体を一
軸加圧成形して円盤状成形体を作製する方法を提案し
た。この方法によれば、抵抗発熱体が金属箔からなり、
ワイヤーと異なり三次元的に変形しないので、運搬時や
設置時に型崩れしない。
【０００６】ところが、この技術でも、次の問題が生じ
てくることが判明した。即ち、箔状抵抗体は、その厚さ
方向に向うせん断応力が弱い。そして、前記したよう
に、セラミックス粉体を充填して一軸加圧成形する際に
は、粉体の充填密度が場所によって異なるので、粉体は
不均一に流動し、箔状抵抗体にせん断応力が加わる。こ
の結果、箔状抵抗体が引き裂かれ、不良品が生じてい
た。または、少なくとも箔状抵抗体がねじれ、位置ズレ
を起すため、加熱面の温度分布における不均一が大きく
なっていた。
てくることが判明した。即ち、箔状抵抗体は、その厚さ
方向に向うせん断応力が弱い。そして、前記したよう
に、セラミックス粉体を充填して一軸加圧成形する際に
は、粉体の充填密度が場所によって異なるので、粉体は
不均一に流動し、箔状抵抗体にせん断応力が加わる。こ
の結果、箔状抵抗体が引き裂かれ、不良品が生じてい
た。または、少なくとも箔状抵抗体がねじれ、位置ズレ
を起すため、加熱面の温度分布における不均一が大きく
なっていた。
【０００７】本発明の課題は、箔状抵抗体の埋設された
セラミックスヒーターを製造するのに際し、箔状抵抗体
の断線や位置ズレが生じないようにし、不良品の発生を
少なくし、また加熱面の温度分布の均熱性を高めること
である。
セラミックスヒーターを製造するのに際し、箔状抵抗体
の断線や位置ズレが生じないようにし、不良品の発生を
少なくし、また加熱面の温度分布の均熱性を高めること
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、緻密質のセラ
ミックス基材と、セラミックス基材の内部に埋設されて
いる、高融点金属からなる箔状抵抗体とを備えているセ
ラミックスヒーターを製造する方法であって、コールド
アイソスタティックプレス法により複数のセラミックス
成形体を作製し、この際各セラミックス成形体に平坦な
接合面を形成し、次いで各セラミックス成形体の各接合
面の間に箔状抵抗体を挟んだ状態で各セラミックス成形
体を積層して積層体を得、この際箔状抵抗体の主面が各
セラミックス成形体の各接合面に接触するようにし、次
いで積層体に対して箔状抵抗体の主面および各接合面と
垂直な方向に圧力を加えつつホットプレス焼結すること
により、セラミックス基材を生成させることを特徴とす
る。
ミックス基材と、セラミックス基材の内部に埋設されて
いる、高融点金属からなる箔状抵抗体とを備えているセ
ラミックスヒーターを製造する方法であって、コールド
アイソスタティックプレス法により複数のセラミックス
成形体を作製し、この際各セラミックス成形体に平坦な
接合面を形成し、次いで各セラミックス成形体の各接合
面の間に箔状抵抗体を挟んだ状態で各セラミックス成形
体を積層して積層体を得、この際箔状抵抗体の主面が各
セラミックス成形体の各接合面に接触するようにし、次
いで積層体に対して箔状抵抗体の主面および各接合面と
垂直な方向に圧力を加えつつホットプレス焼結すること
により、セラミックス基材を生成させることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、コールドアイソスタティック
法により成形したセラミックス成形体の間に箔状抵抗体
を挟み、次いでこの積層体をホットプレス焼結してい
る。即ち、上記セラミックス成形体の密度は、箔状抵抗
体を挟むときには既に高密度であるので、ホットプレス
焼結の段階でも箔状抵抗体の断線や位置ズレ、ねじれ等
は生じない。従って不良品の発生は少なくなり、加熱面
の温度分布の均熱性は向上する。
法により成形したセラミックス成形体の間に箔状抵抗体
を挟み、次いでこの積層体をホットプレス焼結してい
る。即ち、上記セラミックス成形体の密度は、箔状抵抗
体を挟むときには既に高密度であるので、ホットプレス
焼結の段階でも箔状抵抗体の断線や位置ズレ、ねじれ等
は生じない。従って不良品の発生は少なくなり、加熱面
の温度分布の均熱性は向上する。
【００１０】また、箔状抵抗体に、ねじれ等の変形やこ
れによるクラックが生じないことから、こうした変形、
クラック部分に電力集中が生ずることもない。従って、
セラミックスヒーターに長時間通電しても、箔状抵抗体
に電力集中による断線が生じにくく、セラミックスヒー
ターの寿命が長くなる。
れによるクラックが生じないことから、こうした変形、
クラック部分に電力集中が生ずることもない。従って、
セラミックスヒーターに長時間通電しても、箔状抵抗体
に電力集中による断線が生じにくく、セラミックスヒー
ターの寿命が長くなる。
【００１１】本発明において、コールドアイソスタティ
ックプレス法によって複数のセラミックス成形体を作製
する際には、成形圧力を2.5 トン／cm2 以上とすること
が好ましい。この成形圧力を2.5 トン／cm2 よりも大き
くしていっても、本発明の効果にはほとんど変化がな
い。
ックプレス法によって複数のセラミックス成形体を作製
する際には、成形圧力を2.5 トン／cm2 以上とすること
が好ましい。この成形圧力を2.5 トン／cm2 よりも大き
くしていっても、本発明の効果にはほとんど変化がな
い。
【００１２】また、好ましくは、上記積層体をコールド
アイソスタティックプレス成形することにより、複数の
セラミックス成形体を互いに接合する。
アイソスタティックプレス成形することにより、複数の
セラミックス成形体を互いに接合する。
【００１３】
【実施例】まず、図１(a) に示すように、例えば平面長
方形の、高融点金属からなる金属箔１を準備する。この
厚さは、後述する理由から、25〜50μｍとすると更に好
ましい。次いで、金属箔１をサンドブラストやエッチン
グによって加工し、例えば図１(b) に示すような平面的
パターンの箔状抵抗体２を製造する。
方形の、高融点金属からなる金属箔１を準備する。この
厚さは、後述する理由から、25〜50μｍとすると更に好
ましい。次いで、金属箔１をサンドブラストやエッチン
グによって加工し、例えば図１(b) に示すような平面的
パターンの箔状抵抗体２を製造する。
【００１４】箔状抵抗体２においては、金属箔の主表面
に対してほぼ平行に、細長い金属箔が延びた形状となっ
ており、従って、抵抗発熱体２の全体がほぼ同一平面上
にある。抵抗発熱体２の両端には、他の部分より幅の広
い末端部２ａが形成され、各末端部２ａに、端子取付孔
２ｂが形成されている。
に対してほぼ平行に、細長い金属箔が延びた形状となっ
ており、従って、抵抗発熱体２の全体がほぼ同一平面上
にある。抵抗発熱体２の両端には、他の部分より幅の広
い末端部２ａが形成され、各末端部２ａに、端子取付孔
２ｂが形成されている。
【００１５】次いで、端子３を抵抗発熱体２の端部に取
り付ける。この際には、例えば図１(c) に示すように、
円柱形状の本体の底面に雄ネジ３ａを設け、雄ネジ３ａ
を端子取付孔２ｂに挿通させる。ナット４の雌ネジ４ａ
に雄ネジ３ａを螺合させ、ナット４を締め付け、端子３
を固定する。
り付ける。この際には、例えば図１(c) に示すように、
円柱形状の本体の底面に雄ネジ３ａを設け、雄ネジ３ａ
を端子取付孔２ｂに挿通させる。ナット４の雌ネジ４ａ
に雄ネジ３ａを螺合させ、ナット４を締め付け、端子３
を固定する。
【００１６】本実施例においては、コールドアイソスタ
ティックプレス法により２枚の円盤状成形体を作製す
る。この際、好ましくは、まず円盤状の予備成形体を一
軸加圧成形法によって製造し、この予備成形体をコール
ドアイソスタティックプレス成形し、図２(a) に示す円
盤状成形体５を得る。
ティックプレス法により２枚の円盤状成形体を作製す
る。この際、好ましくは、まず円盤状の予備成形体を一
軸加圧成形法によって製造し、この予備成形体をコール
ドアイソスタティックプレス成形し、図２(a) に示す円
盤状成形体５を得る。
【００１７】次いで、図２(b) に示すように、円盤状成
形体５の接合面5a側に凹部5bを形成する。図中、5cは非
接合面である。次いで、図２(c) に示すように、接合面
5aに箔状抵抗体２を載置し、ナット４を凹部5bに収容す
る。
形体５の接合面5a側に凹部5bを形成する。図中、5cは非
接合面である。次いで、図２(c) に示すように、接合面
5aに箔状抵抗体２を載置し、ナット４を凹部5bに収容す
る。
【００１８】一方、図２(d) に示す円盤状成形体６を、
上記と同様にして作製する。ただし、図中、6aは接合面
であり、6bは凹部であり、6cは非接合面である。そし
て、図２(d) に示すように、接合面6aを接合面5aと対向
させ、端子３を凹部6bに収容し、接合面6aを接合面5a及
び箔状抵抗体２に密着させる。
上記と同様にして作製する。ただし、図中、6aは接合面
であり、6bは凹部であり、6cは非接合面である。そし
て、図２(d) に示すように、接合面6aを接合面5aと対向
させ、端子３を凹部6bに収容し、接合面6aを接合面5a及
び箔状抵抗体２に密着させる。
【００１９】次いで、図２(d) の積層体をホットプレス
焼結させることにより、成形体を緻密化させる。そし
て、所定の研削加工を施して端子３の表面を露出させる
ことにより、図３に示すセラミックスヒーター７が得ら
れる。図３においては、円盤状基材８の内部に箔状抵抗
体２が埋設され、一対の端子３が、背面8a側に露出して
いる。
焼結させることにより、成形体を緻密化させる。そし
て、所定の研削加工を施して端子３の表面を露出させる
ことにより、図３に示すセラミックスヒーター７が得ら
れる。図３においては、円盤状基材８の内部に箔状抵抗
体２が埋設され、一対の端子３が、背面8a側に露出して
いる。
【００２０】円盤状基材８を構成する緻密質セラミック
スとしては、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン
等を例示できる。本発明者の研究によると、このうち窒
化珪素を使うとヒーターの耐熱衝撃性が高い。また、窒
化アルミニウムを使うと、ハロゲン系腐蝕性ガスに対し
て、高い耐蝕効果が得られる。箔状抵抗体２を構成する
高融点金属としては、タングステン、モリブデン等が好
ましい。また、金属箔は、印刷、蒸着等で用いられる多
孔質のものではなく、緻密質であることは言うまでもな
い。
スとしては、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン
等を例示できる。本発明者の研究によると、このうち窒
化珪素を使うとヒーターの耐熱衝撃性が高い。また、窒
化アルミニウムを使うと、ハロゲン系腐蝕性ガスに対し
て、高い耐蝕効果が得られる。箔状抵抗体２を構成する
高融点金属としては、タングステン、モリブデン等が好
ましい。また、金属箔は、印刷、蒸着等で用いられる多
孔質のものではなく、緻密質であることは言うまでもな
い。
【００２１】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。図１〜図３に示した本発明の手順に従って、円盤状
セラミックスヒーター７を製造した。ただし、セラミッ
クスとしては窒化珪素を用い、箔状抵抗体２の材料とし
てはタングステンを用いた。
る。図１〜図３に示した本発明の手順に従って、円盤状
セラミックスヒーター７を製造した。ただし、セラミッ
クスとしては窒化珪素を用い、箔状抵抗体２の材料とし
てはタングステンを用いた。
【００２２】まず、タングステンからなる金属箔１の厚
さを15, 25, 50, 75μm に変更し、サンドブラスト加工
を行ってみた。この結果、サンドブラスト加工は、金属
箔１の厚さが25, 50μm のときが、最も行い易かった。
そこで、金属箔１の厚さを50μm に設定した。
さを15, 25, 50, 75μm に変更し、サンドブラスト加工
を行ってみた。この結果、サンドブラスト加工は、金属
箔１の厚さが25, 50μm のときが、最も行い易かった。
そこで、金属箔１の厚さを50μm に設定した。
【００２３】円盤状成形体５を得るときの成形圧力は2.
5 トン／cm2 とした。二つの円盤状成形体５を接合する
ときの成形圧力は、５〜７トン／cm2 とした。
5 トン／cm2 とした。二つの円盤状成形体５を接合する
ときの成形圧力は、５〜７トン／cm2 とした。
【００２４】一方、比較例として、一軸加圧成形法によ
って円盤状の予備成形体を作製し、予備成形体の上に箔
状抵抗体２を載置し、この上に窒化珪素粉体を充填し、
一軸加圧成形し、円盤状成形体を得た。この円盤状成形
体をホットプレス焼結し、セラミックスヒーターを得
た。
って円盤状の予備成形体を作製し、予備成形体の上に箔
状抵抗体２を載置し、この上に窒化珪素粉体を充填し、
一軸加圧成形し、円盤状成形体を得た。この円盤状成形
体をホットプレス焼結し、セラミックスヒーターを得
た。
【００２５】まず、焼成後の歩留りについて調べた。本
発明の上記方法により製造した場合は、100 個につい
て、箔状抵抗体２の断線や抵抗値の異常は生じなかっ
た。一方、比較例の方法により製造した場合は、100 個
のうち40個について、箔状抵抗体２の断線か抵抗値の異
常が生じていた。
発明の上記方法により製造した場合は、100 個につい
て、箔状抵抗体２の断線や抵抗値の異常は生じなかっ
た。一方、比較例の方法により製造した場合は、100 個
のうち40個について、箔状抵抗体２の断線か抵抗値の異
常が生じていた。
【００２６】また、８インチの寸法のものについて、50
0 ℃における加熱面の温度分布を調べた。この結果、本
発明の方法により製造した場合は、均熱性が最良のもの
で±２℃、最悪のもので±４℃の温度差が生じていた。
一方、比較例の方法により製造した場合は、均熱性が最
良のもので±２℃、最悪のもので±10℃の温度差が生じ
ていた。
0 ℃における加熱面の温度分布を調べた。この結果、本
発明の方法により製造した場合は、均熱性が最良のもの
で±２℃、最悪のもので±４℃の温度差が生じていた。
一方、比較例の方法により製造した場合は、均熱性が最
良のもので±２℃、最悪のもので±10℃の温度差が生じ
ていた。
【００２７】一方、抵抗発熱体として、ワイヤー状の抵
抗体をコイル状に巻回させたものを使用し、セラミック
スヒーターを製造してみた。この場合には、均熱性が最
良のもので±５℃、最悪のもので±25℃の温度差が生じ
ていた。
抗体をコイル状に巻回させたものを使用し、セラミック
スヒーターを製造してみた。この場合には、均熱性が最
良のもので±５℃、最悪のもので±25℃の温度差が生じ
ていた。
【００２８】また、セラミックスヒーターを1000℃に連
続して加熱し、箔状抵抗体の断線が生ずるまでの平均時
間を測定した。この結果、本発明の方法により製造した
場合は平均して約20,000時間であった。上記した比較例
の方法により製造した場合は、平均して約5,000 時間で
あった。
続して加熱し、箔状抵抗体の断線が生ずるまでの平均時
間を測定した。この結果、本発明の方法により製造した
場合は平均して約20,000時間であった。上記した比較例
の方法により製造した場合は、平均して約5,000 時間で
あった。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、コールドアイソスタテ
ィック法により成形したセラミックス成形体の間に箔状
抵抗体を挟み、次いでこの積層体をホットプレス焼結し
ている。即ち、上記セラミックス成形体の密度は、箔状
抵抗体を挟むときには既に高密度であるので、ホットプ
レス焼結の段階でも箔状抵抗体の断線や位置ズレ、ねじ
れ等は生じない。従って、不良品の発生は少なくなり、
加熱面の温度分布の均熱性は向上する。
ィック法により成形したセラミックス成形体の間に箔状
抵抗体を挟み、次いでこの積層体をホットプレス焼結し
ている。即ち、上記セラミックス成形体の密度は、箔状
抵抗体を挟むときには既に高密度であるので、ホットプ
レス焼結の段階でも箔状抵抗体の断線や位置ズレ、ねじ
れ等は生じない。従って、不良品の発生は少なくなり、
加熱面の温度分布の均熱性は向上する。
【００３０】また、箔状抵抗体に、ねじれ等の変形やこ
れによるクラックが生じないことから、こうした変形、
クラック部分に電力集中が生ずることもない。従って、
セラミックスヒーターに長時間通電しても、箔状抵抗体
に電力集中による断線が生じにくく、セラミックスヒー
ターの寿命が長くなる。
れによるクラックが生じないことから、こうした変形、
クラック部分に電力集中が生ずることもない。従って、
セラミックスヒーターに長時間通電しても、箔状抵抗体
に電力集中による断線が生じにくく、セラミックスヒー
ターの寿命が長くなる。
【図１】(a) は、金属箔１を示す斜視図である。(b)
は、箔状抵抗体２を示す平面図である。(c) は、端子取
付孔2bの周辺を示す斜視図である。
は、箔状抵抗体２を示す平面図である。(c) は、端子取
付孔2bの周辺を示す斜視図である。
【図２】(a) ，(b) ，(c) ，(d) は、本発明の各工程に
おける状態を模式的に示す断面図である。
おける状態を模式的に示す断面図である。
【図３】セラミックスヒーター７を概略的に示す斜視図
である。
である。
２ 箔状抵抗体 ３ 端子 ５，６ セラミックス成形体 5a, 6a 接合面 5c, 6c 非接合面 ７ セラミックスヒーター ８ セラミックス基材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 3/20 ３２８ Ｃ０４Ｂ 35/64 Ｌ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 3/18 B28B 3/00 102 B28B 3/02 C04B 35/64 H05B 3/14 H05B 3/20 328
Claims (2)
- 【請求項１】 緻密質のセラミックス基材と、このセラ
ミックス基材の内部に埋設されている、高融点金属から
なる箔状抵抗体とを備えているセラミックスヒーターを
製造する方法であって、 コールドアイソスタティックプレス法により複数のセラ
ミックス成形体を作製し、この際各セラミックス成形体
に平坦な接合面を形成し、次いで各セラミックス成形体
の前記の各接合面の間に前記箔状抵抗体を挟んだ状態で
前記の各セラミックス成形体を積層して積層体を得、こ
の際前記箔状抵抗体の主面が前記の各接合面に接触する
ようにし、次いで前記積層体に対して前記箔状抵抗体の
主面および前記各接合面と垂直な方向に圧力を加えつつ
ホットプレス焼結することにより、前記セラミックス基
材を生成させることを特徴とする、セラミックスヒータ
ーの製造方法。 - 【請求項２】 前記積層体をコールドアイソスタティッ
クプレス成形することにより、複数の前記セラミックス
成形体を接合し、次いで前記積層体をホットプレス焼結
することを特徴とする、請求項１記載のセラミックスヒ
ーターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046715A JP2766443B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | セラミックスヒーターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046715A JP2766443B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | セラミックスヒーターの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260263A JPH06260263A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2766443B2 true JP2766443B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=12755050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5046715A Expired - Lifetime JP2766443B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | セラミックスヒーターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766443B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204238A (ja) | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
| JP6910834B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2021-07-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109289A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Hitachi Heating Appliance Co Ltd | 面状発熱体 |
| JPH04231384A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-20 | Kawasaki Refract Co Ltd | 加熱調理器具の伝熱体 |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP5046715A patent/JP2766443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06260263A (ja) | 1994-09-16 |
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