JP6910834B2 - 半導体製造装置用部品の製造方法 - Google Patents
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Description
A−1.シャワーヘッド10の構成:
図1は、本実施形態におけるシャワーヘッド10の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態におけるシャワーヘッド10のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3は、シャワーヘッド10に備えられたガス分配体100の上側のXY平面構成を示す説明図であり、図4は、図2におけるA部分のXZ断面構成を拡大して示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。図6についても同様である。
ガス分配体100は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。ガス分配体100の直径は、例えば200mm〜500mm程度であり、ガス分配体100の厚さ(上下方向の寸法)は、例えば5mm〜20mm程度である。
図1および図2に示すように、ガス供給体200は、平板部210と筒部220とを備える。平板部210は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。平板部210の直径は、ガス分配体100の直径と略同一である。平板部210の上面S4の中央部付近には、接合層300を介して、筒部220が接合されている。筒部220は、例えば上下方向に延びた円筒状であり、筒部220の上端から下端まで上下方向に貫通するガス導入孔202が形成されている。筒部220は、セラミックスにより形成されている。筒部220の外径は、例えば30mm〜90mm程度であり、内径は、例えば10mm〜60mm程度であり、上下方向の長さは、例えば50mm〜200mm程度である。
次に、本実施形態におけるガス分配体100の製造方法を説明する。図5は、ガス分配体100の製造方法を示すフローチャートであり、図6は、ガス分配体100の製造工程を模式的に示す説明図である。
未焼結の第1のセラミックス成形体130を準備する(図5および図6のS110)。第1のセラミックス成形体130は、例えば円形平面の板状体であり、第1のセラミックス成形体130における略平面状の上側表面132上には、後に表面電極44となる未焼結導体(以下、「未焼結表面電極44P」という)が配置されている。第1のセラミックス成形体130の内部には、後に内部電極40となる未焼結導体(以下、「未焼結内部電極40P」という)と、後にビア導体42となる未焼結導体(以下、「未焼結ビア導体42P」という)とが設けられている。なお、第1のセラミックス成形体130には、連通路104となる貫通孔は形成されていない。
未焼結の第2のセラミックス成形体140を準備する(図5および図6のS110)。第2のセラミックス成形体140は、例えば円形平面の板状体であり、第2のセラミックス成形体140における略平面状の下側表面144には、凹部146が形成されている。凹部146は、上下方向視で、略円環状であり、かつ、第1のセラミックス成形体130の上側表面132上に形成された未焼結表面電極44Pと略同一径である。なお、後述の焼成工程で第2のセラミックス成形体140が収縮し得ることを考慮して、凹部146の幅D5(第2のセラミックス成形体140の径方向の寸法)は、ガス分配体100の溝部112の幅D4より若干広いことが好ましい。また、後述の加工工程で凹部146の上端側が加工され得ることを考慮して、凹部146の深さD6(上下方向の寸法)は、溝部112の深さD2より若干深いことが好ましい。また、第2のセラミックス成形体140には、凹部146の底面146Aから上側表面142まで貫通する1また複数の貫通孔148が形成されている。なお、第2のセラミックス成形体140には、連通路104は形成されていない。
次に、第1のセラミックス成形体130の上側表面132と、第2のセラミックス成形体140の下側表面144とを圧着させることにより、第1のセラミックス成形体130と第2のセラミックス成形体140との接合体150を形成する(図5および図6のS120)。具体的には、第1のセラミックス成形体130の上側表面132と、第2のセラミックス成形体140の下側表面144とを重ね合わせる。この際、第1のセラミックス成形体130に形成された未焼結表面電極44Pを、スペーサ400を介して、第2のセラミックス成形体140に形成された凹部146に対応する位置に合わせる。換言すれば、未焼結表面電極44Pが、スペーサ400を介して、凹部146に対向するようにして、第1のセラミックス成形体130の上側表面132と、第2のセラミックス成形体140の下側表面144とを重ね合わせる。これにより、凹部146内に未焼結表面電極44Pが収容され、かつ、未焼結表面電極44Pの上面と凹部146の底面との間にスペーサ400が配置された状態になる。このとき、スペーサ400は、未焼結表面電極44Pの上面と凹部146の底面との両方に接触していることが好ましい。そして、上側表面132と下側表面144とを重ね合わせた状態で、第1のセラミックス成形体130と第2のセラミックス成形体140とを真空圧着により接合する。具体的には、第1のセラミックス成形体130と第2のセラミックス成形体140とを真空用パック(図示せず)に入れて、真空用パック内を真空状態とすることにより圧着させる。これにより、接合体150を形成することができる。
次に、接合体150の上面側(第2のセラミックス成形体140の上側表面142側)をマシニングによって研削加工することにより除去する(図5および図6のS130)。この研削加工を、凹部146の上端側が上側表面142に開口するまで行う。その後、スペーサ400を凹部146から取り除く。これにより、上述の溝部112が形成された分配側対向面S2を有する溝有り接合体160を形成することができる。また、溝有り接合体160に、穴加工を施すことにより、上述の複数の連通路104を形成し、マシニングにより、溝有り接合体160の外径等の寸法調整を行う。
次に、溝有り接合体160を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成して焼結体を作製する(S140)。この焼結体の表面を研磨加工する。以上の工程により、ガス分配体100が作製される。
本実施形態の製造方法によれば、予め表面電極44が形成された上側表面132を備える第1のセラミックス成形体130と、予め凹部146が形成された下側表面144を備える第2のセラミックス成形体140とを準備する(S110)。そして、上側表面132上の表面電極44を、下側表面144に形成された凹部146に対応する位置に合わせつつ、上側表面132と下側表面144とを圧着させることにより、接合体150を形成する(S120)。そして、接合体150の上側表面142側を加工して、溝部112が形成された分配側対向面S2を形成する(S130)。これにより、略平面状の分配側対向面S2に形成された溝部112の底面112Aに表面電極44が配置されたガス分配体100を製造することができる。これにより、上述の従来の製造方法とは異なり、接合体150の焼成後の電極ペーストの塗布、脱脂および焼成が不要であるため、ガス分配体100の製造時間の長期化を抑制できる。
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
Claims (3)
- 略平面状のセラミックス表面を備え、前記セラミックス表面に溝部が形成され、前記溝部の底面に電極が配置されたセラミックス部材を備える半導体製造装置用部品の製造方法において、
第1の表面を備え、前記第1の表面上に前記電極が配置された第1のセラミックス成形体を準備する第1の準備工程と、
第2の表面を備え、前記第2の表面に凹部が形成されるとともに、前記凹部の底面から前記第2の表面とは反対側の第3の表面まで貫通する貫通孔が形成された第2のセラミックス成形体を準備する第2の準備工程と、
前記第1の表面上の前記電極を、前記第2の表面に形成された前記凹部に対応する位置に合わせ、前記第1の表面と前記第2の表面とを真空圧着させることにより、前記第1のセラミックス成形体と前記第2のセラミックス成形体との接合体を形成する圧着工程と、
前記接合体のうち、前記第2のセラミックス成形体の部分における前記第3の表面側を加工して、前記溝部が形成された前記セラミックス表面を形成する加工工程と、を含むことを特徴とする、半導体製造装置用部品の製造方法。 - 略平面状のセラミックス表面を備え、前記セラミックス表面に溝部が形成され、前記溝部の底面に電極が配置されたセラミックス部材を備える半導体製造装置用部品の製造方法において、
第1の表面を備え、前記第1の表面上に前記電極が配置された第1のセラミックス成形体を準備する第1の準備工程と、
第2の表面を備え、前記第2の表面に凹部が形成された第2のセラミックス成形体を準備する第2の準備工程と、
前記第1の表面上の前記電極を、前記第2の表面に形成された前記凹部に対応する位置に合わせ、かつ、前記電極と前記凹部の底面との間に、スペーサを配置し、前記第1の表面と前記第2の表面とを圧着させることにより、前記第1のセラミックス成形体と前記第2のセラミックス成形体との接合体を形成する圧着工程と、
前記接合体のうち、前記第2のセラミックス成形体の部分における前記第2の表面とは反対側の第3の表面側を加工して、前記溝部が形成された前記セラミックス表面を形成する加工工程と、を含むことを特徴とする、半導体製造装置用部品の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置用部品の製造方法において、
前記溝部の形状と、前記電極の形状と、前記第2のセラミックス成形体に形成された前記凹部との形状は、いずれも、環状であることを特徴とする、半導体製造装置用部品の製造方法。
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