KR20070072591A - 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 - Google Patents
반도체 제조 장치용 세라믹 히터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070072591A KR20070072591A KR1020077011182A KR20077011182A KR20070072591A KR 20070072591 A KR20070072591 A KR 20070072591A KR 1020077011182 A KR1020077011182 A KR 1020077011182A KR 20077011182 A KR20077011182 A KR 20077011182A KR 20070072591 A KR20070072591 A KR 20070072591A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- ceramic heater
- ceramic
- heating element
- ceramics
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 39
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명의 과제는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 처리하는 고온 영역에 있어서 웨이퍼 적재면의 평면도를 높이고, 가열 처리시에 있어서의 웨이퍼 표면의 균열성을 높인 반도체 제조 장치용 세라믹 히터를 제공하는 것이다. 세라믹 기판(2a, 2b)의 표면 또는 내부에 저항 발열체(3)을 갖는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터(1)이며, 비가열시(상온)의 웨이퍼 적재면의 휨 형상이 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 오목형이다. 세라믹 히터(1)는 세라믹 기판(2a, 2b)의 표면 또는 내부에 플라즈마 전극이 더 배치되어 있어도 좋다. 또한, 세라믹 기판(2a, 2b)은 질화알루미늄, 질화규소, 산질화알루미늄, 탄화규소로부터 선택된 1 종류가 바람직하다.
세라믹 기판, 저항 발열체, 세라믹 히터, 플라즈마 전극, 접착층
Description
도1은 본 발명에 의한 세라믹 히터의 일 구체예를 도시하는 개략의 단면도이다.
도2는 본 발명에 의한 세라믹 히터의 다른 구체예를 도시하는 개략의 단면도이다.
[특허 문헌 1]
일본 특허 공고 평6-28258호 공보
본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서 웨이퍼에 소정의 처리를 행하는 반도체 제조 장치에 사용되고, 웨이퍼를 보유 지지하여 가열하는 세라믹 히터에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 제조 장치에 사용되는 세라믹 히터에 관해서는, 여러 가지의 구조가 제안되어 이루어져 있다. 예를 들어, 일본 특허 공고 평6-28258호 공보 에는 저항 발열체가 매립 설치되어 용기 내에 설치된 세라믹 히터와, 이 히터의 웨이퍼 가열면 이외의 면에 설치되고, 반응 용기와의 사이에서 기밀성 밀봉을 형성하는 볼록형 지지 부재를 구비한 반도체 웨이퍼 가열 장치가 제안되어 있다.
또한, 최근에는 제조 비용을 저감하기 위해, 웨이퍼의 외경은 8 인치 내지 12 인치로 대구경화(大口徑化)가 진행되고 있고, 이에 수반하여 웨이퍼를 보유 지지하는 세라믹 히터도 직경 300 ㎜ 이상으로 되어 오고 있다. 동시에, 세라믹 히터로 가열되는 웨이퍼 표면의 균열성은 ±1.0 ％ 이하, 더 바람직하게는 ±0.5 ％ 이하가 요구되고 있다.
이러한 균열성의 요구에 대해, 세라믹 히터에 웨이퍼를 적재하였을 때에 웨이퍼 적재면과 웨이퍼 사이에 간극이 생기면 균일한 가열을 할 수 없게 되므로, 정밀 가공에 의해 웨이퍼 적재면의 평면도를 높이는 것이 추구되어 왔다. 그러나, 세라믹 히터의 대구경화에 수반하여 웨이퍼 표면의 균열성에 대한 상기 요구의 실현은 곤란해지고 있다.
상기한 바와 같이, 종래부터 균열성 향상을 위해 웨이퍼 적재면의 평면도를 올리는 것이 추구되어 왔지만, 최근에 있어서 웨이퍼의 대구경화가 진행되는 동시에 균열성의 요구를 충족하는 것이 어려워지고 있다.
예를 들어, 상기 일본 특허 공고 평6-28258호 공보에 기재된 바와 같이 세라믹 히터에 지지 부재를 접합하면, 저항 발열체에 전류를 흐르게 하여 발열시킨 열이 세라믹 히터로부터 지지 부재를 전해져 반응 용기측으로 도피하기 때문에, 웨이퍼 적재면에 비해 지지 부재측의 열팽창이 작아지고, 웨이퍼 적재면이 볼록형이 되 는 응력이 가해진다. 따라서, 정밀 가공에 의해 실온에서의 웨이퍼 적재면의 평면도를 높여도, 실제로 웨이퍼를 처리할 때 고온 영역에 있어서는 웨이퍼 적재면이 볼록 형상으로 휘어지기 때문에, 웨이퍼 사이에 간극이 생겨 웨이퍼에의 열전도에 불균일성을 발생시키고, 웨이퍼 표면의 균열성은 오르지 않았다.
본 발명은, 이러한 종래의 사정에 비추어 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 처리하는 고온 영역에 있어서 웨이퍼 적재면의 평면도를 높이고, 가열 처리시에 있어서의 웨이퍼 표면의 균열성을 높인 반도체 제조 장치용 세라믹 히터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 저항 발열체를 갖는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터이며, 웨이퍼 적재면의 휨 형상이 비가열시에 있어서 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 오목형인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터를 제공한다.
상기 본 발명의 반도체 제조 장치용 세라믹 히터에 있어서, 상기 세라믹 기판은 질화알루미늄, 질화규소, 산질화알루미늄, 탄화규소로부터 선택된 1 종류로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 반도체 제조 장치용 세라믹 히터에 있어서, 상기 저항 발열체는 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 팔라듐, 은, 니켈, 크롬으로부터 선택된 1 종류로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 반도체 제조 장치용 세라믹 히터는 상기 세라믹 기판 의 표면 또는 내부에 플라즈마 전극이 더 배치되어 있어도 좋다.
본 발명자들은 반도체 제조 장치용 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면에 있어서의 평면도에 대해 검토한 결과, 종래의 세라믹 히터는 웨이퍼 적재면이 일반적으로 상온으로 볼록(이하, + 방향으로도 말함)이 되는 휨 상태에 있는 데다가, 저항 발열체에 통전함으로써 온도가 상승되어 영율이 저하되면, + 방향의 휨이 더 커지는 것을 발견하였다.
그래서, 본 발명에 있어서는 세라믹 히터의 상온에 있어서의 휨 상태를 웨이퍼 적재면이 오목(이하, - 방향으로도 말함)이 되도록 조정함으로써, 실제의 웨이퍼 처리시 고온 영역에 있어서 웨이퍼 적재면의 평면도를 종래부터도 높일 수 있었다. 즉, 본 발명의 세라믹 히터에서는 웨이퍼 적재면의 휨 형상을 비가열시(상온)에 있어서, 웨이퍼 적재면의 길이 300 ㎜당 0.001 내지 0.7 ㎜의 오목형으로 한다.
이러한 상온에서의 휨 형상으로 함으로써, 실제의 웨이퍼 처리시 고온 영역에 있어서는 세라믹 히터가 + 방향으로 휘어지기 때문에, 그 웨이퍼 적재면의 평면도가 향상되어 웨이퍼와의 사이의 간극을 거의 없앨 수 있다. 그 결과, 본 발명에 있어서는 웨이퍼 표면의 균열성을 열전도율 100 W/mK 이상의 세라믹 히터에서는 ±0.5 ％ 이하로 및 10 내지 100 W/mK의 세라믹 히터에서는 ±1.0 ％ 이하로 할 수 있다.
다음에, 본 발명에 의한 세라믹 히터의 구체적인 구조를 도1 내지 도2에 의 해 설명한다. 도1에 도시한 세라믹 히터(1)는 세라믹 기판(2a)의 일표면 상에 소정 회로 패턴의 저항 발열체(3)가 설치되어 있고, 그 표면 상에 다른 세라믹 기판(2b)을 유리 또는 세라믹으로 이루어지는 접착층(4)에 의해 접합하고 있다. 또한, 저항 발열체(3)의 회로 패턴은, 예를 들어 선 폭과 선 간격이 5 ㎜ 이하, 더 바람직하게는 1 ㎜ 이하가 되도록 형성되어 있다.
또한, 도2에 도시한 세라믹 히터(11)는 그 내부에 저항 발열체(13)와 같이 플라즈마 전극(15)을 구비하고 있다. 즉, 도1의 세라믹 히터(1)와 마찬가지로 일표면 상에 저항 발열체(13)를 갖는 세라믹 기판(12a)과 세라믹 기판(12b)을 접착층(14a)으로 접합하는 동시에, 그 세라믹 기판(12a)의 다른 표면에 플라즈마 전극(15)을 설치한 다른 세라믹 기판(12c)이 유리 또는 세라믹으로 이루어지는 접착층(14b)에 의해 접합되어 있다.
또한, 도1 및 도2에 도시한 세라믹 히터의 제조에 있어서는, 각각의 세라믹 기판을 접합하는 방법 이외에도 두께 약 0.5 ㎜의 그린 시트를 준비하고, 각 그린 시트 상에 도전성 페이스트를 이용하여 저항 발열체 및/또는 플라즈마 전극의 회로 패턴을 인쇄 도포한 후, 이러한 그린 시트 및 필요에 따라서 통상의 그린 시트를 소요의 두께가 얻어지도록 적층하고, 전체를 동시에 소결하여 일체화해도 좋다.
<제1 실시예>
질화알루미늄(AlN) 분말에 소결조제와 바인더를 첨가하여 볼밀에 의해 분산 혼합하였다. 이 혼합 분말을 스프레이 드라이 건조한 후 직경 380 ㎜, 두께 1 ㎜의 원판형으로 프레스 성형하였다. 이렇게 얻어진 성형체를 비산화성 분위기 속에 의해 온도 800 ℃에서 탈지한 후, 온도 1900 ℃에서 4 시간 소결함으로써 AlN 소결체를 얻었다. 이 AlN 소결체의 열전도율은 170 W/mK였다. 이 AlN 소결체의 외주면을 외경 300 ㎜가 될 때까지 연마하여 세라믹 히터용의 AlN 기판 2매를 준비하였다.
1매의 AlN 기판의 일표면 상에, 텅스텐 분말과 소결조제를 바인더로 혼련한 페이스트를 인쇄 도포하여 소정의 발열체 회로 패턴을 형성하였다. 이 AlN 기판을 비산화 분위기 속에 의해 온도 800 ℃에서 탈지한 후, 온도 1700 ℃에서 소성하여 W의 저항 발열체를 형성하였다.
남은 1매의 AlN 기판의 일표면에 Y2O3계 접착제와 바인더를 혼련한 페이스트를 인쇄 도포하고, 온도 500 ℃에서 탈지하였다. 이 AlN 기판의 접착제층을 상기 AlN 기판의 저항 발열체를 형성한 면에 중합시키고, 온도 800 ℃로 가열하여 접합함으로써, AlN제의 세라믹 히터를 얻었다.
또한, 상기 질화알루미늄의 스프레이 드라이 분말을 1 ton/㎠에서의 CIP 성형에 의해, 소결 후의 치수가 외경 100 ㎜, 내경 90 ㎜, 길이 200 ㎜가 되도록 성형가공하고, 비산화성 분위기 속에 의해 800 ℃에서 탈지한 후, 1900 ℃에서 4 시간 소성하여 AlN 소결체로 이루어지는 파이프형의 지지 부재를 얻었다.
이 AlN제의 파이프형 지지 부재의 일단부면을 상기 AlN 제조의 세라믹 히터의 중앙에 대고, 온도 800 ℃에서 2 시간 가열하여 핫 프레스 접합하였다. 이 때, 핫 프레스 접합시 지그의 휨량을 조정함으로써, 접합 후에 있어서의 세라믹 히터의 초기 휨량을 시료마다 하기 표 1에 나타낸 값이 되도록 변화시켰다.
이와 같이 하여 얻어진 도1의 구조의 세라믹 히터에 대해, 웨이퍼 적재면의 반대측 표면에 형성한 2개의 전극으로부터 200 V의 전압으로 저항 발열체에 전류를 흐르게 함으로써, 세라믹 히터의 온도를 500 ℃까지 승온하였다. 그 때, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면에 대해 500 ℃에서의 휨량을 측정하였다.
또한, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면 상에 두께 0.8 ㎜, 직경 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼를 적재하고, 상기 500 ℃ 가열시에 있어서의 웨이퍼의 표면 온도 분포를 측정하여 웨이퍼 표면의 균열성을 구하였다. 이렇게 얻어진 결과를 시료마다 하기 표 1에 나타냈다. 또한, 표 1의 각 휨량의 란에 있어서, +는 휨 방향이 + 방향(볼록형)인 것을, -는 휨 방향이 - 방향(오목형)인 것을 나타낸다(이하의 각 표에 있어서 동일함).
| 시료 | 초기 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃ 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃에서의 웨이퍼 표면의 균열성(%) |
| 1* | ±0.03 | +0.6 | ±0.9 |
| 2* | ±0.0 | +0.51 | ±0.7 |
| 3 | -0.001 | +0.45 | ±0.5 |
| 4 | -0.1 | +0.4 | ±0.45 |
| 5 | -0.5 | +0.03 | ±0.4 |
| 6 | -0.7 | -0.2 | ±0.5 |
| 7* | -0.8 | -0.5 | ±0.62 |
| 8* | -1.0 | -0.7 | ±0.85 |
(주) 표 중의 *를 부여한 시료는 비교예이다.
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, AlN제의 세라믹 히터에 요구되는 웨이퍼 표면의 균열성(±0.5 ％ 이하)을 얻기 위해서는, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면의 초기 휨 형상을 - 방향으로 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 범위 내의 오목형으로 하는 것이 필요하였다.
<제2 실시예>
질화규소(Si3N4) 분말에 소결조제와 바인더를 첨가하여 볼밀에 의해 분산 혼합하였다. 이 혼합 분말을 스프레이 드라이 건조한 후 직경 380 ㎜, 두께 1 ㎜의 원판형으로 프레스 성형하였다. 이 성형체를 비산화성 분위기 속에 의해 온도 800 ℃에서 탈지한 후, 온도 1550 ℃에서 4 시간 소결함으로써 Si3N4 소결체를 얻었다. 이 Si3N4 소결체의 열전도율은 20 W/mK였다. 이 Si3N4 소결체의 외주면을 외경 300 ㎜가 될 때까지 연마하여 세라믹 히터용의 Si3N4 기판 2매를 준비하였다.
1매의 Si3N4 기판의 일표면 상에 제1 실시예와 동일 방법으로 W의 저항 발열체를 형성하였다. 남은 1매의 Si3N4 기판의 표면에는 SiO2계 접착제의 층을 형성하고, 상기 Si3N4 기판의 저항 발열체를 형성한 면에 중합시키고, 온도 800 ℃로 가열하여 접합함으로써 Si3N4제의 세라믹 히터를 얻었다.
또한, 상기 질화규소의 스프레이 드라이 분말을 1 ton/㎠에서의 CIP 성형에 의해, 소결 후의 치수가 외경 100 ㎜, 내경 90 ㎜, 길이 200 ㎜가 되도록 성형 가공하고, 비산화성 분위기 속에 의해 800 ℃에서 탈지한 후, 1900 ℃에서 4 시간 소성하여 Si3N4 소결체로 이루어지는 파이프형 지지 부재를 얻었다.
이 Si3N4제의 파이프형 지지 부재의 일단부면을 상기 Si3N4제의 세라믹 히터의 중앙에 대고, 온도 800 ℃에서 2 시간 가열하여 접합하였다. 이 때, 핫 프레스 접합시 지그의 휨량을 조정함으로써, 접합 후에 있어서의 세라믹 히터의 초기 휨량을 시료마다 하기 표 2에 나타낸 값이 되도록 변화시켰다.
이와 같이 하여 얻어진 도1의 구조의 세라믹 히터에 대해, 웨이퍼 적재면의 반대측 표면에 형성한 2개의 전극으로부터 200 V의 전압으로 저항 발열체에 전류를 흐르게 함으로써, 세라믹 히터의 온도를 500 ℃까지 승온하였다. 그 때, 웨이퍼 적재면의 500 ℃에서의 휨량을 측정하였다. 또한, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면 상에 적재한 두께 0.8 ㎜, 직경 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼에 대해, 표면 온도 분포를 측정하여 균열성을 구하였다. 이렇게 얻어진 결과를 시료마다 하기 표 2에 나타냈다.
| 시료 | 초기 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃ 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃에서의 웨이퍼 표면의 균열성(%) |
| 9* | ±0.0 | +0.54 | ±1.21 |
| 10 | -0.003 | +0.46 | ±0.98 |
| 11 | -0.12 | +0.4 | ±0.90 |
| 12 | -0.5 | +0.03 | ±0.76 |
| 13 | -0.65 | -0.2 | ±0.98 |
| 14* | -0.8 | -0.55 | ±1.19 |
(주) 표 중의 *를 부여한 시료는 비교예이다.
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 열전도율이 20 W/mK인 질화규소제의 세라믹 히터에 있어서도, 그 웨이퍼 적재면의 초기 휨 형상을 - 방향으로 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 범위 내의 오목형으로 함으로써, 요구되는 웨이퍼 표면의 균열성(±1.0 ％ 이하)을 얻을 수 있었다.
<제3 실시예>
산질화알루미늄(AlON) 분말에 소결조제와 바인더를 첨가하여 볼밀에 의해 분산 혼합하였다. 이 혼합 분말을 스프레이 드라이 건조한 후 직경 380 ㎜, 두께 1 ㎜의 원판형으로 프레스 성형하였다. 이 성형체를 비산화성 분위기 속에 의해 온도 800 ℃에서 탈지한 후, 온도 1770 ℃에서 4 시간 소결함으로써 AlON 소결체를 얻었다. 이 AlON 소결체의 열전도율은 20 W/mK였다. 이렇게 얻어진 AlON 소결체의 외주면을 외경 300 ㎜가 될 때까지 연마하여 세라믹 히터용의 AlON 기판 2매를 준비하였다.
1매의 AlON 기판의 일표면 상에 제1 실시예와 동일 방법으로 W의 저항 발열체를 형성하였다. 남은 1매의 AlON 기판의 표면에는 SiO2계 접착제의 층을 형성하고, 상기 AlON 기판의 저항 발열체를 형성한 면에 중합시키고, 온도 800 ℃로 가열하여 접합함으로써 AlON제의 세라믹 히터를 얻었다.
또한, 상기 산질화알루미늄의 스프레이 드라이 분말을 1 ton/㎠에서의 CIP 성형에 의해, 소결 후의 치수가 외경 100 ㎜, 내경 90 ㎜, 길이 200 ㎜가 되도록 성형 가공하고, 비산화성 분위기 속에 의해 800 ℃에서 탈지한 후, 1900 ℃에서 4 시간 소성하여 AlON 소결체로 이루어지는 파이프형 지지 부재를 얻었다.
이 AlON제의 파이프형 지지 부재의 일단부면을 상기 AlON제의 세라믹 히터의 중앙에 대고, 온도 800 ℃에서 2 시간 가열하여 접합하였다. 이 때, 핫 프레스 접합시 지그의 휨량을 조정함으로써, 접합 후에 있어서의 세라믹 히터의 초기 휨량을 시료마다 하기 표 3에 나타낸 값이 되도록 변화시켰다.
이와 같이 하여 얻어진 도1의 구조의 세라믹 히터에 대해, 웨이퍼 적재면의 반대측 표면에 형성한 2개의 전극으로부터 200 V의 전압으로 저항 발열체에 전류를 흐르게 함으로써, 세라믹 히터의 온도를 500 ℃까지 승온하였다. 그 때, 웨이퍼 적재면의 500 ℃에서의 휨량을 측정하였다. 또한, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면 상에 적재한 두께 0.8 ㎜, 직경 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼에 대해, 표면 온도 분포를 측정하여 균열성을 구하였다. 이렇게 얻어진 결과를 시료마다 하기 표 3에 나타냈다.
| 시료 | 초기 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃ 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃에서의 웨이퍼 표면의 균열성(%) |
| 15* | ±0.0 | +0.55 | ±1.18 |
| 16 | -0.001 | +0.45 | ±1.00 |
| 17 | -0.09 | +0.4 | ±0.86 |
| 18 | -0.45 | +0.03 | ±0.80 |
| 19 | -0.7 | -0.2 | ±1.00 |
| 20* | -0.8 | -0.5 | ±1.20 |
(주) 표 중의 *를 부여한 시료는 비교예이다.
상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 열전도율이 20 W/mK인 산질화알루미늄제의 세라믹 히터에 있어서도, 그 웨이퍼 적재면의 초기 휨 형상을 - 방향으로 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 범위 내의 오목형으로 함으로써, 요구되는 웨이퍼 표면의 균열성(±1.0 ％ 이하)을 얻을 수 있었다.
<제4 실시예>
제1 실시예와 같은 방법에 의해, 질화알루미늄 소결체로 이루어지는 외경 300 ㎜의 세라믹 히터용의 AlN 기판 2매 및 AlN제의 파이프형 지지 부재를 제조하였다.
다음에, 이 2매의 AlN 기판을 이용하여 세라믹 히터를 제조하는 데 있어서, 1매의 AlN 기판의 일표면 상에 설치하는 저항 발열체의 재료를 각각 Mo, Pt, Ag - Pd, Ni - Cr으로 변화시키고, 각각의 페이스트를 인쇄 도포하여 비산화성 분위기 속으로 베이킹하였다.
그 후, 남은 1매의 AlN 기판에는 SiO2계 접착제를 도포하고, 상기 AlN 기판의 저항 발열체를 형성한 면에 중합시키는 동시에, AlN제의 파이프형 지지 부재와의 접합부에도 SiO2계 접착제를 도포하고, 비산화성 분위기에 의해 800 ℃에서 탈지하여 800 ℃에서 접합한 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, AlN제의 세라믹 히터를 얻었다. 이 때, 접합시 지그의 휨량을 조정함으로써, 접합 후에 있어서의 세라믹 히터의 초기 휨량을 시료마다 하기 표 4에 나타낸 값이 되도록 변화시켰다.
이와 같이 하여 얻어진 저항 발열체의 재질이 다른 세라믹 히터에 대해, 웨이퍼 적재면의 반대측 표면에 형성한 2개의 전극으로부터 200 V의 전압으로 저항 발열체에 전류를 흐르게 함으로써, 세라믹 히터의 온도를 500 ℃까지 승온하였다. 그 때, 웨이퍼 적재면의 500 ℃에서의 휨량을 측정하였다. 또한, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면 상에 적재한 두께 0.8 ㎜, 직경 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼에 대해, 표면 온도 분포를 측정하여 균열성을 구하였다. 이렇게 얻어진 결과를 시료마다 하기 표 4에 나타냈다.
| 시료 | 저항 발열체 | 초기 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃에서의 웨이퍼 표면의 균열성(%) |
| 21* | Mo | ±0.0 | ±0.64 |
| 22 | Mo | -0.002 | ±0.45 |
| 23 | Mo | -0.11 | ±0.43 |
| 24 | Mo | -0.55 | ±0.43 |
| 25 | Mo | -0.69 | ±0.5 |
| 26* | Mo | -0.8 | ±0.54 |
| 27* | Pt | ±0.0 | ±0.62 |
| 28 | Pt | -0.001 | ±0.5 |
| 29 | Pt | -0.09 | ±0.43 |
| 30 | Pt | -0.45 | ±0.4 |
| 31 | Pt | -0.7 | ±0.5 |
| 32* | Pt | -0.8 | ±0.63 |
| 33* | Ag - Pd | ±0.0 | ±0.67 |
| 34 | Ag - Pd | -0.003 | ±0.5 |
| 35 | Ag - Pd | -0.12 | ±0.45 |
| 36 | Ag - Pd | -0.5 | ±0.4 |
| 37 | Ag - Pd | -0.68 | ±0.5 |
| 38* | Ag - Pd | -0.8 | ±0.56 |
| 39* | Ni - Cr | ±0.0 | ±0.61 |
| 40 | Ni - Cr | -0.001 | ±0.46 |
| 41 | Ni - Cr | -0.09 | ±0.43 |
| 42 | Ni - Cr | -0.45 | ±0.4 |
| 43 | Ni - Cr | -0.7 | ±0.5 |
| 44* | Ni - Cr | -0.8 | ±0.61 |
(주) 표 중의 *를 부여한 시료는 비교예이다.
상기 표 4에 나타낸 바와 같이, 저항 발열체가 Mo, Pt, Ag - Pd, Ni - Cr의 경우에 있어서도, 그 웨이퍼 적재면의 초기 휨 형상을 - 방향으로 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 범위 내의 오목형으로 함으로써, 제1 실시예와 마찬가지로 가열 처리시 웨이퍼 표면의 균열성에 대해 양호한 결과가 얻어졌다.
<제5 실시예>
질화알루미늄 분말에 소결조제, 바인더, 분산제, 알코올을 첨가 혼련한 페이스트를 이용하고, 독터 블레이드법에 의한 성형을 행하여 두께 약 0.5 ㎜의 그린 시트를 얻었다.
다음에, 이 그린 시트를 80 ℃에서 5 시간 건조한 후 W 분말과 소결조제를 바인더로 혼련한 페이스트를 1매의 그린 시트의 일표면 상에 인쇄 도포하여 소정 회로 패턴의 저항 발열체층을 형성하였다. 또한, 다른 1매의 그린 시트를 마찬가지로 건조하고, 그 일표면 상에 상기 텅스텐 페이스트를 인쇄 도포하여 플라즈마 전극층을 형성하였다. 이들 2매의 도전층을 갖는 그린 시트와, 도전층이 인쇄되어 있지 않은 그린 시트를 합계 50매 적층하고, 70 ㎏/㎠가 압력을 가하면서 140 ℃로 가열하여 일체화하였다.
이렇게 얻어진 적층체를 비산화성 분위기 속에 의해 600 ℃에서 5 시간 탈지한 후, 100 내지 150 ㎏/㎠의 압력과 1800 ℃의 온도로 핫 프레스하여 두께 3 ㎜의 질화알루미늄 판형체를 얻었다. 이를 직경 380 ㎜의 원판형으로 잘라내고, 외주부를 직경 300 ㎜가 될 때까지 연마하여 내부에 저항 발열체와 플라즈마 전극을 갖는 도2의 구조의 AlN제 세라믹 히터를 얻었다.
또한, 제1 실시예와 같은 방법으로 제작한 AlN제의 파이프형 지지 부재의 단부면을 상기 세라믹 히터의 중앙에 대고, 온도 800 ℃에서 2 시간 가열하여 접합하였다. 또한, 이 접합시 지그의 휨량을 조정함으로써, 접합 후에 있어서의 세라믹 히터의 초기 휨량을 시료마다 하기 표 5에 나타낸 값이 되도록 변화시켰다.
이와 같이 하여 얻어진 세라믹 히터에 대해, 웨이퍼 적재면의 반대측 표면에 형성한 2개의 전극으로부터 200 V의 전압으로 저항 발열체에 전류를 흐르게 함으로써, 세라믹 히터의 온도를 500 ℃까지 승온하였다. 그 때, 웨이퍼 적재면의 500 ℃에서의 휨량을 측정하였다. 또한, 세라믹 히터의 웨이퍼 적재면 상에 적재한 두께 0.8 ㎜, 직경 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼에 대해, 표면 온도 분포를 측정하여 균열성을 구하였다. 이렇게 얻어진 결과를 시료마다 하기 표 5에 나타냈다.
| 시료 | 초기 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃ 휨량 (㎜/300 ㎜) | 500 ℃에서의 웨이퍼 표면의 균열성(%) |
| 45* | ±0.0 | +0.57 | ±0.61 |
| 46 | -0.001 | +0.46 | ±0.48 |
| 47 | -0.09 | +0.4 | ±0.43 |
| 48 | -0.53 | +0.03 | ±0.38 |
| 49 | -0.67 | -0.2 | ±0.49 |
| 50* | -0.80 | -0.55 | ±0.61 |
(주) 표 중의 *를 부여한 시료는 비교예이다.
상기 표 5에 나타낸 바와 같이, 저항 발열체와 플라즈마 전극을 갖는 세라믹 히터에 있어서도, 그 웨이퍼 적재면의 초기 휨 형상을 - 방향으로 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 범위 내의 오목형으로 함으로써, 가열 처리시 웨이퍼 표면의 균열성에 대해 양호한 결과가 얻어졌다.
본 발명에 따르면, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 처리하는 고온 영역에 있어서 웨이퍼 적재면의 평면도를 높임으로써, 가열 처리시에 있어서의 웨이퍼 표면의 균열성을 높인 반도체 제조 장치용 세라믹 히터를 제공할 수 있다.
Claims (4)
- 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 저항 발열체를 갖는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터이며, 웨이퍼 적재면의 휨 형상이 비가열시에 있어서 0.001 내지 0.7 ㎜/300 ㎜의 오목형이며, 상기 웨이퍼 적재면의 휨량은 가열 시에 있어서 0.46 mm/300 mm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 기판이 질화알루미늄, 질화규소, 산질화알루미늄, 탄화규소로부터 선택된 1 종류로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저항 발열체가 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 팔라듐, 은, 니켈, 크롬으로부터 선택된 1 종류로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 플라즈마 전극이 더 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 세라믹 히터.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002309387A JP2004146568A (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 半導体製造装置用セラミックスヒーター |
| JPJP-P-2002-00309387 | 2002-10-24 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2004-7010327A Division KR20040070291A (ko) | 2002-10-24 | 2003-03-20 | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070072591A true KR20070072591A (ko) | 2007-07-04 |
Family
ID=32171000
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020077011182A KR20070072591A (ko) | 2002-10-24 | 2003-03-20 | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 |
| KR10-2004-7010327A KR20040070291A (ko) | 2002-10-24 | 2003-03-20 | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2004-7010327A KR20040070291A (ko) | 2002-10-24 | 2003-03-20 | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050184054A1 (ko) |
| JP (1) | JP2004146568A (ko) |
| KR (2) | KR20070072591A (ko) |
| CN (1) | CN1613139A (ko) |
| TW (1) | TWI231541B (ko) |
| WO (1) | WO2004038771A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8481892B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-07-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater and method for producing same |
| CN104185317B (zh) * | 2014-08-14 | 2016-09-07 | 厦门格睿伟业电子科技有限公司 | 一种双层包压陶瓷发热管 |
| CN106716124B (zh) * | 2014-09-13 | 2020-02-07 | 安捷伦科技有限公司 | 气相色谱(gc)柱加热器 |
| US10145823B2 (en) | 2014-09-13 | 2018-12-04 | Agilent Technologies, Inc. | Gas chromatography (GC) column heater control using multiple temperature sensors |
| JP6643325B2 (ja) * | 2014-09-13 | 2020-02-12 | アジレント・テクノロジーズ・インクＡｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | 装置 |
| US10401331B2 (en) | 2014-09-13 | 2019-09-03 | Agilent Technologies, Inc. | Gas chromatography (GC) column heater |
| WO2016069070A1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | Agilent Technologies, Inc. | Gas chromatography (gc) column heater control using multiple temperature sensors |
| CN107004921B (zh) * | 2014-11-24 | 2020-07-07 | 陶瓷技术有限责任公司 | 在电动交通领域中的热管理 |
| KR102402012B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2022-05-25 | 삼성전자주식회사 | 먼지 감지장치 및 이를 갖춘 공기조화기 |
| JP7353209B2 (ja) * | 2020-02-20 | 2023-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ダミーウエハ |
| KR102270157B1 (ko) * | 2020-12-24 | 2021-06-29 | 한국씰마스타주식회사 | 산질화알루미늄 세라믹 히터 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3728466A1 (de) * | 1987-08-26 | 1989-03-09 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Kochgeraet |
| EP0447155B1 (en) * | 1990-03-12 | 1995-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters |
| FR2682253A1 (fr) * | 1991-10-07 | 1993-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Sole chauffante destinee a assurer le chauffage d'un objet dispose a sa surface et reacteur de traitement chimique muni de ladite sole. |
| DE69432383D1 (de) * | 1993-05-27 | 2003-05-08 | Applied Materials Inc | Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase |
| JP3477062B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-12-10 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置 |
| JP2000243821A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
| DE60037188T2 (de) * | 2000-08-29 | 2008-10-02 | Qimonda Dresden Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zum Betreiben eines Suszeptors für Halbleiterscheiben |
| JP2002134484A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Asm Japan Kk | 半導体基板保持装置 |
| US20020185487A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-12-12 | Ramesh Divakar | Ceramic heater with heater element and method for use thereof |
-
2002
- 2002-10-24 JP JP2002309387A patent/JP2004146568A/ja active Pending
-
2003
- 2003-03-20 KR KR1020077011182A patent/KR20070072591A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-03-20 WO PCT/JP2003/003481 patent/WO2004038771A1/ja active Application Filing
- 2003-03-20 US US10/501,744 patent/US20050184054A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-20 KR KR10-2004-7010327A patent/KR20040070291A/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-20 CN CNA038019094A patent/CN1613139A/zh active Pending
- 2003-07-11 TW TW092119015A patent/TWI231541B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI231541B (en) | 2005-04-21 |
| CN1613139A (zh) | 2005-05-04 |
| WO2004038771A1 (ja) | 2004-05-06 |
| TW200414351A (en) | 2004-08-01 |
| KR20040070291A (ko) | 2004-08-06 |
| JP2004146568A (ja) | 2004-05-20 |
| US20050184054A1 (en) | 2005-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1602635B1 (en) | Manufacturing method for sintered body with buried metallic member | |
| KR100672802B1 (ko) | 기판 가열 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP3654142B2 (ja) | 半導体製造装置用ガスシャワー体 | |
| CA2326093C (en) | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP3758979B2 (ja) | 静電チャック及び処理装置 | |
| KR20010076378A (ko) | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 지지체와 그 제조 방법 및반도체 제조 장치 | |
| KR100634182B1 (ko) | 기판 가열 장치와 그 제조 방법 | |
| KR20070072591A (ko) | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 | |
| EP1363316B1 (en) | Ceramic susceptor | |
| KR100551670B1 (ko) | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 | |
| KR100877042B1 (ko) | 반도체 제조용 가열 장치 | |
| KR100611281B1 (ko) | 반도체 제조 장치용 세라믹 히터 | |
| JP3979264B2 (ja) | 半導体製造装置用セラミックスヒーター | |
| JP2005175508A (ja) | 半導体製造装置用ガスシャワー体 | |
| JP4529690B2 (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 | |
| JP2007088498A (ja) | 半導体製造装置用セラミックスヒーター | |
| JP2004146570A (ja) | 半導体製造装置用セラミックスヒーター | |
| KR102280244B1 (ko) | 면상 발열체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 히터 | |
| JP2006279060A (ja) | 半導体製造装置用セラミックスヒーター | |
| JP2006279061A (ja) | 半導体製造装置用セラミックスヒーター | |
| JP2006286646A (ja) | セラミックスヒータ | |
| JP2007096313A (ja) | ウエハ加熱装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |