JPWO2006085591A1 - シリカガラス製品の製造方法 - Google Patents

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Abstract

シリカ微粉とセルロース誘導体とを混合し、射出成形したのち、脱脂処理、焼成処理する透明又は不透明なシリカガラス製品の製造方法において、前記セルロース誘導体がメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロースから選ばれる1種の水溶液において可逆熱ゲル化するセルロース誘導体であり、透明シリカガラス製品の製造においては、セルロース誘導体をそのゲル化温度以上の加温水に添加し、冷却後水溶液としたのちシリカ微粉と混練し、不透明シリカガラス製品の製造においては、シリカ粉を含有し、セルロース誘導体のゲル化温度以上に加温されたシリカスラリーにセルロース誘導体を加えることを特徴とするシリカガラス製品の製造方法である。

Description

本発明は、半導体製造用治具や光学部品などの比較的複雑な形状をした透明なシリカガラス製品、並びに半導体工業用断熱材などに使用される不透明シリカガラス製品を高純度で、精度高く、かつ安価に製造する方法に関する。
従来、シリカガラスからなる比較的複雑な形状をした透明で精度の高いシリカガラス製品や気泡を含有する不透明シリカガラス製品の製造においては、単純な形状の部材を火加工により溶接し組みたてる方法、シリカガラスバルク体を機械加工技術を用いて加工する方法、さらに鋳込成形する方法や常圧、減圧下でのプレス成型する方法、或いはアンモニア化した非晶質シリカを加熱発泡させる方法などが採られてきた。しかし、前記溶接による組立方法では工程のほとんどが手作業で行われ非常な熟練と時間とを要し、さらに火加工時に発生する高熱のため端部にだれが発生し外観を損ねるなどの問題があった。
また、機械加工技術では砥石等を用いた切削加工が行なわれるがシリカガラスが硬度の高い脆性材料であることから切削に非常に時間がかかる上に、割れ、ひずみ、歪みなどが頻繁に生じ、最終製品の歩留り、製品の寿命を短くする問題があった。さらに、鋳込み成形法では、石英ガラスが2000℃においてもlogηが5以上と高い粘度を示すことから焼成時に使用する装置が高価である上に、カーボン質材料を用いてもそれが高温でシリカガラスと反応し著しく消耗し頻繁に取り替える必要があり、さらに、得られた製品の表面状態が悪く切削・研摩加工で大きく除去する必要がありコスト高となる問題があった。プレス成形する方法においても、同様な問題が発生したが、特に不透明シリカガラス製品の製造にあっては、不透明シリカガラスの気泡径が成形時の粒子間隙、すなわち粒度分布や充填密度などに依存することから前記製造方法では気泡径のコントロールが困難で所望の気泡径を有する比較的複雑な形状の不透明シリカガラス製品を得ることができなかった。
上記問題点を解消し安価に、高純度で、かつ精度よく比較的複雑な形状のシリカガラス製品を製造する方法として、射出成形法が提案され、例えば特許文献1などが挙げられる。また、不透明シリカガラス製品の製造例としては特許文献2などが挙げられる。しかし、前記特許文献に記載の製造方法では、シリカガラス粉末とバインダー、さらに必要に応じて添加する可塑剤を混練し、加熱射出成形し、脱脂処理、ガラス化してシリカガラス製品を製造しているが、バインダーの使用量がシリカガラス粉末100質量部に対し10〜70質量部と多く、焼成時にシリカガラス成形体に収縮が起こリ変形やクラックが発生し易い上に、射出成形が高温で行われることから成形中にバインダーが変質し、それがシリカガラス成形体に残りシリカガラス製品を汚染するという問題があった。また、前記特許文献2に記載の製造方法では、所望の気泡径を有する不透明シリカガラスが得られない上に、得られた製品はインゴット状の成形体にとどまり、それから複雑な形状の製品を得るには多くの工程を必要とし製造コストを高いものにする欠点があった。
特開平4−349130号公報、特開2004−203639号公報 特開平4−65328号公報、特開平10−29836号公報
本発明は、上記問題点を解決したシリカガラス製品の製造方法に係り、第一に、比較的複雑な形状の透明なシリカガラス製品を高純度、高精度で、かつ安価に製造する方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、第二に、所望の気泡径を有する高純度で比較的複雑な形状の不透明シリカガラス製品を安価に製造する方法を提供することを目的とする。
本発明の透明なシリカガラス製品の製造の場合には、可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を加熱した水に混合し、冷却し前記セルロース誘導体の水溶液を得た後シリカ微粉を混合し、それを射出成形機のシリンダー内に充填し、加熱した成形型内に射出成形し、離型、脱脂処理、純化処理、及び減圧焼成処理してシリカガラス製品とする。その一方、不透明シリカガラス製品の製造の場合には、セルロース誘導体の粒子をシリカガラス成形体中に残留させるためシリカ微粉、水を含むシリカスラリーをセルロース誘導体水溶液のゲル化温度以上に加熱し、それにセルロース誘導体粉を混合し、冷却してセルロース誘導体粉を溶解させその粒径を所望の大きさを調整した上で混合物を射出成形機のシリンダー内に充填し、加熱した成形型内に射出成形し、離型、脱脂処理、純化処理、及び焼成処理して不透明シリカガラス製品とする。
上記シリカガラス製品の製造方法においては、可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を用いることで、その配合量を少なくでき、シリカガラス成形体の焼成時の収縮に基づく変形やクラックの発生をなくし、かつ射出成形を低温でできセルロース誘導体の脱脂時間を短縮できる。さらに、前記セルロース誘導体に起因する製品への不純物の混入をなくし、高純度の比較的複雑な形状で、高精度の透明シリカガラス製品を安価に製造できる。その一方、加熱したシリカ微粉、水を含むシリカスラリーにセルロース誘導体粉を混合することで、シリカガラス成形体中のセルロース誘導体粉の粒径を任意の大きさに調整でき、所望の気泡径を有する比較的複雑な形状の不透明シリカガラス製品が安価に製造できる。
上記製造方法で使用するシリカ微粉としては、天然シリカ微粉、合成シリカ微粉などが使用されるが、その粒径は0.1〜20μmの範囲にあるのがよい。好ましくは形状が球状であるのがよい。シリカ微粉が球状であることで充填が緻密に行われ強固な成形体ができる。特にシリカ微粉が球形の合成シリカ微粉がよい。合成シリカ微粉は表面に多くの親水性のシラノール基を有し水と混合すると、シリカ微粉表面のシラノール基が互いに水素結合し、シリカ微粉が三次元の網目構造を形成する上に、配合するバインダーのセルロース誘導体の未置換状態の水酸基とも水素結合し強固なシリカガラス成形体が製造でき、以後の工程での処理が容易となる。シリカ微粉の粒径が0.1μm未満では、粘度が高くなりバインダーとの混練が困難となる上に、焼結活性が高すぎてひずみや内部応力の高い焼結体となる。また、粒径が20μmを越えると、射出成形機や金型の表面を摩耗し、摩耗かすがシリカガラス成形体中に混入しシリカガラス製品を汚染して好ましくない。また、シリカ微粉は、良好な非晶質のシリカガラス製品を製造するために結晶化の原因となるアルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄の含有量を50ppm以下とするのがよい。
セルロース誘導体としては可逆熱ゲル化するセルロース誘導体が用いられるが、具体的にはメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロースから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。前記可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を含む水溶液が2質量%において20℃で100mPa・s以上、好ましくは30,000mPa・s以上とするのがよい。これによりシリカ微粉と混合する際の配合量を少なくしても成形性を良好に保つことができる。セルロース誘導体の配合量は、シリカ微粉に対し0.1〜10質量%、好ましくは0.1〜5質量%の範囲がよい。配合量が0.1質量%未満では、十分な成形性を保てず、一方、10質量%を越えると焼成時の収縮率が大きくなり、シリカガラス製品に変形やクラックが発生し好ましくない。前記セルロース誘導体の水溶液粘度は、JIS K 2283−1993に規定するウベローデ粘度計No.5を用い、20℃における2質量%水溶液粘度として測定した値である。このセルロース誘導体に加えてさらに必要に応じてステアリン酸などの脂肪酸、エチレングリコール、グリセリン、又はそれらのエチレンオキシドや脂肪酸などの付加物、ステアリルアルコールなどの高級アルコールなどの可塑剤を添加し流動性を高めるのがよい。
本発明のシリカガラス製品の製造方法において、透明なシリカガラス製品の製造方法においては、シリカ微粉と可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を混練し、それを低温射出成形したのち、離型、脱脂処理、純化処理、及び焼成による透明化で、比較的複雑な形状で精度の高いシリカガラス製品を安価に製造できるが、セルロース誘導体粉は予め水に完全に溶解した水溶液とし、それにシリカ微粉を配合する。セルロース誘導体水溶液の作成に当ってはセルロース誘導体水溶液がゲル化する温度以上に加熱した温水にセルロース誘導体粉を少量ずつ攪拌しながら加え、凝集を防ぐ必要がある。セルロース誘導体が十分に溶解した水溶液を冷却し、溶け残しがないように十分な時間静置する。好ましくはセルロース誘導体の溶解した水溶液を冷蔵庫などに入れ、5℃以下に保持するのがよい。冷却されたセルロース誘導体水溶液にシリカ微粉が加えられ、3本ロールミルやニーダー等で混練される。混練が不十分であると、グリーンボディーにおける保形性が悪くなる上に、シリカ微粉とセルロース誘導体との混練物にムラが生じ、強い部分と弱い部分ができてしまう。結局、弱いところからクラックなどが生じることになる。得られた混練物は、冷却状態を保持したまま射出成形機の原料供給口から供給され、70〜120℃、好ましくは90〜110℃に加熱した樹脂製又は金属製の成形型に射出される。前記温度範囲の成形型に混練物が射出されるとゲル化及び水分蒸発が起こり、接触した成形型表面に沿って薄い膜が形成される。混練物はこの薄い層の間を通り成形型の末端にまで流入する。しかし、成形型の温度が120℃を超えると急激に水分が蒸発するため、混練物が成形型の注入口付近で固化してしまい末端まで流入するはずの経路が閉ざされてしまう。一方、70℃未満では成形体中心がゲル化しにくくなると共に水分蒸発に時間がかかってしまい成形体取出しまで長時間を必要とし、かつ、取り出した成形体にそりが発生することが起こる。射出後は10〜60秒間そのまま保持され水分を十分に蒸発し離型する。しかし、水の蒸発は離型する際に成形体が必要な強度を保つ程度でよく、完全に除去する必要はない。成形型にはシリコーンオイルなどの離型剤を予め塗布し離型を容易とするのがよい。射出成形したシリカガラス成形体は、次いで300〜1,000℃で1〜10時間の脱脂処理を行い、成形体に含有するセルロース誘導体を除去する。より好ましくは大気雰囲気下1〜5℃/分の昇温速度で加熱し、加熱温度が500℃に達したところで3〜6時間同温度に保持する。この脱脂処理条件は、シリカガラス成形体の大きさ、形状、バインダーの種類により異なるので、それらの要件に合わせた条件を適宜選択するのがよい。前記脱脂処理後、室温に冷却したのち、塩素系雰囲気下、500〜1,300℃で0.5〜5時間の純化処理をする。不純物、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属が多く含有すると成形体の焼成時にクリストバライトへの転移が起こりクラックによるシリカガラス製品の破損や欠け、或は表面の微細なクラックによる凹凸の発生が起こり好ましくない。シリカガラス成形体は、次いで1,200〜1,700℃の温度で焼成され透明ガラス化されるが、好ましくは13.3Pa未満の減圧下がよい。シリカ微粉の粒径が0.1〜2μmの場合には常圧焼成で透明化ができる。また、焼成に当りシリカガラス成形体の厚さが大きい場合には1,500〜1,700℃の高い焼成温度を採用するのがよい。
上記透明シリカガラス製品の製造において、焼成処理の前に、800〜1,000℃の酸化雰囲気中で加熱する予備焼結を行ってもよい。これによりシリカガラス成形体のハンドリングが容易となる上に、残存するセルロース誘導体に起因する異物も除去される。
不透明シリカガラス製品の製造方法では、シリカ微粉、水を含むシリカスラリーをセルロース誘導体水溶液のゲル化温度以上に加熱し、そこにセルロース誘導体粉を凝集しないように少量ずつ攪拌しながら添加混合し、冷却してセルロース誘導体粉の粒径を所望の大きさとなるように溶解するのがよい。冷却温度は45℃以下、好ましくは10℃以下がよく、1〜120分の範囲で冷却する。この範囲での冷却温度及び/又は冷却時間を適宜選択することで所望の気泡径を有する不透明シリカガラス製品が得られる。前記範囲より温度が高いとセルロース誘導体が溶解せず所望の粒径にまで溶解できない場合がある。また、溶解時間が短いと溶解が十分行なわれない。さらに、前記範囲以上の溶解時間を採ると冷却により溶解が進みすぎて所望の粒径に調整することが困難である。冷却された混合物は、次いで70〜120℃、好ましくは90〜110℃に加熱した樹脂製又は金属製の成形型内に射出され、成形される。成形後、離型し、脱脂処理してセルロース誘導体を燃焼しシリカガラス成形体に気孔を形成する。特に高い断熱性を有するシリカガラス製品を得るには、セルロース誘導体の添加量を多くするとともに、その溶解量を制限し粒径の大きいままシリカガラス成形体中に残留させるのがよい。成形型内ではセルロース誘導体粉を含有するシリカガラススラリーはゲル化し、水分が蒸発され強固な成形体に形成される。水の蒸発は離型する際に成形体が必要な強度を保つ程度でよく、完全に除去する必要はない。
上記脱脂処理は、大気雰囲気下、300〜900℃の温度で、1〜5℃/分の昇温速度で行い、前記温度範囲に達したところで3〜6時間保持する。脱脂処理完了後は室温まで放冷する。
脱脂処理後、室温に冷却されたシリカ成形体は、純化処理に供されるが、この純化処理は、塩素系雰囲気下、500〜1,300℃で0.5〜5時間処理するのがよい。シリカガラス成形体が不純物、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属が多く含有すると成形体のガラス化時にクリストバライトへの転移が起こり、クラックによるシリカガラス製品の破損や欠け、或は表面の微細なクラックによる凹凸の発生が起こり好ましくない。
純化されたシリカガラス成形体は、次いで1,200〜1,700℃の温度で5〜30分間焼成される。より好ましくは減圧下で加熱するのがよい。減圧下でのガラス化処理で0.1〜2mmの無気泡シリカガラス層がシリカガラス成形体の表面に形成され、研削・研磨などの表面平滑化処理をすることなく、良好な不透明シリカガラス製品が製造できる。前記無気泡シリカガラス層の形成には粒径の小さいシリカ微粉を用いるのがよい。具体的には、シリカ微粉の粒径が0.5μmでは0.5mmの無気泡シリカガラス層が、粒径が1μmでは0.3mmの無気泡シリカガラス層が、粒径が25μmでは0.08mmの無気泡シリカガラス層がそれぞれ形成される。
上記不透明シリカガラス製品の製造において、シリカスラリーのシリカ粒子の分散性を向上させるため、加熱前にあらかじめ分散剤やpH調整剤等を添加したり、さらにはボールミルで数日間分散させておくのがよい。また、セルロース誘導体を含有するシリカスラリーを成形型内でゲル化し、水分を蒸発させて強固な成形体に形成することで、以後の処理工程での取扱いが容易となり好ましい。前記水の蒸発は離型する際に成形体が必要な強度を保つ程度で良く、完全に除去する必要はない。
以下に本発明について具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
70℃に加熱した純水に10質量%のメチルセルロース(2質量%水溶液の粘度が4,000mPa・s)を加え約10分間攪拌した。続いて容器ごと氷冷しメチルセルロース微粉の溶解を進行させ、さらに5℃以下の冷蔵庫内に容器ごと一晩静置し均一な水溶液を得た。このメチルセルロースの水溶液に平均粒径が0.5μmの球形のシリカ微粉とエチレングリコール可塑剤を少量加えロールミルで混練し、減圧脱泡した。シリカ微粉の濃度は85質量%、このシリカ微粉に対するメチルセルロースの濃度は2質量%であった。前記混練物を冷却した状態で簡易小型射出成形機の射出シリンダーに充填し、95℃に加熱した成形型へ射出し、約30秒間保持したのち離型し、縦15mm×横100mm×高さ5mmのプレートを得た。
上記成形体を大気雰囲気下3℃/分の昇温速度で500℃まで加熱し、その温度に6時間保持し脱脂処理した。次いで塩化水素雰囲気下1,200℃で2時間加熱し不純物を除去したのち、1Paの減圧下、1,500℃で10分間焼成し、透明なシリカガラスプレートを得た。このシリカガラスプレートには、変形やクラックが見られず。また、精度不良率は9%であった。
実施例2
実施例1において、2質量%の水溶液粘度が30,000mPa・sのメチルセルロースを用い、実施例1と同様にして水溶液を作成し、それにシリカ微粉をメチルセルロースの濃度が0.5質量%となるように混合し、エチレングリコール可塑剤を少量加えてロールミルで混練した。得られた混練物を射出成形機で実施例1と同様に冷却状態で射出成形機に充填し、95℃の成形型に射出した。約30秒後に離型し、縦15mm×横100 mm×高さ5mmのプレートを得た。得られたシリカガラスプレートを大気雰囲気下3.5℃/分の昇温速度で500℃まで加熱し、その温度に3時間保持し脱脂処理した。次いで塩化水素雰囲気下1,200℃で2時間加熱し、不純物を除去したのち、1Paの減圧下、1,500℃で10分間焼成し、透明なシリカガラス製品を得た。該シリカガラスプレートには、変形やクラックが見られず。また、精度不良率は3%であった。
比較例1
平均粒径が0.5μmの球形のシリカ微粉にアクリル樹脂をシリカ微粉に対し40質量%添加し、さらにエチレングリコール可塑剤を少量加えニーダーで混練、減圧脱泡し、造粒した。該造粒物を約200℃に加熱した簡易小型射出機に充填し、室温の成形型に射出した。約3分後離型し、縦15mm×横100mm×高さ5mmのプレートを得た。この成形体を大気雰囲気下0.5℃/分の昇温速度で500℃まで加熱し、その温度で 100時間保持し脱脂処理した。次いで塩化水素雰囲気下1200℃で2時間加熱し、不純物を除去したのち、1Paの減圧下、1,500℃で10分間焼成し、透明なシリカガラスプレートを得た。該シリカガラスプレートには、変形やクラックが多く見られた。また、精度不良率は25%であった。
実施例3
70℃に加熱した純水に平均粒径0.5μmのシリカ粉を攪拌しながら加え、シリカ固形分濃度が80質量%となるようにスラリーに調製した。このシリカ質量に対し2質量%のメチルセルロース粉(2質量%で4,000mPa・sを有する)を添加し十分に攪拌・分散した。これを40℃まで冷却した後、射出シリンダーに前記混合物を移し変え、5℃で10分間冷却した。この冷却状態の混合物をあらかじめ90℃に加熱した金型へ射出し、約30秒間保持した後離型し15mm×100mm×5mmのシリカガラスプレートを得た。得られた成形体を大気雰囲気下、3℃/分で500℃に昇温し、その温度に6時間保持し脱脂処理を行なった。次いで塩化水素雰囲気下、1,200℃で2時間加熱処理し不純物除去を行なった。純化処理後のシリカガラス成形体を13.3Pa、1,500℃で10分間焼結し、焼結体表面に0.5mmの透明層を有する気泡含有シリカガラスプレートを得た。このシリカガラスプレートの平均気泡径は45.6μmであり、1mm3 中の総気泡体積比で示される気泡含有率は0.31であった。またシラノール濃度は10ppm未満であった。
実施例4
冷却時間を1時間とした以外は実施例3と同様な製造法で焼結体表面に0.5mmの透明層を有する不透明シリカガラス製品を得た。前記シリカガラスプレートの平均気泡径は29.4μmであり、1mm3 中の総気泡体積比で示される気泡含有率は0.12であった。また、シラノール濃度は10ppm未満であった。
本発明の製造方法では、半導体製造用治具、光学部品などの比較的複雑な形状の透明シリカガラス製品や半導体熱処理用断熱材などの不透明シリカガラス製品を高純度、高精度で、かつ安価に生産性よく製造できる。



本発明は、半導体製造用治具や光学部品などの比較的複雑な形状をした透明なシリカガラス製品、並びに半導体工業用断熱材などに使用される不透明シリカガラス製品を高純度で、精度高く、かつ安価に製造する方法に関する。
従来、シリカガラスからなる比較的複雑な形状をした透明で精度の高いシリカガラス製品や気泡を含有する不透明シリカガラス製品の製造においては、単純な形状の部材を火加工により溶接し組みたてる方法、シリカガラスバルク体を機械加工技術を用いて加工する方法、さらに鋳込み成形する方法や常圧、減圧下でのプレス成型する方法、或いはアンモニア化した非晶質シリカを加熱発泡させる方法などが採られてきた。しかし、前記溶接による組立方法では工程のほとんどが手作業で行われ非常な熟練と時間とを要し、さらに火加工時に発生する高熱のため端部にだれが発生し外観を損ねるなどの問題があった。
また、機械加工技術では砥石等を用いた切削加工が行なわれるがシリカガラスが硬度の高い脆性材料であることから切削に非常に時間がかかる上に、割れ、ひずみ、歪みなどが頻繁に生じ、最終製品の歩留り、製品の寿命を短くする問題があった。さらに、鋳込み成形法では、石英ガラスが2,000℃においてもlogηが5以上と高い粘度を示すことから焼成時に使用する装置が高価である上に、カーボン質材料を用いてもそれが高温でシリカガラスと反応し著しく消耗し頻繁に取り替える必要があり、さらに、得られた製品の表面状態が悪く切削・研磨加工で大きく除去する必要がありコスト高となる問題があった。プレス成形する方法においても、同様な問題が発生したが、特に不透明シリカガラス製品の製造にあっては、不透明シリカガラスの気泡径が成形時の粒子間隙、すなわち粒度分布や充填密度などに依存することから前記製造方法では気泡径のコントロールが困難で所望の気泡径を有する比較的複雑な形状の不透明シリカガラス製品を得ることができなかった。
上記問題点を解消し安価に、高純度で、かつ精度よく比較的複雑な形状のシリカガラス製品を製造する方法として、射出成形法が提案され、例えば特許文献1などが挙げられる。また、不透明シリカガラス製品の製造例として特許文献2などが挙げられる。しかし、前記特許文献1に記載の製造方法では、シリカガラス粉末とバインダー、さらに必要に応じて添加する可塑剤を混練し、加熱射出成形し、脱脂処理、ガラス化してシリカガラス製品を製造しているが、バインダーの使用量がシリカガラス粉末100質量部に対し10〜70質量部と多く、ガラス化時にシリカガラス成形体に収縮が起こり変形やクラックが発生し易い上に、射出成形が高温で行われることから成形中にバインダーが変質し、それがシリカガラス成形体に残りシリカガラス製品を汚染するという問題があった。また、前記特許文献2に記載の製造方法では、所望の気泡径を有する不透明シリカガラスが得られない上に、得られた製品はインゴット状の成形体にとどまり、それから複雑な形状の製品を得るには多くの工程を必要とし製造コストを高いものにする欠点があった。
特開平4−349130号公報、特開2004−203639号公報 特開平4−65328号公報、特開平10−29836号公報
本発明は、上記問題点を解決したシリカガラス製品の製造方法に係り、第一に、比較的複雑な形状の透明なシリカガラス製品を高純度、高精度で、かつ安価に製造する方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、第二に、所望の気泡径を有する高純度で比較的複雑な形状の不透明シリカガラス製品を安価に製造する方法を提供することを目的とする。
本発明の透明なシリカガラス製品の製造の場合には、可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を加熱した水に混合し、冷却し前記セルロース誘導体の水溶液を得た後シリカ微粉を混合し、それを射出成形機のシリンダー内に充填し、加熱した成形型内に射出成形し、離型、脱脂処理、純化処理、及び減圧焼成処理してシリカガラス製品とする。その一方、不透明シリカガラス製品の製造の場合には、セルロース誘導体の粒子をシリカガラス成形体中に残留させるためシリカ微粉、水を含むシリカスラリーをセルロース誘導体水溶液のゲル化温度以上に加熱し、それにセルロース誘導体粉を混合し、冷却してセルロース誘導体粉を溶解させその粒径を所望の大きさに調整した上で混合物を射出成形機のシリンダー内に充填し、加熱した成形型内に射出成形し、離型、脱脂処理、純化処理、及び焼成処理して不透明シリカガラス製品とする。
上記製造方法で使用するシリカ微粉としては、天然シリカ微粉、合成シリカ微粉などが使用されるが、その粒径は0.1〜20μmの範囲にあるのがよい。好ましくは形状が球状であるのがよい。シリカ微粉が球状であることで充填が緻密に行われ強固な成形体ができる。特にシリカ微粉が球形の合成シリカ微粉がよい。合成シリカ微粉は表面に多くの親水性のシラノール基を有し水と混合すると、シリカ微粉表面のシラノール基が互いに水素結合し、シリカ微粉が三次元の網目構造を形成する上に、配合するセルロース誘導体の未置換状態の水酸基とも水素結合し強固なシリカガラス成形体が製造でき、以後の工程での処理が容易となる。シリカ微粉の粒径が0.1μm未満では、粘度が高くなりセルロース誘導体との混練が困難となる上に、焼結活性が高すぎてひずみや内部応力の高い焼結体となる。また、粒径が20μmを越えると、射出成形機や成形型の表面を摩耗し、摩耗かすがシリカガラス成形体中に混入しシリカガラス製品を汚染して好ましくない。また、シリカ微粉は、良好な非晶質のシリカガラス製品を製造するために結晶化の原因となるアルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄の含有量を50ppm以下とするのがよい。
セルロース誘導体としては可逆熱ゲル化するセルロース誘導体が用いられるが、具体的にはメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロースのから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。前記可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を含む水溶液の粘度が2質量%において20℃で100mPa・s以上、好ましくは30,000mPa・s以上とするのがよい。これによりシリカ微粉と混合する際の配合量を少なくしても成形性を良好に保つことができる。セルロース誘導体の配合量は、シリカ微粉に対し0.1〜10質量%、好ましくは0.1〜5質量%の範囲がよい。配合量が0.1質量%未満では、十分な成形性を保てず、一方、10質量%を越えると焼成時の収縮率が大きくなり、シリカガラス製品に変形やクラックが発生し好ましくない。前記セルロース誘導体の水溶液粘度は、JIS K 2283−1993に規定するウベローデ粘度計No.5を用い、20℃における2質量%水溶液粘度として測定した値である。このセルロース誘導体に加えてさらに必要に応じてステアリン酸などの脂肪酸、エチレングリコール、グリセリン、又はそれらのエチレンオキシドや脂肪酸などの付加物、ステアリルアルコールなどの高級アルコールなどの可塑剤を添加し流動性を高めるのがよい。
本発明の製造方法では、可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を用いることで、その配合量を少なくでき、成形体の焼成時の収縮に基づく変形やクラックの発生をなくし、かつ射出成形も低温でできセルロース誘導体の脱脂時間を短縮できる。さらに、前記セルロース誘導体に起因する製品への不純物の混入をなくし、高純度の比較的複雑な形状で、高精度の透明シリカガラス製品を安価に製造できる。その一方、加熱したシリカ微粉、水を含むシリカスラリーにセルロース誘導体粉を混合することで、成形体中のセルロース誘導体粉の粒径を任意の大きさに調整でき、所望の気泡径を有する比較的複雑な形状の不透明シリカガラス製品が安価に製造できる
本発明のシリカガラス製品の製造方法において、透明なシリカガラス製品の製造方法においては、シリカ微粉と可逆熱ゲル化するセルロース誘導体を混練し、それを低温射出成形したのち、離型、脱脂処理、純化処理、及び焼成による透明化で、比較的複雑な形状で精度の高いシリカガラス製品を安価に製造できるが、セルロース誘導体は予め水に完全に溶解した水溶液とし、それにシリカ微粉を配合する。セルロース誘導体水溶液の作成に当ってはセルロース誘導体水溶液がゲル化する温度以上に加熱した温水にセルロース誘導体粉を少量ずつ攪拌しながら加え、凝集を防ぐ必要がある。セルロース誘導体が十分に溶解した水溶液を冷却し、溶け残しがないように十分な時間静置する。好ましくはセルロース誘導体を溶解した水溶液を冷蔵庫などに入れ、5℃以下に保持するのがよい。冷却されたセルロース誘導体水溶液にシリカ微粉が加えられ、3本ロールミルやニーダー等で混練される。混練が不十分であると、グリーンボディーにおける保形性が悪くなる上に、シリカ微粉とセルロース誘導体との混練物にムラが生じ、強い部分と弱い部分ができてしまう。結局、弱いところからクラックなどが生じることになる。得られた混練物は、冷却状態を保持したまま射出成形機の原料供給口から供給され、70〜120℃、好ましくは90〜110℃に加熱した樹脂製又は金属製の成形型に射出される。前記温度範囲の成形型に混練物が射出されるとゲル化及び水分蒸発が起こり、接触した成形型表面に沿って薄い膜が形成される。混練物はこの薄い層の間を通り成形型の末端まで流入する。しかし、成形型の温度が120℃を超えると急激に水分が蒸発するため、混練物が成形型の注入入口付近で固化してしまい末端まで流入するはずの経路が閉ざされてしまう。一方、70℃未満では成形体中心がゲル化しにくくなると共に水分蒸発に時間がかかってしまい成形体取出しまで長時間を必要とし、かつ、取り出した成形体にそりが発生することが起こる。射出後10〜60秒間そのまま保持され水分を十分に蒸発し離型する。しかし、水分の蒸発は離型する際に成形体が必要な強度を保つ程度でよく、完全に除去する必要はない。成形型にはシリコーンオイルなどの離型剤を予め塗布し離型を容易にするのがよい。射出成形したシリカ成形体は、次いで300〜1,000℃で1〜10時間の脱脂処理を行い、成形体に含有するセルロース誘導体を除去する。より好ましくは大気雰囲気下、1〜5℃/分の昇温速度で加熱し、加熱温度が500℃に達したとところで3〜6時間同温度に保持する。この脱脂処理条件は、シリカ成形体の大きさ、形状、セルロース誘導体の種類により異なるので、それらの要件に合わせた条件を適宜選択するのがよい。前記脱脂処理後、室温に冷却したのち、塩素系雰囲気下、500〜1,300℃で0.5〜5時間の純化処理をする。不純物、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属を多く含有すると成形体の焼成時にクリストバライトへの転移が起こりクラックによるシリカガラス製品の破損や欠け、或は表面の微細なクラックによる凹凸の発生が起こり好ましくない。シリカ成形体は、次いで1,200〜1,700℃の温度で焼成され透明ガラス化されるが、好ましくは13.3Pa未満の減圧下がよい。シリカ微粉の粒径が0.1〜2μmの場合には常圧焼成で透明化ができる。また、焼成に当りシリカガラス成形体の厚さが大きい場合には1,500〜1,700℃の高い焼成温度を採用するのがよい。
上記透明シリカガラス製品の製造において、焼成処理の前に、800〜1,000℃の酸化雰囲気中で加熱する予備焼結を行ってもよい。これによりシリカ成形体のハンドリングが容易となる上に、残存するセルロース誘導体に起因する異物も除去される。
不透明シリカガラス製品の製造方法では、シリカ微粉、水を含むシリカスラリーをセルロース誘導体水溶液のゲル化温度以上に加熱し、それにセルロース誘導体粉を凝集しないように少量ずつ攪拌しながら添加混合し、冷却してセルロース誘導体粉の粒径を所望の大きさとなるように溶解するのがよい。冷却温度は45℃以下、好ましくは10℃以下がよく、1〜120分の範囲で冷却する。この範囲での冷却温度及び/又は冷却時間を適宜選択することで所望の気泡径を有する不透明シリカガラス製品が得られる。前記範囲より温度が高いとセルロース誘導体が溶解せず所望の粒径にまで溶解できない場合がある。また、溶解時間が短いと溶解が十分に行なわれない。さらに、前記範囲を超える溶解時間を採ると冷却により溶解が進みすぎて所望の粒径に調整することが困難である。冷却された混合物は、次いで70〜120℃、好ましくは90〜110℃の温度に加熱した樹脂製又は金属製の成形型内に射出され、成形される。成形後、離型し、脱脂処理してセルロース誘導体を燃焼しシリカガラス成形体に気孔を形成する。特に高い断熱性を有するシリカガラス製品を得るには、セルロース誘導体の添加量を多くするとともに、その溶解量を制御し粒径の大きいままシリカガラス成形体中に残留させるのがよい。成形型内ではセルロース誘導体粉を含有するシリカスラリーはゲル化し、水分が蒸発され強固な成形体に形成される。水の蒸発は離型する際に成形体が必要な強度を保つ程度でよく、完全に除去する必要はない。
上記脱脂処理は、大気雰囲気下、300〜900℃の温度で、1〜5℃/分の昇温速度で行い、前記温度範囲に達したところで3〜6時間保持する。脱脂処理完了後は室温まで放冷する。
脱脂処理後、室温に冷却されたシリカ成形体は、純化処理に供されるが、この純化処理は、塩素系雰囲気下、500〜1,300℃で0.5〜5時間処理するのがよい。シリカ成形体が不純物、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属が多く含有すると成形体のガラス化時にクリストバライトへの転移が起こり、クラックによるシリカガラス製品の破損や欠け、或いは表面の微細なクラックによる凹凸の発生が起こり好ましくない。
純化されたシリカ成形体は、次いで1,200〜1,700℃の温度で5〜30分間焼成される。より好ましくは減圧下で加熱するのがよい。減圧下での焼成処理で0.1〜2mmの無気泡シリカガラス層がシリカガラス成形体の表面に形成され、研削・研磨などの表面平滑化処理をすることなく、良好な不透明シリカガラス製品が製造できる。前記無気泡シリカガラス層の形成には粒径の小さいシリカ微粉を用いるのがよい。具体的には、シリカ微粉の粒径が0.5μmでは0.5mmの無気泡シリカガラス層が、粒径が1μmでは0.3mmの無気泡シリカガラス層が、粒径が25μmでは0.08mmの無気泡シリカガラス層がそれぞれ形成される。
上記不透明シリカガラス製品の製造において、シリカスラリーのシリカ粒子の分散性を向上させるため、加熱前にあらかじめ分散剤やpH調整剤等を添加したり、さらにはボールミルで数日間分散させておくのがよい。また、セルロース誘導体を含有するシリカスラリーを成形型内でゲル化し、水分を蒸発させて強固な成形体に形成することで、以後の処理工程での取扱いが容易となり好ましい。前記水の蒸発は離型する際に成形体が必要な強度を保つ程度で良く、完全に除去する必要はない。
以下に本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
70℃に加熱した純水に10質量%のメチルセルロース(2質量%水溶液の粘度が4,000mPa・s)を加え約10分間攪拌した。続いて容器ごと氷冷しメチルセルロース微粉の分散を進行させ、さらに5℃以下の冷蔵庫内に容器ごと一晩静置し均一な分散液を得た。このメチルセルロースの水溶液に平均粒径が0.5μmの球形のシリカ微粉とエチレングリコール可塑剤を少量加えロールミルで混練し、減圧脱泡した。シリカ微粉の濃度は85質量%、このシリカ微粉に対するメチルセルロースの濃度は2質量%であった。前記混練物を冷却した状態で簡易小型射出成形機の射出シリンダーに充填し、95℃に加熱した成形型へ射出し、約30秒間保持したのち離型し、縦15mm×横100mm×高さ5mmのプレートを得た。
上記プレートを大気雰囲気下、3℃/分の昇温速度で500℃まで加熱し、その温度に6時間保持し脱脂処理した。次いで塩化水素雰囲気下、1,200℃で2時間加熱し不純物を除去したのち、1Paの減圧下、1,500℃で10分間焼成し、透明なシリカガラスプレートを得た。このシリカガラスプレートには、変形やクラックが見られず。また、精度不良率は9%であった。
実施例2
実施例1において、2質量%の水溶液粘度が30,000mPa・sのメチルセルロースを用い、実施例1と同様にして水溶液を作成し、それにシリカ微粉をメチルセルロースの濃度が0.5質量%となるように混合し、エチレングリコール可塑剤を少量加えてロールミルで混練した。得られた混練物を射出製型機に実施例1と同様に冷却状態で充填し、95℃の成形型に射出した。約30秒後に離型し、縦15mm×横100mm×高さ5mmのプレートを得た。得られたプレートを大気雰囲気下、3.5℃/分の昇温速度で500℃まで加熱し、その温度に3時間保持し脱脂処理した。次いで塩化水素雰囲気下、1,200℃で2時間加熱し、不純物を除去したのち、1Paの減圧下、1,500℃で10分間焼成し、透明なシリカガラスプレートを得た。該シリカガラスプレートには、変形やクラックが見られず。また、精度不良率は3%であった。
比較例1
平均粒径が0.5μmの球形のシリカ微粉にアクリル樹脂をシリカ微粉に対し40質量%添加し、さらにエチレングリコール可塑剤を少量加えニーダーで混練、減圧脱泡し、造粒した。該造粒物を約200℃に加熱した簡易小型射出機に充填し、室温の成形型に射出した。約3分後離型し、縦15mm×横100mm×高さ5mmのプレートを得た。このプレートを大気雰囲気下0.5℃/分の昇温速度で500℃まで加熱し、その温度で100時間保持し脱脂処理した。次いで塩化水素雰囲気下、1,200℃で2時間加熱し、不純物を除去したのち、1Paの減圧下、1,500℃で10分間焼成し、透明なシリカガラスプレートを得た。該シリカガラスプレートには、変形やクラックが多く見られた。また、精度不良率は25%であった。
実施例3
70℃に加熱した純水に平均粒径0.5μmのシリカ微粉を攪拌しながら加え、シリカ固形分濃度が80質量%となるようなスラリーに調製した。このシリカ質量に対し2質量%のメチルセルロース粉(2質量%で4,000mPa・sの粘度を有する)を添加し十分に攪拌・分散した。これを40℃まで冷却した後、射出シリンダーに前記混合物を移し変え、5℃で10分間冷却した。この冷却状態の混合物をあらかじめ90℃に加熱した成形型へ射出し、約30秒間保持した後離型し、縦15mm×横100mm×高さ5mmのプレートを得た。得られたプレートを大気雰囲気下、3℃/分で500℃に昇温し、その温度に6時間保持し脱脂処理を行った。次いで塩化水素雰囲気下、1,200℃で2時間加熱し不純物を除去を行った。純化処理後のプレートを13.3Pa、1,500℃で10分間焼成し、焼成体表面に0.5mmの透明層を有する気泡含有シリカガラスプレートを得た。このシリカガラスプレートの平均気泡径は45.6μmであり、1mm中の総気泡体積比で示される気泡含有率は0.31であった。また、シラノール濃度は10ppm未満であった。
実施例4
冷却時間を1時間とした以外実施例3と同様な製造法で焼成体表面に0.5mmの透明層を有する不透明シリカガラスプレートを得た。前記シリカガラスプレートの平均気泡径は29.4μmであり、1mm中の総気泡体積比で示される気泡含有率は0.12であった。また、シラノール濃度は10ppm未満であった。
本発明の製造方法では、半導体製造用治具、光学部品などの比較的複雑な形状の透明シリカガラス製品や半導体熱処理用断熱材などの不透明シリカガラス製品を高純度、高精度で、かつ安価に生産性よく製造できる。

Claims (19)

  1. シリカ微粉とセルロース誘導体とを混合し、射出成形したのち、脱脂処理、純化処理、焼成処理するシリカガラス製品の製造方法において、前記セルロース誘導体が水溶液において可逆熱ゲル化するセルロース誘導体であることを特徴とするシリカガラス製品の製造方法。
  2. シリカ微粉が合成シリカ微粉であることを特徴とする請求の範囲1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  3. 水溶液において可逆熱ゲル化するセルロース誘導体がメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロースからなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求の範囲1又は2記載のシリカガラス製品の製造方法。
  4. 水溶液において可逆熱ゲル化するセルロース誘導体がメチルセルロースであることを特徴とする請求の範囲3記載のシリカガラス製品の製造方法。
  5. 水溶液において可逆熱ゲル化するセルロース誘導体が2質量%水溶液における粘度で100mPa・s以上であることを特徴とする請求の範囲1ないし4のいずれか1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  6. 水溶液において可逆熱ゲル化するセルロース誘導体が2質量%水溶液における粘度で30,000mPa・s以上であることを特徴とする請求の範囲5記載のシリカガラス製品の製造方法。
  7. セルロース誘導体の配合量がシリカ微粉に対し0.1〜10質量%であることを特徴とする請求の範囲1ないし6のいずれか1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  8. セルロース誘導体をそのゲル化温度以上の加温水に添加し、冷却後水溶液としたのちシリカ微粉と混練し、冷却したまま射出成形機に充填し、70〜120℃の温度に加熱した樹脂製又は金属製の成形型に射出してシリカ成形体を形成し、離型、脱脂処理、純化処理したのち焼成処理して透明化することを特徴とする請求の範囲1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  9. セルロース誘導体粉を含有するシリカ混練物を5℃以下、1〜120分間冷却することを特徴とする請求の範囲8記載のシリカガラス製品の製造方法。
  10. 脱脂処理を大気雰囲気下、300〜1,000℃の温度で1〜10時間加熱することを特徴とする請求の範囲8記載のシリカガラス製品の製造方法。
  11. 加熱温度を1〜5℃/分の昇温速度で行い、500℃に達したところで3〜6時間その温度に保持することを特徴とする請求の範囲10記載のシリカガラス製品の製造方法。
  12. 焼成処理を1,200〜1,700℃で、常圧又は減圧下で行うことを特徴とする請求の範囲8ないし11のいずれか1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  13. シリカ粉を含有し、セルロース誘導体のゲル化温度以上に加温されたシリカスラリーにセルロース誘導体を加えシリカスラリーとしたのち冷却し、その冷却したまま射出成形機に充填し、70〜120℃の温度に加熱した樹脂製又は金属製の成形型に射出してシリカ成形体を形成し、離型、脱脂処理、純化処理したのち焼成処理して不透明化することを特徴とする請求の範囲1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  14. セルロース誘導体粉を含有するシリカ混練物を5℃以下、1〜120分間冷却することを特徴とする請求の範囲13記載のシリカガラス製品の製造方法。
  15. セルロース誘導体粉を含有するシリカスラリーを45℃以下、1〜120分間冷却し、セルロース誘導体粉の粒径を調節することを特徴とする請求の範囲13記載のシリカガラス製品の製造方法。
  16. 脱脂処理を大気雰囲気下、300〜1,000℃の温度で1〜10時間加熱することを特徴とする請求の範囲13記載のシリカガラス製品の製造方法。
  17. 加熱を1〜5℃/分の昇温速度で行い、500℃に達したところで3〜6時間その温度に保持することを特徴とする請求の範囲16記載のシリカガラス製品の製造方法。
  18. 焼成処理を減圧下、1,200〜1,700℃の温度で行い不透明化することを特徴とする請求の範囲13ないし17のいずれか1記載のシリカガラス製品の製造方法。
  19. シリカガラス製品の表面に0.1mm以上の無気泡シリカガラス層を形成することを特徴とする請求の範囲18記載のシリカガラス製品の製造方法。



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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014015389A (ja) * 2005-02-14 2014-01-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 透明シリカガラス製品の製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5177944B2 (ja) * 2005-05-12 2013-04-10 信越石英株式会社 シリカガラス物品の製造方法。
KR20120083005A (ko) * 2011-01-17 2012-07-25 삼성전자주식회사 오류 감지 장치 및 방법
JP6622977B2 (ja) * 2015-03-19 2019-12-18 古河電気工業株式会社 光ファイバ母材の製造方法
WO2017208855A1 (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 信越石英株式会社 紫外線smd型led素子の気密封止用シリカガラス部材及び紫外線led用石英ガラス部材の製造方法
JP2017216389A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 信越石英株式会社 紫外線smd型led素子の気密封止用シリカガラス部材
JP6789011B2 (ja) * 2016-07-01 2020-11-25 信越石英株式会社 紫外線led用石英ガラス部材の製造方法
CN113354262A (zh) * 2021-07-28 2021-09-07 Oppo广东移动通信有限公司 玻璃注塑胚体的脱脂工艺与玻璃制品的制备方法
CN113603342A (zh) * 2021-08-19 2021-11-05 Oppo广东移动通信有限公司 玻璃胚体的脱脂方法、玻璃和电子装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3222435A (en) * 1963-04-30 1965-12-07 Jr Edward J Mellen Injection molding of ceramic cores
JPS5930761A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 信越化学工業株式会社 押出成形用セラミツクス組成物
US4469627A (en) * 1982-09-03 1984-09-04 Colgate-Palmolive Company Process for dispersing hydroxypropyl methyl cellulose
US4551295A (en) * 1984-04-26 1985-11-05 Corning Glass Works Process for mixing and extruding ceramic materials
JPS6194702A (ja) * 1984-10-15 1986-05-13 ユケン工業株式会社 セラミツク製品の成形方法
JPS62144726A (ja) * 1985-12-19 1987-06-27 Ngk Insulators Ltd セラミツクハニカム構造体の開口端面封止体の製造方法
US4765950A (en) * 1987-10-07 1988-08-23 Risi Industries, Inc. Process for fabricating parts from particulate material
JP2511078B2 (ja) * 1987-12-09 1996-06-26 三菱重工業株式会社 射出成形法
US5238627A (en) * 1988-06-01 1993-08-24 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing ceramics sintered article and molding method and molding apparatus to be used therefor
EP0360244B1 (en) * 1988-09-20 1993-12-29 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Porous ceramic sinter and process for producing same
JPH02137773A (ja) * 1988-11-15 1990-05-28 Ngk Insulators Ltd セラミックス成形体の脱脂方法
JP3043032B2 (ja) 1990-07-06 2000-05-22 日本石英硝子株式会社 不透明石英ガラスの製造法
JPH04349130A (ja) * 1991-05-27 1992-12-03 Nitto Chem Ind Co Ltd 石英系ガラス成形体の製造方法
US5314520A (en) * 1992-02-12 1994-05-24 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method for manufacturing optical fiber preform
JPH0665608A (ja) * 1992-08-24 1994-03-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 粉体成形方法
JPH06222232A (ja) * 1993-01-28 1994-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路の作製方法
JP3227039B2 (ja) * 1993-11-16 2001-11-12 日本碍子株式会社 コージェライトハニカム構造体の製造方法
US6355587B1 (en) * 1994-06-30 2002-03-12 Ted A. Loxley Quartz glass products and methods for making same
FR2737488B1 (fr) * 1995-07-31 1997-09-19 Vesuvius France Sa Materiau refractaire de silice vitreuse a faible corrosion par les metaux fondus, piece et procede de fabrication
JP3883233B2 (ja) 1996-07-15 2007-02-21 信越石英株式会社 石英ガラス発泡体の製造方法
KR100239892B1 (ko) * 1997-11-04 2000-02-01 최동환 상온 압출 성형 공정에 의한 섬유상 세라믹스의 제조방법 및 이를 이용한 섬유상 단체 세라믹스의 제조방법
US6207101B1 (en) * 1999-09-30 2001-03-27 Corning Incorporated Method of making fired bodies
KR100458559B1 (ko) * 2000-04-07 2004-12-03 미츠이 다께다 케미칼 가부시키가이샤 수용성 폴리우레탄 및 그 용도
US7141204B2 (en) * 2002-12-18 2006-11-28 Corning Incorporated Method of forming ceramic articles
JP2004203639A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Tosoh Corp シリカガラス成形ブランク製品及びその研磨加工製品並びにそれらの製造方法
US7279126B2 (en) * 2003-04-18 2007-10-09 Robert Craig Morris Method of producing shared articles
JP4452059B2 (ja) * 2003-11-05 2010-04-21 東ソー株式会社 不透明シリカガラス成形体の製造方法
WO2006085591A1 (ja) * 2005-02-14 2006-08-17 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. シリカガラス製品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014015389A (ja) * 2005-02-14 2014-01-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 透明シリカガラス製品の製造方法

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