JPWO2006025587A1 - 光ディスク - Google Patents

Abstract

本発明の日的は、離型不良によるクラウドの発生を抑制し、かつ色相や光線透過率の悪化を防止し、光学特性に優れた高密度光ディスクを製造する方法を提供することにある。本発明は、高密度光ディスクの製造方法であり、該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂に対しベヘン酸モノグリセリドが所定添加された樹脂組成物を準備する工程（１）、該樹脂組成物を射出成形し基板を得る工程（２）、並びに該基板上に情報記録再生層を形成する工程（３）からなり、該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする光ディスクの製造方法である。

Description

本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下である高密度光ディスクに関する。

光ディスクは、基板上に情報記録再生層が積層された構造を有する。光ディスクに用いられる基板は、芳香族ポリカーボネート樹脂（以下、ＰＣと略すことがある）を射出圧縮成形する方法で製造されている。この方法は、ピット、グルーブ、ランドの型となる凹凸が刻まれた原盤であるスタンパーが設置された金型内に、溶融樹脂を射出することで原盤の凹凸形状を樹脂表面に転写し、保圧、冷却工程を経たのちに金型を開いて基板を取り出す方法である。
この方法においては、時として図１に示すように転写された凹凸形状が崩れる不良が発生することがある。これは金型から基板を剥離する離型工程において、スタンパーの凹凸と基板の凹凸が接触して発生するもので、この凹凸の変形部分が目視で白く曇ったように見えることから、クラウドと呼ばれている。クラウドが発生すると外観上品質基準を満たさないと判断され、不良品扱いとなる。さらに凹凸形状が崩れることで原盤設計で意図したとおりの再生信号やトラッキング信号が得られず、ジッターやトラッキング誤差などの光ディスクの特性が悪化する。このように、光ディスク基板を製造する際には、良好な離型性が要求される。
一方、光ディスクには、ＣＤ（トラックピッチ１．６μｍ）のなどの従来型光ディスクと、ＤＶＤ（トラックピッチ０．７４μｍ）、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（トラックピッチ０．３２μｍ）、ＨＤ ＤＶＤ（トラックピッチ０．４０μｍなどの高密度光ディスクがある。高密度光ディスクは、トラックピッチが０．７４μｍ以下であり、従来型に比べ狭い。そのため高密度光ディスク基板を成形する際には、より高度な離型性が要求される。
光ディスク基板の成形時の離型性を改良するため、種々の対策が考えられている。例えば、特許文献１には、成形前のスタンパーに脂肪酸の皮膜を形成し、スタンパーと樹脂の密着力を低減する方法が示されている。しかしこの方法では、累積ショット数が増えると皮膜が脱離し効果がなくなるという欠点がある。
また、特許文献２には、補助的離型手段であるエアブローの不均一性に起因する離型不良を改善するため、エアブローを適正化する方法が開示されている。しかし、必ずしもエアブローの不均一性で離型不良が発生しているとは限らず、その効果にも限界がある。
離型性を改良するために、ＰＣ中に配合する離型剤についての検討もされている。高密度光ディスク基板を成形する際に用いる離型剤の検討においては、成形条件も考慮しなければならない。即ち、微細な構造を有する高密度光ディスク基板を成形する際には、ＰＣの流動性を上げる必要がある。そのため成形は、従来型の光ディスク基板の成形温度である３４０℃よりも高い、３８０℃程度で行う必要がある。従って、高密度光ディスク基板を成形する際には、このような成形条件に適した離型剤を用いる必要がある。
特許文献３には、光ディスクなどの情報記録媒体に用いるＰＣについて、その離型性および耐加水分解性を改良するために、アルカリ金属イオン濃度が１００ｐｐｍ以下の脂肪族エステルをＰＣに配合させることが提案されている。しかし、この提案においては３４０℃程度で成形する従来型の光ディスクを対象としており、この技術を直ちに高密度光ディスクに適用することはできない。高密度光ディスク基板の成形に際しては、脂肪族エステルの種類、配合量、アルカリ金属イオン濃度などについてさらに検討する必要がある。
特許文献４には、ＰＣを一般成形材料として用いる際の、離型性および滞留熱安定性を改良するために、ナトリウムの含有量が２０ｐｐｍ以下のグリセリンモノエステルをＰＣに配合させることが提案されている。しかし、この提案における離型性とは一般成形品における離型性であり、この技術を直ちに光ディスク基板の成形に適用できるとは限らない。また、この提案においては、光ディスク基板の成形に不向きな粘度平均分子量が高いＰＣを３４０℃程度で成形することが検討されているのみである。
特許文献５には、光ディスクの高温、高湿度下における白点の発生を防止する観点から、末端水酸基の含有量の少ないＰＣ中の残留ナトリウム量を１ｐｐｍ以下にしたり、脂肪酸モノグリセリドを２０〜５，０００ｐｐｍ含有させることが提案されている。しかし、この提案においては、離型性については全く考慮しておらず、また３４０℃程度で成形する従来型の光ディスクを対象としており、この技術を直ちに高密度光ディスク基板の成形に適用することはできない。
また、特許文献６には、スタンパーへの付着物を低減させ良好な高密度光ディスクを得るため、揮発成分の少ない樹脂を用いることが提案されている。
特開平０９−３０６０３８号公報 特開２０００−２０７７８８号公報 特開平７−１９２３０９号公報 特開平１０−１６８２９６号公報 特開平３−１００５０１号公報 特開２０００−１２９１１３号公報

以上のように、高度な離型性が要求され、かつ高温で成形される高密度光ディスク基板に対応した、離型剤、樹脂成分についての検討は充分ではない。
そこで、本発明の目的は、離型不良によるクラウドの発生を抑制し、効率的に高密度光ディスクおよびその基板を製造する方法を提供することにある。また本発明の目的は、高温で成形することによる色相や光線透過率の悪化を防止し、光学特性に優れた高密度光ディスクおよびその基板を製造する方法を提供することにある。
また本発明の目的は、熱安定性および耐加水分解性に優れた高密度光ディスクおよびその基板を提供することにある。
さらに本発明の目的は、高密度光ディスク基板の製造に適した、離型性、熱安定性、耐加水分解性に優れた樹脂組成物およびその製造方法を提供することにある。
本発明者は、高温で成形され、高度な離型性を要求される高密度光ディスクの基板を成形する際に用いる、離型剤、ＰＣについて鋭意検討したところ、ナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満のベヘン酸モノグリセリド（以下、ＧＭＢと略すことがある）を離型剤として用いると、優れた離型性が達成され、かつＰＣの熱安定性が向上することを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの製造方法であり、該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対しベヘン酸モノグリセリドを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（１）、該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する基板を得る工程（２）、並びに該基板のピット、グルーブ、ランドまたはグルーブとランドの双方の上に情報記録再生層を形成する工程（３）からなり、
該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、
該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする光ディスクの製造方法である。
また本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板の製造方法であって、
該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対しベヘン酸モノグリセリドを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（１）、並びに
該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する基板を得る工程（２）からなり、
該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、
該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする基板の製造方法である。
また本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物の製造方法であって、該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対しベヘン酸モノグリセリドを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（１）からなり、
該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、
該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする樹脂組成物の製造方法を包含する。
さらに本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクであって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる基板を有する光ディスクを包含する。
また本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する基板を包含する。
また本発明は、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなり、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５０％以下で、光線透過率の変化率（％）が１０％以下である樹脂組成物を包含する。

図１は、クラウド部のグルーブの変形を示す図である。

符号の説明

１ 光ディスク基板
２ グルーブ
３ グルーブの変形部

樹脂組成物の製造
本発明の樹脂組成物の製造方法は、ＰＣ１００重量部に対しＧＭＢを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を得る工程（１）からなる。ここで該ＰＣはナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、該ＧＭＢはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満である。
ＧＭＢは、ＰＣ１００重量部に対し、好ましくは０．０３〜０．０９重量部、より好ましくは０．０４〜０．０５重量部添加する。ＧＭＢの添加量が、ＰＣ１００重量部に対し、０．００５重量部未満ではクラウド軽減効果が期待できず、逆に０．２重量部を超えると色相や光線透過率の悪化、さらには付着物の増加が看過できないレベルまで達する場合がある。工程（１）を自ら実施するか、工程（１）で得られた樹脂組成物を購入し、工程（２）に用いる樹脂組成物を準備することができる。
ベヘン酸モノグリセリド：ＧＭＢ
ＧＭＢは、長鎖脂肪酸であるベヘン酸とグリセリンのモノエステルである。ＧＭＢ中のナトリウム金属含有量は１ｐｐｍ未満、好ましくは０．９５ｐｐｍ以下、更に好ましくは０．５ｐｐｍ以下、より好ましくは０．１ｐｐｍ以下である。具体的には、ナトリウム金属含有量は、０．０５〜１ｐｐｍ未満、より好ましくは０．０５〜０．９５ｐｐｍ、０．０５〜０．５ｐｐｍ、さらに好ましくは０．０５〜０．１ｐｐｍである。
ＧＭＢ中のナトリウム金属含有量は下記の方法にて測定する。すなわちサンプル５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに溶解し、ここに純水８０ｍｌを添加・攪拌し、純水に溶解しているナトリウム金属をイオンクロマトグラフィーにて定量する。この方法の検出限界は０．０５ｐｐｍである。このナトリウム金属含有量が１ｐｐｍ以上になると製造されたディスク基板は色相が悪化し、またＰＣの加水分解による白色欠点が増加することにより品質が低下する。
ここで脂肪酸モノグリセリド系の離型剤については、脂肪酸部分の炭素数でその性能が特徴付けられるが、本発明によれば、ベヘン酸より炭素数の少ない脂肪酸ではスタンパーと樹脂の密着力低減効果が不十分である。逆にベヘン酸より炭素数の多い脂肪酸では揮発性が小さすぎることから、スタンパーと樹脂の界面における存在量が少なくなるため、やはりスタンパーと樹脂の密着力低減効果が不十分となる。
ナトリウム金属含有量が１ｐｐｍ未満のＧＭＢは、ＧＭＢを通常の方法で製造した後、分子蒸留などにより精製して製造することができる。
具体的には、スプレーノズル式脱ガス装置によりガス分および低沸点物質を除去した後に流下膜式蒸留装置を用い蒸留温度１２０〜１５０℃、真空度０．１〜０．２Ｔｏｒｒの条件にてグリセリンを除去し、さらに遠心式分子蒸留装置を用いて蒸留温度１６０〜２３０℃、真空度０．０１〜０．２Ｔｏｒｒの条件にて高純度のＧＭＢを留出分として得る方法などがあり、ナトリウム金属は蒸留残渣として除去できる。得られた留出分に対し、繰り返し分子蒸留を行うことにより、更に純度を上げ、ナトリウム金属含有量の少ないＧＭＢを得ることもできる。また前もって適切な方法にて分子蒸留装置内を十分に洗浄し、また気密性を高めるなどにより外部環境からのナトリウム金属成分の混入を防ぐことも肝要である。これらの方法で基本的には製造できるが、専門の製造業者（例えば理研ビタミン（株））にスペックを指定して特別に製造してもらうことができる。
芳香族ポリカーボネート樹脂：ＰＣ
該ＰＣは、ナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍ、好ましくは０．０００５〜０．０１ｐｐｍ、より好ましくは０．０００５〜０．００５ｐｐｍである。ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下のＰＣは、界面重合法によって製造されたＰＣの反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して有機溶媒溶液とし、該ＰＣ溶液を水洗し粗製溶液とした後、塩酸酸性にして水相導電率がイオン交換水と殆んど同じになるまで繰り返し水洗する方法により製造することができる。また、より効率的な方法として、界面重合法によって製造されたＰＣの反応後の有機溶媒溶液において、ＰＣ有機溶媒溶液中の水分量を有機溶媒の飽和溶解度以下の量にして、アルカリ金属塩化物、アルカリ水酸化物、未反応ジヒドロキシ化合物等の水溶性不純物を遊離固形化し、次いで濾過を行い遊離固形化した水溶性不純物を除去する方法（特開平５−１８６５８３号）によっても製造することができる。さらに、界面重合法により得られたＰＣの粗製溶液を水と混合し、該水を遠心分離する操作を少なくとも１回実施し、ＰＣ溶液Ｉを得て（遠心分離工程）、得られたＰＣ溶液Ｉから、その溶液中の水分を除去して、固体成分として析出した水溶性不純物を含むＰＣ溶液ＩＩを得て（水分除去工程）、この得られたＰＣ溶液ＩＩから、ＰＣ溶液に含有される固体成分を分離して、ＰＣ溶液ＩＩＩを得て（分離工程）、そして、この得られたＰＣ溶液ＩＩＩからＰＣを回収する（回収工程）方法（特開２００３−２６７９３号）によっても製造することができる。他方、溶融重合法によって製造されたＰＣを有機溶媒溶液とした後に水と混合し、前述の方法を適用することにより製造することもできる。 以上の製造方法等で得られたＰＣのナトリウム金属の定量方法は、ＰＣ中のナトリウム金属含有量を原子吸光分析法、ＩＣＰ質量分析法など公知の方法にて測定することができる。
該ＰＣの粘度平均分子量（Ｍ）は、１０，０００〜２０，０００、好ましくは１２，０００〜２０，０００、より好ましくは１４，０００〜１８，０００である。かかる粘度平均分子量を有するＰＣは、光学用材料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。
本発明でいう粘度平均分子量は、塩化メチレン１００ｍｌにＰＣ０．７ｇを２０℃で溶解した溶液を用いて測定された比粘度（η_ＳＰ）を次式に挿入して求めるＭを意味する。
η_ＳＰ／_ｃ＝［η］＋０．４５×［η］^２ｃ（但し［η］は極限粘度）
［η］＝１．２３×１０^−４Ｍ^０．８３
ｃ＝０．７
ＰＣは、通常二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重合法または溶融重合法で反応させて得られるものである。ここで使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等があげられ、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
なかでもビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノールＡの単独重合体および１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンとビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパンまたはα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンとの共重合体が好ましく使用される。とりわけビスフェノールＡの単独重合体が好ましい。
カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
上記二価フェノールとカーボネート前駆体を界面重合法または溶融重合法によって反応させてＰＣを製造するに当っては、必要に応じて触媒、二価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。またＰＣは三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ＰＣであっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られたＰＣの２種以上を混合した混合物であってもよい。
界面重合法または溶融重合法によって反応させてＰＣを製造する方法は周知である。例えば特開平２００１−２２５５０３号、特開２００３−３０１０９９号、米国公開公報２００５−１０６３５０号等を参照することができる。
ＰＣは一般的には重合体の末端ＯＨが単官能フェノール類で封止されている。これら単官能フェノール類の内、下記一般式（１）

｛式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９のアルキル基もしくはフェニルアルキル基（アルキル部分の炭素数１〜９）であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。｝
で表される単官能フェノール類が好ましく、より好ましくはアルキル置換もしくはフェニルアルキル置換のフェノール類であり、特に好ましくはｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールまたはｐ−クミルフェノールである。
これらの単官能フェノール類の末端停止剤は、得られたＰＣの全末端に対して少くとも５モル％、好ましくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。
ＰＣは、従来公知の方法（界面重合法、溶融重合法など）により製造した後、有機溶媒溶液状態において、純水を用いてのＰＣ中のアルカリ成分の抽出除去や有機溶媒溶液からの粒子化（造粒）を経た濾過処理を行い精製することが好ましい。
造粒（脱溶媒）後の粒状原料を、ＰＣの貧溶媒や非溶媒で洗浄して低分子量成分や未反応成分等の不純物や異物を除去することも好ましい。ＰＣの貧溶媒または非溶媒として、アセトンなどのケトン類、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、キシレンなどの芳香族炭化水素などが挙げられる。
射出成形に供するためのペレット状ＰＣを得る押出工程（ペレット化工程）ではＰＣの溶融状態の時に濾過精度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどの手段により異物を除去したりすることが好ましい。いずれにしても射出成形前のＰＣはナトリウムだけでなく、異物、不純物、溶媒などの含有量も極力低くしておくことが肝要である。また、ＰＣには、前記した安定剤と離型剤の他に、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤等の各種添加剤等を単独でまたは２種以上組み合わせて使用することもできる。
工程（１）においてＰＣと、ＧＭＢおよびその他の添加剤をブレンドするには、例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、スーパーミキサー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機等が用いられる。こうして得られた樹脂組成物のパウダーやペレットは、そのままでも良いが、溶融押出機で一旦ペレット状にしてから、射出成形法に供することができる。
ＧＭＢ、その他の添加剤のブレンドにあたっては、一段階で実施してもよいが、二段階以上に分けて実施してもよい。二段階に分けて実施する方法には、例えば、ＰＣパウダーやペレットの一部とＧＭＢとをブレンドした後、つまり、ＧＭＢをＰＣパウダーで希釈してＧＭＢのマスターバッチとした後、これを用いて最終的なブレンドを行う方法がある。
ＧＭＢ、その他の添加剤の配合にあたっては、ＧＭＢを押出機に直接添加、注入、あるいは加熱融解後注入する方法をとることもできる。また、界面重合法においては、重合終了後のＰＣの有機溶媒溶液にＧＭＢを添加溶解する方法も採用することができる。
本発明の樹脂組成物の製造の準備方法によれば、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）からなり、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５０％以下で、光線透過率の変化率（％）が１０％以下である樹脂組成物が得られる。本発明の樹脂組成物の製造法では添加するベヘン酸モノグリセリド中のナトリウム濃度を非常に低くしているため、たとえ樹脂組成物中のナトリウム濃度自体は他の製造法と同程度であっても、樹脂組成物中のベヘン酸モノグリセリド近辺のナトリウム存在量を低減することができ、これが上記色相の変化率及び光線透過率の変化率を低く抑えることに寄与しているのである。
光ディスクのトラックピッチは、好ましくは０．０５〜０．７４μｍ、より好ましくは０．３２μｍ、０．４０μｍまたは０．７４μｍである。
該ＰＣは、二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものが好ましい。ＰＣは、特に、二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを使用して得られたものが好ましい。
該ＰＣの粘度平均分子量は、１４，０００〜１８，０００あることが好ましい。該ＰＣのナトリウム金属含有量は０．０００５〜０．０１ｐｐｍであることが好ましい。該ＰＣのベヘン酸モノグリセリド含有量は、好ましくは２００〜９００ｐｐｍ、より好ましくは３５０〜５００ｐｐｍである。
樹脂組成物は、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５〜４０％であることが好ましい。樹脂組成物は、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における光線透過率の変化率（％）が０．５〜５％であることが好ましい。
基板の製造方法
本発明の基板の製造方法は、工程（１）および工程（２）からなる。工程（１）は前述の通りである。工程（２）は、工程（１）で得られた樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する基板を得る工程である。本工程では、工程（１）を自ら実施するか、工程（１）で得られた樹脂組成物を購入し、樹脂組成物を準備することができる。
射出成形は、好ましくは、工程（１）で得られた樹脂組成物を熱溶融してスタンパーを設置した金型のキャビティー内に充填し、加圧した後、冷却し、離型する工程からなる。
射出成形は、射出成形機で行うことができる。この射出成形機（射出圧縮成形機を含む）としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
射出成形の条件としてはシリンダー温度３５０〜４００℃、金型温度５０〜１４０℃が好ましく、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。樹脂の温度は３５０〜４００℃が好ましい。
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。ＰＣのナトリウム金属含有量は０．０００５〜０．０１ｐｐｍであることが好ましい。
本発明の基板の製造方法によれば、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）からなる、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５０％以下で、光線透過率の変化率（％）が１０％以下である樹脂組成物からなる基板が得られる。
光ディスク基板のトラックピッチは、０．０５〜０．７４μｍであることが好ましい。ＰＣのＧＭＢ含有量が３５０〜５００ｐｐｍであることが好ましい。ＰＣのナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０１ｐｐｍであることが好ましい。ＰＣの粘度平均分子量が１４，０００〜１８，０００であることが好ましい。
基板は、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する。基板の厚さは、１．１ｍｍ以下、好ましくは０．６〜１．１ｍｍである。
光ディスクの製造方法
本発明の光ディスクの製造方法は、工程（１）、工程（２）および工程（３）からなる。工程（１）および工程（２）は、前述の通りである。工程（３）は、工程（２）で得られた基板上のピット、グルーブ、ランドまたはグルーブとランドの双方の上に、情報記録再生層を形成する工程である。
情報記録再生層として、反射層、保護層、記録層、界面層などが挙げられる。ＤＶＤ−ＲＯＭなど再生専用型光ディスクにおいてはＡｌ、Ａｇなどの反射膜やＡｕ、Ｓｉなどの半透明膜をスパッタ法によりピット上に形成する。ＤＶＤ−Ｒなどの追記型光ディスクにおいてはグルーブ上にアゾ色素、シアニン色素などの有機色素層をスピンコート法により塗布して記録層を形成し、さらにＡｕ、Ａｇ合金などの反射膜をスパッタ法により形成する。ＤＶＤ−ＲＡＭなどの書換可能型光ディスクにおいては、グルーブもしくはランドグルーブ上に（保護層）ＳｉＯ_２／（界面層）ＺｉＳ−ＳｉＯ_２／（記録層）ＧｅＴｅＳｂ_２Ｔｅ_３Ｓｂ／（界面層）ＺｉＳ−ＳｉＯ_２／（保護層）ＳｉＯ_２／（反射層）Ａｌ合金などからなる多層膜をスパッタ法により形成する。
ＰＣは、二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものであることが好ましい。ＧＭＢはナトリウム金属の含有量が０．０５〜１ｐｐｍ未満であることが好ましい。
工程（３）により、トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクであって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる基板を有する光ディスクが得られる。
光ディスクはトラックピッチが０．７４μｍ以下、好ましくは０．０５〜０．７４μｍ、より好ましくは０．３２μｍ、０．４０μｍまたは０．７４μｍである。
工程（３）により、例えば、下記に例示される構成の光ディスクが製造される。
ＤＶＤ−ＲＯＭ：基板、反射層
ＤＶＤ−ＲＡＭ：基板、保護層、界面層、記録層、界面層、保護層、反射層
ＤＶＤ−Ｒ：基板、記録層、反射層
ＤＶＤ−ＲＷ：基板、保護層、記録層、保護層、反射層
ＢＤ−ＲＯＭ：基板、反射層
ＢＤ−ＲＥ：基板、反射層、保護層、界面層、記録層、界面層、保護層
ＢＤ−Ｒ：基板、反射層、記録層
ＨＤ ＤＶＤ−ＲＯＭ：基板、反射層
ＨＤ ＤＶＤ−ＲＷ：基板、保護層、界面層、記録層、界面層、保護層、反射層
ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ：基板、記録層、反射層

以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれに限定されるものではない。なお、評価は下記の方法に従った。
１．クラウド濃度
Ａｌ反射膜を形成した基板１，０００枚のうち、１００枚ごとに連続する１０枚を抜き出した計１００枚についてａｅｃｏ社製のＤＶＤ−ＤＯＭＳ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｏｒｄｅｒ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ）を用い、基板全面に渡る０次回折光量の分布を測定した。スタンパー取付状態等の外乱による影響を抑制するため、スタンパーの取付け・取外しを間にはさみ、上記の成形、測定を１つの材料サンプルに対して１０回繰り返した。従ってＤＶＤ−ＲＯＭ基板を合計１０，０００枚成形し、サンプル１，０００枚を抜き出した。
次に以下の方法でクラウド濃度を測定した。
（１）ディスクの半径方向の０次回折光量の変化量が１．２％／０．８ｍｍ以上になる部分を正常領域とクラウド領域の仮の境界領域とする。
（２）その境界領域の両側の０次回折光量の平均値を算出し、それら平均値の平均値をしきい値とする。
（３）上記しきい値より０次回折光量が低い領域を真のクラウド領域、高い領域を真の正常領域とする。
（４）（３）の操作により真のクラウド領域と真の正常領域に区分けされた０次回折光の分布データからクラウドが発生している領域の平均０次回折光量と、それ以外の正常領域の平均０次回折光量を求め、下記式（１）によりその差を算出する。なおそれぞれの回折光量は入射光量に対する比、すなわち反射率（％）で表した。
クラウド濃度（％）＝正常領域の平均０次回折光量（％）−クラウド領域の平均０次回折光量（％） （１）
図１に示すようなグルーブの変形があると回折効率が変化し、０次回折光量が減少することから、この算出された差（クラウド濃度）はクラウドの程度を表す指標として用いることができる。つまり、クラウド濃度の数値が大きいほど、クラウドによる反射光量変化が大きく、原盤設計時に意図した反射光量が得られなくなり、再生信号や「トラッキング信号」の誤差を引き起こす。なお、材料サンプルの評価にはこのクラウド濃度として、１０回繰り返した成形・測定における各々の測定値の平均値を用いた。
２．色相、光線透過率
試料ペレットを１２０℃で５時間乾燥した後、日本製鋼所（株）製の射出成形機Ｊ８５ＥＬＩＩを用い、シリンダー温度３８０℃で１０分間滞留させたものと、させないものの試験片（縦７０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚み２ｍｍ）をそれぞれ作成し、その色相（ｂ値）を測定した。また日立製作所（株）製の分光光度計Ｕ−４１００にて波長４０５ｎｍの光線透過率を測定した。色相と光線透過率の各変化率は以下の方法で算出した。
色相変化率（％）＝｛色相（３８０℃滞留後）／色相（３８０℃滞留前）｝×１００−１００
光線透過率の変化率（％）＝１００−｛光線透過率（３８０℃滞留後）／光線透過率（３８０℃滞留前）｝×１００
３．白色欠点
住友重機械工業（株）製の射出成形機ＤＩＳＫ３ＭＩＩＩにより成形された光ディスク基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）を、温度８０℃、相対湿度８５％に制御した恒温恒湿槽に１６８時間放置した後、基板中の大きさ２０μｍ以上の白点発生数を数えた。これを２５枚の光ディスク基板について行い、その平均値を求め、これを白点個数とした。
４．付着物
住友重機械工業（株）製の射出成形機ＤＩＳＫ３ＭＩＩＩにより光ディスク基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を、シリンダ温度３８０℃、金型温度１２０℃の条件で４，０００枚成形し、成形終了後のスタンパーに付着している汚れを、塩化メチレンを浸した不織布にて拭取った。次に不織布を８０ｍｌの塩化メチレンに１昼夜浸したのち、不織布を取り除いて塩化メチレンを蒸発乾固させ、残った固形分の重量を測定した。これを１つの材料サンプルにつき３回繰り返し、その平均値を算出した。
５．ナトリウム金属含有量の測定方法
ＧＭＢ中のナトリウム金属含有量：
サンプル５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに溶解し、ここに純水８０ｍｌを添加・攪拌し、純水に溶解しているナトリウム金属をイオンクロマトグラフィーにて定量した。
ＰＣ、ペレット中のナトリウム金属の含有量：分析試料約１ｇを灰化した後に、灰化物を塩酸で加熱分解し、これを希硝酸で溶解した溶液を原子吸光光度計にて測定した。
合成例１（芳香族ポリカーボネートパウダーの合成）
温度計、攪拌機および還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９．４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０．２部を仕込み、これに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７．５部（０．２５２モル）およびハイドロサルファイト０．１２部を溶解した後、塩化メチレン１８１部を加え、攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２８．３部を４０分要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７．２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．４８部を加え、攪拌を始め、乳化後トリエチルアミン０．０６部を加え、さらに２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。
反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後、塩酸酸性にして水洗し、水相導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けた、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発させて、粘度平均分子量１５，０００のパウダーを得た。このパウダーにトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスファイトを０．０１重量％を加え、芳香族ポリカーボネートパウダーを得た。
得られたポリカーボネートパウダーのナトリウム金属含有量は０．００８ｐｐｍであった。
実施例１〜２
（工程（１））
上記の芳香族ポリカーボネートパウダー１００重量部に対し、表１に示す離型剤を表１に示す量、添加混合し、ベント式二軸押出機（日本製鋼所（株）製ＴＥＸ−３０α）によりシリンダー温度２２０℃で脱気しながら溶融混練しペレットを得た。表１に示す離型剤は、理研ビタミン（株）に依頼して製造したものを用いた。樹脂組成物を用いて評価用の試験片を成形し、色相、光線透過率の評価を行った。結果を表１に示す。
（工程（２））
工程（１）で得られたペレットを用いて、名機製作所（株）製の射出成形機Ｍ−３５Ｂ−Ｄ−ＤＭと、型システム製のＤＶＤ金型（スタンパー内径２２ｍｍ、可動側スタンパー取付）によりＤＶＤ−ＲＯＭ基板（トラックピッチ０．７４μｍ）をシリンダ温度３７５℃、金型温度（可動側）１１１℃、金型温度（固定側）１０５℃、離型エアブロー圧力（可動側）３．０ｋｇｆ／ｃｍ^２、離型エアブロー圧力（固定側）６．０ｋｇｆ／ｃｍ^２、離型エアブロー遅延時間１．０ｓｅｃ、型締力（１次）０．０トン×０．３７ｓｅｃ、型締力（２次）１８．８トン×３．４４ｓｅｃ、型締力（３次）０．０トン×９．９０ｓｅｃ、射出速度１４９ｍｍ／ｓｅｃ、保圧２０ｋｇｆ／ｃｍ^２、保圧時間０．３２ｓｅｃ、冷却時間３．７ｓｅｃの条件で成形し、ＤＶＤ−ＲＯＭ基板を得た。
光ディスク基板の白色欠点および成形時の付着物の評価を行った。結果を表１に示す。
（工程（３））
またＤＶＤ−ＲＯＭ基板の信号面側にＡｌ反射膜をスパッタ法により形成しクラウド濃度の評価を行った。結果を表１に示す。更に該基板のＡｌ反射膜上にＵＶ硬化性の接着剤を塗布し、Ａｌ反射膜の形成されていない第２のＤＶＤ−ＲＯＭ基板をＡｌ反射膜に対向して重ね合わせた後に、スピナーにて基板を高速回転させることにより遠心力で接着剤を両基板間に塗り広げ、ＵＶランプによりＵＶ光を照射して接着剤を硬化させＤＶＤ−ＲＯＭを得た。
比較例１〜４
実施例と同様の方法で表１に示す離型剤を添加混合し、同様の方法でペレットを得た。このペレットを用いて、ＤＶＤ−ＲＯＭ基板およびＤＶＤ−ＲＯＭを製造し、クラウド濃度、色相、光線透過率、付着物の評価を行った。結果を表１に示す。

表１によれば、ナトリウム金属含有量が１ｐｐｍ未満であるベヘン酸モノグリセリドを用いることにより、クラウド濃度を軽減することができることが分かる。また色相や光線透過率の悪化を防止できることが分かる。また金型やスタンパー汚れ、白色欠点の増加を防止できることが分かる。
発明の効果
本発明によれば、離型不良によるクラウドの発生を抑制し、効率的に光ディスクおよびその基板を製造することができる。また本発明によれば、高温で成形することによる色相や光線透過率の悪化を防止し、光学特性に優れた光ディスクおよびその基板を製造することができる。本発明によれば、高密度光ディスクの基板を成形するに適した、高度な離型性を有し、熱安定性に優れた樹脂組成物を製造することができる。
本発明の高密度光ディスクは、熱安定性および耐加水分解性に優れ、かつ光学特性に優れる。本発明の高密度光ディスク基板は、耐加水分解性に優れ高温、高湿度下に保持しても、白点の発生数が少ない。よって、優れた光学特性を有する高密度光ディスクを提供することができる。本発明の樹脂組成物は、熱安定性に優れ高温に保持しても、色相および光線透過率の変化が少ない。また、優れた離型性を有する。

本発明は、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ、ＨＤ ＤＶＤ等の高密度光ディスクにおいて適用できる。

Claims (25)

1. トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの製造方法であり、
   該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対しベヘン酸モノグリセリドを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（１）、
   該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する基板を得る工程（２）、並びに
   該基板のピット、グルーブ、ランドまたはグルーブとランドの双方の上に情報記録再生層を形成する工程（３）からなり、
   該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、
   該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする光ディスクの製造方法。
2. 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものである請求項１記載の製造方法。
3. 該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が０．０５〜１ｐｐｍ未満である請求項１記載の製造方法。
4. 該光ディスクは、トラックピッチが０．０５〜０．７４μｍである請求項１記載の製造方法。
5. 該光ディスクは、トラックピッチが０．３２μｍ、０．４０μｍまたは０．７４μｍである請求項１記載の製造方法。
6. トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板の製造方法であって、
   該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対しベヘン酸モノグリセリドを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（１）、並びに
   該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド・グルーブトラックを有する基板を得る工程（２）からなり、
   該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、
   該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする基板の製造方法。
7. 該芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリウム金属含有量が０．０００５〜０．０１ｐｐｍである請求項６記載の製造方法。
8. トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物の製造方法であって、
   該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対しベヘン酸モノグリセリドを０．００５〜０．２重量部添加された樹脂組成物を得る工程（１）からなり、
   該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０５ｐｐｍで、粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００であり、
   該ベヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする樹脂組成物の製造方法。
9. 該芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０１ｐｐｍである請求項８記載の製造方法。
10. トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクであって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる基板を有する光ディスク。
11. トラックピッチが０．０５〜０．７４μｍである請求項１０記載の光ディスク。
12. トラックピッチが０．３２μｍ、０．４０μｍまたは０．７４μｍである請求項１０記載の光ディスク。
13. トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなり、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５０％以下で、光線透過率の変化率（％）が１０％以下である樹脂組成物からなる基板。
14. 芳香族ポリカーボネート樹脂のベヘン酸モノグリセリド含有量が３５０〜５００ｐｐｍである請求項１３記載の基板。
15. 芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリウム金属の含有量が０．０００５〜０．０１ｐｐｍである請求項１３記載の基板。
16. 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が１４，０００〜１８，０００である請求項１３記載の基板。
17. トラックピッチが０．７４μｍ以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が５０〜２，０００ｐｐｍ、ナトリウム金属の含有量が０．０５ｐｐｍ以下である粘度平均分子量１０，０００〜２０，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂からなり、３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５０％以下で、光線透過率の変化率（％）が１０％以下である樹脂組成物。
18. 芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものである請求項１７記載の樹脂組成物。
19. 芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを使用して得られたものである請求項１７記載の樹脂組成物。
20. 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が１４，０００〜１８，０００である請求項１７記載の樹脂組成物。
21. 芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリウム金属含有量が０．０００５〜０．０１ｐｐｍである請求項１７記載の樹脂組成物。
22. 芳香族ポリカーボネート樹脂のベヘン酸モノグリセリド含有量が２００〜９００ｐｐｍである請求項１７記載の樹脂組成物。
23. 芳香族ポリカーボネート樹脂のベヘン酸モノグリセリド含有量が３５０〜５００ｐｐｍである請求項１７記載の樹脂組成物。
24. ３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における色相（ｂ値）の変化率（％）が５〜４０％である請求項１７記載の樹脂組成物。
25. ３８０℃で１０分加熱後の、厚さ２ｍｍの射出成形板における光線透過率の変化率（％）が０．５〜５％である請求項１７記載の樹脂組成物。

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