WO2006025587A1

WO2006025587A1 - 光ディスク

Info

Publication number: WO2006025587A1
Application number: PCT/JP2005/016361
Authority: WO
Inventors: Shigeki Fujimaru; Chiaki Komori
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd.
Priority date: 2004-09-02
Filing date: 2005-08-31
Publication date: 2006-03-09
Also published as: EP1785992A4; CN100565681C; JPWO2006025587A1; TW200615299A; TWI357418B; ATE500590T1; JP4336715B2; US7829166B2; DE602005026673D1; US20070258351A1; EP1785992B1; EP1785992A1; CN101031966A

Abstract

本発明の日的は、離型不良によるクラウドの発生を抑制し、かつ色相や光線透過率の悪化を防止し、光学特性に優れた高密度光ディスクを製造する方法を提供することにある。本発明は、高密度光ディスクの製造方法であり、該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂に対しべヘン酸モノグリセリドが所定添加された樹脂組成物を準備する工程(1)、該樹脂組成物を射出成形し基板を得る工程(2)、並びに該基板上に情報記録再生層を形成する工程(3)からなり、該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が0.0005～0.05ppmで、粘度平均分子量が10,000～20,000であり、該べヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が1ppm以下であることを特徴とする光ディスクの製造方法である。

Description

明細書

光ディスク技術分野、

本発明は、トラックピッチが 0. 74^ m以下である高密度光ディスクに関する。背景技術

光ディスクは、基板上に情報記録再生層が積層された構造を有する。光デイスクに用いられる基板は、芳香族ポリカーボネート樹脂（以下、 PCと略すことがある）を射出圧縮成形する方法で製造されている。この方法は、ピット、グルーブ、ランドの型となる凹凸が刻まれた原盤であるスタンパーが設置された金型内に、溶融樹脂を射出することで原盤の凹凸形状を樹脂表面に転写し、保圧、冷却工程を経たのちに金型を開いて基板を取り出す方法である。

この方法においては、時として図 1に示すように転写された凹凸形状が崩れる不良が発生することがある。これは金型から基板を剥離する離型工程において、スタンパーの凹凸と基板の凹凸が接触して発生するもので、この凹凸の変形部分が目視で白く曇ったように見えることから、クラウドと呼ばれている。クラウドが発生すると外観上品質基準を満たさないと判断され、不良品扱いとなる。さらに凹凸形状が崩れることで原盤設計で意図したとおりの再生信号やトラッキング信号が得られず、ジッターやトラツキング誤差などの光ディスクの特性が悪化する。このように、光ディスク基板を製造する際には、良好な離型性が要求される。一方、光ディスクには、 CD (トラックピッチ 1. 6 m) のなどの従来型光ディスクと、 DVD (トラックピッチ 0. 74 m)、 B l u— r ay D i s c (トラックピッチ 0. 32 m)、 HD DVD (トラックピッチ 0. 40 ΠΙなどの高密度光ディスクがある。高密度光ディスクは、トラックピッチが 0. 74 m以下であり、従来型に比べ狭い。そのため高密度光ディスク基板を成形する際には、より高度な離型性が要求される。光ディスク基板の成形時の離型性を改良するため、種々の対策が考えられている。例えば、特許文献 1には、成形前のスタンパーに脂肪酸の皮膜を形成し、スタンパ一と樹脂の密着力を低減する方法が示されている。しかしこの方法では、累積ショット数が増えると皮膜が脱離し効果がなくなるという欠点がある。

また、特許文献 2には、補助的離型手段であるエアブローの不均一性に起因する離型不良を改善するため、エアブローを適正化する方法が開示されている。しかし、必ずしもエアブローの不均一性で離型不良が発生しているとは限らず、その効果にも限界がある。

離型性を改良するために、 P C中に配合する離型剤についての検討もされている。高密度光ディスク基板を成形する際に用いる離型剤の検討においては、成形条件も考慮しなければならない。即ち、微細な構造を有する高密度光ディスク基板を成形する際には、 P Cの流動性を上げる必要がある。そのため成形は、従来型の光ディスク基板の成形温度である 3 4 0 °Cよりも高い、 3 8 0 °C程度で行う必要がある。従って、高密度光ディスク基板を成形する際には、このような成形条件に適した離型剤を用いる必要がある。

特許文献 3には、光ディスクなどの情報記録媒体に用いる P Cについて、その離型性および耐加水分解性を改良するために、アルカリ金属イオン濃度が 1 0 0 p p m以下の脂肪族エステルを P Cに配合させることが提案されている。しかし、この提案においては 3 4 0 °C程度で成形する従来型の光ディスクを対象としており、この技術を直ちに高密度光ディスクに適用することはできない。高密度光デイスク基板の成形に際しては、脂肪族エステルの種類、配合量、アルカリ金属ィオン濃度などについてさらに検討する必要がある。

特許文献 4には、 P Cを一般成形材料として用いる際の、離型性および滞留熱安定性を改良するために、ナトリウムの含有量が 2 0 p p m以下のグリセリンモノエステルを P Cに配合させることが提案されている。し力し、この提案における離型性とは一般成形品における離型性であり、この技術を直ちに光ディスク基板の成形に適用できるとは限らない。また、この提案においては、光ディスク基板の成形に不向きな粘度平均分子量が高い P Cを 3 4 0 °C程度で成形することが検討されているのみである。

特許文献 5には、光ディスクの高温、高湿度下における白点の発生を防止する観点から、末端水酸基の含有暈の少ない PC中の残留ナトリウム量を 1 ppm以下にしたり、脂肪酸モノグリセリドを 20〜5, 000 ppm含有させることが提案されている。しかし、この提案においては、離型性については全く考慮しておらず、また 340°C程度で成形する従来型の光ディスクを対象としており、この技術を直ちに高密度光ディスク基板の成形に適用することはできない。

また、特許文献 6には、スタンパーへの付着物を低減させ良好な高密度光ディスクを得るため、揮発成分の少ない樹脂を用いることが提案されている。

(特許文献 1) 特開平 09_ 306038号公報

(特許文献 2) 特開 2000— 207788号公報 .

(特許文献 3) 特開平 7— 192309号公報

(特許文献 4) 特開平 10— 168296号公報

(特許文献 5) 特開平 3— 100501号公報

(特許文献 6) 特開 2000— 129113号公報発明の開示

以上のように、高度な離型性が要求され、かつ高温で成形される高密度光ディスク基板に対応した、離型剤、樹脂成分についての検討は充分ではない。

そこで、本発明の目的は、離型不良によるクラウドの発生を抑制し、効率的に高密度光ディスクおよびその基板を製造する方法を提供することにある。また本発明の目的は、高温で成形することによる色相や光線透過率の悪化を防止し、光学特性に優れた高密度光ディスクおよびその基板を製造する方法を提供することにある。

また本発明の目的は、熱安定性および耐加水分解性に優れた高密度光ディスクおよびその基板を提供することにある。

さらに本発明の目的は、高密度光ディスク基板の製造に適した、離型性、熱安定性、耐加水分解性に優れた樹脂組成物およびその製造方法を提供することにある。

本発明者は、高温で成形され、高度な離型性を要求される高密度光ディスクの基板を成形する際に用いる、離型剤、 PCについて鋭意検討したところ、ナトリゥム金属の含有量が 1 P pm未満のベヘン酸モノグリセリド（以下、 GMBと略すことがある）を離型剤として用いると、優れた離型性が達成され、かつ PCの熱安定性が向上することを見出し本発明を完成した。

即ち、本発明は、トラックピッチが 0. 74/i m以下の光ディスクの製造方法であり、該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂 100重量部に対しべヘン酸モノグリセリドを 0. 005〜0. 2重量部添加された樹脂組成物を準備する工程 (1)、該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド · グルーブトラックを有する基板を得る工程（2)、並びに該基板のピット、グルーブ、ランドまたはグループとランドの双方の上に情報記録再生層を形成する工程 (3) からなり、

該芳香族ポリ力一ポネート樹脂はナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 05 p pmで、粘度平均分子量が 10, 000〜 20， 000であり、該べヘン酸モノダリセリドはナトリウム金属の含有量が 1 p pm未満であることを特徴とする光ディスクの製造方法である。

また本発明は、トラックピッチが 0. m以下の光ディスクの基板の製造方法であって、

該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂 100重量部に対しべヘン酸モノグリセリドを 0. 005〜0. 2重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（1)、並びに

該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド ·グルーブトラックを有する基板を得る工程（2) からなり、

該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 05 p pmで、粘度平均分子量が 10, 000〜 20， 000であり、該べヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が 1 p pm未満であることを特徴とする基板の製造方法である。

また本発明は、トラックピッチが 0. 74 m以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物の製造方法であって、該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂 100重量部に対しべヘン酸モノグリセリドを 0. 005〜0. 2重量部添加された樹月旨組成物を準備する工程（1) からなり、

該芳香族ポリカーポネート樹脂はナトリゥム金属の含有量が 0. 0005〜 0.

05 p pmで、粘度平均分子量が 10， 000〜 20, 000であり、該べヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が 1 p pm未満であることを特徴とする樹脂組成物の製造方法を包含する。

さらに本発明は、トラックピッチが 0. 74 zm以下の光ディスクであって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が 50〜 2, 000 ppm、ナトリウム金属の含有量が 0. 05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜 20， 000 の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる基板を有する光ディスクを包含する。また本発明は、トラックピッチが 0. 74 //m以下の光ディスクの基板であつて、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が 50〜2, .000 p pm、ナトリウム金属の含有量が 0. 05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜20, 0 00の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド 'グループトラックを有する基板を包含する。

また本発明は、トラックピッチが 0. 74 m以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物であつて、ベへン酸モノグリセリドの含有量が 50〜2, 000 ppm、ナトリウム金属の含有量が 0. 05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 00 0〜20, 000の芳香族ポリカーボネート樹脂からなり、 380°Cで 10分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b値）の変化率（％) が 50% 以下で、光線透過率の変化率（％) が 10%以下である樹脂組成物を包含する。図面の簡単な説明図 1は、クラウド部のグループの変形を示す図である。

(符号の説明）

1 光ディスク基板

2 グループ

3 グループの変形部発明を実施するための最良の形態

樹脂組成物の製造

本発明の樹脂組成物の製造方法は、 PC 100重量部に対し GMBを 0. 00 5〜0. 2重量部添加された樹脂組成物を得る工程（1) からなる。ここで該 P Cはナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 05 p pmで、粘度平均分子量が 10， 000〜20, 000であり、該 GMBはナトリウム金属の含有量が 1 p pm未満である。

GMBは、 PC 100重量部に対し、好ましくは 0. 03〜0. 09重量部、より好ましくは 0. 04〜0. 05重量部添加する。 GMBの添加量が、 PC 1 00重量部に対し、 0. 005重量部未満ではクラウド軽減効果が期待できず、逆に 0. 2重量部を超えると色相や光線透過率の悪化、さらには付着物の増加が看過できないレベルまで達する場合がある。工程（1) を自ら実施するか、工程 (1) で得られた樹脂組成物を購入し、工程（2) に用いる樹脂組成物を準備することができる。

ベヘン酸モノグリセリド： GMB

GMBは、長鎖脂肪酸であるべヘン酸とグリセリンのモノエステルである。 G MB中のナトリウム金属含有量は 1 p pm未満、好ましくは 0.95 p pm以下、更に好ましくは 0. 5ppm以下、より好ましくは 0. l ppm以下である。具体的には、ナトリウム金属含有量は、 0. 05〜l ppm未満、より好ましくは 0. 05〜0. 95 ppm、 0. 05〜0. 5 ppm、さらに好ましくは 0. 0 5〜 0. 1 p pmである。

GMB中のナ卜リゥム金属含有量は下記の方法にて測定する。すなわちサンプル 5 gを塩ィヒメチレン 5 Omlに溶解し、ここに純水 8 Omlを添加 '攪拌し、純水に溶解しているナトリウム金属をイオンクロマトグラフィーにて定量する。この方法の検出限界は 0. 05 ppmである。このナトリウム金属含有量が 1 p pm以上になると製造されたディスク基板は色相が悪化し、また PCの加水分解による白色欠点が増加することにより品質が低下する。

ここで脂肪酸モノグリセリド系の離型剤については、脂肪酸部分の炭素数でその性能が特徴付けられるが、本発明によれば、ベヘン酸より炭素数の少ない脂肪酸ではスタンパーと樹脂の密着力低減効果が不十分である。逆にべヘン酸より炭素数の多い脂肪酸では揮発性が小さすぎることから、スタンパーと樹脂の界面における存在量が少なくなるため、やはりスタンパーと樹脂の密着力低減効果が不十分となる。

ナトリウム金属含有量が 1 ppm未満の GMBは、 GMBを通常の方法で製造した後、分子蒸留などにより精製して製造することができる。

具体的には、スプレーノズル式脱ガス装置によりガス分および低沸点物質を除去した後に流下膜式蒸留装置を用い蒸留温度 120〜150°C、真空度 0. 1〜 0. 2To r rの条件にてグリセリンを除去し、さらに遠心式分子蒸留装置を用いて蒸留温度 160〜230°C、真空度 0. 01〜0. 2 To r rの条件にて高純度の GMBを留出分として得る方法などがあり、ナトリゥム金属は蒸留残渣として除去できる。得られた留出分に対し、繰り返し分子蒸留を行うことにより、更に純度を上げ、ナトリウム金属含有量の少ない GMBを得ることもできる。また前もって適切な方法にて分子蒸留装置内を十分に洗浄し、また気密性を高めるなどにより外部環境からのナトリゥム金属成分の混入を防ぐことも肝要である。これらの方法で基本的には製造できるが、専門の製造業者（例えば理研ビタミン (株) ) にスペックを指定して特別に製造してもらうことができる。

芳香族ポリ力一ポネート樹脂： PC

該 PCは、ナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 05 ppm、好ましくは 0. 0005〜0. 01 p pm、より好ましくは 0. 0005〜0. 005 ppmである。ナトリウム金属の含有量が 0. 05 ppm以下の PCは、界面重合法によって製造された PCの反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して有機溶媒溶液とし、該 PC溶液を水洗し粗製溶液とした後、塩酸酸性にして水相導電率がイオン交換水と殆んど同じになるまで繰り返し水洗する方法により製造することができる。また、より効率的な方法として、界面重合法によって製造された PCの反応後の有機溶媒溶液において、 PC有機溶媒溶液中の水分量を有機溶媒の飽和溶解度以下の量にして、アルカリ金属塩化物、アルカリ水酸化物、未反応ジヒドロキシ化合物等の水溶性不純物を遊離固形化し、次いで濾過を行い遊離固形化した水溶性不純物を除去する方法（特開平 5— 186583号）によっても製造することができる。さらに、界面重合法により得られた PCの粗製溶液を水と混合し、該水を遠心分離する操作を少なくとも 1回実施し、 P C溶液 Iを得て (遠心分離工程)、得られた PC溶液 Iから、その溶液中の水分を除去して、固体成分として析出した水溶性不純物を含む PC溶液 I Iを得て（水分除去工程)、この得られた PC溶液 I Iから、 PC溶液に含有される固体成分を分離して、 PC 溶液 I I Iを得て（分離工程）、そして、この得られた PC溶液 I I Iから PCを回収する（回収工程）方法（特開 2003— 26793号）によっても製造することができる。他方、溶融重合法によって製造された PCを有機溶媒溶液とした後に水と混合し、前述の方法を適用することにより製造することもできる。以上の製造方法等で得られた P Cのナトリゥム金属の定量方法は、 P C中のナトリゥム金属含有量を原子吸光分析法、 I CP質量分析法など公知の方法にて測定することができる。

該 PCの粘度平均分子量（M) は、 10, 000〜20， 000、好ましくは 12, 000〜20， 000、より好ましくは 14, 000〜： L 8, 000である。かかる粘度平均分子量を有する PCは、光学用材料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明でいう粘度平均分子量は、塩化メチレン 10 Omlに PCO. 7 gを 2

0°Cで溶解した溶液を用いて測定された比粘度（77 _sp) を次式に挿入して求める Mを意味する。 77_SP/C= ίν] +0. 45X [v] ²C (但しは極限粘度)

[/?] =1. 23X 10- ⁴M⁰- ⁸³

c = 0. 7 PCは、通常二価フエノールとカーボネート前駆体とを界面重合法または溶融重合法で反応させて得られるものである。ここで使用される二価フエノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、 4, 4' ージヒドロキシジフエニル、ビス（4ーヒドロキシフエニル）メタン、ビス {(4—ヒドロキシ一 3, 5—ジメチル）フエ二ル} メタン、 1, 1一ビス（4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 1—フエニルェタン、 2, 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）プロパン（通称ビスフエノール A)、 2， 2 —ビス {(4—ヒドロキシー 3—メチル）フエ二ル} プロパン、 2， 2_ビス {(4 —ヒドロキシ一3, 5—ジメチル）フエ二ル} プロパン、 2, 2—ビス {(3, 5 —ジブロモ一 4—ヒドロキシ）フエ二ル} プロパン、 2， 2—ビス {(3 Γソプ口ピル一 4—ヒドロキシ）フエ二ル} プロパン、 2， 2_ビス {(4—ヒドロキシ一 3—フエニル）フエ二ル} プロパン、 2， 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）ブタン、 2， 2_ビス（4—ヒドロキシフエニル） _3_メチルブタン、 2, 2 —ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 3， 3—ジメチルブタン、 2， 4_ビス（4 —ヒドロキシフエニル）一2—メチルブタン、 2, 2—ビス（4—ヒドロキシフェニル）ペンタン、 2, 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 4—メチルペンタン、 1, 1—ビス（4—ヒドロキシフエニル）シクロへキサン、 1, 1一ビス (4—ヒドロキシフエニル）一4—イソプロビルシクロへキサン、 1, 1一ビス (4—ヒドロキシフエニル）一3, 3， 5—トリメチルシクロへキサン、 9， 9 —ビス（4—ヒドロキシフエニル）フルオレン、 9， 9—ビス {(4ーヒドロキシ —3—メチル）フエ二ル} フルオレン、 a, a —ビス（4ーヒドロキシフエ二ル） _ o—ジイソプロピルベンゼン、《，ひ，一ビス（4—ヒドロキシフエニル） —m—ジイソプロピルベンゼン、 α， α，一ビス（4ーヒドロキシフエニル） ― Ρ—ジイソプロピルベンゼン、 1, 3—ビス（4ーヒドロキシフエニル）一5， 7—ジメチルァダマンタン、 4， 4' ージヒドロキシジフエニルスルホン、 4, 4，ージヒドロキシジフエニルスルホキシド、 4, 4' —ジヒドロキシジフエ二ルスルフイド、 4, 4' —ジヒドロキシジフエ二ルケトン、 4， 4' —ジヒドロキシジフエニルエーテルおよび 4, 4' ージヒドロキシジフエニルエステル等があげられ、これらは単独または 2種以上を混合して使用できる。

なかでもビスフエノール A、 2, 2—ビス {(4—ヒドロキシ一 3—メチル）フェニル } プロパン、 2, 2_ビス（4—ヒドロキシフエニル）ブタン、 2， 2 - ビス（4—ヒドロキシフエニル）一3—メチルブタン、 2， 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）一3， 3—ジメチルブタン、 2， 2—ビス（4—ヒドロキシフェニル）一4—メチルペンタン、 1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエ二ル）一 3, 3， 5—トリメチルシクロへキサンおよび α, ' —ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 m—ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた少なくとも 1種のビスフエノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフエノール Aの単独重合体および 1, 1一ビス（4—ヒドロキシフエニル）—3, 3, 5—トリメチルシクロへキサンとビスフエノール A、 2, 2_ビス {(4—ヒドロキシ _ 3—メチル）フエ二ル} プロパンまたは α， α' —ビス（4—ヒドロキシフエニル） _ m—ジィソプ口ピルべンゼンとの共重合体が好ましく使用される。とりわけビスフエノール Aの単独重合体が好ましい。

カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフエニルカーボネートまたは二価フエノールのジハロホルメート等が挙げられる。

上記二価フエノールとカーボネート前駆体を界面重合法または溶融重合法によつて反応させて PCを製造するに当っては、必要に応じて触媒、二価フエノールの酸化防止剤等を使用してもよい。また P Cは三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐 PCであっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られた P Cの 2種以上を混合した混合物であつてもよい。

界面重合法または溶融重合法によって反応させて PCを製造する方法は周知である。例えば特開平 2001-225503号、特開 2003— 301099号、米国公開公報 2005- 106350号等を参照することができる。

P Cは一般的には重合体の末端〇 Hが単官能フエノール類で封止されている。これら単官能フエノール類の内、下記一般式 (1)

{式中、 Aは水素原子または炭素数 1〜 9のアルキル基もしくはフエニルアルキル基（アルキル部分の炭素数 1〜 9) であり、 rは 1〜5、好ましくは 1〜3の整数である。 }

で表される単官能フエノール類が好ましく、より好ましくはアルキル置換もしくはフエニルアルキル置換のフエノール類であり、特に好ましくは p_ t e r t - ブチルフエノールまたは p—クミルフエノールである。

これらの単官能フエノール類の末端停止剤は、得られた P Cの全末端に対して少くとも 5モル％、好ましくは少くとも 10モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは 2種以上混合して使用してもよい。

PCは、従来公知の方法（界面重合法、溶融重合法など）により製造した後、有機溶媒溶液状態において、純水を用いての P C中のアル力リ成分の抽出除去や有機溶媒溶液からの粒子化（造粒）を経た濾過処理を行い精製することが好ましい。

造粒（脱溶媒）後の粒状原料を、 PCの貧溶媒や非溶媒で洗浄して低分子量成分や未反応成分等の不純物や異物を除去することも好ましい。 PCの貧溶媒または非溶媒として、アセトンなどのケトン類、へキサンなどの脂肪族炭化水素、キシレンなどの芳香族炭化水素などが挙げられる。

射出成形に供するためのペレット状 PCを得る押出工程（ペレット化工程）では P Cの溶融状態の時に濾過精度 10 z/mの焼結金属フィルターを通すなどの手段により異物を除去したりすることが好ましい。いずれにしても射出成形前の P Cはナトリウムだけでなく、異物、不純物、溶媒などの含有量も極力低くしておくことが肝要である。また、 P Cには、前記した安定剤と離型剤の他に、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤等の各種添加剤等を単独でまたは 2種以上組み合わせて使用することもできる。

工程（1 )において P Cと、 GMBおよびその他の添加剤をブレンドするには、例えばタンブラ一、 V型プレンダー、スーパーミキサー、ナウ夕一ミキサー、バンバリ一ミキサー、混練ロール、押出機等が用いられる。こうして得られた樹脂組成物のパウダーやペレットは、そのままでも良いが、溶融押出機で一旦ペレツト状にしてから、射出成形法に供することができる。

G M B、その他の添加剤のブレンドにあたっては、一段階で実施してもよいが、二段階以上に分けて実施してもよい。二段階に分けて実施する方法には、例えば、 P Cパウダーやペレットの一部と GMBとをブレンドした後、つまり、 GM Bを P Cパゥダ一で希釈して GM Bのマスターバッチとした後、これを用いて最終的なプレンドを行う方法がある。

GM B、その他の添加剤の配合にあたっては、 GMBを押出機に直接添加、注入、あるいは加熱融解後注入する方法をとることもできる。また、界面重合法においては、重合終了後の P Cの有機溶媒溶液に GMBを添加溶解する方法も採用することができる。

本発明の樹脂組成物の製造の準備方法によれば、トラックピッチが 0 . 7 4 m以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が 5 0〜2 , 0 0 0 p p m、ナトリウム金属の含有量が 0 . 0 5 p p m以下である粘度平均分子量 1 0， 0 0 0〜2 0 , 0 0 0の芳香族ポリカーボネート樹脂（P C) からなり、 3 8 0 °Cで 1 0分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b値）の変化率（％) が 5 0 %以下で、光線透過率の変化率（％) が 1 0 %以下である樹脂組成物が得られる。本発明の樹脂組成物の製造法では添加するべヘン酸モノダリセリド中のナトリウム濃度を非常に低くしているため、たとえ樹脂組成物中のナトリゥム濃度自体は他の製造法と同程度であっても、樹脂組成物中のベヘン酸モノダリセリド近辺のナトリゥム存在量を低減することができ、これが上記色相の変化率及び光線透過率の変化率を低く抑えることに寄与しているのである。

光ディスクのトラックピッチは、好ましくは 0. 0 5〜0. 74 im、より好ましくは 0. 32 / m、 0. 4 または 0. 74 mである。

該 PCは、二価フエノールとして 2, 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）プ口パン、 1， 1—ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 3, 3, 5—トリメチルシクロへキサン、 α, ' 一ビス（4—ヒドロキシフエニル）一m—ジイソプロピルべンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものが好ましい。 PCは、特に、二価フエノールとして 2， 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）プロパンを使用して得られたものが好ましい。

該 PCの粘度平均分子量は、 14, 000〜1 8， 000あることが好ましい。該 PCのナトリウム金属含有量は 0. 0005〜0. O l p pmであることが好ましい。該 PCのべヘン酸モノグリセリド含有量は、好ましくは 200〜900 p pm、より好ましくは 3 50〜500 p pmである。

樹脂組成物は、 380 で 1 0分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b値）の変化率（％)が 5〜40%であることが好ましい。樹脂組成物は、 380 で 1 0分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における光線透過率の変化率（％) が 0. 5〜 5%であることが好ましい。

基板の製造方法

本発明の基板の製造方法は、工程（1) および工程（2) からなる。工程（1) は前述の通りである。工程（2) は、工程（1) で得られた樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グループトラック、ランドトラックまたはランド ·グループトラックを有する基板を得る工程である。本工程では、工程（1) を自ら実施するか、工程（1) で得られた樹脂組成物を購入し、樹脂組成物を準備することができる。

射出成形は、好ましくは、工程（1) で得られた樹脂組成物を熱溶融してスタンパーを設置した金型のキヤビティー内に充填し、加圧した後、冷却し、離型する工程からなる。射出成形は、射出成形機で行うことができる。この射出成形機（射出圧縮成形機を含む）としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。

射出成形の条件としてはシリンダー温度 350〜 400 °C、金型温度 50〜 1 401:が好ましく、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。樹脂の温度は 350〜400^が好ましい。

成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。

PCのナトリウム金属含有量は 0. 0005〜0. 01 ppmであることが好ましい。

本発明の基板の製造方法によれば、トラックピッチが 0. 74 im以下の光デイスクの基板であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が 50〜2， 000 p pm、ナトリウム金属の含有量が 0.05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜20， 000の芳香族ポリ力一ポネート樹脂（PC)からなる、 380 で 10分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b値）の変化率（％) が 50%以下で、光線透過率の変化率（％) が 10%以下である樹脂組成物からなる基板が得られる。

光ディスク基板のトラックピッチは、 0. 05〜0. 74 であることが好ましい。 PCの GMB含有量が 350〜500 p pmであることが好ましい。 P Cのナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 01 p pmであることが好ましい。 P Cの粘度平均分子量が 14 , 000〜18, 000であることが好ましい。

基板は、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グループトラック、ランドトラックまたはランド ·グループトラックを有する。基板の厚さは、 1. 1mm以下、好ましくは 0. 6〜1. 1mmである。光ディスクの製造方法

本発明の光ディスクの製造方法は、工程（1)、工程（2) および工程（3) からなる。工程（1) および工程（2) は、前述の通りである。工程（3) は、ェ程（2) で得られた基板上のピット、グループ、ランドまたはグループとランドの双方の上に、情報記録再生層を形成する工程である。

情報記録再生層として、反射層、保護層、記録層、界面層などが挙げられる。 DVD— ROMなど再生専用型光ディスクにおいては A 1、 A gなどの反射膜や Au、 S iなどの半透明膜をスパッ夕法によりピット上に形成する。 DVD— R などの追記型光ディスクにおいてはグルーブ上にァゾ色素、シァニン色素などの有機色素層をスピンコート法により塗布して記録層を形成し、さらに Au、 Ag 合金などの反射膜をスパッ夕法により形成する。 DVD— RAMなどの書換可能型光ディスクにおいては、グループもしくはランドグループ上に（保護層） S i 0₂/ (界面層） Z i S— S i 0₂/ (記録層） GeTe Sb₂Te₃SbZ (界面層） Z i S— S i〇₂/ (保護層） S i〇₂/ (反射層） A 1合金などからなる多層膜をスパッ夕法により形成する。

PCは、二価フエノールとして 2， 2—ビス（4—ヒドロキシフエニル）プロパン、 1， 1_ビス（4—ヒドロキシフエニル）一3， 3， 5—トリメチルシク口へキサン、ひ， α' —ビス（4ーヒドロキシフエニル）一m—ジイソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものであることが好ましい。 GMBはナトリウム金属の含有量が 0. 05〜1 ppm未満であることが好ましい。

工程（3)により、トラックピッチが 0. 74 m以下の光ディスクであって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が 50〜2, 000 ppm、ナトリウム金属の含有量が 0. 05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜 20, 000 の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる基板を有する光ディスクが得られる。光ディスクはトラックピッチが 0. 74/zm以下、好ましくは 0. 05〜0. 74 m、より好ましくは 0. 32 xm、 0. 40 ΓΠまたは 0. 74 mである。工程（3)により、例えば、下記に例示される構成の光ディスクが製造される。 DVD— ROM :基板、反射層

DVD— RAM :基板、保護層、界面層、記録層、界面層、保護層、反射層 DVD-R：基板、記録層、反射層

0 0— 1 ¥:基板、保護層、記録層、保護層、反射層

BD-ROM：基板、反射層 .

BD— RE：基板、反射層、保護層、界面層、記録層、界面層、保護層

BD-R：基板、反射層、記録層

HD DVD— ROM：基板、反射層

HD DVD— RW:基板、保護層、界面層、記録層、界面層、保護層、反射層 HD DVD— R：基板、記録層、反射層実施例

以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれに限定されるものではない。なお、評価は下記の方法に従った。

1. クラウド濃度

A 1反射膜を形成した基板 1， 000枚のうち、 100枚ごとに連続する 10 枚を抜き出した計 1 0 0枚について a e c o社製の DVD— DOMS (Diffraction Order Measurement System)を用い、基板全面に渡る 0次回折光量の分布を測定した。スタンパーの取付状態等の外乱による影響を抑制するため、スタンパーの取付け ·取外しを間にはさみ、上記の成形、測定を 1つの材料サンプルに対して 10回繰り返した。従って DVD— ROM基板を合計 10， 000 枚成形し、サンプル 1， 000枚を抜き出した。

次に以下の方法でクラウド濃度を測定した。

(1) ディスクの半径方向の 0次回折光量の変化量が 1. 2%/0. 8 mm以上になる部分を正常領域とクラウド領域の仮の境界領域とする。

(2) その境界領域の両側の 0次回折光量の平均値を算出し、それら平均値の平均値をしきい値とする。 (3) 上記しきい値より 0次回折光量が低い領域を真のクラウド領域、高い領域を真の正常領域とする。

(4) (3)の操作により真のクラウド領域と真の正常領域に区分けされた 0次回折光の分布デ一夕からクラウドが発生している領域の平均 0次回折光量と、それ以外の正常領域の平均 0次回折光量を求め、下記式（1) によりその差を算出する。なおそれぞれの回折光量は入射光量に対する比、すなわち反射率（％) で表した。

クラウド濃度（％) =正常領域の平均 0次回折光量（％) —クラウド領域の平均 0次回折光量（％) (1)

図 1に示すようなグループの変形があると回折効率が変化し、 0次回折光量が減少することから、この算出された差（クラウド濃度）はクラウドの程度を表す指標として用いることができる。つまり、クラウド濃度の数値が大きいほど、クラウドによる反射光量変化が大きく、原盤設計時に意図した反射光量が得られなくなり、再生信号や「トラッキング信号」の誤差を引き起こす。なお、材料サンプルの評価にはこのクラウド濃度として、 10回繰り返した成形 '測定における各々の測定値の平均値を用いた。

2. 色相、光線透過率

試料ペレットを 120°Cで 5時間乾燥した後、日本製鋼所（株）製の射出成形機 J 85EL I Iを用い、シリンダー温度 380°Cで 10分間滞留させたものと、させないものの試験片（縦 70mm、横 50mm、厚み 2mm) をそれぞれ作成し、その色相（b値）を測定した。また日立製作所（株）製の分光光度計 U— 4 100にて波長 405 nmの光線透過率を測定した。色相と光線透過率の各変化率は以下の方法で算出した。

色相変化率（％) = {色相（380°C滞留後）ノ色相（380 滞留前）} X 100— 100

光線透過率の変化率 (%) =100- {光線透過率（380°C滞留後）光線透過率（380°C滞留前） } X 100

3. 白色欠点住友重機械工業（株）製の射出成形機 D I SK3MI I Iにより成形された光ディスク基板（直径 120mm、厚さ 1. 2mm) を、温度 80で、相対湿度 8 5 %に制御した恒温恒湿槽に 168時間放置した後、基板中の大きさ 20 m以上の白点発生数を数えた。これを 25枚の光ディスク基板について行い、その平均値を求め、これを白点個数とした。

4. 付着物

住友重機械工業（株）製の射出成形機 D I SK3MI I Iにより光ディスク基板（直径 120mm、厚さ 0. 6 mm) を、シリンダ温度 380°C、金型温度 1 20での条件で 4, 000枚成形し、成形終了後のスタンパーに付着している汚れを、塩ィ匕メチレンを浸した不織布にて拭取った。次に不織布を 8 Om 1の塩化メチレンに 1昼夜浸したのち、不織布を取り除いて塩化メチレンを蒸発乾固させ、残った固形分の重量を測定した。これを 1つの材料サンカレにつき 3回繰り返し、その平均値を算出した。

5. ナトリウム金属含有量の測定方法

GMB中のナトリウム金属含有量：

サンプル 5 gを塩化メチレン 5 Omlに溶解し、ここに純水 8 Om 1を添加 · 攪拌し、純水に溶解しているナトリウム金属をイオンクロマトグラフィーにて定

PC、ペレツト中のナトリウム金属の含有量:分析試料約 1 gを灰化した後に、灰化物を塩酸で加熱分解し、これを希硝酸で溶解した溶液を原子吸光光度計にて測定した。

合成例 1 (芳香族ポリカーボネートパウダーの合成）

温度計、攪拌機および還流冷却器付き反応器にイオン交換水 219. 4部、 4 8%水酸化ナトリウム水溶液 40. 2部を仕込み、これに 2, 2—ビス（4ーヒドロキシフエニル）プロパン 57. 5部（0. 252モル）およびハイドロサルファイト 0. 12部を溶解した後、塩化メチレン 181部を加え、攪拌下 15〜 25 °Cでホスゲン 28. 3部を 40分要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、 48%水酸化ナトリウム水溶液 7. 2部および p— t e r t—プチルフエノール 2. 48部を加え、攪拌を始め、乳化後トリエチルァミン 0. 06部を加え、さらに 28〜33 °Cで 1時間攪拌して反応を終了した。

反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後、塩酸酸性にして水洗し、水相導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けた、二一ダ一にて塩化メチレンを蒸発させて、粘度平均分子量 1 5， 000のパウダーを得た。このパウダーにトリス（2， 4一ジ— t e r t _ブチルフエニルホスフアイトを 0. 0 1重量％を加え、芳香族ポリカーポネートパウダーを得た。

得られたポリカーボネートパウダーのナトリウム金属含有量は 0. 008 p p mであった。

実施例 1〜 2

(工程（1))

上記の芳香族ポリカーボネートパウダー 1 00重量部に対し、表 1に示す離型剤を表 1に示す量、添加混合し、ベント式二軸押出機（日本製鋼所（株）製 TE X— 30ひ）によりシリンダー温度 220 °Cで脱気しながら溶融混練しペレットを得た。表 1に示す離型剤は、理研ビタミン（株）に依頼して製造したものを用いた。樹脂組成物を用いて評価用の試験片を成形し、色相、光線透過率の評価を行った。結果を表 1に示す。

(工程（2))

工程（1) で得られたペレットを用いて、名機製作所（株）製の射出成形機 M — 3 5 B— D— DMと、型システム製の DVD金型（スタンパー内径 22 mm、可動側スタンパ一取付）により DVD— ROM基板（トラックピッチ 0. 74 / m) をシリンダ温度 37 5°C、金型温度（可動側） 1 1 1°C、金型温度（固定側) 1 0 5°C、離型エアブロー圧力（可動側） 3. 0 k g f /cm², 離型ェアブ口一圧力（固定側） 6. 0 k g f /cm², 離型エアブロー遅延時間 1. 0 s e c、型締カ（1次） 0. 0トン X 0. 3 7 s e c、型締カ（2次） 1 8. 8トン X 3. 44 s e c、型締カ（3次） 0. 0トン X 9. 90 s e c、射出速度 149 mm /s e c , 保圧 2 0 k g f / c m²、保圧時間 0. 3 2 s e c、冷却時間 3. 7 s e cの条件で成形し、 DVD— ROM基板を得た。

光ディスク基板の白色欠点および成形時の付着物の評価を行った。結果を表 1 に示す。

(工程（3))

また DVD— ROM基板の信号面側に A 1反射膜をスパッタ法により形成しクラウド濃度の評価を行った。結果を表 1に示す。更に該基板の A 1反射膜上に U V硬化性の接着剤を塗布し、 A 1反射膜の形成されていない第 2の DVD— R〇 M基板を A 1反射膜に対向して重ね合わせた後に、スピナ一にて基板を高速回転させることにより遠心力で接着剤を両基板間に塗り広げ、 U Vランプにより U V 光を照射して接着剤を硬化させ D V D— R O Mを得た。

比較例 1〜 4

実施例と同様の方法で表 1に示す離型剤を添加混合し、同様の方法でペレツトを得た。このペレットを用いて、 DVD— ROM基板および DVD— ROMを製造し、クラウド濃度、色相、光線透過率、付着物の評価を行った。結果を表 1に示す。

表 1

単位実施例 1 実施例 2 比較例 1 比較例 2 比較例 3 比較例 4 離型剤ク'リセリンク'リセリングリセリングリセリンク'リセリンク'リセリンモノへ'へネートモノへ'へネートモノへ'へネートモノステアレートモノステアレートモノへへネート離型剤添加量重量部 0.0420 0.0420 0.0400 0.0420 0.0400 0.2500 離型剤中のナトリウム金属含有量 pm 0.4 0.9 10.1 0.2 9.8 0.4 クラウド濃度 % 0.827 0.826 0.831 1.072 1.224 0.809 色相 (380°C滞留前） - 3.07 3.10 3.33 3.04 3.27 3.54 色相 (380°C滞留後） - 4.24 4.39 5.61 4.51 6.03 4.88 色相変化率 % 38 42 68 48 84 38 光線透過率 (380°C滞留前） % 88.43 88.45 88.09 88.53 88.12 88.29 光線透過率 (380°C滞留後） % 85.25 85.02 81.55 85.37 82.65 85.06 光線透過率の変化率 % 4 4 7 4 6 4 白色欠点個/枚 0.71 0.80 4.2 0.64 3.76 1.13 付着物 mg 3.5 3.1 3.2 3.3 3.3 7.5

表 1によれば、ナトリウム金属含有量が 1 P p m未満であるべヘン酸モノダリセリドを用いることにより、クラウド濃度を軽減することができることが分かる。また色相や光線透過率の悪化を防止できることが分かる。また金型やスタンパー汚れ、白色欠点の増加を防止できることが分かる。発明の効果

本発明によれば、離型不良によるクラウドの発生を抑制し、効率的に光デイスクおよびその基板を製造することができる。また本発明によれば、高温で成形することによる色相や光線透過率の悪化を防止し、光学特性に優れた光ディスクおよびその基板を製造することができる。本発明によれば、高密度光ディスクの基板を成形するに適した、高度な離型性を有し、熱安定性に優れた樹脂組成物を製造することができる。

本発明の高密度光ディスクは、熱安定性および耐加水分解性に優れ、かつ光学特性に優れる。本発明の高密度光ディスク基板は、耐加水分解性に優れ高温、高湿度下に保持しても、白点の発生数が少ない。よって、優れた光学特性を有する高密度光ディスクを提供することができる。本発明の樹脂組成物は、熱安定性に優れ高温に保持しても、色相および光線透過率の変化が少ない。また、優れた離型性を有する。産業上の利用可能性

本発明は、 D V D、 B l u— r a y D i s c、 HD D VD等の高密度光デイスクにおいて適用できる。

Claims

請求の範囲

1. トラックピッチが 0. 74 m以下の光ディスクの製造方法であり、該方法は、芳香族ポリ力一ポネート樹脂 1 00重量部に対しべヘン酸モノグリセリドを 0. 00 5〜0. 2重量部添加された樹脂組成物を準備する工程（1)、該樹脂組成物を射出成形し、半径方向にトラックピッチと同一の間隔で配置された、ピットトラック、グルーブトラック、ランドトラックまたはランド ·グルーブトラックを有する基板を得る工程（2)、並びに

該基板のピット、グルーブ、ランドまたはグルーブとランドの双方の上に情報記録再生層を形成する工程（3) からなり、

該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が 0. 000 5〜0. 0 5 p pmで、粘度平均分子量が 1 0, 000〜 20, 000であり、該べヘン酸モノダリセリドはナトリウム金属の含有量が 1 p pm未満であることを特徴とする光ディスクの製造方法。

2. 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フエノールとして 2， 2—ビス（4 ーヒドロキシフエニル）プロパン、 1， 1 _ビス（4—ヒドロキシフエニル）一

3. 3， 5 _トリメチルシクロへキサン、ひ， a —ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 m—ジィソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものである請求項 1記載の製造方法。

3. 該べヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が 0. 0 5〜l p p m未満である請求項 1記載の製造方法。

4. 該光ディスクは、卜ラックピッチが 0. 0 5〜0. 74 mである請求項 1記載の製造方法。

5. 該光ディスクは、トラックピッチが 0. 3 2 m、 0. 40 ^171または0. 74 /mである請求項 1記載の製造方法。

6. トラックピッチが 0. 74 以下の光ディスクの基板の製造方法であつて、

該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 05 p pmで、粘度平均分子量が 10, 000〜20， 000であり、該べヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が 1 ppm未満であることを特徴とする基板の製造方法。

7. 該芳香族ポリカーボネ一ト樹脂のナトリゥム金属含有量が 0. 0005〜 0. 01 p pmである請求項 6記載の製造方法。

8. トラックピッチが 0. 74 m以下の光ディスクの基板用の榭脂組成物の製造方法であって、

該方法は、芳香族ポリカーボネート樹脂 100重量部に対しべヘン酸モノグリセリドを 0. 005〜0. 2重量部添加された樹脂組成物を得る工程（1) からなり、

該芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウム金属の含有量が 0. 0005〜0. 05 p pmで、粘度平均分子量が 10， 000〜20， 000であり、' 該べヘン酸モノグリセリドはナトリウム金属の含有量が 1 ppm未満であることを特徴とする樹脂組成物の製造方法。

9. 該芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリウム金属の含有量が 0. 0005 〜0. 01 ppmである請求項 8記載の製造方法。

10. トラックピッチが 0. 74 / m以下の光ディスクであって、ベへン酸モノグリセリドの含有量が 50〜2, 000 p pm、ナトリウム金属の含有量が 0.

05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜20， 000の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる基板を有する光ディスク。

11. トラックピッチが 0. 05〜0. 74 mである請求項 10記載の光デイスク。

12. トラックピッチが 0. 32//m、 0. 40 mまたは 0. 74 imである請求項 10記載の光ディスク。

13. トラックピッチが 0. 74 / m以下の光ディスクの基板であって、ベへン酸モノグリセリドの含有量が 50〜 2， 000 ppm、ナトリウム金属の含有量が 0. 05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜 20, 000の芳香族ポリ力一ポネート樹脂からなり、 380°Cで 10分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b値）の変化率（％) が 50%以下で、光線透過率の変化率（％) 力 U 0%以下である樹脂組成物からなる基板。

14. 芳香族ポリカーボネート樹脂のベヘン酸モノグリセリド含有量が 350 〜 500 p p mである請求項 13記載の基板。

15. 芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリゥム金属の含有量が 0. 0005 〜0. 01 p pmである請求項 13記載の基板。

16. 芳香族ポリ力一ポネート樹脂の粘度平均分子量が 14， 000〜18， 000である請求項 13記載の基板。

17. トラックピッチが 0. 74 /X m以下の光ディスクの基板用の樹脂組成物であって、ベヘン酸モノグリセリドの含有量が 50〜2， O O O pprru ナトリゥム金属の含有量が 0. 05 p pm以下である粘度平均分子量 10, 000〜2 0, 000の芳香族ポリカーボネート樹脂からなり、 380°Cで 10分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b値）の変化率（％) が 50%以下で、光線透過率の変化率（％) が 10%以下である樹脂組成物。

18. 芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フエノールとして 2， 2—ビス（4 —ヒドロキシフエニル）プロパン、 1， 1_ビス（4ーヒドロキシフエニル）一 3, 3, 5—トリメチルシクロへキサン、ひ， α' —ビス（4—ヒドロキシフエニル）一 m—ジイソプロピルベンゼンまたはこれらの混合物を使用して得られたものである請求項 17記載の樹脂組成物。

19. 芳香族ポリ力一ポネート樹脂は、二価フエノールとして 2, 2—ビス（4 —ヒドロキシフエニル）プロパンを使用して得られたものである請求項 17記載の樹脂組成物。

20. 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が 14, 000〜 18 , 000である請求項 17記載の樹脂組成物。

21. 芳香族ポリカーボネート樹脂のナトリウム金属含有量が 0. 0005〜 0. 01 p pmである請求項 1 Ί記載の樹脂組成物。

22. 芳香族ポリカーボネート樹脂のベヘン酸モノダリセリド含有量が 200 〜 900 p pmである請求項 17記載の樹脂組成物。

23. 芳香族ポリカーボネート樹脂のベヘン酸モノダリセリド含有量が 350 〜 500 p pmである請求項 17記載の樹脂組成物。

24. 380°Cで 10分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における色相（b 値）の変化率（％) が 5〜40%である請求項 17記載の樹脂組成物。

25. 380 °Cで 10分加熱後の、厚さ 2 mmの射出成形板における光線透過率の変化率（％) が 0. 5〜 5%である請求項 17記載の樹脂組成物。