JP2000080261A - 光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および光ディスク基板 - Google Patents
光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および光ディスク基板Info
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Abstract
学用、特に光ディスク基板に適したポリカーボネート樹
脂よりなる光学用ポリカーボネート樹脂成形材料を提供
する。 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂に、(A)高級脂
肪酸エステル100〜1,000ppm、(B)トリス
(ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト5〜3
00ppm、(C)亜リン酸1ppm〜20ppmを配
合してなる光学用ポリカーボネート樹脂成形材料及び光
ディスク基板。
Description
脂よりなる光学用ポリカーボネート樹脂成形材料に関す
る。更に詳しくは成形性、熱安定性および耐加水分解性
に優れた光学用、特に光ディスク基板に適した成形材料
に関するものである。
耐熱性や寸法安定性も優れているので、光学記録材料例
えば光ディスク材料として利用されている。ポリカーボ
ネート樹脂が使用されている光ディスクとして、具体的
にはコンパクトディスク(CD)が代表的であるが、最
近記録容量、特に記録密度が一層向上したDVD、DV
D−ROM、DVD−RあるいはDVD−RAMの開発
が進められている。
の少ない事が重要な要求特性であって、一般に複屈折が
100nm以下である事が必須条件とされている。この
様な低い複屈折の成形品を得るには、成形時に良好な流
動性や離型性が要求される。成形時の流動性を良くする
ために、粘度平均分子量が約20,000以下のポリカ
ーボネート樹脂を使用している。しかしながら、それで
も成形時の樹脂温度は300℃〜400℃という高温を
必要とし、解重合による分子量低下や熱劣化による着色
が生じ易い。そのため、ポリカーボネート樹脂に対して
優れた耐熱性が要求される。
改良する方法として種々の化合物を配合する試みがなさ
れている。これらの化合物としてとくに亜リン酸トリフ
ェニル、亜リン酸トリクレジルの如き亜リン酸エステル
が一般的である。かかる亜リン酸エステルはポリカーボ
ネート樹脂の加工温度ではかなり高い蒸気圧を有するた
め、充分な熱安定性を付与し得る量を使用すると、得ら
れる成形品に気泡やいわゆるシルバーが入り易いという
問題が発生する。その改良技術としてポリカーボネート
樹脂に部分エステルと亜リン酸エステルを用いた光学用
組成物が提案されている。(特公平1−23498)。
しかし、近年では、成形のハイサイクル化に伴う高い離
型性が要求される様になってきた。
ク基板のもう一つの問題として、局所加水分解物の発生
が挙げられる。これは光ディスク基板を高温高湿下で長
時間放置した際、基板内に10〜100μ程度の球状の
白色欠点が発生する問題である。この白色欠点は発生場
所により情報の読み取りを妨げるため可及的に減少させ
る必要がある。この白色欠点の発生メカニズムについて
は明らかでないが、アルカリ性の微小物質がトリガーと
なって引き起こされていると考えられる。これらの問題
を解決するため本発明者は以前ポリカーボネート樹脂に
高級脂肪酸の部分エステル、リン酸トリメチル、亜リン
酸エステルおよび亜リン酸を配合した光学用成形材料を
提案した(特開平10−60247号公報)。
許公報における成形性、熱安定性、白色欠点抑制力を損
ねること無く、耐加水分解性をさらに向上させたポリカ
ーボネート樹脂を提供することである。
め鋭意研究をかさねた結果、高級脂肪酸エステル特に高
級脂肪酸と多価アルコールとから誘導される部分エステ
ル、トリス(ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファ
イトおよび亜リン酸をそれぞれ特定量併用することによ
って、ポリカーボネート樹脂にその優れた成形性、熱安
定性および耐加水分解性を付与し得ることを究明し、本
発明を完成した。
ト樹脂に(A)高級脂肪酸エステル100〜1,000
ppm、(B)トリス(ジ−tert−ブチルフェニ
ル)ホスファイト5〜300ppm、(C)亜リン酸1
〜20ppmを配合してなる光学用ポリカーボネート樹
脂成形材料および該材料および光ディスク基板に係わる
ものである。以下本発明についてさらに詳しく説明す
る。
通常二価フェノールとポリカーボネート前駆体とを溶液
法または溶融法で反応させて得られるものである。ここ
で使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハ
イドロキノン、レゾルシノール、4,4’−ジヒドロキ
シジフェニル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、ビス{(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチル)フェ
ニル}メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン(通称ビスフェノールA)、2,2
−ビス{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}プ
ロパン、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3,5−ジメ
チル)フェニル}プロパン、2,2−ビス{(3,5−ジ
ブロモ−4−ヒドロキシ)フェニル}プロパン、2,2
−ビス{(3−イソプロピル−4−ヒドロキシ)フェニ
ル}プロパン、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3−
フェニル)フェニル}プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−3−メチルブタン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジメチルブタン、2,
4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル−4−メチ
ルペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−4−イソプロピルシクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)3,3,5−トリメチルシク
ロヘキサン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
フルオレン、9,9−ビス{(4−ヒドロキシ−3−メ
チル)フェニル}フルオレンα,α’−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−o−ジイソプロピルベンゼン、α,
α’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプ
ロピルベンゼン、α,α’−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−p−ジイソプロピルベンゼン、1,3−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−5,7−ジメチルアダマ
ンタン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルホン、
4,4’−ジヒドロキシフェニルスルホキシド、4,4’
−ジヒドロキシフェニルスルフィド、4,4’−ジヒド
ロキシジフェニルケトン、4,4’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテルおよび4,4’−ジヒドロキシジフェニ
ルエステル等があげられ、これらは単独または2種以上
を混合して使用できる。
{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}プロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル
ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3−ジメチルブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−4−メチルペンタン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−3,3、5−トリメチルシクロヘ
キサンおよびα,α’−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−m−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ば
れた少なくとも一種のビスフェノールより得られる単独
重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノー
ルAの単独集合体および1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンとビ
スフェノールA、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3
−メチル)フェニル}プロパンまたはα,α’−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベン
ゼンとの共重合体が好ましく使用される。
ライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等
が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネ
ートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げ
られる。上記二価フェノールとカーボネート前駆体を溶
液法または溶融法によって反応させてポリカーボネート
樹脂を製造するに当たっては、必要に応じて触媒、末端
停止剤、二価フェノールの酸化防止剤を使用しても良
い。又ポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳
香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であ
っても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共
重合したポリエステルポリカーボネート樹脂であっても
よく、また、得られたポリカーボネート樹脂の二種以上
を混合した混合物であってもよい。
とホスゲンの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存
在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物ま
たはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶媒
としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のため
に例えばトリエチルアミン、テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルホスホニウムブ
ロマイド等の第3級アミン、第4級アンモニウム化合
物、第4級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常0〜40℃、反応時間
は10分から5時間程度、反応中のPHは9以上に保つ
のが好ましい。
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として一般的に使用され、また得られた
ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に
基づく基によって封鎖されているので、そうでないもの
と比べて熱安定性に優れている。かかる単官能フェノー
ル類としては、一般にはフェノールまたはアルキル置換
フェノールであって、下記一般式(1)で表される単官
能フェノール類を示すことができる。
9、好ましくは1〜8の脂肪族炭化水素基でありrは1
〜5、好ましくは1〜3の整数である。]
は、例えばフェノール、p−tert−ブチルフェノー
ル、p−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。
長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換
基として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いてポリカーボネート
共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤また
は分子量調整剤として機能するのみならず、樹脂の溶融
流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでな
く、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効
果が有り、また基板の複屈折率が低減される効果もあ
り、好ましく使用される。なかでも、下記一般式(2)
および(3)で表される長鎖のアルキル基を置換基とし
て有するフェノール類が好ましく使用される。
−O−CO−である。ここでRは単結合または炭素数1
〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭化水素基を
示し、nは10〜50の整数を示す。]
してはnが10〜30、特に10〜26のものが好まし
く、その具体例としては例えばデシルフェノール、ドデ
シルフェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシ
ルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフ
ェノール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフ
ェノール等を挙げることができる。
してはXが−R−CO−O−であり、Rが単結合である
化合物が適当であり、nが10〜30、特に10〜26
のものが好適であって、その具体例としては例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。
ボネート樹脂の全末端に対して少なくとも5モル%、好
ましくは少なくとも10モル%末端に導入されることが
望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは2種以上混
合して使用してもよい。
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常120〜350℃の範囲である。
反応後期には系を10〜0.1Torr程度に減圧して
生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさ
せる。反応時間は通常1〜4時間程度である。
ていてもよい炭素数6〜10のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数1〜4のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス(クロロフェニル)カーボネー
ト、m−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス(ジフェニル)カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などがあげられ、なかでもジフェニルカーボネートが特
に好ましい。
用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナ
トリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸
化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等
のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩
基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコ
キシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩
類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合
物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ
化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモ
ン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物類、ジル
コニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル
交換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒
は単独で使用してもよいし、2種以上組み合わせ使用し
てもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フ
ェノール1モルに対し、好ましくは1×10-9から10
-3当量、より好ましくは1×10-8〜5×10-4当量の
範囲で選ばれる。
ル性の末端基を減少するために、重宿反応の後期あるい
は終了後に、例えばビス(クロルフェニル)カーボネー
ト、ビス(ブロモフェニル)カーボネート、ビス(ニト
ロフェニル)カーボネート、ビス(フェニルフェニル)
カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネート、
ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェニル
フェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネー
ト、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネー
ト、およびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボ
ネート等の化合物を加えることが好ましい。なかでも2
−クロロフェニルフェニルカーボネート、2−メトキシ
カルボニルフェニルフェニルカーボネートおよび2−エ
トキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好ま
しく、特に2−メトキシカルボニルフェニルカーボネー
トが好ましく使用される。
均分子量(M)で10,000〜22,000が好まし
く、11,000〜20,000がより好ましく、12,
000〜18,000が特に好ましい。かかる粘度平均
分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材料と
して充分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も
良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明でいう
粘度平均分子量は塩化メチレン100mLにポリカーボ
ネート樹脂0.7gを20℃で溶解した溶液から求めた
比粘度(ηsp)を次式に挿入して求めたものである。 ηsp/c=[η]+0.45×[η]2c(但し[η]は
極限粘度) [η]=1.23×10-4M0.83 c=0.7
スチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、
ベヘン酸、硫化魚油の脂肪酸等の炭素数10〜22の一
価脂肪酸と例えばエチレングリコール、グリセリン、ペ
ンタエリスリトール等の多価アルコールから誘導される
部分エステルの単独または混合物である。そのエステル
化率は、多価アルコールを完全にエステル化した時のエ
ステル化率を100%とすると10〜80%、好ましく
は20〜60%の範囲である。この(A)成分の使用量
はポリカーボネート樹脂に対し100〜1,000pp
m、好ましくは200〜900ppmの範囲である。1
00ppmより少ないと、溶融成形時の離型性が悪くな
って成形品に曇りや離型歪に基づく光学的歪を生じるよ
うになり、1,000ppmより多いと溶融成形時に熱
分解により成形品にシルバーを生じさせたり、基板やス
タンパーに汚れを発生させるようになる。
ブチルフェニル)ホスファイトはポリカーボネート樹脂
の熱安定性を向上させると共に(A)成分との相互作用
によって成形品の色相を改善する効果を奏する。その使
用量はポリカーボネート樹脂に対し5〜300ppm、
好ましくは10〜200ppmである。5ppmより少
ないと、充分な熱安定性向上効果や色相改善効果を発現
し難く、300ppmを超えると、耐沸水性が低下す
る。かかるトリス(ジ−tert−ブチルフェニル)ホ
スファイトの具体的例として、トリス(2,4−ジ−t
ert−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,
6−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト等が
挙げられ、これらを2種以上併用してもよい。また、こ
れらの中でトリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェ
ニル)ホスファイトが最も好ましい。
はポリカーボネート樹脂に対し1〜20ppmであり、
好ましくは1〜15ppmであり、特に好ましくは1〜
10ppmである。1ppmより少ないと充分な加水分
解抑制効果が得られ難く、20ppmを超えるとポリカ
ーボネート樹脂の色相に影響を与える様になり易い。
合法によって実施でき、混合の順序も任意でよい。特に
押出機による溶融混合法が最も好ましい方法である。ま
た、本発明の成形材料は例えば樹脂温度300〜400
℃、金型温度60〜140℃で射出成形または射出圧縮
成形により光ディスク基板を成形することができる。更
に、本発明の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料には
必要に応じて例えば紫外線吸収剤、着色剤等の添加剤を
配合することができる。
明する。なお、評価は下記の方法によった。
(株)製ネオマット150/75]によりシリンダー温
度380℃、成形サイクル35秒で成形中、成形を一旦
停止して380℃で10分間滞留させた後成形を再開
し、滞留前後のL値、a値、b値をスガ試験機(株)製
色差計により測定し、下記式により色差(△E)を求め
た。△Eが大きい程色が悪くなり、耐熱性に劣ることを
示す。
り、L2、a2、b2は滞留後のL値、a値、b値であ
る。]
い程色が悪いことを示す。
℃×100%RHの条件下で200時間放置し、その前後
の粘度平均分子量の(△M)を求めた。△Mが大きい程
分子量低下が大きいことを示す。
肉厚4mm、高さ20mm、底部直径63mm、上部開
口直径70mmのカップ状成形品を成形する際に突出し
プレートに取り付けたストレンゲージにより離型荷重を
測定し、離型性を評価した。離型応力が小さい程離型性
の良いことを示す。
ISK3 MIII ]により光ディスク用基板(直径12
0mm、厚さ1.2mm)を成形し、その基板25枚を
80℃×85%RHの条件下で168時間放置した後、
光学顕微鏡を用いて基板中の球状白色欠点を数え、これ
を白色欠点数とした。
による汚れやシルバー等)の有無を判定した。欠点無し
を○、欠点少し有を×、欠点多数有を××として評価し
た。
換水219.4部、48%水酸化ナトリウム水溶液40.
2部を仕込み、これに2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン57.5部(0.252モル)およびハ
イドロサルファイト0.12部を溶解した後、塩化メチ
レン181部を加え、撹拌下15〜25℃でホスゲン2
8.3部を40分要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み
終了後、48%水酸化ナトリウム水溶液7.2部および
p−tert−ブチルフェノール2.42部を加え、撹
拌を始め、乳化後トリエチルアミン0.06部を加え、
さらに28〜33℃で1時間撹拌して反応を終了した。
反応終了後生成物を塩化メチレンで稀釈して水洗した後
塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と
ほとんど同じになったところで、軸受け部に異物採取口
を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸
発して、粘度平均分子量14,000のパウダーを得
た。ついでこのパウダーに表1記載の量の脂肪酸エステ
ル、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)
ホスファイト、亜リン酸を添加混合して250〜270
℃の温度範囲で30mm押出機によりスレッドを押出し
カッターでペレット化した。このペレットを用い前記の
評価方法により各項目を評価し、その結果を表1にまと
めた。
−ヒドロキシフェニル)プロパン50.2部(0.22モ
ル)、ジフェニルカーボネート(バイエル社製)49.
2部(0.23モル)および触媒として水酸化ナトリウ
ム0.000005部とテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド0.0016部を仕込み、窒素置換した。この
混合物を200℃まで加熱しながら溶解させた。次い
で、減圧度を30Torrとした加熱しながら1時間で
大半のフェノールを留去し、さらに270℃まで温度を
上げ、減圧度を1Torrとして2時間重合反応を行っ
たところで、末端停止剤として2−メトキシカルボニル
フェニルフェニルカーボネート2.3部を添加した。そ
の後270℃、1Torr以下で5分間末端封鎖反応を
行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤としてドデ
シルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を
0.0023部(4×10-5モル/ビスフェノール1モ
ル)添加して270℃、10Torr以下で10分間反
応を継続し、粘度平均分子量14,000のポリマーを
得た。このポリマ−をギアポンプで30mm押出機に送
った。押出機の途中で表1記載の脂肪酸エステル、トリ
ス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファ
イト、亜リン酸を加え、250〜270℃の温度範囲で
30mm押出機によりストランドを押出しカッタ−でペ
レット化した。このペレットを用い前記の評価方法によ
り各項目を評価し、その結果を表1にまとめた。
は下記の通りである。 A1:ステアリン酸モノグリセリド A2:ベヘン酸モノグリセリド
形材料は色相、耐熱性、耐沸水性および離型性に優れて
いるので、310℃〜400℃の高温で成形しても分
解、焼け、シルバー等を生ずることなく、金型を正確に
転写し、実用上問題になる様な光学的歪みがなく且つ高
温高湿下で長時間放置しても球状白色欠点の発生がない
成形品が得られる。従って光ディスク用基板、各種レン
ズ、プリズム、フレネルレンズ等の光学用途に有用であ
り、特に光ディスク用基板として優れている。
Claims (5)
- 【請求項1】 ポリカーボネート樹脂に、(A)高級脂
肪酸エステル100〜1,000ppm、(B)トリス
(ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト5〜3
00ppm、(C)亜リン酸1ppm〜20ppmを配
合してなる光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。 - 【請求項2】 高級脂肪酸エステルが炭素数10〜22
の一価脂肪酸と多価アルコールとから誘導される部分エ
ステルである請求項1記載の光学用ポリカーボネート樹
脂成形材料。 - 【請求項3】 ポリカーボネート樹脂の分子量が、粘度
平均分子量で表して12,000〜18,000である請
求項1記載の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。 - 【請求項4】 請求項1記載の光学用ポリカーボネート
樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。 - 【請求項5】 請求項1記載の光学用ポリカーボネート
樹脂成形材料よりなるDVD用光ディスク用基板。
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WO2006025587A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Teijin Chemicals Ltd. | 光ディスク |
JP2013252975A (ja) * | 2007-03-20 | 2013-12-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 芳香族ポリカーボネートペレットの輸送方法、気力輸送方法 |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP25077898A patent/JP4091693B2/ja not_active Expired - Fee Related
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