JP2003238791A - 光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形時の歩留りが良く、且つ信頼性の高
い光ディスク基板を得るための芳香族ポリカーボネート
樹脂を提供する。 【解決手段】 芳香族ポリカーボネート樹脂１００質量
部に対し、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを
０．０１５〜０．０５質量部添加するとともに、２５℃
で測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を添加し
て、該樹脂の含水量を０．０５〜０．３質量％に調節し
ながら、押出成形し、冷却、切断してペレット化してな
る粘度平均分子量（Ｍｖ）が１０，０００〜２０，００
０である光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂
である。
い光ディスク基板を得るための芳香族ポリカーボネート
樹脂を提供する。 【解決手段】 芳香族ポリカーボネート樹脂１００質量
部に対し、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを
０．０１５〜０．０５質量部添加するとともに、２５℃
で測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を添加し
て、該樹脂の含水量を０．０５〜０．３質量％に調節し
ながら、押出成形し、冷却、切断してペレット化してな
る粘度平均分子量（Ｍｖ）が１０，０００〜２０，００
０である光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームの集光に
より情報の記録、再生又は記録、再生、消去等を行う高
密度の光記録媒体に用いられる芳香族ポリカーボネート
樹脂に関するものであり、更に詳しくは、本発明は、成
形性、物性に優れたコンパクトディスク（音楽用ＣＤ、
ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ及びＣＤ−ＲＷ）、ＭＯ、ＭＤ
及びデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、
ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＤ−ＲＡＭ）等の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂に関するも
のである。
より情報の記録、再生又は記録、再生、消去等を行う高
密度の光記録媒体に用いられる芳香族ポリカーボネート
樹脂に関するものであり、更に詳しくは、本発明は、成
形性、物性に優れたコンパクトディスク（音楽用ＣＤ、
ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ及びＣＤ−ＲＷ）、ＭＯ、ＭＤ
及びデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、
ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＤ−ＲＡＭ）等の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク基板としては、芳香族ポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及びガラ
ス等が用いられるが、射出成形によって微細な成形が容
易で、大量生産に適すること等から樹脂が主として用い
られている。更に、光ディスク基板の耐衝撃性等の強
度、更には透明性、耐熱性、低吸水性等の点から芳香族
ポリカーボネート樹脂が用いられている。
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及びガラ
ス等が用いられるが、射出成形によって微細な成形が容
易で、大量生産に適すること等から樹脂が主として用い
られている。更に、光ディスク基板の耐衝撃性等の強
度、更には透明性、耐熱性、低吸水性等の点から芳香族
ポリカーボネート樹脂が用いられている。
【０００３】ところで、芳香族ポリカーボネート樹脂ペ
レットの溶融押出し成形時に光ディスク基板周囲に発生
したバリは、離型時に金型と擦れて浮遊塵となり光ディ
スク基板表面に付着したり、金型に付着して次回の光デ
ィスク基板の成形時に基板内に混入し、成形工程後の傷
欠陥検査で異物又は光学的欠陥として検出され、光ディ
スク基板の歩留りを下げる原因となる。バリの発生を抑
制し、円滑な離型を実現するため、離型剤を芳香族ポリ
カーボネート樹脂に配合することは公知である。例え
ば、特開平１０−６０１０５号公報には、炭素数１４〜
３０の脂肪酸モノグリセリドを０．０６〜０．１質量％
含有する光ディスク基板用芳香族ポリカーボネートが開
示されている。
レットの溶融押出し成形時に光ディスク基板周囲に発生
したバリは、離型時に金型と擦れて浮遊塵となり光ディ
スク基板表面に付着したり、金型に付着して次回の光デ
ィスク基板の成形時に基板内に混入し、成形工程後の傷
欠陥検査で異物又は光学的欠陥として検出され、光ディ
スク基板の歩留りを下げる原因となる。バリの発生を抑
制し、円滑な離型を実現するため、離型剤を芳香族ポリ
カーボネート樹脂に配合することは公知である。例え
ば、特開平１０−６０１０５号公報には、炭素数１４〜
３０の脂肪酸モノグリセリドを０．０６〜０．１質量％
含有する光ディスク基板用芳香族ポリカーボネートが開
示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】炭素数１４〜３０の脂
肪酸モノグリセリドの添加量が０．０６質量％以上の場
合、光ディスク基板の金型離型性が良好になることは当
然である。しかしながら、光ディスクは記録媒体として
長期間、データを保存し続ける必要がある。本発明者ら
の、９０℃、湿度９０％の恒温恒湿条件下における光デ
ィスクを加速劣化させてその信頼性を確認したデータで
は、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドの添加量
が０．０５質量部を越えると、芳香族ポリカーボネート
樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥が促進される傾向は
ないが、樹脂の分子量が低下する傾向が認められてお
り、情報記録の信頼性の低下につながることが判明し
た。従って、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリド
の添加量は極力減らし、必要以上に添加すべきではな
い。一方、離型剤が少なすぎると、光ディスク基板表面
に霧がかかった様な離型斑(クラウド)が発生し、極端な
場合は信号そのものにノイズとして悪影響を与えたり、
金型よりの離型不良によるバリが発生し、バリが光ディ
スク基板表面に付着したり基板内部に混入したりして光
学欠陥を増加させる。従って、円滑な光ディスク基板の
離型性と光ディスクの信頼性（例えば、信号の読み取り
エラー等）確保の両立を考慮すると、炭素数１４〜３０
の脂肪酸モノグリセリドの添加量には一定の許容範囲が
あることが判明した。
肪酸モノグリセリドの添加量が０．０６質量％以上の場
合、光ディスク基板の金型離型性が良好になることは当
然である。しかしながら、光ディスクは記録媒体として
長期間、データを保存し続ける必要がある。本発明者ら
の、９０℃、湿度９０％の恒温恒湿条件下における光デ
ィスクを加速劣化させてその信頼性を確認したデータで
は、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドの添加量
が０．０５質量部を越えると、芳香族ポリカーボネート
樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥が促進される傾向は
ないが、樹脂の分子量が低下する傾向が認められてお
り、情報記録の信頼性の低下につながることが判明し
た。従って、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリド
の添加量は極力減らし、必要以上に添加すべきではな
い。一方、離型剤が少なすぎると、光ディスク基板表面
に霧がかかった様な離型斑(クラウド)が発生し、極端な
場合は信号そのものにノイズとして悪影響を与えたり、
金型よりの離型不良によるバリが発生し、バリが光ディ
スク基板表面に付着したり基板内部に混入したりして光
学欠陥を増加させる。従って、円滑な光ディスク基板の
離型性と光ディスクの信頼性（例えば、信号の読み取り
エラー等）確保の両立を考慮すると、炭素数１４〜３０
の脂肪酸モノグリセリドの添加量には一定の許容範囲が
あることが判明した。
【０００５】又、芳香族ポリカーボネート樹脂を押出機
により溶融押出し成形するペレットの製造方法におい
て、離型剤として用いる炭素数１４〜３０の脂肪酸モノ
グリセリドが変性し、脂肪酸モノグリセリドのカーボネ
ート、脂肪酸ジグリセリド及び脂肪酸トリグリセリドが
生成し、光ディスク基板の成形時の離型性が低下するこ
とも判明した。
により溶融押出し成形するペレットの製造方法におい
て、離型剤として用いる炭素数１４〜３０の脂肪酸モノ
グリセリドが変性し、脂肪酸モノグリセリドのカーボネ
ート、脂肪酸ジグリセリド及び脂肪酸トリグリセリドが
生成し、光ディスク基板の成形時の離型性が低下するこ
とも判明した。
【０００６】更に、この炭素数１４〜３０の脂肪酸モノ
グリセリドの変性を防止するには、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂への水の添加が有効であることを見出した。し
かしながら、添加する水質によっては、押出し成形され
たペレットを用いて得た光ディスク基板を９０℃、湿度
９０％の恒温恒湿条件下における加速劣化させてその信
頼性を確認したデータでは、芳香族ポリカーボネート樹
脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発生が促進されるこ
とも判明した。
グリセリドの変性を防止するには、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂への水の添加が有効であることを見出した。し
かしながら、添加する水質によっては、押出し成形され
たペレットを用いて得た光ディスク基板を９０℃、湿度
９０％の恒温恒湿条件下における加速劣化させてその信
頼性を確認したデータでは、芳香族ポリカーボネート樹
脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発生が促進されるこ
とも判明した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者ら、成形時の歩
留りが良く、且つ信頼性の高い光ディスク基板を得るべ
く鋭意努力検討した結果、芳香族ポリカーボネート樹脂
に対し、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを特
定範囲量添加するとともに、特定の電気伝導率の水を添
加して、該樹脂の含水量を特定範囲に調節しながら、押
出し成形すると、上記問題点が一挙に解決することを見
出し、本発明を完成するに至った。
留りが良く、且つ信頼性の高い光ディスク基板を得るべ
く鋭意努力検討した結果、芳香族ポリカーボネート樹脂
に対し、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを特
定範囲量添加するとともに、特定の電気伝導率の水を添
加して、該樹脂の含水量を特定範囲に調節しながら、押
出し成形すると、上記問題点が一挙に解決することを見
出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、（１）芳香族ポリカーボ
ネート樹脂１００質量部に対し、炭素数１４〜３０の脂
肪酸モノグリセリドを０．０１５〜０．０５質量部添加
するとともに、２５℃で測定した電気伝導率が１μS／
ｃｍ以下の水を添加して、該樹脂の含水量を０．０５〜
０．３質量％に調節しながら、押出し成形し、冷却、切
断してペレット化してなる粘度平均分子量（Ｍｖ）が１
０，０００〜２０，０００である光ディスク基板用芳香
族ポリカーボネート樹脂、（２）溶融押出しされた芳香
族ポリカーボネート樹脂の冷却を、２５℃で測定した電
気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を用いて行なう上記１
に記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹
脂、（３）芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基の３０
モル％以上がｐ−クミルフェノキシ基及び／又はｐ−ｔ
ｅｒｔ−オクチルフェノキシ基である上記１に記載の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、（４）芳
香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）
が、１１，０００〜１８，０００である上記１〜３のい
ずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネー
ト樹脂、（５）芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均
分子量（Ｍｖ）が、１２，０００〜１６，０００である
上記１〜３のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族
ポリカーボネート樹脂、（６）脂肪酸モノグリセリドの
添加量が０．０２〜０．０４質量部である上記１〜５の
いずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネ
ート樹脂、（７）脂肪酸モノグリセリドがステアリン酸
モノグリセリドである上記１〜６のいずれかに記載の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂及び（８）
芳香族ポリカーボネート樹脂の含水量が０．０５〜０．
２質量％である上記１〜７のいずれかに記載の光ディス
ク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂に関するものであ
る。
ネート樹脂１００質量部に対し、炭素数１４〜３０の脂
肪酸モノグリセリドを０．０１５〜０．０５質量部添加
するとともに、２５℃で測定した電気伝導率が１μS／
ｃｍ以下の水を添加して、該樹脂の含水量を０．０５〜
０．３質量％に調節しながら、押出し成形し、冷却、切
断してペレット化してなる粘度平均分子量（Ｍｖ）が１
０，０００〜２０，０００である光ディスク基板用芳香
族ポリカーボネート樹脂、（２）溶融押出しされた芳香
族ポリカーボネート樹脂の冷却を、２５℃で測定した電
気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を用いて行なう上記１
に記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹
脂、（３）芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基の３０
モル％以上がｐ−クミルフェノキシ基及び／又はｐ−ｔ
ｅｒｔ−オクチルフェノキシ基である上記１に記載の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、（４）芳
香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）
が、１１，０００〜１８，０００である上記１〜３のい
ずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネー
ト樹脂、（５）芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均
分子量（Ｍｖ）が、１２，０００〜１６，０００である
上記１〜３のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族
ポリカーボネート樹脂、（６）脂肪酸モノグリセリドの
添加量が０．０２〜０．０４質量部である上記１〜５の
いずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネ
ート樹脂、（７）脂肪酸モノグリセリドがステアリン酸
モノグリセリドである上記１〜６のいずれかに記載の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂及び（８）
芳香族ポリカーボネート樹脂の含水量が０．０５〜０．
２質量％である上記１〜７のいずれかに記載の光ディス
ク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂に関するものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂としては、
末端基の３０モル％以上がｐ−クミルフェノキシ基及び
／又はｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシ基であリ、粘
度平均分子量（Ｍｖ）が１０，０００〜２０，０００、
好ましくは１１，０００〜１８，０００、更に好ましく
は１２，０００〜１６，０００のものを用いることが好
ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂の基本構造として
は、特に制限はなく種々のものが挙げられる。通常、２
価フェノールとカーボネート前駆体との反応により製造
される芳香族ポリカーボネートを用いることができる。
即ち、２価フェノールとホスゲン等のカーボネート前駆
体とを溶液法により反応させ、又は２価フエノールとジ
フェニルカーボネート等とをエステル交換法により反応
させて製造されたものを使用することができる。
する。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂としては、
末端基の３０モル％以上がｐ−クミルフェノキシ基及び
／又はｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシ基であリ、粘
度平均分子量（Ｍｖ）が１０，０００〜２０，０００、
好ましくは１１，０００〜１８，０００、更に好ましく
は１２，０００〜１６，０００のものを用いることが好
ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂の基本構造として
は、特に制限はなく種々のものが挙げられる。通常、２
価フェノールとカーボネート前駆体との反応により製造
される芳香族ポリカーボネートを用いることができる。
即ち、２価フェノールとホスゲン等のカーボネート前駆
体とを溶液法により反応させ、又は２価フエノールとジ
フェニルカーボネート等とをエステル交換法により反応
させて製造されたものを使用することができる。
【００１０】２価フェノールとしては、様々なものが挙
げられるが、特に、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン〔ビスフェノールＡ〕、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３，５−ジメチルフェニル）プロパン、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロアルカン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキ
シド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル及びビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ケトン等が挙げられる。この他の２価フェノールと
しては、ハイドロキノン、レゾルシン及びカテコール等
が挙げられる。これらの２価フェノールは、それぞれ単
独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよ
い。
げられるが、特に、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン〔ビスフェノールＡ〕、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３，５−ジメチルフェニル）プロパン、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロアルカン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキ
シド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル及びビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ケトン等が挙げられる。この他の２価フェノールと
しては、ハイドロキノン、レゾルシン及びカテコール等
が挙げられる。これらの２価フェノールは、それぞれ単
独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよ
い。
【００１１】特に、好ましい２価フエノールとしては、
ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系、特にビスフェ
ノールＡ又はビスフェノールＡを主原料としたものであ
る。又、カーボネート前駆体としては、カルボニルハラ
イド、カルボニルエステル、又はハロホルメート、具体
的にはホスゲン、２価フェノールのジハロホーメート、
ジフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート及びジ
エチルカーボネート等が挙げられる。
ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系、特にビスフェ
ノールＡ又はビスフェノールＡを主原料としたものであ
る。又、カーボネート前駆体としては、カルボニルハラ
イド、カルボニルエステル、又はハロホルメート、具体
的にはホスゲン、２価フェノールのジハロホーメート、
ジフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート及びジ
エチルカーボネート等が挙げられる。
【００１２】尚、ポリカーボネート樹脂は、分岐構造を
有していてもよく、分岐剤としては、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、α，α’，α”
−トリス（４−ビドロキシフェニル）−１，３，５−ト
リイソプロピルベンゼン、フロログリシン、トリメリッ
ト酸及びイサチンビス（ｏ−クレゾール）等がある。
有していてもよく、分岐剤としては、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、α，α’，α”
−トリス（４−ビドロキシフェニル）−１，３，５−ト
リイソプロピルベンゼン、フロログリシン、トリメリッ
ト酸及びイサチンビス（ｏ−クレゾール）等がある。
【００１３】又、本発明に用いる芳香族ポリカーボネー
ト樹脂としては、ポリカーボネート部とポリオルガノシ
ロキサン部を有する共重合体、又はこの共重合体を含有
する芳香族ポリカーボネート樹脂であってもよい。又、
テレフタル酸等の２官能性カルボン酸、又はそのエステ
ル形成誘導体等のエステル前駆体の存在下でポリカーボ
ネートの重合を行うことによって得られるポリエステル
−ポリカーボネート樹脂であってもよい。
ト樹脂としては、ポリカーボネート部とポリオルガノシ
ロキサン部を有する共重合体、又はこの共重合体を含有
する芳香族ポリカーボネート樹脂であってもよい。又、
テレフタル酸等の２官能性カルボン酸、又はそのエステ
ル形成誘導体等のエステル前駆体の存在下でポリカーボ
ネートの重合を行うことによって得られるポリエステル
−ポリカーボネート樹脂であってもよい。
【００１４】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂とし
ては、特定の末端基と粘度平均分子量（Ｍｖ）を有する
ものが好ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基
の調整方法としては、通常、ポリカーボネート樹脂の製
造時に、末端停止剤として各種フェノール類を用いて行
うことができる。ここで、フエノール類としては、フェ
ノール、ジメチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール、２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール及びｐ−
クミルフェノール等が用いることができる。従って、芳
香族ポリカーボネート樹脂としては、末端停止剤が反応
した末端基、２価フェノールとしてのビスフェノールＡ
末端を有することになる。本発明では、これら全末端基
の３０モル％以上、好ましくは７０モル％以上、より好
ましくは９０モル％以上が、ｐ−クミルフェノール及び
／又はｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノールが反応したｐ
−クミルフェノキシ基及び／又はｐ−ｔｅｒｔ−オオク
チルフェノキシ基であることが好ましい。
ては、特定の末端基と粘度平均分子量（Ｍｖ）を有する
ものが好ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基
の調整方法としては、通常、ポリカーボネート樹脂の製
造時に、末端停止剤として各種フェノール類を用いて行
うことができる。ここで、フエノール類としては、フェ
ノール、ジメチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール、２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール及びｐ−
クミルフェノール等が用いることができる。従って、芳
香族ポリカーボネート樹脂としては、末端停止剤が反応
した末端基、２価フェノールとしてのビスフェノールＡ
末端を有することになる。本発明では、これら全末端基
の３０モル％以上、好ましくは７０モル％以上、より好
ましくは９０モル％以上が、ｐ−クミルフェノール及び
／又はｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノールが反応したｐ
−クミルフェノキシ基及び／又はｐ−ｔｅｒｔ−オオク
チルフェノキシ基であることが好ましい。
【００１５】従って、本発明の芳香族ポリカーボネート
樹脂は、ｐ−クミルフェノキシ基を有する芳香族ポリカ
ーボネート樹脂、ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシ基
を有する芳香族ポリカーボネート樹脂、又は他のフェノ
キシ基類を有する芳香族ポリカーボネート樹脂との混合
物であって、芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端基の
内、ｐ−クミルフェノキシ基及び／又はｐ−ｔｅｒｔ−
オクチルフェノキシ基が３０モル％以上になるように選
定することが好ましい。
樹脂は、ｐ−クミルフェノキシ基を有する芳香族ポリカ
ーボネート樹脂、ｐ−ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシ基
を有する芳香族ポリカーボネート樹脂、又は他のフェノ
キシ基類を有する芳香族ポリカーボネート樹脂との混合
物であって、芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端基の
内、ｐ−クミルフェノキシ基及び／又はｐ−ｔｅｒｔ−
オクチルフェノキシ基が３０モル％以上になるように選
定することが好ましい。
【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂とし
ては、例えば、主鎖が、一般式（Ｉ）
ては、例えば、主鎖が、一般式（Ｉ）
【００１７】
【化１】
【００１８】（式中、Ｒ1又はＲ2は、それぞれハロゲン
原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフエニル基を示
し、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｚは
単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキ
リデン基、炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しく
はシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，
ＳＯ2−，又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ
０〜４の整数、ｎは繰り返し数を示す。）で表される構
造を有するとともに、一般式（II）
原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフエニル基を示
し、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｚは
単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキ
リデン基、炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しく
はシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，
ＳＯ2−，又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ
０〜４の整数、ｎは繰り返し数を示す。）で表される構
造を有するとともに、一般式（II）
【００１９】
【化２】
【００２０】（式中、Ｒ3は、ハロゲン原子、炭素数１
〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基を
示し、ｒは０〜５の整数を示す。）で表される末端基又
は水酸基を有し、且つその末端基の少なくとも３０モル
％が、式（III）及び／又は式（IV）
〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基を
示し、ｒは０〜５の整数を示す。）で表される末端基又
は水酸基を有し、且つその末端基の少なくとも３０モル
％が、式（III）及び／又は式（IV）
【００２１】
【化３】
【００２２】
【化４】
【００２３】で表されるものが好ましい。本発明の芳香
族ポリカーボネート樹脂は、前記一般式（Ｉ）におい
て、Ｒ1又はＲ2は、それぞれハロゲン原子、炭素数１〜
６のアルキル基又はフエニル基であることが好ましい。
ここで、ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素，
ヨウ素原子が挙げられ、炭素数１〜６のアルキル基とし
ては、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、
例えば、メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプ
ロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔｅｒｔ−ブ
チル基，アミル基，イソアミル基，ヘキシル基，イソヘ
キシル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。このＲ
1又はＲ2は、互いに同一でも異なっていてもよい。又、
Ｒ1又はＲ2がそれぞれ複数ある場合は、複数のＲ1又は
Ｒ2は同一でも異なっていてもよい。ｐ及びｑは、それ
ぞれ０〜４の整数である。
族ポリカーボネート樹脂は、前記一般式（Ｉ）におい
て、Ｒ1又はＲ2は、それぞれハロゲン原子、炭素数１〜
６のアルキル基又はフエニル基であることが好ましい。
ここで、ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素，
ヨウ素原子が挙げられ、炭素数１〜６のアルキル基とし
ては、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、
例えば、メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプ
ロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔｅｒｔ−ブ
チル基，アミル基，イソアミル基，ヘキシル基，イソヘ
キシル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。このＲ
1又はＲ2は、互いに同一でも異なっていてもよい。又、
Ｒ1又はＲ2がそれぞれ複数ある場合は、複数のＲ1又は
Ｒ2は同一でも異なっていてもよい。ｐ及びｑは、それ
ぞれ０〜４の整数である。
【００２４】そして、Ｚは単結合，炭素数１〜２０のア
ルキレン基若しくはアルキリデン基、炭素数５〜２０の
シクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基，−
Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，ＳＯ2−，又は−ＣＯ−を示
し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整数、ｎは繰り返し
数を示す。ここで、炭素数１〜２０のアルキレン基若し
くはアルキリデン基としては、例えばメチレン基，エチ
レン基，プロピレン基，ブチレン基，ペンチレン基，ヘ
キシレン基，エチリデン基及びイソプロピリデン基等が
挙げられる。又、炭素数４〜２０のシクロアルキレン基
若しくはシクロアルキリデン基としては、例えば、シク
ロペンチレン基，シクロヘキシレン基及びシクロヘキシ
リデン基等が挙げられる。ｎは、芳香族ポリカーボネー
ト樹脂の粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００
の範囲にあるような数である。
ルキレン基若しくはアルキリデン基、炭素数５〜２０の
シクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基，−
Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，ＳＯ2−，又は−ＣＯ−を示
し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整数、ｎは繰り返し
数を示す。ここで、炭素数１〜２０のアルキレン基若し
くはアルキリデン基としては、例えばメチレン基，エチ
レン基，プロピレン基，ブチレン基，ペンチレン基，ヘ
キシレン基，エチリデン基及びイソプロピリデン基等が
挙げられる。又、炭素数４〜２０のシクロアルキレン基
若しくはシクロアルキリデン基としては、例えば、シク
ロペンチレン基，シクロヘキシレン基及びシクロヘキシ
リデン基等が挙げられる。ｎは、芳香族ポリカーボネー
ト樹脂の粘度平均分子量が１０，０００〜２０，０００
の範囲にあるような数である。
【００２５】更に、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂は、前記一般式（II）で示される末端基又は水酸基を
有するものであり、一般式（II）において、Ｒ3はハロ
ゲン原子，炭素数１〜２０のアルキル基及び炭素数６〜
２０のアリール基であることが好ましい。ハロゲン原子
としては、塩素，臭素，フッ素及びヨウ素原子が挙げら
れ、炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状，分
岐状，環状のいずれであってもよく、例えば、メチル
基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−
ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ
−ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，オクチル基，デ
シル基，ドデシル基，シクロペンチル基及びシクロヘキ
シル基等が挙げられる。一方、炭素数６〜２０のアリー
ル基としては、芳香環上に置換基を有しないものでもよ
く、低級アルキル基等の適当な置換基を有するものであ
ってもよい。例えば、フエニル基，トリル基，キシリル
基，ナフチル基及びメチルナフチル基等が挙げられる。
ｒは０ 〜５の整数を示し、Ｒ3が複数ある場合は、複数
のＲ3 は同一でも異なっていてもよい。又、この一般式
（II）で表わされる末端基は一種含まれていてもよく、
２種以上含まれていてもよい。
脂は、前記一般式（II）で示される末端基又は水酸基を
有するものであり、一般式（II）において、Ｒ3はハロ
ゲン原子，炭素数１〜２０のアルキル基及び炭素数６〜
２０のアリール基であることが好ましい。ハロゲン原子
としては、塩素，臭素，フッ素及びヨウ素原子が挙げら
れ、炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状，分
岐状，環状のいずれであってもよく、例えば、メチル
基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−
ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ
−ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，オクチル基，デ
シル基，ドデシル基，シクロペンチル基及びシクロヘキ
シル基等が挙げられる。一方、炭素数６〜２０のアリー
ル基としては、芳香環上に置換基を有しないものでもよ
く、低級アルキル基等の適当な置換基を有するものであ
ってもよい。例えば、フエニル基，トリル基，キシリル
基，ナフチル基及びメチルナフチル基等が挙げられる。
ｒは０ 〜５の整数を示し、Ｒ3が複数ある場合は、複数
のＲ3 は同一でも異なっていてもよい。又、この一般式
（II）で表わされる末端基は一種含まれていてもよく、
２種以上含まれていてもよい。
【００２６】即ち、前記一般式（III）及び／又は（I
V）で表されるｐ−クミルフエノキシ基及び／又はｐ−
ｔｅｒｔ−オクチルフエノキシ基は、全末端基に対して
３０モル％以上であることが好ましい。又、他の末端基
としては、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフエノキシ基及び／又
はフエノキシ基が好ましく、少量の水酸基が含まれてい
てもよい。
V）で表されるｐ−クミルフエノキシ基及び／又はｐ−
ｔｅｒｔ−オクチルフエノキシ基は、全末端基に対して
３０モル％以上であることが好ましい。又、他の末端基
としては、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフエノキシ基及び／又
はフエノキシ基が好ましく、少量の水酸基が含まれてい
てもよい。
【００２７】更に、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂は、その粘度平均分子量（Ｍｖ）が、１０，０００〜
２０，０００、好ましくは１１，０００〜１８，００
０、より好ましくは１２，０００〜１６，０００を満足
するものが適している。ここで粘度平均分子量（Ｍｖ）
が、１０，０００未満であると、強度、特に耐衝撃性が
不十分となり、０．６ｍｍと薄い基板の成形が困難とな
るとともに、基板自体の強度も実用上不十分となること
がある。又、２０，０００を越えると耐衝撃強度は十分
となるが、薄い基板の成形、微小凹凸であるスタンパー
の転写性が低下するとともに、基板の複屈折等の光学的
性質が低下し、光ディスク基板としての性能を満足する
ことが困難となることがある。
脂は、その粘度平均分子量（Ｍｖ）が、１０，０００〜
２０，０００、好ましくは１１，０００〜１８，００
０、より好ましくは１２，０００〜１６，０００を満足
するものが適している。ここで粘度平均分子量（Ｍｖ）
が、１０，０００未満であると、強度、特に耐衝撃性が
不十分となり、０．６ｍｍと薄い基板の成形が困難とな
るとともに、基板自体の強度も実用上不十分となること
がある。又、２０，０００を越えると耐衝撃強度は十分
となるが、薄い基板の成形、微小凹凸であるスタンパー
の転写性が低下するとともに、基板の複屈折等の光学的
性質が低下し、光ディスク基板としての性能を満足する
ことが困難となることがある。
【００２８】ここで、本発明における芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、塩化メチレン
１００ｃｃに芳香族ポリカーボネート樹脂約０．７ｇを
２０℃で溶解した溶液をウベローデ粘度計を用いて測定
した比粘度（ηsp）を次式に挿入して求めたものであ
る。 （ηsp）／Ｃ＝ [η] ＋０．４５× [η] 2 Ｃ [η] ＝１．２３×１０-5Ｍ0.83 （但し、 [η] は極限粘度、Ｃはポリマー濃度であ
る。）
ネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、塩化メチレン
１００ｃｃに芳香族ポリカーボネート樹脂約０．７ｇを
２０℃で溶解した溶液をウベローデ粘度計を用いて測定
した比粘度（ηsp）を次式に挿入して求めたものであ
る。 （ηsp）／Ｃ＝ [η] ＋０．４５× [η] 2 Ｃ [η] ＝１．２３×１０-5Ｍ0.83 （但し、 [η] は極限粘度、Ｃはポリマー濃度であ
る。）
【００２９】このため、耐衝撃性等の機械的物性と成形
性・光学的特性等の物性と相反する要求を共に満足する
ことが必要となる。従って、耐衝撃性等の基板特性が満
足される範囲で、粘度平均分子量（Ｍｖ）の低い芳香族
ポリカーボネート樹脂の選択が好ましい。ここにおい
て、本発明で用いることができる特定末端基を有する芳
香族ポリカーボネート樹脂は、一般的に用いられるフェ
ノキシ基又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基のポリ
カーボネートに比較して、粘度平均分子量即ち溶融粘度
と実用物性としての落錘衝撃強度の関係において、かな
り低い粘度平均分子量においても十分な落錘衝撃強度を
保持するものである。又、後記の離型剤及びその添加量
と相まって、光学特性に優れた光ディスク基板を高サイ
クルで成形することを可能にするものである。
性・光学的特性等の物性と相反する要求を共に満足する
ことが必要となる。従って、耐衝撃性等の基板特性が満
足される範囲で、粘度平均分子量（Ｍｖ）の低い芳香族
ポリカーボネート樹脂の選択が好ましい。ここにおい
て、本発明で用いることができる特定末端基を有する芳
香族ポリカーボネート樹脂は、一般的に用いられるフェ
ノキシ基又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基のポリ
カーボネートに比較して、粘度平均分子量即ち溶融粘度
と実用物性としての落錘衝撃強度の関係において、かな
り低い粘度平均分子量においても十分な落錘衝撃強度を
保持するものである。又、後記の離型剤及びその添加量
と相まって、光学特性に優れた光ディスク基板を高サイ
クルで成形することを可能にするものである。
【００３０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂とし
ては、全末端基中に占める水酸基基の割合が１モル％以
下、好ましくは０．３モル％以下であることが好まし
い。又、芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素やナトリ
ウム又は微粒子不純物（塩化メチレン不溶成分）等は可
能な限り洗浄、濾過、遠心分離等の精製・除去手段、溶
融混練脱気工程等により低減したものが好ましい。又、
芳香族ポリカーボネート樹脂としては、アセトン溶媒で
のソックスレー抽出成分である低分子量成分が、通常１
０質量％以下であることが好ましい。
ては、全末端基中に占める水酸基基の割合が１モル％以
下、好ましくは０．３モル％以下であることが好まし
い。又、芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素やナトリ
ウム又は微粒子不純物（塩化メチレン不溶成分）等は可
能な限り洗浄、濾過、遠心分離等の精製・除去手段、溶
融混練脱気工程等により低減したものが好ましい。又、
芳香族ポリカーボネート樹脂としては、アセトン溶媒で
のソックスレー抽出成分である低分子量成分が、通常１
０質量％以下であることが好ましい。
【００３１】本発明の光ディスク基板用芳香族ポリカー
ボネート樹脂には、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリ
セリドを特定範囲で添加する必要がある。ここで、炭素
数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドとしては、炭素数
が１４〜３０の脂肪酸とグリセリンのモノエステル化合
物であり、例えば、パルミチン酸モノグリセリド、ステ
アリン酸モノグリセリド、アラキン酸モノグリセリド、
ベヘン酸モノグリセリド及びモンタン酸モノグリセリド
等が挙げられ、これらの混合物を用いることもできる。
脂肪酸モノグリセリドとしては、離型性効果の点より、
ステアリン酸モノグリセリド及びベヘン酸モノグリセリ
ドが好ましく、特に、ステアリン酸モノグリセリドが好
ましい。
ボネート樹脂には、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリ
セリドを特定範囲で添加する必要がある。ここで、炭素
数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドとしては、炭素数
が１４〜３０の脂肪酸とグリセリンのモノエステル化合
物であり、例えば、パルミチン酸モノグリセリド、ステ
アリン酸モノグリセリド、アラキン酸モノグリセリド、
ベヘン酸モノグリセリド及びモンタン酸モノグリセリド
等が挙げられ、これらの混合物を用いることもできる。
脂肪酸モノグリセリドとしては、離型性効果の点より、
ステアリン酸モノグリセリド及びベヘン酸モノグリセリ
ドが好ましく、特に、ステアリン酸モノグリセリドが好
ましい。
【００３２】これらの、脂肪酸モノグリセリドとして
は、ナトリウム、塩素等の不純物の含有量が低いものの
使用が、芳香族ポリカーボネート樹脂が、記録媒体とし
て用いられる場合の長期安定性、特に高温高湿度下での
安定性の見地から好ましい。例えば、ナトリウム含有量
が、質量として３０ｐｐｍ以下、特に２０ｐｐｍ以下で
あることが好ましい。
は、ナトリウム、塩素等の不純物の含有量が低いものの
使用が、芳香族ポリカーボネート樹脂が、記録媒体とし
て用いられる場合の長期安定性、特に高温高湿度下での
安定性の見地から好ましい。例えば、ナトリウム含有量
が、質量として３０ｐｐｍ以下、特に２０ｐｐｍ以下で
あることが好ましい。
【００３３】この脂肪酸モノグリセリドの添加量は、
０．０１５〜０．０５質量部、好ましくは０．０２０〜
０．０４質量部の範囲である。ここで、脂肪酸モノグリ
セリドの添加量が０．０１５質量部未満であると、光デ
ィスク基板の離型性が劣り、光ディスク基板表面に離型
斑が発生し易い。又、０．０５質量部を越えると、芳香
族ポリカーボネート樹脂の分子量が低下する傾向があ
り、情報記録の信頼性の低下につながる。
０．０１５〜０．０５質量部、好ましくは０．０２０〜
０．０４質量部の範囲である。ここで、脂肪酸モノグリ
セリドの添加量が０．０１５質量部未満であると、光デ
ィスク基板の離型性が劣り、光ディスク基板表面に離型
斑が発生し易い。又、０．０５質量部を越えると、芳香
族ポリカーボネート樹脂の分子量が低下する傾向があ
り、情報記録の信頼性の低下につながる。
【００３４】又、本発明の光ディスク基板用芳香族ポリ
カーボネート樹脂には、特定の品質の水を特定量含水さ
せて、押出し成形する必要がある。水の品質としては、
２５℃で測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水で
ある。電気伝導率が１μS／ｃｍを超えると、芳香族ポ
リカーボネート樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発
生が促進され、光ディスクの情報記録の信頼性低下につ
ながる芳香族ポリカーボネート樹脂に対する電気伝導率
が１μS／ｃｍ以下の水の添加量としては、０．０５〜
０．３質量％、好ましくは、０．０５〜０．２質量％で
ある。添加量が０．０５質量％未満では、離型剤として
用いる炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドが変性
し、脂肪酸モノグリセリドのカーボネート、脂肪酸ジグ
リセリド及び脂肪酸トリグリセリドが生成し、光ディス
ク基板の成形時の離型性が低下し易い。添加量が０．３
質量％を超えると、ポリカーボネート樹脂が加水分解を
起したり、成形性の悪化（押出し樹脂量の低下）につな
がる場合がある。更に、溶融押出しされた芳香族ポリカ
ーボネート樹脂の冷却を、２５℃で測定した電気伝導率
１μS／ｃｍ以下の水を用いると、光ディスク基板にク
レーズ等の発生がなく、品質が更に向上する。
カーボネート樹脂には、特定の品質の水を特定量含水さ
せて、押出し成形する必要がある。水の品質としては、
２５℃で測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水で
ある。電気伝導率が１μS／ｃｍを超えると、芳香族ポ
リカーボネート樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発
生が促進され、光ディスクの情報記録の信頼性低下につ
ながる芳香族ポリカーボネート樹脂に対する電気伝導率
が１μS／ｃｍ以下の水の添加量としては、０．０５〜
０．３質量％、好ましくは、０．０５〜０．２質量％で
ある。添加量が０．０５質量％未満では、離型剤として
用いる炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドが変性
し、脂肪酸モノグリセリドのカーボネート、脂肪酸ジグ
リセリド及び脂肪酸トリグリセリドが生成し、光ディス
ク基板の成形時の離型性が低下し易い。添加量が０．３
質量％を超えると、ポリカーボネート樹脂が加水分解を
起したり、成形性の悪化（押出し樹脂量の低下）につな
がる場合がある。更に、溶融押出しされた芳香族ポリカ
ーボネート樹脂の冷却を、２５℃で測定した電気伝導率
１μS／ｃｍ以下の水を用いると、光ディスク基板にク
レーズ等の発生がなく、品質が更に向上する。
【００３５】又、本発明の光ディスク基板用芳香族ポリ
カーボネート樹脂には、本発明の目的が損なわれない範
囲で、所望により各種安定剤、着色剤等を含有すること
ができる。安定剤としては、亜リン酸エステル、リン酸
エステル等のリン系安定剤が好ましく用いられる。亜リ
ン酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホスファ
イト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス
（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイ
ト、トリノリルホスアァイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、モノブチル
ジフエニルホスファイト、モノオクチルジフエニルホス
ファイト、ビス（２．６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）オクチルホスファイト及びテトラキス
（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−
ジフエニレンホスフォナイト等の亜リン酸のトリエステ
ル、ジエステル及びモノエステル等が挙げられる。中で
も、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，
４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト及び
ジステアリルペンタエリスリトールジホスファト等が好
ましい。
カーボネート樹脂には、本発明の目的が損なわれない範
囲で、所望により各種安定剤、着色剤等を含有すること
ができる。安定剤としては、亜リン酸エステル、リン酸
エステル等のリン系安定剤が好ましく用いられる。亜リ
ン酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホスファ
イト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス
（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイ
ト、トリノリルホスアァイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、モノブチル
ジフエニルホスファイト、モノオクチルジフエニルホス
ファイト、ビス（２．６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）オクチルホスファイト及びテトラキス
（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−
ジフエニレンホスフォナイト等の亜リン酸のトリエステ
ル、ジエステル及びモノエステル等が挙げられる。中で
も、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，
４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト及び
ジステアリルペンタエリスリトールジホスファト等が好
ましい。
【００３６】リン酸エステルとしては、トリメチルホス
フェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフ
ェート、トリオクチルホスフェート、トリフェニルホス
フェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノニル
フェニル）ホスフェート及び２−エチルフェニルジフェ
ニルホスフェート等が挙げられる。これらリン系安定剤
は単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせてもちい
てもよい。
フェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフ
ェート、トリオクチルホスフェート、トリフェニルホス
フェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノニル
フェニル）ホスフェート及び２−エチルフェニルジフェ
ニルホスフェート等が挙げられる。これらリン系安定剤
は単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせてもちい
てもよい。
【００３７】これらリン系安定剤の含有量は、リン原子
に換算して、０．００１〜０．０２質量％の範囲が適当
である。ここで、含有量が０．００１質量％未満では安
定化効果である樹脂安定性への寄与が少なく、又、０．
０２質量％を越えると、光ディスク基板の長期における
劣化の原因となる場合がある。従って、これらリン系安
定剤の含有量は、ペレットの製造時、光ディスク基板の
成形時の熱安定性を確保するための最低限度の添加量と
することが好ましい。
に換算して、０．００１〜０．０２質量％の範囲が適当
である。ここで、含有量が０．００１質量％未満では安
定化効果である樹脂安定性への寄与が少なく、又、０．
０２質量％を越えると、光ディスク基板の長期における
劣化の原因となる場合がある。従って、これらリン系安
定剤の含有量は、ペレットの製造時、光ディスク基板の
成形時の熱安定性を確保するための最低限度の添加量と
することが好ましい。
【００３８】本発明の光ディスク基板用芳香族ポリカー
ボネート樹脂は、芳香族ポリカーボネート樹脂に、炭素
数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを特定量添加し、
必要により他の添加剤成分を加えるとともに、２５℃で
測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を添加し
て、該樹脂の含水量を０．０５〜０．３質量％に調節し
ながら、溶融混練することにより、まず樹脂ペレットを
製造する。ついで、これを成形原料として、溶融押出し
成形により、光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート
樹脂を成形するものである。この場合、金型に超音波を
作用させることもできる。
ボネート樹脂は、芳香族ポリカーボネート樹脂に、炭素
数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを特定量添加し、
必要により他の添加剤成分を加えるとともに、２５℃で
測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を添加し
て、該樹脂の含水量を０．０５〜０．３質量％に調節し
ながら、溶融混練することにより、まず樹脂ペレットを
製造する。ついで、これを成形原料として、溶融押出し
成形により、光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート
樹脂を成形するものである。この場合、金型に超音波を
作用させることもできる。
【００３９】成形条件としては、樹脂温度は３４０〜４
００℃、好ましくは３５０〜３９０℃、金型温度は８０
〜１４０℃、好ましくは９０〜１３０℃である。これら
の温度条件で、直径１２０ｍｍ、厚み０．６ｍｍの金型
キャビティにスタンパーを有する成形金型に溶融樹脂を
射出することにより成形される。成形サイクルは、通常
３〜１０秒、好ましくは３〜９秒である。
００℃、好ましくは３５０〜３９０℃、金型温度は８０
〜１４０℃、好ましくは９０〜１３０℃である。これら
の温度条件で、直径１２０ｍｍ、厚み０．６ｍｍの金型
キャビティにスタンパーを有する成形金型に溶融樹脂を
射出することにより成形される。成形サイクルは、通常
３〜１０秒、好ましくは３〜９秒である。
【００４０】
【実施例】［芳香族ポリカーボネート樹脂の製造例］
ＰＣ−Ａ：５質量％水酸化ナトリウム水溶液４００リッ
トルに、ビスフェノールＡ６０ｋｇを溶解し、ビスフェ
ノールＡの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。この室
温のビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液を、１
３８リットル／時間の流量で、又、塩化メチレンを６９
リットル／時間の流量で、径１０ｍｍ、長さ１０ｍの管
型反応器にオリフィス板を通して導入し、これにホスゲ
ンを並流して１０．７ｋｇ／時間の流量で吹き込み、３
時間連続的に反応させた。尚、反応液の排出温度を２５
℃、排出液のｐＨは１０〜１１になるように調整した。
得られた反応液を静置し、水相を分離除去し、塩化メチ
レン相（２２０リットル）を採取し、ポリカーボネート
オリゴマーを得た。
トルに、ビスフェノールＡ６０ｋｇを溶解し、ビスフェ
ノールＡの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。この室
温のビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液を、１
３８リットル／時間の流量で、又、塩化メチレンを６９
リットル／時間の流量で、径１０ｍｍ、長さ１０ｍの管
型反応器にオリフィス板を通して導入し、これにホスゲ
ンを並流して１０．７ｋｇ／時間の流量で吹き込み、３
時間連続的に反応させた。尚、反応液の排出温度を２５
℃、排出液のｐＨは１０〜１１になるように調整した。
得られた反応液を静置し、水相を分離除去し、塩化メチ
レン相（２２０リットル）を採取し、ポリカーボネート
オリゴマーを得た。
【００４１】このオリゴマー１０リットルに、ｐ−クミ
ルフェノール１６６．７ｇを溶解させ、これに、水酸化
ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：７５ｇ，水：１．０リツ
トル）とトリエチルアミン１．１７ミリリットルを加
え、３００ｒｐｍで常温で３０分攪拌した。ついで、塩
化メチレン８リットル及びビスフェノールＡの水酸化ナ
トリウム水溶液（ビスフェノールＡ：６０７ｇ，ＮａＯ
Ｈ：３２０ｇ，水：５リットル）を加え、５００ｒｐｍ
で常温にて１時間攪拌した。その後、塩化メチレン５リ
ツトル及び水５リットルを加え、５００ｒｐｍで室温に
て１０分間攪拌した。攪拌停止後、静置分離し有機相を
得た。この有機相を０．０３規定の水酸化ナトリウム水
溶液５リットルでアルカリ洗浄、０．２規定の塩酸５リ
ットルで酸洗浄及び水５リットルで水洗（二回）を順次
行った。塩化メチレンを留去し、乾燥してフレーク状の
芳香族ポリカーボネート樹脂（Ａ）を得た。尚、ＮＭＲ
測定により末端基の略１００モル％が、ｐ−クミルフエ
ノキシ基であった。
ルフェノール１６６．７ｇを溶解させ、これに、水酸化
ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：７５ｇ，水：１．０リツ
トル）とトリエチルアミン１．１７ミリリットルを加
え、３００ｒｐｍで常温で３０分攪拌した。ついで、塩
化メチレン８リットル及びビスフェノールＡの水酸化ナ
トリウム水溶液（ビスフェノールＡ：６０７ｇ，ＮａＯ
Ｈ：３２０ｇ，水：５リットル）を加え、５００ｒｐｍ
で常温にて１時間攪拌した。その後、塩化メチレン５リ
ツトル及び水５リットルを加え、５００ｒｐｍで室温に
て１０分間攪拌した。攪拌停止後、静置分離し有機相を
得た。この有機相を０．０３規定の水酸化ナトリウム水
溶液５リットルでアルカリ洗浄、０．２規定の塩酸５リ
ットルで酸洗浄及び水５リットルで水洗（二回）を順次
行った。塩化メチレンを留去し、乾燥してフレーク状の
芳香族ポリカーボネート樹脂（Ａ）を得た。尚、ＮＭＲ
測定により末端基の略１００モル％が、ｐ−クミルフエ
ノキシ基であった。
【００４２】ＰＣ−Ｂ：前記ＰＣ−Ａの製造において、
ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−オクチルフェノール１６２．０ｇを用いた以外
は、同様な方法により芳香族ポリカーボネート樹脂
（Ｂ）を得た。末端基の略１００モル％がｐ−ｔｅｒｔ
−オクチルフェノキシ基であった。
ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−オクチルフェノール１６２．０ｇを用いた以外
は、同様な方法により芳香族ポリカーボネート樹脂
（Ｂ）を得た。末端基の略１００モル％がｐ−ｔｅｒｔ
−オクチルフェノキシ基であった。
【００４３】ＰＣ−Ｃ：前記ＰＣ−Ａの製造において、
ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１１８．０ｇを用いた以外
は、同様な方法により芳香族ポリカーボネート樹脂
（Ｃ）を得た。末端基の略１００モル％が、ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノキシ基であった。以下、本発明を実施
例及び比較例により、詳細に説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１１８．０ｇを用いた以外
は、同様な方法により芳香族ポリカーボネート樹脂
（Ｃ）を得た。末端基の略１００モル％が、ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノキシ基であった。以下、本発明を実施
例及び比較例により、詳細に説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
【００４４】実施例１、４、比較例１〜３
芳香族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ａに、０．０２８質
量部のステアリン酸モノグリセリド（ＳＭと略称するこ
とがある。）、０．００４質量％のトリス（２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト及び２５℃
で測定した電気伝導率が０．９μS／ｃｍの水を所定量
加えブレンドし、２５５℃で二軸押出成形機にて溶融混
練し、光ディスク基板を成形するための芳香族ポリカー
ボネート樹脂ペレットを得た。このペレットを用いて、
成形金型〔直径：１２０ｍｍ、厚み：０．６ｍｍ、ピッ
ト深さ：１４０ｎｍのＤＶＤ−ＲＯＭ用スタンパー〕を
用い、樹脂温度：３７０℃、金型温度：１００℃、成形
サイクル：５．３秒の条件で光ディスク基板を成形し
た。実験条件を表１−１に示す、
量部のステアリン酸モノグリセリド（ＳＭと略称するこ
とがある。）、０．００４質量％のトリス（２，４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト及び２５℃
で測定した電気伝導率が０．９μS／ｃｍの水を所定量
加えブレンドし、２５５℃で二軸押出成形機にて溶融混
練し、光ディスク基板を成形するための芳香族ポリカー
ボネート樹脂ペレットを得た。このペレットを用いて、
成形金型〔直径：１２０ｍｍ、厚み：０．６ｍｍ、ピッ
ト深さ：１４０ｎｍのＤＶＤ−ＲＯＭ用スタンパー〕を
用い、樹脂温度：３７０℃、金型温度：１００℃、成形
サイクル：５．３秒の条件で光ディスク基板を成形し
た。実験条件を表１−１に示す、
【００４５】成形した芳香族ポリカーボネート樹脂光デ
ィスク基板を、下記により評価した結果を表１−２に示
す。 １．芳香族ポリカーボネート樹脂ペレット中のステアリ
ン酸モノグリセリド（ＳＭ）の残存量 水を添加しないと、ステアリン酸モノグリセリドからス
テアロイルオキシエチレンカーボネート、ステアリン酸
ジグリセリド及びステアリン酸トリグリセリド等の変性
体が生成することが確認された。 ２．離型性：成形状況を目視観察した。 〇：全く問題なく離型。△：やや問題がある。×：問題
あり 尚、ここでやや問題があるとは、光ディスク基板又はス
プルーの離型不良によりロボットが金型から光ディスク
基板の取り出しに失敗し成形機が停止することを指す。 ３．耐湿熱性 光ディスク基板を温度：９０℃、湿度：９０％の恒温恒
湿条件下で、１，０００時間加速劣化試験した後の、粘
度平均分子量を測定して評価した。第１−２表より、２
５℃で測定した電気伝導率が０．９μS／ｃｍの水の添
加量が特定範囲において、離型剤であるステアリン酸モ
ノグリセリドが変性せず、離型性が優れている。又、耐
湿熱性にも優れ、芳香族ポリカーボネート樹脂が加水分
解しないため、情報記録の信頼性にも優れていることが
明らかである。
ィスク基板を、下記により評価した結果を表１−２に示
す。 １．芳香族ポリカーボネート樹脂ペレット中のステアリ
ン酸モノグリセリド（ＳＭ）の残存量 水を添加しないと、ステアリン酸モノグリセリドからス
テアロイルオキシエチレンカーボネート、ステアリン酸
ジグリセリド及びステアリン酸トリグリセリド等の変性
体が生成することが確認された。 ２．離型性：成形状況を目視観察した。 〇：全く問題なく離型。△：やや問題がある。×：問題
あり 尚、ここでやや問題があるとは、光ディスク基板又はス
プルーの離型不良によりロボットが金型から光ディスク
基板の取り出しに失敗し成形機が停止することを指す。 ３．耐湿熱性 光ディスク基板を温度：９０℃、湿度：９０％の恒温恒
湿条件下で、１，０００時間加速劣化試験した後の、粘
度平均分子量を測定して評価した。第１−２表より、２
５℃で測定した電気伝導率が０．９μS／ｃｍの水の添
加量が特定範囲において、離型剤であるステアリン酸モ
ノグリセリドが変性せず、離型性が優れている。又、耐
湿熱性にも優れ、芳香族ポリカーボネート樹脂が加水分
解しないため、情報記録の信頼性にも優れていることが
明らかである。
【００４６】実施例２
芳香族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ａの代わりに、芳香
族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ｂを用いた以外は、実施
例１と同様にして芳香族ポリカーボネート樹脂ペレット
を得、このペレットを用いて、光ディスク基板を成形し
た。実験条件を表１−１、評価した結果を表１−２に示
す。
族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ｂを用いた以外は、実施
例１と同様にして芳香族ポリカーボネート樹脂ペレット
を得、このペレットを用いて、光ディスク基板を成形し
た。実験条件を表１−１、評価した結果を表１−２に示
す。
【００４７】実施例３
芳香族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ａの代わりに、芳香
族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ｃを用いた以外は、実施
例１と同様にして芳香族ポリカーボネート樹脂ペレット
を得、このペレットを用いて、光ディスク基板を成形し
た。実験条件を表１−１、評価した結果を表１−２に示
す。
族ポリカーボネート樹脂ＰＣ−Ｃを用いた以外は、実施
例１と同様にして芳香族ポリカーボネート樹脂ペレット
を得、このペレットを用いて、光ディスク基板を成形し
た。実験条件を表１−１、評価した結果を表１−２に示
す。
【００４８】実施例５、比較例４〜７
芳香族ポリカーボネート樹脂として、ＰＣ−Ａを用い、
ステアリン酸モノグリセリドは添加しないで光ディスク
基板を成形する樹脂ペレットを実施例１に準じて得た。
このペレット１００ｇに対し、２５℃での電気伝導率を
変えた水を１ミリリットル添加し、プレス成形(プレス
温度２３０℃、プレス圧力最大１００ｋｇ／ｃｍ2）
し、得られた光ディスク基板(約１００ｍｍφ、０．５
ｍｍ厚）を、ＴＡＢＡＩ−ＥＳＰＥＣ社製恒温恒湿槽を
用い、９０℃、９０％ＲＨなる条件下にて１００時間加
速劣化試験を行なった。試験終了後、光ディスク基板を
光学偏光顕微鏡を用いて、芳香族ポリカーボネート樹脂
の加水分解による偏光白濁欠陥の発生個数を観察した。
その評価結果を第２表に示す。表２より、２５℃で測定
した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を用いる必要が
あることが分かる。
ステアリン酸モノグリセリドは添加しないで光ディスク
基板を成形する樹脂ペレットを実施例１に準じて得た。
このペレット１００ｇに対し、２５℃での電気伝導率を
変えた水を１ミリリットル添加し、プレス成形(プレス
温度２３０℃、プレス圧力最大１００ｋｇ／ｃｍ2）
し、得られた光ディスク基板(約１００ｍｍφ、０．５
ｍｍ厚）を、ＴＡＢＡＩ−ＥＳＰＥＣ社製恒温恒湿槽を
用い、９０℃、９０％ＲＨなる条件下にて１００時間加
速劣化試験を行なった。試験終了後、光ディスク基板を
光学偏光顕微鏡を用いて、芳香族ポリカーボネート樹脂
の加水分解による偏光白濁欠陥の発生個数を観察した。
その評価結果を第２表に示す。表２より、２５℃で測定
した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を用いる必要が
あることが分かる。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
【表３】
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、光ディスク基板の長期
データ保存に対する信頼性が向上する。更に、溶融押出
し成形条件幅が拡大するため、成形サイクルが向上し、
成形における歩留り改善による生産効率も向上し、コス
ト低減を図ることができる。
データ保存に対する信頼性が向上する。更に、溶融押出
し成形条件幅が拡大するため、成形サイクルが向上し、
成形における歩留り改善による生産効率も向上し、コス
ト低減を図ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６Ｒ
11/105 ５２１ 11/105 ５２１Ａ
Ｆターム(参考） 4F070 AA50 AB00 AB09 AB22 AC12
AC43 AE17 DA11 DC11
4J002 CG001 DE027 EH056 FD166
FD207 GP00 GS02
4J029 AA09 AB01 AB04 AB07 AC01
AC02 AD01 AD10 AE05 BB10A
BB12A BB13A BB13B BD09A
BE05A BF14A BH02 DB07
DB11 DB13 FA07 JA093
JB183
5D029 KA07 KA17
5D075 EE03 FG15
Claims (8)
- 【請求項１】 芳香族ポリカーボネート樹脂１００質量
部に対し、炭素数１４〜３０の脂肪酸モノグリセリドを
０．０１５〜０．０５質量部添加するとともに、２５℃
で測定した電気伝導率が１μS／ｃｍ以下の水を添加し
て、該樹脂の含水量を０．０５〜０．３質量％に調節し
ながら、押出し成形し、冷却、切断してペレット化して
なる粘度平均分子量（Ｍｖ）が１０，０００〜２０，０
００である光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹
脂。 - 【請求項２】 溶融押出しされた芳香族ポリカーボネー
ト樹脂の冷却を、２５℃で測定した電気伝導率が１μS
／ｃｍ以下の水を用いて行なう請求項１に記載の光ディ
スク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項３】 芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基の
３０モル％以上がｐ−クミルフェノキシ基及び／又はｐ
−ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシ基である請求項１に記
載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項４】 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均
分子量（Ｍｖ）が、１１，０００〜１８，０００である
請求項１〜３のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香
族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項５】 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均
分子量（Ｍｖ）が、１２，０００〜１６，０００である
請求項１〜３のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香
族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項６】 脂肪酸モノグリセリドの添加量が０．０
２〜０．０４質量部である請求項１〜５のいずれかに記
載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項７】 脂肪酸モノグリセリドがステアリン酸モ
ノグリセリドである請求項１〜６のいずれかに記載の光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項８】 芳香族ポリカーボネート樹脂の含水量が
０．０５〜０．２質量％である請求項１〜７のいずれか
に記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹
脂。
Priority Applications (9)
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| US10/501,926 US7122614B2 (en) | 2002-02-18 | 2003-02-14 | Aromatic polycarbonate resins for optical disk substrates |
| PCT/JP2003/001544 WO2003068863A1 (fr) | 2002-02-18 | 2003-02-14 | Resines de polycarbonate aromatique pour substrats de disques optiques |
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| AT03705154T ATE420919T1 (de) | 2002-02-18 | 2003-02-14 | Aromatische polycarbonatharze für substrate für optische scheiben |
| DE60325832T DE60325832D1 (de) | 2002-02-18 | 2003-02-14 | Aromatische polycarbonatharze für substrate für optische scheiben |
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| EP (1) | EP1477527B1 (ja) |
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| DE (1) | DE60325832D1 (ja) |
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| TW (1) | TWI255822B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2009096924A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 樹脂スタンパ用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、樹脂スタンパの製造方法および樹脂スタンパ |
| JP2009096117A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 樹脂スタンパ用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、樹脂スタンパの製造方法および樹脂スタンパ |
| WO2017086210A1 (ja) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート樹脂組成物及びその成形品 |
| JPWO2017086209A1 (ja) * | 2015-11-20 | 2018-09-06 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート樹脂ペレットの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US20100255295A1 (en) * | 2007-12-07 | 2010-10-07 | Tomomitsu Onizawa | Resin composition, molded article thereof, and key for terminal equipment |
| EP3388464A4 (en) * | 2015-12-11 | 2018-12-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Aromatic polycarbonate resin, aromatic polycarbonate resin composition, and method for manufacturing aromatic polycarbonate resin molded body |
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