JP2662049B2 - 光学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体 - Google Patents
光学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体Info
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- JP2662049B2 JP2662049B2 JP1236882A JP23688289A JP2662049B2 JP 2662049 B2 JP2662049 B2 JP 2662049B2 JP 1236882 A JP1236882 A JP 1236882A JP 23688289 A JP23688289 A JP 23688289A JP 2662049 B2 JP2662049 B2 JP 2662049B2
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- optical
- optical disk
- polycarbonate resin
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- recording medium
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、長期間にわたって高い信頼性を維持できる
光学式ディスク基板、及び該ディスク基板を用いた光学
式情報記録媒体に関する。
光学式ディスク基板、及び該ディスク基板を用いた光学
式情報記録媒体に関する。
［従来の技術と解決すべき課題］ オーディオディスク，レーザディスク，光ディスクメ
モリ，または光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情
報の再生，追記書換えを行なう光学式情報記録媒体に用
いられる光学式ディスク基板には、成形性，強度，光線
透過率及び耐湿性等の点で優れているポリカーボネート
樹脂が多く用いられている。
モリ，または光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情
報の再生，追記書換えを行なう光学式情報記録媒体に用
いられる光学式ディスク基板には、成形性，強度，光線
透過率及び耐湿性等の点で優れているポリカーボネート
樹脂が多く用いられている。
しかしながら、このように優れた性質を有するポリカ
ーボネート樹脂製の基板も、高温，高湿下において白点
を発生するという欠点がある。
ーボネート樹脂製の基板も、高温，高湿下において白点
を発生するという欠点がある。
一方、光学式ディスク基板、およびこの基板を用いた
光学式情報記録媒体に要求される特性の一つとして、長
期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるよ
うにすることが必要である。ところが、上述したように
ポリカーボネート樹脂は高温，高湿下において、成形品
に白点を発生させるためビットエラー率（BER）の増加
をもたらし、光学式情報記録媒体の使用寿命を縮める大
きな原因となっていた。
光学式情報記録媒体に要求される特性の一つとして、長
期間（十年以上）にわたって高い信頼性を維持できるよ
うにすることが必要である。ところが、上述したように
ポリカーボネート樹脂は高温，高湿下において、成形品
に白点を発生させるためビットエラー率（BER）の増加
をもたらし、光学式情報記録媒体の使用寿命を縮める大
きな原因となっていた。
このため、従来よりポリカーボネート樹脂の精製処理
法が種々研究されており、次のようなディスク基板用の
ポリカーボネート樹脂あるいはその製造方法が提案され
ている。
法が種々研究されており、次のようなディスク基板用の
ポリカーボネート樹脂あるいはその製造方法が提案され
ている。
例えば、特開平１−146926号においては、重合鎖の
繰り返し単位数ｎが１〜３の低分子量体を0.2重量％以
下、未反応ビスフェノールを10ppm以下としたポリカー
ボネート樹脂成形材料が、また、特開昭64−56729号
においては、低分子量成分４〜８重量％、未反応ビスフ
ェノール類70〜150ppm、及び塩化メチレン50〜150ppmを
含有する粉末状ポリカーボネートを40℃以上でケトン類
を用いて抽出処理する方法が、さらに、特開昭63−31
6313号においては、低分子量成分３重量％以下、未反応
ビスフェノール類20ppm以下、及び塩化メチレン20ppm以
下としたポリカーボネート樹脂がそれぞれ提案されてい
る。
繰り返し単位数ｎが１〜３の低分子量体を0.2重量％以
下、未反応ビスフェノールを10ppm以下としたポリカー
ボネート樹脂成形材料が、また、特開昭64−56729号
においては、低分子量成分４〜８重量％、未反応ビスフ
ェノール類70〜150ppm、及び塩化メチレン50〜150ppmを
含有する粉末状ポリカーボネートを40℃以上でケトン類
を用いて抽出処理する方法が、さらに、特開昭63−31
6313号においては、低分子量成分３重量％以下、未反応
ビスフェノール類20ppm以下、及び塩化メチレン20ppm以
下としたポリカーボネート樹脂がそれぞれ提案されてい
る。
しかしながら、特開平１−146926号における成形材
料を得るためには、ポリカーボネートの塩化メチレン溶
液をノルマルヘキサン等の非溶媒を用いて沈殿化させる
必要があるが、ポリカボネートの分子量が15,000程度の
ものでは、微粉化して取扱いあるいは成形が困難となる
という問題がある。
料を得るためには、ポリカーボネートの塩化メチレン溶
液をノルマルヘキサン等の非溶媒を用いて沈殿化させる
必要があるが、ポリカボネートの分子量が15,000程度の
ものでは、微粉化して取扱いあるいは成形が困難となる
という問題がある。
また、特開昭64−56729号におけるポリカーボネー
ト樹脂製造方法及び特開昭63−316313号におけるポリ
カーボネート樹脂では、純度の向上が必ずしも十分では
ない。
ト樹脂製造方法及び特開昭63−316313号におけるポリ
カーボネート樹脂では、純度の向上が必ずしも十分では
ない。
さらに、上述した従来のものにおいては、ポリカーボ
ネート樹脂の最終用途、製品である光学式ディスク基板
の高温，高湿下における白点発生について、何等認識さ
れておらず、光学式ディスク基板として実用上要求され
る特性について何等の提案もなかった。
ネート樹脂の最終用途、製品である光学式ディスク基板
の高温，高湿下における白点発生について、何等認識さ
れておらず、光学式ディスク基板として実用上要求され
る特性について何等の提案もなかった。
本発明は、上記事情にかんがみてなされたものであ
り、白点の発生を最小限に抑制し得る、信頼性の高い光
学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体の提供を目的
とする。
り、白点の発生を最小限に抑制し得る、信頼性の高い光
学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体の提供を目的
とする。
［課題の解決手段］ 本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究を
重ねてきた結果、ポリカーボネート樹脂を用いた光学式
ディスク基板に発生する白点の原因が、樹脂中に含まれ
る末端水酸基とナトリウムとの相互作用によるものであ
ることを見い出した。
重ねてきた結果、ポリカーボネート樹脂を用いた光学式
ディスク基板に発生する白点の原因が、樹脂中に含まれ
る末端水酸基とナトリウムとの相互作用によるものであ
ることを見い出した。
そして、光学式ディスク基板を構成するポリカーボネ
ート樹脂中における末端水酸基の量と残留微量ナトリウ
ムの量とを、それぞれある基準値以下にすると、基板に
発生する白点を最小限に抑制できることを知見し、本発
明に至った。
ート樹脂中における末端水酸基の量と残留微量ナトリウ
ムの量とを、それぞれある基準値以下にすると、基板に
発生する白点を最小限に抑制できることを知見し、本発
明に至った。
すなわち、本発明によれば、ポリカーボネート樹脂中
の末端水酸基の含有量が、重合体鎖の繰り返し単位当り
0.3モル％以下であり、かつ残留ナトリウム量が1ppm以
下であるポリカーボネート樹脂で構成されてなることを
特徴とする光学式ディスク基板が提供される。
の末端水酸基の含有量が、重合体鎖の繰り返し単位当り
0.3モル％以下であり、かつ残留ナトリウム量が1ppm以
下であるポリカーボネート樹脂で構成されてなることを
特徴とする光学式ディスク基板が提供される。
また、前記ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が
12,000〜20,000であることを特徴とする光学式ディスク
基板が提供される。
12,000〜20,000であることを特徴とする光学式ディスク
基板が提供される。
さらに、前記光学式ディスク基板の表面に、光学的記
録層が形成されてなることを特徴とする光学式情報記録
媒体が提供される。
録層が形成されてなることを特徴とする光学式情報記録
媒体が提供される。
本発明の光学式ディスク基板において使用されるポリ
カーボネート樹脂としては、粘度平均分子量が12,000〜
20,000のものが好ましく、たとえば二価フェノール類
と、ホスゲンまたはジフェニルカーボネートのような炭
酸エステルとの反応により製造することができる。
カーボネート樹脂としては、粘度平均分子量が12,000〜
20,000のものが好ましく、たとえば二価フェノール類
と、ホスゲンまたはジフェニルカーボネートのような炭
酸エステルとの反応により製造することができる。
二価フェノール類としては、ハイドロキノン、4,4′
−ジヒドロキシフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）
アルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカ
ン、ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒド
ロキシフェニル）ケトン、ビス（ヒドロキシフェニル）
スルフィド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、及
びこれらの低級アルキル、ハロゲン等の置換体をあげる
ことができるが、2,2′−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下、ビスフェノールＡという）1,1−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、2,2−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン
等を使用することが好ましい。
−ジヒドロキシフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）
アルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカ
ン、ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒド
ロキシフェニル）ケトン、ビス（ヒドロキシフェニル）
スルフィド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、及
びこれらの低級アルキル、ハロゲン等の置換体をあげる
ことができるが、2,2′−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下、ビスフェノールＡという）1,1−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、2,2−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン
等を使用することが好ましい。
またこれら二価フェノールは単体で、あるいは混合し
て使用することもできる。
て使用することもできる。
さらに本発明で使用されるポリカーボネートとして
は、一部分枝構造を有するものであってもよい。粘度平
均分子量はポリカーボネートの製造時に、ｐ−ターシャ
リーブチルフェノール、パラクミルフェノールのような
末端停止剤の添加により制御することができる。
は、一部分枝構造を有するものであってもよい。粘度平
均分子量はポリカーボネートの製造時に、ｐ−ターシャ
リーブチルフェノール、パラクミルフェノールのような
末端停止剤の添加により制御することができる。
この粘度平均分子量は、12,000未満であると強度が実
用に耐えられなくなり、20,000を越えると成形性，光学
的特性の点で十分な性能を得られなくなる。
用に耐えられなくなり、20,000を越えると成形性，光学
的特性の点で十分な性能を得られなくなる。
なお、粘度平均分子量Mvは、20℃の塩化メチレン溶液
の比粘度ηspを測定し、式 ηsp/C＝［η］（１＋0.28ηsp） Ｃ＝ポリカーボネート樹脂濃度g/1 および ［η］＝1.23×10-5Mv0.83 によって測定できる。
の比粘度ηspを測定し、式 ηsp/C＝［η］（１＋0.28ηsp） Ｃ＝ポリカーボネート樹脂濃度g/1 および ［η］＝1.23×10-5Mv0.83 によって測定できる。
射出成形に用いる原料ポリカーボネート樹脂は、従来
公知の方法により製造した後、溶液状態において酸洗，
アルカリ洗，水洗を繰返したり、酸，アルカリの濃度を
変更したり、濾過処理をしたり、あるいは粒状の原料
を、例えば加熱条件下でアセトンなどの貧溶媒で洗浄し
たりして低分子量成分，未反応成分、金属成分などの不
純物や異物を除去することが好ましい。
公知の方法により製造した後、溶液状態において酸洗，
アルカリ洗，水洗を繰返したり、酸，アルカリの濃度を
変更したり、濾過処理をしたり、あるいは粒状の原料
を、例えば加熱条件下でアセトンなどの貧溶媒で洗浄し
たりして低分子量成分，未反応成分、金属成分などの不
純物や異物を除去することが好ましい。
いずれにしても、射出成形前の原料は、これらの処理
の組合せによって異物，不純物，溶媒などの含有量を極
力低くしておくとともに、重縮合条件をも含めて、末端
水酸基の量を低く制御することが必要である。
の組合せによって異物，不純物，溶媒などの含有量を極
力低くしておくとともに、重縮合条件をも含めて、末端
水酸基の量を低く制御することが必要である。
なお、必要により、例えばリン系等の酸化防止剤など
の添加剤を加えることも可能である。
の添加剤を加えることも可能である。
上述のようなポリカーボネート樹脂を原料として光学
式ディスク基板を製造する場合、原料の異物強度（有機
溶媒溶液中における異物の粒径と個数の積算値）は、通
常30,000μm2/g以下、好ましくは15,000μm2/g以下のも
のを用いる。また、射出成形時における樹脂温度は300
〜400℃とし、金型温度は通常50〜140℃、好ましくは80
〜130℃とする。さらに、この射出成形時における金属
成分の混入が少なくなるような材質の選定等を行なうこ
とが好ましい。
式ディスク基板を製造する場合、原料の異物強度（有機
溶媒溶液中における異物の粒径と個数の積算値）は、通
常30,000μm2/g以下、好ましくは15,000μm2/g以下のも
のを用いる。また、射出成形時における樹脂温度は300
〜400℃とし、金型温度は通常50〜140℃、好ましくは80
〜130℃とする。さらに、この射出成形時における金属
成分の混入が少なくなるような材質の選定等を行なうこ
とが好ましい。
なお、金型表面温度のみを高周波等を用いてガラス転
移温度以上に加熱し、樹脂射出後にディスク基板取出可
能温度まで冷却するようにしてもよい。このようにする
と、より光学的特性にすぐれた基板を得ることができ
る。
移温度以上に加熱し、樹脂射出後にディスク基板取出可
能温度まで冷却するようにしてもよい。このようにする
と、より光学的特性にすぐれた基板を得ることができ
る。
このようにして製造した光学式ディスク基板を構成す
るポリカーボネート樹脂中の末端水酸基の量は、重合鎖
の繰り返し単位当り0.3モル％以下に、またナトリウム
の量は1ppm以下とする必要がある。
るポリカーボネート樹脂中の末端水酸基の量は、重合鎖
の繰り返し単位当り0.3モル％以下に、またナトリウム
の量は1ppm以下とする必要がある。
本発明者の実験によると、上記末端水酸基及びナトリ
ウムの量がそれぞれ上記の量を越えると、光学式ディス
ク基板に発生する白点が急激に増加することが判明し
た。
ウムの量がそれぞれ上記の量を越えると、光学式ディス
ク基板に発生する白点が急激に増加することが判明し
た。
また、上記ポリカーボネート樹脂中に、炭素数14〜3
0、好ましくは炭素数16〜24の脂肪酸モノグリセリドを
0.002〜0.5重合％、好ましく0.005〜0.1重量％含有させ
ると、その理由は明らかではないが白点の発生がさらに
抑制されることも判明した。
0、好ましくは炭素数16〜24の脂肪酸モノグリセリドを
0.002〜0.5重合％、好ましく0.005〜0.1重量％含有させ
ると、その理由は明らかではないが白点の発生がさらに
抑制されることも判明した。
上記脂肪酸モノグリセリドとしては、飽和一価脂肪酸
モノグリセリドで、ステアリン酸モノグリセリド，ベヘ
ン酸モノグリセリドなどや、これらの混合物を例示でき
る。
モノグリセリドで、ステアリン酸モノグリセリド，ベヘ
ン酸モノグリセリドなどや、これらの混合物を例示でき
る。
また、末端水酸基の量を、重合鎖の繰り返し単位当り
0.3モル％以下に、またナトリウムの量を1ppm以下とす
るには、重縮合，重縮合後のポリカーボネート樹脂の塩
化メチレン溶液のアルカリ洗，酸洗，高純度の水による
水洗及び／または粒状ポリマーにした後の貧溶媒（アセ
トン）による洗浄等の有効な除去方法を組み合わせるこ
とによって行なう。
0.3モル％以下に、またナトリウムの量を1ppm以下とす
るには、重縮合，重縮合後のポリカーボネート樹脂の塩
化メチレン溶液のアルカリ洗，酸洗，高純度の水による
水洗及び／または粒状ポリマーにした後の貧溶媒（アセ
トン）による洗浄等の有効な除去方法を組み合わせるこ
とによって行なう。
なお、より好ましい方法としては、重縮合、溶液状態
での十分な洗浄によつて得られた溶液により、例えば特
開平１−74231号記載の方法により温水中で粒状体を
得、この粒状体を塩化メチレンとアセトンなどからなる
混合溶液で洗浄する方法を採用できる。この方法によれ
ば分子量が低くても、1mm程度の粒状体が得られ、取扱
いや、溶融成形が容易にできる。
での十分な洗浄によつて得られた溶液により、例えば特
開平１−74231号記載の方法により温水中で粒状体を
得、この粒状体を塩化メチレンとアセトンなどからなる
混合溶液で洗浄する方法を採用できる。この方法によれ
ば分子量が低くても、1mm程度の粒状体が得られ、取扱
いや、溶融成形が容易にできる。
次に、上記光学式ディスク基板を用いた光学式情報記
録媒体の一具体例を第１図にもとづいて説明する。
録媒体の一具体例を第１図にもとづいて説明する。
第１図において、１はポリカーボネート樹脂からなる
光学式ディスク基板である。２は情報記録層であり、F
e,Co等の遷移金属とTb,Nd,Nd,Dy等の希土類を組み合わ
せてなる材料が蒸着，スパッタリング等により形成され
ている。３は記録層２を保護するための保護層であり、
シリコン形成セラミックス等を用いている。４はオーバ
ーコート層または接着層であり、紫外線硬化樹脂等を用
いている。
光学式ディスク基板である。２は情報記録層であり、F
e,Co等の遷移金属とTb,Nd,Nd,Dy等の希土類を組み合わ
せてなる材料が蒸着，スパッタリング等により形成され
ている。３は記録層２を保護するための保護層であり、
シリコン形成セラミックス等を用いている。４はオーバ
ーコート層または接着層であり、紫外線硬化樹脂等を用
いている。
このようにして、光学式ディスク基板に情報記録層を
形成した光学式情報記録媒体は、主に追記型，書換え型
として用いる。
形成した光学式情報記録媒体は、主に追記型，書換え型
として用いる。
［実施例］ 本発明実施例１〜４の光学式ディスク基板と比較例１
〜３の光学式ディスク基板を比較する。
〜３の光学式ディスク基板を比較する。
○ 光学式ディスク基板 （１）使用原料 a.重縮合条件 ビスフェノールＡを用い、公知のホスゲン法により、
ポリカーボネート樹脂を得た。
ポリカーボネート樹脂を得た。
b.得られたポリカーボネート樹脂の酸洗，アリカリ洗，
水洗条件を種々変更した。
水洗条件を種々変更した。
c.粒状化条件を種々変更した。
d.粒状体の抽出条件 ポリカーボネートの良溶媒である塩化メチレンと、貧
溶媒であるアセトンとの混合溶液で下記条件により粒状
ポリカーボネートを抽出処理した。
溶媒であるアセトンとの混合溶液で下記条件により粒状
ポリカーボネートを抽出処理した。
（粒状ポリカーボネート：溶液＝1:3） 塩化メチレン :アセトン 温度 時間 回数 実施例１ 2:8 50℃ 1H r ２ 実施例２ 2:8 50℃ 1H r １ 実施例3,4 1:9 50℃ 1H r １ 比較例１ 0:10 50℃ 1H r １ 比較例2,3 市販品 （２）粘度平均分子量Mv＝約14,000〜15,000測定法:Sch
ne11の粘度式 ［η］＝1.23×10-5Mv0.83 ここでηは、固有粘度 （３）末端水酸基 測定法：1H−NMR ここでｎは、 （４）残留ナトリウム量 測定法：原子吸光法 ○ 射出成形 上記原料のうち、末端水酸基量、残留ナトリウム量の
異なる原料を成形（成形温度:340℃，金型温度:120℃）
し、光ディスク基板を得た。
ne11の粘度式 ［η］＝1.23×10-5Mv0.83 ここでηは、固有粘度 （３）末端水酸基 測定法：1H−NMR ここでｎは、 （４）残留ナトリウム量 測定法：原子吸光法 ○ 射出成形 上記原料のうち、末端水酸基量、残留ナトリウム量の
異なる原料を成形（成形温度:340℃，金型温度:120℃）
し、光ディスク基板を得た。
基板サイズ:130mmφ，厚み1.2mm ○ 加速劣化テスト （１）高温高湿条件:70℃ 90％RH 80℃ 90％RH （２）定期的にサンプルを取り出し、偏光顕微鏡を用い
て50μｍ以上の白点の数を測定した。これを10枚の光学
式ディスク基板について行ない、その平均値を求めた。
以下の結果をまとめて表１に示す。
て50μｍ以上の白点の数を測定した。これを10枚の光学
式ディスク基板について行ない、その平均値を求めた。
以下の結果をまとめて表１に示す。
この結果、本発明の実施例の光学式ディスク基板の場
合には、従来のものに比べて白点の発生が大幅に減少し
ていることが判明した。
合には、従来のものに比べて白点の発生が大幅に減少し
ていることが判明した。
○ビットエラー率テスト 上述した実施例１〜４及び比較例１〜３の光学式ディ
スク基板より、それぞれ実施例１〜４と、比較例１〜３
の光学式情報記録媒体を得て比較した。
スク基板より、それぞれ実施例１〜４と、比較例１〜３
の光学式情報記録媒体を得て比較した。
（１）光学式情報記録媒体は、第２図に示す片面記録構
造のものを用いた。
造のものを用いた。
・記録層:Tb−Fe−Co系（800Å） ・保護層：シリコン系セラミックス（800Å） ・オーバーコート層：紫外線硬化樹脂（10μｍ） （２）実施例１〜４と比較例１〜３のビットエラー率の
変化を第３図のグラフに示す。
変化を第３図のグラフに示す。
この結果、本発明の実施例の光学式ディスク基板を用
いた光学式情報記録媒体のビットエラー率の変化の少な
いことが判明した。
いた光学式情報記録媒体のビットエラー率の変化の少な
いことが判明した。
［発明の効果］ 以上のように、本発明の光学式ディスク基板によれ
ば、白点の発生を十分抑制することができる。
ば、白点の発生を十分抑制することができる。
また、本発明の光学式情報記録媒体によれば、高温高
湿下でのビットエラー率の悪化を抑制でき、長期間の使
用に際して信頼性の向上を図ることができる。
湿下でのビットエラー率の悪化を抑制でき、長期間の使
用に際して信頼性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の光学式記録媒体の一実施例の構成図、
第２図は実施例と比較例における光学式情報記録媒体の
構成図、第３図は第２図の光学式情報記録媒体を用いて
行なったビットエラー率の変化を示す図。 1:基板 2:情報記録層 3:保護層 4:オーバーコート層
第２図は実施例と比較例における光学式情報記録媒体の
構成図、第３図は第２図の光学式情報記録媒体を用いて
行なったビットエラー率の変化を示す図。 1:基板 2:情報記録層 3:保護層 4:オーバーコート層
Claims (3)
- 【請求項１】ポリカーボネート樹脂中の末端水酸基の含
有量が、重合体鎖の繰り返し単位当り0.3モル％以下で
あり、かつ残留ナトリウム量が1ppm以下であるポリカー
ボネート樹脂で構成されてなることを特徴とする光学式
ディスク基板。 - 【請求項２】前記ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子
量が12,000〜20,000であることを特徴とする請求項１記
載の光学式ディスク基板。 - 【請求項３】請求項１または２記載の光学式ディスク基
板の表面に、光学的記録層が形成されてなることを特徴
とする光学式情報記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1236882A JP2662049B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 光学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体 |
| EP90117625A EP0417775B2 (en) | 1989-09-14 | 1990-09-13 | Molded article for optical use and optical information-storage medium |
| DE69011443T DE69011443T3 (de) | 1989-09-14 | 1990-09-13 | Geformter Gegenstand für optische Zwecke und Medium für optische Datenspeicherung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1236882A JP2662049B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 光学式ディスク基板及び光学式情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100501A JPH03100501A (ja) | 1991-04-25 |
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