JPWO2005078415A1 - 表面プラズモン共鳴センサー - Google Patents
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Abstract
基板102および金属層103を備えたチップと、プリズム104と、光源となる光学系105、光検出器106とを備えた表面プラズモン共鳴センサーにおいて、金属層103を、薄膜状に形成された平坦部109と、互いに間隔を空けて配置された金属微粒子110などからなる凸部とから構成する。このような構成の金属層103に対して光を入射した場合、平坦部109および凸部の各々に起因した共鳴角が得られる。この共鳴角からは、金属層が接している媒質の屈折率変化を検出することができる。
Description
本発明は、表面プラズモン共鳴(SPR:surface plasmon resonance)センサーに関し、より詳細には、タンパク質やDNAといった生体分子の相互作用を検出するのに適した表面プラズモン共鳴センサーに関する。
近年、生体分子の相互作用の有無または程度を検出するためのセンサーとして、表面プラズモン共鳴センサーが用いられている。
図1に、従来の表面プラズモン共鳴センサー1を示す。表面プラズモン共鳴センサー1は、ガラスなどからなる基板2と、基板2上に形成された金属薄膜3と、基板2の金属薄膜3が形成されていない側に配置されたプリズム4と、金属薄膜3と基板2との界面に対して種々の角度で光を入射させることができる光学系5と、金属薄膜3と基板2との界面で反射した光の強度を測定する光検出器6とを備える。金属薄膜3は、試料溶液と接しており、試料溶液中の抗原などのリガンド8は、金属薄膜3の表面に固定化された抗体などの受容体7と相互作用する。
図1に、従来の表面プラズモン共鳴センサー1を示す。表面プラズモン共鳴センサー1は、ガラスなどからなる基板2と、基板2上に形成された金属薄膜3と、基板2の金属薄膜3が形成されていない側に配置されたプリズム4と、金属薄膜3と基板2との界面に対して種々の角度で光を入射させることができる光学系5と、金属薄膜3と基板2との界面で反射した光の強度を測定する光検出器6とを備える。金属薄膜3は、試料溶液と接しており、試料溶液中の抗原などのリガンド8は、金属薄膜3の表面に固定化された抗体などの受容体7と相互作用する。
光学系5からの光を、金属薄膜3と基板2との界面で全反射するように、プリズム4に入射させると、金属薄膜3の表面に、電界分布をもつエバネッセント波が生じる。エバネッセント光の波数および周波数が、表面プラズモンの波数および周波数と一致するとき、両者は共鳴し、入射光のエネルギーが表面プラズモンに移行するので、反射光が減少する。
ここで、共鳴が起こるための入射角(共鳴角)は、金属薄膜3の表面の屈折率に依存する。金属薄膜3に固定された受容体7と試料溶液中のリガンド8とが相互作用した場合、表面の屈折率が変化するため、共鳴角が変化する。この角度変化を測定することで、生体分子の相互作用を検出する。図2に、表面プラズモン共鳴センサー1により受容体7とリガンド8との反応前後に測定した反射率の変化の例を示す。
ここで、共鳴が起こるための入射角(共鳴角)は、金属薄膜3の表面の屈折率に依存する。金属薄膜3に固定された受容体7と試料溶液中のリガンド8とが相互作用した場合、表面の屈折率が変化するため、共鳴角が変化する。この角度変化を測定することで、生体分子の相互作用を検出する。図2に、表面プラズモン共鳴センサー1により受容体7とリガンド8との反応前後に測定した反射率の変化の例を示す。
一方で、金属薄膜ではなく金属微粒子を膜状に固定した基板に対して光を照射し、金属微粒子を透過した光の吸光度を測定することによって、金属微粒子表面近傍の屈折率の変化を検出するようにした局在プラズモン共鳴センサーも提案されている(特許文献1)。
しかしながら、図1に示す表面プラズモン共鳴センサー1においては、金属薄膜から200nm程度の距離までの屈折率変化に影響されるため、金属薄膜に固定された生体分子の相互作用に基づく屈折率の変化のみならず、溶液部の濃度、pH、温度などの変化に基づく屈折率の変化もノイズとして検出されてしまうという問題点があった。
また、特許文献1に開示されている局在プラズモン共鳴センサーは、金属薄膜の代わりに金属微粒子膜を用いることで、発生する電場を金属微粒子表面近傍に局在化させ、溶液部における屈折率の変化の影響を小さくしているが、溶液部の影響を排除するものではなく、測定結果に対して溶液部の変化がどの程度影響しているのかが分からないという課題があった。
また、特許文献1に開示されている局在プラズモン共鳴センサーは、金属薄膜の代わりに金属微粒子膜を用いることで、発生する電場を金属微粒子表面近傍に局在化させ、溶液部における屈折率の変化の影響を小さくしているが、溶液部の影響を排除するものではなく、測定結果に対して溶液部の変化がどの程度影響しているのかが分からないという課題があった。
本発明は、上述のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、金属表面での分子の相互作用に基づく屈折率の変化および溶媒部での変化に基づく屈折率の変化をそれぞれ検出することを目的としている。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップは、透光性の基板と、表面に凹部又は凸部、及び前記凹部又は凸部間に位置する平坦部を有し、前記基板の表面を覆うように形成された金属層とを備えていることを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップのある実施態様は、前記基板が平坦な表面を有する基板であり、前記凸部が前記平坦部である金属薄膜の上に互いに間隔を空けて固定化された複数の金属微粒子であることを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップの別な実施態様は、前記基板は平坦な表面を有する基板であり、前記凹部又は凸部は前記金属層である金属薄膜に互いに間隔を空けて形成された複数の微小な凹部又は凸部であり、前記凹部は前記金属薄膜を貫通していないことを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップのさらに別な実施態様は、 前記基板の片側表面には、間隔を空けて複数の微小凸部または微小凹部が形成されており、前記金属層は、前記微小凸部または微小凹部の形状を反映するように、前記基板の片側表面上に形成されていることを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップのさらに別な実施態様は、前記金属層の材質が金または銀であることを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップの製造方法は、基板の片側表面にスパッタリングまたは蒸着により金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜の表面を化学修飾する工程と、前記化学修飾した基板を金属微粒子の溶液に浸漬する工程とを含むことを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップの製造方法は、基板の片側表面をアミノシランカップリング剤の溶液に浸漬する工程と、前記基板を金属微粒子の溶液に浸漬する工程と、前記基板を洗浄する工程と、前記片側表面にスパッタリングまたは蒸着により金属薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサーは、本発明に係る表面プラズモン共鳴センサー用チップと、前記チップの前記金属層が形成されていない側に配置されたプリズムと、前記チップに前記プリズムを介して光を照射する光源と、前記金属層による光の反射率を測定する光検出器とを備えたことを特徴とする。
本発明に係る生体分子の測定方法は、本発明に係る表面プラズモン共鳴センサーチップに対して光学系から光を照射し、前記チップの金属層と基板との界面で光を全反射させ、光検出器で反射光の強度を測定する生体分子の測定方法であって、前記照射光の周波数変化に対する前記反射光の強度の変化により、生体分子の相互作用の有無または程度を測定することを特徴とする。
本発明に係る屈折率変化の検出方法は、本発明に係る表面プラズモン共鳴センサーチップに対して光学系から光を照射し、前記チップの金属層と基板との界面で光を全反射させ、光検出器で反射光の強度を測定する屈折率変化の検出方法であって、前記反射光の共鳴角の変化を測定することにより、前記金属層表面での分子の相互作用に基づく屈折率の変化と、前記金属層近傍の溶媒との相互作用に基づく屈折率の変化をそれぞれ検出することを特徴とする。
本発明の表面プラズモン共鳴センサーは、プリズムの一面に形成される金属層が、薄膜状に形成された平坦部と、互いに間隔を空けて配置された金属微粒子などからなる凸部とからなっており、このような構成の金属層に対して光を入射した場合、平坦部および凸部の各々に起因した共鳴角が得られる。この特徴を利用することで、金属表面での分子の相互作用に基づく屈折率の変化および溶媒部での変化に基づく屈折率の変化を、それぞれ検出することができる。
1、101、201、301 表面プラズモン共鳴センサー
2、102 基板
3、103 金属層
4、104 プリズム
5、105 光学系
6、106 光検出器
7、107 受容体
8、108 リガンド
109 平坦部
110 金属微粒子
111 試料溶液
2、102 基板
3、103 金属層
4、104 プリズム
5、105 光学系
6、106 光検出器
7、107 受容体
8、108 リガンド
109 平坦部
110 金属微粒子
111 試料溶液
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明する。
図3は、本発明の第1の実施形態による表面プラズモン共鳴センサー101の概略側面図を示す。表面プラズモン共鳴センサー101は、ガラスなどからなる基板102と、基板102上に形成された金属層103と、基板102の金属層103が形成されていない側に配置されたプリズム104と、金属層103と基板102との界面に対して光を入射させる光学系105と、金属層103と基板102との界面で反射した光の強度を測定する光検出器106とを備える。光学系105は、ある波長の光を種々の入射角度で入射させるものであっても良いし、種々の波長の光を一定の入射角度で入射させるものであっても良い。
金属層103は、本実施形態において、薄膜状に形成された平坦部109と、互いに間隔を空けて配置された金属微粒子110とから構成されており、平坦部109は隣接する金属微粒子110間に露出している。平坦部109の厚みは、好ましくは、20〜60nmであり、金属微粒子110の径は、好ましくは、20〜150nmである。金属層103は、代表的に、金または銀からなるがこれらに限定されない。金属層103の表面には、抗体などの受容体107が固定化されている。金属層103は、抗原などのリガンド108を含む試料溶液111と接しており、リガンド108は、金属層103表面の受容体107と相互作用する。
このような構成において、光学系105からの光を、金属層103と基板102との界面で全反射するように、プリズム104に入射させると、金属層103の表面に、エバネッセント波が生じる。エバネッセント光の波数および周波数が、表面プラズモンの波数および周波数と一致するとき、両者は共鳴し、反射光が減少する。この反射光の反射率を光検出器106により測定する。
ここで、金属層103の表面で励起される表面プラズモンの電場について説明する。図4は、金属層103の表面に発生する電場の様子を両矢印により概念的に示す図である。図4(a)は、金属微粒子110の表面近傍(金属微粒子の半径(数十nm)程度の範囲)に局在化された電場(局在モード)を示す。図4(b)は、平坦部109の表面から数百nm程度の範囲に存在する電場(伝播モード)を示す。すなわち、局在モードは金属微粒子110に起因し、伝播モードは平坦部109に起因するものであり、図4(a)(b)では両モードを別々に表わしているが、両モードは同時に生成して混在している。図5は、表面プラズモンの各モードと入射光との関係を示すグラフであり、縦軸は角周波数(ω)、横軸は波数(k=2π/λ。ただし、λは波長)を示す。図5(a)は局在モードの表面プラズモンと入射光との関係を示し、図5(b)は伝播モードの表面プラズモンと入射光との関係を示しており、両モードとも入射光と一点で共鳴することが分かる。
本実施形態のように、局在モードと伝播モードが混在する場合、表面プラズモンのモードは、図5(c)に示すような分散関数で表わされるハイブリッドモード(a-d、c-b)となる。ただし、図5(c)においてQは局在モードと伝播モードとの交点を表わしていて、c-Q-dは局在モード、a-P-Q-bは伝播モードである。このようなハイブリッドモードと入射光との関係を表すグラフを図6に示す。図6から明らかなように、ハイブリッドモードを形成した表面プラズモンは、入射光と二点(A、B)で共鳴する。ただし、入射光は、基板102の屈折率をn、光の真空中での速度をcとするとき、ω=(c/n)kで表わされるものであり、基板102への入射角が一定の場合、基板102に入射する光の波長がA点に対応する短い側の共鳴波長の場合には、金属微粒子110の近傍において局在型の共鳴が発生し、基板102に入射する光の波長がB点に対応する長い側の共鳴波長の場合には、平坦部109による伝播型の共鳴が発生する。
しかして、種々の波長の光を一定の入射角度で入射させて反射率を測定した場合、図7(a)に示すように、2つの共鳴ピーク(A、B)が得られる。点線は、受容体107とリガンド108が反応する前の測定結果を、実線は、反応後の測定結果を示す。ピークAは、局在モードの電場に起因するもので、図6の点Aにおける共鳴に対応する。ピークBは、伝播モードの電場に起因するもので、図6の点Bにおける共鳴に対応する。
また、異なる2つの波長の光を種々の入射角度で入射させて反射率を測定した場合は、図7(b)に示すように、それぞれ1つの共鳴ピーク(A、B)が得られる。点線は、受容体107とリガンド108が反応する前の測定結果を、実線は、反応後の測定結果を示す。短い波長(波長λ1)のピークAは、局在モードの電場に起因するもので、図6の点Aにおける共鳴に対応する。長い波長(波長λ2)のピークBは、伝播モードの電場に起因するもので、図6の点Bにおける共鳴に対応する。
図8に示すように、種々の波長の光を一定の入射角度で入射させ、反応の前後で反射率の変化を測定した場合(図7(a))に得られる共鳴ピークの変化(Δλ1、Δλ2)は、それぞれ、金属層103表面における受容体107とリガンド108との相互作用に基づく屈折率の変化(Δn1)および溶媒部(試料溶液111)での屈折率の変化(Δn2)の両方に影響を受けている。Δλ1およびΔλ2を、それぞれΔn1、Δn2の関数として求めれば、二式を解くことでΔn1およびΔn2を算出することができる。よって、溶媒部の変化を除いた金属層表面のみの変化を厳密に測定することができる。
具体的にいうと、共鳴ピークの変化Δλ1は、金属膜近傍の屈折率変化Δn1と溶媒部の屈折率変化Δn2によって決まるので、金属微粒子層の厚みが既知であるとすれば、
Δλ1=F(Δn1、Δn2) …(1)
という関数で表わされる。同様に、共鳴ピークの変化Δλ2も、屈折率変化Δn1及びΔn2によって決まるので、
Δλ2=G(Δn1、Δn2) …(2)
という関数で表わされる。ここで、関数F及びGは、予め実験的に求めておけばよい。ハイブリッドモードでは、この2つの波長変化Δλ1、Δλ2を測定することができるので、上記(1)式、(2)式を解くことによって、波長変化Δλ1、Δλ2から屈折率変化Δn1、Δn2を求めることができる。
Δλ1=F(Δn1、Δn2) …(1)
という関数で表わされる。同様に、共鳴ピークの変化Δλ2も、屈折率変化Δn1及びΔn2によって決まるので、
Δλ2=G(Δn1、Δn2) …(2)
という関数で表わされる。ここで、関数F及びGは、予め実験的に求めておけばよい。ハイブリッドモードでは、この2つの波長変化Δλ1、Δλ2を測定することができるので、上記(1)式、(2)式を解くことによって、波長変化Δλ1、Δλ2から屈折率変化Δn1、Δn2を求めることができる。
続いて、本実施形態で用いられる金属層103の製法について説明する。
第1の製法は、ガラスや樹脂からなる基板を洗浄する工程、該基板上に蒸着またはスパッタリングにより金薄膜を形成する工程、該金属薄膜上にジチオール(例えば、1、10-デカンジチオール)の単分子層を形成する工程、および該基板を金微粒子の溶液に浸漬する工程を含む。本製法によれば、ジチオールを介して金薄膜に金微粒子を固定化することができる。
第1の製法は、ガラスや樹脂からなる基板を洗浄する工程、該基板上に蒸着またはスパッタリングにより金薄膜を形成する工程、該金属薄膜上にジチオール(例えば、1、10-デカンジチオール)の単分子層を形成する工程、および該基板を金微粒子の溶液に浸漬する工程を含む。本製法によれば、ジチオールを介して金薄膜に金微粒子を固定化することができる。
第2の製法は、ガラスや樹脂からなる基板を洗浄する工程、該基板の片側表面をアミノシランカップリング剤(例えば、3-アミノプロピルトリメトキシシラン)の溶液に浸漬する工程、該片側表面を金微粒子の溶液に浸漬する工程、該基板を洗浄する工程と、該片側表面にスパッタリングまたは蒸着により金属薄膜を形成する工程を含む。本製法では、基板上にまず金粒子を固定化し、次いで金粒子の間に金薄膜からなる平坦部109を形成する。
図9は、本発明の第2の実施形態による表面プラズモン共鳴センサー201の概略側面図を示す。本実施形態は、金属層103の構造において第1の実施形態と異なる。本実施形態における金属層103は、基板102の平坦な面上に金属薄膜を形成し、該金属薄膜上にエッチングなどにより微小凹凸を形成したものである。ただし、凹部は金属薄膜を貫通しないように形成される。このような金属層103を用いた場合においても、凹部または凸部近傍に電場が局在化するので、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、微小凹凸の形状および配置間隔は、図9に示されるものに限らず、適宜選択され得る。
なお、微小凹凸の形状および配置間隔は、図9に示されるものに限らず、適宜選択され得る。
図10は、本発明の第3の実施形態による表面プラズモン共鳴センサー301の概略側面図を示す。本実施形態は、基板102および金属層103の構造において第1の実施形態と異なる。本実施形態においては、基板102の表面に、間隔を空けて複数の微小凸部または微小凹部が形成されており、該微小凸部または微小凹部の形状を反映するように、基板102の上に金属層103が形成されている。このような金属層103を用いた場合においても、凹部または凸部近傍に電場が局在化するので、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
本実施形態で用いられる、表面に微小凹凸が形成された基板102は、金属微粒子やタンパク質などの生体分子の型を取ることで作成および複製することができる。
本発明に従った表面プラズモン共鳴センサーは、抗原抗体反応における相互作用の有無および程度の検出に有用であることはもちろん、種々の生化学反応の分析に応用することが可能である。
Claims (10)
- 透光性の基板と、
表面に凹部又は凸部、及び前記凹部又は凸部間に位置する平坦部を有し、前記基板の表面を覆うように形成された金属層と
を備えた、表面プラズモン共鳴センサー用チップ。 - 前記基板は平坦な表面を有する基板であり、前記凸部は前記平坦部である金属薄膜の上に互いに間隔を空けて固定化された複数の金属微粒子であることを特徴とする、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴センサー用チップ。
- 前記基板は平坦な表面を有する基板であり、前記凹部又は凸部は前記金属層である金属薄膜に互いに間隔を空けて形成された複数の微小な凹部又は凸部であり、前記凹部は前記金属薄膜を貫通していないことを特徴とする、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴センサー用チップ。
- 前記基板の片側表面には、間隔を空けて複数の微小凸部または微小凹部が形成されており、前記金属層は、前記微小凸部または微小凹部の形状を反映するように、前記基板の片側表面上に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴センサー用チップ。
- 前記金属層の材質が、金または銀である、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴センサー用チップ。
- 基板の片側表面にスパッタリングまたは蒸着により金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜の表面を化学修飾する工程と、
前記化学修飾した基板を金属微粒子の溶液に浸漬する工程と、
を含む、表面プラズモン共鳴センサー用チップの製造方法。 - 基板の片側表面をアミノシランカップリング剤の溶液に浸漬する工程と、
前記基板を金属微粒子の溶液に浸漬する工程と、
前記基板を洗浄する工程と、
前記片側表面にスパッタリングまたは蒸着により金属薄膜を形成する工程と、
を含む、表面プラズモン共鳴センサー用チップの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の表面プラズモン共鳴センサー用チップと、前記チップの前記金属層が形成されていない側に配置されたプリズムと、前記チップに前記プリズムを介して光を照射する光源と、前記金属層による光の反射率を測定する光検出器とを備えた表面プラズモン共鳴センサー。
- 請求項1〜5に記載の表面プラズモン共鳴センサーチップに対して光学系から光を照射し、前記チップの金属層と基板との界面で光を全反射させ、光検出器で反射光の強度を測定する生体分子の測定方法であって、
前記照射光の周波数変化に対する前記反射光の強度の変化により、生体分子の相互作用の有無または程度を測定することを特徴とする生体分子の測定方法。 - 請求項1〜5に記載の表面プラズモン共鳴センサーチップに対して光学系から光を照射し、前記チップの金属層と基板との界面で光を全反射させ、光検出器で反射光の強度を測定する屈折率変化の検出方法であって、
前記反射光の共鳴角の変化を測定することにより、前記金属層表面での分子の相互作用に基づく屈折率の変化と、前記金属層近傍の溶媒との相互作用に基づく屈折率の変化をそれぞれ検出する屈折率変化の検出方法。
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JP5397577B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2014-01-22 | オムロン株式会社 | 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ |
GB0717150D0 (en) * | 2007-09-04 | 2007-10-17 | Univ Warwick | Apparatus and method |
WO2009030071A1 (fr) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | National Center For Nanoscience And Technology, China | Puce de capteur spr de couplage entre guide d'ondes et réseau de puces de capteur correspondant |
EP2108938A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A carrier for optical detection in small sample volumes |
JP5450993B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2014-03-26 | 富士フイルム株式会社 | 検出方法、検出用試料セルおよび検出用キット |
US20100053623A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Sunghoon Kwon | Membrane and fabrication method thereof |
US20100053610A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Kwangyeol Lee | System and method for detecting molecules |
CN101726470B (zh) * | 2008-10-21 | 2011-08-17 | 北京大学 | 一种基于表面等离激元干涉的折射率传感器及其探测方法 |
US8699032B2 (en) | 2009-01-27 | 2014-04-15 | Panasonic Corporation | Surface plasmon resonance sensor, localized plasmon resonance sensor, and method for manufacturing same |
CN101660997B (zh) * | 2009-03-31 | 2011-11-09 | 国家纳米科学中心 | 一种降低背景干扰的表面等离子共振传感器及其检测方法 |
JP5707030B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2015-04-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 核酸分析デバイス、及び核酸分析装置 |
US9372283B2 (en) * | 2009-11-13 | 2016-06-21 | Babak NIKOOBAKHT | Nanoengineered devices based on electro-optical modulation of the electrical and optical properties of plasmonic nanoparticles |
JP5544836B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2014-07-09 | オムロン株式会社 | 表面プラズモン共鳴チップ |
JP5552007B2 (ja) | 2010-09-17 | 2014-07-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイス |
JP5553717B2 (ja) | 2010-09-17 | 2014-07-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスを用いた光の測定方法および測定装置 |
CN102033052B (zh) * | 2010-10-12 | 2012-06-27 | 浙江大学 | 一种相位型表面等离子共振传感器 |
JP5467403B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-04-09 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 結露検出装置、結露促進装置および結露検出方法 |
JP5848013B2 (ja) | 2011-03-22 | 2016-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスおよび該デバイスを備えた測定装置 |
JP2012242167A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Fujifilm Corp | ラマン分光測定方法および装置 |
JP6100803B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2017-03-22 | バイオサーフィット、 ソシエダッド アノニマ | 改良された表面プラズモン共鳴方法 |
KR101454271B1 (ko) | 2012-07-09 | 2014-10-27 | 한국전기연구원 | 반사광 검출형 피부 형광 측정 장치 |
GB201212135D0 (en) | 2012-07-09 | 2012-08-22 | Base4 Innovation Ltd | Improved sequencing apparatus |
CN103543128A (zh) * | 2012-07-10 | 2014-01-29 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于自支撑光栅结构的传感器及其制备方法 |
JP6145861B2 (ja) * | 2012-08-15 | 2017-06-14 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイス、光測定装置および方法 |
CN103604775B (zh) * | 2013-07-04 | 2016-08-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于微流体芯片的微生物检测仪器及其spr检测方法 |
CN103712954B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-02-03 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 一种用于筛选抗肿瘤药物的spr传感芯片的制备方法 |
US10180425B2 (en) | 2014-09-10 | 2019-01-15 | Konica Minolta Laboratory U.S.A., Inc. | SPFS biosensor based on nucleic acid ligand structural change |
GB2545157B8 (en) * | 2015-10-06 | 2022-03-23 | Causeway Sensors Ltd | Plasmonic sensor with nanostructured surface |
CN105486665B (zh) * | 2016-01-26 | 2018-07-31 | 深圳大学 | 一种spr检测方法 |
CN105717071B (zh) * | 2016-02-19 | 2018-08-17 | 清华大学 | 表面等离子体共振传感芯片及细胞响应检测系统和方法 |
CN105865525B (zh) * | 2016-05-11 | 2018-07-06 | 广西师范大学 | 一种多层介质-金属-介质波导温湿度表面等离子共振传感装置 |
JP6854134B2 (ja) * | 2017-01-16 | 2021-04-07 | 矢崎総業株式会社 | 高選択性腐食センサーシステム |
DE102017104379A1 (de) | 2017-03-02 | 2018-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer partikelsensor |
CN108132232A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-08 | 中国地质大学(武汉) | 一种表面等离子体共振传感器 |
TWI644800B (zh) * | 2018-01-15 | 2018-12-21 | 國立臺灣師範大學 | 含有二硫化鉬之生物感測晶片以及應用該生物感測晶片之檢測裝置 |
WO2020044107A2 (en) * | 2018-04-05 | 2020-03-05 | James Jay | Equilibrium plasmonic mercury sensing apparatus and methods |
TWI664397B (zh) * | 2018-07-10 | 2019-07-01 | 精準基因生物科技股份有限公司 | 感測裝置 |
WO2021075529A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | イムラ・ジャパン株式会社 | 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ、電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ、及び表面プラズモン共鳴変化の検出方法 |
CN114324232B (zh) * | 2021-12-31 | 2024-03-26 | 厦门大学 | 基于角度复用的痕量太赫兹指纹检测的倒置光栅传感器 |
CN114544557A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-05-27 | 南京邮电大学 | 一种宽光谱高灵敏度高通量生物化学传感器及其传感方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5609907A (en) * | 1995-02-09 | 1997-03-11 | The Penn State Research Foundation | Self-assembled metal colloid monolayers |
AT403961B (de) * | 1995-03-17 | 1998-07-27 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Optochemisches messsystem mit einem fluoreszenzsensor |
JPH10160737A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学的分析装置用測定チップ及びその製造方法 |
JP3380744B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2003-02-24 | 株式会社日立製作所 | センサおよびこれを利用した測定装置 |
CA2388252A1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-12 | Surromed, Inc. | Surface enhanced raman scattering (sers)-active substrates for raman spectroscopy |
JP3989148B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2007-10-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 金属微粒子の光固定化方法 |
JP2002357537A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 分析素子の製造方法及び分析素子、並びにそれを用いた試料の分析方法 |
JP2002357543A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 分析素子、並びにそれを用いた試料の分析方法 |
JP2002365210A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Hitachi Ltd | 生体分子検出方法 |
JP2003014622A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 表面プラズモン共鳴センサチップ及びそれを用いた試料の分析方法 |
JP2003014765A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Inst Of Physical & Chemical Res | センサーおよびそれを用いた物質の反応の検出方法 |
JP2003042947A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 表面プラズモン共鳴セル及びそれを利用した試料流体の分析方法 |
JP4035016B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2008-01-16 | 三菱化学株式会社 | 表面プラズモン共鳴センサチップ、並びにそれを用いた試料の分析方法及び分析装置 |
JP4072018B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2008-04-02 | 三菱化学株式会社 | 表面プラズモン共鳴センサチップ、並びにそれを用いた試料の分析方法及び分析装置 |
JP2003057173A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 表面プラズモン共鳴を利用した試料の分析方法及び分析装置、並びに表面プラズモン共鳴センサチップ |
US6778316B2 (en) * | 2001-10-24 | 2004-08-17 | William Marsh Rice University | Nanoparticle-based all-optical sensors |
JP3897703B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2007-03-28 | キヤノン株式会社 | センサ装置およびそれを用いた検査方法 |
US7399445B2 (en) * | 2002-01-11 | 2008-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical sensor |
JP3885017B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2007-02-21 | シャープ株式会社 | 表面プラズモン励起装置とそれを含む顕微鏡 |
EP1445601A3 (en) * | 2003-01-30 | 2004-09-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Localized surface plasmon sensor chips, processes for producing the same, and sensors using the same |
JP4245931B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2009-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその作製方法並びにセンサ |
JP3923436B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2007-05-30 | 富士フイルム株式会社 | センサチップおよびそれを用いたセンサ並びにセンサチップの作製方法 |
JP2004239664A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電気泳動装置 |
JP3903432B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2007-04-11 | 富士フイルム株式会社 | 測定装置 |
JP2004309416A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Sony Corp | センサ装置、センシング方法、生体物質のセンサ装置、生体物質のセンシング方法、分泌物のセンサ装置、分泌物のセンシング方法、感情センサ装置および感情センシング方法 |
JP4054718B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-03-05 | キヤノン株式会社 | センサ装置 |
JP2005016963A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Canon Inc | 化学センサ、化学センサ装置 |
JP2005024483A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | バイオセンサー |
JP2005030906A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 分析用チップ及び分析方法 |
JP2005030905A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 分析用チップ |
JP2005049297A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光検出用バイオ素子とバイオ検出方法 |
-
2005
- 2005-02-10 JP JP2005517973A patent/JPWO2005078415A1/ja active Pending
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