JP4054718B2 - センサ装置 - Google Patents

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    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • G01N21/552Attenuated total reflection
    • G01N21/553Attenuated total reflection and using surface plasmons
    • G01N21/554Attenuated total reflection and using surface plasmons detecting the surface plasmon resonance of nanostructured metals, e.g. localised surface plasmon resonance

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサ装置に関し、特に、誘電率センサ、ならびに医療や健康診断、食品の検査に用いられるバイオセンサを含む化学センサ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年医療における診断や食物の検査等における需要がますます増大し、小型で高速センシング、低コストなバイオセンサの開発が求められている。このため、電極やFETを用いた電気化学的な手法を利用したバイオセンサが半導体加工技術を応用して、作製されてきた。
また、さらなる集積化、低コスト、測定環境を選ばないセンサが求められ、表面プラズモン共鳴をトランスジューサとして用いたセンサが有望視されている。例えば、全反射型プリズム表面に設けた金属薄膜に発生させた表面プラズモン共鳴を用いて、金属表面近傍の誘電率の微小な変化を検知するものである。さらに表面近傍での微小な誘電率を検出することで、抗原抗体反応における抗原の吸着、DNAなど選択的結合を生じる材料と組み合わせて、特定の物質の吸着の有無を検出する化学センサとするものである。
【0003】
さらに、最近においては、高感度なセンシングを目的として、特許文献1に示されているような、金属微粒子を用いた局在プラズモン共鳴センサが提案されている。これは、金属微粒子を固定した基板に光を照射し、金属微粒子を透過した光の吸光度を分光器によって測定することにより、金属微粒子近傍の媒質の変化を検出するものである。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−356587号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1のものにおいては、金属微粒子を透過した光の吸光度を測定するために、分光器を必要とするものであり、これによると部品点数等が多くなる。
そこで、本発明は 誘電率の変化に対して感度が高く、波長スペクトルを取得するための分光器あるいは回折格子などの部品を必要とせず、部品点数の少ないセンサ装置を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のように構成したセンサ装置を提供するものである。
すなわち、本発明は、センサヘッドに光を照射することで、センサヘッドを修飾した材料と被検査物との反応を、照射した光による局在プラズモンの共鳴吸収スペクトルの変化に基づいて検出するためのセンサ装置であって、
前記センサヘッドと、
前記センサヘッドに光を照射する光源と、
前記センサヘッドを透過または反射した光を検出する光検出手段と、を備え、
前記センサヘッドは、基板と、該基板上にアレイ状に配された複数の金属細線と、を有し、
前記複数の金属細線の長さは、前記光源より照射される光の波長よりも長く、前記金属細線の断面サイズは前記光の波長よりも小さく、且つ、
前記複数の金属細線は、断面のサイズが配された位置に応じて徐々に異なるか、または、断面のサイズは同じだが隣接する金属細線どうしの間隔が徐々に異なるように配されていることを特徴とする
また、本発明は、前記金属細線が、金ないし金を含む合金であることを特徴とす
た、本発明は、前記光源と前記センサヘッドとの間に、バンドパスフィルタを有することを特徴とする
また、本発明は、前記光源が、レーザであることを特徴とする。
また、本発明は、前記光源が、半導体レーザであることを特徴とする。
また、本発明は、前記光源から照射される光の磁界方向が前記センサヘッドの金属細線の長手方向となるように偏光を制御する偏光素子を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記センサヘッドの金属細線の配列が、特定の配列からなる金属細線アレイを繰り返し単位とする周期的配列構造を有し、これらが複数前記センサヘッドの基板上に設けられており、
前記光検出手段が、該周期的配列構造の複数の組から、それぞれ透過または反射された光の空間分布を独立に検出する光検出手段として構成されていることを特徴とする
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、以下の実施例によって説明する。
【0008】
【実施例】
[実施例1]
図1に、本発明の実施例1における化学センサ装置の構成を示す。
図1において、101は透明な基板、102は基板上に形成した金属細線アレイ、103は光源であるタングステンランプ、104は光源からの光をコリメートするコリメートレンズである。
このコリメートレンズ104により光源からの光を平行光にして金属細線を配列した基板101を照射する。105はこの照射光の偏光を制御するための偏光子である。また、107は狭帯域のバンドパスフィルタであり、光源からの光のうち、特定の波長のものだけを透過する。
入射光の電界ベクトルが、細線の長手方向と直交するときに、細線の局在プラズモンポラリトンとの結合効率が高くなる。106は、エリアセンサであり、基板101からの反射光を受けて、反射光の空間プロファイル像を取得することができる。
【0009】
ここで金属細線102は、該金属細線の前記基板上の配列方向と直交する該基板と平行な方向の長さが照射光波長よりも長く、また断面サイズは照射光波長よりも小さくなっている。
また、細線どうしの間隔は、ひとつの細線表面に励起された局在プラズモンポラリトンの電場の到達距離 (〜100nm)よりも大きくなっており、この実施例ではこの間隔は一定となっている。
このような金属細線では、局在プラズモン共鳴によってある特定の波長において散乱や吸収が増大する。このような共鳴の生じる波長は、金属の材質、細線同士の間隔及び/または断面サイズ等の金属細線のサイズおよび周囲の媒質の誘電率に依存する。最後の周囲媒質の誘電率に関しては、特にプラズモンの広がりの範囲(〜100nm)内の誘電率の変化が共鳴ピークのシフトとして検知される。
【0010】
また、上記したようなサイズの異なる細線においては、以下のようなサイズ効果が生じる。特定の波長の光を照射して、いずれか特定の細線(細線1)が局在プラズモンにおける共鳴ピークにあるときに、これよりわずかにサイズの大きい細線(細線2)では、共鳴ピークからわずかにずれた光照射となり、細線1と比べて共鳴吸収は弱くなっている。
同じ波長の光の照射下で、媒質の誘電率が大きくなると、第1の細線は共鳴ピークから外れていくので共鳴吸収が弱まり、一方第2の細線は共鳴ピークに近づいて共鳴吸収が強くなっていく。このふるまいを、吸収の空間分布の変化、すなわち反射光の空間分布の変化として捉えることができる。
【0011】
金属細線アレイ102は、細線のサイズを空間的に少しずつ異ならせてあるので、照明光に対する吸収の変化は、反射光の空間的分布の変化として、エリアセンサ106で検出することができる。また、エリアセンサで取得した空間像に対して、モデル関数のフィッティング、補間等の信号処理をおこなって、空間分布の微弱な変化を検出するとともに、信号のS/Nを改善することができる。
ここで示した実施例のうちで、バンドパスフィルタ107による光源の狭スペクトル化は必ずしも必須ではない。誘電率変化による吸収スペクトルの変化は、単に吸収ピークのシフトだけではなく、吸収強度の変動を伴う。そこで、ブロードな照射光に対する反射の空間分布を検出する方法であっても、適切な信号処理を行えば、誘電率の変化に対応する吸収の変動の空間分布を取得できる。
【0012】
このような誘電率センサは、この金属細線表面を、特異的結合特性を有する材料で修飾しておくことで、化学センサとして機能する。すなわち、表面が修飾されたセンサヘッドを被検査液、被検査気体等の被検査物に接触させ、センサ材料と被検査物とを反応させる。特異的結合の生じた量を、誘電率センサの検知する誘電率の変化として定量的に取得するものである。
このような反応を起こすセンサ材料の具体例として、以下の(1)〜(4)に示すようなものが挙げられる。
(1)被検査物中に含まれる抗原物質に対し、特異的に結合を生じる抗体物質によって金属細線を修飾してセンサ材料とする。
(2)被検査物中に含まれる測定対象類似物質と酵素との複合体をセンサ材料とし、測定対象物質である抗原が複合体に接触することにより、複合体が解離し、酵素と測定対象物質との抗原抗体複合体が形成される。
(3)DNA
(4)イオン選択性電極
センサヘッドにおける金属細線(図1の102)の材料としては、金属一般から選択されるが、特に、金や銀、銅は発生する表面プラズモンの強度が大きく、本発明に好適である。なかでも、金は化学的に安定であるとともに、種々の公知手段によって化学修飾ができることもあり、化学センサを構成するには最適である。
センサ材料としては、センサ材料と被検査物とが反応して、膜厚変化、屈折率変化、吸収スペクトル変化、蛍光スペクトル変化を起こすものであれば良く、酵素センサ、微生物センサ、組織センサ、免疫センサ、酵素免疫センサ、バイオアフィニティセンサ等のバイオセンサを含む化学センサで用いられる材料を用いることができる。
【0013】
参考例
図2を用いて、本発明の参考例におけるセンサヘッドの作製方法を説明する。図2において、まず、石英基板201を準備する(図2(a))。
つぎに、この石英基板201上にスパッタ法を用いて、膜厚50nmの金属薄膜202を成膜する(図2(b))。
つぎに、この金属薄膜202上に電子線レジスト203をスピンコートで成膜し、電子ビーム描画装置で露光した。現像後、パタン間の距離100nm、パタンの横幅が20nmから500nmのレジストパターンを得る(図2(d))。 つぎに、このレジストパタンをエッチングマスクとして、金属薄膜202をエッチングし(図2(e))、レジストを除去して、金属細線アレイを形成する(図5(f))。
金属細線アレイに表面処理を行ったのち、センサ材料204を結合させる(図5(g))。
【0014】
なお、ここでは電子線描画装置による微小開口パターンの作製方法を説明したが、この他、集束イオンビーム加工装置、走査型トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡、近接場光学顕微鏡の原理を応用した各種走査プローブ加工装置、X線露光装置、EUV露光装置、電子ビームステッパを用いて作製しても良い。
また、特開平11−14505号公報に記載の近接場光を用いた露光装置や、公知のナノインプリント法を用いて作製すれば、簡便で低コストのセンサヘッドが実現できる。
【0015】
[実施例
図3に、本発明の実施例におけるセンサ体の透過光から吸収の空間分布を得る誘電率センサ装置の構成を示す。
本実施例の誘電率センサ装置においては、まず半導体レーザ301からの単色光をレンズ302を介して、センサヘッド303に入射させる。このセンサヘッド303を透過した透過光をエリアセンサ304で検出し、透過光強度の空間分布情報を得る。微細に作製したセンサヘッドのサイズとエリアセンサのサイズが異なっている場合には、このように拡大縮小を行う光学系を用いることで、エリアセンサの空間分解能を活用したセンサ装置を構成できる。
【0016】
[実施例
図4に、本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いる誘電率センサへッドの構成を示す。
図4において、401は金属基板、402は金属基板上に形成した誘電体薄膜、403は誘電体薄膜上に形成した金属細線アレイである。ここでアレイ状の金属細線403は、該金属細線の前記基板上の配列方向と直交する該基板と平行な方向の長さが、照射光波長よりも長く、細線の断面サイズは照射光波長よりも小さくなっている。また、実施例1と異なり、細線の断面サイズは、全て同じになっている。一方、細線どうしの間隔が5nmから200nmまで少しずつ異なっている。
【0017】
石英基板上にスパッタ法を用いて、膜厚500nmの金属薄膜401を成膜する。その上に50nm厚のSiO2402、50nm厚の金属薄膜を成膜した。電子線レジストをスピンコートで成膜し、近接場露光装置で露光した。現像後、パタン間の距離100nm、パタンの横幅が20nmから500nmのレジストパターンを得た。レジストパタンをエッチングマスクとして、金属薄膜をエッチングした。レジストを除去して、金属細線アレイ403を形成した。金属細線アレイ403に表面処理を行ったのち、センサ材料を結合させる。
【0018】
金属細線の局在プラズモン共鳴は、細線間の距離が100nm以下のときに細線間の距離に依存した共鳴スペクトルを有する。また、この共鳴スペクトルは周辺媒質の誘電率にも依存するので、403のような構成の金属細線アレイによって、実施例1と同様の検出原理によって、誘電率の変化を検出することが可能であり、これを用いた化学センサを構成できる。
【0019】
[実施例
図5に、本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いる誘電率センサの構成を示す。
図5において、501は透明な基板、502は基板上に形成した金属細線アレイである。ここでアレイ状の金属細線502は、該金属細線の前記基板上の配列方向と直交する該基板と平行な方向の長さが、照射光波長よりも長く、細線の断面サイズは照射光波長よりも小さくなっている。
また、実施例1、実施例と異なり、細線の断面サイズおよび細線どうしの間隔がそれぞれ少しずつ異なっている。金属細線の局在プラズモン共鳴は、細線の形状および細線間の距離に依存した共鳴スペクトルを有する。
【0020】
また、この共鳴スペクトルは周辺媒質の誘電率にも依存するので、502のような構成の金属細線アレイによって、実施例1、実施例と同様の検出原理によって、誘電率の変化を検出することが可能であり、これを用いた化学センサを構成できる。
細線の形状と距離の両方を設計パラメータとして適用できるので、初期の光強度分布が比較的フラットになるようなアレイ形状を選定することができる。このことで、空間分布検出におけるダイナミックレンジを大きくとることができる。
【0021】
[実施例
図6に、本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いるセンサヘッドをマイクロ化学分析システム(μ−TAS:Micro Total Analysis SystemやLab−on−a−chipとも呼ばれる)に一体形成した構成例を示す。
図6に示すマイクロ化学分析システム901において、試料液注入部902から注入された被検査液が流路904を通って、反応液注入部903から注入された反応液と反応したのち、検出部905に到達する。
検出部905には、図に拡大して示したように本発明の原理に基づく検出のための金属細線アレイ906が設けられている。被検査液は金属細線アレイ表面でセンサ材料と反応する。この検出部905に対して励起光907を照射する。
906から透過する光908をレンズ909を介してエリアセンサ911上に結像させ、これを検出する。
【0022】
[実施例
図7に、本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いるセンサヘッドをDNAチップやプロテインチップに一体形成した構成例を示す。
図7に示すDNAチップ/プロテインチップ1001の各検出セル1002にはそれぞれ、金属細線アレイ1003が設けられており、この表面にセンサ材料が固定されている。ここに励起光1004を照射し、各検出セルから透過する光をレンズ1006を介してCCDセンサ1007面に結像させ、各セルごとの空間分布を並列に得ることができる。
これらから明らかなように、本発明のセンサヘッドを各種センサに組み合わせて用いることができ、これにより、信号強度が増し、より高精度な検出が可能となる。
【0023】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率の変化に対して感度が高く、波長スペクトルを取得するための分光器あるいは回折格子などの部品を必要とせず、部品点数の少ないセンサ装置を提供することができる。また、これにより高感度な化学センサ装置や吸収スペクトルや蛍光スペクトル強度が大きい化学センサ装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1におけるセンサ装置の構成を示す図。
【図2】 本発明の参考例におけるセンサヘッドの作製方法の説明図。
【図3】 本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いる誘電率センサ装置の構成を示す図。
【図4】 本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いる誘電率センサヘッドの構成を示す図。
【図5】 本発明の実施例おける本発明のセンサ装置に用いる誘電率センサヘッドの構成を示す図。
【図6】 本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いるセンサヘッドをマイクロ化学分析システム(μ−TAS:Micro Total Analysis SystemやLab−on−a−chip とも呼ばれる)に一体形成した構成例を示す図。
【図7】 本発明の実施例における本発明のセンサ装置に用いるセンサヘッドをDNAチップやプロテインチップに一体形成した構成例を示す図。
【符号の説明】
101、201、401、501:基板
102、403、502:金属細線
103:光源
301:半導体レーザ
104、302:レンズ
105:偏光子
106、304:エリアセンサ
107:バンドパスフィルタ
202:金属薄膜
203:電子線レジスト
303:センサヘッド
402:誘電体薄膜

Claims (7)

  1. センサヘッドに光を照射することで、センサヘッドを修飾した材料と被検査物との反応を、照射した光による局在プラズモンの共鳴吸収スペクトルの変化に基づいて検出するためのセンサ装置であって、
    前記センサヘッドと、
    前記センサヘッドに光を照射する光源と、
    前記センサヘッドを透過または反射した光を検出する光検出手段と、を備え、
    前記センサヘッドは、基板と、該基板上にアレイ状に配された複数の金属細線と、を有し、
    前記複数の金属細線の長さは、前記光源より照射される光の波長よりも長く、前記金属細線の断面サイズは前記光の波長よりも小さく、且つ、
    前記複数の金属細線は、断面のサイズが配された位置に応じて徐々に異なるか、または、断面のサイズは同じだが隣接する金属細線どうしの間隔が徐々に異なるように配されていることを特徴するセンサ装置。
  2. 前記金属細線が、金ないし金を含む合金であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置。
  3. 前記光源と前記センサヘッドとの間に、バンドパスフィルタを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセンサ装置。
  4. 前記光源が、レーザであることを特徴とする請求項3に記載のセンサ装置。
  5. 前記光源が、半導体レーザであることを特徴とする請求項4に記載のセンサ装置。
  6. 前記光源から照射される光の磁界方向が前記センサヘッドの金属細線の長手方向となるように偏光を制御する偏光素子を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のセンサ装置。
  7. 前記センサヘッドの金属細線の配列が、特定の配列からなる金属細線アレイを繰り返し単位とする周期的配列構造を有し、これらが複数前記センサヘッドの基板上に設けられており、
    前記光検出手段が、該周期的配列構造の複数の組から、それぞれ透過または反射された光の空間分布を独立に検出する光検出手段として構成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のセンサ装置。
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