JPWO2004075279A1 - 有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 - Google Patents
有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2004075279A1 JPWO2004075279A1 JP2005502705A JP2005502705A JPWO2004075279A1 JP WO2004075279 A1 JPWO2004075279 A1 JP WO2004075279A1 JP 2005502705 A JP2005502705 A JP 2005502705A JP 2005502705 A JP2005502705 A JP 2005502705A JP WO2004075279 A1 JPWO2004075279 A1 JP WO2004075279A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- transistor element
- group
- organic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 42
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 42
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 14
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 4
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 128
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 34
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 27
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 6
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010062 TiCl3 Inorganic materials 0.000 description 4
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005009 perfluoropropyl group Chemical group FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- FKTXDTWDCPTPHK-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)[C](F)C(F)(F)F FKTXDTWDCPTPHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COLOHWPRNRVWPI-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoroethane Chemical compound [CH2]C(F)(F)F COLOHWPRNRVWPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJCHVBHJXJDUNL-UHFFFAOYSA-N 5,8-dicarbamoylnaphthalene-1,4-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=C2C(C(=N)O)=CC=C(C(O)=N)C2=C1C(O)=O RJCHVBHJXJDUNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 2
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 2
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000006343 heptafluoro propyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J magnesium;barium(2+);tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Mg+2].[Ba+2] COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 2
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)propyl]silane Chemical compound C1C(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- NLELYIIJDKQXTL-UHFFFAOYSA-N (2,3-diethoxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound CCOC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1OCC NLELYIIJDKQXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNZZMYIWZFZLHU-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,2-pentafluoroethanol Chemical compound OC(F)(F)C(F)(F)F NNZZMYIWZFZLHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWKHVYYVLSSVEW-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropoxy(dimethyl)silane Chemical compound FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(O[SiH](C)C)F XWKHVYYVLSSVEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOOPYFXLYZCNNE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-1,2,3,4-tetrafluorocyclobutane Chemical compound FC1C(F)C(F)(Cl)C1(F)Cl MOOPYFXLYZCNNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYIDEQGUYHKUQY-UHFFFAOYSA-N 2,2-dibutoxyethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCOC(CO[SiH](C)CCCOCC1CO1)OCCCC OYIDEQGUYHKUQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHFXIFMCZUNFSI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxyethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound COC(CO[SiH](C)CCCOCC1CO1)OC AHFXIFMCZUNFSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-triphenoxysilane Chemical compound C1CC2OC2CC1CC[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-tripropoxysilane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC)CCC2OC21 ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-5-[5-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDMFUZHCIRHGRG-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoroprop-1-ene Chemical group FC(F)(F)C=C FDMFUZHCIRHGRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical class C1=CC=CC2=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJNHMDMCAAKXHV-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-(2,2,2-trimethoxyethoxy)silane Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]CCCOCC1CO1 GJNHMDMCAAKXHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-triphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)CCCOCC1CO1 GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-tripropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCOCC1CO1 DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCS MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMHDUGPVXOVUMR-UHFFFAOYSA-N 3-[ethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[SiH](C)CCCN JMHDUGPVXOVUMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001318 4-trifluoromethylbenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- DWLWGAWWEOVHEU-UHFFFAOYSA-N 5,8-bis(octylcarbamoyl)naphthalene-1,4-dicarboxylic acid Chemical class C1=CC(C(O)=O)=C2C(C(O)=NCCCCCCCC)=CC=C(C(O)=NCCCCCCCC)C2=C1C(O)=O DWLWGAWWEOVHEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXSMKKHDMTYQSU-UHFFFAOYSA-N 6,7-dicarbamoylnaphthalene-2,3-dicarboxylic acid Chemical class OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=CC2=C1 SXSMKKHDMTYQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCWIDXADUBZDET-UHFFFAOYSA-N C1(=C(C(=C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(O)=N)C(O)=N.C1=C(C(=CC2=CC3=CC(=C(C=C3C=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O Chemical class C1(=C(C(=C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(O)=N)C(O)=N.C1=C(C(=CC2=CC3=CC(=C(C=C3C=C12)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O DCWIDXADUBZDET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEEYEXZNFCJNOI-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C)O[Si](OCC)(OCC)CC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C)O[Si](OCC)(OCC)CC NEEYEXZNFCJNOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYJFMLFZOHGQOA-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti](C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CC(C)O[Ti](C)(OC(C)C)OC(C)C TYJFMLFZOHGQOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCOSAMIXUWQOA-UHFFFAOYSA-N COC(OC)(OC)CO[SiH2]C Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]C OTCOSAMIXUWQOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOGFQIGEQMWCJB-UHFFFAOYSA-N COC(OC)[Si]CCC(F)(F)F Chemical compound COC(OC)[Si]CCC(F)(F)F QOGFQIGEQMWCJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004801 Chlorinated PVC Substances 0.000 description 1
- VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N Chlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)Cl VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- CMUQLLHNBJRYOA-UHFFFAOYSA-N FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(O[SiH](C=CC)OC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)F Chemical compound FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(O[SiH](C=CC)OC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)F CMUQLLHNBJRYOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001422 N-substituted pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004933 Terylene® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003088 Ti−O−Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- YVRQEGLKRIHRCH-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzothiazino[2,3-b]phenothiazine Chemical compound S1C2=CC=CC=C2N=C2C1=CC1=NC3=CC=CC=C3SC1=C2 YVRQEGLKRIHRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHWXCYJGJOLNFA-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzoxazino[2,3-b]phenoxazine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2N=C2C1=CC1=NC3=CC=CC=C3OC1=C2 AHWXCYJGJOLNFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBNAEQPSFBMCIK-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)CCCOCC1CO1 GBNAEQPSFBMCIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(3-chloropropyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCCCl YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005115 alkyl carbamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N antimony lead Chemical compound [Sb].[Pb] QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005116 aryl carbamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- VPXZBKWWGAYEDP-UHFFFAOYSA-N bis(1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropoxy)-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)(OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C1=CC=CC=C1 VPXZBKWWGAYEDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQZMKWNJCDKCNS-UHFFFAOYSA-N bis[(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-methylpropan-2-yl)oxy]-dimethylsilane Chemical compound FC(F)(F)C(C(F)(F)F)(C)O[Si](C)(C)OC(C)(C(F)(F)F)C(F)(F)F KQZMKWNJCDKCNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAUIQGYNFIYYDF-UHFFFAOYSA-N bis[[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(2-methylphenyl)propan-2-yl]oxy]-diphenylsilane Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)OC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=CC=C1C SAUIQGYNFIYYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHEZBELCYRANTA-UHFFFAOYSA-N bis[[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(trifluoromethyl)propan-2-yl]oxy]-dimethylsilane Chemical compound FC(F)(F)C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O[Si](C)(C)OC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F PHEZBELCYRANTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXOIVBZORDJCHO-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol butan-2-one Chemical compound CCC(C)=O.CC(O)C(C)O BXOIVBZORDJCHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229920000457 chlorinated polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate Chemical compound ClC=C.CC(=O)OC=C HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](CCl)(OC)OC FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- WEDMWEAVHLDAAH-UHFFFAOYSA-N circumanthracene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C=7C8=C9C%10=C6C(=C3)C=CC%10=CC=C9C=CC8=CC(C=73)=C6)C4=C5C3=C2C6=C1 WEDMWEAVHLDAAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMULMJRDHBIBNO-UHFFFAOYSA-N dibenzo[a,c]pentacene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 FMULMJRDHBIBNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNTHRSHGARDABO-UHFFFAOYSA-N dibenzo[a,l]pyrene Chemical compound C1=CC=CC2=C3C4=CC=CC=C4C=C(C=C4)C3=C3C4=CC=CC3=C21 JNTHRSHGARDABO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003244 diene elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GENZKBJGWAAVIE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 GENZKBJGWAAVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OCC)OCC OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKDMBSRWOMWLBC-UHFFFAOYSA-N diethoxy-ethyl-(1,1,1-trifluoropropan-2-yloxy)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OC(C)C(F)(F)F GKDMBSRWOMWLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODADONMDNZJQMW-UHFFFAOYSA-N diethoxy-ethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)CCCOCC1CO1 ODADONMDNZJQMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWZTDBPOBTQIB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)COCC1CO1 UMWZTDBPOBTQIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRJXZRBBFSDWFR-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethoxy]silane Chemical compound C1C(C(C)O[Si](C)(OCC)OCC)CCC2OC21 MRJXZRBBFSDWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(C)OCC1CO1 NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(CC)OCC1CO1 FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUXUUPOAQMPKOK-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCOCC1CO1 FUXUUPOAQMPKOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUFWVNRUIVIGCH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CC(C)OCC1CO1 HUFWVNRUIVIGCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- VDCSZEZNBODVRT-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 VDCSZEZNBODVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OC)OC FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBDDFKGMGASJHE-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethoxy)silane Chemical compound C1C(CO[Si](C)(OC)OC)CCC2OC21 PBDDFKGMGASJHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAEPKDWOZATEMI-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)COCC1CO1 CAEPKDWOZATEMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(C)OCC1CO1 RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(CC)OCC1CO1 KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCOCC1CO1 PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC(C)OCC1CO1 SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKUWKQHLGBVZTL-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(1,1,1,3,3,4,4,4-octafluorobutan-2-yloxy)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(C(F)(F)F)O[Si](C)(C)OC(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)F KKUWKQHLGBVZTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHMWMYHOKIEMEW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutoxy)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)O[Si](C)(C)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F PHMWMYHOKIEMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- AYLOLAANSIXPJA-UHFFFAOYSA-N diphenoxysilicon Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]OC1=CC=CC=C1 AYLOLAANSIXPJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYLXWHLPLTVIOP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(2,2,2-trimethoxyethoxy)silane Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]C=C GYLXWHLPLTVIOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N heptacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetone Chemical class FC(F)(F)C(=O)C(F)(F)F VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)CCCOCC1CO1 CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOARQMXRPHXHID-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)CCCOCC1CO1 VOARQMXRPHXHID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOCNSBPEEMRKTD-UHFFFAOYSA-N methyl-tris(1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutoxy)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)O[Si](C)(OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DOCNSBPEEMRKTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKFETKLUZZXPW-UHFFFAOYSA-N methyl-tris[[1,1,1,3,3,4,4,4-octafluoro-2-(trifluoromethyl)butan-2-yl]oxy]silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)O[Si](C)(OC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)F)OC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)F YCKFETKLUZZXPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N ovalene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C(C=C3)=CC=C3C6=C6C(C=C3)=C3)C4=C5C6=C2C3=C1 LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Substances OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005670 poly(ethylene-vinyl chloride) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC)CCC2OC21 OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCCOCC1CO1 FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEUBQNJHVBMUMD-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound FC(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl WEUBQNJHVBMUMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)COCC1CO1 UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)C BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CCC)OCC1CO1 OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)OCC1CO1 SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFRRMEMOPXUROM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CC)OCC1CO1 NFRRMEMOPXUROM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(CC)OCC1CO1 FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCOCC1CO1 RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(C)OCC1CO1 CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLKPPXKQMJDBFO-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)propyl]silane Chemical compound C1C(CCC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 NLKPPXKQMJDBFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(C)OCC1CO1 KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCZNEGTXVXAAS-UHFFFAOYSA-N trifluoromethanol Chemical compound OC(F)(F)F WZCZNEGTXVXAAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)COCC1CO1 LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCCC([Si](OC)(OC)OC)OCC1CO1 FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAVVOFDYOGMLNQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)OCC1CO1 DAVVOFDYOGMLNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(CC)OCC1CO1 FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFKPRKYSBTUDV-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(CC)OCC1CO1 KKFKPRKYSBTUDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCOCC1CO1 ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)OCC1CO1 ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOWVSEMGATXETK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)butyl]silane Chemical compound C1C(CCCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 ZOWVSEMGATXETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCOCC1CO1 GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQKKWQMXXCUQCL-UHFFFAOYSA-N trimethyl 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-3-yl)butyl silicate Chemical compound O1C2CC(CCC21)C(CO[Si](OC)(OC)OC)CC ZQKKWQMXXCUQCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSIMOMSJYYDNDZ-UHFFFAOYSA-N tris(1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropoxy)-methylsilane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)O[Si](C)(OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZSIMOMSJYYDNDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
- H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Description
一般に平板型のディスプレイ装置においては液晶、有機EL、電気泳動などを利用した素子を用いて表示媒体を形成している。又、こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保するために、画像駆動素子として薄膜トランジスタ(TFT)により構成されたアクティブ駆動素子を用いる技術が主流になっている。
ここでTFT素子は、通常、ガラス基板上に、主にa−Si(アモルファスシリコン)、p−Si(ポリシリコン)などの半導体薄膜や、ソース、ドレイン、ゲート電極などの金属薄膜を基板上に順次形成していくことで製造される。このTFTを用いるフラットパネルディスプレイの製造には通常、CVD、スパッタリングなどの真空系設備や高温処理工程を要する薄膜形成工程に加え、精度の高いフォトリソグラフ工程が必要とされ、設備コスト、ランニングコストの負荷が非常に大きい。さらに、近年のディスプレイの大画面化のニーズに伴い、それらのコストは非常に膨大なものとなっている。
近年、従来のTFT素子のデメリットを補う技術として、有機半導体材料を用いた有機TFT素子の研究開発が盛んに進められている(特許文献1参照)。
又、キャリア移動度を向上させるために様々な研究がなされている。例えば、ゲート絶縁膜に酸化ケイ素皮膜を用い、その表面をシランカップリング剤で処理することにより、素子のキャリア移動度を向上させる技術が開示されている(Advanced Material誌 2002年 第2号 99頁(レビュー)参照)。
あるいは、ゲート絶縁膜上にフッ素系ポリマーから成る薄膜を形成することにより素子のキャリア移動度を向上させる技術が開示されている(特許文献2参照)。
しかしながら、上記のキャリア移動度向上技術は溶液への浸漬処理を用いるため、その処理工程に多くの時間が必要となり、また、その後に引き続く洗浄にやはり多大な時間を要するという問題があり、特にシランカップリング剤を用いると、シランカップリング剤の酸化ケイ素皮膜への結合により、酸やアルコールなどの成分が発生するため、洗浄に手間がかかる問題がある。
又、何れの技術もキャリア移動度向上の効果も充分でないという問題がある。
したがって、本発明の目的は、高いキャリア移動度を示す有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供することにあり、更には、非真空系の連続生産、例えば、所謂ロールツーロール(Roll to ROLL)工程により製造するのに適しており、低コストの大量生産が可能になる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供することにある。
(1) 反応ガスを用いたCVD(Chemical vapor deposition)法により形成され、且つ、表面の純水に対する接触角が50度以上である薄膜を有し、該薄膜上に有機半導体層が形成されてなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。
(2) 前記CVD法が、プラズマCVD法であることを特徴とする(1)に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
(3) 前記プラズマCVD法が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法であることを特徴とする(2)に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
(4) 反応ガスの原料が珪素及び/又はフッ素を有する有機系化合物を含むことを特徴とする(1)〜(3)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子。
(5) 反応ガスの原料が、少なくとも一つのアルキル基を有するシラン化合物、又は少なくとも一つのアルキル基を有するチタン化合物を含むことを特徴とする(1)〜(4)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子。
(6) 有機半導体層が、π共役系ポリマー又はπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする(1)〜(5)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子。
(7) 基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁層を形成した後、該ゲート絶縁層の上に、反応ガスを用いたCVD法により、表面の純水に対する接触角が50度以上である薄膜を形成し、その薄膜に接して有機半導体層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(8) 前記CVDがプラズマCVD法であることを特徴とする(7)の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(9) 前記プラズマCVD法が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法であることを特徴とする(8)の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(10) 大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させ、該プラズマによって励起された反応ガスにゲート電極を形成した基板を晒すことによって、前記ゲート絶縁層を形成することを特徴とする(7)〜(9)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(11) 大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、対向する電極間に放電ガスを供給して高周波電圧を印加することにより発生した放電プラズマに、前記ゲート絶縁層を晒して後、前記薄膜を形成することを特徴とする(7)〜(10)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(12) 前記放電ガスが酸素を含有することを特徴とする(11)の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(13) 薄膜を形成する反応ガスの原料が珪素及び/又はフッ素を有する有機系化合物を含むことを特徴とする(7)〜(12)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(14) 薄膜を形成する反応ガスの原料が、少なくとも一つのアルキル基を有するシラン化合物、又は少なくとも一つのアルキル基を有するチタン化合物を含むことを特徴とする(7)〜(13)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(15) 有機半導体層を形成する工程が、半導体材料の溶液を供給し、溶液中の溶媒を揮発させる工程を含むことを特徴とする(7)〜(14)の何れかの有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
(16) 前記半導体材料がπ共役系ポリマーまたはπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする(15)の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
即ち本発明者は、有機半導体層に接する層の接触角を高めるとキャリア移動度が向上するとの知見のもと、反応ガスを用いたCVD法により、表面の純水に対する接触角が50度以上である薄膜を形成し、その薄膜に接して有機半導体層を形成すれば、キャリア移動度に加えてON/OFF比を向上でき、連続生産工程での有機薄膜トランジスタ素子の製造を実現できることを見出して本発明に至った。
第2図はプラズマ放電処理容器の他の例を示す概略図であり、
第3図は円筒型のロール電極の一例を示す概略斜視図であり、
第4図は円筒型の固定電極の一例を示す概略斜視図であり、
第5図は角柱型の固定電極の一例を示す概略斜視図であり、
第6図はプラズマ放電処理装置の一例を示す概念図であり、
第7図プラズマ放電処理装置の他の例を示す概略図であり、
第8図は大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示した概略図であり、
第9図は大気圧プラズマ放電処理装置の他の例を示した概略図であり、
第10図は本発明の有機薄膜トランジスタ素子シートの一例の概略の等価回路図であり、
第11図は本発明の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法を説明するための図であり、
第12図は有機薄膜トランジスタ素子の構成の例を示す図である。
本発明においては、CVD(Chemical vapor deposition)法として好ましくはプラズマCVD法、より好ましくは大気圧プラズマ法である。これらの方法に用いる装置としては、従来のCVD法に用いられる装置を適用することができる。
以下に本発明に好ましく適用できる大気圧プラズマ法について説明する。
〔プラズマ放電処理装置〕
第1図は、プラズマ放電処理装置Pに用いられるプラズマ放電処理容器20の一例を示す概念図であり、やや別の実施の形態においては、第2図に示すプラズマ放電処理容器20を用いている。
第1図において、長尺フィルム状の基板Fは搬送方向(図中、時計回り)に回転するロール電極21に巻回されながら搬送される。固定電極22は複数の円筒から構成され、ロール電極21に対向させて設置される。ロール電極21に巻回された基板Fは、ニップローラ23a、23bで押圧され、ガイドローラ24で規制されてプラズマ放電処理容器20によって確保された放電処理空間に搬送され、放電プラズマ処理され、次いで、ガイドローラ25を介して次工程に搬送される。又、仕切板26は前記ニップローラ23bに近接して配置され、基板Fに同伴する空気がプラズマ放電処理容器20内に進入するのを抑制する。
この同伴される空気は、プラズマ放電処理容器20内の気体の全体積に対し、1体積%以下に抑えることが好ましく、前記ニップローラ23bにより、それを達成することが可能である。
尚、放電プラズマ処理に用いられる混合ガス(放電ガスと反応ガス)は、給気口27からプラズマ放電処理容器20に導入され、処理後のガスは排気口28から排気される。
第2図は、上述のように、プラズマ放電処理容器20の他の例を示す概略図であり、第1図のプラズマ放電処理容器20では円柱型の固定電極22を用いているのに対し、第2図に示すプラズマ放電処理容器20では角柱型の固定電極29を用いている。
第1図に示した円柱型の固定電極22に比べて、第2図に示した角柱型の固定電極29は本発明の薄膜形成方法に好ましく用いられる。
第3図(a)、(b)は、上述の円筒型のロール電極21の一例を示す概略斜視図、第4図(a)、(b)は、円筒型の固定電極22の一例を示す概略斜視図、第5図(a)、(b)は、角柱型の固定電極29の一例を示す概略斜視図である。
第3図(a)において、アース電極であるロール電極21は、金属等の導電性母材21aに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体21bを被覆した組み合わせで構成されているものである。セラミック被覆処理誘電体21bを片肉で1mm被覆し、ロール径を被覆後200mmとなるように製作し、アースに接地してある。
又、第3図(b)に示すように、金属等の導電性母材21Aへライニングにより無機材料を設けたセラミック被覆処理誘電体21Bを被覆した組み合わせでロール電極21を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。金属等の導電性母材21a、21Aとしては、チタン、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスもしくはチタンが好ましい。又、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。
尚、本実施の形態においては、ロール電極の導電性母材21a、21Aは、液体による恒温手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している(不図示)。
第4図(a)、(b)および第5図(a)、(b)は、印加電極である固定電極22、固定電極29があり、上記記載のロール電極21と同様な組み合わせで構成されている。
印加電極に電圧を印加する電源としては、特に限定はないが、神鋼電機製高周波電源(50kHz)、ハイデン研究所製高周波電源(連続モード使用、100kHz)、パール工業製高周波電源(200kHz)、パール工業製高周波電源(800kHz)、パール工業製高周波電源(2MHz)、日本電子製高周波電源(13.56MHz)、パール工業製高周波電源(27MHz)、パール工業製高周波電源(150MHz)等を好ましく使用出来る。また、433MHz、800MHz、1.3GHz、1.5GHz、1.9GHz、2.45GHz、5.2GHz、10GHzを発振する電源を用いてもよい。
第6図は、本発明に用いられるプラズマ放電処理装置Pの一例を示す概念図である。
第6図において、プラズマ放電処理容器20の部分は第2図の記載と同様であるが、更に、ガス発生装置40、電源50、電極恒温ユニット70等が装置構成として配置されている。電極恒温ユニット70の恒温剤としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が用いられる。
第6図に記載の電極は、第3図、第5図に示したものと同様であり、対向する電極間のギャップは、例えば1mm程度に設定される。
上記電極間の距離は、電極の母材に設置した固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定される。上記電極の一方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体同士の最短距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から0.5mm〜20mmが好ましく、特に好ましくは1mm±0.5mmである。
前記プラズマ放電処理容器20内にロール電極21、固定電極29を所定位置に配置し、ガス発生装置40で発生させた混合ガスを流量制御し、ガス充填手段41を介して給気口27よりプラズマ放電処理容器20内に入れ、前記プラズマ放電処理容器20内をプラズマ処理に用いる混合ガスで充填し排気口28より排気する。次に電源50により電極に電圧を印加し、ロール電極21はアースに接地し、放電プラズマを発生させる。ここでロール状の元巻き基板60より基板Fを供給し、ガイドローラ24を介して、プラズマ放電処理容器20内の電極間を片面接触(ロール電極21に接触している)の状態で搬送される。そして、基板Fは搬送中に放電プラズマにより表面が製膜され、表面に混合ガス中の反応性ガス由来の無機物を含有した薄膜が形成された後、ガイドローラ25を介して、次工程に搬送される。ここで、基板Fはロール電極21に接触していない面のみ製膜がなされる。
電源50より固定電極29に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が0.5〜10kV程度で、電源周波数は1kHzを越えて150MHz以下に調整される。ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるON/OFFを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良い。
又、放電出力については、装置の形状によって左右されるが、好ましくは0.1W/cm2以上50/cm2以下の放電密度がよい。
次に2周波数の高周波電圧を印加する大気圧プラズマ放電方法および装置について説明する。本発明における2周波数の高周波電圧による放電条件は、対向する電極(ここでは第1電極と第2電極と言う)で形成される放電空間に、高周波電圧を印加し、該高周波電圧が、第1の周波数ω1の電圧成分と、前記第1の周波数ω1より高い第2の周波数ω2の電圧成分とを重ね合わせた成分を少なくとも有する。
高周波とは、少なくとも0.5kHzの周波数を有するものを言う。
前記高周波電圧が、第1の周波数ω1の電圧成分と、前記第1の周波数ω1より高い第2の周波数ω2の電圧成分とを重ね合わせた成分となり、その波形は周波数ω1のサイン波上に、それより高い周波数ω2のサイン波が重畳されたω1のサイン波がギザギザしたような波形となる。
本発明において、実際の薄膜形成方法に使用される放電空間(電極の構成など)および反応条件(ガス条件など)において放電を起こすことの出来る最低電圧のことを放電開始電圧と言う。放電開始電圧は、放電空間に供給されるガス種や電極の誘電体種などによって多少変動するが、放電ガス単独の放電開始電圧と略同一と考えてよい。
上記で述べたような高周波電圧を対向電極間(放電空間)に印加することによって、薄膜形成可能な放電を起こし、高品位な薄膜形成に必要な高密度プラズマを発生することが出来ると推定される。ここで重要なのは、このような高周波電圧が対向する電極それぞれに印加され、すなわち、同じ放電空間に両方から印加されることである。印加電極を2つ併置し、離間した異なる放電空間それぞれに、異なる周波数の高周波電圧を印加する方法では、本発明の薄膜形成は達成出来ない。
上記でサイン波の重畳について説明したが、これに限られるものではなく、両方パルス波であっても、一方がサイン波でもう一方がパルス波であってもかまわない。又、更に第3の電圧成分を有していてもよい。
上記本発明の高周波電圧を、対向電極間(同一放電空間)に印加する具体的な方法としては、対向電極を構成する第1電極に周波数ω1であって電圧V1である第1の高周波電圧を印加する第1電源を接続し、第2電極に周波数ω2であって電圧V2である第2の高周波電圧を印加する第2電源を接続した大気圧プラズマ放電処理装置である。
上記の大気圧プラズマ放電処理装置には、前記対向電極間に、放電ガスと薄膜形成ガスとを供給するガス供給手段を備える。更に、電極の温度を制御する電極温度制御手段を有することが好ましい。
又、電極、第1電源又はそれらの間の何れかには第1フィルターを、又、電極、第2電源又はそれらの間の何れかには第2フィルターを接続することが好ましく、第1フィルターは該第1電源からの周波数の電流を通過しにくくし、該第2電源からの周波数の電流を通過し易くし、又、第2フィルターはその逆で、該第2電源からの周波数の電流を通過しにくくし、該第1電源からの周波数の電流を通過し易くするというそれぞれのフィルターには機能が備わっているものを使用する。ここで、通過しにくいとは、好ましくは、電流の20%以下、より好ましくは10%以下しか通さないことをいう。逆に通過し易いとは、好ましくは電流の80%以上、より好ましくは90%以上を通すことをいう。
更に、本発明の大気圧プラズマ放電処理装置の第1電源は、第2電源より大きな高周波電圧を印加出来る能力を有していることが好ましい。
又、本発明における別の放電条件としては、対向する第1電極と第2電極との間に、高周波電圧を印加し、該高周波電圧が、第1の高周波電圧V1及び第2の高周波電圧V2を重畳したものであって、放電開始電圧をIVとしたとき、
V1≧IV>V2
又は V1>IV≧V2
を満たす。更に好ましくは、
V1>IV>V2
を満たすことである。
高周波および放電開始電圧の定義、又、上記本発明の高周波電圧を、対向電極間(同一放電空間)に印加する具体的な方法としては、上述したものと同様である。
ここで、本発明でいう高周波電圧(印加電圧)と放電開始電圧は、下記の方法で測定されたものをいう。
高周波電圧V1及びV2(単位:kV/mm)の測定方法:
各電極部の高周波プローブ(P6015A)を設置し、該高周波プローブをオシロスコープ(Tektronix社製、TDS3012B)に接続し、電圧を測定する。
放電開始電圧IV(単位:kV/mm)の測定方法:
電極間に放電ガスを供給し、該電極間の電圧を増大させていき、放電が始まる電圧を放電開始電圧IVと定義する。測定器は上記高周波電圧測定と同じである。
高い電圧をかけるような放電条件をとることにより、例え窒素ガスのように放電開始電圧が高い放電ガスでも、放電ガスを開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持出来、高性能な薄膜形成を行うことが出来るのである。
上記の測定により放電ガスを窒素ガスとした場合、その放電開始電圧IVは3.7kV/mm程度であり、従って、上記の関係において、第1の高周波電圧を、V1≧3.7kV/mmとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることが出来る。
ここで、第1電源の周波数としては、200kHz以下が好ましく用いることが出来る。又、この電界波形としては、サイン波でもパルス波でもよい。下限は1kHz程度が望ましい。
一方、第2電源の周波数としては、800kHz以上が好ましく用いられる。この第2電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られる。上限は200MHz程度が望ましい。
このような二つの電源から高周波電圧を印加することは、第1の周波数ω1側によって高い放電開始電圧を有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、又、第2の周波数ω2側はプラズマ密度を高くして緻密で良質な薄膜を形成するのに必要であるということが本発明の重要な点である。
本発明において、前記第1フィルターは、前記第1電源からの周波数の電流を通過しにくくし、且つ前記第2電源からの周波数の電流を通過し易くするようになっており、又、前記第2フィルターは、該第2電源からの周波数の電流を通過しにくく、且つ該第1電源からの周波数の電流を通過し易くするようになっている。本発明において、かかる性質のあるフィルターであれば制限無く使用出来る。
例えば、第1フィルターとしては、第2電源の周波数に応じて数10〜数万pFのコンデンサー、もしくは数μH程度のコイルを用いることが出来る。第2フィルターとしては、第1電源の周波数に応じて10μH以上のコイルを用い、これらのコイル又はコンデンサーを介してアース接地することでフィルターとして使用出来る。
また、第1電源と第2電源は、必ずしも同時に用いる必要はなく、それぞれを単独で用いてもよい。その場合は、単周波の高周波電源を印加した場合と同様な効果が得られる。
本発明に係る大気圧プラズマ放電処理装置は、上述のように、対向電極の間で放電させ、該対向電極間に導入した少なくとも放電ガスと薄膜形成性ガス(反応ガス)をプラズマ状態とし、該対向電極間に静置あるいは移送される基板を該プラズマ状態のガスに晒すことによって、該基板の上に薄膜を形成させるものである(例えば第1図〜第7図参照)。又、他の方式として、大気圧プラズマ放電処理装置は、上記同様の対向電極間で放電させ、該対向電極間に導入したガスを励起し、又はプラズマ状態とし、該対向電極外にジェット状に励起又はプラズマ状態のガスを吹き出し、該対向電極の近傍にある基板(静置していても移送されていてもよい)を晒すことによって該基板の上に薄膜を形成させるジェット方式の装置がある(後記第8図参照)。
その他の方式として、後述する第9図に示す様に、2対の対向電極211−221、212−222によって形成された放電空間にそれぞれ放電ガスGを導入して励起し、この励起された放電ガスG’と、薄膜の原料を含有する薄膜形成ガス(反応ガス)Mとを、放電空間外で、接触または混合させることにより、基板F上に薄膜を形成させることもできる。なお213は絶縁層である。
プラズマ放電処理容器20はパイレックス(R)ガラス製の処理容器等の絶縁性材料が好ましく用いられるが、電極との絶縁が出来れば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウム又は、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっても良い。
又、放電プラズマ処理時の基板への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理時の基板の温度を常温(15℃〜25℃)〜300℃未満の温度に調整することが好ましく、更に好ましくは常温〜200℃に調整することである。ただし、これらの条件は基板の物性、特にガラス転移温度に依存して温度の上限が決定されるため、この範囲の限りではない。上記の温度範囲に調整する為、必要に応じて電極、基板は冷却手段で冷却しながら放電プラズマ処理される。
本発明の実施の形態においては、上記のプラズマ処理が大気圧又は大気圧近傍で行われるが、真空や高圧下においてプラズマ処理を行ってもよい。なお、大気圧近傍とは、20kPa〜110kPaの圧力を表すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、93kPa〜104kPaが好ましい。
又、大気圧プラズマ処理に使用する放電用の電極においては、電極の少なくとも基板Fと接する側の表面は、JIS B 0601で規定される表面粗さの最大値(Rmax)が10μm以下になるように調整されていることが好ましく、更に、表面粗さの最大値が8μm以下であるのが好ましい。
なお、上述した第1図および第2図に示すプラズマ放電処理装置Pは、基板Fがフィルムである場合に使用される装置であったが、例えば、フィルムよりも厚みのある基板、例えば、レンズ等であれば第7図に示すようなプラズマ放電処理装置Pを使用する。第7図は、プラズマ放電処理装置の他の例を示す概略図である。
このプラズマ放電処理装置Pは、高周波電源101に接続される電極については、平板型の電極103を用い、該電極103上に基板(例えば、レンズL)を載置する。
一方、低周波電源102に接続される電極として、電極103上に対向するように、角型棒状の電極104bを設けている。角型棒状の電極104aは、アースとして接地してある。この場合、混合ガスを電極104a,104bの上方より供給し、電極104a,104bの間から電極103にわたる範囲でプラズマ状態とする。
第8図は本発明に有用な大気圧プラズマ放電装置の別の一例を示した概略図である。
プラズマ放電処理装置Pは、第1電極111と第2電極112から構成されている対向電極を有しており、該対向電極間に、第1電極111からは第1電源121からの第1の周波数ω1の高周波電圧V1が印加され、又、第2電極112からは第2電源122からの第2の周波数ω2の高周波電圧V2が印加されるようになっている。第1電源121は第2電源122より高い高周波電圧(V1>V2)を印加出来る能力を有しており、又、第1電源121の第1の周波数ω1は第2電源122の第2の周波数ω2より低い周波数を印加できるものである。
第1電極111と第1電源121との間には、第1電源121からの電流が第1電極111に向かって流れるように第1フィルター123が設置されており、第1電源121からの電流を通過しにくくし、第2電源122からの電流が通過し易くするように設計されている。
又、第2電極112と第2電源122との間には、第2電源122からの電流が第2電極112に向かって流れるように第2フィルター124が設置されており、第2電源122からの電流を通過しにくくし、第1電源121からの電流を通過し易くするように設計されている。
第1電極111と第2電極112との対向電極間(放電空間)113に、ガス供給手段からガスGを導入し、第1電極111と第2電極112から高周波電圧を印加して放電を発生させ、ガスGをプラズマ状態にしながら対向電極の下側(紙面下側)にジェット状に吹き出させて、対向電極下面と基板Fとで作る処理空間をプラズマ状態のガスG°で満たし、基板Fの上に、処理位置114付近で薄膜を形成させる。
第9図は本発明に有用な大気圧プラズマ放電処理装置の更に別の一例を示した概略図である。
図の大気圧プラズマ放電処理装置は、主には、第1電極211と第2電極221、第1電極212と第2電極222とがそれぞれ対向する様に配置されている対向電極、電圧印加手段である対向電極間に高周波電界を印加する高周波電源50の他に、図示していないが、放電ガスGを放電空間に、反応(薄膜形成)ガスMを放電空間外に導入するガス供給手段、前記電極温度を制御する電極温度調整手段等から構成されている。
第1電極211と第2電極221、あるいは第1電極212と第2電極222とで挟まれ、かつ第1電極上の斜線で示した誘電体213を有する領域が放電空間である。この放電空間に、放電ガスGを導入して励起させる。また、第2電極221と22とで挟まれた領域では放電は起こらず、ここに薄膜形成ガスMを導入する。次いで、対向電極が存在しない放電空間外の領域で、励起した放電ガスG′と、薄膜形成ガスMとを接触させて間接励起ガスとして、この間接励起ガスに、基材F表面に晒して薄膜を形成する。
ここでは、単周波の高周波電圧を印加するように図示されているが、前述のような方法を用いて2周波数の高周波電界を印加しても良い。
〔膜の形成〕
使用するガスは、基板上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、基本的に、放電ガス(不活性ガス)と、薄膜を形成するための反応ガスの混合ガスである。反応ガスは、混合ガスに対し、0.01〜10体積%含有させることが好ましい。0.1〜10体積%であることがより好ましいが、更に好ましくは、0.1〜5体積%である。
上記不活性ガスとしては、周期表の第18属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンや、窒素ガス等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴン、窒素ガスが好ましく用いられる。
又、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を0.01〜5体積%含有させることにより、反応を制御し、良質な薄膜を形成することができる。
又、反応ガスの原料を放電空間である電極間に導入するには、常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。
本発明の薄膜形成用の反応ガスに使用する化合物について説明する。
本発明の薄膜形成のためには、特に膜の最表面にアルキル基を存在させることが有効である。アルキル基としては、フルオロアルキル基もしくは炭素と水素のみで構成されたアルキル基いずれでもよい。又、アルキル基については、炭素数が1〜40、好ましくは1〜20である。より好ましくは、加水分解性基とアルキル基を共に有する有機珪素化合物を用いることである。
ここに加水分解性基とは、水と水素を添加することによって重合を行うことのできる官能基のことをいい、本発明においては特に限定されないが、好ましくはアルコキシ基、アセチル基が挙げられる。より好ましくはアルコキシ基であり、さらにはエトキシ基を有することが、反応性や原料の物性において好ましい。
前記の有機珪素化合物の他に、金属元素がTi、Ge、Zr又はSnである有機金属化合物、及びフッ素を有する化合物も好ましく、特に好ましいのは有機珪素化合物、Tiを有する化合物及びフッ素を有する化合物である。
具体的には下記一般式(1)で表される化合物が好ましい。
一般式(1)
前記一般式(1)において、MはSi、Ti、Ge、ZrまたはSnを表す。また、R1〜R6は各々水素原子または一価の基を表し、R1〜R6で表される基の少なくとも1つは、フッ素原子を有する有機基であり、例えば、フッ素原子を有するアルキル基、アルケニル基又はアリール基を含有する有機基が好ましく、フッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、4,4,3,3,2,2,1,1−オクタフルオロブチル基等の基が、フッ素原子を有するアルケニル基としては、例えば、3,3,3−トリフルオロ−1−プロペニル基等の基が、また、フッ素原子を有するアリール基としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基等の基が挙げられる。また、これらフッ素原子を有するアルキル基、アルケニル基、またアリール基から形成されるアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等なども用いることができる。
また、フッ素原子は、前記アルキル基、アルケニル基、アリール基等においては、骨格中の炭素原子のどの位置に任意の数結合していてもよいが、少なくとも1個以上結合していることが好ましい。また、アルキル基、アルケニル基骨格中の炭素原子は、例えば、酸素、窒素、硫黄等他の原子、また、酸素、窒素、硫黄等を含む2価の基、例えば、カルボニル基、チオカルボニル基等の基で置換されていてもよい。
R1〜R6で表される基のうち、前記フッ素原子を有する有機基以外は、水素原子又は1価の基を表し、1価の基としては、例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、イソシアネート基、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等の基が挙げられるが、これに限定されない。jは0〜150の整数を表し、好ましくは0〜50、更に好ましいのはjが0〜20の範囲である。
前記1価の基のうち、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。また、前記1価の基である前記アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基のうち、好ましいのは、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基である。
また、Mで表される金属原子のうち、好ましいのは、Si、Tiである。
前記1価の基は、更にその他の基で置換されていてもよく、特に限定されないが、好ましい置換基としては、アミノ基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、フェニル基等のアリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルカンアミド基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、シリル基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基等の基が挙げられる。
また、前記フッ素原子を有する有機基、又はそれ以外のこれらR1〜R6で表される基は、R1R2R3M−(Mは、前記金属原子を表し、R1、R2、R3はそれぞれ1価の基を表し、1価の基としては前記フッ素原子を有する有機基又はR1〜R6として挙げられた前記フッ素原子を有する有機基以外の基を表す。)で表される基によって更に置換された複数の金属原子を有する構造であっても良い。これらの金属原子としては、Si、Tiなどが挙げられ、例えば、シリル基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。
前記R1〜R6において挙げられたフッ素原子を有する基であるアルキル基、アルケニル基、またこれらから形成されるアルコキシ基、アルケニルオキシ基におけるアルキル基、アルケニル基としては、下記一般式(F)で表される基が好ましい。
一般式(F)
Rf−X−(CH2)k−
ここにおいてRfは、水素の少なくとも1つがフッ素原子により置換されたアルキル基、アルケニル基を表し、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロオクチル基、ヘプタフルオロプロピル基のようなパーフルオロアルキル基等の基、又、3,3,3−トリフルオロプロピル基、4,4,3,3,2,2,1,1−オクタフルオロブチル基等の基、又、1,1,1−トリフルオロ−2−クロルプロペニル基等のようなフッ素原子により置換されたアルケニル基が好ましく、中でも、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロオクチル基、ヘプタフルオロプロピル基等の基、また、3,3,3−トリフルオロプロピル基、4,4,3,3,2,2,1,1−オクタフルオロブチル基等の少なくとも2つ以上のフッ素原子有するアルキル基が好ましい。
また、Xは単なる結合手または2価の基である、2価の基としては−O−、−S−、−NR−(Rは水素原子またはアルキル基を表す)等の基、−CO−、−CO−O−、−CONH−、−SO2NH−、−SO2−O−、−OCONH−、
等の基を表す。
kは0〜50、好ましくは0〜30の整数を表す。
Rf中にはフッ素原子のほか、他の置換基が置換されていてもよく、置換可能な基としては、前記R1〜R6において置換基として挙げられた基と同様の基が挙げられる。また、Rf中の骨格炭素原子が他の原子、例えば、−O−、−S−、−NR0−(R0は水素原子又は置換若しくは非置換のアルキル基を表し、また前記一般式(F)で表される基であってもよい)、カルボニル基、−NHCO−、−CO−O−、−SO2NH−等の基によって一部置換されていてもよい。
前記一般式(1)で表される化合物のうち、好ましいのは下記一般式(2)で表される化合物である。
一般式(2)
[Rf−X−(CH2)k]q−M(R10)r(OR11)t
一般式(2)において、Mは前記一般式(1)と同様の金属原子を表し、Rf、Xは前記一般式(F)におけるRf、Xと同様の基を表し、kについても同じ整数を表す。R10はアルキル基、アルケニル基を、またR11はアルキル基、アルケニル基、アリール基を表し、それぞれ、前記一般式(1)のR1〜R6の置換基として挙げた基と同様の基により置換されていてもよいが、好ましくは、非置換のアルキル基、アルケニル基を表す。また、q+r+t=4であり、q≧1、またt≧1である。また、r≧2の時2つのR10は連結して環を形成してもよい。
一般式(2)のうち、更に好ましいものは下記一般式(3)で表される化合物である。
一般式(3)
Rf−X−(CH2)k−M(OR12)3
ここにおいて、Rf、Xまたkは、前記一般式(2)におけるものと同義である。又、R12も、前記一般式(2)におけるR11と同義である。又、Mも前記一般式(2)におけるMと同様であるが、特に、Si、Tiが好ましく、最も好ましいのはSiである。
本発明において、フッ素原子を有する有機金属化合物の他の好ましい例としは、下記一般式(4)で表される化合物が挙げられる。
一般式(4)
ここに、M及びR1〜R6は、前記一般式(1)におけるR1〜R6と同義である。ここにおいても、R1〜R6の少なくとも1つは、前記フッ素原子を有する有機基であり、前記一般式(F)で表される基が好ましい。R7は水素原子、又は置換若しくは非置換のアルキル基を表す。また、jは0〜100の整数を表し、好ましくは0〜50、最も好ましいのはjが0〜20の範囲である。
本発明において用いられる他の好ましいフッ素原子を有する化合物として、下記一般式(5)で表されるフッ素原子を有する有機金属化合物がある。
一般式(5)
[Rf−X−(CH2)k−Y]m−M(R8)n(OR9)p
一般式(5)において、MはIn、Al、Sb、YまたはLaを表す。Rf、Xは前記一般式(F)におけるRf、Xと同様の基を表し、Yは単なる結合手または酸素を表す。kについても同じく0〜50の整数を表し、好ましくは30以下の整数である。R9はアルキル基又はアルケニル基を、またR8はアルキル基、アルケニル基又はアリール基を表し、それぞれ、前記一般式(1)のR1〜R6の置換基として挙げた基と同様の基により置換されていてもよい。また、一般式(5)において、m+n+p=3であり、mは少なくとも1であり、nは0〜2を、またpも0〜2の整数を表す。m+p=3、即ちn=0であることが好ましい。
本発明において用いられる他の好ましいフッ素原子を有する化合物として、下記一般式(6)で表されるフッ素原子を有する有機金属化合物がある。
一般式(6)
Rf1(OC3F6)m1−O−(CF2)n1−(CH2)p1−Z−(CH2)q1−Si−(R2)3
一般式(6)において、Rf1は炭素数1〜16の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基、R2は加水分解基、Zは−OCONH−又は−O−を表し、m1は1〜50の整数、n1は0〜3の整数、p1は0〜3の整数、q1は1〜6の整数を表し、6≧n1+p1>0である。
Rf1に導入しうる直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基の炭素数は、1〜16がより好ましく、1〜3が最も好ましい。従って、Rf1としては、−CF3、−C2F5、−C3F7等が好ましい。
R2に導入しうる加水分解基としては、−Cl、−Br、−I、−OR11、−OCOR11、−CO(R11)C=C(R12)2、−ON=C(R11)2、−ON=CR13、−N(R12)2、−R12NOCR11などが好ましい。R11はアルキル基などの炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を、又はフェニル基などの炭素数6〜20の芳香族炭化水素基を表し、R12は水素原子又はアルキル基などの炭素数1〜5の脂肪族炭化水素を表し、R13はアルキリデン基などの炭素数3〜6の二価の脂肪族炭化水素基を表す。これらの加水分解基の中でも、−OCH3、−OC2H5、−OC3H7、−OCOCH3及び−NH2が好ましい。
m1は1〜30であることがより好ましく、5〜20であることが更に好ましい。n1は1又は2であることがより好ましく、p1は1又は2であることがより好ましい。また、q1は1〜3であることがより好ましい。
本発明において用いられる他の好ましいフッ素原子を有する化合物として、下記一般式(7)で表されるフッ素原子を有する有機金属化合物がある。
一般式(7)
一般式(7)において、Rfは炭素数1〜16の直鎖状又は分岐状パーフルオロアルキル基、Xはヨウ素原子又は水素原子、Yは水素原子又は低級アルキル基、Zはフッ素原子又はトリフルオロメチル基、R21は加水分解可能な基、R22は水素原子又は不活性な一価の有機基を表し、a、b、c、dはそれぞれ0〜200の整数、eは0又は1、m及びnは0〜2の整数、pは1〜10の整数を表す。
前記一般式(7)において、Rfは、通常、炭素数1〜16の直鎖状または分岐状パーフルオロアルキル基であり、好ましくは、CF3基、C2F5基、C3F7基である。Yにおける低級アルキル基としては、通常、炭素数1〜5のものが挙げられる。
R21の加水分解可能な基としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、R23O基、R23COO基、(R24)2C=C(R23)CO基、(R23)2C=NO基、R25C=NO基、(R24)2N基、及びR23CONR24基が好ましい。ここで、R23はアルキル基等の通常は炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基又はフェニル基等の通常は炭素数6〜20の芳香族炭化水素基、R24は水素原子またはアルキル基等の通常は炭素数1〜5の低級脂肪族炭化水素基、R25はアルキリデン基等の通常は炭素数3〜6の二価の脂肪族炭化水素基である。さらに好ましくは、塩素原子、CH3O基、C2H5O基、C3H7O基である。
R22は水素原子又は不活性な一価の有機基であり、好ましくは、アルキル基等の通常は炭素数1〜4の一価の炭化水素基である。a、b、c、dは0〜200の整数であり、好ましくは1〜50である。m及びnは、0〜2の整数であり、好ましくは0である。pは1又は2以上の整数であり、好ましくは1〜10の整数であり、さらに好ましくは1〜5の整数である。又、数平均分子量は5×102〜1×105であり、好ましくは1×103〜1×104である。
また、前記一般式(7)で表されるシラン化合物の好ましい構造のものとして、RfがC3F7基であり、aが1〜50の整数であり、b、c及びdが0であり、eが1であり、Zがフッ素原子であり、nが0である化合物である。
本発明において、フッ素原子を有するシラン化合物として好ましく用いられるフッ素を有する有機基を有する有機金属化合物、及び前記一般式(1)〜(7)で表される化合物の代表的化合物を以下に挙げるが、本発明ではこれらの化合物に限定されるものではない。
1:(CF3CH2CH2)4Si
2:(CF3CH2CH2)2(CH3)2Si
3:(C8F17CH2CH2)Si(OC2H5)3
4:CH2=CH2Si(CF3)3
5:(CH2=CH2COO)Si(CF3)3
6:(CF3CH2CH2)2SiCl(CH3)
7:C8F17CH2CH2Si(Cl)3
8:(C8F17CH2CH2)2Si(OC2H5)2
9:CF3CH2CH2Si(OCH3)3
10:CF3CH2CH2SiCl3
11:CF3(CF2)3CH2CH2SiCl3
12:CF3(CF2)5CH2CH2SiCl3
13:CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3
14:CF3(CF2)7CH2CH2SiCl3
15:CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3
16:CF3(CF2)8CH2Si(OC2H5)3
17:CF3(CH2)2Si(OC2H5)3
18:CF3(CH2)2Si(OC3H7)3
19:CF3(CH2)2Si(OC4H9)3
20:CF3(CF2)5(CH2)2Si(OC2H5)3
21:CF3(CF2)5(CH2)2Si(OC3H7)3
22:CF3(CF2)7(CH2)2Si(OC2H5)3
23:CF3(CF2)7(CH2)2Si(OC3H7)3
24:CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCH3)(OC3H7)2
25:CF3(CF2)7(CH2)2Si(OCH3)2OC3H7
26:CF3(CF2)7(CH2)2SiCH3(OCH3)2
27:CF3(CF2)7(CH2)2SiCH3(OC2H5)2
28:CF3(CF2)7(CH2)2SiCH3(OC3H7)2
29:(CF3)2CF(CF2)8(CH2)2Si(OCH3)3
30:C7F15CONH(CH2)3Si(OC2H5)3
31:C8F17SO2NH(CH2)3Si(OC2H5)3
32:C8F17(CH2)2OCONH(CH2)3Si(OCH3)3
33:CF3(CF2)7(CH2)2Si(CH3)(OCH3)2
34:CF3(CF2)7(CH2)2Si(CH3)(OC2H5)2
35:CF3(CF2)7(CH2)2Si(CH3)(OC3H7)2
36:CF3(CF2)7(CH2)2Si(C2H5)(OCH3)2
37:CF3(CF2)7(CH2)2Si(C2H5)(OC3H7)2
38:CF3(CH2)2Si(CH3)(OCH3)2
39:CF3(CH2)2Si(CH3)(OC2H5)2
40:CF3(CH2)2Si(CH3)(OC3H7)2
41:CF3(CF2)5(CH2)2Si(CH3)(OCH3)2
42:CF3(CF2)5(CH2)2Si(CH3)(OC3H7)2
43:CF3(CF2)2O(CF2)3(CH2)2Si(OC3H7)3
44:C7F15CH2O(CH2)3Si(OC2H5)3
45:C8F17SO2O(CH2)3Si(OC2H5)3
46:C8F17(CH2)2OCHO(CH2)3Si(OCH3)3
47:CF3(CF2)5CH(C4H9)CH2Si(OCH3)3
48:CF3(CF2)3CH(C4H9)CH2Si(OCH3)3
49:(CF3)2(p−CH3−C6H5)COCH2CH2CH2Si(OCH3)3
50:CF3CO−O−CH2CH2CH2Si(OCH3)3
51:CF3(CF2)3CH2CH2Si(CH3)Cl
52:CF3CH2CH2(CH3)Si(OCH3)2
53:CF3CO−O−Si(CH3)3
54:CF3CH2CH2Si(CH3)Cl2
55:(CF3)2(p−CH3−C6H5)COCH2CH2Si(OCH3)3
56:(CF3)2(p−CH3−C6H5)COCH2CH2Si(OC6H5)3
57:(CF3C2H4)(CH3)2Si−O−Si(CH3)3
58:(CF3C2H4)(CH3)2Si−O−Si(CF3C2H4)(CH3)2
59:CF3(OC3F6)24−O−(CF2)2−CH2−O−CH2Si(OCH3)3
60:CF30(CF(CF3)CF2O)mCF2CONHC3H6Si(OC2H5)3 (m=11〜30)、
61:(C2H5O)3SiC3H6NHCOCF2O(CF2O)n(CF2CF2O)pCF2CONHC3H6Si(OC2H5)3
(n/p=約0.5、数平均分子量=約3000)
62:C3F7−(OCF2CF2CF2)q−O−(CF2)2−[CH2CH{Si−(OCH3)3}]9−H (q=約10)
63:F(CF(CF3)CF2O)15CF(CF3)CONHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3
64:F(CF2)4[CH2CH(Si(OCH3)3)]2.02OCH3
65:(C2H5O)3SiC3H6NHCO−[CF2(OC2F4)10(OCF2)6OCF2]−CONHC3H6Si(OC2H5)3
66:C3F7(OC3F6)24O(CF2)2CH2OCH2Si(OCH3)3
67:CF3(CF2)3(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
68:(CF3)2CF(CF2)6CH2CH2SiCH3(OCH3)2
69:CF3(CF2)3(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
70:CF3(CF2)5(C6H4)C2H4Si(OC2H5)3
71:CF3(CF2)3C2H4Si(NCO)3
72:CF3(CF2)5C2H4Si(NCO)3
73:C9F19CONH(CH2)3Si(OC2H5)3
74:C9F19CONH(CH2)3SiCl3
75:C9F19CONH(CH2)3Si(OC2H5)3
76:C3F70(CF(CF3)CF2O)2−CF(CF3)−CONH(CH2)Si(OC2H5)3
77:CF3O(CF(CF3)CF2O)6CF2CONH(CH2)3SiOSi(OC2H5)2(CH2)3NHCOCF2(OCF2CF(CF3))6OCF3
78:C3F7COOCH2Si(CH3)2OSi(CH3)2CH2OCOC3F7
79:CF3(CF2)7CH2CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)3OCH2CH2(CF2)7CF3
80:CF3(CF2)5CH2CH2O(CH2)2Si(CH3)2OSi(CH3)2(OC2H5)
81:CF3(CF2)5CH2CH2O(CH2)2Si(CH3)2OSi(CH3)(OC2H5)2
82:CF3(CF2)5CH2CH2O(CH2)2Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(OC2H5)
上記例示した化合物の他には、フッ素置換アルコキシシランとして、
83:(パーフルオロプロピルオキシ)ジメチルシラン
84:トリス(パーフルオロプロピルオキシ)メチルシラン
85:ジメチルビス(ノナフルオロブトキシ)シラン
86:メチルトリス(ノナフルオロブトキシ)シラン
87:ビス(パーフルオロプロピルオキシ)ジフェニルシラン
88:ビス(パーフルオロプロピルオキシ)メチルビニルシラン
89:ビス(1,1,1,3,3,4,4,4−オクタフルオロブトキシ)ジメチルシラン
90:ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロポキシ)ジメチルシラン
91:トリス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロポキシ)メチルシラン
92:テトラキス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロポキシ)シラン
93:ジメチルビス(ノナフルオロ−t−ブトキシ)シラン
94:ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロポキシ)ジフェニルシラン
95:テトラキス(1,1,3,3−テトラフルオロイソプロポキシ)シラン
96:ビス〔1,1−ビス(トリフルオロメチル)エトキシ〕ジメチルシラン
97:ビス(1,1,1,3,3,4,4,4−オクタフルオロ−2−ブトキシ)ジメチルシラン
98:メチルトリス〔2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−1,1−ビス(トリフルオロメチル)プロポキシ〕シラン
99:ジフェニルビス〔2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)−1−トリルエトキシ〕シラン
等の化合物や、以下の化合物、
100:(CF3CH2)3Si(CH2−NH2)
101:(CF3CH2)3Si−N(CH3)2
更に、
等のシラザン類や、
106:CF3CH2−CH2TiCl3
107:CF3(CF2)3CH2CH2TiCl3
108:CF3(CF2)5CH2CH2Ti(OCH3)3
109:CF3(CF2)7CH2CH2TiCl3
110:Ti(OC3F7)4
111:(CF3CH2−CH2O)3TiCl3
112:(CF3C2H4)(CH3)2Ti−O−Ti(CH3)3
等のフッ素を有する有機チタン化合物、又、以下のようなフッ素含有有機金属化合物を例として挙げることができる。
113:CF3(CF2)3CH2CH2O(CH2)3GeCl
114:CF3(CF2)3CH2CH2OCH2Ge(OCH3)3
115:(C3F7O)2Ge(OCH3)2
116:[(CF3)2CHO]4Ge
117:[(CF3)2CHO]4Zr
118:(C3F7CH2CH2)2Sn(OC2H5)2
119:(C3F7CH2CH2)Sn(OC2H5)3
120:Sn(OC3F7)4
121:CF3CH2CH2In(OCH3)2
122:In(OCH2CH2OC3F7)3
123:Al(OCH2CH2OC3F7)3
124:Al(OC3F7)3
125:Sb(OC3F7)3
126:Fe(OC3F7)3
127:Cu(OCH2CH2OC3F7)2
128:C3F7(OC3F6)24O(CF2)2CH2OCH2Si(OCH3)3
これら具体例で挙げられた各化合物等は、東レ・ダウコーニングシリコーン(株)、信越化学工業(株)、ダイキン工業(株)(例えば、オプツールDSX)また、Gelest Inc.、ソルベイ ソレクシス(株)等により上市されており、容易に入手することができる他、例えば、J.Fluorine Chem.,79(1).87(1996)、材料技術,16(5),209(1998)、Collect.Czech.Chem.Commun.,44巻,750〜755頁、J.Amer.Chem.Soc.1990年,112巻,2341〜2348頁、Inorg.Chem.,10巻,889〜892頁,1971年、米国特許第3,668,233号明細書等、また、特開昭58−122979号、特開平7−242675号、特開平9−61605号、同11−29585号、特開2000−64348号、同2000−144097号公報等に記載の合成方法、あるいはこれに準じた合成方法により製造することができる。
その他好ましく用いられる有機珪素化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリアセトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリジドキシプロピルトリメトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリキドキシブチルトリメトキシシラン、δ−グリキドキシブチルトリエトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリブトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシエトキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリフェノキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリエトキシシラン、δ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)ブチルトリメトキシシランなどのトリアルコキシシラン、トリアシルオキシシラン、トリフェノキシシラン類;ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシレン、メチルビニルジエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジブトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルフェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン、ジフェノキシシラン、ジアシルオキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフルオロプロピルシラン、フルオロアルキルシラン、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン類等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、単独で使用しても異なる2種以上を同時に使用することもできる。
上記化合物の中でも、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、トリメチルエトキシシランなどが好ましい。
また、他の有機ケイ素化合物として、下記一般式(8)で表される化合物が用いられるが、ここにおいて、nは0〜2000である。また、R81〜R88は、水素原子又は各々飽和、不飽和のいずれでもよい直鎖、分岐又は環状炭化水素基であり、各々は同一のものであっても異なっていてもよい。
一般式(8)
具体的には、信越化学社製のケイ素化合物試薬、又は米国のGelest,Inc,Metal−Organics for Material&Polyer Technology、チッソ社製SILICON CHEMICALS等の化合物カタログに記載されているものの中から、一般式(1)に適合するものを選定し使用することが出来、下記に使用し得る化合物を例示するが、無論これらに限定されるものではない。
その他の原料としては、フッ素化合物を用いることができ、有機フッ素化合物として、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等を好ましく用いることが出来る。フッ化炭素ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、オクタフルオロシクロブタン等を挙げることが出来る。前記のフッ化炭化水素ガスとしては、例えば、ジフルオロメタン、テトラフルオロエタン、テトラフルオロプロピレン、トリフルオロプロピレン等を挙げることが出来る。更に、例えば、クロロトリフルオロメタン、クロロジフルオロメタン、ジクロロテトラフルオロシクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やトリフルオロメタノール、ペンタフルオロエタノール等のフルオロアルコール、トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸等のフッ素化脂肪酸、ヘキサフルオロアセトン等のフッ素化ケトン等の有機フッ素化合物を用いることが出来るが、これらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にフッ素化エチレン性不飽和基を有していても良い。
本発明に係る薄膜は、後述するゲート絶縁膜上に形成し、さらにその上に、有機半導体層を形成するのが好ましい。該薄膜の厚さは、単分子層から100nm以下が好ましく、単分子層から10nm以下がより好ましい。
また、本発明の効果を得るには、本発明に係る薄膜の表面の純水に対する接触角を、50度以上とする必要があり、好ましくは70〜170度、より好ましくは90〜130度である。接触角が低いと、トランジスタ素子のキャリア移動度やon/off比を著しく低下させ、高すぎると半導体材料の溶液の塗布性を低下させる。
さらに、薄膜表面の表面粗さRaは、薄膜トランジスタが後述のボトムゲート型では、その基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜の表面性にも大きく影響を受けるが、概して0.01nm〜10nmとすることが、トランジスタ素子のキャリア移動度の観点から好ましい。
薄膜の形成方法としては、前述した大気圧プラズマ法以外に、原料を含む反応ガスを50℃〜500℃の範囲で加熱された基板上に供給し、熱的反応により薄膜を形成する熱CVD法や、前述の装置と放電ガス、反応ガスを用いて、0.01〜100Paの減圧下で行う一般的なプラズマCVD法を用いた場合にも、本発明の効果を得ることができるが、移動度の向上、薄膜の均一性、薄膜の形成速度、非真空系での効率的生産という観点から、大気圧プラズマ法が最も好ましい。
また、本発明においては、本発明に係る薄膜を形成する基材を、放電空間、または励起放電ガスに晒して前処理(洗浄)を行った後、薄膜形成を行うことが好ましい。このときの混合ガスとしては、前述した不活性ガスを90〜99.9体積%の濃度で、酸素、オゾン、過酸化水素、水素から選ばれる少なくとも1種を0.01〜10体積%の濃度で使用する。好ましくは、窒素、アルゴンのいずれかと、酸素を用いる。これにより、トランジスタ素子の特性に悪影響を及ぼす不純物を除去する効果を得ることができる。さらに、このときの基材の表面が、酸化ケイ素などの金属酸化物である場合には、本発明に係る薄膜を形成する反応ガスとの反応性を高める効果があり、当該薄膜の均一性、緻密性を高め、トランジスタ素子のキャリア移動度を高める効果が得られる。
基材の表面が、酸化ケイ素などの金属酸化物である場合、前処理(洗浄)によって、基材の表面の純水に対する接触角を1〜30度、好ましくは3〜20度とするのが望ましい。
次に、本発明に係る有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法が関係する一般的なことについて述べる。
有機薄膜トランジスタ素子は、第12図に示す如く、基板Fの表面に、有機半導体層5で連結されたソース電極6とドレイン電極7を有し、その上にゲート絶縁層3を介してゲート電極2を有するトップゲート型(第12図の(a)、(b))と、基板Fの表面に、まずゲート電極2を有し、ゲート絶縁層3を介して有機半導体層5で連結されたソース電極6とドレイン電極7を有するボトムゲート型(第12図(c))に大別される。本発明においては、いずれのタイプも好ましく適用できるが、ボトムゲート型が特に好ましい。
本発明の有機薄膜トランジスタ素子は、無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引層及びポリマーを含む下引層の少なくとも一方を有することが好ましい。
下引層に含有される無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム等が挙げられる。又、無機窒化物としては窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。
それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、窒化ケイ素である。
本発明において、無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引層は上述した大気圧プラズマ法で形成されるのが好ましい。
ポリマーを含む下引層に用いるポリマーとしては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニルとビニルアルコールの共重合体、部分加水分解した塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、塩素化ポリ塩化ビニル、エチレン−塩化ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のビニル系重合体、ポリアミド樹脂、エチレン−ブタジエン樹脂、ブタジエン−アクリロニトリル樹脂等のゴム系樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等を挙げることができる。
本発明の有機薄膜トランジスタ素子に用いる有機半導体層の材料としては、π共役系材料が用いられ、例えばポリピロール、ポリ(N−置換ピロール)、ポリ(3−置換ピロール)、ポリ(3,4−二置換ピロール)などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ(3−置換チオフェン)、ポリ(3,4−二置換チオフェン)、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン類、ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、ポリアニリン、ポリ(N−置換アニリン)、ポリ(3−置換アニリン)、ポリ(2,3−置換アニリン)などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ(N−置換カルバゾール)などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ(p−フェニレン)などのポリ(p−フェニレン)類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平11−195790に記載された多環縮合体などを用いることができる。
又、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するたとえばチオフェン6量体であるα−セクシチオフェンα,ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α,ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α,ω−ビス(3−ブトキシプロピル)−α−セクシチオフェン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に用いることができる。
さらに銅フタロシアニンや特開平11−251601に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン類、ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N’−ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミドとともに、N,N’−ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N’−ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N’−ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、及びアントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、SWNTなどのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、p−フェニレン、これらの置換体又はこれらの2種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数nが4〜10であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数nが20以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれた少なくとも1種が好ましい。
又、その他の有機半導体材料としては、テトラチアフルバレン(TTF)−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン(BEDTTTF)−過塩素酸錯体、BEDTTTF−ヨウ素錯体、TCNQ−ヨウ素錯体、などの有機分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポリゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開2000−260999に記載の有機・無機混成材料も用いることができる。
本発明においては、有機半導体層に、たとえば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体などのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラセン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、いわゆるドーピング処理を施してもよい。
前記ドーピングとは電子授与性分子(アクセプター)又は電子供与性分子(ドナー)をドーパントとして該薄膜に導入することを意味する。従って、ドーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いるドーパントとしては公知のものを採用することができる。
これら有機半導体層の作製法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート法、ズピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法およびLB法等が挙げられ、材料に応じて使用できる。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体の溶液を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等が好まれる。ここで、半導体材料の溶液に用いられる有機溶媒としては、主に、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン(THF)などを用いることができる。
なおAdvanced Material誌 1999年 第6号、p480〜483に記載の様に、ペンタセン等前駆体が溶媒に可溶であるものは、塗布により形成した前駆体の膜を熱処理して目的とする有機材料の薄膜を形成しても良い。
これら有機半導体からなる薄膜の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、有機半導体からなる活性層の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、有機半導体により異なるが、一般に1μm以下、特に10〜300nmが好ましい。
本発明おいて、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ITOおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。又、導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法である。前述した装置と成膜の方法により、大気圧近傍でのゲート絶縁膜の形成が可能となる。
例えば、アルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスを放電ガスに用い、反応ガスとして、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトライソプロポキシシランなどと、酸素を混合して用いることで、酸化ケイ素皮膜が得られる。また、これらのシラン化合物を、テトラエトキシチタンや、テトライソプロポキシチタンなどのチタン化合物に替えることで、酸化チタン皮膜を得ることができる。さらに、本発明の別の方法と組み合わせて、ゲート絶縁膜の形成、前述したゲート絶縁膜の表面洗浄、表面処理薄膜と、連続的に生産性高く製造することができる。
又、有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。これら絶縁膜の膜厚としては、一般に50nm〜3μm、好ましくは、100nm〜1μmである。
基板としては、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えばプラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
第10図は、本発明の有機薄膜トランジスタ素子が複数配置される有機薄膜トランジスタ素子シート10の1例の概略の等価回路図である。
有機薄膜トランジスタシート1はマトリクス配置された多数の有機薄膜トランジスタ素子14を有する。11は各有機薄膜トランジスタ素子14のゲート電極のゲートバスラインであり、12は各有機薄膜トランジスタ素子14のソース電極のソースバスラインである。各有機薄膜トランジスタ素子14のドレイン電極には、出力素子16が接続され、この出力素子16は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。図示の例では、出力素子16として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。15は蓄積コンデンサ、17は垂直駆動回路、18は水平駆動回路である。
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 60g
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート2量体 20g
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート3量体以上の成分 20g
ジエトキシベンゾフェノンUV開始剤 2g
シリコーン系界面活性剤 1g
メチルエチルケトン 75g
メチルプロピレングリコール 75g
さらに、その層の上に下記条件で連続的に大気圧プラズマ処理して厚さ50nmの酸化ケイ素膜を設けた。以上のようにして、基板F上に2層構成の下引層1を設けた。
(使用ガス)
不活性ガス:ヘリウム 98.25体積%
反応性ガス:酸素ガス 1.50体積%
反応性ガス:テトラエトキシシラン蒸気 0.25体積%
(ヘリウムガスにてバブリング)
(放電条件)
放電出力:10W/cm2
ここでは、パール工業製高周波電源を用い、周波数13.56MHzで放電させた。
(電極条件)
電極は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材に対して、セラミック溶射によるアルミナを1mm被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により封孔処理を行い、表面を平滑にしてRmax5μmとした誘電体(比誘電率10)を有するロール電極であり、アースされている。一方、印加電極としては、中空の角型のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆した。
下引層1の上に、スパッタ法により、厚さ200nmのアルミニウム皮膜を成膜しゲート電極2を設けた(第11図−a)。さらに、フィルム温度200℃にて、上述した大気圧プラズマ法により、ゲート絶縁層3として厚さ200nmの酸化ケイ素層を設けた(第11図−b)。
次に、ゲート絶縁層3の上に下記条件で連続的に大気圧プラズマ法による表面処理を5秒行い、本発明に係るシラン化合物を含む薄膜4を形成した(第11図−c)。
不活性ガス:ヘリウム 98.9体積%
反応性ガス:水素ガス 1.0体積%
反応性ガス:メチルトリエトキシシラン蒸気 0.1体積%
(ヘリウムガスにてバブリング)
(放電条件)
放電出力:3.0W/cm2
ここでは、パール工業製高周波電源を用い、周波数13.56MHzで放電させた。
次に、その上に、下記構造のペンタセン前駆体のクロロホルム溶液を、ピエゾ方式のインクジェット法を用いて、チャネルを形成すべき領域に吐出し、窒素ガス中で、200℃で10分の熱処理を行ったところ、厚さ50nmのペンタセン薄膜である有機半導体層5を形成した(第11図−d)。
ペンタセン前駆体
次いで、ピエゾ方式のインクジェットを用い、ポリスチレンスルホン酸とポリ(エチレンジオキシチオフェン)の水分散液(バイエル製 Baytron P)をソース及びドレイン電極状に吐出し、パターニングし、自然乾燥させた後、窒素ガス雰囲気中、70℃にて10分間の熱処理を行い、ソース電極6及びドレイン電極7を形成した(第11図−e)。以上の方法で、チャネル長L=20μmの有機薄膜トランジスタ(本発明試料No.1)を作製した。
本発明試料No.1においてメチルトリエトキシシランに代えてヘキシルトリエトキシシランを適用した以外は、本発明試料No.1と同様にして本発明試料No.2を作製した。又、以下同様にして、メチルトリエトキシシランに代えてトリフルオロメチルエチルトリエトキシシランを適用した以外は、本発明試料No.1と同様にして本発明試料No.3を、メチルトリエトキシシランに代えてメチルトリイソプロポキシチタンを適用した以外は、本発明試料No.1と同様にして本発明の試料No.4を、それぞれ作製した。
さらに、大気圧プラズマによる表面処理を行なわない有機薄膜トランジスタ(比較試料No.1)も作製した。
試料No.1から試料No.4の本発明に係る薄膜と大気圧プラズマによる表面処理を行なわない場合の、純水に対する接触角測定結果を示す。純水を滴下してから40秒後の値を示す。
試料No.1 78°
2 85°
3 95°
4 76°
比較試料 1 43°
本発明に係る有機薄膜トランジスタである本発明試料No.1〜本発明試料No.4はいずれも、pチャネルエンハンスメント型FET(field−effect transistor)の良好な動作特性を示した。又、各試料について、ドレインバイアスを−60Vとして、ゲートバイアスを−20Vから+70Vまで掃引して、ドレイン電流を測定し、飽和領域におけるキャリア移動度を測定した。測定結果を表に示す。
表から、本発明試料は比較試料に比べて高いキャリア移動度を示していることがわかる。
有機半導体材料;
ZnおよびNiの含有量が10ppm以下になるよう良く精製した、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)のregioregular体(アルドリッチ社製)のクロロホルム溶液を調製した。この溶液を、ピエゾ型のインクジェットを用いて、吐出しパターニングし、室温で乾燥させた後、N2ガス置換雰囲気中で、50℃、30分間の熱処理を施した。このとき、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)の膜厚は30nmであった。
本発明に係る有機薄膜トランジスタである本発明試料No.5〜本発明試料No.8はいずれも、pチャネルエンハンスメント型FET(field−effect transistor)の良好な動作特性を示した。又、各試料の飽和領域におけるキャリア移動度を測定した。測定結果を表に示す。
(基板1)
実施例1と同様に大気圧プラズマ法により、ゲート絶縁層(膜厚200nmの酸化ケイ素層)を設けた後、薄膜4を形成する前に、第8図に記載の大気圧プラズマ放電処理装置に、放電ガスとして窒素:酸素=99:1(体積比)を流し、基材をその励起放電ガスに3秒間晒し前処理を行った。尚、高周波電源として、ハイデン研究所製高周波電源(周波数:40kHz)を用い、放電出力は10W/cm2に設定して行った。
次いで、実施例1と同様に、薄膜4を形成した。
(基板2〜4)
大気圧プラズマ法に用いる反応ガスの材料を表3のように変更した以外は、基板1と同様にして基板を作製した。
(基板5(比較))
薄膜4を形成しなかったこと以外は、基板1と同様にして基板を作製した。
(基板6(比較))
以下のように薄膜4を形成した以外は、基板1と同様にして基板を作製した。
40℃に保温した、オクタデシルトリクロロシランの1mMトルエン溶液に基板を60分浸漬した後、トルエン中に3分間浸漬して超音波洗浄を行い、室温空気中で乾燥させた。
以上のように作製した基板の上に、昇華精製したペンタセン(アルドリッチ製)を3×10−4Paの真空下で加熱蒸着し、厚さ50nmの有機半導体層を形成した。更に、実施例1と同様にして、ソース電極、ドレイン電極を形成して試料を作成した。
各試料について、ドレインバイアスを−60Vとして、ゲートバイアスを+20Vから−70Vまで掃引して、ドレイン電流を測定し、飽和領域におけるキャリア移動度、および測定したドレイン電流の最大値と最小値の比率(on/off比)を測定した。測定結果を下表中欄に示す。
Claims (16)
- 反応ガスを用いたCVD(Chemical vapor deposition)法により形成され、且つ、表面の純水に対する接触角が50度以上である薄膜を有し、該薄膜上に有機半導体層が形成されてなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。
- 前記CVD法が、プラズマCVD法であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
- 前記プラズマCVD法が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
- 反応ガスの原料が珪素及び/又はフッ素を有する有機系化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第1項〜第3項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
- 反応ガスの原料が、少なくとも一つのアルキル基を有するシラン化合物、又は少なくとも一つのアルキル基を有するチタン化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第1項〜第4項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
- 有機半導体層が、π共役系ポリマー又はπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする請求の範囲第1項〜第5項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子。
- 基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁層を形成した後、該ゲート絶縁層の上に、反応ガスを用いたCVD法により、表面の純水に対する接触角が50度以上である薄膜を形成し、その薄膜に接して有機半導体層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 前記CVDがプラズマCVD法であることを特徴とする請求の範囲第7項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 前記プラズマCVD法が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法であることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させ、該プラズマによって励起された反応ガスにゲート電極を形成した基板を晒すことによって、前記ゲート絶縁層を形成することを特徴とする請求の範囲第7項〜第9項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、対向する電極間に放電ガスを供給して高周波電圧を印加することにより発生した放電プラズマに、前記ゲート絶縁層を晒して後、前記薄膜を形成することを特徴とする請求の範囲第7項〜第10項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 前記放電ガスが酸素を含有することを特徴とする請求の範囲第11項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 薄膜を形成する反応ガスの原料が珪素及び/又はフッ素を有する有機系化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第7項〜第12項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 薄膜を形成する反応ガスの原料が、少なくとも一つのアルキル基を有するシラン化合物、又は少なくとも一つのアルキル基を有するチタン化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第7項〜第13項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 有機半導体層を形成する工程が、半導体材料の溶液を供給し、溶液中の溶媒を揮発させる工程を含むことを特徴とする請求の範囲第7項〜第14項の何れか1項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
- 前記半導体材料がπ共役系ポリマーまたはπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする請求の範囲第15項に記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005502705A JP4892973B2 (ja) | 2003-02-18 | 2004-02-17 | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003039535 | 2003-02-18 | ||
JP2003039535 | 2003-02-18 | ||
JP2005502705A JP4892973B2 (ja) | 2003-02-18 | 2004-02-17 | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法 |
PCT/JP2004/001705 WO2004075279A1 (ja) | 2003-02-18 | 2004-02-17 | 有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010126609A Division JP2010265548A (ja) | 2003-02-18 | 2010-06-02 | 大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法及び大気圧プラズマ処理装置用の電極システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004075279A1 true JPWO2004075279A1 (ja) | 2006-06-01 |
JP4892973B2 JP4892973B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=32905173
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005502705A Expired - Fee Related JP4892973B2 (ja) | 2003-02-18 | 2004-02-17 | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法 |
JP2010126609A Pending JP2010265548A (ja) | 2003-02-18 | 2010-06-02 | 大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法及び大気圧プラズマ処理装置用の電極システム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010126609A Pending JP2010265548A (ja) | 2003-02-18 | 2010-06-02 | 大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法及び大気圧プラズマ処理装置用の電極システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7645630B2 (ja) |
EP (1) | EP1596428A4 (ja) |
JP (2) | JP4892973B2 (ja) |
KR (1) | KR101129101B1 (ja) |
CN (1) | CN100501945C (ja) |
WO (1) | WO2004075279A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012023257A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Kaneka Corp | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4228204B2 (ja) | 2003-07-07 | 2009-02-25 | セイコーエプソン株式会社 | 有機トランジスタの製造方法 |
EP1648040B1 (en) * | 2004-08-31 | 2016-06-01 | Osaka University | Thin-layer chemical transistors and their manufacture |
JP2006187706A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2006187705A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
US20060204766A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Jds Uniphase Corporation | Anti-moisture and soil-repellent coatings |
US20060231829A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Xerox Corporation | TFT gate dielectric with crosslinked polymer |
US7705346B2 (en) * | 2005-06-06 | 2010-04-27 | Xerox Corporation | Barrier layer for an organic electronic device |
JP5055716B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2012-10-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機半導体膜の形成方法及び有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2007012986A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Univ Of Tokyo | 有機半導体装置 |
KR100716148B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-05-10 | 양재우 | 유기규소 절연체로 이용되는 화합물의 합성방법 |
JP2007189961A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toppan Printing Co Ltd | 容器の製造方法及び表面処理装置 |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
WO2007111191A1 (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP5055844B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2012-10-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法 |
KR100886723B1 (ko) * | 2007-02-20 | 2009-03-04 | 고려대학교 산학협력단 | 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의하여제조된 유기박막 트랜지스터 |
JP4835753B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2011-12-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ |
JP2009117619A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ |
JP5549754B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
KR101144233B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2012-05-10 | 지 . 텍 (주) | 롤-투-롤 스퍼터링 장치의 전처리 방법 및 장치 |
KR101756496B1 (ko) * | 2010-04-09 | 2017-07-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치 |
KR101823728B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2018-01-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
CN103604835A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-02-26 | 电子科技大学 | 一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法 |
JP5882510B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-03-09 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性ドライフィルムおよびそれを用いたプリント配線板の製造方法 |
KR102008566B1 (ko) * | 2016-05-24 | 2019-08-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102323894B1 (ko) * | 2017-04-05 | 2021-11-08 | 이상인 | 초임계 유체를 사용하는 전구체의 스프레이에 의한 물질의 증착 |
US10388895B2 (en) * | 2017-11-07 | 2019-08-20 | Shenzhen China Star Optoelectonics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic thin film transistor with charge injection layer and manufacturing method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582032A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 有機薄膜形成法 |
JP2001094107A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 有機半導体装置及び液晶表示装置 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
JP2002151508A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3754986A (en) * | 1969-08-18 | 1973-08-28 | Eastman Kodak Co | Organic semiconductors |
JPH0777273B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1995-08-16 | キヤノン株式会社 | スイッチング素子およびその駆動方法 |
US6107117A (en) | 1996-12-20 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an organic thin film transistor |
JPH1129585A (ja) | 1997-07-04 | 1999-02-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パーフルオロポリエーテル変性アミノシラン及び表面処理剤 |
US5936259A (en) | 1997-10-16 | 1999-08-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistor and organic semiconductor material thereof |
TW399338B (en) | 1997-11-24 | 2000-07-21 | Lucent Technologies Inc | Method of making an organic thin film transistor and article made by the method |
JP4733798B2 (ja) | 1998-01-31 | 2011-07-27 | 凸版印刷株式会社 | 防汚剤、防汚層の形成方法、光学部材、反射防止光学部材、光学機能性部材及び表示装置 |
US6159871A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
JP2000064348A (ja) | 1998-08-26 | 2000-02-29 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 建設機械 |
US6399270B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-06-04 | Konica Corporation | Support for printing plate and printing plate |
JP2000269504A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
US6265243B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-07-24 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating organic circuits |
CA2394895C (en) * | 1999-12-21 | 2014-01-28 | Plastic Logic Limited | Forming interconnects |
JP2003049272A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Konica Corp | 大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法及び大気圧プラズマ処理装置用の電極システム |
EP1291932A3 (en) * | 2001-09-05 | 2006-10-18 | Konica Corporation | Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same |
US6740900B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-25 | Konica Corporation | Organic thin-film transistor and manufacturing method for the same |
EP1434282A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-06-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Protective layer for an organic thin-film transistor |
-
2004
- 2004-02-17 JP JP2005502705A patent/JP4892973B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-17 KR KR1020057014875A patent/KR101129101B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-02-17 WO PCT/JP2004/001705 patent/WO2004075279A1/ja active Application Filing
- 2004-02-17 CN CNB2004800042259A patent/CN100501945C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-17 EP EP04711711A patent/EP1596428A4/en not_active Withdrawn
- 2004-02-17 US US10/545,361 patent/US7645630B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-02 JP JP2010126609A patent/JP2010265548A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582032A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 有機薄膜形成法 |
JP2001094107A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 有機半導体装置及び液晶表示装置 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
JP2002151508A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012023257A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Kaneka Corp | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1751385A (zh) | 2006-03-22 |
JP2010265548A (ja) | 2010-11-25 |
WO2004075279A1 (ja) | 2004-09-02 |
KR20050096188A (ko) | 2005-10-05 |
KR101129101B1 (ko) | 2012-03-23 |
EP1596428A4 (en) | 2008-12-24 |
EP1596428A1 (en) | 2005-11-16 |
JP4892973B2 (ja) | 2012-03-07 |
CN100501945C (zh) | 2009-06-17 |
US20060131561A1 (en) | 2006-06-22 |
US7645630B2 (en) | 2010-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4892973B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法 | |
JP5195420B2 (ja) | 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
EP1291932A2 (en) | Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same | |
JP2001094107A (ja) | 有機半導体装置及び液晶表示装置 | |
JPWO2006019157A1 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
WO2006033282A1 (ja) | 薄膜トランジスタと薄膜トランジスタ素子シート、及び、薄膜トランジスタと薄膜トランジスタ素子シートの作製方法 | |
JP2003179234A (ja) | 有機半導体素子およびその製造方法 | |
JP6289617B2 (ja) | 有機半導体素子 | |
JP2008171861A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP2004152959A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法 | |
JP2005191437A (ja) | 半導体装置、その製造方法、および表示装置 | |
WO2007029551A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ用基体及び有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
US8106387B2 (en) | Organic thin film transistors | |
JP2004281477A (ja) | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2003303970A (ja) | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2004200365A (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子 | |
JPWO2008090828A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機半導体デバイス | |
JP2008060115A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び該製造方法により作製した有機薄膜トランジスタ | |
JP2010123844A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2004273514A (ja) | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6298989B2 (ja) | 含フッ素化合物、パタ−ン形成用基板、光分解性カップリング剤、パタ−ン形成方法、化合物、有機薄膜トランジスタ | |
JP4345317B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子 | |
JP4507513B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2004221573A (ja) | 電気回路の製造方法、有機薄膜トランジスタ素子の製造方法、これらの製造方法で製造された電気回路、有機薄膜トランジスタ素子及び有機薄膜トランジスタ素子シート | |
JP2004207331A (ja) | 有機半導体素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110201 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |