JPS6345371A - 堆積膜形成法 - Google Patents

堆積膜形成法

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JPS6345371A
JPS6345371A JP62067334A JP6733487A JPS6345371A JP S6345371 A JPS6345371 A JP S6345371A JP 62067334 A JP62067334 A JP 62067334A JP 6733487 A JP6733487 A JP 6733487A JP S6345371 A JPS6345371 A JP S6345371A
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裕 平井
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半導体デイバイス。
光学的画像人力装置用の光入力センサーディバイス、電
子写真用の感光デイバイス等の電子デイバイスの用途に
有用な半導体性の膜を得るに有用な堆積膜形成法に関す
る。
（従来の技術の説明及び問題点〕 従来、機能性膜、殊に結晶質の半導体膜は、所望される
物理的特性や用途等の視点から個々に適した成膜方法が
採用されている。
例えば、必要に応じて、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結
晶質の非単結晶シリコン（以後ｒＮＯＮ−３ｉ　（Ｈ，
Ｘ）Ｊと略記し、その中でも殊に悲晶買シリコンを示す
場合にはｒＡ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊ、多結晶質シリコン
を示す場合にはｒｐｏ、Ｑｙ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊ　と
記す、）膜等のシリコン系堆積膜〔尚、俗に言う微結晶
シリコンは、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の概略のものであるこ
とはいうまでもない。〕の形成には、真空蒸着法、プラ
ズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法１反応スパッタリング法、イ
オンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試みられてお
り、一般的にはプラズマＣＶＤ法が至的なものとして用
いられ、企業化もされているところである。
丙午ら、従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法に
よるシリコン系堆積膜の形成における反応プロセスは、
従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反応
機構も不明な点が多々ある。又その堆積膜の形成パラメ
ーターも、例えば基体温度、導入ガスの流料と比２形成
時の圧力、高周波電力、電極構造１反応容器の構造。
排気の速度、プラズマ発生方式など多くあり、これらの
多くのパラメータの組み合せによるため、時にはプラズ
マが不安定な状、態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影９を与えることが少なくなかった。そのうえ製置特
有のパラメータを装置ごとに選定しなければならず、し
たがって製造条件を一般化することがむずかしいという
のが実状であった。
又、プラズマＣＶＤ法において結晶質のシリコン系堆積
膜を形成する場合には、成膜用の基体の配されている成
膜空間に於いて高出力の高周波或いはマイクロ波等によ
ってプラズマを生成させるため、これにより発生する電
子や多数のイオン種が成膜過程に於いて膜にダメージを
与え、膜品質の低下、膜品質の不均一化をもたらしてし
まったりする。その上、堆積膜の結晶化の条件が狭く、
したがって特性の安定した多結晶質の堆積膜を生産する
ことは困難とされている。
ところで、シリコン、ゲルマニウム、ＩＩ−Ｖｉ族及び
ＩＩＩ　−Ｖ族の半導体等のエピタキシャル堆積膜の形
成には、大きく分けて気相エピタキシー及び液相エピタ
キシーが用いられている（一般にエピタキシーの厳密な
定義としては、単結晶上へその阜結晶軸と結晶軸のそろ
った単結晶を成長させることであるが、本明細書中では
やや広義にエピタキシーを解釈することにし、単結晶基
板上への成長に限られるものではない。）。
液相エピタキシーは、溶かして液体にした金属の溶媒中
に半導体用の原料を高温で過飽和状態まで溶解させ、溶
液を冷却させることにより基板上に半導体結晶を析出さ
せる方法である。この方法によると、結晶は各種のエピ
タキシー技術の中で最も熱平衡に近い状態で作成される
為、完全性の高い結晶が得られる反面、量産性が悪く表
面状態が悪い為、薄くかつ厚さが均一なエピタキシャル
層を必要とする光デバイスなどでは、デバイス製作上の
歩留りやデバイスの特性に影響を及ぼす等の問題をとも
なうことから、あまり用いられていない。
他方、気相エピタキシーは真空蒸着法、スパッタリング
法などの物理的方法又は金属塩化物の水素還元法、有機
金属又は金属水素化物の熱分解法などの化学的方法等に
より試みられている。
中でも真空蒸着法の一種である分子線エピタキシーは超
高真空下でのドライプロセスである為、結晶の高純度化
、低温成長が可能であり、組成や濃度の制御性が良く比
較的平坦な堆積膜が得られるという利点があるが、成膜
装置に甚大な費用がかかることに加えて、表面欠陥密度
が大きいこと、そして分子線の指向性の有効な制御法が
未開発であり、そしてまた大面積化が困難であること及
び量産性があまり良くないなど多くの問題があることか
ら、企業化されるには至っていない。
金属塩化物の水素還元法あるいは有機金属又は金属水素
化物の熱分解法は、一般的にはハライドＣＶＤ法、ハイ
ドライドＣＶＤ法、ＭＯ−ＣＶＤ法と呼ばれるものであ
り、これらについては成膜装置が比較的容易に作製でき
、原料とされる金属塩化物、金属水素化物及び有機金属
について純度の高いものが容易に入手出来るようになっ
たことから、現在では幅広く研究され各種デバイスへの
応用も検討されている。
丙午ら、これらの方法にあっては、基体温度を還元反応
又は熱分解反応が起る程度以上の高温に加熱する必要が
あり、したがって基体材料の選択範囲が制限され、又原
料の分解が不十分であると炭素あるいはハロゲン等の不
純物による汚染が惹起されやすく、ドーピングの制御性
が悪いなどの欠点を有している。そしてまた堆積膜の応
用用途によっては、大面積化、膜厚均一化、膜品質の均
一性を十分満足させ、しかも高速成膜によって再現性の
ある量産化を図るという要望があるところ、そうした要
望を満足する実用可能な特性を維持しながらの量産化を
可能にする技術は、未だ確立されていないのが実情であ
る。
〔発明の目的〕 本発明の主たる目的は、省エネルギー化を図ると同時に
膜品質の管理が容易で大面積に亘って所望の特性を均一
に有し、半導体特性に優れた結晶質の堆積膜が得られる
堆積膜形成法を提供することにある。
本発明の他の目的は、生産性、量産性に優れ、高品質で
電気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れた結晶質
の堆積膜を簡便にして効率的に形成できる堆積膜形成法
を提供することにある。
（問題を解決する為の手段） 本発明は、本発明者らが上述の各種問題を解決して前記
本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果完成を
みたものであり、堆積膜形成用の気体状原料物質（１）
と該原料物質（１）に酸化作用をする性質を有する気体
状ハロゲン系酸化剤（ＩＩ）のいずれか一方である原料
物質（Ａ）を、堆積膜を形成する為の結晶核となる材料
又は結晶核が選択的に形成され得る材料を表面上に離散
的に有する基体が予め配されている成膜空間内に導入し
て前記基体表面に吸着させて吸着層（１）を形成する工
程（Ａ）、他方である原料（Ｂ）を前記成膜空間内に導
入して前記吸着層（１）での表面反応を起させて結晶貿
堆積服（１）を形成する工程（Ｂ）とを少なくとも一回
行うことを含むことを特徴とする堆積膜形成法である。
（作　用） 前記構成の本発明の堆積膜形成法は、堆積膜形成用の原
料ガスに放電エネルギー等を作用させてプラズマ放電を
形成する従来のプラズマＣＶＤ法に代えて、気体状ハロ
ゲン系酸化剤を用いることによりプラズマ反応を介する
ことなく堆積膜を形成することを１つの特徴としており
、このことにより成膜中のエツチングあるいは異常放電
等による悪影舌を受けることがないという利点を有して
いるものである。
また、本発明の堆積膜形成法は、気体状原料物質とこれ
に酸化作用を及ぼす気体状ハロゲン系酸化剤とのどちら
か一方を基体表面に吸着させて吸着層を形成した上で他
方を導入することにより、基体上に極薄い堆積膜を形成
することをもう一つの特徴としており、このことにより
膜厚が均一で且つ膜質の均一な堆積膜が得られるという
利点がある。
また、本発明の堆積膜形成法は、堆積膜の構成元素とな
る気体状原料物質と気体状ハロゲン系酸化剤との酸化還
元反応を利用し、堆積に高温を必要としない為、熱によ
る構造の乱れがなく、生産時に於ける加熱設備とその稼
動に伴なう経費が不用であり、デバイスの低コスト化が
可能である。そして耐熱性に依らない高範囲な基体材料
の選択が可能となる。
また、本発明の堆積膜形成法は、気体状原料物質とその
気体状ハロゲン系酸化剤の反応が吸着分子に関して進行
させ堆積膜とする為、基体の形状、大きさに依らず大面
積化が可能であると同時に、原料もごくわずかであり成
膜空間を小さくできる為、収率を飛曜的に向上させるこ
とが出来る。
また、本発明の堆積膜形成法は、結晶成長の核を任意に
基体上に配することで結晶粒の大きさを決定でき、目的
に合わせた特性の結晶質の堆積膜を所望の領域に堆積す
ることが出来る。
又、前述のごとき構成の本発明の堆積膜形成法によれば
、堆積膜形成における省エネルギー化を図ると同時に、
膜品質の管理が容易で大面積に亘って均一なＶ質及び特
性を有する良好な結晶質の堆積膜の形成が可能となる。
更に生産性及び量産性に優れ、高品質で電気的、光学的
、半導体的等の諸特性に優れた結晶質の堆積膜を効率的
に得ることができる。
本発明の堆積膜形成法に於いて、使用される堆積膜形成
用の気体状原料物質（以下、「気体状原料物質（Ｉ）」
とする）は、気体状ハロゲン系酸化剤（以下、「ハロゲ
ン系酸化剤（１１）Ｊとする）との接触により酸化作用
をうけるものであり、目的とする堆積膜の種類、特性、
用途等によって所望に従って適宜選択される。本発明の
方法に於いては、上記の気体状原料物質（Ｉ）及びハロ
ゲン系酸化剤（１１）は、導入される際に気体状となっ
ているものであればよく、通常の場合、気体であっても
液体であってもあるいは固体であってもよい。気体状原
料物質（Ｉ）あるいはハロゲン系酸化剤（１１）が通常
状態において液体又は固体である場合には、Ａｒ。
Ｈｅ、Ｎ２．Ｎ２等のキャリアーガスを使用し、必要に
応じて加熱しながらバブリングを行って、成膜空間内に
気体状原料物質（１）又はハロゲン系酸化剤（１１）を
気体状として導入して基体上に吸着層を形成し、次いで
他方を気体状で導入する。
この際、上記気体状原料物質（１）又はハロゲン系酸化
剤（ＩＩ）の導入圧は、キャリアーガスの流量あるいは
気体状原料物質（１）及びハロゲン系酸化剤（ＩＩ　）
の蒸気圧を調節することにより設定される。気体状原料
物質（Ｉ）あるいはハロゲン系酸化剤（１１）が通常状
態で気体である場合には、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ、Ｎ
２．８２等のキャリアーガスによって希釈して導入する
こともできる。
本発明の方法に於いて使用される気体状原料物質（Ｉ）
としては、例えば周期律表第１Ｖ族に属するシリコンの
堆積膜を得るのであれば、直鎖状及び分岐状の鎖状シラ
ン化合物、環状シラン化合物等を有効なものとして挙げ
ることができる。
その様な気体状原料物質（１）と成り得るものとしては
、具体的には、直鎖状シラン（ヒ合物としてはＳ　ｉｎ
　Ｈ２ｎ、２（ｎ＝１．２，３，４，５゜６，７．８）
、分岐状鎖状シラン化合物としては５ｉＨ３ＳｉＨ（Ｓ
ｉＨ３）ＳｉＨ２ＳｉＨ３、環状シラン化合物としては
Ｓ　ｉｎ　Ｈ２ｎ　（ｎ　＝　３　。
４．５．６）等が挙げられる。
勿論、これ等のシリコン系化合物は１種のみならず２種
以上混合して使用することもできる。
本発明の方法に於いて使用されるハロゲン系酸化剤（Ｉ
ｔ）は、成膜空間内に導入される際気体状とされ、同時
に堆積膜形成用の気体状原料物質（１）に接触するだけ
で効果的に酸化作用をする性質を有するもので、Ｆ２．
Ｃｕ、、Ｂｒ２゜１２、Ｃｕ　Ｆ等のハロゲンガスを有
効なものとして挙げることができる。
これ等の気体状原料物質（１）又はハロゲン系酸化剤（
１１）のいずれか一方が先ず気体状で堆積膜形成用の基
体が配されている成膜空間に所望の流量と供給圧を与え
られて導入されて前記基体上に吸着層が形成され、次い
で他方が所望の時間後に所望の流量と供給圧を与えられ
て導入されることで、両者が前記吸着層表面で衝突する
ことで表面化学反応を生起し、前記ハロゲン系酸化剤（
ＩＩ）が前記気体状原料物質に酸化作用をして、成膜す
る堆積ｎλの結晶核となる材料乃至は結晶核が選択的に
形成し得る材料を表面上に離散的に有する基体上で堆積
膜が作成される。この様な本発明の堆積膜形成プロセス
はより効率良く、より省エネルギー化で進行し、膜全面
に亘って所望の良好な物理特性を有する堆積膜が従来よ
りも低い基体温度で形成される。
本発明の方法に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に
進行し高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される
べく、成膜因子としての堆積膜形成用の原料物質（１）
及びハロゲン系酸化剤（ＩＩ）の種類と組み合せ、反応
時の圧力、流ミ。
成膜空間内圧、基体の種類、吸着時の圧力、ガスの流型
、吸着温度と成膜温度（基体温度及び雰囲気温度）が所
望に応じて適時選択される。これ等の成膜因子は有機的
に関連し単独で決定されるものではなく、相互関連の下
に夫々に応じて決定される。本発明の方法に於いて、成
膜空間に導入される堆積膜形成用の気体状原料物質（ｌ
と気体状ハロゲン系酸化剤（１１）との吸着と反応のプ
ロセスは、上記成膜因子のうち関連する成膜因子との関
係に於いて適宜所望に従って決められる。
本発明の堆積膜形成法に於ける基体上への吸着層形成工
程の条件は適宜設定されるものである。
固体表面上への気体分子の吸着には分子間力が存在し、
原子価エネルギーによる化学吸着の方か、分数エネルギ
ー（ファンデアワールス力に対応）による物理吸着より
も、その分子間力が大きい。
又、物理吸着が多層吸着となり易いのに対して、化学吸
着は単分子層吸着なので均質な薄膜堆積を制御するには
、最終的にも化学吸着の形態となるのが好ましい。
しかしながら、本発明に於いて吸着層を設ける過程から
堆積膜形成の過程に於いては、気体分子の物理吸着と化
学吸着が複雑に関連していると考えられ、必ずしも吸着
の形態にこだわるものではない。一方この吸着状態を決
定しているのは、吸着分子の種類と固体表面の種類及び
表面状態さらに制御因子としての温度、圧力であり、少
なくても反応を所望の堆積膜が得られる様これらの制御
因子を決定する必要がある。
つまり、吸着から反応までの間に真空チャンバー内の圧
力が低すぎると物理吸着の状態から脱離が起り易くなり
、温度が高すぎると化学吸着の状態から解離吸着となり
易く、所望の堆積膜に適した反応過程を選択しなけらは
ならない。
本発明の堆積膜形成の１サイクル〔吸着層の形成工程（
Ａ）と該吸着層と原料物質との反応による堆積膜形成工
程（Ｂ）〕に於いては、基体表面上に均一に所望される
堆積膜が形成される前の工程として次の工程がある。原
料物質Ａを成膜空間内に導入、基体上に適当量吸着させ
て吸着層を形成する工程（第一の工程：工程（Ａ））、
さらにその原料物ＸＡの吸着層を残留させ且つ余分な原
料物質Ａを排出させる工程（第二の工程）である。これ
等の工程を行う際の圧力は前述の理由から適宜設定され
、第一の工程の圧力としては吸着を充分進行させる為に
より高い方が良いが、好ましくは１　ｘ　１０−７〜１
０Ｔｏ　ｒ　ｒ。
より好ましくはｌＸｌ０−’〜ＩＴｏｒｒが望ましい。
第二の工程の圧力としては、余分な原料Ａを排出する為
より低い方が良いが、好ましくはＩ　Ｘ　１０−１０〜
ｉ　Ｔｏ　ｒ　ｒ、より好ましくは１　ｘ　１０−９〜
１　ｘ　１０−２Ｔｏ　ｒ　ｒが好ましい。
さらに、本発明の堆積膜形成の１サイクルはこれに引き
続き原料Ｂを成膜空間に導入し、基板上の吸着層と表面
反応を起こさせて堆積膜を形成する工程（第三の工程：
工程（Ｂ））、次にこの時堆積膜以外に生成した副生成
物を成膜空間から排気する工程（第四の工程）から成る
。第三の工程の反応時の圧力としては原料物ｉＡ、Ｂの
接触を確率的に高める為より高い方が良いが、反応性を
考慮して適宜所望に応じて最終値は決定される。
第三の工程の圧力として好ましくはｌＸｌ０−’〜１０
　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ　、より好ましくはｌＸｌ０−’〜１
Ｔｏｒｒとされるのが望ましい。
第四の工程の圧力としては、ｌＸｌ０−１２〜ＩＴｏｒ
ｒが好ましい。
本発明に於いては、前記の工程（Ａ）と工程（Ｂ）とが
少なくとも一回行われるものであるが、場合によっては
工程（Ａ）と工程（Ｂ）とをこの順で繰り返し必要回数
行っても良い。その場合、工程（Ａ）と工程（Ｂ）の夫
々の時間は、サイクル毎に同じでも異なっていても良い
。
本発明の方法において、所望の結晶質の堆積膜を選択的
に形成させる為には、あらかじめ成膜する堆積膜の結晶
核となる材料乃至結晶核が選択的に形成し得る材料を基
体表面の目的に応じた形で配置する必要がある。
前者の場合には、単結晶基体を部分的に非晶質薄膜で覆
ったものを基体として用いるか或いは単結晶粒子を基体
上に配することで、単結晶基体の露出部分か或いは単結
晶粒子が結晶核となって、単結晶と同一の材料を選択的
にエピタキシャル成長させることができる。
また、成膜条件と結晶核となる結晶材料の種類、を適宜
選ぶことにより、異なる種類の結晶質の堆積膜を選択的
に成膜することができる。
後者の場合には、堆積面材料の種類による堆積材料の核
形成密度の差を利用して、基体上に所望のパターンで異
種材料を離散的に配置におくことによって、選択的に所
望の結晶質の堆積膜を成膜することができる。
前者の場合に用いられる基体としては、シリコン車結晶
をシリコン酸化膜で覆って選択的に下地シリコン単結晶
を露出したもの、或いはシリコン結晶の成長性の小さい
基体上にシリコン車結晶粒子を配置したものが使用され
る。さらに前述の様にこのシリコン結晶の代わりにシリ
コンと異なる種類の結晶を核として使用できるが、これ
らの結晶の材料には次の様な条件が必要である。
１、　基体表面の結晶材料の格子定数が堆積膜の格子定
数と一致しているか、きわめて近いこと。
２、　基体表面の結晶材料と堆積膜の熱膨張係数が一致
しているか、きわめて近いこと。
故に、例えば結晶質Ｓｉの堆積膜を得る為に適当な基体
の表面を構成すべき材料としてはＧａＦ２．ＺｎＳ、Ｙ
ｂ、Ｍｎ３Ｇａ、ＮａＣ０Ｆ３　、Ｎ　ｉ３　Ｓｎ、Ｆ
ｅ５Ｃ，Ｎ　１Ｔｅｘ（ｘ＜０．７）、ＣｏＭｎＯ３，
ＮｉＭｎＯ３゜ＭａＺｎ３．ＣｕＣＪ］　Ａｊ２ｐ、Ｓ
ｉなどが挙げられる。
さらに前述の２つの条件から略の外れた場合でも、堆積
条件をより適切に選ぶことによって結晶質の堆積膜を得
ることも可能であり、本発明の堆積膜形成法は上述の材
料のみに限定されるものではない。
後者の場合に用いられる基体としては、例えば５ｉｎ２
膜上にＳｉ３Ｎ４を離散的に配貨したもの、或いはＳｉ
、Ｎ４膜上をＳｉＯ□で覆い部分的に下地Ｓｉ３Ｎ４を
露出させたものが使用される。
これはシリコン結晶核がＳｉ、Ｎ４上で生成し易く、Ｓ
ｉｎ、上で生成し難い性質を利用したもので、本発明の
堆積膜形成法に於いては核形成の生成に難易差を有する
材料であれば非晶買。
結晶質に依らず使用することが可能である。
成膜時の基体温度（ＴＳ　）は、形成する堆積膜の種類
及び用いる基板の種類により適宜設定される。
（実施例） 以下、実施例を用いて本発明の方法をより詳しく説明す
るが、本発明はこれら実施例によって限定されるもので
はない。
Ｓ１図は本発明の堆積膜形成法を具現するに好適な装置
の１実施例を示すものである。
第１図に示す堆積膜形成装置は、装置本体。
排気系及びガス供給系の３つに大別される。
装置本体には、成膜空間が設けられている。
１０１〜１０８は夫々、成膜する際に使用されるガス充
填されているボンベ、Ｉｏｔａ〜１０８ａは夫々ガス供
給パイプ、１０１ｂ〜１０８ｂは夫々各ボンベからのガ
スの’（Ｋ　’！調整用のマスフローコントローラー、
１０１ｃ〜１０８Ｃはそれぞれガス圧力計、１０１ｄ〜
１０８ｄ及び１０１ｅ　〜１０８ｅは夫々バルブ、１０
１ｆ〜１０８ｆは夫々対応するガスボンベ内の圧力を示
す圧力計である。
１２０は真空チャンバーであって、上部にガス導入用の
配管が設けられ、配管の下流に反応空間が形成される構
造を有し、且っ該配のガス導入口に対向して、基体１１
８が設置される様に基体ホールダー１１２が設けられた
成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用の配管
は三配蓋構造となっており、中よりガスボンベ１０１．
１０２よりのガスが導入される第１のガス導入管１０９
．ガスボンベ１０３〜１０５よりのガスが導入される第
２のガス導入間１１０及びガスボンベ１０６〜１０８よ
りのガスが導入される第３のガス導入管１１１を有する
。
各導入管へのボンベからのガスの供給は、ガス供給パイ
プライン１２３〜１２５によって夫々なされる。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チャン
バー１２０は、メイン真空バルブ１１９を介して不図示
の真空排気装置により真空排気される。
基板１１８は基体ホルダー１１２を上、下。
Ｘ、Ｙ方向に移動されることによって各ガス導入管から
の位置を自由に設定することができる。
本発明の方法の場合、この基板とガス導入管のガス導入
口の距離は、形成される堆積膜の種類及びその所望され
る特性、ガス流量、真空チャンバーの内圧等を考慮して
適切な状態になる様に決められるが、好ましくは数ｍｍ
〜２０ｃｍ、より好ましくは５ｍｍ〜１５ｃｍ程度とす
るのが望ましい。
１３０は原料Ａのガス分子を基板１１８上に吸着しやす
くする為の冷却パイプであり、流量コントローラ１３１
に接続されている。冷却は吸着している第一、第二の工
程の他成膜中。
成膜後にも用いることができる。
１１３は基板１１８を成膜時に適当な温度に加熱したり
、或は成膜前に基体１１８を予備加熱したり、更には成
膜後、膜をアニールする為に加熱する基板加熱用ヒータ
である。
基板加熱用ヒータ１１３は、導線１１４を介して電源１
１５により電力が供給される。
１１６は基板温度（Ｔｓ）の温度を測定する為の熱電対
で温度表示装置１１７に電気的に接続されている。
１２６．１２７は液体原料用バブラーであり、液体の堆
積膜形成用原料物質１２８，１２９を詰めて用いる。堆
積膜形成用原料物質が通常状態の場合に気体であるとき
は液体原料用バブラーを用いる必要はない。
実施例１ 第１図に示す成膜装設を用いて、次の様にし本発明の方
法による堆積膜を作成した。
ボンベ１０１に充填されているＳｉＨ４ガスを流量４０
ｓｅｃｍでガス導入管１０９より、ボンベ１０６に充填
されているＦ２ガスを流出６０ｓｅｃｍ、ボンへ１０７
に充填されているＨｅガスを流量１２０　ｓ　ｅ　ｃ　
ｍでガス導入管１１１より真空チャンバー１２０内に導
入した。
本実施例では液体原料用バブラー１２６，１２７は使用
しなかった。
基体１１８は第２図に示される工程で作成した。
まず、第２図（Ａ）に示すような多結晶シリコン基板２
０１を洗浄し、続いてスパッタリング法（この場合、ス
パッタリング法の他に種々の薄膜堆積法、例えば真空蒸
着法、プラズマ放電法、ＭＢＥ法、ＣＶＤ法等も採用さ
′れる）によって基板１の全面に酸化シリコン薄膜２０
２を堆積させた［同図（Ｂ）コ。
続いて薄膜２０２上に電子線レジスト層２０３を塗布し
［同図（Ｃ）］、所望パターンのホストマスクを用いて
電子線レジスト層２０３を感光させ、現像によって電子
線レジスト層２０３を部分的に除去した［同図（Ｄ）］
。
残留している電子線レジスト２０３Ａをマスクとして酸
化シリコン１ｌｌｉ２０２をエツチングし、所望パター
ンを有する薄膜２０２Ａを形成した［同図（Ｅ）］。
以上の工程によって、多結晶シリコンのある結晶面が定
間隔で酸化シリコン膜から露光した基体１１８を得た。
基体１１８の表面で露出したシリコン結晶の領域は５０
０μｍ幅、３００μｍの間隔であった。
次に、不図示の排気装置によって真空チャンバー１２０
を充分ベーキングして５Ｘ１０−９Ｔｏｒｒまで引く。
ボンベ１０１に充填されているＳｉＨ４ガスを流量４ｓ
ｅｃｍを排気バルブ１１９を調整することによりＱ、１
ｍＴｏｒｒ／　ｓ　ｅ　ｃの排気速度に保持した状態で
真空チャンバー１２０へガス導入管１０９を通して０．
３ｓｅｃ間流した。続いてバルブ１０１ｄを閉じ、Ｓ　
ｉ　Ｈ４ガスの供給を止め、排気バルブ１１９を開き真
空度０．０ＩＴｏｒｒになるよう調整した状態で２ｓｅ
ｃ間保持した。
ボンベ１０７に充填されているＦ２ガス（Ｈｅで１０％
に希釈）を４ｓｅｃｍをガス導入管１１１より真空チャ
ンバー１２０内に導入した。
この時の排気速度は排気バルブ１１９を調整して０．８
ｍＴｏｒｒ／ｓｅｃであり、この状態を５ｓｅｃ保持し
た後、バルブ１０７ａを閉じＦ２ガス供給を止め、排気
バルブ１１９を開いて真空度０．００４Ｔｏｒｒになる
よう調整した状態で３ｓｅｃ保持した。
以上の操作を４２００回繰り返し約４６００人の５さの
結晶シリコン堆積膜２０４が得られた。
基体１・１８上に得られた結晶シリコン堆積膜２０４の
断面の模式図を第２図（Ｆ）に示す。
第２図（Ｆ）に於いて２０５は結晶粒界を示す。
さらに得られた各試料を用いて、Ｘ線回折法及び電子線
回折法により堆積膜の結晶性の評価を行ったところ。多
結晶質膜であることが確認され、この多結晶シリコンの
粒径は約２５０μ±２０μｍであった。結晶粒径のバラ
ツキは基体全面にわたって均一であった。
又、走査型電子顕微鏡により試料の表面状態を観察した
ところ、平滑度は良好で波模様等が無く膜厚ムラはｔ±
４％以下であった。また、作成された資料の結晶Ｓｉ堆
積膜の移動度及び導電率をＶａｎ　　ｄｅｒ　　Ｐａｕ
ｗ法により測定した処、それぞれ２５０　（ａｍ／Ｖ−
ｓｅｅ）。
５ｘ　１０−’（Ｓ−ｃｍ−’）であった。
実施例２ 基体１１８を第３図に示される工程で作成し。
た。
まず、第３図（Ａ）に示される様な略々均一な組成材料
からなるガラス基板３０１を洗浄し、続いて熱ＣＶＤ法
によって基板３０１全面にアモルファスＳ　ｉ　Ｎ　（
、Ａ−Ｓ　ｉ　Ｎ）薄膜３０２を約２μｍの厚さで成膜
させた［同図（Ｂ）］。
続いて上記Ａ−３ｉＮ薄膜３０２上にレーザーアニール
装置に依ってＮ２雰囲気中で上記Ａ−３ｉＮ薄膜３０２
の表面アニールを行ない、Ａ−３ｉＮ薄膜３０２の表面
層（〜１μｍの深さ）に結晶質Ｓ　ｉ３　Ｎ４　　（Ｃ
Ｓ　ｉ３　Ｎ４　）３０３を形成した［同図（Ｃ）］。
この時レしザーは、Ａｒ−ＣＷレーザー４８８０人スス
キャン速度２５ｃｍ／ｓｅｃ、エネルギー１０Ｗで照射
した。続いてこのＣ−３ｉ３Ｎ４層３０３の表面を０２
：囲気中で上記レーザーアニール装置によって走査し、
選択的に５ｉｎ２層３０４を形成した［同図（Ｄ）コ。
以上の工程によって、Ｃ３ｉ３Ｎ４層３０３Ａが定間隔
で露出し、他の部分が５ｉ０２層３０４で覆われた基体
１１８が形成された。
基体表面で露出したｃ−３ｉ、Ｎ４層３０３Ａの領域は
３００μｍ幅で２００μｍの間隔であった。
さらにこの基体１１８を用いて実施例１と同様に第１図
に示される装置によって結晶質シリコンの堆積を行った
。
まず、不図示の排気装置によって真空チャンバー１２０
を充分ベーキングして５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒまで引いた
。ボンベ１０１に充填されているＳｉＨ４ガスを流量５
ｓｅｃｍを排気バルブ１１９を調整することにより０．
１ｍＴｏｒｒ／　ｓ　ｅ　ｃの排気速度に保持した状態
で真空チャンバー１２０へガス導入管１０９を通して０
．３ｓｅｃ間流した。続いてバルブ１０１ｄを閉じＳｉ
Ｈ，ガスの供給を止め、排気バルブ１１９を開き、真空
度０．ＩＴｏｒｒになるよう調整した状態で２ｓｅｃ間
保持した。
ボンベ１０７に充填されているＦ２ガス（Ｈｅで１０％
に希釈）を６ｓｅｃｍをガス導入管１１１より真空チャ
ンバー１２０内に導入した。
この時の排気速度は排気バルブ１１９を調整して０．８
ｍＴｏ　ｒ　ｒ／ｓ　ｅ　ｃであり、この状態を５ｓｅ
ｃ保持した後、バルブ１０７ａを閉じＦ２ガスの供給を
止め、排気バルブ１１９を開いて真空度０．０ＩＴｏｒ
ｒになるよう調整した状態で４ｓｅｃ保持した・ 以上の操作を４５００回繰り返し約２．３μの厚さの結
晶シリコン堆積膜３０５が得られた。
この基体１１８上に得られた結晶シリコン堆積膜３０５
の断面のい模式図を第３図（Ｆ）に示す。
第３図（Ｆ）に於ける３０６は結晶粒界を示す。
さらに得られた各試料を用いて、Ｘ線回折法及び電子線
回折法により堆積膜の結晶性の評価を行ったところ、多
結晶質シリコン膜である事が確認された。さらにシュラ
−（Ｓｃｈｅｒｒａｒ）法で求めた多結晶シリコンの粒
径は約１２０±２５μｍであった。結晶粒径のバラツキ
は基体全面にわたってほとんど均一であった。
又、走査型電子顕微鏡により試料の表面状態を観察した
ところ、平滑度は良好で波模様等が無く、膜厚ムラは±
４％以下であった。また、得られた試料の多結晶Ｓｔ堆
積模の８勤度導電率をＶａｎ’　　ｄｅｒ　　Ｐａｕｗ
Ｑ去により（量定した処、それぞれ１２０　（ｃｍ／Ｖ
　−ｓ　ｅｃ）。
９ｘｌＯ−’（Ｓ−ａｍ−’）であった。
実施例３ 第１図に示す成膜装置を用いて次の様にし、本発明の方
法による堆積膜を作成した。
ボンベ１０１に充填されているＳ　ｉ　Ｈ，ガスを流量
４０ｓｅｃｍでガラス導入管１０９より、ボンベ１０６
に充填されているＦ２ガスを流量６０ｓｅｃｍ、ボンベ
１０７に充填されているｅガスを流量１２０ｓｅｃｍで
ガス導入管１１１より真空チャンバー１２０内に導入し
た。
本実施例では液体原料用バブラー１２６．１２７は使用
しなかった。
基本１１８は第４図に示される工程で作成した。
まず、第４図（Ａ）に示すような多結晶シリコン基板４
０１を洗浄し、読いてスパッタリング法（この場合、ス
パッタリング法の他に種々の簿服堆積法、例えば真空蒸
着法、プラズマ放電法。
ＭＢＥ法、ＣＶＤ法等も採用される）によって基板４０
１の全面に非晶質Ｓ　ｉ　０２薄膜４０２を堆積させた
［同図（Ｂ）１゜次に、該５ｉｎ２薄膜４０２上に非晶
質のＳｉ３Ｎ４簿膜４０３を堆積させた［同図（Ｃ）コ
。
続いてＳｉ３Ｎ４薄膜４０３上に電子線レジスト層４０
４を塗布し［同図（Ｄ）］、所望パターンのホトマスク
を用いて電子線レジスト層４０４を感光させ、現像によ
って電子線レジスト層４０４を部分的に除去した［同図
（Ｅ）］。
残留している電子線レジスト層４０４Ａをマスクとして
５ｉｓＮａ薄膜４０３をエツチングし、所望パターンの
Ｓｉ３Ｎ４薄膜４０３Ａを形成した［同図（Ｆ）］。
以上の工程によって、Ｓｉｎ２層４０２の表面が定間隔
でＳｉ３Ｎｍ薄膜４０２から露出した部分４０２Ａを有
する基体１１８を得た。
上記Ｓｔ、Ｎ、薄膜４０３Ａは、５ｉｎ２薄膜４０２上
に、２００μｍ幅で２００μｍの間隔で配された。
次に、不図示の排気装置によって真空チャンバー１２０
を充分ベーキングして５Ｘ１０−９Ｔｏｒｒまで引いた
。ボンベ１０１に充填されているＳｉＨ４ガスを流−ｉ
　４　ｓ　ｅ　ｃ　ｍで排気バルブ１１９を調整するこ
とにより、０．１ｍＴｏｒｒ／　ｓ　ｅ　ｃの排気速度
に保持した状態で真空チャンバー１２０へガス導入管１
０９を通して０．３ｓｅｃ間流した。続いてパルプ１０
１ｄを閉じ、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスの供給を止め、排気バル
ブ１１９を開き真空度０．０ＩＴｏｒｒになるよう調整
した状態で２ｓｅｃ間保持した。
ボンベ１０７に充填されているＦ２ガス（Ｈｅで１０％
希釈）を流量４ｓｅｃｍでガス導入管１１１より真空チ
ャンバー１２０内に導入した。
この時の排気速度は排気バルブ１１９を調整して０．８
ｍＴｏｒｒ／ｓｅｃであり、この状態を５ｓｅｃ保持し
た後、バルブ１０７ａを閉じＦ２ガスの供給を止め、排
気バルブ１１９を開いて真空度０．００４Ｔｏｒｒにな
るよう調整した状態で３ｓｅｃ保持した。
以上の操作を１００００回繰り返し約３．０μの厚さの
結晶シリコン体積膜４０５が得られた。
基体１１８上に得られた結晶シリコン体積膜４０５の断
面の模式図を第４図（Ｇ）に示す。
次に、得られた各試料を用いてＸ線回折法及び電子線回
折法によりシリコン堆積膜の結晶性の評価を行ったとこ
ろ、多結晶質シリコン膜であることが確認された。さら
にシュラ−（Ｓｃｈｅｒｒａｒ）法で求めた多結晶シリ
コンの粒径は約４０±０．５μｍであった。結晶粒径の
バラツキは基体全体にわたってほとんど均一であった。
又、走査型電子顕微鏡により試料の表面状態を観察した
ところ、平滑度は良好で波模様等が無く、膜厚ムラは±
４％以下であった。また作成された資料の結晶Ｓｉ堆積
膜の移動度、導電率をＶａｎ　　ｄｅｒ　　Ｐａｕｗ法
により測定した処、それぞれ３００　（ｃｍ／Ｖ・５ｅ
ｃ）、９ｘ１０−６（Ｓ　−ｃ　ｍ−’）であった。
実施例４ 基体１１８を第４図に示される工程で作成した。
まず、第４図（Ａ）に示される様な均一な組成材料から
なるガラス基板４０１を洗浄し、続いてプラズマＣＶＤ
法によってＳｉＨ４ガスとＮ　Ｈ３ガスを使用して基板
４０１全面に非晶質のＳｉＮ：Ｈ薄膜４０２を約２μｍ
の厚さで成膜させた［同図（Ｂ）コ。
続いて上記ＳｉＮ：Ｈ薄膜４０２上にスパッターリング
法によって非晶質の５ｉｎ２薄膜４０４を５００人厚に
形成したし同図（Ｃ）］。
続いて、Ｓｉｎ、薄膜４０３上に電子線レジスト層４０
４を塗布し［同図（Ｄ）］、所望パターンのホトマスク
を用いて電子線レジスト層４０４を露光し現像すること
で、電子線レジスト層４０４を部分的に除去した［同図
（Ｅ）］。残留している電子線レジスト層４０４Ａをマ
スクとして５ｉ０２薄膜４０３をエツチングし、所望パ
ターンのＳｉＯ２薄膜４．０３Ａを形成した［同図ＣＦ
）コ。
以上の工程によってＳｉ３Ｎ４層が定間隔で露出した部
分４０２Ａを有し、他の部分がＳｉＯ□層４０３Ａで覆
われた基体１１８が形成された。基体１１８の表面に露
出したＳｔ、Ｎ、層４０２Ａの領域は、約３００μｍ幅
で２８０μｍ間隔で配された。
次に、この基体１１８を用いて実施例３と同様に第１図
に示される装置によって結晶質シリコンの堆積を行った
。
まず、不図示の排気装置によって真空チャンバー１２０
を充分ベーキングして５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒまで引いた
。ボンベ１０１に充填されているＳ　ｉ　Ｈ，ガスを、
流量５ｓｅｃｍを排気バルブ１１９を調整することによ
りＯ，ｉｎＴ　ｏ　ｒ　ｒ　／　ｓ　ｅ　ｃの排気速度
に保持した状態で真空チャンバー１２０へガス導入管１
０９を通して０．３ｓｅｃ間流した。続いてバルブ１０
１ｄを閉じ、ＳｉＨ４ガスの供給を止め、排気バルブ１
１９を開き、真空度０．ＩＴｏｒｒになるよう調整した
状態で２ｓｅｃ間保持した。。
ボンベ１０７に充填されているＦ２ガス（Ｈｅで１０％
に希釈）を６ｅａｃｍをガス導入管１１１より真空チャ
ンバー１２０内に導入した。
この時の排気速度は排気バルブ１１９を調整して０．８
ｍＴｏｒｒ／ｓｅｃであり、この状態を５ｓｅｃ保持し
た後、バルブ１０７ａを閉じＦ２ガスの供給を止め、排
気バルブ１１９を開いて真空度０．０ＩＴｏｒｒになる
よう調整した状態で４ｓｅｃ保持した。
以上の操作を７０００回繰り返し約２．８μの厚さの結
晶シリコン堆積膜４０５が得られた。
この基体１１８上に得られた結晶シリコン堆積膜４０５
の断面の模式図を第４図（Ｇ）に示す。
さらに、得られた各試料を用いて、Ｘ線回折法及び電子
線回折法により堆積膜の結晶性の評価を行ったところ、
多結晶質シリコン膜である事が確認され、その粒径は約
９０±７μｍであった。
結晶粒径のバラツキは基体全面にわんってほとんど均一
であった。
又、走査型電子顕微鏡により試料の表面状態を観察した
ところ、平滑度は良好で波模様等が無く、膜厚ムラは±
４％以下であった。また得られた試料の多結晶Ｓｉ堆積
膜の！多動度、導電率をＶａｎ　　ｄｅｒ　　Ｐａｕｗ
法により測定した処、それぞれ１５０（ｃｍ／Ｖ・５ｅ
ａ）、４Ｘ１０−’（Ｓ−ｃｍ−’）であった。
実施例５ 第１図に示す成膜装置を用いて次の様にし、本発明の方
法による堆積膜を作成した。
ボンベ１０１に充填されているＳ　ｉ　Ｈ４ガスを流量
４０ｓｅｃｍでガス導入管１０９より、ボンベ１０６に
充填されているＦ２ガスを流量６０ｓｃｃｍ、ボンベ１
０７に充填されているＨｅガスを流量１２０　ｓ　ｃ　
ｃ　ｍでガス導入管１１１より真空チャンバー１２０内
に導入した。
本実施例では液体原料用バブラー１２６　、　１２７は
使用しなかった。
基体１１８は第５図に示される工程で作成した。
まず、第５図（Ａ）に示すような多結晶シリコン基板５
０１を洗浄し、続いてスパッタリング法（この場合スパ
ッタリング法の他に種々の薄膜堆積法、例えば真空蒸着
法、プラズマ放電法。
ＭＢＥ法、ＣＶＤ法等も採用される）によって基板４０
１の全面に酸化シリコン薄膜５０２を堆積させた［同図
（Ｂ）コ。
続いて、薄膜５０２上に電子線レジスト層５０３を塗布
し［同図（Ｃ）］　、所望パターンのホトマスクを用い
て電子線レジスト層５０３を感光させ、現像によって電
子線レジスト層５０３を部分的に除去した［同図（Ｄ）
］。
残留している電子線レジスト層５０３Ａをマスクとして
酸化シリコン薄膜５０２をエツチングし、所望パターン
を有する薄膜５０２Ａを形成した［同図（Ｅ）］。
以上の工程によって、多結晶シリコンのある結晶面が定
間隔で酸化シリコン膜から露出した部分５０１Ａを有す
る基体１１８を得た。基体１１８の表面で露出したシリ
コン結晶５０１Ａの領域は、直径約数画人、５μｍの間
隔であった。
次に、不図示の排気装萱によって真空チャンバー１２０
を充分ベーキングして５Ｘ１０−９Ｔｏｒｒまで引く。
ボンへ１０１に充填されているＳ　ｉ　Ｈ４ガスを、流
量４　ｓ　ｅ　ｃ　ｍを排気バルブ１１９を調整するこ
とにより０．１ｍＴｏｒｒ／　ｓ　ｅ　ｃの排気速度に
保持した状態で真空チャンバー１２０へガス導入管１０
９を通して０，３ｓｅｃ間流した。続いてバルブ１０１
ｄを閉じ、ＳｉＨ４ガスの供給を止め、排気バルブ１１
９を開き真空度０．０ＩＴｏｒｒになるよう調整した状
態で２ｓｅｃ間保持した。
ボンへ１０７に充填されているＦ２ガス（Ｈｅで１０％
に希釈）を４ｅａｃｍをガス導入管１１１より真空チャ
ンバー１２０内に導入した。
この時の排気速度は排気バルブ１１９を調整して０．８
ｍＴｏｒｒ／ｓｅｃであり、この状態を５ｓｅｃ保持し
た後、バルブ１０７ａを閉じＦ２ガスの供給を止め、排
気バルブ１１９を問いて真空度ｏ、００４Ｔｏｒｒにな
るよう調整した状態で３ｓｅｃ保持した。
以上の操作を４２００回繰り返し、約４６００人の厚さ
の結晶シリコン堆積膜５０５が得られた。
基体１１８上に得られた結晶シリコン堆積膜５０５の断
面の模式図を第２図（Ｆ）に示す。
結晶粒界５０５は、酸化シリコン層の除かれた、結晶基
板５０１の露出部５０１Ａから等距離になるように結晶
粒のサイズが決定されていた。
さらに、得られた各試料を用いてＸ線回折法及び電子線
回折法により堆積膜の結晶性の評価を行ったところ、多
結晶質シリコン膜であることか確認された。さらにシュ
ラ−（Ｓｃｈｅｒｒａｒ）法で求めた多結晶シリコンの
粒径は約５±０．２μｍであった。結晶粒径のバラツキ
は基体全面にわたってほとんど無かった。
又、走査型電子顕微鏡により試料の表面状態を観察した
ところ、平滑度は良好で波模様等が無く、膜厚ムラは±
４％以下であった。また作成された資料の結晶Ｓｉ堆積
膜の移動度、導電率をＶａｎ　　ｄｅｒ　　Ｐａｕｗｉ
去により１ｔｌｌ１足した処、それぞれ３００（ｃｍ／
Ｖ・５ｅａ）、９ｘ１０−’（Ｓ−ｃｍ−’）であった
。
実施例６ 基体１１８を第６図に示される工程で作成した。
まず、第６図（Ａ）に示される様な均一な材料からなる
ガラス基板６０１を洗浄し、続いて熱ＣＶＤ法によって
、基＠６０１全面にアモルファスＳ　ｉＮ　（Ａ−３ｉ
Ｎ）薄膜６０２を約２μｍの厚さで成膜させた［同図（
Ｂ）］。
続いて上記Ａ−３ｉＮ薄膜６０２上に、レーザーアニー
ル装置に依ってＮ２雰囲気中で上記Ａ　　５ｉＮｉ膜６
０２の表面アニールを行い、Ａ　　Ｓ　ＩＮ薄膜６０２
の表面層（〜１μｍの深さ）に結晶ＴτＳ　ｉ３　Ｈ４
（Ｃ−Ｓ　ｉ３　Ｈ４）６０３を形成した［同図（Ｃ）
］。
この時レしザーは、Ａｒ−ＣＷレーザー４８８Ｏ人、ス
キャン速度２．５ｃｍ／ｓｅｃ、エネルギー１０Ｗで照
射した。続いて、このＣ−５ｉ３Ｈ４層６０３の表面を
０２雰囲気中で上記レーザーアニール装置によって走査
し、選択的に５ｉ０２層６０４を形成シタ［同図（Ｄ）
コ。
以上の工程によって、Ｃ−３ｉ３Ｈ４層が定間隔で露出
した部分６０３Ａを有し、他の部分が５ｉ０２層６０４
で覆われた基体１１８が形成された。基体１１８の表面
で露出したＣ−３ｉ。
Ｎ４層６０３Ａの領域は直径約４人、３μｍの間隔であ
った。
さらに、この基体１１８を用いて実施例５と同様に第１
図に示される装着によって結晶質シリコンの堆積を行っ
た。
まず、不図示の排気装習によって真空チャンバー１２０
を充分ベーキングして５：＜１Ｏ−９Ｔｏｒｒまで引い
た。ボンへ１０１に充填されているＳ　ｉ　Ｈ４ガスを
、流量５ｓｅｃｍを排気バルブ１１９を調整することに
よつ０．１ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ　／　ｓ　ｅ　ｃの排気計
度に保持した状態で真空チャンバー１２０へガス導入管
１０９を通して０．３ｓｅｃ間流した。続いてバルブ１
０１ｄを閉じ、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスの供給を止め、排気バ
ルブ１１９を開き、真空度０．ＩＴｏｒｒになるよう調
整した状態で２ｓｅｃ間保持した。
ボンベ１０７に充填されているＦ２ガス（Ｈｅで１０％
に希釈）を６ｓｅｃｍをガス導入管１１１より真空チャ
ンバー１２０内に導入した。
この時の排気速度は排気バルブ１１９を調整して０．８
ｍＴｏｒｒ／ｓｅｃであり、この状態を５ｓｅｃ保持し
た後バルブ１０７ａを閉じ、Ｆ２ガスの供給を止め、排
気バルブ１１９を開いて真空度０．０ＩＴｏｒｒになる
よう調整した状態で４ｓｅｃ保持した。
以上の操作を４５００回繰り返し、約５０００人の厚さ
の結晶シリコン堆積膜６０５が得られた。
この基体１１８上に得られた結晶シリコン堆積＠５０５
の断面の模式図を第２図（Ｆ）に示す。
結晶粒界６０６は５ｉ０２層６０４以外の、結晶基板６
０１の露出部６０３Ａから等距離になるように結晶粒の
サイズが決定されていた。
さらに、得られた各試料を用いて、Ｘ線回折法及び電子
線回折法により堆積膜の結晶性の評価を行ったところ、
多結晶質シリコン膜である事が確認された。さらにシュ
ラ−（Ｓｃｈｅｒｒａｒ）法で求めた多結晶シリコンの
粒径は約３±０．５μｍであった。結晶粒径のバラツキ
は基体全面にわたってほとんどなかった。
又、走査型電子顕微鏡により試料の表面状態を観察した
ところ、平滑度は良好で波模様等が無く、膜厚ムラは±
４％以下であった。また得られた試料の多結晶Ｓｉ堆積
膜の移動度をＶａｎ　　ｄｅｒ　　Ｐａｕｗ法により測
定した処、１５０　　（ｃｍ／Ｖ−ｓｅｃ）、４ｘｌＯ
−６（Ｓ・ｃｍ−’）であった。
（発明の効果〕 本発明の堆積膜形成法は、気体状原料物質と基体状ハロ
ゲン系酸化剤とを接触せしめるのみで堆積膜を生成する
ことができ、外部からの反応励起エネルギーを特に必要
としないという利点を有しており、そのため基体温度の
低温化を図ることも可能となるものである。又あらかじ
め堆積膜の結晶核となる材料乃至は結晶核が選択的に形
成し得る材料を基板表面上所望の位置に配置できる為、
任意の結晶質の堆積膜が形成できる。更に省エネルギー
化を図ると同時に膜品質の管理が容易で、大面積に亘っ
て均一な膜質及び特性を有する結晶質の堆積膜を得るこ
とができる。また更に、生産性、量産性に優れ、高品質
で電気的。
光学的、半導体的等の物理特性の優れた結晶質の膜を簡
単に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に用いた成膜装置の模式的概略
図である。 第２図乃至第６図は夫々本発明に係る基体作成工程図で
ある。図において、 １０１〜ｉ　０８−−−−−−−−−ガスボンへ１０１
ａ〜１０８　ａ−−−−−ガスの導入管１０１ｂ〜１０
８　ｂ−−−−−マスフロメーター１０１ｃ〜１０８　
ｃ−−−−−ガス圧力計１０１ｄ　〜１０８ｄ及び１０
１ｅ　〜１０８ｅ−−−−−バルブ １０１ｆ〜１０８　ｆ−−−−一圧力計１０９．１１０
，１１１，１２３〜１２５−−−−−ガス導入管 １１２−−−−−−−−−−−一−−−−−基体ホルダ
ー１１３−−−−−−−−−−−−−−−−一基板加熱
用ヒーター１１６−−−−−−−−−−−−−−−−−
基板温度モニター用熱電対、 １１７−−−−−−−−−−−−−−−−一温度表示装
置１１８−−−−−−−−一−−−−−−−−基体１１
９−−一−−−−−−−−−−−−−−真空排気バルブ
１２０−−−−−−−−−−−−−−−−一真空チャン
バー１２１−−−−−−−−−−−−−−−−一基体ホ
ルダー支持部材

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）堆積膜形成用の気体状原料物質（ I ）と該原料
    物質（ I ）に酸化作用をする性質を有する気体状ハロ
    ゲン系酸化剤（II）のいずれか一方である原料物質（Ａ
    ）を、堆積膜を形成する為の結晶核となる材料又は該結
    晶核が選択的に形成され得る材料を表面上に離散的に有
    する基体が予め配されている成膜空間内に導入して前記
    基体表面に吸着させて吸着層（ I ）を形成する工程（
    Ａ）、他方である原料物質（Ｂ）を前記成膜空間内に導
    入して前記吸着層（ I ）での表面反応を起させて結晶
    質の堆積膜（ I ）を形成する工程（Ｂ）とを少なくと
    も一回行うことを含む事を特徴とする堆積膜形成法。
  2. （２）前記吸着層（ I ）は、前記気体状ハロゲン系酸
    化剤（II）を前記基体表面に吸着させて形成される特許
    請求の範囲第（１）項に記載の堆積膜形成法。
  3. （３）前記吸着層（ I ）は、前記気体状原料物質（ I
    ）を前記基体表面に吸着させて形成される特許請求の
    範囲第（１）項に記載の堆積膜形成法。
  4. （４）前記堆積膜を形成する工程（Ｂ）の後に、該工程
    （Ｂ）で形成された堆積膜（ I ）上に前記原料物質（
    Ａ）を供給して吸着させて吸着層（II）を形成し、次い
    で該吸着層（II）上に前記原料物質（Ｂ）を供給して表
    面反応を起させて堆積膜（II）を形成する工程を少なく
    とも一回行う特許請求の範囲第（１）項に記載の堆積膜
    形成法。
  5. （５）前記気体状原料物質（ I ）が、鎖状シラン化合
    物である特許請求の範囲第（１）項に記載された堆積膜
    形成法。
  6. （６）前記鎖状シラン化合物が、直鎖状シラン化合物で
    ある特許請求の範囲第（５）項に記載された堆積膜形成
    法。
  7. （７）前記直鎖状シラン化合物が、一般式Ｓｉ＿ｎＨ＿
    ２＿ｎ＿＋＿２（ｎは１〜８の整数）で示される特許請
    求の範囲第（６）項に記載された堆積膜形成法。
  8. （８）前記鎖状シラン化合物が、分岐状鎖状シラン化合
    物である特許請求の範囲第（５）項に記載された堆積膜
    形成法。
  9. （９）前記気体状原料物質（ I ）が、硅素の環状構造
    を有するシラン化合物である特許請求の範囲第（１）項
    に記載された堆積膜形成法。
  10. （１０）前記気体状ハロゲン系酸化剤（II）が、ハロゲ
    ンガスを含む特許請求の範囲第（１）項に記載された堆
    積膜形成法。
  11. （１１）前記気体状ハロゲン系酸化剤が、弗素ガスを含
    む特許請求の範囲第（１）項に記載された堆積膜形成法
    。
  12. （１２）前記気体状ハロゲン系酸化剤（II）が、塩素ガ
    スを含む特許請求の範囲第（１）項に記載された堆積膜
    形成法。
  13. （１３）前記気体状ハロゲン系酸化剤（II）が、弗素原
    子を構成成分として含むガスである特許請求の範囲第（
    １）項に記載された堆積膜形成法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0365464A (ja) * 1989-08-01 1991-03-20 Nippondenso Co Ltd アンチスキッド制御装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950013784B1 (ko) 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
US5849601A (en) * 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US7081938B1 (en) 1993-12-03 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US6027960A (en) 1995-10-25 2000-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser annealing method and laser annealing device
US6368733B1 (en) * 1998-08-06 2002-04-09 Showa Denko K.K. ELO semiconductor substrate
JP3542014B2 (ja) * 1998-09-21 2004-07-14 セントラル硝子株式会社 単結晶または多結晶含有非晶質材料の作製方法及びその非晶質材料
JP3007971B1 (ja) * 1999-03-01 2000-02-14 東京大学長 単結晶薄膜の形成方法
US7132309B2 (en) 2003-04-22 2006-11-07 Chien-Min Sung Semiconductor-on-diamond devices and methods of forming
US6814130B2 (en) * 2000-10-13 2004-11-09 Chien-Min Sung Methods of making diamond tools using reverse casting of chemical vapor deposition
KR100385947B1 (ko) * 2000-12-06 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법
US7087504B2 (en) * 2001-05-18 2006-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by irradiating with a laser beam
EP2140945B1 (en) * 2003-04-15 2012-08-15 Nippon Soda Co., Ltd. Method for producing organic thin film
FR2864109B1 (fr) * 2003-12-23 2006-07-21 Commissariat Energie Atomique Croissance organisee de nano-structures
US7329319B2 (en) * 2004-11-10 2008-02-12 Illinois Institute Of Technology Method for producing crystals and screening crystallization conditions
US7619347B1 (en) 2005-05-24 2009-11-17 Rf Micro Devices, Inc. Layer acoustic wave device and method of making the same
US7408286B1 (en) * 2007-01-17 2008-08-05 Rf Micro Devices, Inc. Piezoelectric substrate for a saw device
US8490260B1 (en) * 2007-01-17 2013-07-23 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing SAW device substrates
US7846767B1 (en) 2007-09-06 2010-12-07 Chien-Min Sung Semiconductor-on-diamond devices and associated methods
FR2925220B1 (fr) * 2007-12-14 2010-01-08 Univ Paris Sud Procede d'hetero epitaxie localisee sur dielectrique, en particulier de germanium sur silicium oxyde, et procede et systeme de realisation d'une base de fabrication de circuit integre homogene ou heterogene
US7989325B2 (en) * 2009-01-13 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6092475A (ja) * 1983-10-25 1985-05-24 Anelva Corp 光化学的薄膜製造方法および装置

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3346414A (en) * 1964-01-28 1967-10-10 Bell Telephone Labor Inc Vapor-liquid-solid crystal growth technique
US3493431A (en) * 1966-11-25 1970-02-03 Bell Telephone Labor Inc Vapor-liquid-solid crystal growth technique
US3620833A (en) * 1966-12-23 1971-11-16 Texas Instruments Inc Integrated circuit fabrication
US3580732A (en) * 1968-01-15 1971-05-25 Ibm Method of growing single crystals
UST954009I4 (en) * 1973-03-24 1977-01-04 International Business Machines Corporation Method for the thermal oxidation of silicon with added chlorine
US3892608A (en) * 1974-02-28 1975-07-01 Motorola Inc Method for filling grooves and moats used on semiconductor devices
US4007294A (en) * 1974-06-06 1977-02-08 Rca Corporation Method of treating a layer of silicon dioxide
JPS5373072A (en) * 1976-12-13 1978-06-29 Sony Corp Formation of oxidized film
JPS5550636A (en) * 1978-10-09 1980-04-12 Hitachi Ltd Preparation of semiconductor device
JPS5571695A (en) * 1978-11-22 1980-05-29 Hitachi Ltd Production of epitaxial-grown wafer
US4402771A (en) * 1979-03-02 1983-09-06 Westinghouse Electric Corp. Substrate for silicon solar cells
US4239788A (en) * 1979-06-15 1980-12-16 Martin Marietta Corporation Method for the production of semiconductor devices using electron beam delineation
JPS5624925A (en) * 1979-08-08 1981-03-10 Hitachi Ltd Selective growth of silicon
NL8220051A (nl) * 1981-02-04 1983-01-03 Western Electric Co Werkwijze voor het vormen van een monokristallijn halfgeleidergebied op een isolatiefilm.
US4371421A (en) * 1981-04-16 1983-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Lateral epitaxial growth by seeded solidification
JPS6046074B2 (ja) * 1981-06-30 1985-10-14 日本電信電話株式会社 半導体結晶成長方法
JPS5856322A (ja) * 1981-09-29 1983-04-04 Nec Corp 半導体基板の製造方法
JPS5856321A (ja) * 1981-09-29 1983-04-04 Nec Corp 半導体基板の製造方法
US4637127A (en) * 1981-07-07 1987-01-20 Nippon Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US4490208A (en) * 1981-07-08 1984-12-25 Agency Of Industrial Science And Technology Method of producing thin films of silicon
JPS58116739A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 膜多結晶体の粒子サイズの制御方法
JPS6050757B2 (ja) * 1982-01-12 1985-11-09 松下電器産業株式会社 単結晶膜の製造方法
US4462847A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Fabrication of dielectrically isolated microelectronic semiconductor circuits utilizing selective growth by low pressure vapor deposition
US4473598A (en) * 1982-06-30 1984-09-25 International Business Machines Corporation Method of filling trenches with silicon and structures
JPS5969495A (ja) * 1982-10-13 1984-04-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> シリコン単結晶膜の形成方法
JPS59169918A (ja) * 1983-03-14 1984-09-26 Showa Denko Kk ダイヤモンド合成法
US4522662A (en) * 1983-08-12 1985-06-11 Hewlett-Packard Company CVD lateral epitaxial growth of silicon over insulators
JPS6086096A (ja) * 1983-10-18 1985-05-15 Natl Inst For Res In Inorg Mater 膜状ダイヤモンドの析出法
JPS612317A (ja) * 1984-06-15 1986-01-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0766909B2 (ja) * 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 元素半導体単結晶薄膜の成長法
US4657603A (en) * 1984-10-10 1987-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Method for the manufacture of gallium arsenide thin film solar cells
US4592792A (en) * 1985-01-23 1986-06-03 Rca Corporation Method for forming uniformly thick selective epitaxial silicon
JPS61190923A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61190926A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPS61190925A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Canon Inc 堆積膜形成法
JPH0633846B2 (ja) * 1985-09-11 1994-05-02 株式会社日本ピスコ 流体器具取付金具
CA1315614C (en) * 1985-10-23 1993-04-06 Shunichi Ishihara Method for forming deposited film
JPH0645886B2 (ja) * 1985-12-16 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0647730B2 (ja) * 1985-12-25 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
US4801474A (en) * 1986-01-14 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming thin film multi-layer structure member
US4671970A (en) * 1986-02-05 1987-06-09 Ncr Corporation Trench filling and planarization process
US4800173A (en) * 1986-02-20 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing Si or Ge epitaxial film using fluorine oxidant

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6092475A (ja) * 1983-10-25 1985-05-24 Anelva Corp 光化学的薄膜製造方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0365464A (ja) * 1989-08-01 1991-03-20 Nippondenso Co Ltd アンチスキッド制御装置

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