JPS61190925A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS61190925A JPS61190925A JP3105085A JP3105085A JPS61190925A JP S61190925 A JPS61190925 A JP S61190925A JP 3105085 A JP3105085 A JP 3105085A JP 3105085 A JP3105085 A JP 3105085A JP S61190925 A JPS61190925 A JP S61190925A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はゲルマニウムを含有する堆積膜、とりわけ機能
性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス
、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用
いるアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の
ゲルマニウム含有堆積膜を形成するのに好適な方法に関
する。
性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス
、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用
いるアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の
ゲルマニウム含有堆積膜を形成するのに好適な方法に関
する。
例えば、アモルファスゲルマニウム膜の形成には、真空
蒸着法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが
試みられており。
蒸着法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが
試みられており。
一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ、企業化
されている。
されている。
面乍らアモルファスゲルマニウムで構成される堆積膜は
電気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性ある
いは使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産
性、量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図
る余地がある。
電気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性ある
いは使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産
性、量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図
る余地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスゲルマニウム堆積膜の形成に於ての反応プロセ
スは、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、そ
の反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積
膜の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導
入カスの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構
造、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など
）これら多くのパラメータの組合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、
装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
のが実状であった。一方、アモルファスゲルマニウム膜
として電気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性の夫
々を十分に満足させ得るも゛のを発現させるためには、
現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが醸良
とされている。
ルファスゲルマニウム堆積膜の形成に於ての反応プロセ
スは、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、そ
の反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積
膜の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導
入カスの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構
造、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など
）これら多くのパラメータの組合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、
装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
のが実状であった。一方、アモルファスゲルマニウム膜
として電気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性の夫
々を十分に満足させ得るも゛のを発現させるためには、
現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが醸良
とされている。
面乍ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスゲルマニウム堆積
膜の形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要
となり、またその量産の為の管理項目も複雑になって、
管理許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることか
ら、これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘
されている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術で
は、高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が
得られていなかった。
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスゲルマニウム堆積
膜の形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要
となり、またその量産の為の管理項目も複雑になって、
管理許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることか
ら、これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘
されている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術で
は、高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が
得られていなかった。
上述の如く、アモルファスゲルマニウム膜の形成に於て
、その実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コ
ストな装置で量産化できる形成方法を開発することが切
望されている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば
窒化ゲルマニウム膜、炭化ゲルマニウム膜、酸化ゲルマ
ニウム膜に於ても同様なことがいえる。
、その実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コ
ストな装置で量産化できる形成方法を開発することが切
望されている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば
窒化ゲルマニウム膜、炭化ゲルマニウム膜、酸化ゲルマ
ニウム膜に於ても同様なことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
本発明の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、 Ｉ＋！
２の大面積化に適し、膜の生産性の向−ヒ及び量産化を
容易に達成することのできる１１ｉ積膜形成法を提供す
ることにある。
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、 Ｉ＋！
２の大面積化に適し、膜の生産性の向−ヒ及び量産化を
容易に達成することのできる１１ｉ積膜形成法を提供す
ることにある。
上記目的は、基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内
に、ゲルマニウムとハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と
化学的相互作用をする、成膜用の化学物質より生成され
る活性種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネ
ルギーを照射して化学反応させる事によって、前記基体
上に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形
成法によって達成される。
に、ゲルマニウムとハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と
化学的相互作用をする、成膜用の化学物質より生成され
る活性種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネ
ルギーを照射して化学反応させる事によって、前記基体
上に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形
成法によって達成される。
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間におい
てプラズマを生起させる代りに、光エネルギーを用い成
膜原料のガスを励起し反応させるためゲルマニウムとハ
ロゲンを含む化合物を分解することにより生成される活
性種（Ａ）と成膜用の化学物質より生成される活性種（
Ｂ）との共存下に於いて、これ等に光エネルギーを作用
させることにより、これ等による化学的相互作用を生起
させ、或いは促進、増幅させるため、形成される堆積膜
は、エツチング作用、或いはその他の例えば異常放電作
用などによる悪影響を受けることはない。
てプラズマを生起させる代りに、光エネルギーを用い成
膜原料のガスを励起し反応させるためゲルマニウムとハ
ロゲンを含む化合物を分解することにより生成される活
性種（Ａ）と成膜用の化学物質より生成される活性種（
Ｂ）との共存下に於いて、これ等に光エネルギーを作用
させることにより、これ等による化学的相互作用を生起
させ、或いは促進、増幅させるため、形成される堆積膜
は、エツチング作用、或いはその他の例えば異常放電作
用などによる悪影響を受けることはない。
又、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
更に、励起エネルギーは成膜用の基体近傍に到達した各
活性種に一様にあるいは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいは所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。
活性種に一様にあるいは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいは所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使う事である。この
ことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸
ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一
層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した
堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供モきる
。
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使う事である。この
ことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸
ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一
層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した
堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供モきる
。
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命がＯ，１秒置Ｌ、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成される堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は活性化空間（Ｂ）に於いて
、活性化エネルギーを作用されて活性化されて成膜空間
に導入され、光エネルギーの作用により励起されて、堆
積膜を形成する際、同時に活性化空間（Ａ）から導入さ
れ、形成される堆積膜の構成成分となる構成要素を含む
活性種（Ａ）と化学的に相互作用する。その結果、所望
の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命がＯ，１秒置Ｌ、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成される堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は活性化空間（Ｂ）に於いて
、活性化エネルギーを作用されて活性化されて成膜空間
に導入され、光エネルギーの作用により励起されて、堆
積膜を形成する際、同時に活性化空間（Ａ）から導入さ
れ、形成される堆積膜の構成成分となる構成要素を含む
活性種（Ａ）と化学的に相互作用する。その結果、所望
の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。
本発明において、活性化空間（Ａ）に導入されるゲルマ
ニウムとハロゲンを含む化合物としては１例えば鎖状又
は環状水素化ゲルマニム化合物の水素原子の一部乃至全
部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的
には１例えば、Ｇｅ２Ｂｒ６（ｕは１以上の整数、Ｙは
Ｆ、ＣＩ 、Ｂｒ及び工より選択される少なくとも一種
の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化ゲルマニウ
ム、ＧｅＹ２ｖ（ｖは３以との整数、Ｙは前述の意味を
有する。）で示されル環状ハロゲン化ケルマニウム、Ｇ
ｅ１１Ｈ）（Ｙｙ（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ
＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は
環状化合物などが挙げられる。
ニウムとハロゲンを含む化合物としては１例えば鎖状又
は環状水素化ゲルマニム化合物の水素原子の一部乃至全
部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的
には１例えば、Ｇｅ２Ｂｒ６（ｕは１以上の整数、Ｙは
Ｆ、ＣＩ 、Ｂｒ及び工より選択される少なくとも一種
の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化ゲルマニウ
ム、ＧｅＹ２ｖ（ｖは３以との整数、Ｙは前述の意味を
有する。）で示されル環状ハロゲン化ケルマニウム、Ｇ
ｅ１１Ｈ）（Ｙｙ（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ
＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は
環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばＧｅＦ４．（ＧｅＦ２）５ 、
（Ｇｅ、Ｆ ２） ｓ 、 （ＧｅＦ２）ａ
、Ｇｅ ２Ｆｓ、Ｇｅ ３ Ｆａ、ＧｅＨＦ３ 、
ＧｅＨ２Ｆ ２ 。
（Ｇｅ、Ｆ ２） ｓ 、 （ＧｅＦ２）ａ
、Ｇｅ ２Ｆｓ、Ｇｅ ３ Ｆａ、ＧｅＨＦ３ 、
ＧｅＨ２Ｆ ２ 。
ＧｅＣｌ４． （ＧｅＣ１２）５．ＧｅＢｒ４ 。
ＧｅＢｒ２）５．Ｇｅ２Ｃ１６，Ｇｅ２Ｂｒ６゜ＧｅＨ
Ｃｌ ３ 、ＧｅＨＢｒ ３ 、ＧｅＨＩ３ 。
Ｃｌ ３ 、ＧｅＨＢｒ ３ 、ＧｅＨＩ３ 。
Ｇｅ２ＣＩ３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し
得るものが挙げられる。
得るものが挙げられる。
又、本発明においては、前記ゲルマニウムとハロゲンを
含む化合物を分解することにより生成する活性種（Ａ）
に加えて、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成する活性種（ＳＸ）及び／又は炭素とハロ
ゲンを含む化合物を分解することにより生成される活性
種（ＣＸ）を併用することができる。このケイ素とハロ
ゲンを含む化合物としては１例えば鎖状又は環状シラン
化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換
した化合物が用いられ、具体的には、例えば、Ｓ ｉ
ｕＹ２ｕ＋２（Ｕは１以上の整数、ＹはＦ、ＣＩ、Ｂｒ
及び工より選択される少なくとも一種の元素である。）
で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖＹ２ｖ（ｖは
３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示される
環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ ｕＨｘＹｙ （ｕ及び
Ｙは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２で
ある。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられ
る。
含む化合物を分解することにより生成する活性種（Ａ）
に加えて、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成する活性種（ＳＸ）及び／又は炭素とハロ
ゲンを含む化合物を分解することにより生成される活性
種（ＣＸ）を併用することができる。このケイ素とハロ
ゲンを含む化合物としては１例えば鎖状又は環状シラン
化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換
した化合物が用いられ、具体的には、例えば、Ｓ ｉ
ｕＹ２ｕ＋２（Ｕは１以上の整数、ＹはＦ、ＣＩ、Ｂｒ
及び工より選択される少なくとも一種の元素である。）
で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖＹ２ｖ（ｖは
３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示される
環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ ｕＨｘＹｙ （ｕ及び
Ｙは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２で
ある。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられ
る。
具体的には例えばＳｉＦ４．（ＳｉＦ２）５ 。
（ＳｉＦ２） ６．Ｃ３ｓＦ２）ａ、５ｔ２Ｆ６゜５ｉ
３ＦＢ、ＳｉＨＦ３．ＳｉＨ２Ｆ２゜５ｉＣ１４，（Ｓ
ｉＣ１２）５，５ｉＢｒａ。
３ＦＢ、ＳｉＨＦ３．ＳｉＨ２Ｆ２゜５ｉＣ１４，（Ｓ
ｉＣ１２）５，５ｉＢｒａ。
（ＳｉＢｒ２）５，５ｉ２Ｃ１６，５ｉ２Ｂｒ６，５ｉ
ＨＣ１３，５ｉＨＢｒ３．５ｉＨＩ３，５ｉ２Ｃ１３Ｆ
３などのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げ
られる。
ＨＣ１３，５ｉＨＢｒ３．５ｉＨＩ３，５ｉ２Ｃ１３Ｆ
３などのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げ
られる。
又、炭素とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状
又は環状炭化水素化合物の水素原子の一部乃至全部をハ
ロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的には、
例えば、ｃｕｙ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、
ＣＩ。
又は環状炭化水素化合物の水素原子の一部乃至全部をハ
ロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的には、
例えば、ｃｕｙ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、
ＣＩ。
Ｂｒ及びＩより選択される少なくとも一種の元素である
。）で示される鎖状ハロゲン化炭素、ＣＶＹ２Ｖ（Ｖは
３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示される
環状ハロゲン化ケイ素、ＣｕＨｘＹｙ （ｕ及びＹは前
述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。
。）で示される鎖状ハロゲン化炭素、ＣＶＹ２Ｖ（Ｖは
３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示される
環状ハロゲン化ケイ素、ＣｕＨｘＹｙ （ｕ及びＹは前
述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。
）で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばＣＦａ 、（ＣＦ２）５ 。
（ＣＦ２）６ 、（ＣＦ２）４ 、Ｃ２Ｆ６ 、Ｃ３Ｆ
Ｂ 、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２Ｆ２ 、ＣＣｌ ４．（ＣＣ
１２）５ 、ＣＢｒａ、（ＣＢｒ２）５ 、Ｃ２Ｃ１６
，Ｃ２Ｂｒ６．ＣＨＣｌ３．ＣＨＢｒ３゜ＣＨＩ３．Ｃ
２Ｃｌ３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し得る
ものが挙げられる。これらの炭素化合物は、１種用いて
も２種以上併用ロゲン化合物（例えばＦ２ガス、ｃｆＬ
２ガス。
Ｂ 、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２Ｆ２ 、ＣＣｌ ４．（ＣＣ
１２）５ 、ＣＢｒａ、（ＣＢｒ２）５ 、Ｃ２Ｃ１６
，Ｃ２Ｂｒ６．ＣＨＣｌ３．ＣＨＢｒ３゜ＣＨＩ３．Ｃ
２Ｃｌ３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し得る
ものが挙げられる。これらの炭素化合物は、１種用いて
も２種以上併用ロゲン化合物（例えばＦ２ガス、ｃｆＬ
２ガス。
活性種（Ａ）を生成させるためには、例えば前記ゲルマ
ニウムとハロゲンを含む化合物の活性種を生成させる場
合には、この化合物に加えて、必要に応じてゲルマニウ
ム単体等能のゲルマニウム化合物、水素、ハロゲン化合
物（例え１ｆＦ２ガス、ｃｕ２ガス、ガス化したＢｒ２
゜Ｔ２等〕などを併用することができる。
ニウムとハロゲンを含む化合物の活性種を生成させる場
合には、この化合物に加えて、必要に応じてゲルマニウ
ム単体等能のゲルマニウム化合物、水素、ハロゲン化合
物（例え１ｆＦ２ガス、ｃｕ２ガス、ガス化したＢｒ２
゜Ｔ２等〕などを併用することができる。
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で活性種
（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々
の条件、装置を考慮してマイクロ波、Ｒ，Ｆ、低周波、
ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等に
よる熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネルギ
ーが使用される。
（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々
の条件、装置を考慮してマイクロ波、Ｒ，Ｆ、低周波、
ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等に
よる熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネルギ
ーが使用される。
上述したものに、活性化空間（Ａ）で熱、光、電気など
の活性化エネルギーを加えることにより、活性種（Ａ）
が生成される。
の活性化エネルギーを加えることにより、活性種（Ａ）
が生成される。
本発明の方法で用いられる、活性化空間ＣＢ）に於いて
、活性種（Ｂ）を生成させる前記成膜用の化学物質とし
ては、水素ガス及び／又はハゲすることが可能である。
、活性種（Ｂ）を生成させる前記成膜用の化学物質とし
ては、水素ガス及び／又はハゲすることが可能である。
使用する不純物元素ガス化したＢｒ２ 、Ｉ２等）が有
利に用いられる。また、これらの成膜用の化学物質に加
えて１例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガ
スを用いることもできる。これらの原料ガスの複数を用
いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内にガス
状態で導入することもできるし、あるいはこれらの成膜
用の化学物質をガス状態で夫々独立した供給源から各個
別に供給し、活性化空間（Ｂ）に導入することもできる
し、又、夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個別に
活性化することもできる。
利に用いられる。また、これらの成膜用の化学物質に加
えて１例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガ
スを用いることもできる。これらの原料ガスの複数を用
いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内にガス
状態で導入することもできるし、あるいはこれらの成膜
用の化学物質をガス状態で夫々独立した供給源から各個
別に供給し、活性化空間（Ｂ）に導入することもできる
し、又、夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個別に
活性化することもできる。
本発明に於いて、成膜空間に導入される前記活性種（ｋ
）と前記活性種（ζ）との量の割合は、成膜条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くは１０：１〜にｌＯ（導入量比）が適当であり、より
好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ましい。
）と前記活性種（ζ）との量の割合は、成膜条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くは１０：１〜にｌＯ（導入量比）が適当であり、より
好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ましい。
また本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又
は成膜後に不純物元素でドーピンとしでは、ｐ型不純物
として１周期律表第■族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＴＩ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不
純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ。
は成膜後に不純物元素でドーピンとしでは、ｐ型不純物
として１周期律表第■族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＴＩ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不
純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ。
Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、
特にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適で゛ある。ドーピング
される不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に
応じて適宜決定される。
特にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適で゛ある。ドーピング
される不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に
応じて適宜決定される。
かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい、
この様な化合物としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３．
。
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい、
この様な化合物としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３．
。
ＰＦ５．ＰＣｌ３．ＡＳＨ３，Ａ５Ｆ３．ＡｓＦ５．Ａ
ｓＣｌ３．ＳｂＨ３，ＳｂＦ５．ＳｉＨ３，ＢＦ３．Ｂ
Ｃｌ３．ＢＢｒ３．Ｂ２Ｈｅ。
ｓＣｌ３．ＳｂＨ３，ＳｂＦ５．ＳｉＨ３，ＢＦ３．Ｂ
Ｃｌ３．ＢＢｒ３．Ｂ２Ｈｅ。
Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈｕ、ＢｅＨｌｏ。
Ｂ６Ｈ１２，ＡｌＣｌ３等を挙げることができる。不純
物元素を含む化合物は、１種用いても２種以上併用して
もよい。
物元素を含む化合物は、１種用いても２種以上併用して
もよい。
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｅ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い、不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性化
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ）は
活性種（Ａ）ヌは／及び活性種（Ｂ）と予め混合されて
、又は、独立に成膜空間に導入される。
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｅ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い、不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性化
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ）は
活性種（Ａ）ヌは／及び活性種（Ｂ）と予め混合されて
、又は、独立に成膜空間に導入される。
不純物元素を成分として含む化合物は、ガス状態で直接
成膜空間内に導入しても差支えないし、或いは、予め活
性化空間（Ｂ）乃至は活性化空間（Ｂ）、又は第３の活
性化空間（Ｃ）で活性化して、その後、成膜空間に導入
することが出来る。
成膜空間内に導入しても差支えないし、或いは、予め活
性化空間（Ｂ）乃至は活性化空間（Ｂ）、又は第３の活
性化空間（Ｃ）で活性化して、その後、成膜空間に導入
することが出来る。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用像形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第１図は本発明によって得られる典型的な電子写真用像
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。
第１図に示す光導電部材ｌＯは、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって。
として適用させ得るものであって。
光導電部材用としての支持体１１の上に、必要に応じて
設けられる中間層１２、及び感光層１３で構成される層
構成を有している。
設けられる中間層１２、及び感光層１３で構成される層
構成を有している。
光導電部材１０の製造に当っては、中間層１２又は／及
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物理的に保護する為に設けられる保護層、或いは電
気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層又
は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発明
の方法で作成することも出来る。
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物理的に保護する為に設けられる保護層、或いは電
気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層又
は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発明
の方法で作成することも出来る。
支持体１１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い、導電性支持体としては、例えばＮｉＣｒ、ステン
レス、Ａｌ、−Ｃｒ、Ｍｏ。
良い、導電性支持体としては、例えばＮｉＣｒ、ステン
レス、Ａｌ、−Ｃｒ、Ｍｏ。
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ＋Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。
金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面が導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面が導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ。
ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｖ、ＴＬ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ
（Ｉ ｎ２０３＋５ｎ０２）等の薄膜を設けることによ
って導電処理され、あるいはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＩ 、Ａｇ、
Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ 。
（Ｉ ｎ２０３＋５ｎ０２）等の薄膜を設けることによ
って導電処理され、あるいはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＩ 、Ａｇ、
Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ 。
Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ。
Ｔ［、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体゛の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、
所望によって、その形状が決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１０を電子写真用像形成部材として使用
するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体゛の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、
所望によって、その形状が決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１０を電子写真用像形成部材として使用
するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。
中間層１２には、例えば支持体１１の側から感光層１３
中への°キャ・リアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波
の照射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に
向って移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支
持体１１の側（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）等を構成原子とす
るアモルファスゲルマニウム（以下、ａ−Ｇｅ（Ｓｉ、
Ｈ，Ｘ）Ｊ と記す、）で構成されると共に、電気伝導
性を支配する物質として、例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型
不純物あるいは燐（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されてい
る。
中への°キャ・リアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波
の照射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に
向って移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支
持体１１の側（Ｈ）、ハロゲン（Ｘ）等を構成原子とす
るアモルファスゲルマニウム（以下、ａ−Ｇｅ（Ｓｉ、
Ｈ，Ｘ）Ｊ と記す、）で構成されると共に、電気伝導
性を支配する物質として、例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型
不純物あるいは燐（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されてい
る。
本発明に於て、中間層１２中に含有されるＢ、Ｐ等の伝
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、０．
００１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ ＰＰｍ、より好適
には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとされるの
が望ましい。
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、０．
００１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ ＰＰｍ、より好適
には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとされるの
が望ましい。
中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或いは同じ
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、成膜用の化
学物質より生成される活性［（Ｂ）と必要に応じて不活
性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物のガス等
を活性化することにより生成された活性種（Ｂ）と、を
夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合して支持体１１
の設置しである成膜空間に導入し、各導入された活性種
の共存雰囲気に光エネルギーを作用させることにより、
前記支持体１１上に中間層１２を形成させればよい。
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、成膜用の化
学物質より生成される活性［（Ｂ）と必要に応じて不活
性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物のガス等
を活性化することにより生成された活性種（Ｂ）と、を
夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合して支持体１１
の設置しである成膜空間に導入し、各導入された活性種
の共存雰囲気に光エネルギーを作用させることにより、
前記支持体１１上に中間層１２を形成させればよい。
中間層１２を形成させる際に活性化空間（Ａ）に導入さ
れて活性種（Ａ）を生成するゲルマニウムとハロゲンを
含む化合物は、例えば容易にＧｅＦ２）ｋの如き活性種
（Ａ）を生成する化合物を前記の中の化合物より選択す
るのがより望ましい。
れて活性種（Ａ）を生成するゲルマニウムとハロゲンを
含む化合物は、例えば容易にＧｅＦ２）ｋの如き活性種
（Ａ）を生成する化合物を前記の中の化合物より選択す
るのがより望ましい。
中間層１２の層厚は、好ましくは、３０人〜１０ ＪＬ
、より好適には４０人〜８ル、最適には５０人〜５ルと
されるのが望ましい。
、より好適には４０人〜８ル、最適には５０人〜５ルと
されるのが望ましい。
感光層１３は、例えばシリコン原子を母体とし、必要に
応じて水素、ハロゲン、ゲルマニウム等を構成原子とす
るアモルファスシリコンａ−Ｓ ｔ （Ｈ＋ Ｘ 、Ｇ
ｅ ）又はゲルマニウムを母体とし、必要に応じて水
素、ハロゲン等を構成ａ子とするアモルファスゲルマニ
ウムａ−Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レーザー光の照射
によってフォトキャリアを発生する電荷発生機能と、該
電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。
応じて水素、ハロゲン、ゲルマニウム等を構成原子とす
るアモルファスシリコンａ−Ｓ ｔ （Ｈ＋ Ｘ 、Ｇ
ｅ ）又はゲルマニウムを母体とし、必要に応じて水
素、ハロゲン等を構成ａ子とするアモルファスゲルマニ
ウムａ−Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レーザー光の照射
によってフォトキャリアを発生する電荷発生機能と、該
電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。
感光層１３の層厚としては、好ましくは。
ｌ〜ｔ ｏ ｏ ％、より好適には１〜８０ル、最適に
は２〜５０ｐとされるのが望ましい。
は２〜５０ｐとされるのが望ましい。
感光層１３はノンドープのａ−３ｉ（Ｈ。
Ｘ、Ｇｅ）又はａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）層であるが、所
望により中間層１２に含有される伝導特性を支配する物
質の極性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特性を支配
する物質を含有させてもよいし、あるいは、同極性の伝
導特性を支配する物質を、中間層１２に含有される実際
の量が多い場合には、該量よりも一段と少ない量にして
含有させてもよい。
望により中間層１２に含有される伝導特性を支配する物
質の極性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特性を支配
する物質を含有させてもよいし、あるいは、同極性の伝
導特性を支配する物質を、中間層１２に含有される実際
の量が多い場合には、該量よりも一段と少ない量にして
含有させてもよい。
感光層１３の形成の場合も、本発明の方法によって成さ
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）にゲルマニウムとハロゲンを含む化合物及びこ
れとは別にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、
高温下でこれ等を分解することにより、或いは放電エネ
ルギーや光エネルギーを作用させて励起することで活性
種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入
される。
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）にゲルマニウムとハロゲンを含む化合物及びこ
れとは別にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、
高温下でこれ等を分解することにより、或いは放電エネ
ルギーや光エネルギーを作用させて励起することで活性
種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入
される。
また、これとは別に、成膜原料のガスに必要に応じて、
不活性ガス、不純物元素を成分として含む化合物のガス
等より生成される活性種（Ｂ）とを、支持体１１の設置
しである成膜空間に導入し、光エネルギーを作用させて
、前記支持体１１上に中間層１２を形成させればよい。
不活性ガス、不純物元素を成分として含む化合物のガス
等より生成される活性種（Ｂ）とを、支持体１１の設置
しである成膜空間に導入し、光エネルギーを作用させて
、前記支持体１１上に中間層１２を形成させればよい。
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされたＡ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）堆積膜を利
用したＰＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した
模式図である。
でドーピングされたＡ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）堆積膜を利
用したＰＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した
模式図である。
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４．ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４．ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。
本発明の方法は、これ等の半導体層の何れの層の作成に
於いても適用することで出来るものである。２８は外部
電気回路装置と結合される導線である。
於いても適用することで出来るものである。２８は外部
電気回路装置と結合される導線である。
基体２１としては導電性、半導電性、あるいは電気絶縁
性のものが用いられる。基体２１が導電性である場合に
は、 ｆｉＪｌｌｔ＆２２は省略しても差支えない、半
導電性基体としては、例えば、Ｓｉ＋ Ｇ ｅ ｒ Ｇ
ａ Ａ ５ 、Ｚ ｎ Ｏ＋ Ｚ ｎ Ｓ等の半導体
が挙げられる。薄膜電極２２．２７としては例えば、Ｎ
ｆＣｒ、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ。
性のものが用いられる。基体２１が導電性である場合に
は、 ｆｉＪｌｌｔ＆２２は省略しても差支えない、半
導電性基体としては、例えば、Ｓｉ＋ Ｇ ｅ ｒ Ｇ
ａ Ａ ５ 、Ｚ ｎ Ｏ＋ Ｚ ｎ Ｓ等の半導体
が挙げられる。薄膜電極２２．２７としては例えば、Ｎ
ｆＣｒ、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ。
Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ 。
Ｐｄ 、Ｉ ｎ２０３．５ｎ０２ 、ＩＴＯ（Ｉ ｎ２
０３ ＋ Ｓ ｎ Ｏ２）等の薄膜を、真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体２１上に設
けることによって得られる。電極２２．２７の膜厚とし
ては、好ましくは３０〜’５Ｘ１０４人、より好ましく
は１００〜５×１０３人とされるのが望ましい。
０３ ＋ Ｓ ｎ Ｏ２）等の薄膜を、真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体２１上に設
けることによって得られる。電極２２．２７の膜厚とし
ては、好ましくは３０〜’５Ｘ１０４人、より好ましく
は１００〜５×１０３人とされるのが望ましい。
ａ−３ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ）ｃ７）半導体層２３を構成す
る膜体を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには、層形成
の際に、不純物元素のうちｎ型不純物又はｐ型不純物、
あるいは両不純物を形成される層中にその量を制御し乍
らドーピングしてやる事によって形成される。
る膜体を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには、層形成
の際に、不純物元素のうちｎ型不純物又はｐ型不純物、
あるいは両不純物を形成される層中にその量を制御し乍
らドーピングしてやる事によって形成される。
ｎ型、ｉ型及びｐ型（７）＆−３ｉＧｅ（Ｈ。
Ｘ）層を形成するには１本発明方法により活性化空間（
Ａ）にゲルマニウムとハロゲンヲ含ム化合物及びこれと
は別にケイ素とハロゲンを７含む化合物が導入され、活
性化エネルギーの作用下でこれ等を励起し、分解するこ
とで、例えばＧｅＦ２＊、ＳｉＦ２＊等の活性種（Ａ）
が生成され、成膜空間に導入される。また、これとは別
に、活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と
、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として
含む化合物のガス等を、夫々活性化エネルギーによって
励起し、分解して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々
に又は適宜に混合して支持体１１の設置しである成膜空
間に導入する。成膜空間に導入された活性種は光エネル
ギーを用いることにより、化学的相互作用を生起され、
又は促進あるいは増幅されて、支持体ｌｌ上に堆積膜が
形成される。ｎ型及びｐ型のａ−Ｓ ｆＧｅ （Ｈ，Ｘ
）暦の層厚としては、好ましくは１００〜１０４大、よ
り好ましくは３００〜２０００人の範囲が望ましい。
Ａ）にゲルマニウムとハロゲンヲ含ム化合物及びこれと
は別にケイ素とハロゲンを７含む化合物が導入され、活
性化エネルギーの作用下でこれ等を励起し、分解するこ
とで、例えばＧｅＦ２＊、ＳｉＦ２＊等の活性種（Ａ）
が生成され、成膜空間に導入される。また、これとは別
に、活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と
、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として
含む化合物のガス等を、夫々活性化エネルギーによって
励起し、分解して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々
に又は適宜に混合して支持体１１の設置しである成膜空
間に導入する。成膜空間に導入された活性種は光エネル
ギーを用いることにより、化学的相互作用を生起され、
又は促進あるいは増幅されて、支持体ｌｌ上に堆積膜が
形成される。ｎ型及びｐ型のａ−Ｓ ｆＧｅ （Ｈ，Ｘ
）暦の層厚としては、好ましくは１００〜１０４大、よ
り好ましくは３００〜２０００人の範囲が望ましい。
また、ｉ型ｃ７）ａ−Ｓ ｉＧｅ （Ｈ、Ｘ）層の層厚
としては、好ましくは５００〜１０４人、より好ましく
は１０００−１０００人の範囲が望ましい。
としては、好ましくは５００〜１０４人、より好ましく
は１０００−１０００人の範囲が望ましい。
尚、第２図に示すＰＩＮ型ダイオードデバイスは、ｐ型
、１型及びｎ型の全ての暦を未発明方法で作製する必要
は必ずしもなく、ｐ型、ｉ型及びｎ型のうちの少なくと
も１層を本発明方法で作製することにより、本発明を実
施することができる。
、１型及びｎ型の全ての暦を未発明方法で作製する必要
は必ずしもなく、ｐ型、ｉ型及びｎ型のうちの少なくと
も１層を本発明方法で作製することにより、本発明を実
施することができる。
以下に、本発明の具体的実施例を示す。
実施例１
第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によってｉ
型、ｐ型およびｎ型のａ−Ｇｅ（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）堆積膜
を形成した。
型、ｐ型およびｎ型のａ−Ｇｅ（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）堆積膜
を形成した。
第３図において、１０１は成膜空間としての堆積室であ
り、内部の基体支持台１０２上に所望の基体１０３が載
置される。
り、内部の基体支持台１０２上に所望の基体１０３が載
置される。
１０４は基体加熱用のヒーターであり、該ヒーター１０
４は、成膜処理前に基体１０４をすする際に使用され、
導Ｍ１０５を介して給電され、発熱する。成膜中は、該
ヒーター１０４は駆動されない。
４は、成膜処理前に基体１０４をすする際に使用され、
導Ｍ１０５を介して給電され、発熱する。成膜中は、該
ヒーター１０４は駆動されない。
１０６乃至１０’９は、ガス供給−系であり、成膜用の
ガス、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物
元素を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられ
る。これ等のガスが標準状態に於いて液状のものを使用
する場合には、適宜の気化装置を具備させる。
ガス、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物
元素を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられ
る。これ等のガスが標準状態に於いて液状のものを使用
する場合には、適宜の気化装置を具備させる。
図中ガス供給系１０６乃至１０９の符合にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには、活性種（Ｂ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装置１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）１２３内に於いて活性化され、生じた活性種Ｃ
Ｂ）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入され
る。１１１はガス圧力計である。
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには、活性種（Ｂ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装置１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）１２３内に於いて活性化され、生じた活性種Ｃ
Ｂ）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入され
る。１１１はガス圧力計である。
図中１１２は活性化室（Ａ）、１１３は電気炉、１１４
は固体Ｇｅ粒８１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体
状態のゲルマニウムとハロゲンを含む化合物の導入管で
あり、活性化室（Ａ）１１２で生成された活性種（Ａ）
は導入管１１６を介して成膜室Ｌｏｔ内に導入される。
は固体Ｇｅ粒８１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体
状態のゲルマニウムとハロゲンを含む化合物の導入管で
あり、活性化室（Ａ）１１２で生成された活性種（Ａ）
は導入管１１６を介して成膜室Ｌｏｔ内に導入される。
また、Ｇｅの他にＳｔ等を構成原子とする膜体を形成す
る場合には、１１２と同様の図示しない活性化室（Ｃ）
を別に設けてケイ素とハロゲンを含む化合物と例えば固
体Ｓｉ粒等から活性種（ＳＸ）を生成させ、成膜室１０
１内に導入することができる。
る場合には、１１２と同様の図示しない活性化室（Ｃ）
を別に設けてケイ素とハロゲンを含む化合物と例えば固
体Ｓｉ粒等から活性種（ＳＸ）を生成させ、成膜室１０
１内に導入することができる。
１１７は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラ
ンプ、キセノンランプ、炭醜ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
ンプ、キセノンランプ、炭醜ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
光エネルギー発生装置１１７から適宜の光学系を用いて
基体１０３全体あるいは基体１０３の所望部分に向けら
れた光１１８は、矢印１１９の向きに流れている活性種
に照射され、照射された活性種は相互的に化学反応する
事によって基体１０３の全体あるいは所望部分にＡ−Ｇ
ｅ （Ｓｉ 、Ｈ，Ｘ）の堆積膜を形成する。また、図
中、１２０は排気バルブ、１２１は排気管である。
基体１０３全体あるいは基体１０３の所望部分に向けら
れた光１１８は、矢印１１９の向きに流れている活性種
に照射され、照射された活性種は相互的に化学反応する
事によって基体１０３の全体あるいは所望部分にＡ−Ｇ
ｅ （Ｓｉ 、Ｈ，Ｘ）の堆積膜を形成する。また、図
中、１２０は排気バルブ、１２１は排気管である。
先スポリエチレンテレフタレートフイルム製の基体１０
３を支持台１０２上に載置し。
３を支持台１０２上に載置し。
排気装置（不図示）を用いて成膜室１０１内を排気し、
約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧した。ガス供給用ボ７べ１０
６よりＨ２ガス１５０ＳＣＣＭ、あるいはこれとＰＨ３
ガスまたはＢ２Ｈ８ガス（何れもｌｏｏｏｐｐｍ水素ガ
ス希釈）４０５ＣＣＭとを混合したガスをガス導入管１
１０を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入した。活性化
室ＣＢ）１２３内に導入されたＨ２ガス等はマイクロ波
プラズマ発生装置１２２により活性化されて活性化水素
等とされ、導入管１２４を通じて、活性化水素等を成膜
室１０１に導入した。
約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧した。ガス供給用ボ７べ１０
６よりＨ２ガス１５０ＳＣＣＭ、あるいはこれとＰＨ３
ガスまたはＢ２Ｈ８ガス（何れもｌｏｏｏｐｐｍ水素ガ
ス希釈）４０５ＣＣＭとを混合したガスをガス導入管１
１０を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入した。活性化
室ＣＢ）１２３内に導入されたＨ２ガス等はマイクロ波
プラズマ発生装置１２２により活性化されて活性化水素
等とされ、導入管１２４を通じて、活性化水素等を成膜
室１０１に導入した。
また他方、活性化室（Ａ）１０２に固体Ｇｅ粒１１４を
詰めて、電気炉１１３により加熱し、Ｇｅを溶融し、そ
こへボンベからＧｅＦ４の導入管１１５によりＧｅＦ４
を吹き込むことにより、ＧｅＦ２＊の活性種（Ａ）を生
成させ、導入管１１６を経て、成膜室１０１へ導入した
。
詰めて、電気炉１１３により加熱し、Ｇｅを溶融し、そ
こへボンベからＧｅＦ４の導入管１１５によりＧｅＦ４
を吹き込むことにより、ＧｅＦ２＊の活性種（Ａ）を生
成させ、導入管１１６を経て、成膜室１０１へ導入した
。
また、これと同様にして、必要に応じてＳｉＦ２＊等の
活性種を成膜室１０１へ導入した。
活性種を成膜室１０１へ導入した。
このようにして、成膜室１０１内の圧力を０・４ Ｔ
ｏ ｒ ｒに保ちつつ１ＫＷＸｅランプから基体１０３
に垂直に照射して、ノンドープのあるいはドーピングさ
れたａ−Ｇｅ（Ｓｉ、Ｈ。
ｏ ｒ ｒに保ちつつ１ＫＷＸｅランプから基体１０３
に垂直に照射して、ノンドープのあるいはドーピングさ
れたａ−Ｇｅ（Ｓｉ、Ｈ。
Ｘ）膜（Ｍ厚７００人）を形成した。成膜速度は２１又
／ ｓ ｅ ｃであった・ 次いで、得られたノンドープのあるいはｐ型（７）＆−
Ｇｅ （Ｓ ｉ 、 Ｈ、Ｘ）膜試料を蒸着槽に入れ、
真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒでクシ型のＡｔギャップ電極（
ギヤツブ長ｚｓｏｇ、巾５ｍｍ）を形成した後、印加電
圧１０Ｖで暗電流を測定し、暗導電率σｄを求めて、各
試料の膜特性を評価した。結果を第１表に示した。
／ ｓ ｅ ｃであった・ 次いで、得られたノンドープのあるいはｐ型（７）＆−
Ｇｅ （Ｓ ｉ 、 Ｈ、Ｘ）膜試料を蒸着槽に入れ、
真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒでクシ型のＡｔギャップ電極（
ギヤツブ長ｚｓｏｇ、巾５ｍｍ）を形成した後、印加電
圧１０Ｖで暗電流を測定し、暗導電率σｄを求めて、各
試料の膜特性を評価した。結果を第１表に示した。
実施例２
ガス供給ボンベ１０６等からのＨ２ガスの代りにＨ２／
Ｆ２混合ガスを用いた以外は、実施例１と同様の方法と
手順に従ってａ−Ｇｅ（３ｉ、Ｈ，Ｘ）膜を形成した。
Ｆ２混合ガスを用いた以外は、実施例１と同様の方法と
手順に従ってａ−Ｇｅ（３ｉ、Ｈ，Ｘ）膜を形成した。
各試料に就いて暗導電率を測定し、結果を第１表に示し
た。
た。
第 １ 表
成膜室２０１にＡＩシリンダー基体２１１を第１表から
１本発明によると電気特性に優れ。
１本発明によると電気特性に優れ。
りａ−Ｇｅ （Ｓ ｉ 、 Ｈ、Ｘ）膜が得られ、また
、ドーピングが十分に行なわれたａ−Ｇｅ（Ｓ ｉ＋
Ｈ＋ Ｘ ）膜が得られることが判かった。
、ドーピングが十分に行なわれたａ−Ｇｅ（Ｓ ｉ＋
Ｈ＋ Ｘ ）膜が得られることが判かった。
実施例３
第４図に示す装置を使い、以下の如き操体によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室（
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体Ｇｅ粒、２０５は
活性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）
導入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と
同様に用いられる加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き
出し管、２１１はＡ１シリンダー等の基体、２１２は排
気バルブを示している。又、２１３乃至２１６は第３図
中１０６乃至１０９と同様の原料ガス供給系であり、２
１７−１はガス導入管である。
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体Ｇｅ粒、２０５は
活性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）
導入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と
同様に用いられる加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き
出し管、２１１はＡ１シリンダー等の基体、２１２は排
気バルブを示している。又、２１３乃至２１６は第３図
中１０６乃至１０９と同様の原料ガス供給系であり、２
１７−１はガス導入管である。
水套となり、道λ曽２１７−２を通１−丁古暉宕え、モ
ーター２０７により回転できる様にする。２１８は光エ
ネルギー発生装置であって、ＡＩシリンダー基体２１１
の成膜面の所望部分に向けて光２１９が照射される。
ーター２０７により回転できる様にする。２１８は光エ
ネルギー発生装置であって、ＡＩシリンダー基体２１１
の成膜面の所望部分に向けて光２１９が照射される。
また、活性化室（Ａ）２０２に固体Ｇｅ粒２０４を詰め
て、電気炉２０３により加熱し、Ｇｅを赤熱状態とし、
そこへ導入管２０６を通じて不図示のボンベよりＧｅＦ
４を吹き込むことにより、活性種（Ａ）としてのＧｅＦ
２＊を生成させ、該ＧｅＦ２）ｋを導入管２０６を経て
、成膜室２０１へ導入した。
て、電気炉２０３により加熱し、Ｇｅを赤熱状態とし、
そこへ導入管２０６を通じて不図示のボンベよりＧｅＦ
４を吹き込むことにより、活性種（Ａ）としてのＧｅＦ
２＊を生成させ、該ＧｅＦ２）ｋを導入管２０６を経て
、成膜室２０１へ導入した。
また、２０２と同様の構造の活性化室（Ｃ）（不図示）
により、固体Ｓｉ粒とＳｉＦ４よりＳ ｉ Ｆ２）ｋの
活性種（ＳＸ）を生成させ成膜室２０１へ導入した。
により、固体Ｓｉ粒とＳｉＦ４よりＳ ｉ Ｆ２）ｋの
活性種（ＳＸ）を生成させ成膜室２０１へ導入した。
導入されたＢ２ガスは活性化室（Ｂ）２２０に於いてマ
イクロ波プラズマ発生装置２２１によりプラズマ化等の
活性化処理を受けて活性化／Ｊ％バー１−ノ１７八日−
五−−１履シ（塙灰工ＰＨ３，８２Ｈ６等の不純物ガス
も活性化室（Ｂ）２２０内に導入されて活性化された０
次いで成膜室２０１内の内圧を１．０Ｔｏｒｒに保ちつ
つ、ＩＫＷＸｅランプ２１８からＡＩクシリンダ−基体
２１１の周面に対し垂直に光照射した。
イクロ波プラズマ発生装置２２１によりプラズマ化等の
活性化処理を受けて活性化／Ｊ％バー１−ノ１７八日−
五−−１履シ（塙灰工ＰＨ３，８２Ｈ６等の不純物ガス
も活性化室（Ｂ）２２０内に導入されて活性化された０
次いで成膜室２０１内の内圧を１．０Ｔｏｒｒに保ちつ
つ、ＩＫＷＸｅランプ２１８からＡＩクシリンダ−基体
２１１の周面に対し垂直に光照射した。
ＡＩシリンダー基体２１１は回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。
ルブ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。
また、中間層１２は、感光層１３に先立ち、導入管２１
７−１よりＢ２／Ｂ２Ｈ６（容量％でＢ２Ｈ６ガスが０
．２％）の混合ガスを導入し、１１４２０００人で成膜
された。
７−１よりＢ２／Ｂ２Ｈ６（容量％でＢ２Ｈ６ガスが０
．２％）の混合ガスを導入し、１１４２０００人で成膜
された。
比較例ｌ
ＧｅＦ４とＳｉＦ４とＢ２及びＢ２Ｈ８の各ガスを使用
して成膜室２０１と同様の構成の成膜室を用意して１３
．５６ＭＨｚの高周波装置を備え、一般的なプラズマＣ
ｖＤ法にヨリ、第１図に示す層構成の電子写真用像形成
部材を形成した。
して成膜室２０１と同様の構成の成膜室を用意して１３
．５６ＭＨｚの高周波装置を備え、一般的なプラズマＣ
ｖＤ法にヨリ、第１図に示す層構成の電子写真用像形成
部材を形成した。
実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
実施例６
第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。
ードを作製した。
まず、１０００人のＩＴＯ膜２２を蒸着したポリエチレ
ンナフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１Ｏ−
６Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様にして生成さ
れた活性種ＧａＦ２木と活性種Ｓ ｉ Ｆ２＊を成膜室
ｌｏｔ内に導入した。又、Ｈ２ガス、ＰＨ３ガス（１０
００ｐｐｍ水素ガス稀釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２
３に導入して、活性化した。
ンナフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１Ｏ−
６Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様にして生成さ
れた活性種ＧａＦ２木と活性種Ｓ ｉ Ｆ２＊を成膜室
ｌｏｔ内に導入した。又、Ｈ２ガス、ＰＨ３ガス（１０
００ｐｐｍ水素ガス稀釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２
３に導入して、活性化した。
次いでこの活性化されたガスを導入管１１６を通じて成
膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の内力をＯ，
ｌ Ｔ ｏ ｒ ｒに保ちながらＩＫＷＸｅランプで光
照射してｐでドーピングされたｎ型Ａ−３ｉ（ｒｅ（−
Ｈ，Ｘ）［２４（膜厚７００人）を形成した。
膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の内力をＯ，
ｌ Ｔ ｏ ｒ ｒに保ちながらＩＫＷＸｅランプで光
照射してｐでドーピングされたｎ型Ａ−３ｉ（ｒｅ（−
Ｈ，Ｘ）［２４（膜厚７００人）を形成した。
次いで、ＰＨ３ガスの導入を停止しＳｉＦ２＊ ／ Ｑ
Ｆ４Ｆ ２ ＊の値を３倍にした以外はｎ型Ａ−ＳｉＧ
ｅ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法でノンドープ（７）
Ａ−Ｓ ｉＧｅ （Ｈ、Ｘ）膜２５（膜厚５０００人）
を形成した。
Ｆ４Ｆ ２ ＊の値を３倍にした以外はｎ型Ａ−ＳｉＧ
ｅ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法でノンドープ（７）
Ａ−Ｓ ｉＧｅ （Ｈ、Ｘ）膜２５（膜厚５０００人）
を形成した。
次いで、Ｈ２ガスとともにＢ２Ｈ６ガス（１０００ｐｐ
ｍ水素ガス稀釈）を使用し、それ以外はｎ型と同じ条件
でＢでドーピングされたＰ型Ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）膜
２６（膜厚７００人）を形成した。さらに、このｐ型膜
上に真空蒸着により膜厚１０００人のＡｔ電極２７を形
成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
ｍ水素ガス稀釈）を使用し、それ以外はｎ型と同じ条件
でＢでドーピングされたＰ型Ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）膜
２６（膜厚７００人）を形成した。さらに、このｐ型膜
上に真空蒸着により膜厚１０００人のＡｔ電極２７を形
成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
かくして得られたダイオード素子（面積１ｃｍ２）のＩ
−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価し
た。結果を第３表に示した。
−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価し
た。結果を第３表に示した。
また、光照射特性においても基体側から光を導入し、光
照射強度ＡＭＩ （約１００ｍＷ／ｃｍ２）で、変換効
率８．０％以上、開放端電圧０、８７ Ｖ 、短絡電流
９．７ ｍ Ａ ／ ｃ ｍ２が得られた。
照射強度ＡＭＩ （約１００ｍＷ／ｃｍ２）で、変換効
率８．０％以上、開放端電圧０、８７ Ｖ 、短絡電流
９．７ ｍ Ａ ／ ｃ ｍ２が得られた。
実施例７
導入管１１０からのＨ２ガスの代りに、Ｈ２／Ｆ２混合
ガス（Ｈ２／Ｆ２＝１５）を用いた以外は、実施例６と
同様にして実施例６で作成したのと同様のＰＩＮ型ダイ
オードを作製した。この試料に就いて整流特性および光
起電力効果を評価し、結果を第３表に示した。
ガス（Ｈ２／Ｆ２＝１５）を用いた以外は、実施例６と
同様にして実施例６で作成したのと同様のＰＩＮ型ダイ
オードを作製した。この試料に就いて整流特性および光
起電力効果を評価し、結果を第３表に示した。
第３表から、本発明によれば、従来に比べて良好な光学
的・電気的特性を有するＡ−３ｔｃｅ （Ｈ，Ｘ）ＰＩ
Ｎ型ダイオードが得られることが判かった。
的・電気的特性を有するＡ−３ｔｃｅ （Ｈ，Ｘ）ＰＩ
Ｎ型ダイオードが得られることが判かった。
本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に励起エネルギーとして光エ
ネルギーを用いるので、耐熱性に乏しい基体上にも成膜
できる。低温処理によって工程の短縮化を図れるといっ
た効果が発揮される。
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に励起エネルギーとして光エ
ネルギーを用いるので、耐熱性に乏しい基体上にも成膜
できる。低温処理によって工程の短縮化を図れるといっ
た効果が発揮される。
第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模成因である。 図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた発明方法を
実施するための装置の構成を説明するための模式図であ
る。 １０−−−一電子写真用像形成部材、 １１−−ｍ−基体、 １２−−−一中間層、 １３−−−一感光層、 ２１−−−一基体。 ２２．２７−−−−薄膜電極。 ２４−−一−ｎ型半導体層、 ２５−−−−ｉ型半導体層。 ２６−−−−ｐ型半導体層、 １０１．２０１−一−−成膜室、 ２１４．２１５，２１６−−−−ガス供給系。 １０３ 、２１１−−−一基体。 １１７．２１８−−−一光エネルギー発生装置。
成部材の構成例を説明するための模成因である。 図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた発明方法を
実施するための装置の構成を説明するための模式図であ
る。 １０−−−一電子写真用像形成部材、 １１−−ｍ−基体、 １２−−−一中間層、 １３−−−一感光層、 ２１−−−一基体。 ２２．２７−−−−薄膜電極。 ２４−−一−ｎ型半導体層、 ２５−−−−ｉ型半導体層。 ２６−−−−ｐ型半導体層、 １０１．２０１−一−−成膜室、 ２１４．２１５，２１６−−−−ガス供給系。 １０３ 、２１１−−−一基体。 １１７．２１８−−−一光エネルギー発生装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内 に、ゲルマニウムとハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と
化学的相互作用をする成膜用の化学物質より生成される
活性種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネル
ギーを照射して化学反応させる事によって、前記基体上
に堆積膜を形成する事を特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105085A JPS61190925A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 堆積膜形成法 |
| US07/061,003 US4726963A (en) | 1985-02-19 | 1987-06-09 | Process for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105085A JPS61190925A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190925A true JPS61190925A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12320654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105085A Pending JPS61190925A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593497A (en) * | 1986-03-31 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a deposited film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140267A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor epitaxial crystal growing device |
| JPS52143980A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
| JPS59207621A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-24 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成方法 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP3105085A patent/JPS61190925A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140267A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor epitaxial crystal growing device |
| JPS52143980A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
| JPS59207621A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-24 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成方法 |
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| US5593497A (en) * | 1986-03-31 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a deposited film |
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