JPS6325982A - 半導体圧力変換装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、圧力を電気信号に変換する圧力変換装置に関
し、特にセンサチップ内に基準圧力室を有する圧力変換
装置に関するものである。

〔従来技術〕

従来の圧力変換装置としては、例えば、第１２図に示す
ごときものがある（例えば、特開昭５８−６３８２６号
に記載）。

第１２図の装置は、絶対圧型の圧力変換装置であり、ピ
ン３及びパイプ１１が設けられたハーメチックシールの
ステム５に第２接着層８を介して台座４が接着され、さ
らにその上に第１接着層７を介して圧力センサチップ１
が接着されている。

また、圧力センサチップ１の表面の入出力パッドとピン
３とは金ワイヤ２で接続されている。

また、キャップ６とステム５とは放電加工やハンダ付は
等で接着されており、真空中でハンダ９を用いて封止孔
１２を封止することにより真空室１０が形成されている
。

上記の構造においては、真空室１０が基準圧として真空
になっており、パイプ１１を通して外部圧力が圧力セン
サチップ１の下部から印加されるようになっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のごとき従来の圧力変換装置、特に絶対圧型の圧力
変換装置においては、基準圧となる真空室を形成する必
要があり、しかもステム５と圧力センサチップ１との膨
張係数の違いによる熱応力を低減する必要があるため１
台座４及び第１接着層７、第２接着層８として熱膨張係
数の近い物質を選択する等の考慮を用いて実装しなけれ
ばならず、そのため圧力センサチップ１を実装するため
に多くのコストがかかるという問題があった。

本発明は上記のごとき従来技術の問題を解決するために
なされたものであり、実装が容易で低コスト化が可能な
圧力変換装置及びその製造方法を提供することを目的と
するものである６〔問題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するため、本発明においては、基板上
にセンサ部を形成するのと同時に基準圧力室も形成する
ように構成している。

すなわち、本発明においては、基板の上に周囲を囲繞さ
れ、外部に対して気密に形成された空洞領域と、該空洞
領域の上に形成されたダイアフラム領域と、該ダイアフ
ラム領域の変位を電気信号に変換する変換手段とを備え
ている。

上記のように構成したことにより、本発明においては、
上記の空洞領域内の気圧（例えば１０　Ｔ　ｏｒｒ以下
の真空）を基準圧力として用いることが出来るので、セ
ンサチップの外部に別個に基準圧力室を形成する必要が
なくなる。そのため、Ｓｉウェハのバッジ処理等で同時
に大量に基準圧力室を持った圧力変換装置を作製するこ
とが出来、実装が容易になると共に低コスト化が可能に
なる。

また、本発明の製造方法においては、基板の上に第１の
薄膜を形成する工程と、該第１の８膜の上に該第１の薄
膜と異なる材質から成る第２の薄膜を形成する工程と、
該第２の薄膜を選択的にエツチングして所定の領域に孔
を形成する工程と、該孔を通じて上記第１の薄膜の一部
をエツチングすることによって空洞領域を形成する工程
と、上記第２の薄膜上に上記の孔を塞ぐように第３の薄
膜を形成する工程とを備えている。

上記の構成により、通常のＳｉウェハの処理工程を用い
て基準圧力室となる空洞領域とダイアフラム部とを同時
に形成することが出来、特許請求の範囲第１項記載のご
とき圧力変換装置を同時に大量生産することが可能とな
る。

〔発明の実施例〕

第１図は本発明の第１の実施例図であり、（Ａ）は断面
図、（Ｂ）は平面図である。

第１図において、Ｓｉ基板２１の表面に高濃度不純物拡
散領域２２が形成され、これが下部電極となっている。

また、高濃度不純物拡散領域２２の表面には下部絶縁層
２３が形成され、その上には空洞領域２５を取り囲むよ
うにスペーサ領域２４が形成されている。

このスペーサ領域２４の上には上部絶縁層２６が形成さ
れており、この上部絶縁層２６の空洞領域２５の上の部
分には複数の微細な孔２７が所定のピッチで形成されて
いる。

また上部絶ＲＭ２６の上には、所定の厚さの導電性の膜
が形成され、これが上部電極２８となっている。なお、
この上部電極２８を形成する際、空洞領域２５は所定の
基準圧（例えば、１０　Ｔ　ｏｒｒ以下の真空）にされ
た状態で密封される。

また、上部電極２８の表面には表面保護用の表面絶縁層
２９が形成され、更に、下部電極２２及び上部電極２８
の表面に形成されている絶縁層２３及び２９の一部には
コンタクト用の孔が開けられ、下部電極２２及び上部電
極２８はそれぞれ金属配線３０に接続されている。

次に、動作を説明する。

第１図の実施例においては、空洞領域２５が基準圧力室
（真空）となり、上部絶縁層２６、上部電極２８及び表
面絶耘層２９で構成されたダイアフラム３１が印加され
る外部圧力に応じて変位する。

例えば、外部圧力が大きくなればダイアフラム３１はＳ
ｉ基板２１側に撓むことになる。

一方、下部電極２２及び上部電極２８間の静電容量Ｃは
、下部電極２２及び上部電極２８間の距離をｄ、空気中
の誘電率をε。、電極面積をＡとすれば、Ｃ＝ε。Ａ／
ｄ・・・・・・（１） で表される。

従って、ダイアフラム３１が外部圧力に応じて変位する
と、（１）式のｄが変化し、その結果静電容量Ｃが変化
することになる。すなわち、第１図の構造そのものが絶
対圧を検出する圧力変換装置の構造となっているので、
他に基準圧としての真空室を形成する必要がなくなり、
実装が大幅に簡略化される。

第２図は１本発明の装置を用いた場合の実装例を示す図
である。

第２図において、３７は第１図に示したごときセンサチ
ップであり、このセンサチップ３７はプラスチックパッ
ケージ３４に接着層３５を介して接着される。

この際、プラスチックパッケージ３４とセンサチップ３
７間の接着に気密性は必要とされない。ただし、プラス
チックパッケージ３４とセンサチップ３７との熱膨張係
数の違いによる熱応力を緩和する虎め、接着層３５の材
質としては、シリコン系もしくはテフロン系等の柔軟な
接着剤が望ましい。

次に、第３図は本発明の製造方法の一実施例図であり、
前記第１図の装置を製造する製造工程を示す。

第３図において、まず、（ａ）ではＳＬ基板２１の表面
に選択的に高濃度不純物拡散領域２２を形成する。この
高濃度不純物拡散領域２２が下部電極となる。その後、
表面を熱酸化して下部絶縁層２３を形成する。

次に、（ｂ）において、下部絶縁層２３の表面にポリＳ
ｉ膜を数ｐの厚さにＣＶＤ法で形成する。

その後、フォトエツチングによって所定の領域３２のみ
を残す、また、空洞領域となる部分３３以外のポリＳｉ
部２４には１０２０個／ｃｍ３以上の高濃度のボロンを
イオン注入法等で注入する。

次に、（ｃ）において、所定の領域３２の表面に熱酸化
法もしくはＣＶＤ法等によってＳｊｎ、、Ｓｉ、Ｎ４等
から成る上部絶縁膜２６を形成する。また空洞領域とな
る部分３３の上の上部絶縁膜２６には所定のピッチで微
細な孔２７を形成する。この孔２７を形成するエツチン
グの際には、横方内拡がりを極力小さくするためにＲＩ
Ｅ　（リアクティブ・イオン・エツチング）法等のドラ
イプロセスが望ましい。

次に、（ｄ）において、上記の孔２７を通して空洞領域
となる部分３３をエツチングする。このエツチング液と
してエチレンジアミン、ＫＯＨ等の強アルカリエツチン
グ液を用いることにより、高濃度にボロンが導入された
領域２４は殆どエツチングされることなく、空洞領域と
なる部分３３のみをエツチングすることが出来る。

次に、（ｅ）において、全体を真空装置で１０Ｔ　ｏｒ
ｒ以下の真空に保った状態で、真空蒸着、スパッタ、Ｌ
ＰＧＶＤ、プラズマＣＶＤ等によって所定の厚さの導電
性の薄膜を形成し、フォトエツチングによって所定の領
域を残すことにより上部電極２８を形成する。この際、
孔２７を通して下部絶縁層２３の表面に膜が形成される
と、この膜の持つ誘電率によってセンサの特性にバラツ
キを生じるため、このような膜の形成は出来るだけ避け
る必要がある。そのためには、孔２７を出来るだけ小さ
くすること及び第４図に示すように薄膜を斜め方向から
蒸着もしくはスパッタすることが考えられる。

上記のように、真空中で上部電極２８を形成して孔２７
を塞ぐことにより、空洞領域３３は真空状態で密封され
る。

次に、（ｆ）において、表面に熱酸化法、ＣＶＤ法等を
用いて表面絶縁層２９を形成し、その後、表面絶縁Ｍ２
９及び下部絶縁層２３の一部にフォトエツチングでコン
タクト用の孔開けを行なう。

次に、（ｇ）において、　Ａｆｌ等の金属膜を形成し、
フォトエツチングによってパターニングすることにより
、金属配線３０を形成する。

上記のようにして前記第１図のごとき装置が完成する。

なお、前記（１）式に示したごとく、この圧力変換装置
の出力は下部電極２２と上部型ｐｉ２８との間隔ｄの逆
数に比例する。ｄの変位すなわち、外部圧力に対するダ
イアフラム３１の変位はダイアフラム３１を構成してい
る材質、ダイアフラム３１のサイズ及び厚さに依存する
。第１図の実施例においては、上部絶縁層２７の上に直
接上部電極２８を形成し、ダイアフラムは上部絶縁層２
７、上部電極２８及び表面絶縁層２９から成る３層構造
となっているが、これは３層に限定したものではなく何
層で構成してもよい。

また、第１図の実施例においては、ダイアフラム３１の
形状が方形であるが、他の形状、例えば円形等でもかま
わない。

また、第１図の実施例においては、下部電極としてＳｉ
基板２１の表面に形成された高不純物拡散領域２２（Ｓ
ｉ基板２１と反対導電型）を用いているが、例えば、第
５図に示した第２の実施例のようにＳｉ基板２１の表面
に第２下部絶縁層５３を介して形成された導電性薄膜５
４を用いてもよい、なお、上記第５図の実施例において
は、基板２１はＳＬ基板でなくともよく、例えば、ガラ
ス等の絶縁物基板を用いることも出来る。

次に、第６図は本発明の第３の実施例図であり、（Ａ）
は断面図、（Ｂ）は平面図を示す。

第６図の実施例は、圧力の変化をダイアフラム上に形成
したピエゾ抵抗の抵抗変化として検出するものである。

第６図において、Ｓｉ基板４０の表面に下部絶縁Ｍ４１
が形成され、その上部には空洞領域４３を取り囲むよう
にスペーサ領域４２が形成されている。また、スペーサ
領域４２と空洞領域４３の上には上部絶縁層４４が形成
され、かつ空洞領域４３上の上部絶縁Ｍ４４には複数の
微細な孔４５が所定のピッチで形成されている。この上
部絶縁層４４の上には所定の厚さの絶縁性の上部薄膜領
域４６が形成されている。

この上部薄膜領域４６を形成する際、空洞領域４３は所
定の基準圧にされた状態で密封される。

また、上部薄膜領域４６の表面の所定の位置にはポリＳ
ｉのピエゾ抵抗４７が形成されている。このピエゾ抵抗
４７の表面には、表面保護用の表面絶縁層４８が形成さ
れ、表面絶縁層４８の一部にはコンタクト用の孔が開け
られ、ピエゾ抵抗４７は金属配線４９に接続されている
。

第６図に示した実施例も前記第１図の実施例と同様に空
洞領域４３が基準圧力室（真空）となり、上部絶縁層４
４、上部薄膜領域４６及び表面絶縁層４８で構成される
ダイアフラム５０が印加される外部圧力に応じて変位す
る。例えば、外部圧力が大きくなれば、ダイアフラム５
０はＳｉ基板４０側に撓むことになる。このようにダイ
アフラム５０が撓めば、ダイアフラム５０に応力が発生
し、その結果ダイアフラム５０の表面に形成されたポリ
Ｓｉのピエゾ抵抗４７の抵抗値が変化し、それによって
圧力を検出することが出来る。すなわち、第６図の実施
例も構造そのものが絶対圧を検出する圧力変換装置とな
っている。従って、第１図の場合と同様に実装が非常に
容易になる。

次に、第７図は第６図の装置の製造工程を示す実施例図
である。

まず、（ａ）において、Ｓｉ基板４０の表面を熱酸化し
て下部絶縁層４１を形成する。

この下部絶縁層４１の表面にポリＳｉを数−の厚さにＣ
ＶＤ法で形成する。その後、フォトエツチングによって
所定の領域５１のみを残す、また、空洞領域になる部分
５２以外のポリＳＬ部４２には１０２０個／ｃ１１３以
上の高濃度のボロンをイオン注入法等によって注入する
。

次に、（ｂ）において、所定の領域５１の表面に熱酸化
法もしくはＣＶＤ法等によってＳｉｏ、やＳｉ、Ｎ４等
から成る上部絶縁膜４４を形成する。また、空洞領域と
なる部分５２上の上部絶縁膜４４には所定のピッチで微
細な孔４５を形成する。この孔４５を形成するエツチン
グの際には、横方向波がりを極力小さくするためにＲＩ
Ｅ法等のドライプロセスが望ましい。

次に、（ｃ）において、上記の孔４５を通して空洞領域
となる部分５２をエツチングする。このエツチング液と
してエチレンジアミン、ＫＯＨ等の強アルカリエツチン
グ液を用いることにより、高濃度にボロンが導入された
領域４２は殆どエッチングされることなく、空洞領域と
なる部分５２のみをエツチングすることが出来る。

次に、（ｄ）において、真空装置を用いて１０Ｔｏｒｒ
以下の気圧に保った状態で、真空蒸着、スパッタ、ＬＰ
Ｃ：ＶＤ、プラズマＣＶＤ等によって所定の厚さの絶縁
性の薄膜を形成し、フォトエツチングによって所定の領
域を残すことにより、上部薄膜領域４６を形成する。

この際、孔４５を通して下部絶縁層４１の表面に多少の
膜が形成されても、本実施例の場合には前記第１図の静
電容量方式の場合に較べて影響は極めて少ない。

上記のように、真空中で上部薄膜領域４６を形成して孔
４５を塞ぐことにより、空洞領域５２は真空状態で密封
される。

次に、（ｅ）において、上部薄膜領域４６の表面にＣＶ
Ｄ法を用いてポリＳｉ膜を形成し、フォトエツチングに
よって所定の領域のみを残すことにより、ピエゾ抵抗４
７を形成する。なお、ポリＳＬのピエゾ抵抗４７には所
定の濃度の不純物が注入されている。

次に、（ｆ）において、表面にＣＶＤ法等を用いて表面
絶縁ｙ／！Ｊ４８を形成し、その後表面絶縁Ｍ４８の一
部にフォトエツチングによってコンタクト用の孔開けを
行なう。

次に、（ｇ）において、Ｍ等の金属膜を形成し、フォト
エツチングによってパターニングを行ない、金属配線４
９を形成する。

上記の工程により、第６図のごとき装置が完成する。

なお、第６図の実施例においては、基板としてＳｉ基板
を用いているが、この場合の基板としては他の物質を用
いてもよく、例えば、ガラス等の絶縁基板を用いてもよ
い。なお、この場合は下部絶縁層４１は必ずしも必要と
しない。

次に、第８図は本発明の第４の実施例図である。

この実施例は、前記第１図の実施例において空洞領域上
に設ける薄膜の孔を２層の薄膜にずらした状態で設ける
ことにより、上部電極を形成する際に孔を通して空洞領
域内の下部絶縁層表面に膜が形成されることのないよう
にしたものである。

その他の部分は前記第１図の実施例と同様なので、異な
っている部分のみを説明する。

すなわち、スペーサ領域２４と空洞領域２５との上には
上部第１絶縁層５６が形成され、空洞領域２５上の上部
第１絶縁層５６には複数の第１の孔部５７が所定のピッ
チで形成されている。

この上部第１絶縁層５６の上には上部スペーサ孔部５９
を持った上部スペーサ薄膜５８が形成され、さらにこの
上部スペーサ薄膜５８の上には複数の第２の孔部６１を
持った上部第２絶縁層６０が形成されている。これらの
孔５７．５９．６１には次のごとき関係がある。

すなわち、孔５７と孔６１とは上面から見た位置がずら
して形成されており、重なり部分が全くない。

また、孔５９は孔５７及び孔６１とそれぞれ重なり部分
を持っている。

この実施例は、製造工程中に孔を通じて不要な薄膜が形
成されないようにした点が前記第１図の実施例と異なる
点であり、その動作は第１図の実施例と同様である。

次に、第９図は第８図の実施例の製造工程図である。

第９図において、まず、（ａ）では、Ｓｉ基板２１の表
面に選択的に高濃度不純物拡散領域２２を形成する。こ
の高濃度不純物拡散領域２２が下部電極となる。その後
表面を熱酸化して下部絶縁層２３を形成する。下部絶縁
層２３の表面にはポリＳｉ膜を数−の厚さにＣＶＤ法で
形成する。その後、フォトエツチングによって所定の領
域６６のみを残す。

また、空洞領域となる部分６７以外のポリＳｉ部２４に
は１０１″個／ｃ＋ａ”以上の高濃度のボロンをイオン
注入法等によって注入する。

次に、（ｂ）において、所定の領域６６の表面に熱酸化
法もしくはＣＶＤ法等によってＳｉｎ、やＳｉ、Ｎ、等
から成る上部第１絶Ｒ層５６を形成する。

また、空洞領域となる部分６７上の上部第１絶縁層５６
には所定のピッチで第１の孔部５７を形成する。

次に、（Ｃ）において、上部第１絶縁Ｎ５６上にポリＳ
ｉ膜をＣＶＤ法で形成し、その後、フォトエツチングに
よって所定の領域６８のみを残す。また、所定の領域６
８の内、後に上部スペーサ薄膜５８となる領域のみに１
０２０個／Ｃｍ３以上の高濃度のボロンをイオン注入法
等によって注入する。

すなわち、第１の孔部５７及び所定の領域６８の上部に
形成される第２の孔部６１をまたがる領域６９には高濃
度のボロンを注入しない。

次に、（ｄ）において、所定の領域６８の表面に熱槃化
法もしくはＣＶＤ法等を用いて５ｉｎ２やＳｉ’、Ｎ、
等の上部第２絶縁層６０を形成する。この上部第２絶縁
層６０に第１の孔部５７と平面的に重ならないようにず
らして第２の孔部６１を形成する。

次に、（ｅ）において、第２の孔部６１及び第１の孔部
５７を通して領域６９及び空洞領域となる部分６７をエ
ツチングする。この際のエツチング液としてエチレンジ
アミンやＫＯＨ等の強アルカリエツチング液を用いるこ
とにより、ポリＳｉのうちでも高濃度にボロンが導入さ
れた領域５８及び２４は殆どエツチングされない。

次に、（ｆ）において、真空装置を用いて１０Ｔ　ｏｒ
ｒ以下の真空にした状態で、真空蒸着、スパッタ、ＬＰ
ＧＶＤ、プラズマＣＶＤ等を用いて所定の厚さの導電性
の薄膜を形成し、フォトエツチングによって所定の領域
を残すことにより、上部電極２８を形成する。

なお、この際、第２の孔部６１及び第１の孔部５７は平
面的な重なりがないため、孔を通して下部絶縁層２３上
に膜が形成されるおそれはなくなる。

上記のように、真空中で上部電極２８を形成して第２の
孔部７９を塞ぐことにより、空洞領域６７は真空状態で
密封される。

次に、（ｇ）において、表面に熱酸化法、ＣＶＤ法等を
用いて表面絶縁層２９を形成し、その後、表面絶縁層２
９及び下部絶縁層２３の一部にフォトエツチングによっ
てコンタクト用の孔開けを行なう。

次に、（ｈ）において１Ｍ等の金属膜を形成し、フォト
エツチングによってパターニングすることにより、金属
配線３０を形成する。

上記の工程によって前記第８図に示したごとき空洞領域
上に設けた薄膜の孔を２層の薄膜にずらした状態で設け
た装置が完成する。

なお、第８図の実施例においては、ｓｉ基板２１の表面
に形成された高濃度不純物拡散領域２２を下部電極とし
て用いているが、例えば、第１０図に示した第５の実施
例のごとく、ＳＬ基板２１の表面に第２下部絶縁層７０
を介して形成された導電性薄膜７１を用いてもよい。

また、第１０図の実施例においては、基板としてＳｉ基
板以外の物質を用いることも出来、例えば、ガラス等の
絶縁物基板を用いてもよい。

次に、第１１図は本発明の第６の実施例図であり、（Ａ
）は断面図、（Ｂ）は平面図を示す。

第１１図の実施例は、第８図の実施例において圧力の変
化をダイアフラム上に形成したピエゾ抵抗の抵抗変化と
して検出するように構成したものである。

第１１図において、スペーサ領域４２と空洞領域４３と
の上には上部第１絶縁層７４が形成され、かつ空洞領域
４３上の上部第１絶縁層７４には複数の第１の孔部７５
が所定のピッチで形成さ九ている。この上部第１絶縁層
７４の上には上部スペーサ孔部７７を持った上部スペー
サ薄膜７６が形成されている。更にこの上部スペーサ薄
膜７６の上には複数の第２の孔部７９を持った上部第２
絶縁層７８が形成されている。

これらの孔７５．７７．７９には前記第８図の実施例と
同様の関係がある。すなわち、孔７７と７９とはずらし
て形成されており、重なり部分が全くない。

また、孔７７はそれぞれ孔７５及び７９と重なり部分を
持っている。

また、上部第２絶縁層７８の上には所定の厚みを有する
絶縁性の上部薄膜領域４６が形成されている。

この上部薄膜領域４６を形成する際に、空洞領域４３は
所定の基準圧になっている。

また、上部薄膜領域４６の表面の所定の位置には。

ポリＳｉのピエゾ抵抗４７が形成されている。また。

ピエゾ抵抗４７の表面には、表面保護用の表面絶縁層４
８が形成され１表面絶縁層４８の一部にはコンタクト用
の孔が開けられ、ピエゾ抵抗４７は金属配線４９に接続
されている。

その他の構成は前記第８図の実施例と同様であリ、動作
は前記第６図の実施例と同様である。

なお、第１１図の実施例の場合には、基板としてＳｉ基
板以外の物質を用いることも出来、例えば、ガラス等の
絶縁基板を用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したごとく、本発明においては、基板表面にダ
イアフラム等の圧力検知部を形成するのと同時に基準圧
力室を形成するように構成しているので、Ｓｉウェハの
バッジ処理で同時に大量に基準圧力室を持つ圧力変換装
置を製造することが出来、そのため実装が極めて容易に
なるので低コスト化が可能となる。

また、通常のＳｉのウェハプロセスとマツチするため、
センサ出力を処理する回路を同一チップ上に容易に集積
化することが出来る。

また、ダイアフラムの厚さを高精度で制御することが出
来るので、ダイアフラムサイズひいてはチップサイズを
小さくすることが出来、その面からも低コスト化が可能
である、等の多くの優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例図、第２図は本発明の装
置の実装状態を示す図、第３図は第１図の装置の製造工
程の一実施例図、第４図は薄膜形成法の一実施例図、第
５図は本発明の第２の実施例図、第６図は本発明の第３
の実施例図、第７図は第６図の装置の製造工程の一実施
例図、第８図は本発明の第４の実施例図、第９図は第８
図の装置の製造工程の一実施例図、第１０図は本発明の
第５の実施例図、第１１図は本発明の第６の実施例図、
第１２図は従来装置の一例図である。 く符号の説明〉 ２１・・・Ｓｉ基板 ２２・・・高濃度不純物拡散領域（下部電極）２３・・
・下部絶縁層　　　　２４・・・スペーサ領域２５・・
・空洞領域　　　　　２６・・・上部絶縁層２７・・・
孔　　　　　　　　２８・・・上部電極２９・・・表面
絶縁層　　　　３０・・・金属配線３１・・・ダイアフ
ラム 代理人弁理士　　中　村　純之助 １Ｆ２図 ３４−一一一アラスチ、、７パ１．−ｆ−ジ３５−−−
−＃、ｉ潰 ３６−−−−ごン（Ｒ１チ） ３７−−−−で′−ｖチ、７デ ３８−−−−４’（もＬ＜ｌゴＡｌ）ワイヤ３９−一一
プラスーｆ−，，，クヤヤ、１，７・１’４図 フ６ ｆ７図 １へ１− ！’９図 矛９図 ｑ １−１２尻

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　基板の上に周囲を囲繞され外部に対して気密に
   形成された基準圧力室としての空洞領域と、該空洞領域
   の上に形成されたダイアフラム領域と、該ダイアフラム
   領域の変位を電気信号に変換する変換手段とを備えたこ
   とを特徴とする圧力変換装置。
2. （２）　基板の上に第１の薄膜を形成する工程と、該第
   １の薄膜の上に該第１の薄膜と異なる材質から成る第２
   の薄膜を形成する工程と、該第２の薄膜を選択的にエッ
   チングして所定の領域に孔を形成する工程と、該孔を通
   じて上記第１の薄膜の一部をエッチングすることによっ
   て空洞領域を形成する工程と、上記第２の薄膜上に上記
   の孔を塞ぐように第３の薄膜を形成する工程とを具備す
   ることを特徴とする圧力変換装置の製造方法。