DE3723561A1 - Druckwandler und verfahren zu seiner fertigung - Google Patents
Druckwandler und verfahren zu seiner fertigungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Druck
wandler zum Bestimmen des Drucks eines Strömungsmittels
und Erzeugen eines dem Druck entsprechenden elektrischen
Signals, und richtet sich insbesondere auf einen solchen
Druckwandler mit einer innerhalb eines Sensorchips ausge
bildeten Bezugsdruckkammer.
Fig. 12 zeigt einen bekannten Druckwandler, wie er in der
vorläufigen japanischen Patentveröffentlichung 58 63 826
offenbart ist.
Die in Fig. 12 dargestellte Vorrichtung dient der Messung
von absoluten Drücken. Ein Drucksensorchip 1 ist mittels
einer Kleberschicht 7 auf einem Sockel 4 befestigt, welcher
seinerseits mittels einer weiteren Kleberschicht 8 auf
einem Hohlschaft 5 befestigt ist. Der Sensorchip 1 ist
über Leiterdrähte 2 mit Anschlußstiften 3 verbunden und
in einer Unterdruck-Bezugskammer 10 eingeschlossen, welche
durch hermetisch abdichtende Befestigung, z.B. durch
Schweißen oder Löten, einer Kappe 6 auf dem Hohlschaft 5
und Verschließen eienr Öffnung 12 der Kappe mittels eines
Tropfens Lot 9 unter Vakuum gebildet ist. Ein zu messender
Druck beaufschlagt die Unterseite des Sensorchips 1 durch
eine Bohrung 11 des Hohlschafts 5 und eine Bohrung des
Sockels 4 hindurch.
Dieser bekannte Druckwandler ist insofern nachteilig,
als die Unterdruck-Bezugskammer 10 in Form eines Gehäuses
ausgebildet ist, wobei der Einbau des Sensorchips 1 in das
Gehäuse sowie das Abdichten desselben unter Vakuum einen
großen Arbeitsaufwand erfordern. Außerdem müssen die Werk
stoffe für den Sockel 4 sowie für die Kleberschichten 7 und
8 äußerst sorgfältig gewählt werden, um durch unterschied
liche Wärmedehnungskoeffizienten hervorgerufene Spannungen
zwischen dem Sensorchip 11 und dem Hohlschaft 5 zu vermeiden.
Ein Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Druckwand
lers, welcher mühelos montierbar ist und dadurch eine
Verringerung der Fertigungskosten ermöglicht, sowie eines
Verfahrens für die Fertigung eines solchen Druckwandlers.
Ein solcher Druckwandler umfaßt gemäß der Erfindung eine
Unterlage, eine druckempfindliche Membranschicht, eine
zwischen der Unterlage und der Membranschicht angeordnete
Membrantragschicht mit einer Öffnung, welche an beiden
Seiten durch die Unterlage bzw. durch die Membranschicht
verschlossen sind, so daß sie einen als Bezugsdruckkammer
dienenden, hermetisch verschlossenen inneren Hohlraum
bildet, und eine Einrichtung zum Umwandeln einer Bewegung
der Membranschicht in ein elektrisches Signal.
Die Membranschicht umfaßt beispielsweise eine sich über
den Hohlraum erstreckende und somit eine Deckwand desselben
bildende innere Schicht mit einer Anzahl von zum Hohlraum
hin offenen Öffnungen und eine auf der inneren Schicht
ausgebildete Deckschicht, welche die Öffnungen verschließt
und dadurch den Hohlraum hermetisch abdichtet.
Bei einem Verfahren für die Fertigung eines solchen Druck
wandlers ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß in einem
ersten Schritt eine Tragschicht auf einer Unterlage
gebildet wird, daß in einem zweiten Schritt eine innere
Schicht auf der Tragschicht gebildet und durch Ätzen
Löcher in der inneren Schicht ausgebildet werden, daß in
einem dritten Schritt durch Ätzen durch die Löcher der
inneren Schicht hindurch ein Hohlraum in der Tragschicht
gebildet wird, und daß in einem vierten Schritt eine Deck
schicht auf der inneren Schicht gebildet wird, um den Hohl
raum abdichtend zu verschließen. Diese Verfahrensschritte
werden in der genannten Reihenfolge vom ersten zum vierten
Schritt ausgeführt.
Im folgenden sind Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand
der Zeichnung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A eine Schnittansicht eines Druckwandlers in einer
ersten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 1B eine Draufsicht auf den Druckwandler nach Fig. 1A,
Fig. 2 eine Schnittansicht eines Druckfühlers mit einem
in einem Druckfühlergehäuse montierten Druckwandler
gemäß der Erfindung,
Fig. 3A bis 3G Schnittansichten zur Darstellung aufeinander
folgender Schritte eines Verfahrens für die Fertigung
des Druckwandlers in der ersten Ausführungsform der
Erfindung,
Fig. 4A bis 4C Schnittansichten zur Darstellung eines im
Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform anwend
baren Verfahrensschritts zur Bildung einer Deck
schicht auf einer gelochten Schicht,
Fig. 5 eine Schnittansicht eines Druckwandlers in einer
zweiten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6A eine Schnittansicht eines Druckwandlers in einer
dritten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6B eine Draufsicht auf den Druckwandler nach Fig. 6A,
Fig. 7A bis 7G Schnittansichten zur Darstellung der aufein
ander folgenden Verfahrensschritte bei der Fertigung
des Druckwandlers der dritten Ausführungsform,
Fig. 8A eine Schnittansicht eines Druckwandlers in einer
vierten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 8B eine Draufsicht auf den Druckwandler nach Fig. 8A,
Fig. 9A bis 9H Schnittansichten zur Darstellung aufeinander
folgender Verfahrensschritte bei der Fertigung des
Druckwandlers der vierten Ausführungsform,
Fig. 10 eine Schnittansicht eines Druckwandlers in einer
fünften Ausführungsform,
Fig. 11A eine Schnittansicht eines Druckwandlers in einer
sechsten Ausführungsform,
Fig. 11B eine Draufsicht auf den Druckwandler nach Fig. 11A
und
Fig. 12 eine Schnittansicht eines bekannten Druckfühlers.
Ein in einer ersten Ausführungsform der Erfindung in
Fig. 1A und 1B dargestellter Druckwandler hat die Form
eines Chips mit einer Siliziumunterlage 21. In einer Ober
fläche der Unterlage 21 ist ein hochdotierter Diffusions
bereich 22 ausgebildet, welcher als untere Elektrode ver
wendet wird. Der Leitfähigkeitstyp des Diffusionsbereichs
22 ist demjenigen der Unterlage 21 entgegengesetzt. In
dieser Ausführungsform ist der Diffusionsbereich ein
p⁺-leitender Halbleiter, während die Unterlage 21 ein
n-leitender Halbleiter ist. Auf der Oberfläche des hoch
dotierten Diffusionsbereichs 22 ist eine untere Isolier
schicht 23 gebildet.
Zu dem Druckwandler gehören ferner eine auf der unteren
Isolierschicht 23 gebildete Membrantragschicht 24, eine
auf dieser gebildete obere Isolierschicht 26 und eine auf
der oberen Isolierschicht 26 gebildete Deckschicht 28 von
einer vorbestimmten Stärke.
In der Tragschicht 24 ist ein Hohlraum 26 ausgebildet, und
die obere Isolierschicht 26 ist von zahlreichen kleinen
Öffnungen 27 durchsetzt. Der Hohlraum 25 ist vollständig
von einer Wandung der Tragschicht 24 umgeben. An der
Unterseite ist der Hohlraum 25 durch die untere Isolier
schicht 23 und an der Oberseite durch die obere Isolier
schicht 26 abgeschlossen. Die kleinen Öffnungen 27 sind
in der die Deckwand des Hohlraums 25 bildenden oberen
Isolierschicht 26 ausgebildet und, wie in Fig. 1B zu
erkennen, in einem regelmäßigen Muster angeordnet.
Die Deckschicht 28 ist in dieser Ausführungsform aus einem
leitenden Material und wird als obere Elektrode verwendet.
Durch das Aufbringen der Deckschicht 28 auf die von den
Öffnungen durchsetzte obere Isolierschicht 26 unter einem
bestimmten Bezugsdruck, z.B. einem Vakuum von 10 torr oder
darunter, ist der Hohlraum 25 hermetisch abdichtend ver
schlossen.
Auf der Deckschicht 28 ist eine schützende Isolierschicht
29 ausgebildet. Die untere Isolierschicht 23 sowie die
schützende Isolierschicht 29 weisen jeweils eine Kontakt
öffnung auf, durch welche hindurch jeweils ein metallener
Leiter 30 mit der oberen bzw. der unteren Elektrode 28
bzw. 22 verbunden ist.
In der ersten Ausführungsform bilden die obere Isolier
schicht 26, die Deckschicht 28 und die schützende äußere
Isolierschicht 29 zusammen eine druckempfindliche Membrane
31. Eine innere Schicht der Membrane 31 ist allein durch
die obere Isolierschicht 26 gebildet. Der Hohlraum 25 hat
die Funktion einer (Unterdruck)-Bezugsdruckkammer, und der
im Hohlraum 25 herrschende Bezugsdruck beaufschlagt die
Unterseite der Membrane 31. Bei Anstieg eines zu messenden
Drucks bewegt sich die Memrbane 31 einwärts in Richtung
auf die Unterlage 21.
Die Kapazitanz C zwischen zwei parallelen Platten bestimmt
sich gewöhnlich aus dem Abstand d zwischen den Platten,
der Oberflächengröße A der Platten und einer Dielektrizi
tätskonstante e 0 eines zwischen den Platten vorhandenen
Mediums, so daß also
C = e₀A/d (1)
Eine Bewegung der Membrane 31 durch den zu messenden Druck
bewirkt eine Änderung des Abstands zwischen der oberen und
der unteren Elektrode 28 bzw. 22 und dadurch eine entspre
chende Änderung der Kapazitanz zwischen den beiden Elekt
troden 28 und 22. Der in Fig. 1A und 1B dargestellte Druck
wandler ist somit ohne Zuhilfenahme einer zusätzlichen
Bezugs-Unterdruckkammer zur Messung von absoluten Drücken
verwendbar.
Fig. 2 zeigt ein Beispiel eines Druckfühlers unter Verwen
dung des Druckwandlers nach Fig. 1A und 1B.
Bei dem in Fig. 2 gezeigten Druckfühler ist der die Form
eines Sensorchips 37 aufweisende Druckwandler nach Fig.1A
und 1B in einem Gehäuse angeordnet, welches einen Boden 34
aus Kunststoff und einen von einem Durchlaß durchsetzten
Deckel 39 aufweist. Der Sensorchip 37 ist mittels einer
Kleberschicht 35 auf dem Boden 34 befestigt und über Leiter
drähte 38 mit Anschlüssen 36 verbunden.
Die Befestigung des Sensorchips 37 auf dem Boden 34 braucht
nicht hermetisch dicht abzuschließen. Für die Kleber
schicht 35 wird vorzugsweise ein nachgiebiger oder flexibler
Kleber verwendet, beispielsweise ein Kleber auf der Basis
von Silikonharz oder Polytetrafluoräthylen, um durch unter
schiedliche Wärmedehnungskoeffizienten des Kunststoff
bodens 34 und des Sensorchips 37 hervorgerufenen Spannungen
vorzubeugen.
Fig. 3A bis 3G zeigen Schritte eines Verfahrens für die
Fertigung des Druckwandlers nach Fig. 1A und 1B.
In einem in Fig. 3A gezeigten ersten Schritt wird in der
Oberfläche der Siliziumunterlage 21 der hochdotierte
Diffusionsbereich 22 gebildet, worauf dann die untere
Isolierschicht 23 durch thermische Oxidation der Silizium
oberfläche gebildet wird.
Bei dem in Fig. 3B gezeigten folgenden Schritt wird eine
Polysilikonschicht in einer Stärke von einigen Mikrometern
auf die Oberfläche der unteren Isolierschicht 23 aufge
dampft. Anschließend werden nicht notwendige Teile der
Polysilikonschicht durch Ätzen entfernt, so daß allein
ein Bereich 32 zurückbleibt. Die verbleibende Polysilikon
schicht 24 wird, mit Ausnahme eines mittleren Bereichs 33,
durch Ionnenimplantation oder nach einem anderen Verfahren
mit Bor dotiert, so daß die Borkonzentration wenigstens
1022 Atome pro cm³ beträgt.
In dem in Fig. 3C gezeigten Schritt wird die aus SiO₂ und/oder
Si₃N₄ bestehende obere Isolierschicht 26 durch ther
mische Oxidation oder Aufdampfen auf die Polysilikonschicht
24 aufgebracht. Darauf werden dann die kleinen Öffnungen 27
in einem sich über den mittleren Bereich 33 der Polysilikon
schicht 24 erstreckenden mittleren Bereich der oberen
Isolierschicht 26 ausgebildet. Um einer seitlichen Erwei
terung der Öffnungen 27 vorzubeugen, werden sie vorzugs
weise in einem trockenen Ätzverfahren hergestellt, z.B.
durch reaktive Ionenätzung.
Bei dem in Fig. 3D gezeigten Schritt wird in der Poly
silkonschicht 24 der Hohlraum 25 ausgebildet, indem der
undotierte mittlere Bereich 33 durch die Öffnungen 27 der
oberen Isolierschicht 26 hindurch weggeätzt wird. Durch
Verwendung einer stark alkalischen Äthflüssigkeit, z.B.
Äthylendiamin oder KOH ist es möglich, allein den nicht
mit Bor dotierten mittleren Bereich 33 wegzuätzen, so daß
der hoch dotierte Umfangsbereich der Polysilikonschicht 24
zurückbleibt.
In dem in Fig. 3E gezeigten folgenden Schritt wird eine
dünne leitende Schicht von einer vorbestimmten Stärke
durch Vakuumbedampfung, Kathodenzerstäubung, Plasmabedamp
fung od. dergl. in einem Vakuum von 10 torr oder darunter
auf die obere Isolierschicht 26 aufgebracht. Aus dieser
Schicht wird durch Entfernen von nicht notwendigen Teilen
der leitenden Schicht durch Photoätzen die obere Elektrode
28 gebildet. Auf diese Weise wird der Unterdruckraum 25
durch Verschließen der Öffnungen 27 mit der oberen Elektrode
28 abdichtend verschlossen.
Dabei muß verhindert werden, daß das für die obere Elektrode
28 verwendete Material durch die Öffnungen 27 dringt und
sich in Form einer Schicht auf der unteren Isolierschicht
23 niederschlägt, da die Dielektrizitätskonstante des auf
der unteren Isolierschicht 23 niedergeschlagenen Schicht
die Charakteristik des Druckwandlers beeinflussen würde,
so daß jeder Wandler eine andere Charakteristik erhalten
könnte. Die Ausbildung einer solchen unerwünschten Schicht
läßt sich dadurch vermeiden, daß man die Größe der Öff
nungen 27 möglichst verringert und/oder daß man das Material
für die obere Elektrode 28 von der Seite her schräg auf
bringt, wie in Fig. 4A bis 4C dargestellt.
Bei dem in Fig. 3F gezeigten Schritt wird die äußere Iso
lierschicht 29 durch thermische Oxidation oder Aufdampfen
auf der oberen Elektrode 28 ausgebildet, worauf in der
äußeren Isolierschicht 29 sowie in der unteren Isolier
schicht 23 durch Fotoätzung jeweils eine Kontaktöffnung
ausgebildet wird.
Bei dem in Fig. 3G dargestellten Schritt werden schließ
lich die metallenen Leiter 30 hergestellt, indem man eine
Schicht aus Metall, z.B. Aluminium, aufbringt und nicht
benötigte Bereiche der Metallschicht durch Fotoätzen ab
trägt. Damit ist dann der Druckwandler nach Fig. 1A und 1B
fertiggestellt.
Wie durch die vorstehend genannte Gleichung (1) zum Aus
druck kommt, ist das Ausgangssignal des so gestalteten
Druckwandlers proportional dem Abstand d zwischen der
oberen und der unteren Elektrode 28 bzw. 22. Eine Änderung
des Abstands d, d.h. eine entsprechende Bewegung der
Membrane 31 in Abhängigkeit von Änderungen des ihre Außen
seite beaufschlagenden Drucks, ist abhängig von dem Material,
den Abmessungen und der Stärke der Membrane 31. In Fig. 1A
und 1B ist die Membrane 31 zwar jeweils rechteckig darge
stelt, sie kann jedoch auch kreisförmig oder in einer
beliebigen anderen Form ausgebildet sein.
Eine zweite Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 5
dargestellt. Bei dem in Fig. 5 gezeigten Druckwandler
handelt es sich ebenfalls um einen kapazitiven Wandler.
Der hochdotierte Halbleiterbereich 22 der Ausführungsform
nach Fig. 1A ist hier durch eine leitende Schicht 54
ersetzt, welche die untere Elektrode bildet. Die leitende
Schicht 54 ist auf der Oberseite einer Isolierschicht 53
gebildet, welche ihrerseits auf der Oberseite der Silizium-
Unterlage 21 ausgebildet ist. Es kann jedoch auch eine
Unterlage aus einem isolierenden Material verwendet werden,
z. B. aus Glas.
Eine dritte Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 6A,
6 B und 7 A bis 7G dargestellt. Bei dieser dritten Ausfüh
rungsform handelt es sich um einen Piezowiderstands-
Druckwandler, in welchem eine Druckänderung in eine Wider
standsänderung umgewandelt wird.
Der in Fig. 6A und 6B gezeigte Druckwandler umfaßt eine
Siliziumunterlage 40, eine untere Isolierschicht 41, eine
Tragschicht 42 mit einem Hohlraum 43, eine von zahlreichen
kleinen Öffnungen 45 durchsetzte obere Isolierschicht 44,
eine dünne Deckschicht 46 von vorbestimmter Stärke, eine
äußere Isolierschicht 47 und ein oder mehrere Piezo
widerstandselemente 47. Die untere Isolierschicht 41 ist
auf der Oberfläche der Unterlage 40 ausgebildet. Die Trag
schicht 42 ist auf der unteren Isolierschicht 41 gebildet.
Die von Öffnungen durchsetzte obere Isolierschicht 44 ist
auf der Tragschicht 42 gebildet und bildet die obere Wand
oder Decke des Hohlraums 43. Die Deckschicht 46 ist in
dieser Ausführungsform aus einem isolierenden Material und
auf der oberen Isolierschicht 44 ausgebildet. Im Hohlraum
43 herrscht ein vorbestimmter Bezugsdruck, und der Hohlraum
ist durch das Aufbringen der Deckschicht 46 auf die von
Öffnungen durchsetzte obere Isolierschicht 44 abdichtend
verschlossen.
Die Piezo-Widerstandselemente 47 aus Polysilikon sind an
vorbestimmten Stellen an der Oberfläche der Deckschicht 46
ausgebildet. Sie sind durch die äußere Isolierschicht 48
abgedeckt und geschützt. Die äußere Isolierschicht 48 ist
mit Kontaktöffnungen versehen, durch welche hindurch die
Piezo-Widerstandselemente 47 mit metallenen Leitern 49
verbunden sind.
Wie schon bei dem in Fig. 1A und 1B dargestellten Druck
wandler dient der Hohlraum 43 auch hier als (Unterdruck)-
Bezugsdruckkammer, welche durch eine aus der oberen Isolier
schicht 44, der Deckschicht 46 und der äußeren Isolier
schicht 48 gebildete Membrane 50 abgeschlossen ist. Bei
einem Anstieg des sie beaufschlagenden Drucks bewegt sich
die Membrane 50 einwärts zur Unterlage 40 hin. Durch diese
Bewegung oder Verformung der Membrane 50 treten in den
Piezo-Widerstandselementen 47 Spannungen auf, welche eine
Änderung ihres jeweiligen Widerstands bewirken. Dement
sprechend läßt sich der Druck über den Widerstand der Piezo-
Widerstandselemente 47 messen. Der Druckwandler nach
Fig. 6A und 6B ist aufgrund seines Aufbaus für die Messung
von absoluten Drücken verwendbar, so daß seine Montage
ebenso einfach bewerkstelligbar ist wie in der ersten
Ausführungsform.
Fig. 7A bis 7G zeigen die Schritte eines Verfahrens für
die Fertigung der dritten Ausführungsform des Druckwandlers.
In einem in Fig. 7A gezeigten ersten Schritt wird die untere
Isolierschicht 41 durch Passivieren der Oberfläche der
Siliziumunterlage 40 gebildet. Das Passivieren geschieht
durch thermische Oxidation.
Darauf wird dann die Polysilikonschicht 42 durch Aufdampfen
von Polysilikon in einer Schichtstärke von einigen Mikro
metern auf die Oberfläche der unteren Isolierschicht 41
gebildet. Dann werden nicht notwendige Bereiche der Poly
silikonschicht durch Fotoätzen entfernt, so daß allein ein
mit 51 bezeichneter Bereich zurückbleibt. Die Polysilikon
schicht 42 wird dann durch Ionnenimplantation oder in einem
anderen Verfahren mit Bor dotiert, mit Ausnahme eines
mitleren Bereichs 52, welcher später zur Bildung des Hohl
raums 43 entfernt wird. Somit wird also allein der Umfangs
bereich der Polysilikonschicht 42 hoch mit Bor dotiert, so
daß sich eine Borkonzentration von wenigstens etwa 1020
Atomen pro cm3 ergibt.
Der in Fig. 7B gezeigte zweite Schritt besteht darin, daß
auf der Oberseite der Polysilikonschicht 42 die obere
Isolierschicht 44 aus SiO2, Si3N4 und/oder einem anderen
Material durch thermisches Oxidieren, Aufdampfen oder
nach einem anderen Verfahren gebildet wird. Anschließend
werden in der oberen Isolierschicht 44 durch Ätzen die
regelmäßig darin angeordneten Öffnungen 45 ausgebildet.
Die Öffnungen 45 liegen in dem den mittleren Bereich 52
der Polysilikonschicht 42 überdeckenden Bereich der oberen
Isolierschicht 44. Für die Bildung der Öffnungen 45 eignet
sich am besten ein trockenes Verfahren wie z.B. reaktive
Ionenätzung.
In dem in Fig. 7C gezeigten Schritt wird der Hohlraum 43
ausgebildet, indem der mittlere Bereich 52 der Polysilikon
schicht 42 durch die Öffnungen 45 der oberen Isolierschicht
44 hindurch weggeätzt wird. Bei Verwendung einer stark
alkalischen Ätzflüssigkeit, z.B. Äthylendiamin oder KOH,
wird der hoch dotierte Umfangsbereich der Polysilikonschicht
nicht mit angegriffen und bleibt somit zurück.
In dem in Fig. 7D gezeigten Schritt wird der Hohlraum 43
durch Aufbringen der äußeren isolierenden Deckschicht 46
von vorbestimmter Stärke auf die von den Öffnungen durch
setzte obere Isolierschicht 44 abdichtend verschlossen,
während der Sensorchip dabei in einer Unterdruckkammer
gehalten wird, in welcher ein Vakuum von 10 torr oder
darunter herrscht. Dadurch herrscht dann auch in dem ab
dichtend verschlossenen Hohlraum 43 ein vorbestimmter
Unterdruck als Bezugsdruck. Das Aufbringen der äußeren
isolierenden Deckschicht 46 erfolgt durch Aufdampfen im
Vakuum, Kathodenzerstäubung oder nach einem anderen Ver
fahren, worauf anschließend überflüssige Teile der Schicht
durch Fotoätzen entfernt werden.
Beim Aufbringen der äußeren Isolierschicht oder Deckschicht
46 kann sich eine Schicht des für die Deckschicht verwen
deten Materials durch die Öffnungen 45 hindurch auf der
unteren Isolierschicht 41 niederschlagen. Eine derartige
Schicht hat jedoch nur einen geringen Einfluß auf die
Charakteristika eines Piezowiderstands-Druckwandlers.
In einem in Fig. 7E dargestellten Schritt werden die Piezo
widerstandselemente 47 ausgebildet, indem eine Polysilikon
schicht durch Aufdampfen auf die Deckschicht 46 aufgebracht
wird und überflüssige Bereiche der Polysilikonschicht dann
durch Fotoätzen entfernt werden. Die aus Polysilikon
gebildeten Piezowiderstandselemente 47 sind bis zu einem
vorbestimmten Grad mit Verunreinigungen dotiert.
In einem in Fig. 7F gezeigten Schritt wird die äußere
Isolierschicht 48 auf die Piezowiderstandselemente 47 und
die Deckschicht 46 aufgebracht, worauf dann die Kontakt
öffnungen durch Fotoätzen in der äußeren Isolierschicht 48
ausgebildet werden. In dem in Fig. 7G gezeigten Schritt
werden dann die metallenen Leiter 49 ausgebildet, indem
eine Schicht aus einem Metall, z.B. Aluminium, aufgebracht
und entsprechend einem vorbestimmten Muster geätzt wird.
Damit ist dann der in Fig. 6A und 6B gezeigte Druckwandler
fertiggestellt.
In der dritten Ausführungsform kann anstelle der Silizium
unterlage auch eine isolierende Unterlage verwendet
werden, wobei dann die untere Isolierschicht 41 wegfallen
kann.
Eine vierte Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 8A,
8 B und 9 A bis 9 H dargestellt. In dieser vierten Ausführungs
form hat ein Druckwandler eine erste und eine zweite von
Öffnungen durchsetzte Schicht 56 bzw. 60, um das Eindringen
von Deckschichtmaterial durch die Öffnungen zu verhindern.
Wie in der Ausführungsform nach Fig. 1A und 1B handelt es
sich bei der Ausführungsform nach Fig. 8A und 8B um einen
Druckwandler des kapazitiven Typs mit einer n-leitenden
Unterlage 21, einem hoch dotierten, n⁺-leitenden Diffu
sionsbereich 22, welcher die untere Elektrode bildet, einer
unteren Isolierschicht 23, einer Tragschicht 24 mit einem
Hohlraum 25, einer die obere Elektrode darstellenden Deck
schicht 28, einer äußeren Isolierschicht 29 und metallenen
Leitern 30.
Bei dem Druckwandler nach Fig. 8A und 8B sind die inneren
Schichten der Membrane 31 anders als in der ersten Ausfüh
rungsform, in welcher nur eine einzige von Öffnungen durch
setzte obere Isolierschicht 26 vorhanden ist, durch die
erste und die zweite jeweils von Öffnungen durchsetzte
Isolierschicht 56 bzw. 60 und eine Zwischenschicht 58
gebildet.
Die erste Isolierschicht 56 ist auf der Tragschicht 24 aus
gebildet, so daß sie den Hohlraum 25 überdeckt. Sie hat im
Bereich des Hohlraums 25 eine Vielzahl von ersten Öffnungen
57. Die Zwischenschicht 58 ist von zahlreichen Durchlässen
59 durchsetzt und auf der ersten Isolierschicht 56 ausge
bildet. Die zweite Isolierschicht 60 hat eine Vielzahl von
zweiten Öffnungen 61 und ist auf die Zwischenschicht 58
aufgebracht. Die Durchlässe 59 und Öffnungen 61 sind
jeweils über dem Hohlraum 25 angeordnet.
Die ersten und zweiten Öffnungen 57 bzw. 61 sind zueinander
versetzt ausgebildet, so daß sie einander in der in Fig. 8B
gezeigten Draufsicht nicht überlappen. Die Durchlässe 59
der Zwischenschicht 58 verbinden jeweils eine erste Öffnung
57 mit einer zweiten Öffnung 61. Dabei reicht jeweils ein
Ende jedes Durchlasses 59 über eine erste Öffnung 57 und
das andere Ende desselben über eine zweite Öffnung 61 hin
weg. Wie man in Fig. 8B erkennt, sind jeweils die gleichen
Anzahlen von ersten Öffnungen 57, Durchlässen 59 und
zweiten Öffnungen 61 vorhanden und in einem rechteckigen
Muster angeordnet, dessen einzelne Elemente jeweils aus
einer ersten Öffnung 57, einem Durchlaß 59 und einer
zweiten Öffnung 61 bestehen. Bei jedem dieser Elemente
sind die erste Öffnung 57 und die zweite Öffnung 61 senkrecht
und parallel zueinander versetzt angeordnet, während sich
der Durchlaß 59 von der ersten Öffnung 57 quer zur zweiten
Öffnung 61 erstreckt, so daß insgesamt ein gekröpfter Durch
laß entsteht.
Der Wandler nach Fig. 8A und 8B hat die gleiche Wirkungs
weise wie der in Fig. 1A und 1B gezeigte Wandler.
Fig. 9A bis 9H zeigen aufeinander folgende Schritte eines
Verfahrens für die Fertigung des Wandlers nach Fig. 8A
und 8B.
In dem in Fig. 9A gezeigten Schritt wird zunächst der hoch
dotierte Diffusionsbereich 22 in der Oberfläche der Unter
lage 21 ausgebildet, darauf wird durch thermische Oxidation
die untere Isolierschicht 23 gebildet und schließlich wird
die Polysilikonschicht 24 auf die untere Isolierschicht 23
aufgebracht. Zur Bildung der Polysilikonschicht wird eine
Polysilikonschicht mit einer Stärke von mehreren Mikro
metern durch Vakuumbedampfung aufgebracht, worauf über
flüssige Teile durch Fotoätzen entfernt werden, so daß
allein ein Bereich 66 zurückbleibt. Darauf wird dann die
Polysilikonschicht 24 mit Ausnahme eines mittleren Bereichs
67 stark mit Bor dotiert. Das Dotieren kann beispielsweise
durch Ionenimplantation erfolgen. Die Dotierungskonzentra
tion des den abgedeckten mittleren Bereich 67 umgebenden
Umfangsbereichs der Schicht 24 beträgt wenigstens etwa
10²⁰ Atome pro cm³.
In einem in Fig. 9B gezeigten nächsten Schritt wird die
erste Isolierschicht 56 aus SiO₂ und/oder Si₃N₄ durch
Bedampfen im Vakuum auf die Polysilikonschicht 24 aufge
bracht und mit den ersten Öffnungen 57 versehen.
In einem in Fig. 9C gezeigten folgenden Schritt wird die
Zwischenschicht 58 durch Vakuumbedampfung der ersten Isolier
schicht 56 mit einer Polysilikonschicht und Entfernen von
überflüssigen Teilen gebildet, so daß nur ein Bereich 68
zurückbleibt. Die Polysilikon-Zwischenschicht 58 wird dann
stark mit Bor dotiert, mit Ausnahme derjenigen Bereiche,
welche anschließend weggeätzt werden sollen, um die Durch
lässe 59 zu bilden. Die Dotierungskonzentration beträgt
wiederum wenigstens etwa 10²⁰ Atome pro cm³.
In dem in Fig. 9D gezeigten Schritt wird die zweite Isolierschicht
60 aus SiO₂ und/oder Si₃N₄ durch Vakuumbedam
fung oder thermische Oxidation auf der Polysilikon-Zwischen
schicht 58 gebildet und anschließend an vorbestimmten
Stellen mit den zweiten Öffnungen 61 versehen, so daß diese
sich nicht mit den ersten Öffnungen 57 überlappen.
Bei dem in Fig. 9E gezeigten Schritt werden die Durchlässe
59 und der Hohlraum 25 durch Wegätzen der Bereiche 69 der
Zwischenschicht 58 und des mittleren Bereichs 67 der Poly
silikon-Tragschicht 24 durch die zweiten und ersten Öff
nungen 61 bzw. 57 hindurch ausgebildet. Das Ätzen erfolgt
mittels einer stark alkalischen Ätzflüssigkeit, durch
welche die stark dotierten Bereiche der Schichten 58 und
24 kaum angegriffen werden.
In dem in Fig. 9F gezeigten Schritt wird eine dünne leitende
Schicht von vorbestimmter Stärke durch Vakuumbedampfen,
Kathodenzerstäubung, Plasmabedampfung oder nach einem
sonstigen Verfahren auf die zweite Isolierschicht 60 auf
gebracht, während der Chip in einer Unterdruckkammer gehal
ten wird, in welcher ein Vakuum von wenigstens etwa 10 torr
herrscht. Zur fertigen Ausbildung der Deckschicht 28 werden
überflüssige Bereiche der leitenden Schicht durch Fotoätzen
entfernt. Die Deckschicht 28 überdeckt die zweiten Öffnungen
61 und dichtet damit den Hohlraum 25 ab.
In diesem Falle kann in dem Hohlraum 25 auf der unteren
Isolierschicht 23 keine leitende Schicht entstehen, da die
ersten Öffnungen 57 nicht unterhalb der jeweiligen zweiten
Öffnungen 61 liegen, sondern diesen gegenüber versetzt
angeordnet sind.
In dem in Fig. 9G dargestellten Schritt wird durch ther
mische Oxidation oder Vakuumbedampfen die äußere Isolier
schicht 29 ausgebildet und mit Kontaktöffnungen versehen.
In dem in Fig. 9H gezeigten Schritt werden dann die
metallenen Leiter 30 ausgebildet, womit der in Fig. 8A
und 8B gezeigte Wandler fertiggestellt ist.
Eine fünfte Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 10
dargestellt. Der hier gezeigte Druckwandler hat eine
Membrane von der gleichen Art wie der in Fig. 8A, 8 B dar
gestellte, während seine untere Elektrode 71 in der gleichen
Weise ausgeführt ist wie die untere Elektrode 54 des in
Fig. 5 gezeigten Wandlers. Die untere Elektrode ist hier
in Form einer dünnen leitenden Schicht auf eine Isolier
schicht 70 aufgebracht, welche ihrerseits auf der Silizium
unterlage 21 ausgebildet ist. Möglich ist auch die Verwen
dung einer isolierenden Unterlage.
Fig. 11A und 11B zeigen eine sechste Ausführungsform der
Erfindung. Bei dem hier dargestellten Wandler handelt es
sich um einen Piezowiderstands-Druckwandler mit einem oder
mehreren Piezowiderstandselementen 47 der in Fig. 6A dar
gestellten Art, wobei jedoch die Membrane 50 des in
Fig. 11A und 11B gezeigten Wandlers in der gleichen Weise
ausgebildet ist wie die Membrane des Wandlers nach Fig. 8A.
Wie man in Fig. 11A erkennt, bestehen die inneren Schichten
der Membrane 50 aus einer ersten Isolierschicht 74 mit einer
Anzahl von ersten Öffnungen 75, einer Zwischenschicht 76
mit einer entsprechenden Anzahl von Durchlässen 77 und
einer zweiten Isolierschicht 78 mit einer entsprechenden
Anzahl von zweiten Öffnungen 79. In Fig. 11B ist zu erken
nen, daß die Öffnungen 75, 79 und Durchlässe 77 in der
gleichen Weise angeordnet sind wie bei dem in Fig. 8A und 8B
gezeigten Wandler.
Die dünne isolierende Deckschicht 46 ist auf der zweiten
Isolierschicht 78 ausgebildet. Die Piezowiderstandselemente
47 aus Polysilikon sind an vorbestimmten Stellen auf der
Deckschicht 46 gebildet, durch die äußere Isolierschicht 48
abgedeckt und mit den metallenen Leitern 49 verbunden.
Wie man aus vorstehender Beschreibung erkennt, werden die
Bezugsdruckkammer und das druckempfindliche Element des
erfindungsgemäßen Druckwandlers gleichzeitig ausgebildet.
Dies ermöglicht die Fertigung von großen Anzahlen von
Sensorchips mit darin integrierten Unterdruck- bzw. Bezugs
druckkammern durch gleichzeitige Bearbeitung einer Charge
von Siliziumwafers, wodurch eine entsprechende Verringerung
der Stückkosten erzielbar ist.
Das Verfahren für die Fertigung des erfindungsgemäßen
Druckwandlers ist mit Verfahren für die Fertigung von
integrierten Schaltungen kompatibel. Deshalb können auf
ein und demselben Chip elektronische Elemente für die
Verarbeitung des Ausgangssignals des Druckwandlers unter
gebracht oder ausgebildet werden.
Ferner läßt sich eine vorgegebene Stärke der druckempfind
lichen Membrane genau einhalten. Daher ermöglicht die
Erfindung eine Verkleinerung der Abmessungen der Membrane
und damit des Chips insgesamt, so daß sich eine weitere
Verringerung der Fertigungskosten erzielen läßt.
Claims (20)
1. Druckwandler gekennzeichnet durch
eine Unterlage (21, 40), durch eine Schichtmembrane (31,50),
durch eine zwischen der Unterlage und der Schichtmembrane
angeordnete Tragschicht (24, 42) mit einer darin ausgebil
deten Öffnung, deren beide Seiten zur Bildung eines als
Bezugsdruckkammer dienenden, hermetisch abgedichteten Hohl
raums (25, 43) durch die Unterlage bzw. durch die Schicht
membrane verschlossen sind, und durch eine Einrichtung
(22, 30, 47, 54) zum Umwandeln einer Bewegung der Schicht
membrane in ein elektrisches Signal.
2. Druckwandler nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Schichtmembrane eine sich zur
Bildung einer Innenwandfläche des Hohlraums über die Öff
nung des Tragschicht erstreckende, von einer Anzahl von
in den Hohlraum mündenden Öffnungen (27, 45, 57, 59, 61)
durchsetzte innere Schicht (26, 44, 56, 58, 60, 74, 76, 78)
und eine auf der inneren Schicht ausgebildete Deckschicht
(28, 46) aufweist, welche die Öffnungen zur Abdichtung des
Hohlraums verschließt.
3. Druckwandler nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die innere Schicht eine erste Schicht
(26, 44, 56, 74) aus einem Werkstoff aufweist, welcher von
einem Werkstoff der Tragschicht verschieden ist.
4. Druckwandler nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß er nach einem einen ersten Schritt
zur Bildung der Tragschicht auf der Unterlage, einen zweiten
Schritt zur Bildung der inneren Schicht auf der Tragschicht
und zur Bildung der Öffnungen in der inneren Schicht durch
Ätzen, einen dritten Schritt zur Bildung des Hohlraums in
der Tragschicht durch Ätzen durch die Öffnungen der inneren
Schicht hindurch und einen vierten Schritt für die Bildung
der Deckschicht auf der inneren Schicht und zum Abdichten
des Hohlraums umfassenden Verfahren gefertigt ist.
5. Druckwandler nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tragschicht aus Silizium und die
erste Schicht der Schichtmembrane aus einem isolierenden
Werkstoff ist.
6. Druckwandler nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tragschicht aus Polysilikon ist.
7. Druckwandler nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Einrichtung zum Umwandeln einer
Bewegung der Membrane in ein elektrisches Signal vom
kapazitiven Typ ist, bei welchem durch eine Bewegung der
Membrane eine Änderung der Kapazitanz zwischen einer unter
dem Hohlraum gebildeten unteren Elektrode und einer durch
die Deckschicht der Schichtmembrane gebildeten oberen
Elektrode bewirkbar ist.
8. Druckwandler nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Unterlage eine dicke Silizium
schicht (21) eines ersten Leitertyps, einen in der dicken
Schicht ausgebildeten und die untere Elektrode darstellen
den hochdotierten Diffusionsbereich (22) eines dem ersten
Leitertyps entgegengesetzten zweiten Leitertyps und eine
auf dem Diffusionsbereich ausgebildete untere Isolierschicht
(23) aufweist, welche eine untere Innenwandfläche des
Hohlraums bildet.
9. Druckwandler nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die untere Elektrode (54, 71) auf der
Unterlage ausgebildet ist.
10. Druckwandler nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Einrichtung zum Umwandeln einer
Bewegung der Membrane in ein elektrisches Signal in der
Schichtmembrane ausgebildete Piezowiderstandskomponenten
(47) aufweist wobei die Bewegung der Schichtmembrane in
eine Änderung des Widerstands der Piezowiderstandskomponen
ten umwandelbar ist.
11. Druckwandler nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die innere Schicht der Schichtmembrane
ferner eine auf der ersten Schicht (56, 74) ausgebildete
Zwischenschicht (58, 76) und eine auf der Zwischenschicht
ausgebildete zweite Schicht (60, 78) aufweist, und daß
jede Öffnung der inneren Schicht eine in der ersten Schicht
gebildete erste Öffnung (57, 75), eine an einer gegenüber
der ersten Öffnung versetzten Stelle in der zweiten Schicht
ausgebildete zweite Öffnung (61, 79) und einen in der
Zwischenschicht ausgebildeten Durchlaß (59, 77) aufweist,
welcher die erste und die zweite Öffnung miteinander ver
bindet.
12. Druckwandler nach Anspruch 11, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tragschicht und die Zwischenschicht
aus Silizium sind und die erste und die zweite Schicht aus
einem isolierenden Werkstoff sind.
13. Verfahren für die Fertigung eines Druckwandlers,
dadurch gekennzeichnet, daß es einen ersten
Schritt für die Bildung einer Tragschicht auf einer Unter
lage, einen zweiten Schritt für die Bildung einer inneren
Schicht auf der Tragschicht und für die Ausbildung von
Öffnungen in der inneren Schicht durch Ätzen, einen dritten
Schritt für die Ausbildung eines Hohlraums in der Trag
schicht unter der inneren Schicht durch Ätzen durch die
Öffnungen der inneren Schicht hindurch und einen vierten
Schritt für die Bildung einer Deckschicht zum dichten Ver
schließen des Hohlraums auf der inneren Schicht umfaßt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß die innere Schicht eine erste Schicht
aus einem Material aufweist, welches vom Material der Trag
schicht verschieden ist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tragschicht aus Silizium ist und
die erste Schicht aus einem isolierenden Material ist.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tragschicht im ersten Schritt
selektiv dotiert wird, so daß sie einen nicht dotierten
mittleren Bereich und einen diesen umgebenden hoch dotier
ten Umfangsbereich erhält, und daß der dritte Schritt aus
geführt wird, indem der mittlere Bereich der Tragschicht
weggeätzt wird, während der hoch dotierte Umfangsbereich
ungeätzt bleibt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekenn
zeichnet, daß der dritte Schritt ausgeführt wird,
indem man ein stark alkalisches Ätzmittel durch die Öff
nungen der inneren Schicht hindurch auf den mittleren
Bereich der Tragschicht einwirken läßt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekenn
zeichnet, daß der vierte Schritt in einem Vakuum
ausgeführt wird, so daß der Hohlraum bis zu einem vorbe
stimmten Unterdruck evakuiert wird.
19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß im zweiten Schritt die erste Schicht
auf der Tragschicht ausgebildet und mit ersten Öffnungen
versehen wird, eine Zwischenschicht auf der ersten Schicht
ausgebildet wird und eine zweite Schicht auf der Zwischen
schicht ausgebildet und mit zweiten Öffnungen versehen wird,
welche derart angeordnet sind, daß die ersten und zweiten
Öffnungen einander nicht überlappen, und daß der dritte
Schritt ausgeführt wird, indem die Zwischenschicht durch
die zweiten Öffnungen hindurch selektiv geätzt wird, so
daß eine Strömungsverbindung jeder zweiten Öffnung mit einer
der ersten Öffnungen entsteht, und die Tragschicht durch
die ersten und zweiten Öffnungen hindurch selektiv geätzt
wird, um den Hohlraum darin auszubilden.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tragschicht und die Zwischenschicht
aus Silizium sind, daß die Tragschicht im ersten Schritt
selektiv dotiert wird, so daß sie einen im dritten Schritt
ungeätzt bleibenden hoch dotierten Umfangsbereich und einen
von diesem umgebenen, im dritten Schritt wegzuätzenden
undotierten mittleren Bereich erhält, und daß im zweiten
Schritt die Zwischenschicht selektiv dotiert wird, so daß
sie insgesamt hoch dotiert ist und eine Anzahl von un
dotierten Bereichen erhält, welche jeweils über einer der
ersten Öffnungen liegen und im dritten Schritt weggeätzt
werden.
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