JP5123559B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1におけるMEMSの平面図を図1、図7に、断面図を図2〜図5に示す。また、本実施の形態1におけるMEMSの拡大平面図を図6に示す。
図10は本発明の実施の形態2におけるMEMSを模式的に示すチップ平面図であり、図11は図10のパッドの接続を示す説明図である。パッド101、102、103は外部から素子領域203の各素子へ電源や信号を供給するボンディング用パッドであると同時に、プローブ検査の際に使用するパッドでもある。検査領域301は、チップ202を分割した領域を示しており、4つの領域に分割している。すなわち、チップ202のプローブ検査を4つの領域に分割して行う。パッド111、112は外部から素子領域203の各素子へ電源や信号を供給するためにのみ使用するボンディング用パッドであり、パッド121、122はプローブ検査のみで使用するパッドである。図6に示すようにボンディング用パッド111はチップ上の配線211により各検査領域301のプローブ検査用パッド121に接続されている。同様に、ボンディング用パッド112はチップ上の引き回し配線212により各検査領域301のプローブ検査用パッド122に接続されている。
図12は本発明の実施の形態3におけるMEMSを模式的に示すチップ平面図である。202はチップ、203はセンサやアクチュエータが形成された素子領域である。101、102、103、104は外部から素子領域203の各素子へ電源や信号を供給するボンディング用パッドであると同時に、プローブ検査の際に使用するパッドでもある。301、302、303、304は、チップ202を分割した検査領域を示しており、4つの領域に分割している。すなわち、チップ202のプローブ検査を4つの領域に分割して行う。
図16は本発明の実施の形態4におけるMEMSを模式的に示すチップ平面図である。202はチップ、203はセンサやアクチュエータが形成された素子領域である。パッド101、102、103、104、105は外部から素子領域203の各素子へ電源や信号を供給するボンディング用パッドであると同時に、プローブ検査の際に使用するパッドでもある。検査領域301、302、303、304は、チップ202を分割した検査領域を示しており、4つの領域に分割している。すなわち、チップ202のプローブ検査を4つの検査領域に分割して行う。401は各検査領域のパッド配置を同じにするために設けたダミーパッドである。
2 絶縁膜
3 導電膜(下部電極)
4 絶縁膜
5 犠牲層
6 絶縁膜
7 導電膜(上部電極)
8 絶縁膜
9 孔
10 空洞部
101、102、103、104、105 パッド(ボンディング兼プローブ検査用)
111、112 パッド(ボンディング用)
121、122 パッド(プローブ検査用)
201 ウェハ
202 チップ領域(チップ)
203 素子領域
211、212 引き回し配線
301、302、303、304 検査領域
401 ダミーパッド
Claims (10)
- 基板の主面に形成された素子と電気的に接続された複数の第1パッドおよび複数の第2パッドを有するチップを備え、
前記複数の第1パッドおよび前記複数の第2パッドが、前記チップの主面を同じ大きさで分割された複数の領域のそれぞれに配置され、
前記複数の領域のそれぞれに配置された前記第1パッドおよび前記第2パッドのそれぞれは、平行移動あるいは回転移動によって前記複数の領域を平面的に重ね合わせた場合に一致するように配置され、
前記素子は、
前記基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極上に設けられた空洞部と、
前記空洞部上に設けられた第2電極と、
から構成され、
前記第1パッドが、前記第1電極と電気的に接続されており、
前記第2パッドが、前記第2電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記チップは、更に、前記第1パッドと電気的に接続された第3パッドを有し、
前記第3パッドが、前記複数の領域外にレイアウトされ、
前記第1パッドには、ワイヤボンディングされておらず、
前記第2パッドおよび前記第3パッドには、ワイヤボンディングされていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の領域のうちの少なくとも1つの領域は、さらに、前記素子と電気的に接続された第4パッドを有し、
前記複数の領域のうちの他の領域は、さらに、前記素子と電気的に接続されていないダミーパッドを有し、
前記少なくとも1つの領域に配置された前記第4パッドと、前記他の領域に配置された前記ダミーパッドとは、平行移動あるいは回転移動によって前記少なくとも1つの領域と前記他の領域とを平面的に重ね合わせた場合に一致するように配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の第1パッドおよび前記複数の第2パッドのレイアウトが、前記チップを90°回転移動、または180°回転させたときに、前記複数の領域のそれぞれで同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記チップは、矩形状であり、一辺が3cm以上であることを特徴とする半導体装置。 - 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)複数の第1領域、および前記複数の第1領域のそれぞれで分割される複数の第2領域を有し、前記第1領域に半導体プロセスによって形成された素子を有する基板を準備する工程、
(b)前記工程(a)の後、前記素子と電気的に接続される複数の第1パッドおよび複数の第2パッドを、前記複数の第2領域のそれぞれに形成する工程、
(c)前記工程(b)の後、前記複数の第1パッドおよび前記複数の第2パッドを介して、前記複数の第2領域のそれぞれを同一のプローブカードによって検査する工程、
(d)前記工程(c)の後、前記基板をダイシングして、前記複数の第1領域から複数のチップを取り出す工程、
ここで、前記工程(b)において、前記複数の第2領域のそれぞれに配置された前記第1パッドおよび前記第2パッドのそれぞれは、平行移動あるいは回転移動によって前記複数の第2領域を平面的に重ね合わせた場合に一致するように形成され、
前記素子は、
前記基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極上に設けられた空洞部と、
前記空洞部上に設けられた第2電極と、
から構成され、
前記第1パッドが、前記第1電極と電気的に接続されており、
前記第2パッドが、前記第2電極と電気的に接続されている。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(b)では、前記複数の第1パッドおよび前記複数の第2パッドを、前記チップを90°回転移動、または180°回転させたときに、前記複数の第2領域のそれぞれで同じとなるようにレイアウトすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法は、更に以下の工程を含む:
(e)前記工程(b)と同時に、前記第1パッドと電気的に接続される第3パッドを、前記複数の第2領域外にレイアウトする工程、
(f)前記工程(d)の後、前記第2パッドおよび前記第3パッドにワイヤボンディングする工程。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法は、更に以下の工程を含む:
(g)前記工程(c)の後、前記工程(f)の前に、互いに電気的に接続されている前記第1パッドと前記第3パッドとの間を、前記第3パッドとの近傍で前記第1パッドと前記第3パッドの電気的接続を切断する工程。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(b)は、さらに、前記複数の第2領域のうちの少なくとも1つの第2領域に、前記素子と電気的に接続された第4パッドを形成し、
前記工程(b)は、さらに、前記複数の第2領域のうちの他の第2領域に、前記素子と電気的に接続されていないダミーパッドを形成し、
前記少なくとも1つの第2領域に配置された前記第4パッドと、前記他の第2領域に配置された前記ダミーパッドとは、平行移動あるいは回転移動によって前記少なくとも1つの第2領域と前記他の第2領域とを平面的に重ね合わせた場合に一致するように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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