JP5544183B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る半導体装置を概略的に示す断面図である。
続いて、第2の実施形態について説明する。図7は、第2の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す図である。図7には、各上部配線層8(8−2〜8−5)にけるダミーメタル7のレイアウトが示されている。図3と同様に、図7においても、特性チェック素子4のレイアウトが重ねられて示されている。
続いて、第3の実施形態について説明する。図8は、第3の実施形態に係る半導体装置を概略的に示す図である。図8には、各上部配線層8(8−2〜8−5)にけるダミーメタル7のレイアウトが示されている。図3と同様に、図8においても、特性チェック素子4のレイアウトが重ねられて示されている。
続いて、第4の実施形態について説明する。図9は、本実施形態に係る半導体装置を概略的に示す図である。図3と同様に、図9には、各上部配線層8(8−2〜8−5)におけるダミーメタル7のレイアウトが示されている。図3と同様に、図9においても、特性チェック素子4のレイアウトが重ねられて示されている。
2 第2領域
4 特性チェック素子
5 電極パッド
6 ビア層
7 ダミーメタル
8 (8−1〜8−5)配線層
10 隣接領域
11 通常領域
12 ダミーメタル配線
13 スクライブ線
16 チップ領域
26 パターン
27 ビア
28 パターン
31 Si基板
32 Si基板上の拡散層
33 コンタクト層間膜(SiO膜)
34 エッチングストッパ膜(SiCN,SiN)
43 層間膜(Low−k膜(低誘電率膜),SiO膜)
52 カバー膜
Claims (10)
- 特性チェック素子と、
前記特性チェック素子よりも上層に位置し、ダミーメタルが配置された、上部配線層と、
を具備し、
前記上部配線層は、
前記特性チェック素子に重なる第1領域と、
前記特性チェック素子に重ならない第2領域とを備え、
前記第2領域は、
前記第1領域に隣接するように配置された、隣接領域と、
前記第1領域から前記隣接領域を介して離隔して設けられた、通常領域とを含み、
前記第1領域における前記ダミーメタルの密度は、前記第2領域における前記ダミーメタルの密度よりも、小さく、
前記隣接領域における前記ダミーメタルの密度は、前記通常領域における前記ダミーメタルの密度よりも、高い
半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置であって、
前記上部配線層は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により平坦化された層である
半導体装置。 - 請求項1又は2に記載された半導体装置であって、
前記第1領域における前記ダミーメタルの密度は、ゼロである
半導体装置。 - 請求項1又は2に記載された半導体装置であって、
前記第1領域における前記ダミーメタルの密度は、前記第2領域における前記ダミーメタルの密度の95%以下である
半導体装置。 - 請求項1乃至4の何れかに記載された半導体装置であって、
前記第1領域においては、前記ダミーメタルが、前記特性チェック素子と重ならないように伸びて、ダミーメタル配線を形成している
半導体装置。 - 請求項1乃至5の何れかに記載された半導体装置であって、
前記特性チェック素子は、半導体ウェハに設定されるスクライブ線上に形成されている
半導体装置。 - 請求項1乃至5の何れかに記載された半導体装置であって、
前記特性チェック素子は、半導体ウェハにおいてスクライブ線で囲まれる領域であるチップ領域の角部に設けられている
半導体装置。 - 請求項1乃至7の何れかに記載された半導体装置であって、
前記特性チェック素子は、プロセス開発TEG(Test Element Group)、及び回路評価用TEGの少なくとも一方を実現するパターンを含んでいる
半導体装置。 - 請求項1乃至7の何れかに記載された半導体装置であって、
前記特性チェック素子は、配線抵抗を検査するための配線抵抗検査用素子、ビア抵抗を検査する為のビアチェーン、コンタクト抵抗を検査するためのコンタクト抵抗検査用素子、配線容量を検査するための配線容量検査用素子、トランジスタ特性を検査するためのトランジスタ特性検査素子、及びSRAMの特性を検査するためのSRAM特性検査用素子からなる集合から選ばれる少なくとも一種類のパターンを含んでいる
半導体装置。 - 請求項1乃至9の何れかに記載された半導体装置であって、
前記特性チェック素子は、レーザ光が照射されることにより特性が検査される素子である
半導体装置。
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JP3239839B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2001-12-17 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路チップ上の配線試験方法及びその装置 |
JP2000294730A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | システムlsiチップ及びその製造方法 |
JP2008311455A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の耐熱応力評価方法、及び評価素子を有する半導体ウエハ |
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