DE10022266A1 - Verfahren zum Herstellen und Verschließen eines Hohlraums für Mikrobauelemente oder Mikrosysteme - Google Patents

Abstract

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen und Verschließen eines Hohlraumes für Mikrobauelemente oder Mikrosysteme, bei dem zunächst auf einem Substrat (12) eine Opferschicht und dann eine substratnahe Deckelschicht (16) abgeschieden werden. In die Deckelschicht (16) werden substratnahe Durchgangsöffnungen (18) geätzt. Danach werden eine Zwischenschicht (24) und eine substratferne Deckelschicht (26) abgeschieden, in welche zu den substratnahen Durchgangsöffnungen (18) seitlich versetzte (V) substratferne Durchgangsöffnungen (32) eingebracht werden. Anschließend wird in einem nasschemischen Ätzprozess ein Ätzkanal (112) im Bereich der Zwischenschicht (24) freigelegt und ein Hohlraum (34) in die Opferschicht geätzt. Ein einfacher und wirkungsvoller Verschluss des Hohlraumes (34) wird durch eine Verschlussschicht (50) gewährleistet.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen und Ver­ schließen eines Hohlraumes für Mikrobauelemente oder Mikrosy­ steme.

Aus der europäischen Patentanmeldung EP 0 783 108 ist ein Verfahren bekannt, bei dem zunächst auf der Oberfläche eines Substrats eine Opferschicht aus einem nasschemisch ätzbaren Material abgeschieden wird. In einem nächsten Verfahrens­ schritt wird auf der Oberfläche der Opferschicht eine Deckel­ schicht aus polykristallinem Silizium, Siliziumnitrid oder einem anderen geeigneten Material abgeschieden. In die Dek­ kelschicht wird mit Hilfe eines Lithographieverfahrens eine Durchgangsöffnung eingebracht. Anschließend wird in einem nasschemischen Ätzprozess zumindest ein Bereich der Opfer­ schicht zur Freilegung des Hohlraums entfernt. Nach dem Ätz­ prozess wird auf der Deckelschicht eine Verschlussschicht ab­ geschieden.

Bei dem bekannten Verfahren wird als Verschlussmaterial ein hochdotiertes Silikatglas aufgebracht, nämlich BSPG (Bor- Phosphor-Silikatglas). Beim Aufbringen des Silikatglases verbleibt im Zentrum der Öffnungen jeweils ein kleiner Kanal, der erst durch Verflüssigung des Silikatglases beseitigt wer­ den kann. Das Verflüssigen hat jedoch den Nachteil, dass das Glas in den Hohlraum "kriecht" und dessen Innenwände mit ei­ ner dünnen Schicht überzieht. Diese Schicht im Hohlraum ist für viele Anwendungen störend.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrobauelementes anzugeben, bei dem der Hohlraum auf einfache Art und ohne Eindringen von Verschlussmaterial in den Hohlraum verschlossen werden kann. Außerdem sollen ein mit dem Verfahren hergestelltes Bauelement und ein das Bau­ element enthaltende Mikrosystem angegeben werden.

Die das Verfahren betreffende Aufgabe wird durch die im Pa­ tentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Bevor­ zugte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, dass ein einfaches Verschließen, bei dem kein oder nur sehr wenig Verschlussma­ terial in den Hohlraum eindringt, nur dann gewährleistet ist, wenn die Öffnungen den Teilchen des Verschlussmaterials kei­ nen direkten Weg in den Hohlraum eröffnen. Weiterhin sollten die Durchgangsöffnungen bei einem einfachen Verfahren ande­ rerseits oberhalb des Hohlraumes angeordnet werden.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren werden deshalb zusätzlich zu den eingangs genannten Verfahrensschritten, bei denen nur eine einzige Deckelschicht aufgebracht wird, die im Folgenden als substratnahe Deckelschicht bezeichnet wird, weitere Ver­ fahrensschritte durchgeführt. Auf die Innenflächen der Durch­ gangsöffnung in der substratnahen Deckelschicht sowie auf die durch die Durchgangsöffnung freigelegten Bereiche der Opfer­ schicht wird vor dem Ätzprozess eine Zwischenschicht aus nasschemisch ätzbarem Material abgeschieden. Anschließend wird auf der Oberfläche der Zwischenschicht eine sub­ stratferne Deckelschicht abgeschieden. In die substratferne Deckelschicht wird mindestens eine substratferne Durch­ gangsöffnung mit seitlichem Versatz zu der bzw. zu den sub­ stratnahen Durchgangsöffnungen eingebracht. Der seitliche Versatz tritt zusätzlich zu dem durch die Lage in unter­ schiedlichen Schichten auftretenden vertikalen Versatz auf und verläuft in Richtung einer durch die Grenze der substrat­ nahen Deckelschicht und der Opferschicht gebildeten Ebene. Durch die Wahl der Dicke der Zwischenschicht und durch die Anordnung der Durchgangsöffnungen in den beiden Deckelschich­ ten eröffnen sich dem Fachmann eine Vielzahl von Möglichkei­ ten, um oberhalb des Hohlraumes Ätzkanäle anzulegen, die aufgrund ihres Verlaufes und ihrer Breite eine vertretbare Ätz­ zeit ermöglichen und später beim Verschließen den erforderli­ chen Schutz gegen direkten Materialeintritt bieten. Beim er­ findungsgemäßen Verfahren werden dann während des Ätzprozes­ ses zumindest Bereiche der Zwischenschicht zur Schaffung ei­ nes zur Opferschicht führenden Ätzkanals und zumindest Be­ reiche der Opferschicht zur Freilegung des Hohlraumes ent­ fernt.

Bei einer Weiterbildung ragt die substratferne Deckelschicht in die substratnahen Durchgangsöffnungen hinein. Die hinein­ ragenden Bereiche verkleinern die substratnahen Durch­ gangsöffnungen und bilden so ein zusätzliches Hindernis für das Verschlussmaterial.

Sollen größere Hohlräume geätzt werden, so enthält jede Dec­ kelschicht bei einer Weiterbildung mehrere Öffnungen, die vorzugsweise gemäß einem gleichmäßigen Raster ausgerichtet sind, beispielsweise entlang einer Linie oder an den Gitter­ punkten eines zweidimensionalen Netzes. Der Abstand zwischen benachbarten Öffnungen beträgt vorzugsweise das Zwei- bis Zwanzigfache der Ausdehnung der Öffnungen in einer Richtung, in der die nächste Öffnung liegt. Durch einen großen Abstand der Öffnungen verlängert sich zwar die Ätzdauer, jedoch blei­ ben die mechanischen Eigenschaften der Deckelschicht im we­ sentlichen unverändert. Dies ist insbesondere beim Einsatz der Deckelschicht als Membran wichtig.

Bei einer nächsten Weiterbildung sind die übereinanderliegen­ den Raster der beiden Deckelschichten zueinander seitlich versetzt. Vorzugsweise ist der Versatz kleiner als der halbe Abstand zwischen benachbarten Öffnungen, damit die Ätzflüs­ sigkeit bereits nach einem kurzen Ätzprozess eine Verbindung zwischen benachbarten Öffnungen verschiedener Deckelschichten schafft. Vorzugsweise liegt der Versatz der Raster auch bei großem Abstand der Öffnungen eines Rasters nur etwa in der Größe der Ausdehnung der Öffnungen in Aufreihrichtung.

Bei einer nächsten Weiterbildung wird für die Verschluss­ schicht ein Material verwendet, das den Hohlraum gasdicht verschließt. Dabei werden fließfähige oder nichtfließfähige Materialien eingesetzt. Durch das gasdichte Verschließen lässt sich im Hohlraum ein vom Atmosphärendruck abweichender Druck einstellen, falls die Verschlussschicht bei einem Pro­ zessdruck abgeschieden wird, der sich vom Atmosphärendruck unterscheidet.

Bei einer nächsten Weiterbildung wird nach dem Ätzen und ei­ nem gegebenenfalls erforderlichen Trockenschritt als Ver­ schlussschicht ein undotiertes Oxid verwendet. Das Oxid verschließt die zum Hohlraum führenden Kanäle zwischen den Deckelschichten. Anschließend wird hochdotiertes Silikatglas auf dem Oxid abgeschieden und bei einer hohen Temperatur verflüssigt. Die Oxidschicht verhindert, dass das Silikatglas in den Hohlraum kriecht. Außerdem wird durch die Oxidschicht verhindert, dass aus dem heißen Silikatglas beim Verflüssigen Teilchen in den Hohlraum gelangen. Im Hohlraum lässt sich deshalb auch ein hochreines Vakuum aufrechterhalten.

Bei einer nächsten Weiterbildung wird als Verschlussschicht ein hochdotiertes Silikatglas abgeschieden. Auch ohne Ver­ flüssigen verschließt das Silikatglas den Hohlraum, da nur relativ schmale Zwischenräume zwischen den beiden Deckel­ schichten im Bereich der substratfernen Durchgangsöffnung verschlossen werden müssen. Gegebenenfalls kann jedoch auch ein Verflüssigen des Silikatglases durchgeführt werden, um Oberflächenungleichmäßigkeiten auszugleichen. Durch eine sehr dünne Zwischenschicht und damit einen kleinen Zwischenraum zwischen den beiden Deckelschichten wird erreicht, dass nur wenig Silikatglas beim Verflüssigen in den Hohlraum "kriecht".

Bei einer nächsten Weierbildung werden die Durchgangsöffnun­ gen mit Hilfe eines Lithographieverfahrens eingebracht. Beispielsweise haben die Durchgangsöffnungen einen im wesent­ lichen kreisförmigen oder rechteckförmigen Querschnitt. Die Zwischenschicht hat bei der Weiterbildung eine Dicke, die kleiner als die kleinste mit dem Lithographieverfahren her­ stellbare Breite einer Struktur ist. Bei dieser Weiterbildung entstehen Ätzkanäle, die im Bereich der relativ großen Durch­ gangsöffnungen nur eine im Vergleich beispielsweise zum Durchmesser der Durchgangsöffnungen kleine Höhe haben. Ein Spalt entlang des Umfangs einer Durchgangsöffnung lässt sich mit Hilfe einer wesentlich dünneren Schicht verschließen, als die Durchgangsöffnung selbst.

Die Erfindung betrifft außerdem ein Mikrobauelement mit den im Patentanspruch 11 angegebenen Merkmalen. Die Struktur des Mikrobauelements wird im wesentlichen durch sein Herstel­ lungsverfahren bestimmt. Als Herstellungsverfahren werden das erfindungsgemäße Verfahren oder dessen Weiterbildungen einge­ setzt. Somit gelten die oben genannten Wirkungen auch für das Mikrobauelement.

Bei einem erfindungsgemäßen Mikrosystem wird das Mikrobauele­ ment eingesetzt. Außerdem enthält das Mikrosystem auf dem Substrat des Mikrobauelementes eine integrierte Schaltung, die mit im Hohlraum angeordneten Elementen elektrisch leitend verbunden ist. Beispielsweise befinden sich im Hohlraum Teile eines Sensors, z. B. Elektroden eines kapazitiven Sensors oder die Schwungmasse eines Beschleunigungssensors. Jedoch werden auch Aktuatoren im Hohlraum angeordnet, beispielsweise Mikro­ motoren.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.

Es zeigen:

Fig. 1 schematische Darstellungen eines Schichtsystems nach der Durchführung verschiedener Verfahrens­ schritte,

Fig. 2 eine Schnittdarstellung durch das Schichtsystem am Ende des Herstellungsverfahrens.

Fig. 1 zeigt in einem Teil a eine schematische Darstellung eines Schichtsystems 10 nach einem Ätzvorgang. Vor dem Ätz­ vorgang wurde zunächst auf einem Substrat 12 aus einkristal­ linem Silizium eine Opferschicht 14 abgeschieden. Auf der Op­ ferschicht 14 wurde anschließend eine substratnahe Deckel­ schicht 16 aus polykristallinem Silizium abgeschieden. Mit Hilfe eines lithographischen Verfahrens wurden danach sub­ stratnahe Durchgangsöffnungen 18 bis 22 in die Deckelschicht 16 eingebracht.

In einem folgenden Verfahrensschritt wurde eine Zwischen­ schicht 24 aus nasschemisch ätzbarem Siliziumdioxid mit einer Schichtdicke von etwa 50 Nanometern abgeschieden. Die Zwi­ schenschicht 24 bedeckte die Seitenwände der substratnahen Durchgangsöffnungen 18 bis 22 sowie die durch die Durch­ gangsöffnungen 18 bis 22 freigelegten Bereiche der Opfer­ schicht 14.

In einem nächsten Verfahrensschritt wurde auf der Oberfläche der Zwischenschicht 24 eine substratferne Deckelschicht 26 abgeschieden. Die Deckelschicht 26 besteht vorzugsweise, wie die Deckelschicht 16, aus polykristallinem Silizium, in das nach dem Abscheiden mit Hilfe eines Lithographieverfahrens substratferne Durchgangsöffnungen 28 bis 32 mit kreisförmigem Durchmesser geätzt worden sind. Die substratferne Durch­ gangsöffnung 28 ist zu der nächstliegenden substratnahen Durchgangsöffnung 18 seitlich versetzt angeordnet, siehe Ver­ satz V in Fig. 2. Ebenso sind substratferne Durchgangsöff­ nungen 30 und 32 zu den jeweils nächsten substratnahen Durch­ gangsöffnungen 20 und 22 seitlich versetzt angeordnet. Der Ätzprozess zum Herstellen der Durchgangsöffnungen 28 bis 32 wird entweder beendet, sobald die zu diesem Zeitpunkt noch vollständig vorhandene Zwischenschicht 24 erreicht wird, oder sobald die Deckelschicht 16 freigelegt worden ist.

In einem nasschemischen Ätzprozess wurde anschließend die Zwischenschicht 24 im Bereich der substratfernen Durch­ gangsöffnungen 28 bis 32 und im Bereich der substratnahen Durchgangsöffnungen 18 bis 22 zur Schaffung von Ätzkanälen entfernt, die zur Opferschicht 14 führen. Die beim Ätzen wirksamen Diffusionsprozesse bewirken auch durch die engen Ätzkanäle einen raschen Materialabtransport. Mit fortschrei­ tendem Ätzprozess werden auch Bereiche der Opferschicht 14 unterhalb der Durchgangsöffnungen 18 bis 22 zur Freilegung eines Hohlraums 34 entfernt. Am Ende des Ätzprozesses ist das im Teil a der Fig. 1 dargestellte Stadium erreicht.

In Randbereichen der Deckelschichten 16 und 26 ist die Zwi­ schenschicht 24 auch nach dem Ätzvorgang vorhanden. Zusätz­ lich kann die substratferne Deckelschicht 26 durch ein Stütz­ material 36 gehalten werden, das den Randbereich der Dec­ kelschicht 26 umfasst. Abhängig von der Ätzdauer befinden sich gegebenenfalls auch noch Reste 38 und 40 zwischen den Deckelschichten 16 und 26, die als Abstandshalter wirken.

Das Verfahren wird mit dem Aufbringen einer Verschlussschicht 50 auf die Oberfläche der Deckelschicht 26 fortgesetzt, siehe Teil b der Fig. 1. Die Verschlussschicht 50 besteht bei­ spielsweise aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder polykri­ stallinem Silizium und bedeckt auch die Innenwände der Durch­ gangsöffnungen 28 bis 32 sowie deren Böden. Durch die Ver­ schlussschicht 50 werden die Ätzkanäle und somit auch der Hohlraum 34 gasdicht verschlossen.

Fig. 2 zeigt eine maßstabsgetreue Schnittdarstellung durch das Schichtsystem 10 nach dem Aufbringen einer Silikatglas­ schicht 100 aus Bor-Phosphor-Silikatglas auf die Verschlussschicht 50. Ein Maßstab 102 zeigt, dass eine Strecke von ei­ nem Zentimeter in der Fig. 2 tatsächlich einer Ausdehnung von zweihundert Nanometern entspricht. Der Hohlraum 34 hat im Ausführungsbeispiel eine Höhe von dreihundert Nanometern. Die Deckelschicht 16 hat eine Höhe von vierhundert Nanometern. Die Höhe der Zwischenschicht 24 beträgt fünfzig Nanometer. Die Deckelschicht 26 hat eine Höhe von fünfhundert Nano­ metern. Die Schichtdicke der Verschlussschicht 50 beträgt fünfzig Nanometer. Die Silikatschicht 100 ist etwa achthun­ dert Nanometer hoch. Der Durchmesser der Durchgangsöffnungen 18, 32 beträgt ein Mikrometer.

In Fig. 2 ist deutlich zu erkennen, dass es im Bereich der Durchgangsöffnung 18 zu einer Absenkung der darüber liegenden Schichten 24, 26, 50 und 100 kommt. Auf der Oberfläche der Silikatglasschicht 100 entsteht durch die Absenkung eine Mulde 104. Die Durchgangsöffnung 32 ist zum großen Teil mit Material der Silikatglasschicht 100 gefüllt. Dies führt zur Bildung einer Mulde 106 auf der Oberfläche der Silikatglas­ schicht 100 oberhalb der Durchgangsöffnung 32.

In einem nächsten Verfahrensschritt wird das Silikatglas auf eine Temperatur zwischen 700°C und 1000°C erhitzt. Dadurch kommt es zum Verfließen des Silikatglases. Es bildet sich eine ebene Oberfläche 108. Damit ist die Herstellung des Hohlraums 34 und einer aus den Deckelschichten 16, 26, der Verschlussschicht 50 und der Silikatglasschicht 100 gebilde­ ten Abdeckschicht 110 abgeschlossen. Die ebene Oberfläche 108 der Silikatglasschicht 100 gewährleistet eine leichte Weiterprozessierung des Schichtsystems 10.

Jedoch wird bei einem anderen Ausführungsbeispiel in einem Rückätzprozess die Silikatschicht 100, wie z. B. in der PCT- Anmeldung WO 00/12428 erläutert, bis auf die Höhe der Ver­ schlussschicht 50 zurückgeätzt. Anschließend wird noch eine geeignete Abschlussschicht aufgebracht.

In Fig. 2 lassen sich außerdem Ätzkanäle 112 gut erkennen, die von der Durchgangsöffnung 32 zur Durchgangsöffnung 18 und zum Hohlraum 34 führen. Der bereits erwähnte seitliche Ver­ satz V zwischen den Durchgangsöffnungen 18 und 32 beträgt etwa zwei Mikrometer.

Durch eine andere Wahl der Schichtdicken und der Durchmesser der Durchgangsöffnungen 18 bis 22 und 28 bis 32 lässt sich die Topologie des Schichtsystems abhängig von der benötigten Ätzgeschwindigkeit und den Anforderungen an die im Hohlraum 34 zu erzielende Reinheit verändern. Bei einem anderen Aus­ führungsbeispiel wird zum Verschließen des Hohlraumes 34 Verschlussmaterial mit einem LPCVD-Verfahren (low pressure chemical vapor deposition) abgeschieden, z. B. das Material TEOS, Siliziumnitrid oder polykristallines Silizium. Die Si­ likatglasschicht entfällt in diesem Fall. Eingesetzt werden jedoch auch Verfahren, bei denen die Verschlussschicht 50 durch sogenanntes Sputtern aufgebracht wird. Als Verschluss­ material wird dann beispielsweise Aluminium oder amorphes Si­ lizium eingesetzt.

Im Hohlraum 34 des Schichtsystems 10 werden abhängig von der Anwendung verschiedene Bauelemente angeordnet. Bei rein mi­ kroelektronischen Bauelementen befindet sich im Hohlraum 34 beispielsweise eine Leiterbahn. Die im Hohlraum eingeschlos­ sene Luft und damit auch die Temperatur der Leiterbahn lassen sich auf eine vorgegebene Temperatur regeln. Bei mikromecha­ nischen Bauelementen befindet sich im Hohlraum 34 beispiels­ weise ein beweglich angeordneter Aktuator. Wird das Schicht­ system als kapazitiver Sensor eingesetzt, so dient die Ab­ deckschicht 110 als Membran, mit deren Hilfe der Abstand von auf gegenüberliegenden Seiten des Hohlraums 34 angeordneten Elektroden abhängig vom auf die Membran wirkenden Druck ge­ ändert wird.

Claims (14)

1. Verfahren zum Herstellen und Verschließen eines Hohlraumes für Mikrobauelemente oder Mikrosysteme, bei dem folgende Schritte ausgeführt werden:
auf der Oberfläche eines Substrats (12) wird eine Opfer­ schicht (14) abgeschieden,
auf der Oberfläche der Opferschicht (14) wird eine substrat­ nahe Deckelschicht (16) abgeschieden,
in die substratnahe Deckelschicht (16) wird mindestens eine substratnahe Durchgangsöffnung (18 bis 22) eingebracht,
auf die Oberfläche der so geschaffenen Schichtanordnung wird eine Zwischenschicht (24) abgeschieden,
auf der Oberfläche der Zwischenschicht (24) wird eine sub­ stratferne Deckelschicht (26) abgeschieden,
in die substratferne Deckelschicht (26) wird mit seitlichem Versatz (V) zu der substratnahen Durchgangsöffnung (18) min­ destens eine substratferne Durchgangsöffnung (28 bis 32) eingebracht,
in einem Ätzprozess werden zumindest Bereiche der Zwischen­ schicht (24) zur Schaffung eines zur Opferschicht (14) füh­ renden Ätzkanals (112) und zumindest Bereiche der Opfer­ schicht (14) zur Freilegung eines Hohlraumes (34) entfernt, und
nach dem Ätzprozess wird eine Verschlussschicht (50) abge­ schieden, die das nach außen führende Ende des Ätzkanals (112) verschließt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Zwischenschicht (24) geringer als die Dicke der substratnahen Deckelschicht (16) ist und dass die substratferne Deckelschicht (26) in die substratnahe Durch­ gangsöffnung (18) hineinragt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass jede Deckelschicht (16, 26) mehrere Durchgangsöffnungen (18 bis 22 bzw. 28 bis 32) enthält, die vorzugsweise gemäß einem gleichmäßigen Raster ausgerichtet sind,
und dass der Abstand zwischen benachbarten Durchgangsöffnun­ gen (18 bis 22; 28 bis 32) einer Deckelschicht (16, 26) vor­ zugsweise das Zwei- bis Zwanzigfache der Ausdehnung der Durchgangsöffnungen in Richtung zur nächsten Durchgangsöff­ nung beträgt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass gleiche Raster der beiden Deckelschichten (16, 26) seit­ lich zueinander versetzt sind, vorzugsweise um einen Versatz (V), der kleiner als der halbe Abstand zwischen benachbarten Durchgangsöffnungen (18 bis 22; 28 bis 32) einer Deckel­ schicht (16, 26) ist.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verschlussschicht (50) den Hohlraum (24) gasdicht verschließt.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verschlussschicht (50) bei einem Prozessdruck abge­ schieden wird, der sich vom Atmosphärendruck unterscheidet, vorzugsweise bei einem wesentlich kleineren Prozessdruck als der Atmosphärendruck, bei einem Prozessdruck kleiner als ein Millibar oder bei einem Prozessdruck kleiner als ein Mikro­ bar.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Material der Verschlussschicht (50) ein nichtfließ­ fähiges Material verwendet wird, vorzugsweise ein undotiertes Oxid.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Verschlussschicht (50) ein fließfähiges Material abgeschieden wird, vorzugsweise ein hochdotiertes Silikatglas (100), das vorzugsweise in einem Temperaturschritt ver­ flüssigt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Material der Verschlussschicht (50) ein fließfähiges Material, vorzugsweise ein hochdotiertes Silikatglas, einge­ setzt wird, das vorzugsweise in einem Temperaturschritt ver­ flüssigt wird.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass die substratnahe Durchgangsöffnung (18 bis 22) und/oder die substratferne Durchgangsöffnung (28 bis 32) mit Hilfe ei­ nes Lithographieverfahrens eingebracht wird,
und dass die Zwischenschicht (24) in einer Dicke abgeschieden wird, die kleiner als die kleinste Ausdehnung der Durch­ gangsöffnung in tangentialer Richtung bezüglich einer in der betreffenden Deckelschicht (16, 26) liegenden Ebene und vor­ zugsweise kleiner als die kleinste mit dem Lithographiever­ fahren herstellbare Breite einer Struktur ist.

11. Mikrobauelement (10),
mit einer Substratschicht (12),
einer von der Substratschicht (12) getragenen Abdeckschicht (110), die eine substratferne Deckelschicht (26) mit minde­ stens einem substratfernen Durchbruch (32) enthält, in wel­ chem sich Verschlussmaterial (50) zum Verschließen eines Hohlraumes (34) befindet, der zwischen Abdeckschicht (110) und Substratschicht (12) liegt,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Abdeckschicht (110) eine substratnahe Deckelschicht (16) enthält, die in vorgegebenem Abstand zur substratfernen Deckelschicht (26) zwischen substratferner Deckelschicht (16) und Hohlraum (34) angeordnet ist,
dass die substratnahe Deckelschicht (16) mindestens einen zum substratfernen Durchbruch (32) seitlich versetzt angeordneten substratnahen Durchbruch (18) enthält, in dem ein Kanal (112) angeordnet ist, der zum Hohlraum (34) führt,
und dass das Verschlussmaterial (50) das andere Ende des Ka­ nals (112) im Bereich des substratfernen Durchbruchs (18) verschließt.

12. Mikrobauelement (10) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die substratferne Deckelschicht (26) in den substratna­ hen Durchbruch (18) hineinragt.

13. Mikrobauelement (10) nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass es nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 3 bis 10 hergestellt worden ist.

14. Mikrosystem, insbesondere Sensor, gekennzeichnet durch ein Mikrobauelement (10) nach einem der Ansprüche 11 bis 13, auf dessen Substrat (12) eine integrierte Schaltung angeordnet ist, die mit im Hohlraum (34) angeordneten Ele­ menten elektrisch leitend verbunden ist.