CN114235236A - 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法 - Google Patents

一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114235236A
CN114235236A CN202111352023.5A CN202111352023A CN114235236A CN 114235236 A CN114235236 A CN 114235236A CN 202111352023 A CN202111352023 A CN 202111352023A CN 114235236 A CN114235236 A CN 114235236A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
etching
manufacturing
silicon wafer
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202111352023.5A
Other languages
English (en)
Inventor
汪祖民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Longway Technology Wuxi Co ltd
Original Assignee
Longway Technology Wuxi Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Longway Technology Wuxi Co ltd filed Critical Longway Technology Wuxi Co ltd
Priority to CN202111352023.5A priority Critical patent/CN114235236A/zh
Publication of CN114235236A publication Critical patent/CN114235236A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明涉及MEMS压力传感器技术领域,公开了一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，包括制作敏感结构，敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；在敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻，使用时，第一容腔处的压敏电阻在测量环境中输出第一检测信号，该信号包含压力信号和残余应力引入的误差信号，第二容腔处的压敏电阻在正常气压下输出第二检测信号，该信号仅包含残余应力引入的误差信号，将第二检测信号补偿第一检测信号得到MEMS压力传感器芯片的实际检测信号，消除了芯片结构残余应力和封装残余应力对MEM压力传感器芯片的影响，降低了输出漂移，使压力传感器具有较高的测量准确性和稳定性。

Description

一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法
技术领域
本发明涉及MEMS压力传感器技术领域，具体涉及一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法。
背景技术
MEMS压力传感器具有体积小、重量轻、成本低、线性度好、重复性高、可靠性高等特点，是当前压力传感器发展的主流方向，将替代传统各式压力传感器。MEMS压力传感器通常具有一个相对较薄的硅压力敏感膜，可在压力作用下发生形变。敏感膜上通过离子注入形成压敏电阻，压敏电阻可以检测到敏感膜在压力作用下的形变大小，相应的，检测出压力的大小。
在外界压力、温度等条件都不变的情况下，理论上MEMS压力传感器的输出值是稳定的。然而，实际上，随着时间的推移，MEMS压力传感器的输出值会出现漂移。在造成MEMS压力传感器输出随着时间逐渐漂移的原因中，芯片中残余应力释放不完全是最主要的原因。
残余应力一方面来自于芯片结构制作时的键合工艺。目前常见的键合方式为阳极键合和硅硅键合。阳极键合不但需要高温(通常为300～500℃)，还需加载高电压(一般为500～1000V)，在键合界面会残留机械应力。更主要的是玻璃和硅具有不同的热膨胀系数(CTE)，在键合界面温度的任何变化都会对材料产生不同的影响，从而使传感器结构受到机械应力。硅硅键合虽说不需要施加高电压，但是仍需要高温，并且在键合面仍会形成有氧化层。键合界面处两材料间的CTE差异越大，压力传感器结构受到的应力就越大。
残余应力另一方面来自于芯片封装。芯片封装时，需要采用硅胶或者环氧胶以及焊料等，固定在基板上，材料间的热膨胀系数不同或者不匹配，同样造成机械应力的残留。
MEMS压力传感器这些残余应力会随着时间慢慢释放，发生变化，导致传感器输出随着时间发生漂移，严重影响传感器输出的准确性和稳定性。
发明内容
鉴于背景技术的不足，本发明提供了一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法。
为解决以上技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：
S1：制作敏感结构，所述敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；
S2：在所述敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻；
S3：在所述敏感结构的顶部制作介质层，在所述介质层上制作引线孔，在所述介质层的上表面上制作金属引线，所述金属引线穿过所述引线孔与所述压敏电阻的接线端电连接；
S4：在所述介质层和金属引线上制作钝化层，在所述钝化层上通过刻蚀制作金属PAD，所述金属PAD用于所述MEMS压力传感器芯片信号的引出；
S5：在所述第二容腔的顶面的上方制作导气孔，所述第二容腔通过所述导气孔与外界连通。
在某种实施方式中，步骤S1具体如下：
S10：对第一硅片进行氧化，生成一层氧化层；
S11：通过光刻工艺在第一硅片的底部定义出热隔离腔的位置；
S12：通过蚀刻工艺蚀刻出所述热隔离腔；
S13：去除所述氧化层；
S14：对第二硅片进行氧化，生成一层第二氧化层；
S15：在所述第二氧化层上制作氮化硅层；
S16：通过光刻工艺在所述氮化硅层上定义出第一容腔和第二容腔图形；
S17：使用蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔和第二容腔；
S18：去除所述氮化硅层和第二氧化层；
S19：将所述第一硅片的顶部与所述第二硅片的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。
在某种实施方式中，步骤S11还包括在第一硅片的顶部定义出导压通道的位置，步骤S12还包括蚀刻出所述导压通道，所述第一容腔通过所述导压通道与所述第二容腔连通。
在某种实施方式中，步骤S1具体如下：
S10：对第一硅片进行氧化，生成一层氧化层；
S11：先通过光刻工艺在第一硅片的底部定义出热隔离腔的位置，然后通过蚀刻工艺蚀刻出所述热隔离腔；
S12：先通过光刻工艺在第一硅片的顶部定义出第一容腔和第二容腔的图形，然后通过蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔和第二容腔；
S13：去除所述氧化层；
S14：将第一硅片的顶部与第二硅片的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。
在某种实施方式中，步骤S12中还包括使用光刻工艺在第一硅片的顶部定义出导压通道的图形，然后通过蚀刻工艺蚀刻出所述导压通道。
在某种实施方式中，同时使用光刻工艺在第一硅片的顶部定义出第一容腔、第二容腔和导压通道的位置，同时使用蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔、第二容腔和导压通道。
在某种实施方式中，步骤S2中先通过光刻工艺在所述敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域定义出压敏电阻的图形，然后通过离子注入、扩散，形成压敏电阻。
在某种实施方式中，步骤S3中先在所述介质层的顶面上溅射金属形成金属层，然后通过光刻工艺在所述金属层上定义出金属引线的图形，最后通过蚀刻工艺蚀刻出所述金属引线。
在某种实施方式中，步骤S4中通过化学气相沉积的方式在所述介质层和金属引线上制作所述钝化层，然后通过光刻工艺在所述钝化层上定义出金属PAD的图形，最后通过蚀刻工艺蚀刻出金属PAD。
本发明与现有技术相比所具有的有益效果是：通过本发明方法制造的MEMS压力传感器芯片的敏感结构上设置第一容腔和第二容腔，且第二容腔通过导气孔与外界连通，由于敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻，因此在实际使用时，第一容腔处的压敏电阻在测量环境中会输出第一检测信号，第一检测信号不但包含压力信号也包含残余应力引入的误差信号，第二容腔处的压敏电阻在正常气压下会输出第二检测信号，第二检测信号仅包含残余应力引入的误差信号，将第二检测信号补偿第一检测信号便能得到MEMS压力传感器芯片的实际检测信号，进而消除了芯片结构残余应力和封装残余应力对MEM压力传感器芯片的影响，降低了输出漂移，使压力传感器具有较高的测量准确性和稳定性。
附图说明
图1为本发明的流程图；
图2为采用本发明制作出的一种MEMS压力传感器芯片的结构意图；
图3为本发明的第二种实施方式的结构意图；
图4为本发明的第三种实施方式的结构意图；
图5为本发明的第四种实施方式的结构意图。
图中：1、敏感结构，2、第一硅片，3、第二硅片，4、第一容腔，5、第二容腔，6、第一敏感膜，7、第二敏感膜，8、压敏电阻，9、导气孔，10、介质层，11、钝化层，12、金属引线，13、金属PAD，14、导压通道，15、热隔离腔，16、对准标记。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1，一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：
S1：制作敏感结构1，敏感结构1内设有第一容腔4和第二容腔5；
S2：在敏感结构1的顶部在第一容腔4的顶面的区域和在第二容腔5的顶面的区域分别制作压敏电阻8；
S3：在敏感结构1的顶部制作介质层10，在介质层10上制作引线孔，在介质层的上表面上制作金属引线12，金属引线12穿过引线孔与压敏电阻8的接线端电连接；
S4：在介质层10和金属引线12上制作钝化层11，在钝化层11上通过刻蚀制作金属PAD13，金属PAD13用于MEMS压力传感器芯片信号的引出；
S5：在第二容腔5的顶面的上方制作导气孔9，第二容腔5通过导气孔9与外界连通。
具体地，步骤S2中先通过光刻工艺在敏感结构1的顶部在第一容腔4的顶面的区域和在第二容腔5的顶面的区域定义出压敏电阻8的图形，然后进行离子注入、扩散，形成压敏电阻8。
具体地，步骤S3中先在介质层10的顶面上溅射金属形成金属层，然后通过光刻工艺在金属层上定义出金属引线12的图形，最后通过蚀刻工艺蚀刻出金属引线12。
具体地，本实施例中，步骤S4中通过化学气相沉积的方式在介质层10和金属引线12上制作钝化层11，然后通过光刻工艺在钝化层11上定义出金属PAD13的图形，最后通过蚀刻工艺蚀刻出金属PAD13。
具体地，步骤S5中先通过光刻工艺在第二容腔5的顶面的上方定义出导气孔9的图形，然后通过干法蚀刻工艺蚀刻出导压孔9。
在以上步骤的基础上，步骤S1有以下四种制作敏感结构的方式。
方式一：
S10：对第一硅片2进行氧化，生成一层氧化层；
S11：通过光刻工艺在第一硅片2的底部定义出热隔离腔15的位置；
S12：通过蚀刻工艺蚀刻出热隔离腔15；
S13：去除氧化层；
S14：对第二硅片3进行氧化，生成一层第二氧化层；
S15：在第二氧化层上制作氮化硅层；
S16：通过光刻工艺在氮化硅层上定义出第一容腔4和第二容腔5的图形；
S17：使用蚀刻工艺蚀刻出第一容腔4和第二容腔5；
S18：出去氮化硅层和第二氧化层；
S19：将第一硅片2的顶部与第二硅片3的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。
在该方式的步骤S12中可以使用干法蚀刻或者湿法蚀刻的方式来蚀刻出热隔离腔15，在步骤S15中通过LPCVD沉积工艺淀积氮化硅层，在步骤S17中通过湿法蚀刻的方式蚀刻出第一容腔4和第二容腔5。另外在该方式的步骤S11中还可同时使用光刻工艺在第一硅片2的底部定义出对准标记16的位置，在步骤S12中还使用蚀刻工艺蚀刻出对准标记16。
通过方式一制作出的MEMS压力传感器芯片的结构示意图如图2所示，从图2中可以得到第一容腔4、第二容腔5和热隔离腔15均为梯形形状。为了保证检测结果的准确性，第一容腔4和第二容腔5的大小相同，第一容腔4处的压敏电阻8与第一容腔4顶面的每个边沿的水平距离和第二容腔5处的压敏电阻8与第二容腔5的顶面边沿的水平距离都相同。在某种实施方式中，第一容腔4和第二容腔5在敏感结构1上对称分布，第一容腔4处的压敏电阻8和第二容腔5处的压敏电阻8在敏感结构上对称分布，导气孔9在第二容腔5的顶面的中心处。
方式二
方式二是在方式一的基础上的实施的，与方式一不同的是步骤S11还包括在第一硅片2的顶部定义出导压通道14的位置，步骤S12还包括蚀刻出导压通道14，方式二制作的MEMS压力传感器芯片的结构示意图如图3所示，从图3中可以得到第一容腔4通过导压通道14与第二容腔5连通。
方式三
S10：对第一硅片2进行氧化，生成一层氧化层；
S11：先通过光刻工艺在第一硅片2的底部定义出热隔离腔15的位置，然后通过蚀刻工艺蚀刻出热隔离腔15；
S12：先通过光刻工艺在第一硅片的顶部定义出第一容腔4和第二容腔5的图形，然后通过蚀刻工艺蚀刻出第一容腔4和第二容腔5；
S13：去除氧化层；
S14：将第一硅片2的顶部与第二硅片3的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。
在方式三中，步骤S12中可以通过干法蚀刻或者湿法蚀刻的方式蚀刻第一容腔4和第二容腔5，在步骤S14中，当第二硅片3的厚度不符合要求时可以通过减薄工艺和抛光工艺将键合后的第二硅片3的厚度减小至目标厚度。另外在该方式的步骤S11中还可同时使用光刻工艺在第一硅片2的底部定义出对准标记16的位置，在步骤S12中还使用蚀刻工艺蚀刻出对准标记16。
通过方式三制作出的MEMS压力传感器芯片的结构示意图如图4所示，从图4中可以得到第一容腔4、第二容腔5和热隔离腔15均为方形形状。为了保证检测结果的准确性，第一容腔4和第二容腔5的大小相同，第一容腔4处的压敏电阻8与第一容腔4顶面的每个边沿的水平距离和第二容腔5处的压敏电阻8与第二容腔5的顶面边沿的水平距离都相同。在某种实施方式中，第一容腔4和第二容腔5在敏感结构1上对称分布，第一容腔4处的压敏电阻8和第二容腔5处的压敏电阻8在敏感结构上对称分布，导气孔9在第二容腔5的顶面的中心处。
方式四
方式四是在方式三的基础上实施的，步骤S12中还包括使用光刻工艺在第一硅片2的顶部定义出导压通道14的图形，然后通过蚀刻工艺蚀刻出导压通道14，方式四制作出的MEMS压力传感器芯片的结构示意图如图5所示，在图5中，导压通道14为方形形状。另外在实际使用时，本方式中先对第一容腔4、第二容腔5和导压通道14同时光刻，然后再同时蚀刻，也可以对第一容腔4和第二容腔5进行一次光刻、对导压通道14行二次光刻，然后对第一容腔4和第二容腔5进行一次蚀刻、对导压通道14进行二次蚀刻。
在以上制作出的所有的MEMS压力传感器芯片的结构中，第一容腔4处的压敏电阻8通过引线12连接形成惠斯通电桥，第二容腔5处的压敏电阻8通过引线12连接形成惠斯通电桥。
综上，将第二硅片3上在第一容腔4的顶面的区域作为第一敏感膜6，将第二硅片3在第二容腔5顶面的区域作为第二敏感膜7，本发明制作出的MEMS压力传感器芯片由于第二容腔5通过导气孔9与外界连通，第一敏感膜6处的压敏电阻8用于实际压力检测，在测量环境中，第一敏感膜6处的压敏电阻8会输出第一检测信号，该信号包含检测所需要的压力信号和不需要的残余应力引入的误差信号，第二敏感膜7处的压敏电阻8输出第二检测信号，该信号仅包含残余应力引入的误差信号。由于残余应力随着时间是变化的，那么误差信号也随着时间是变化的。将第二检测信号补偿第一检测信号便能得到MEMS压力传感器芯片的实际检测信号，实际检测信号消除了芯片结构残余应力和封装残余应力对MEM压力传感器芯片的影响，大大降低了MEM压力传感器芯片输出漂移，使压力传感器具有较高的测量准确性和稳定性。
上述依据本发明为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (9)

1.一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制作敏感结构，所述敏感结构内设有第一容腔和第二容腔；
S2：在所述敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域分别制作压敏电阻；
S3：在所述敏感结构的顶部制作介质层，在所述介质层上制作引线孔，在所述介质层的上表面上制作金属引线，所述金属引线通过所述引线孔与所述压敏电阻的接线端电连接；
S4：在所述介质层和金属引线上制作钝化层，在所述钝化层上通过刻蚀制作金属PAD，所述金属PAD用于所述MEMS压力传感器芯片信号的引出；
S5：在所述第二容腔的顶面的上方制作导气孔，所述第二容腔通过所述导气孔与外界连通。
2.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S1具体如下：
S10：对第一硅片进行氧化，生成一层氧化层；
S11：通过光刻工艺在第一硅片的底部定义出热隔离腔的位置；
S12：通过蚀刻工艺蚀刻出所述热隔离腔；
S13：去除所述氧化层；
S14：对第二硅片进行氧化，生成一层第二氧化层；
S15：在所述第二氧化层上制作氮化硅层；
S16：通过光刻工艺在所述氮化硅层上定义出第一容腔和第二容腔图形；
S17：使用蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔和第二容腔；
S18：去除所述氮化硅层和第二氧化层；
S19：将所述第一硅片的顶部与所述第二硅片的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。
3.根据权利要求2所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S11还包括在第一硅片的顶部定义出导压通道的位置，步骤S12还包括蚀刻出所述导压通道，所述第一容腔通过所述导压通道与所述第二容腔连通。
4.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S1具体如下：
S10：对第一硅片进行氧化，生成一层氧化层；
S11：先通过光刻工艺在第一硅片的底部定义出热隔离腔的位置，然后通过蚀刻工艺蚀刻出所述热隔离腔；
S12：先通过光刻工艺在第一硅片的顶部定义出第一容腔和第二容腔的图形，然后通过蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔和第二容腔；
S13：去除所述氧化层；
S14：将第一硅片的顶部与第二硅片的底部通过硅硅键合工艺键合在一起。
5.根据权利要求4所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S12中还包括使用光刻工艺在第一硅片的顶部定义出导压通道的图形，然后通过蚀刻工艺蚀刻出所述导压通道。
6.根据权利要求5所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，同时使用光刻工艺在第一硅片的顶部定义出第一容腔、第二容腔和导压通道的位置，同时使用蚀刻工艺蚀刻出所述第一容腔、第二容腔和导压通道。
7.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S2中先通过光刻工艺在所述敏感结构的顶部在第一容腔的顶面的区域和在第二容腔的顶面的区域定义出压敏电阻的图形，然后通过离子注入、扩散，形成压敏电阻。
8.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S3中先在所述介质层的顶面上溅射金属形成金属层，然后通过光刻工艺在所述金属层上定义出金属引线的图形，最后通过蚀刻工艺蚀刻出所述金属引线。
9.根据权利要求1所述的一种降低输出漂移的MEMS压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤S4中通过化学气相沉积的方式在所述介质层和金属引线上制作所述钝化层，然后通过光刻工艺在所述钝化层上定义出金属PAD的图形，最后通过蚀刻工艺蚀刻出金属PAD。
CN202111352023.5A 2021-11-16 2021-11-16 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法 Withdrawn CN114235236A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111352023.5A CN114235236A (zh) 2021-11-16 2021-11-16 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111352023.5A CN114235236A (zh) 2021-11-16 2021-11-16 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114235236A true CN114235236A (zh) 2022-03-25

Family

ID=80749445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111352023.5A Withdrawn CN114235236A (zh) 2021-11-16 2021-11-16 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114235236A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116026501A (zh) * 2023-01-06 2023-04-28 苏州锐光科技有限公司 压力传感器及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116026501A (zh) * 2023-01-06 2023-04-28 苏州锐光科技有限公司 压力传感器及其制作方法
CN116026501B (zh) * 2023-01-06 2023-10-27 苏州锐光科技有限公司 压力传感器及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6051853A (en) Semiconductor pressure sensor including reference capacitor on the same substrate
US9046546B2 (en) Sensor device and related fabrication methods
US8384170B2 (en) Pressure sensor
US9073746B2 (en) MEMS pressure sensor and manufacturing method therefor
US7216547B1 (en) Pressure sensor with silicon frit bonded cap
US10345161B2 (en) Miniaturized load sensor device having low sensitivity to thermo-mechanical packaging stress, in particular force and pressure sensor
JP3114570B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
US20050186703A1 (en) Method for packaging semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system
US7597005B2 (en) Pressure sensor housing and configuration
JPS6325982A (ja) 半導体圧力変換装置の製造方法
KR101213895B1 (ko) 차량용 엔진의 흡입 공기 압력 측정용의 반도체 비틀림 감지 센서
US20170016790A1 (en) Pressure sensor with built in stress buffer
US6966228B2 (en) Resonator-type microelectronic pressure sensor that withstands high pressures
CN113401861B (zh) 一种多量程集成的复合膜片式mems压力传感器
US11366031B2 (en) Semiconductor device and method for forming a semiconductor device
US8552513B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JP2007240250A (ja) 圧力センサ、圧力センサパッケージ、圧力センサモジュール、及び電子部品
CN114235236A (zh) 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法
US6308575B1 (en) Manufacturing method for the miniaturization of silicon bulk-machined pressure sensors
CN216246925U (zh) 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片
JPH10132684A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6276783A (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
CN113465794A (zh) 一种双空腔压力计芯片及其制造工艺
JP2010281570A (ja) 半導体圧力センサ
JP5139759B2 (ja) 半導体圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20220325

WW01 Invention patent application withdrawn after publication