JPS6325264A - 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 - Google Patents
高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法Info
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、誘電体共振器用の機能性セラミック、マイク
ロ波集積回路などに使用される媒体用セラミック等多く
の用途に利用し得る高密度BZN系強誘電体セラミック
の製造方法に関する。
ロ波集積回路などに使用される媒体用セラミック等多く
の用途に利用し得る高密度BZN系強誘電体セラミック
の製造方法に関する。
従来、BZN系強誘電体セラミックの原料粉末は、乾式
法または湿式共沈法で製造されていた。
法または湿式共沈法で製造されていた。
乾式法は構成成分の化合物粉末を混合し、これを仮焼す
る方法である。しかし、この方法では均一な組成の原料
粉末が得難く、またBZNの生成反応を完遂させるため
に仮焼温度を高くすることが必要であるので、これによ
り粒子が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった
。
る方法である。しかし、この方法では均一な組成の原料
粉末が得難く、またBZNの生成反応を完遂させるため
に仮焼温度を高くすることが必要であるので、これによ
り粒子が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった
。
湿式共沈法はBZNの構成成分のすべての混合液を作り
、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈させ、
乾燥、仮焼する方法である。しかし、この方法は均一性
の優れた粉末が得やすいが、その均一性なるが故に沈殿
形成時、乾燥時、また仮焼時に凝結して二次粒子を形成
し、易焼結性となりにくい欠点がある。
、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈させ、
乾燥、仮焼する方法である。しかし、この方法は均一性
の優れた粉末が得やすいが、その均一性なるが故に沈殿
形成時、乾燥時、また仮焼時に凝結して二次粒子を形成
し、易焼結性となりにくい欠点がある。
更にまた、BZNはバリウムとニオブを含有しているの
で、これを共沈させる場合、タンタル原料として工業的
に利用可能なフッ化ニオブの水溶液を使用すると、フッ
化ニオブのフッ素イオンがバリウムと反応してフッ化バ
リウムの白色沈殿を生成するため、フッ化ニオブを使用
し得ない、このため、特性の優れた湿式共沈法によるB
ZN系強誘電体セラミ−2りが製造できないという問題
があった。
で、これを共沈させる場合、タンタル原料として工業的
に利用可能なフッ化ニオブの水溶液を使用すると、フッ
化ニオブのフッ素イオンがバリウムと反応してフッ化バ
リウムの白色沈殿を生成するため、フッ化ニオブを使用
し得ない、このため、特性の優れた湿式共沈法によるB
ZN系強誘電体セラミ−2りが製造できないという問題
があった。
本発明は、従来の問題点を解決し、ニオブ原料として工
業的に利用可能なフッ化ニオブを使用し得、高密度でし
かも特性の優れたBZN系強誘電体セラミックを製造し
得る方法を提供することにある。
業的に利用可能なフッ化ニオブを使用し得、高密度でし
かも特性の優れたBZN系強誘電体セラミックを製造し
得る方法を提供することにある。
即ち、本願の第1の発明の高密度BZN系強誘電体セラ
ミックの製造方法は、式Ba(Zn・O11〜0.9の
範囲の数である。)におけるBa/(Zn+Nb)のモ
ル比が1.0近傍の組成のBZN系強誘電体を製造する
に際し、バリウム、亜鉛、ニオブの各水溶液を調製し、
これら3種の水溶液とするかあるいは亜鉛水溶液をバリ
ウム水溶液またはニオブ水溶液のいずれかに混合して2
種の水溶液とし、この内の1種の水溶液に過剰の沈殿形
成液を均一に混合して沈殿を形成させた後、この沈殿の
分散した水溶液と残りの他の水溶液とを順次均一に混合
して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1
200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気
中、1000〜1600℃で焼結、または不活性雰囲気
で熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結せ
しめることを特徴とするものである。
ミックの製造方法は、式Ba(Zn・O11〜0.9の
範囲の数である。)におけるBa/(Zn+Nb)のモ
ル比が1.0近傍の組成のBZN系強誘電体を製造する
に際し、バリウム、亜鉛、ニオブの各水溶液を調製し、
これら3種の水溶液とするかあるいは亜鉛水溶液をバリ
ウム水溶液またはニオブ水溶液のいずれかに混合して2
種の水溶液とし、この内の1種の水溶液に過剰の沈殿形
成液を均一に混合して沈殿を形成させた後、この沈殿の
分散した水溶液と残りの他の水溶液とを順次均一に混合
して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1
200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気
中、1000〜1600℃で焼結、または不活性雰囲気
で熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結せ
しめることを特徴とするものである。
また、本願の第2の発明の高密度BZN系強誘電体セラ
ミックの製造方法は、前記組成のBZN系強誘電体セラ
ミックを製造するに際し、バリウムまたはニオブを含む
化合物粉末の分散液を調製し、この分散液に残りの他の
水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈殿を形成
し、該沈殿物を500〜1200°Cに仮焼した後、成
形物を空気中又は酸素雰囲気中、1000〜1600℃
で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により高
密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とするも
のである。
ミックの製造方法は、前記組成のBZN系強誘電体セラ
ミックを製造するに際し、バリウムまたはニオブを含む
化合物粉末の分散液を調製し、この分散液に残りの他の
水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈殿を形成
し、該沈殿物を500〜1200°Cに仮焼した後、成
形物を空気中又は酸素雰囲気中、1000〜1600℃
で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により高
密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とするも
のである。
本願の第1の発明を具体的に実施するには、例えば第1
図(A)〜(K)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作ることができる。ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散液
にF イオンが残留する場合は、これを除去してからバ
リウムの沈殿を形成せしめる必要がある。
図(A)〜(K)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作ることができる。ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散液
にF イオンが残留する場合は、これを除去してからバ
リウムの沈殿を形成せしめる必要がある。
また、本願の第2の発明を具体的に実施するには、例え
ば、第1図(A)〜(K)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末の分散液の
調製で置き換えて実施することができる。
ば、第1図(A)〜(K)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末の分散液の
調製で置き換えて実施することができる。
本発明におけるBZN系強誘電体セラミックに、その焼
結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、Ca
、Sr、Ti、Sn、Mn。
結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、Ca
、Sr、Ti、Sn、Mn。
AI 、Cs、Ge、V、Bi 、Fe、Cr。
Ni、Ir、Rh、Na、In、に、Ga。
TI、W、Th、希土類などの化合物を添加してもよい
、この場合、水溶液中に共存させてもよく、BZN系粉
末の作製後、乾式または湿式により添加してもよい。
、この場合、水溶液中に共存させてもよく、BZN系粉
末の作製後、乾式または湿式により添加してもよい。
BZN系の構成成分の水溶液を作る成分化合物としては
、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、オキ
シ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ酸墳
、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。これら
が水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶とする
ことができる。
、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、オキ
シ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ酸墳
、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。これら
が水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶とする
ことができる。
沈殿形成剤としては、アンモニア、炭酸アンモニウム、
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
構成成分の沈殿を形成するには、液を攪拌しながら行な
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
沈殿物の洗浄に関しては、エタノール等のアルコール類
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
得られた沈殿物を乾燥し、500−1200″Cで仮焼
する。仮焼温度500℃未満ではBZNの生成反応や脱
ガスが完結せず、また、得られるBZN粉末の嵩密度が
低くなる。1200℃を越えるとBZN粉末粒子が粗大
化して焼結性が悪くなる。
する。仮焼温度500℃未満ではBZNの生成反応や脱
ガスが完結せず、また、得られるBZN粉末の嵩密度が
低くなる。1200℃を越えるとBZN粉末粒子が粗大
化して焼結性が悪くなる。
次に、成形・焼結する。焼結は空気中か酸素雰囲気中で
、ホット・プレスか常圧焼結する。焼結温度は1000
℃より低いと焼結が不十分であり、1600″Cを越え
るとZnOなとの飛散が顕著になるので、1000 N
1600℃で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性
雰囲気で熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中
で焼成することにより行なうこともできる。
、ホット・プレスか常圧焼結する。焼結温度は1000
℃より低いと焼結が不十分であり、1600″Cを越え
るとZnOなとの飛散が顕著になるので、1000 N
1600℃で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性
雰囲気で熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中
で焼成することにより行なうこともできる。
本発明によれば、BZNの原料成分のうち、バリウムと
ニオブを共沈させないので、ニオブ原料として、工業的
に安価なフッ化物水溶液が使用でき、従って、安価な工
業的生産の実用化が成し得る。また、BZNの構成成分
の全部を共沈させないで、多重沈殿を生成させるため、
これらの沈殿は相互分散さ−れた状態となり、高嵩密度
の易焼結性のものが得られる。更に、多重沈殿生成を行
なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及び濃度を選択
でき、目的成分のBZNが容易に得られる。
ニオブを共沈させないので、ニオブ原料として、工業的
に安価なフッ化物水溶液が使用でき、従って、安価な工
業的生産の実用化が成し得る。また、BZNの構成成分
の全部を共沈させないで、多重沈殿を生成させるため、
これらの沈殿は相互分散さ−れた状態となり、高嵩密度
の易焼結性のものが得られる。更に、多重沈殿生成を行
なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及び濃度を選択
でき、目的成分のBZNが容易に得られる。
そして、従来の乾式法におけるような組成成分の不均一
性のない、高密度で均一なりZNが容易に得られる。
性のない、高密度で均一なりZNが容易に得られる。
以下に実施例を示して、本発明を更に詳しく説明する。
実施例I
Ba CN03)239.3g、Zn (N03)21
0.5g (Znは以下の沈殿操作により10%が損失
することが分っている。このため理論量の1.1倍量を
用いた。)を含有する水溶液11を調製し、これを攪拌
した重炭酸アンモニウム25gを含有する5Nアンモニ
ア0.11中に滴下して炭酸塩及び水酸化物の共沈物を
作製した。この共沈物の懸濁した水溶液を撹拌しつつ、
これにNb2O513,3gをフッ化水素酸に溶解した
水溶液11を添加し、更に重炭酸アンモニウム5gを含
有する5Nアンモニア水0.21を加えて、バリウム、
亜鉛、ニオブの炭酸m、水酸化物の均密沈殿物を得た0
口過、水洗、乾燥5・”OO’0−r2″HtJ]@m
L′−c・3°(7°ゎNb)03の組成のBZN原料
粉末を得た。得% られた仮焼粉末を電子顕微鏡で観察したところ、平均0
.2gmの均一微粒子であることが認められた。該粉末
を1 t / Cm2の圧力下で直径30mm、厚み3
mmに成形し、空気中で常圧、1400℃、2時間焼結
した。
0.5g (Znは以下の沈殿操作により10%が損失
することが分っている。このため理論量の1.1倍量を
用いた。)を含有する水溶液11を調製し、これを攪拌
した重炭酸アンモニウム25gを含有する5Nアンモニ
ア0.11中に滴下して炭酸塩及び水酸化物の共沈物を
作製した。この共沈物の懸濁した水溶液を撹拌しつつ、
これにNb2O513,3gをフッ化水素酸に溶解した
水溶液11を添加し、更に重炭酸アンモニウム5gを含
有する5Nアンモニア水0.21を加えて、バリウム、
亜鉛、ニオブの炭酸m、水酸化物の均密沈殿物を得た0
口過、水洗、乾燥5・”OO’0−r2″HtJ]@m
L′−c・3°(7°ゎNb)03の組成のBZN原料
粉末を得た。得% られた仮焼粉末を電子顕微鏡で観察したところ、平均0
.2gmの均一微粒子であることが認められた。該粉末
を1 t / Cm2の圧力下で直径30mm、厚み3
mmに成形し、空気中で常圧、1400℃、2時間焼結
した。
比較例1
市販(1’)B a CO3、Z no、Nb2O5各
粉末をBa(Zn Nb )03の組成になるよう
にh % 配合し、ボールミルで混合後、1100℃で2時間仮焼
後、再びボールミルで粉砕した。この粉末を電子顕微鏡
で観察したところ、二次粒子を含んだ平均粒径的2 、
0 gmの不揃いの粒子から構成されていた。該粉末を
it/cm2の圧力下で直径30mm、厚み3mmに成
形し、空気中で常圧、1400℃、2時間焼結した。
粉末をBa(Zn Nb )03の組成になるよう
にh % 配合し、ボールミルで混合後、1100℃で2時間仮焼
後、再びボールミルで粉砕した。この粉末を電子顕微鏡
で観察したところ、二次粒子を含んだ平均粒径的2 、
0 gmの不揃いの粒子から構成されていた。該粉末を
it/cm2の圧力下で直径30mm、厚み3mmに成
形し、空気中で常圧、1400℃、2時間焼結した。
上記実施例1、比較例1について、特性を比較した結果
を第1表に示した。この結果、本発明方法により調製し
た粉末を用いた焼結体は、従来法により得られた焼結体
よりQ値、ε 及び焼結部度の点で優れていることが明
らかである。
を第1表に示した。この結果、本発明方法により調製し
た粉末を用いた焼結体は、従来法により得られた焼結体
よりQ値、ε 及び焼結部度の点で優れていることが明
らかである。
また、X線回折法により上記実施例1、比較例1の仮焼
粉末の組成変動を測定した結果1本発明方法による粉末
は組成変動が少なく、均密な粉体であることが分った。
粉末の組成変動を測定した結果1本発明方法による粉末
は組成変動が少なく、均密な粉体であることが分った。
第1表
第1図(A)〜(K)は、夫々本発明方法を具体的に実
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
Claims (2)
- (1)式Ba(Zn_x・Nb_1_−_x)O_3(
但し、xはモル分率であり0.1 〜0.9の範囲の数である、) におけるBa/(Zn+Nb)のモル比 が1.0近傍の組成のBZN系強誘電体 を製造するに際し、バリウム、亜鉛、 ニオブの各水溶液を調製し、これら3 種の水溶液とするかあるいは亜鉛水溶液 をバリウム水溶液またはニオブ水溶液 のいずれかに混合して2種の水溶液とし、 この内の1種の水溶液に過剰の沈殿形成 液を均一に混合して沈殿を形成させた後、 この沈殿の分散した水溶液と残りの他の 水溶液とを順次均一に混合して全成分の 均密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜 1200℃に仮焼した後、成形物を空気 中又は酸素雰囲気中、1000〜1600 ℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静 水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼 結せしめることを特徴とする高密度BZN 系強誘電体セラミックの製造方法。 - (2)式Ba(Zn_x・Nb_1_−_x)O_3(
但し、xはモル分率であり0.1 〜0.9の範囲の数である。) におけるBa/(Zn+Nb)のモル比 が1.0近傍の組成のBZN系強誘電体 を製造するに際し、バリウムまたはニオ ブを含む化合物粉末の分散液を調製し、 この分散液に残りの他の水溶液とを順次 均一に混合して全成分の均密沈殿を形成 し、該沈殿物を500〜1200℃に仮 焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲 気中、1000〜1600℃で焼結、また は不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により高 密度化し更に大気中で焼結せしめることを 特徴とする高密度BZN系強誘電体セラミ ックの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61168792A JPH0627024B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61168792A JPH0627024B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325264A true JPS6325264A (ja) | 1988-02-02 |
JPH0627024B2 JPH0627024B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15874558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61168792A Expired - Lifetime JPH0627024B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0627024B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6395663B1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-05-28 | National Science Council | Low temperature sintered BI2O3-ZNO-NB2O5 ceramics and method for its formation |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS623005A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Ube Ind Ltd | 粉末分散湿式法による易焼結性ペロブスカイト原料粉末の製造法 |
JPS623004A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Ube Ind Ltd | 湿式法による易焼結性ペロブスカイト原料粉末の製造方法 |
JPS62143859A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高密度Ba〔Zn▲1/3▼(Ta及び又はNb)▲2/3▼〕O↓3ペロブスカイトセラミツクスの製造方法 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61168792A patent/JPH0627024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS623005A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Ube Ind Ltd | 粉末分散湿式法による易焼結性ペロブスカイト原料粉末の製造法 |
JPS623004A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Ube Ind Ltd | 湿式法による易焼結性ペロブスカイト原料粉末の製造方法 |
JPS62143859A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高密度Ba〔Zn▲1/3▼(Ta及び又はNb)▲2/3▼〕O↓3ペロブスカイトセラミツクスの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6395663B1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-05-28 | National Science Council | Low temperature sintered BI2O3-ZNO-NB2O5 ceramics and method for its formation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0627024B2 (ja) | 1994-04-13 |
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |