JP2653789B2 - 誘電体共振器材料の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器材料の製造方法Info
- Publication number
- JP2653789B2 JP2653789B2 JP62132203A JP13220387A JP2653789B2 JP 2653789 B2 JP2653789 B2 JP 2653789B2 JP 62132203 A JP62132203 A JP 62132203A JP 13220387 A JP13220387 A JP 13220387A JP 2653789 B2 JP2653789 B2 JP 2653789B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- zirconium
- resonator material
- manufacturing
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は例えばマイクロ波用の誘電体共振器材料を製
造する方法に関する。
造する方法に関する。
[従来の技術] マイクロ波用の誘電体共振器材料にはQ値の高いもの
が望まれている。このような材料として、Bax,Sry,Ca
(1−x−y)(Zrz,Ti1−z)O3系のセラミックス
(但し、0≦x,y≦1,0≦z≦1)があるが、この系のセ
ラミックスはQ値が4000(4GHz)程度であり、現状の乾
式法ではQ値の向上に限界がある。
が望まれている。このような材料として、Bax,Sry,Ca
(1−x−y)(Zrz,Ti1−z)O3系のセラミックス
(但し、0≦x,y≦1,0≦z≦1)があるが、この系のセ
ラミックスはQ値が4000(4GHz)程度であり、現状の乾
式法ではQ値の向上に限界がある。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は上記の実情に鑑みてなされたもので、比較的
低い温度での焼成が可能で、かつ組織が緻密で、しかも
Q値の優れたM(Zr,Ti)O3系のセラミックス(MはBa,
Sr,Ca)を製造する方法を提供することを目的とするも
のである。
低い温度での焼成が可能で、かつ組織が緻密で、しかも
Q値の優れたM(Zr,Ti)O3系のセラミックス(MはBa,
Sr,Ca)を製造する方法を提供することを目的とするも
のである。
[問題点を解決するための手段] 本発明はBaxSryCa(1−x−y)(ZrzTi1−z)O3系
のセラミックスを製造するに際し、先ず第1工程とし
て、ジルコニウム以外の少なくとも一成分の必要量の一
部とジルコニウム溶液の適量との混合液(水溶液又はア
ルコール溶液)を作り、これと沈殿形成液とを混合して
共沈体を形成し、乾燥後700℃〜1300℃で仮焼する。
のセラミックスを製造するに際し、先ず第1工程とし
て、ジルコニウム以外の少なくとも一成分の必要量の一
部とジルコニウム溶液の適量との混合液(水溶液又はア
ルコール溶液)を作り、これと沈殿形成液とを混合して
共沈体を形成し、乾燥後700℃〜1300℃で仮焼する。
次に第2工程として、この仮焼物と目的とする組成物
の残りの構成成分の化合物とを混合して700℃〜1300℃
で仮焼する。
の残りの構成成分の化合物とを混合して700℃〜1300℃
で仮焼する。
そして、第3の工程として得られた仮焼粉末を成形し
て、700℃〜1600℃で焼成する。
て、700℃〜1600℃で焼成する。
第1工程で用いられるジルコニウム溶液(水溶液又は
アルコール溶液)を作成するための化合物としては、オ
キシ塩化ジルコニウム,オキシ硝酸ジルコニウム,塩化
ジルコニウム,硝酸ジルコニウム及び金属ジルコニウム
等が挙げられる。
アルコール溶液)を作成するための化合物としては、オ
キシ塩化ジルコニウム,オキシ硝酸ジルコニウム,塩化
ジルコニウム,硝酸ジルコニウム及び金属ジルコニウム
等が挙げられる。
沈殿形成液作成のための試薬としては、例えばアンモ
ニア,炭酸アンモニウム,苛性アルカリ,しゅう酸,し
ゅう酸アンモニウムやアミン,オキシン等の有機試薬が
挙げられる。
ニア,炭酸アンモニウム,苛性アルカリ,しゅう酸,し
ゅう酸アンモニウムやアミン,オキシン等の有機試薬が
挙げられる。
ジルコニウム溶液に溶解する組成物の構成成分の種類
とその量は、構成成分の添加によって最終的に得られる
ジルコニア粉末の凝集を抑制し得られるもの、また、該
組成物に共通して含まれる成分であることが好ましい。
とその量は、構成成分の添加によって最終的に得られる
ジルコニア粉末の凝集を抑制し得られるもの、また、該
組成物に共通して含まれる成分であることが好ましい。
得られた共沈体の仮焼温度は、700℃〜1300℃であ
る。700℃より低いと凝集が顕著に起り、1300℃を越え
ると粒子が粗大化する傾向がある。
る。700℃より低いと凝集が顕著に起り、1300℃を越え
ると粒子が粗大化する傾向がある。
第2工程では、このようにして得られたものに、ジル
コニウム以外の構成成分の不足分を加えて混合する。勿
論、ジルコニアに添加した成分の不足分も補充する必要
がある。この場合、いずれの化合物粉末(主として酸化
物)の粒度はサブミクロン級のものを使用する。
コニウム以外の構成成分の不足分を加えて混合する。勿
論、ジルコニアに添加した成分の不足分も補充する必要
がある。この場合、いずれの化合物粉末(主として酸化
物)の粒度はサブミクロン級のものを使用する。
なお、MnO,MnO2,Cr2O3,C0O,NiO,SnO2,MgO,Ta2O5,PbO,
Nb2O5,WO3,La2O3,Sm2O3,Nd2O3,Bi2O3,Al2O3,SiO2などの
添加物は第2の工程で添加すれば良い。
Nb2O5,WO3,La2O3,Sm2O3,Nd2O3,Bi2O3,Al2O3,SiO2などの
添加物は第2の工程で添加すれば良い。
また、仮焼温度を上記のように、700℃〜1300℃に設
定すると、凝集の極めて少ないサブミクロン級の粉末
(変成ジルコニヤ粉末)を得られる。
定すると、凝集の極めて少ないサブミクロン級の粉末
(変成ジルコニヤ粉末)を得られる。
[作用効果] しかして本発明では,分散性の良いサブミクロン級の
M(MはBa,Sr,Ca)(Zr,Ti)O3系粉末を作成し、この
粉末を用いて単なる乾式法によって混合して本来希望と
する組成物原料とすることで、比較的低い温度で焼成が
可能で、組織が緻密で、Q値の優れたM(Zr,Ti)O3系
セラミックスを得ることができ、誘電体共振器材料とし
て好適に使用することができる。
M(MはBa,Sr,Ca)(Zr,Ti)O3系粉末を作成し、この
粉末を用いて単なる乾式法によって混合して本来希望と
する組成物原料とすることで、比較的低い温度で焼成が
可能で、組織が緻密で、Q値の優れたM(Zr,Ti)O3系
セラミックスを得ることができ、誘電体共振器材料とし
て好適に使用することができる。
[実施例] 以下、この発明に係る誘電体共振器材料の製造方法の
一実施例について説明する。
一実施例について説明する。
硝酸ストロンチウム水溶液(1.5/mol濃度)219ccと
オキシ硝酸ジルコニウム水溶液(1.2/mol濃度)175cc
とを混合した。この混合水溶液を、撹拌している6N−ア
ンモニア水1中に徐々に添加してSr2+とZr4+の水酸化
物共沈体を得た。これを洗浄,乾燥した後1000℃で1時
間仮焼してSrZrO3粉末を得た。
オキシ硝酸ジルコニウム水溶液(1.2/mol濃度)175cc
とを混合した。この混合水溶液を、撹拌している6N−ア
ンモニア水1中に徐々に添加してSr2+とZr4+の水酸化
物共沈体を得た。これを洗浄,乾燥した後1000℃で1時
間仮焼してSrZrO3粉末を得た。
上記により得た粉末10gと市販のBaCO33.158g、ZrO21.
799g、TiO20.13gをボールミルで一昼夜混合した後、100
0℃で1時間仮焼してBa0.27Sr0.73(Zr0.973Ti0.027)O
3粉末を得た。その平均粒径は0.3μmであった。
799g、TiO20.13gをボールミルで一昼夜混合した後、100
0℃で1時間仮焼してBa0.27Sr0.73(Zr0.973Ti0.027)O
3粉末を得た。その平均粒径は0.3μmであった。
得られた粉末を1t/cm2で成形したタブレットを1250
℃,1275℃,1300℃,1325℃,1350℃にて1時間焼成した。
℃,1275℃,1300℃,1325℃,1350℃にて1時間焼成した。
[比較例] 比較例として、市販のBaCO3,ZrO2,SrCO3,TiO2粉末を
上記組成になるように配合し、ボールミルで一昼夜配合
した後、1100℃で仮焼した。この平均粒径は1.2μmで
あった。この後、実施例と同様の工程にて試料を作製し
た。
上記組成になるように配合し、ボールミルで一昼夜配合
した後、1100℃で仮焼した。この平均粒径は1.2μmで
あった。この後、実施例と同様の工程にて試料を作製し
た。
図に示すように、本発明の方法では、従来の乾式法に
比べ低温で焼結でき嵩比重も5.6g/cm3と理論値に近い値
を示した。また、その時のQ値は4GHzにおいて7000と高
い値を示した。
比べ低温で焼結でき嵩比重も5.6g/cm3と理論値に近い値
を示した。また、その時のQ値は4GHzにおいて7000と高
い値を示した。
[発明の効果] 以上述べたように本発明に係る誘電体共振器材料の製
造方法によれば、比較的低い温度で焼成でき、かつ組成
が緻密で、しかもQ値の優れたM(Zr,Ti)O3系セラミ
ックスから成る誘電体共振器材料を提供することができ
る。
造方法によれば、比較的低い温度で焼成でき、かつ組成
が緻密で、しかもQ値の優れたM(Zr,Ti)O3系セラミ
ックスから成る誘電体共振器材料を提供することができ
る。
図はこの発明の一実施例に係る誘電体共振器材料の製造
方法の効果を説明するための特性図である。
方法の効果を説明するための特性図である。
Claims (1)
- 【請求項1】BaxSryCa(1−x−y)(ZrzTi1−z)O3
系セラミックス(但し、0≦x、y≦1,0≦z≦1)か
ら成る誘電体共振器材料の製造方法において、 (a)ジルコニウム以外の少なくとも一成分の必要量の
一部とジルコニウム溶液の適量との混合液を作り、これ
と沈殿形成液とを混合して共沈体を形成し、乾燥後700
℃〜1300℃で仮焼する第1の工程、 (b)この仮焼物と目的とする組成物の残りの構成成分
の化合物とを混合して700℃〜1300℃で仮焼する第2の
工程、 (c)得られた仮焼粉体を成形して700℃〜1600℃で焼
成する第3の工程、 とよりなることを特徴とする誘電体共振器材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132203A JP2653789B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 誘電体共振器材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132203A JP2653789B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 誘電体共振器材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63298911A JPS63298911A (ja) | 1988-12-06 |
| JP2653789B2 true JP2653789B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=15075803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62132203A Expired - Lifetime JP2653789B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 誘電体共振器材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653789B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6266596B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2018-01-24 | 日本碍子株式会社 | 誘電体磁器焼成体及び複合セラミックス構造体 |
| JP2015195342A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269805A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器の製造法 |
| JP2617938B2 (ja) * | 1987-05-26 | 1997-06-11 | 株式会社デンソー | 誘電体共振器材料の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP62132203A patent/JP2653789B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63298911A (ja) | 1988-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0345025B2 (ja) | ||
| GB1588250A (en) | Method of producing a dielectric with perowskite structure | |
| JP2598786B2 (ja) | ペロブストカイト系機能性セラミツクの製造方法 | |
| KR19990036978A (ko) | 티탄산 바륨계 반도체 세라믹 | |
| JP2653789B2 (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
| JPS61247607A (ja) | ペロブスカイト構造を持つ化合物の原料粉末の調製方法 | |
| JPS6363511B2 (ja) | ||
| JP2617938B2 (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
| JP2617939B2 (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
| JPH027906B2 (ja) | ||
| JP2622545B2 (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
| JPS63285147A (ja) | ニオブを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
| JPH0159205B2 (ja) | ||
| JPH0818870B2 (ja) | ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 | |
| JP2641864B2 (ja) | 半導体コンデンサ材料の製造方法 | |
| JP2616772B2 (ja) | プロトン導電性セラミックスの製造方法 | |
| JP2533305B2 (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
| JPH0457615B2 (ja) | ||
| JPS6259529A (ja) | チタン含有易焼結性ペロブスカイトおよびその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
| JPH0818867B2 (ja) | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 | |
| JPS6265907A (ja) | 易焼結性ペロプスカイト粉末の製造方法 | |
| JPH0643266B2 (ja) | 高密度bznt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
| JPS6325263A (ja) | 高密度bzt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
| JPS61232217A (ja) | 誘電体磁器製造用の低温焼結性原料粉末の製造方法 | |
| JPH0784349B2 (ja) | ネオジウムを含む誘電体セラミックスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |