JPS6325262A - 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 - Google Patents
高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6325262A JPS6325262A JP61166834A JP16683486A JPS6325262A JP S6325262 A JPS6325262 A JP S6325262A JP 61166834 A JP61166834 A JP 61166834A JP 16683486 A JP16683486 A JP 16683486A JP S6325262 A JPS6325262 A JP S6325262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precipitate
- bbt
- aqueous solution
- bismuth
- barium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 30
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- ZUJVZHIDQJPCHU-UHFFFAOYSA-N [Ba].[Bi] Chemical compound [Ba].[Bi] ZUJVZHIDQJPCHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 4
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical class [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フィルター、超音波振動子、共振素子エレメ
ント等圧電体応用分野に広く利用し得る高密度BBT系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
ント等圧電体応用分野に広く利用し得る高密度BBT系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
従来、BBT系強誘電体セラミックの原料粉末は、乾式
法または湿式共沈法で製造されていた。
法または湿式共沈法で製造されていた。
乾式法は構成成分の化合物粉末を涙合し、これを仮焼す
る方法である。しかし、この方法では均一な組成の原料
粉末が得難く、またBBTの生成反応を完遂させるため
に仮焼温度を高くすることが必要であるので、これによ
り粒子が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった
。
る方法である。しかし、この方法では均一な組成の原料
粉末が得難く、またBBTの生成反応を完遂させるため
に仮焼温度を高くすることが必要であるので、これによ
り粒子が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった
。
湿式共沈法はBBTの構成成分のすべての混合液を作り
、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈させ、
乾燥、仮焼する方法である。しかし、この方法は均一性
の優れた粉末が得やすいが、その均一性なるが故に沈殿
形成時、乾燥時、また仮焼時に凝結して二次粒子を形成
し、易焼結性となりにくい欠点がある。
、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈させ、
乾燥、仮焼する方法である。しかし、この方法は均一性
の優れた粉末が得やすいが、その均一性なるが故に沈殿
形成時、乾燥時、また仮焼時に凝結して二次粒子を形成
し、易焼結性となりにくい欠点がある。
更にまた、BBTはバリウム、ビスマスとタンタルを含
有しているので、これを共沈させる場合、タンタル原料
として工業的に利用可能なフッ化タンタルの水溶液を使
用すると、フッ化タンタルのフッ素イオンがバリウム、
ビスマスと反応してフッ化バリウムの白色沈殿を生成す
るため、フッ化タンタルを使用し得ない、このため、特
性の優れた湿式共沈法によるBBT系強誘電体セラミッ
クが製造できないという問題があった。
有しているので、これを共沈させる場合、タンタル原料
として工業的に利用可能なフッ化タンタルの水溶液を使
用すると、フッ化タンタルのフッ素イオンがバリウム、
ビスマスと反応してフッ化バリウムの白色沈殿を生成す
るため、フッ化タンタルを使用し得ない、このため、特
性の優れた湿式共沈法によるBBT系強誘電体セラミッ
クが製造できないという問題があった。
本発明は、従来の問題点を解決し、タンタル原料として
工業的に利用可能なフッ化タンタルを使用し得、高密度
でしかも特性の優れたBBT系強誘電体セラミックを製
造し得る方法を提供することにある。
工業的に利用可能なフッ化タンタルを使用し得、高密度
でしかも特性の優れたBBT系強誘電体セラミックを製
造し得る方法を提供することにある。
即ち、本願の第1の発明の高密度BBT系強誘電体セラ
ミックの製造方法は、式BaBi2Ta2O9の組成の
BBT系強誘電体を製造するに際シ、バリウム、ビスマ
ス、タンタルの各水溶液を調製し、これら3種の水溶液
とするかあるいはバリウム水溶液をビスマス水溶液に混
合して2種の水溶液とし、この内の1種の水溶液に過剰
の沈殿形成液を均一に混合して沈殿を形成させた後、こ
の沈殿の分散した水溶液と残りの他の水溶液とを順次均
一に混合して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を5
00〜1200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸
素雰囲気中。
ミックの製造方法は、式BaBi2Ta2O9の組成の
BBT系強誘電体を製造するに際シ、バリウム、ビスマ
ス、タンタルの各水溶液を調製し、これら3種の水溶液
とするかあるいはバリウム水溶液をビスマス水溶液に混
合して2種の水溶液とし、この内の1種の水溶液に過剰
の沈殿形成液を均一に混合して沈殿を形成させた後、こ
の沈殿の分散した水溶液と残りの他の水溶液とを順次均
一に混合して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を5
00〜1200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸
素雰囲気中。
800〜1300℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間
静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結せしめる
ことを特徴とするものである。
静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結せしめる
ことを特徴とするものである。
また、本願の第2の発明の高密度BBT系強誘電体セラ
ミックの製造方法は、前記組成のBBT系強誘電体セラ
ミックを製造するに際し、バリウム、ビスマスまたはタ
ンタルを含む化合物粉末の分散液を調製し、この分散液
に残りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均
密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼
した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、800〜1
300℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧
により高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴
とするものである。
ミックの製造方法は、前記組成のBBT系強誘電体セラ
ミックを製造するに際し、バリウム、ビスマスまたはタ
ンタルを含む化合物粉末の分散液を調製し、この分散液
に残りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均
密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼
した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、800〜1
300℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧
により高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴
とするものである。
本願の第1の発明を具体的に実施するには、例えば第1
図(A)、(B)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作ることができる。タンタルを先に沈殿せしめ沈殿分散
液にF イオンが残留する場合は、これを除去してから
バリウム又は/及びビスマスの沈殿を形成せしめる必要
がある。
図(A)、(B)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作ることができる。タンタルを先に沈殿せしめ沈殿分散
液にF イオンが残留する場合は、これを除去してから
バリウム又は/及びビスマスの沈殿を形成せしめる必要
がある。
また1本願の第2の発明を具体的に実施するには1例え
ば、第1図(A)、(B)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末の分散液の
調製で置き換えて実施することができる。
ば、第1図(A)、(B)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末の分散液の
調製で置き換えて実施することができる。
本発明におけるBBT系強誘電体セラミックに、その焼
結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、Ca
、 S r 、 T i 、 S n 、 M n
。
結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、Ca
、 S r 、 T i 、 S n 、 M n
。
Al、Cs、Ge、V、Bi 、Fe、Cr。
Ni、Ir、Rh、Na、In、に、Ga。
TI 、W、Th 、希土類などの化合物を添加しても
よい、この場合、水溶液中に共存させてもよく、BBT
系粉末の作製後、乾式または湿式により添加してもよい
。
よい、この場合、水溶液中に共存させてもよく、BBT
系粉末の作製後、乾式または湿式により添加してもよい
。
BBT系の構成成分の水溶液を作る成分化合物としては
、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸基、オキ
シ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ#塩
、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。これら
が水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶とする
ことができる。
、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸基、オキ
シ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ#塩
、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。これら
が水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶とする
ことができる。
沈殿形成剤としては、アンモニア、炭酸アンモニウム、
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
構成成分の沈殿を形成するには、液を攪拌しながら行な
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
沈殿物の洗浄に関しては、エタノール等のアルコール類
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
得られた沈殿物を乾燥し、500〜1200℃でvi灰
する。仮焼温度500℃未満ではBZTの生成反応や脱
ガスが完結せず、また、得られるBBT粉末の嵩密度が
低くなる。1200℃を越えるとBBT粉末粒子が粗大
化して焼結性が悪くなる。
する。仮焼温度500℃未満ではBZTの生成反応や脱
ガスが完結せず、また、得られるBBT粉末の嵩密度が
低くなる。1200℃を越えるとBBT粉末粒子が粗大
化して焼結性が悪くなる。
次に、成形・焼結する。焼結は空気中か酸素雰囲気中で
、ホット・プレスか常圧焼結、又は、不活性雰囲気で熱
間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成する
ことにより行なうこともできる。焼結温度は800℃よ
り低いと焼結が不十分であり、1300℃を越えるとZ
nOなどの飛散が顕著になるので、800〜1300℃
で行なうのが望ましい。
、ホット・プレスか常圧焼結、又は、不活性雰囲気で熱
間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成する
ことにより行なうこともできる。焼結温度は800℃よ
り低いと焼結が不十分であり、1300℃を越えるとZ
nOなどの飛散が顕著になるので、800〜1300℃
で行なうのが望ましい。
本発明によれば、BBTの原料成分のうち、バリウム、
ビスマスとタンタルを共沈させないので、タンタル原料
として、工業的に安価なフッ化物水溶液が使用でき、従
って、安価な工業的生産の実用化が成し得る。また、B
BTの構成成分の全部を共沈させないで、多重沈殿を生
成させるため、これらの沈殿は相互分散された状態とな
り、高嵩密度の易焼結性のものが得られる。更に、多重
沈殿生成を行なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及
び濃度を選択でき、目的成分のBBTが容易に得られる
。そして、従来の乾式法におけるような組成成分の不均
一性のない、高密度で均一なりBTが容易に得られる。
ビスマスとタンタルを共沈させないので、タンタル原料
として、工業的に安価なフッ化物水溶液が使用でき、従
って、安価な工業的生産の実用化が成し得る。また、B
BTの構成成分の全部を共沈させないで、多重沈殿を生
成させるため、これらの沈殿は相互分散された状態とな
り、高嵩密度の易焼結性のものが得られる。更に、多重
沈殿生成を行なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及
び濃度を選択でき、目的成分のBBTが容易に得られる
。そして、従来の乾式法におけるような組成成分の不均
一性のない、高密度で均一なりBTが容易に得られる。
以下に実施例を示して、本発明を更に詳しく説明する。
実施例1
高純度ビスマスメタル粒21.3gを硝e1142.6
mlに溶解し水を加えて0.11の水溶液を調製し、こ
れを攪拌した5Nアンモニア0.51中に加え、水酸化
物を沈殿させた。この沈殿の懸濁した水溶液に重炭酸ア
ンモニウム85gを加え、攪拌しツツ、これにBa C
N03)213 。
mlに溶解し水を加えて0.11の水溶液を調製し、こ
れを攪拌した5Nアンモニア0.51中に加え、水酸化
物を沈殿させた。この沈殿の懸濁した水溶液に重炭酸ア
ンモニウム85gを加え、攪拌しツツ、これにBa C
N03)213 。
3gを含有する水溶液0.11を加えビスマスとバリウ
ムの炭酸塩及び水酸化物の混合物を作製した。これにこ
れにT a20522 、5 gをフッ化水素酸に溶解
した水溶液11を添加し、更に重炭酸アンモニウム5g
を含有する5Nアンモニア水0.51を加えて、バリウ
ム、ビスマス、り・ンタルの炭酸塩、水酸化物の均密沈
殿物を得た0口過、水洗、乾燥後、700℃で2時間仮
焼して、BaB i2 Ta20r、の組成のBBT原
料粉末を得た。得られた仮焼粉末を電子WA微鏡で観察
したところ、平均0 、21Lmの均一微粒子であるこ
とが認められた。該粉末を1 t / Cm2の圧力下
で直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧、
900℃、2時間焼結した。
ムの炭酸塩及び水酸化物の混合物を作製した。これにこ
れにT a20522 、5 gをフッ化水素酸に溶解
した水溶液11を添加し、更に重炭酸アンモニウム5g
を含有する5Nアンモニア水0.51を加えて、バリウ
ム、ビスマス、り・ンタルの炭酸塩、水酸化物の均密沈
殿物を得た0口過、水洗、乾燥後、700℃で2時間仮
焼して、BaB i2 Ta20r、の組成のBBT原
料粉末を得た。得られた仮焼粉末を電子WA微鏡で観察
したところ、平均0 、21Lmの均一微粒子であるこ
とが認められた。該粉末を1 t / Cm2の圧力下
で直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧、
900℃、2時間焼結した。
比較例1
市販のBaCO3、B i203 、Ta205各粉末
をB i2 Ta205組成になるように配合し、ボー
ルミルで混合後、700℃で2時間仮焼後、再びボール
ミルで粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、二次粒子を含んだ平均粒径約2pmの不揃いの粒子
から構成される装た、該粉末をit/cm2の圧力下で
直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧、9
00℃、2時間焼結した。
をB i2 Ta205組成になるように配合し、ボー
ルミルで混合後、700℃で2時間仮焼後、再びボール
ミルで粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、二次粒子を含んだ平均粒径約2pmの不揃いの粒子
から構成される装た、該粉末をit/cm2の圧力下で
直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧、9
00℃、2時間焼結した。
上記実施例1.比較例1について、特性を比較した結果
を第1表に示した。この結果、本発明により焼結密度が
増加し、また誘電率も大きくなっており、優れているこ
とが分った。
を第1表に示した。この結果、本発明により焼結密度が
増加し、また誘電率も大きくなっており、優れているこ
とが分った。
第 1 表
第1図(A)、(B)は、夫々本発明方法を具体的に実
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
Claims (2)
- (1)式BaBi_2Ta_2O_9の組成のBBT系
強誘電体を製造するに際し、バリウム、ビスマス、タン
タルの各水溶液を調製し、これら3種の水溶液とするか
あるいはバリウム水溶液をビスマス水溶液に混合して2
種の水溶液とし、この内の1種の水溶液に過剰の沈殿形
成液を均一に混合して沈殿を形成させた後、この沈殿の
分散した水溶液と残りの他の水溶液とを順次均一に混合
して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1
200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気
中、800〜1300℃で焼結、または不活性雰囲気で
熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結せし
めることを特徴とする高密度BBT系強誘電体セラミッ
クの製造方法。 - (2)式BaBi_2Ta_2O_9の組成のBBT系
強誘電体を製造するに際し、バリウムビスマスまたはタ
ンタルを含む化合物粉末の分散液を調製し、この分散液
に残りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均
密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼
した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、800〜1
300℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧
により高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴
とする高密度BBT系強誘電体セラミックの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61166834A JPS6325262A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61166834A JPS6325262A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325262A true JPS6325262A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15838517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61166834A Pending JPS6325262A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325262A (ja) |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61166834A patent/JPS6325262A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63156057A (ja) | 高密度ペロブスカイトセラミックスの製造法 | |
JPH0159967B2 (ja) | ||
JPS6363511B2 (ja) | ||
JPS6325262A (ja) | 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325265A (ja) | 高密度bznt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325263A (ja) | 高密度bzt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325261A (ja) | 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPH0688788B2 (ja) | 低温焼結性pzt系圧電セラミツクス粉末の製造方法 | |
JPS6325264A (ja) | 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPH0556287B2 (ja) | ||
JPS63151673A (ja) | ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 | |
JPH0712922B2 (ja) | 無機水酸化物沈殿の形成方法 | |
JPS6325223A (ja) | セラミツク原料粉末の製造方法 | |
JPS6325272A (ja) | 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JP3393157B2 (ja) | 多結晶半導体繊維およびその製造方法 | |
JP2653789B2 (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
JPS6227371A (ja) | セラミツク誘電体用組成物及びセラミツク誘電体の製造方法 | |
JPS6259529A (ja) | チタン含有易焼結性ペロブスカイトおよびその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
JPS62230622A (ja) | ペロブスカイト型化合物の製造法 | |
JPS63292508A (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
JPH0456777B2 (ja) | ||
JPH0818867B2 (ja) | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 | |
JPS63285147A (ja) | ニオブを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
JPH0258230B2 (ja) | ||
JPS62226812A (ja) | 易焼結性ペロブスカイト粉末の製法 |