JPS6325272A - 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 - Google Patents
高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6325272A JPS6325272A JP61166832A JP16683286A JPS6325272A JP S6325272 A JPS6325272 A JP S6325272A JP 61166832 A JP61166832 A JP 61166832A JP 16683286 A JP16683286 A JP 16683286A JP S6325272 A JPS6325272 A JP S6325272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aqueous solution
- precipitate
- psznt
- zinc
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 58
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 34
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 21
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 20
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 5
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 3
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100194003 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) rco-3 gene Proteins 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical compound F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PJYXVICYYHGLSW-UHFFFAOYSA-J tetrachloroplumbane Chemical compound Cl[Pb](Cl)(Cl)Cl PJYXVICYYHGLSW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical class O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、直流バイアス特性に優れ、積層セラミックコ
ンデンサー用語電体等に利用し得る高密度PSZNT系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
ンデンサー用語電体等に利用し得る高密度PSZNT系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
従来、PSZNT系強誘電体セラミックの原料粉末は、
乾式法または湿式共沈法で製造されていた。乾式法は構
成成分の化合物粉末を混合し、これを仮焼する方法であ
る。しかし、この方法では均一な組成の原料粉末が得難
く、またPSZNTの生成反応を完遂させるために仮焼
温度を高くすることが必要であるので、これにより粒子
が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった。
乾式法または湿式共沈法で製造されていた。乾式法は構
成成分の化合物粉末を混合し、これを仮焼する方法であ
る。しかし、この方法では均一な組成の原料粉末が得難
く、またPSZNTの生成反応を完遂させるために仮焼
温度を高くすることが必要であるので、これにより粒子
が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった。
湿式共沈法はPSZNTの構成成分のすべての混合液を
作り、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈さ
せ、乾燥、仮焼する方法である。
作り、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈さ
せ、乾燥、仮焼する方法である。
しかし、この方法は均一性の優れた粉末が得やすいが、
その均一性なるが故に沈殿形成時、乾燥時、また仮焼時
に凝結して二次粒子を形成し、易焼結性となりにくい欠
点がある。
その均一性なるが故に沈殿形成時、乾燥時、また仮焼時
に凝結して二次粒子を形成し、易焼結性となりにくい欠
点がある。
更にまた、PSZNTの全ての構成成分の混合液を作り
共沈させるため、工業的に利用可能なフッ化ニオブの水
溶液を使用すると、フッ素イオンがPb又はSrと反応
してフッ化物の白色沈殿を生成し、四塩化チタンを使用
すると、塩素イオンが鉛と反応して塩化鉛の白色沈殿を
生成するため、フッ化ニオブ、四塩化チタンを使用し得
ない、このため、特性の優れた湿式共沈法によるPSZ
NT系強誘電体セラミックが製造できないという問題が
あった。
共沈させるため、工業的に利用可能なフッ化ニオブの水
溶液を使用すると、フッ素イオンがPb又はSrと反応
してフッ化物の白色沈殿を生成し、四塩化チタンを使用
すると、塩素イオンが鉛と反応して塩化鉛の白色沈殿を
生成するため、フッ化ニオブ、四塩化チタンを使用し得
ない、このため、特性の優れた湿式共沈法によるPSZ
NT系強誘電体セラミックが製造できないという問題が
あった。
本発明は、従来の問題点を解決し、ニオブ、チタン原料
として工業的に利用可能なフッ化ニオブ、四塩化チタン
を使用し得、高密度でしかも特性の優れたPSZNT系
強誘電体セラミックを製造し得る方法を提供することに
ある。
として工業的に利用可能なフッ化ニオブ、四塩化チタン
を使用し得、高密度でしかも特性の優れたPSZNT系
強誘電体セラミックを製造し得る方法を提供することに
ある。
即ち、本願の第1の発明の高密度PSZNT系強誘電体
セラミックの製造方法は、式%式%) ≦1.0≦2≦0.2の範囲である。)における(Pb
+Sr)/ (Zn+Nb+Ti)のモル比が1.0近
傍の組成のPSZNT系強銹電体を製造するに際し、鉛
、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ、チタンの各水溶液を
調製し、これら5種の水溶液とするかあるいは下記(A
)〜 (E)の各項に記載されたうちの少なくとも1つの混合
操作を経て2種、3種又は4種の水溶液とし、この内の
1種の水溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合して沈殿
を形成させた後、この沈殿の分散した水溶液と残りの他
の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈殿を形
成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼した後、成
形物を空気中又は酸素雰囲気中、800〜1300℃で
焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により高密
度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とするのぼ
である。
セラミックの製造方法は、式%式%) ≦1.0≦2≦0.2の範囲である。)における(Pb
+Sr)/ (Zn+Nb+Ti)のモル比が1.0近
傍の組成のPSZNT系強銹電体を製造するに際し、鉛
、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ、チタンの各水溶液を
調製し、これら5種の水溶液とするかあるいは下記(A
)〜 (E)の各項に記載されたうちの少なくとも1つの混合
操作を経て2種、3種又は4種の水溶液とし、この内の
1種の水溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合して沈殿
を形成させた後、この沈殿の分散した水溶液と残りの他
の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈殿を形
成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼した後、成
形物を空気中又は酸素雰囲気中、800〜1300℃で
焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により高密
度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とするのぼ
である。
(A) 亜鉛水溶液をニオブ水溶液、鉛末溶液、スト
ロンチウム水溶液及びチタン水溶液のうちの1種又は2
種以上と混合する CB> ストロンチウム水溶液を鉛末溶液、チタン
水溶液及び亜鉛水溶液の うちの1種又は2種以上と混合する (C) チタン水溶液をニオブ水溶液、亜鉛水溶液及
びストロンチウム水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (D) ニオブ水溶液を亜鉛水溶液及びチタン水溶液
のうちの1種又は2種と混合する(E) 鉛末溶液を
ストロンチウム水溶液及び亜鉛水溶液のうちの1種又は
2種と混合する また、本願の第2の発明の高密度PSZNT系強誘電体
セラミックの製造方法は、前記組成のPSZNT系強誘
電体セラミックを製造するに際し、鉛、ストロンチウム
、亜鉛、ニオブ又はチタンを含む化合物粉末の分散液を
調製し、この分散液に残りの他の水溶液とを順次均一に
混合して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500
〜1200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰
囲気中、800〜1300℃で焼結、または不活性雰囲
気で熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結
せしめることを特徴とするものである。
ロンチウム水溶液及びチタン水溶液のうちの1種又は2
種以上と混合する CB> ストロンチウム水溶液を鉛末溶液、チタン
水溶液及び亜鉛水溶液の うちの1種又は2種以上と混合する (C) チタン水溶液をニオブ水溶液、亜鉛水溶液及
びストロンチウム水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (D) ニオブ水溶液を亜鉛水溶液及びチタン水溶液
のうちの1種又は2種と混合する(E) 鉛末溶液を
ストロンチウム水溶液及び亜鉛水溶液のうちの1種又は
2種と混合する また、本願の第2の発明の高密度PSZNT系強誘電体
セラミックの製造方法は、前記組成のPSZNT系強誘
電体セラミックを製造するに際し、鉛、ストロンチウム
、亜鉛、ニオブ又はチタンを含む化合物粉末の分散液を
調製し、この分散液に残りの他の水溶液とを順次均一に
混合して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500
〜1200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰
囲気中、800〜1300℃で焼結、または不活性雰囲
気で熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結
せしめることを特徴とするものである。
本願の第1の発明を具体的に実施するには、例えば第1
図(A)〜(K)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作る。ことができる、ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散
液にF イオンが残留する場合は、これを除去してから
鉛、ストロンチウムの沈殿を形成せしめる必要がある。
図(A)〜(K)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作る。ことができる、ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散
液にF イオンが残留する場合は、これを除去してから
鉛、ストロンチウムの沈殿を形成せしめる必要がある。
また、チタンを先に沈殿せしめ沈殿分散液にCI イオ
ンが残留する場合は、これを除去してから鉛の沈殿を形
成せしめることができる。
ンが残留する場合は、これを除去してから鉛の沈殿を形
成せしめることができる。
また1本願の$2の発明を具体的に実施するには、例え
ば、第1図(A)〜(K)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末(酸化物や
水酸化物が適している。)の分散液の調製で置き換えて
実施することができる。即ち、共沈において好ましくな
い沈殿形成を引き起すニオブと鉛とストロンチウムの組
、並びに、チタンと鉛の組において、何れか1つ又は2
つの成分をに化合物粉末を使用すれば、フッ化鉛、フッ
化ストロンチウム、四塩化鉛等の沈殿形成を防止するこ
とができる。
ば、第1図(A)〜(K)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末(酸化物や
水酸化物が適している。)の分散液の調製で置き換えて
実施することができる。即ち、共沈において好ましくな
い沈殿形成を引き起すニオブと鉛とストロンチウムの組
、並びに、チタンと鉛の組において、何れか1つ又は2
つの成分をに化合物粉末を使用すれば、フッ化鉛、フッ
化ストロンチウム、四塩化鉛等の沈殿形成を防止するこ
とができる。
本発明におけるPSZNT系強誘電体セラミックに、そ
の焼結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、
Ca 、 S r 、 T I 、 S n 、 M
n 。
の焼結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、
Ca 、 S r 、 T I 、 S n 、 M
n 。
At、Cs、Ge、V、Bi、Fe、Cr。
Ni、Ir、Rh、Na、In、に、Ga。
TI 、W、Th、希土類などの化合物を添加してもよ
い、この場合、水溶液中に共存させてもよ<、PSZN
T系粉末の作製後、乾式または湿式により添加してもよ
い。
い、この場合、水溶液中に共存させてもよ<、PSZN
T系粉末の作製後、乾式または湿式により添加してもよ
い。
PSZNT系の構成成分の水溶液を作る成分化合物とし
ては、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、
オキシ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ
酸塩、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。こ
れらが水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶と
することができる。
ては、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、
オキシ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ
酸塩、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。こ
れらが水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶と
することができる。
沈殿形成剤としては、アンモニア、炭酸アンモニウム、
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
構成成分の沈殿を形成するには、液を攪拌しながら行な
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
沈殿物の洗浄に関しては、エタノール等のアルコール類
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
得られた沈殿物を乾燥し、500〜1200℃で仮焼す
る。仮焼温度500℃以下ではBZTの生成反応や脱ガ
スが完結せず、また、得られるPSZNT粉末の嵩密度
が低くなる。1200℃を越えるとPSZNT粉末粒子
が粗大化して焼結性が悪くなる。
る。仮焼温度500℃以下ではBZTの生成反応や脱ガ
スが完結せず、また、得られるPSZNT粉末の嵩密度
が低くなる。1200℃を越えるとPSZNT粉末粒子
が粗大化して焼結性が悪くなる。
次に、成形・焼結する。焼結は空気中か酸素雰囲気中で
、ホット・プレスか常圧焼結する。焼結温度は800℃
より低いと焼結が不十分であり、1300℃を越えると
ZnOなどの飛散が顕著になるので、800〜1300
”0で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性雰囲気
で熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成
することにより行なうこともできる。
、ホット・プレスか常圧焼結する。焼結温度は800℃
より低いと焼結が不十分であり、1300℃を越えると
ZnOなどの飛散が顕著になるので、800〜1300
”0で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性雰囲気
で熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成
することにより行なうこともできる。
本発明によれば、PSZNTの原料成分のうち、ニオブ
とストロンチウム、鉛、チタンと鉛を共沈させないので
、ニオブ、チタン原料として、工業的に安価なフッ化物
水溶液、塩化物水溶液が使用でき、従って、安価な工業
的生産の実用化が成し得る。また、PSZNTの構成成
分の全部を共沈させないで、多重沈殿を生成させるため
、これらの沈殿は相互分散された状態となり、高嵩密度
の易焼結性のものが得られる。更に、多重沈殿生成を行
なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及び濃度を選択
でき、目的成分のPSZNTが容易に得られる。そして
、従来の乾式法におけるような組成成分の不均一性のな
い、高密度で均一なPSZNTが容易に得られる。
とストロンチウム、鉛、チタンと鉛を共沈させないので
、ニオブ、チタン原料として、工業的に安価なフッ化物
水溶液、塩化物水溶液が使用でき、従って、安価な工業
的生産の実用化が成し得る。また、PSZNTの構成成
分の全部を共沈させないで、多重沈殿を生成させるため
、これらの沈殿は相互分散された状態となり、高嵩密度
の易焼結性のものが得られる。更に、多重沈殿生成を行
なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及び濃度を選択
でき、目的成分のPSZNTが容易に得られる。そして
、従来の乾式法におけるような組成成分の不均一性のな
い、高密度で均一なPSZNTが容易に得られる。
以下に実施例を示して1本発明を更に詳しく説明する。
実施例1
Nb20511.5gをフッ化水素酸に溶解した水溶液
を5Nアンモニア水0.21に滴下して水酸化物を生成
し、洗浄した後、四塩化チタン6.2gを溶解した水溶
液を添加し、5Nアンモニア水0.2!を加え、ニオブ
、チタンの水酸化物を生成した。洗浄後、重炭酸アンモ
ニウム5gを含有する5Nアンモニア水0.51を加え
、この懸濁した水溶液を撹拌しつつ、これに硝酸鉛43
.0g、硝酸ストロンチウム6.8g、硝酸亜鉛8.6
H(Znは以下の沈殿操作により5%が損失することが
分っている。この−ため理論量の1.05倍量を用いた
。)を各々含有する水溶液を逐次添加して、ニオブ、鉛
、チタン、ストロンチウム、亜鉛の均密沈殿を得た0口
過、水洗、乾燥後、800℃で2時間仮焼して、 (Pb Sr )((Zn Nb) T
i ’10.8 0.2 局 % 0.
8 0.203の組成のPSZNT原料粉末を得た。
を5Nアンモニア水0.21に滴下して水酸化物を生成
し、洗浄した後、四塩化チタン6.2gを溶解した水溶
液を添加し、5Nアンモニア水0.2!を加え、ニオブ
、チタンの水酸化物を生成した。洗浄後、重炭酸アンモ
ニウム5gを含有する5Nアンモニア水0.51を加え
、この懸濁した水溶液を撹拌しつつ、これに硝酸鉛43
.0g、硝酸ストロンチウム6.8g、硝酸亜鉛8.6
H(Znは以下の沈殿操作により5%が損失することが
分っている。この−ため理論量の1.05倍量を用いた
。)を各々含有する水溶液を逐次添加して、ニオブ、鉛
、チタン、ストロンチウム、亜鉛の均密沈殿を得た0口
過、水洗、乾燥後、800℃で2時間仮焼して、 (Pb Sr )((Zn Nb) T
i ’10.8 0.2 局 % 0.
8 0.203の組成のPSZNT原料粉末を得た。
得られた仮焼粉末を電子顕微鏡で観察したところ、平均
0.2gmの均一微粒子であることが認められた。該粉
末を1 t / c m”の圧力下で直径30mm、厚
み3mmに成形し、空気中で常圧、1000℃、2時間
焼結した。
0.2gmの均一微粒子であることが認められた。該粉
末を1 t / c m”の圧力下で直径30mm、厚
み3mmに成形し、空気中で常圧、1000℃、2時間
焼結した。
比較例1
市販のPbO1S rco3.ZnO1Nb205、T
iO2,各粉末を (Pb Sr )((Zn Wb) T
i )0.8 0.2 月 % Q、8
0.203の組成になるように配合し、ボールミル
で混合後、800℃で2時間仮焼後、再びボールミルで
粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で観察したところ、二
次粒子を含んだ平均粒径約2.5pmの不揃いの粒子か
ら構成されていた。該粉末を1t/ c m 2の圧力
下で直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧
、1000℃、2時間焼結した。
iO2,各粉末を (Pb Sr )((Zn Wb) T
i )0.8 0.2 月 % Q、8
0.203の組成になるように配合し、ボールミル
で混合後、800℃で2時間仮焼後、再びボールミルで
粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で観察したところ、二
次粒子を含んだ平均粒径約2.5pmの不揃いの粒子か
ら構成されていた。該粉末を1t/ c m 2の圧力
下で直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧
、1000℃、2時間焼結した。
上記実施例1、比較例1について、特性を比較により得
られた焼結体より焼結密度が増加し、また誘電率も大き
くなっており、特性力く良イヒしてし翫ることが確認さ
れた。
られた焼結体より焼結密度が増加し、また誘電率も大き
くなっており、特性力く良イヒしてし翫ることが確認さ
れた。
第 1 表
第1図(A)〜(K)は、夫々本発明方法を具体的に実
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
Claims (2)
- (1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、0<x≦0.3、0.8≦y ≦1、0≦z≦0.2の範囲である。) における(Pb+Sr)/(Zn+Nb +Ti)のモル比が1.0近傍の組成の PSZNT系強誘電体を製造するに際し、 鉛、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ、チ タンの各水溶液を調製し、これら5種の 水溶液とするかあるいは下記(A)〜 (E)の各項に記載されたうちの少なく とも1つの混合操作を経て2種、3種又 は4種の水溶液とし、この内の1種の水 溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合し て沈殿を形成させた後、この沈殿の分散 した水溶液と残りの他の水溶液とを順次 均一に混合して全成分の均密沈殿を形成 し、該沈殿物を500〜1200℃に仮 焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲 気中、800〜1300℃で焼結、また は不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により 高密度化し更に大気中で焼結せしめるこ とを特徴とする高密度PSZNT系強誘 電体セラミックの製造方法。 〔記〕 (A)亜鉛水溶液をニオブ水溶液、鉛水溶液、ストロン
チウム水溶液及びチタン水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (B)ストロンチウム水溶液を鉛水溶液、 チタン水溶液及び亜鉛水溶液の うちの1種又は2種以上と混合する (C)チタン水溶液をニオブ水溶液、亜鉛水溶液及びス
トロンチウム水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (D)ニオブ水溶液を亜鉛水溶液及びチタン水溶液のう
ちの1種又は2種と混合する (E)鉛水溶液をストロンチウム水溶液及び亜鉛水溶液
のうちの1種又は2種と混合 する - (2)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、0<x≦0.3、0.8≦y ≦1、0≦z≦0.2の範囲である。) における(Pb+Sr)/(Zn+Nb +Ti)のモル比が1.0近傍の組成の PSZNT系強誘電体を製造するに際し、 鉛、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ又はチ タンを含む化合物粉末の分散液を調製し、 この分散液に残りの他の水溶液とを順次 均一に混合して全成分の均密沈殿を形成 し、該沈殿物を500〜1200℃に仮 焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲 気中、800〜1300℃で焼結、また は不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により 高密度化し更に大気中で焼結せしめるこ とを特徴とする高密度PSZNT系強誘 電体セラミックの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61166832A JPS6325272A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61166832A JPS6325272A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325272A true JPS6325272A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15838483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61166832A Pending JPS6325272A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325272A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63319214A (ja) * | 1987-06-23 | 1988-12-27 | Ube Ind Ltd | コンデンサ−材料用粉末 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61166832A patent/JPS6325272A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63319214A (ja) * | 1987-06-23 | 1988-12-27 | Ube Ind Ltd | コンデンサ−材料用粉末 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004517795A (ja) | 被覆されたチタン酸バリウム系粒子および製法 | |
JPS6214489B2 (ja) | ||
JPH0159967B2 (ja) | ||
JPS6153113A (ja) | 湿式法による易焼結性ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
JPH0559048B2 (ja) | ||
JPS6325272A (ja) | 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6363511B2 (ja) | ||
JPS6325263A (ja) | 高密度bzt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325265A (ja) | 高密度bznt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS61163118A (ja) | 粉末分散湿式法による易焼結性ペロブスカイト原料粉末の製造法 | |
JPS6325264A (ja) | 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325223A (ja) | セラミツク原料粉末の製造方法 | |
JP3393157B2 (ja) | 多結晶半導体繊維およびその製造方法 | |
JPS6325261A (ja) | 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPH0556287B2 (ja) | ||
JPS6259529A (ja) | チタン含有易焼結性ペロブスカイトおよびその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
JPS63265811A (ja) | 易焼結性ペロブスカイト系複合酸化物の原料粉末の製造法 | |
JPS6325262A (ja) | 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS63291305A (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
JPS6221759A (ja) | 多段湿式法による強誘電性セラミツクスの製造方法 | |
JPH0818867B2 (ja) | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 | |
JPH0427166B2 (ja) | ||
JPS63285146A (ja) | ペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
JPS63292508A (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
JPS63248774A (ja) | 多成分セラミツクスの製造法 |