JPS6325272A - 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 - Google Patents

高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法

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JPS6325272A
JPS6325272A JP61166832A JP16683286A JPS6325272A JP S6325272 A JPS6325272 A JP S6325272A JP 61166832 A JP61166832 A JP 61166832A JP 16683286 A JP16683286 A JP 16683286A JP S6325272 A JPS6325272 A JP S6325272A
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JP
Japan
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aqueous solution
precipitate
psznt
zinc
titanium
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JP61166832A
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Inventor
信一 白崎
山本 龍也
孝幸 古澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
National Institute for Research in Inorganic Material
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
National Institute for Research in Inorganic Material
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、直流バイアス特性に優れ、積層セラミックコ
ンデンサー用語電体等に利用し得る高密度PSZNT系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、PSZNT系強誘電体セラミックの原料粉末は、
乾式法または湿式共沈法で製造されていた。乾式法は構
成成分の化合物粉末を混合し、これを仮焼する方法であ
る。しかし、この方法では均一な組成の原料粉末が得難
く、またPSZNTの生成反応を完遂させるために仮焼
温度を高くすることが必要であるので、これにより粒子
が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった。
湿式共沈法はPSZNTの構成成分のすべての混合液を
作り、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈さ
せ、乾燥、仮焼する方法である。
しかし、この方法は均一性の優れた粉末が得やすいが、
その均一性なるが故に沈殿形成時、乾燥時、また仮焼時
に凝結して二次粒子を形成し、易焼結性となりにくい欠
点がある。
更にまた、PSZNTの全ての構成成分の混合液を作り
共沈させるため、工業的に利用可能なフッ化ニオブの水
溶液を使用すると、フッ素イオンがPb又はSrと反応
してフッ化物の白色沈殿を生成し、四塩化チタンを使用
すると、塩素イオンが鉛と反応して塩化鉛の白色沈殿を
生成するため、フッ化ニオブ、四塩化チタンを使用し得
ない、このため、特性の優れた湿式共沈法によるPSZ
NT系強誘電体セラミックが製造できないという問題が
あった。
〔発明の解決すべき問題点〕
本発明は、従来の問題点を解決し、ニオブ、チタン原料
として工業的に利用可能なフッ化ニオブ、四塩化チタン
を使用し得、高密度でしかも特性の優れたPSZNT系
強誘電体セラミックを製造し得る方法を提供することに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、本願の第1の発明の高密度PSZNT系強誘電体
セラミックの製造方法は、式%式%) ≦1.0≦2≦0.2の範囲である。)における(Pb
+Sr)/ (Zn+Nb+Ti)のモル比が1.0近
傍の組成のPSZNT系強銹電体を製造するに際し、鉛
、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ、チタンの各水溶液を
調製し、これら5種の水溶液とするかあるいは下記(A
)〜 (E)の各項に記載されたうちの少なくとも1つの混合
操作を経て2種、3種又は4種の水溶液とし、この内の
1種の水溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合して沈殿
を形成させた後、この沈殿の分散した水溶液と残りの他
の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈殿を形
成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼した後、成
形物を空気中又は酸素雰囲気中、800〜1300℃で
焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により高密
度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とするのぼ
である。
〔記〕
(A)  亜鉛水溶液をニオブ水溶液、鉛末溶液、スト
ロンチウム水溶液及びチタン水溶液のうちの1種又は2
種以上と混合する CB>   ストロンチウム水溶液を鉛末溶液、チタン
水溶液及び亜鉛水溶液の うちの1種又は2種以上と混合する (C)  チタン水溶液をニオブ水溶液、亜鉛水溶液及
びストロンチウム水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (D)  ニオブ水溶液を亜鉛水溶液及びチタン水溶液
のうちの1種又は2種と混合する(E)  鉛末溶液を
ストロンチウム水溶液及び亜鉛水溶液のうちの1種又は
2種と混合する また、本願の第2の発明の高密度PSZNT系強誘電体
セラミックの製造方法は、前記組成のPSZNT系強誘
電体セラミックを製造するに際し、鉛、ストロンチウム
、亜鉛、ニオブ又はチタンを含む化合物粉末の分散液を
調製し、この分散液に残りの他の水溶液とを順次均一に
混合して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500
〜1200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰
囲気中、800〜1300℃で焼結、または不活性雰囲
気で熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結
せしめることを特徴とするものである。
本願の第1の発明を具体的に実施するには、例えば第1
図(A)〜(K)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作る。ことができる、ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散
液にF イオンが残留する場合は、これを除去してから
鉛、ストロンチウムの沈殿を形成せしめる必要がある。
また、チタンを先に沈殿せしめ沈殿分散液にCI イオ
ンが残留する場合は、これを除去してから鉛の沈殿を形
成せしめることができる。
また1本願の$2の発明を具体的に実施するには、例え
ば、第1図(A)〜(K)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末(酸化物や
水酸化物が適している。)の分散液の調製で置き換えて
実施することができる。即ち、共沈において好ましくな
い沈殿形成を引き起すニオブと鉛とストロンチウムの組
、並びに、チタンと鉛の組において、何れか1つ又は2
つの成分をに化合物粉末を使用すれば、フッ化鉛、フッ
化ストロンチウム、四塩化鉛等の沈殿形成を防止するこ
とができる。
本発明におけるPSZNT系強誘電体セラミックに、そ
の焼結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、
Ca 、 S r 、 T I 、 S n 、 M 
n 。
At、Cs、Ge、V、Bi、Fe、Cr。
Ni、Ir、Rh、Na、In、に、Ga。
TI 、W、Th、希土類などの化合物を添加してもよ
い、この場合、水溶液中に共存させてもよ<、PSZN
T系粉末の作製後、乾式または湿式により添加してもよ
い。
PSZNT系の構成成分の水溶液を作る成分化合物とし
ては、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、
オキシ硝酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ
酸塩、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。こ
れらが水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶と
することができる。
沈殿形成剤としては、アンモニア、炭酸アンモニウム、
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ、シュウ酸、シュウ
酸アンモニウム及びオキシンやアミン等の有機試薬等の
水溶液が挙げられる。アンモニアガスを用いてもよい。
構成成分の沈殿を形成するには、液を攪拌しながら行な
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後、口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
沈殿物の洗浄に関しては、エタノール等のアルコール類
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
得られた沈殿物を乾燥し、500〜1200℃で仮焼す
る。仮焼温度500℃以下ではBZTの生成反応や脱ガ
スが完結せず、また、得られるPSZNT粉末の嵩密度
が低くなる。1200℃を越えるとPSZNT粉末粒子
が粗大化して焼結性が悪くなる。
次に、成形・焼結する。焼結は空気中か酸素雰囲気中で
、ホット・プレスか常圧焼結する。焼結温度は800℃
より低いと焼結が不十分であり、1300℃を越えると
ZnOなどの飛散が顕著になるので、800〜1300
”0で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性雰囲気
で熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成
することにより行なうこともできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、PSZNTの原料成分のうち、ニオブ
とストロンチウム、鉛、チタンと鉛を共沈させないので
、ニオブ、チタン原料として、工業的に安価なフッ化物
水溶液、塩化物水溶液が使用でき、従って、安価な工業
的生産の実用化が成し得る。また、PSZNTの構成成
分の全部を共沈させないで、多重沈殿を生成させるため
、これらの沈殿は相互分散された状態となり、高嵩密度
の易焼結性のものが得られる。更に、多重沈殿生成を行
なうため、各成分に適した沈殿剤の種類及び濃度を選択
でき、目的成分のPSZNTが容易に得られる。そして
、従来の乾式法におけるような組成成分の不均一性のな
い、高密度で均一なPSZNTが容易に得られる。
〔実施例〕
以下に実施例を示して1本発明を更に詳しく説明する。
実施例1 Nb20511.5gをフッ化水素酸に溶解した水溶液
を5Nアンモニア水0.21に滴下して水酸化物を生成
し、洗浄した後、四塩化チタン6.2gを溶解した水溶
液を添加し、5Nアンモニア水0.2!を加え、ニオブ
、チタンの水酸化物を生成した。洗浄後、重炭酸アンモ
ニウム5gを含有する5Nアンモニア水0.51を加え
、この懸濁した水溶液を撹拌しつつ、これに硝酸鉛43
.0g、硝酸ストロンチウム6.8g、硝酸亜鉛8.6
H(Znは以下の沈殿操作により5%が損失することが
分っている。この−ため理論量の1.05倍量を用いた
。)を各々含有する水溶液を逐次添加して、ニオブ、鉛
、チタン、ストロンチウム、亜鉛の均密沈殿を得た0口
過、水洗、乾燥後、800℃で2時間仮焼して、 (Pb   Sr   )((Zn  Nb)   T
i    ’10.8 0.2     局 % 0.
8  0.203の組成のPSZNT原料粉末を得た。
得られた仮焼粉末を電子顕微鏡で観察したところ、平均
0.2gmの均一微粒子であることが認められた。該粉
末を1 t / c m”の圧力下で直径30mm、厚
み3mmに成形し、空気中で常圧、1000℃、2時間
焼結した。
比較例1 市販のPbO1S rco3.ZnO1Nb205、T
iO2,各粉末を (Pb   Sr   )((Zn  Wb)   T
i    )0.8 0.2     月 % Q、8
  0.203の組成になるように配合し、ボールミル
で混合後、800℃で2時間仮焼後、再びボールミルで
粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で観察したところ、二
次粒子を含んだ平均粒径約2.5pmの不揃いの粒子か
ら構成されていた。該粉末を1t/ c m 2の圧力
下で直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧
、1000℃、2時間焼結した。
上記実施例1、比較例1について、特性を比較により得
られた焼結体より焼結密度が増加し、また誘電率も大き
くなっており、特性力く良イヒしてし翫ることが確認さ
れた。
第       1       表
【図面の簡単な説明】
第1図(A)〜(K)は、夫々本発明方法を具体的に実
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、0<x≦0.3、0.8≦y ≦1、0≦z≦0.2の範囲である。) における(Pb+Sr)/(Zn+Nb +Ti)のモル比が1.0近傍の組成の PSZNT系強誘電体を製造するに際し、 鉛、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ、チ タンの各水溶液を調製し、これら5種の 水溶液とするかあるいは下記(A)〜 (E)の各項に記載されたうちの少なく とも1つの混合操作を経て2種、3種又 は4種の水溶液とし、この内の1種の水 溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合し て沈殿を形成させた後、この沈殿の分散 した水溶液と残りの他の水溶液とを順次 均一に混合して全成分の均密沈殿を形成 し、該沈殿物を500〜1200℃に仮 焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲 気中、800〜1300℃で焼結、また は不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により 高密度化し更に大気中で焼結せしめるこ とを特徴とする高密度PSZNT系強誘 電体セラミックの製造方法。 〔記〕 (A)亜鉛水溶液をニオブ水溶液、鉛水溶液、ストロン
    チウム水溶液及びチタン水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (B)ストロンチウム水溶液を鉛水溶液、 チタン水溶液及び亜鉛水溶液の うちの1種又は2種以上と混合する (C)チタン水溶液をニオブ水溶液、亜鉛水溶液及びス
    トロンチウム水溶液 のうちの1種又は2種以上と混合する (D)ニオブ水溶液を亜鉛水溶液及びチタン水溶液のう
    ちの1種又は2種と混合する (E)鉛水溶液をストロンチウム水溶液及び亜鉛水溶液
    のうちの1種又は2種と混合 する
  2. (2)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、0<x≦0.3、0.8≦y ≦1、0≦z≦0.2の範囲である。) における(Pb+Sr)/(Zn+Nb +Ti)のモル比が1.0近傍の組成の PSZNT系強誘電体を製造するに際し、 鉛、ストロンチウム、亜鉛、ニオブ又はチ タンを含む化合物粉末の分散液を調製し、 この分散液に残りの他の水溶液とを順次 均一に混合して全成分の均密沈殿を形成 し、該沈殿物を500〜1200℃に仮 焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲 気中、800〜1300℃で焼結、また は不活性雰囲気で熱間静水圧加圧により 高密度化し更に大気中で焼結せしめるこ とを特徴とする高密度PSZNT系強誘 電体セラミックの製造方法。
JP61166832A 1986-07-17 1986-07-17 高密度psznt系強誘電体セラミツクの製造方法 Pending JPS6325272A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63319214A (ja) * 1987-06-23 1988-12-27 Ube Ind Ltd コンデンサ−材料用粉末

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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