JPS6325261A - 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 - Google Patents
高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法Info
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- JPS6325261A JPS6325261A JP61166833A JP16683386A JPS6325261A JP S6325261 A JPS6325261 A JP S6325261A JP 61166833 A JP61166833 A JP 61166833A JP 16683386 A JP16683386 A JP 16683386A JP S6325261 A JPS6325261 A JP S6325261A
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Landscapes
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フィルター、超音波振動子、共振素子エレメ
ント等圧電体応用分野に広く利用し得る高密度PMN系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
ント等圧電体応用分野に広く利用し得る高密度PMN系
強誘電体セラミックの製造方法に関する。
従来、PMN系強銹電体セラミックの原料粉末は、乾式
法または湿式共沈法で製造されていた。
法または湿式共沈法で製造されていた。
乾式法は構成成分の化合物粉末を混合し、これを仮焼す
る方法である。しかし、この方法では均一な組成の原料
粉末が得難く、またPMNの生成反応を完遂させるため
に仮焼温度を高くすることが必要であるので、これによ
り粒子が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった
。
る方法である。しかし、この方法では均一な組成の原料
粉末が得難く、またPMNの生成反応を完遂させるため
に仮焼温度を高くすることが必要であるので、これによ
り粒子が粗大化して易焼結性になりにくい欠点があった
。
湿式共沈法はPMNの構成成分のすべての混合液を作り
、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈させ、
乾燥、仮焼する方法である。しかし、この方法は均一性
の優れた粉末が得やすいが、その均一性なるが故に沈殿
形成時、乾燥時、また仮焼時に凝結して二次粒子を形成
し、易焼結性となりにくい欠点がある。
、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈させ、
乾燥、仮焼する方法である。しかし、この方法は均一性
の優れた粉末が得やすいが、その均一性なるが故に沈殿
形成時、乾燥時、また仮焼時に凝結して二次粒子を形成
し、易焼結性となりにくい欠点がある。
更にまた、PMNは鉛、マグネシウムとニオブを含有し
ているので、これを共沈させる場合、ニオブ原料として
工業的に利用可能なフッ化ニオブの水溶液を使用すると
、フッ化ニオブのフッ素イオンが鉛、マグネシウムと反
応してフッ化鉛、フッ化マグネシウムの白色沈殿を生成
するため、7ツ化ニオブを使用し得ない。このため、特
性の優れた湿式共沈法によるPMN系強誘電体セラミッ
クが製造できないという問題があった。
ているので、これを共沈させる場合、ニオブ原料として
工業的に利用可能なフッ化ニオブの水溶液を使用すると
、フッ化ニオブのフッ素イオンが鉛、マグネシウムと反
応してフッ化鉛、フッ化マグネシウムの白色沈殿を生成
するため、7ツ化ニオブを使用し得ない。このため、特
性の優れた湿式共沈法によるPMN系強誘電体セラミッ
クが製造できないという問題があった。
本発明は、従来の問題点を解決し、ニオブ原料として工
業的に利用可能なフッ化ニオブを使用し得、高密度でし
かも特性の優れたPMN系強誘電体セラミックを製造し
得る方法を提供することにある。
業的に利用可能なフッ化ニオブを使用し得、高密度でし
かも特性の優れたPMN系強誘電体セラミックを製造し
得る方法を提供することにある。
即ち、本願の第1の発明の高密度PMN系強誘電体セラ
ミックの製造方法は、式Pb(Mg ・0.1〜0.
9の範囲の数である。)におけるP b/ (Mg+N
b)のモル比が1.0近傍の組成のPMN系強誘電体
を製造するに際し、鉛、マグネシウムニオブの各水溶液
を調製し、これら3種の水溶液とするかあるいは鉛水溶
液をマグネシウム水溶液に混合して2種の水溶液とし、
この内の1種の水溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合
して沈殿を形成させた後、この沈殿の分散した水溶液と
残りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密
沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼し
た後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、900〜14
00℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧に
より高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴と
するものである。
ミックの製造方法は、式Pb(Mg ・0.1〜0.
9の範囲の数である。)におけるP b/ (Mg+N
b)のモル比が1.0近傍の組成のPMN系強誘電体
を製造するに際し、鉛、マグネシウムニオブの各水溶液
を調製し、これら3種の水溶液とするかあるいは鉛水溶
液をマグネシウム水溶液に混合して2種の水溶液とし、
この内の1種の水溶液に過剰の沈殿形成液を均一に混合
して沈殿を形成させた後、この沈殿の分散した水溶液と
残りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密
沈殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼し
た後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、900〜14
00℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧に
より高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴と
するものである。
また、本願の第2の発明の高密度PMN系強誘電体セラ
ミックの製造方法は、前記組成のPMN系強誘電体セラ
ミックを製造するに際し、鉛、マグネシウムまたはニオ
ブを含む化合物粉末の分散液を調製し、この分散液に残
りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈
殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼した
後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、900〜140
0℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧によ
り高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とす
るものである。
ミックの製造方法は、前記組成のPMN系強誘電体セラ
ミックを製造するに際し、鉛、マグネシウムまたはニオ
ブを含む化合物粉末の分散液を調製し、この分散液に残
りの他の水溶液とを順次均一に混合して全成分の均密沈
殿を形成し、該沈殿物を500〜1200℃に仮焼した
後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中、900〜140
0℃で焼結、または不活性雰囲気で熱間静水圧加圧によ
り高密度化し更に大気中で焼結せしめることを特徴とす
るものである。
本願の第1の発明を具体的に実施するには1例えば第1
図(A)、(B)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作ることができる。ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散液
にF イオンが残留する場合は、これを除去してから鉛
又は/及びマグネシウムの沈殿を形成せしめる必要があ
る。
図(A)、(B)に示した沈殿形成の順序で均密沈殿を
作ることができる。ニオブを先に沈殿せしめ沈殿分散液
にF イオンが残留する場合は、これを除去してから鉛
又は/及びマグネシウムの沈殿を形成せしめる必要があ
る。
また、本願の第2の発明を具体的に実施するには、例え
ば、第1図(A)、(B)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末の分散液の
調製で置き換えて実施することができる。
ば、第1図(A)、(B)に示した沈殿形成において、
例えば最先の沈殿形成をこの成分化合物粉末の分散液の
調製で置き換えて実施することができる。
本発明におけるPMN系強誘電体セラミックに、その焼
結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、Ca
、Sr、Ti 、Sn、Mn。
結性や特性を制御するために、微量成分、例えば、Ca
、Sr、Ti 、Sn、Mn。
AI、Cs、Ge、V、Bi、Fe、Cr。
Ni、Ir、Rh、Na、In、に、Ga。
TI、W、Th、希土類などの化合物を添加してもよい
、この場合、水溶液中に共存させてもよく、PMN系粉
末の作製後、乾式または湿式により添加してもよい。
、この場合、水溶液中に共存させてもよく、PMN系粉
末の作製後、乾式または湿式により添加してもよい。
PMN系の構成成分の水溶液を作る成分化合物としては
、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、オキ
シ硝酸基、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ酸塩
、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。これら
が水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶とする
ことができる。
、それら成分の水酸化物、オキシ塩化物、炭酸塩、オキ
シ硝酸基、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、フッ化物、ギ酸塩
、シュウ酸塩、塩化物、酸化物等が挙げられる。これら
が水に可溶でない場合は、鉱酸等を添加して可溶とする
ことができる。
沈殿形成剤としては、アンモニア、炭酸アンモニウム、
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ。
苛性ソーダ、苛性カリ、炭酸ソーダ。
シュウ酸、シュウ酸アンモニウム及びオキシンやアミン
等の有機試薬等の水溶液が挙げられる。アンモニアガス
を用いてもよい。
等の有機試薬等の水溶液が挙げられる。アンモニアガス
を用いてもよい。
構成成分の沈殿を形成するには、液を攪拌しながら行な
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後1口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
うことが望ましい、また、ある沈殿の生成後1口液を除
き、後で妨害する陰イオンを除去するため洗浄した後、
この沈殿を再分散する沈殿形成液の種類や濃度を残り成
分に適したものに変えて沈殿させてもよい。
沈殿物の洗浄に関しては、エタノール等のアルコール類
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
を用いると、以後の乾燥、仮焼工程で沈殿の凝結が抑制
されて好結果が得られる。
得られた沈殿物を乾燥し、500〜1200 ’Cで仮
焼する。仮焼温度500℃未満ではPMNの生成反応や
脱ガスが完結せず、また、得られるPMN粉末の嵩密度
が低くなる。1200℃を越えるとPMN粉末粒子が粗
大化して焼結性が悪くなる。
焼する。仮焼温度500℃未満ではPMNの生成反応や
脱ガスが完結せず、また、得られるPMN粉末の嵩密度
が低くなる。1200℃を越えるとPMN粉末粒子が粗
大化して焼結性が悪くなる。
次に、成形・焼結する。焼結は空気中か酸素雰囲気中で
、ホットφプレスか常圧焼結する。焼結温度は900℃
より低いと焼結が不十分であり、1400℃を越えると
PbOなとの飛散が顕著になるので、900〜1400
℃で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性雰囲気で
熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成す
ることにより行なうこともできる。
、ホットφプレスか常圧焼結する。焼結温度は900℃
より低いと焼結が不十分であり、1400℃を越えると
PbOなとの飛散が顕著になるので、900〜1400
℃で行なうのが望ましい、尚、焼結は、不活性雰囲気で
熱間静水圧加圧により高密度化した後、大気中で焼成す
ることにより行なうこともできる。
本発明によれば、PMNの原料成分のうち、鉛又は/及
びマグネシウムとニオブを共沈させないので、ニオブ原
料として、工業的に安価なフッ化物水溶液が使用でき、
従って、安価な工業的生産の実用化が成し得る。また、
PMNの構成成分の全部を共沈させないで、多重沈殿を
生成させるため、これらの沈殿は相互分散された状態と
なり、高嵩密度の易焼結性のものが得られる。更に、多
重沈殿生成を行なうため、各成分に適した沈殿剤の種類
及び濃度を選択でき、目的成分のPMNが容易に得られ
る。そして、従来の乾式法におけるような組成成分の不
均一性のない、高密度で均一なPMNが容易に得られる
。
びマグネシウムとニオブを共沈させないので、ニオブ原
料として、工業的に安価なフッ化物水溶液が使用でき、
従って、安価な工業的生産の実用化が成し得る。また、
PMNの構成成分の全部を共沈させないで、多重沈殿を
生成させるため、これらの沈殿は相互分散された状態と
なり、高嵩密度の易焼結性のものが得られる。更に、多
重沈殿生成を行なうため、各成分に適した沈殿剤の種類
及び濃度を選択でき、目的成分のPMNが容易に得られ
る。そして、従来の乾式法におけるような組成成分の不
均一性のない、高密度で均一なPMNが容易に得られる
。
以下に実施例を示して、本発明を更に詳しく説明する。
実施例1
硝酸鉛50.9g、硝酸マグネシウム7.5gを含有す
る水溶液11を調製し、これを攪拌した重炭酸アンモニ
ウム20gを含有する5Nアンモニア水0.11中に滴
下して炭酸塩及び水酸化物の共沈物を作製した。この共
沈物の懸濁した水溶液を攪拌しつつ、これにNb2O,
13,7gをフッ化水素酸に溶解した水溶液11を添加
し、更に重炭酸アンモニウム5gを含有する5Nアンモ
ニア水0.51を加えて、鉛、マグネシウム、ニオブの
炭酸塩、水酸化物の均密沈殿物を得た0口過、水洗、乾
燥後、800℃で2時間仮焼して、P b (Mg
Ta ) 03の組成のPMN原料粉h % 末を得た。得られた仮焼粉末を電子顕微鏡で観察したと
ころ、平均0.2〜0.3Bmの均一微粒子であること
が認められた。該粉末を700Kg/cm2の圧力下で
直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧、1
000℃、2時間焼結した。
る水溶液11を調製し、これを攪拌した重炭酸アンモニ
ウム20gを含有する5Nアンモニア水0.11中に滴
下して炭酸塩及び水酸化物の共沈物を作製した。この共
沈物の懸濁した水溶液を攪拌しつつ、これにNb2O,
13,7gをフッ化水素酸に溶解した水溶液11を添加
し、更に重炭酸アンモニウム5gを含有する5Nアンモ
ニア水0.51を加えて、鉛、マグネシウム、ニオブの
炭酸塩、水酸化物の均密沈殿物を得た0口過、水洗、乾
燥後、800℃で2時間仮焼して、P b (Mg
Ta ) 03の組成のPMN原料粉h % 末を得た。得られた仮焼粉末を電子顕微鏡で観察したと
ころ、平均0.2〜0.3Bmの均一微粒子であること
が認められた。該粉末を700Kg/cm2の圧力下で
直径30mm、厚み3mmに成形し、空気中で常圧、1
000℃、2時間焼結した。
比較例1
重版(7)P b O,M g O,N b20s !
粉末をPb (Mg Ta )03の組成になるよ
うに3’1 % 配合し、ボールミルで混合後、800℃で2時間仮焼後
、再びボールミルで粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で
観察したところ、二次粒子を含んだ平均粒径約2〜37
zmの不揃いの粒子から構成されていた。該粉末を70
0Kg/cm2の圧力下で直径30mm、厚み3mmに
成形し、空気中で常圧、1100℃、2時間焼結した。
粉末をPb (Mg Ta )03の組成になるよ
うに3’1 % 配合し、ボールミルで混合後、800℃で2時間仮焼後
、再びボールミルで粉砕した。この粉末を電子顕微鏡で
観察したところ、二次粒子を含んだ平均粒径約2〜37
zmの不揃いの粒子から構成されていた。該粉末を70
0Kg/cm2の圧力下で直径30mm、厚み3mmに
成形し、空気中で常圧、1100℃、2時間焼結した。
上記実施例1、比較例1について、特性を比較した結果
を第1表に示した0本発明によれば、焼結性及び誘電率
が向上した。
を第1表に示した0本発明によれば、焼結性及び誘電率
が向上した。
第1表
第1図(A)、(B)は、夫々本発明方法を具体的に実
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
施する場合の沈殿形成の順序を示した説明図である。
Claims (2)
- (1)式Pb(Mg_x・Nb_1_−_x)O_3(
但し、xはモル分率であり0.1〜0.9の範囲の数で
ある。) におけるPb/(Mg+Nb)のモル比が1.0近傍の
組成のPMN系強誘電体を製造するに際し、鉛、マグネ
シウムニオブの各水溶液を調製し、これら3種の水溶液
とするかあるいは鉛水溶液をマグネシウム水溶液に混合
して2種の水溶液とし、この内の1種の水溶液に過剰の
沈殿形成液を均一に混合して沈殿を形成させた後、この
沈殿の分散した水溶液と残りの他の水溶液とを順次均一
に混合して全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を50
0〜1200℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素
雰囲気中、900〜1400℃で焼結、または不活性雰
囲気で熱間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼
結せしめることを特徴とする高密度PMN系強誘電体セ
ラミックの製造方法。 - (2)式Pb(Mg_x・Nb_1_−_x)O_3(
但し、xはモル分率であり0.1〜0.9の範囲の数で
ある。) におけるPb/(Mg+Nb)のモル比が1.0近傍の
組成のPMN系強誘電体を製造するに際し、鉛、マグネ
シウムまたはニオブを含む化合物粉末の分散液を調製し
、この分散液に残りの他の水溶液とを順次均一に混合し
て全成分の均密沈殿を形成し、該沈殿物を500〜12
00℃に仮焼した後、成形物を空気中又は酸素雰囲気中
、900〜1400℃で焼結、または不活性雰囲気で熱
間静水圧加圧により高密度化し更に大気中で焼結せしめ
ることを特徴とする高密度PMN系強誘電体セラミック
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61166833A JPS6325261A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61166833A JPS6325261A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325261A true JPS6325261A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15838500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61166833A Pending JPS6325261A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325261A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02225363A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61166833A patent/JPS6325261A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02225363A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
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