JPS63292508A - 誘電体共振器材料の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器材料の製造方法Info
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- JPS63292508A JPS63292508A JP62127213A JP12721387A JPS63292508A JP S63292508 A JPS63292508 A JP S63292508A JP 62127213 A JP62127213 A JP 62127213A JP 12721387 A JP12721387 A JP 12721387A JP S63292508 A JPS63292508 A JP S63292508A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波用誘電体共振器材料の製造方法に関
する。
する。
マイクロ波用誘電体共振器材料にはＱ値の高いものが望
まれている。このような材料として、（Ｈａ、 Ｓｒ＋
Ｃａ） （Ｚｒ、 ＴＩ）０：ｌ系の（あるいはＭ（
Ｚｒ、Ｔ１）０３系、ＭはＢａ＋Ｓｒ、Ｃａ）材料があ
るが、焼結困難のためＱ値が４０００程度であり、現状
の乾式法ではＱ値の向上に限界がある。
まれている。このような材料として、（Ｈａ、 Ｓｒ＋
Ｃａ） （Ｚｒ、 ＴＩ）０：ｌ系の（あるいはＭ（
Ｚｒ、Ｔ１）０３系、ＭはＢａ＋Ｓｒ、Ｃａ）材料があ
るが、焼結困難のためＱ値が４０００程度であり、現状
の乾式法ではＱ値の向上に限界がある。
すなわち、化学式ＢａＸ５ｒｙＣａ （１−Ｘ−ｙ）
（Ｚｒ、Ｔｉ ｆｌ−２１）Ｏ：ｌ、０≦ｘ≦１０≦ｙ
≦１、Ｑ＜ｚ≦１、で表わされるセラミックス（以下場
合によりＭＺＴセラミックスまたは単にＭＺＴと略称す
る）は一般的に、原料粉末としてたとえば［１ａＣＯ３
粉末、ＺｒＯ□粉末、ＳｒＣＯ３粉末、ＴｉＯ□粉末等
を所望のＭＺＴ組成となるように配合して、これをボー
ルミル等によって乾式法で混合した後、たとえば１１０
０℃程度で仮焼してＭＺＴ粉末とし、この仮焼粉末を加
圧成形し、たとえば１３００℃程度で最終的に焼成して
得られる。
（Ｚｒ、Ｔｉ ｆｌ−２１）Ｏ：ｌ、０≦ｘ≦１０≦ｙ
≦１、Ｑ＜ｚ≦１、で表わされるセラミックス（以下場
合によりＭＺＴセラミックスまたは単にＭＺＴと略称す
る）は一般的に、原料粉末としてたとえば［１ａＣＯ３
粉末、ＺｒＯ□粉末、ＳｒＣＯ３粉末、ＴｉＯ□粉末等
を所望のＭＺＴ組成となるように配合して、これをボー
ルミル等によって乾式法で混合した後、たとえば１１０
０℃程度で仮焼してＭＺＴ粉末とし、この仮焼粉末を加
圧成形し、たとえば１３００℃程度で最終的に焼成して
得られる。
得られたＭＺＴセラミックスの共振特性すなわちＱ値を
高めるためにはセラミックスの密度を高める必要がある
。粉末を加圧成形後セラミックスに焼成する単なる乾式
法においては、セラミックスの密度は焼成前の加圧成形
状態での充填密度に強く依存している。したがってセラ
ミックスの密度向上のためにはこの充填密度の向上が必
要であり、そのためには加圧成形前の仮焼粉末をより微
細化する必要がある。しかし、前記のような原料粉末の
うちジルコニア粉末（ＺｒＯｚ粉末）は微細化の進行に
よって粒子間の凝集傾向が急速に強まるため、微細化は
飽和してしまい、結局仮焼後のＭＺＴ粉末の微細化も飽
和してしまう。そのため、従来得られているＭＺＴ仮焼
粉末は最も小さくても１〜２μｍ以上であった。
高めるためにはセラミックスの密度を高める必要がある
。粉末を加圧成形後セラミックスに焼成する単なる乾式
法においては、セラミックスの密度は焼成前の加圧成形
状態での充填密度に強く依存している。したがってセラ
ミックスの密度向上のためにはこの充填密度の向上が必
要であり、そのためには加圧成形前の仮焼粉末をより微
細化する必要がある。しかし、前記のような原料粉末の
うちジルコニア粉末（ＺｒＯｚ粉末）は微細化の進行に
よって粒子間の凝集傾向が急速に強まるため、微細化は
飽和してしまい、結局仮焼後のＭＺＴ粉末の微細化も飽
和してしまう。そのため、従来得られているＭＺＴ仮焼
粉末は最も小さくても１〜２μｍ以上であった。
そこで、ＭＺＴ粉末を更に微細化することによって、よ
り高いＱ値を有する誘電体共振器材料を製造する方法の
出現が強く求められていた。
り高いＱ値を有する誘電体共振器材料を製造する方法の
出現が強く求められていた。
本発明の目的は、この乾式法での問題を解決するため、
粒子の分散性が良いサブミクロン級のＭ（Ｚｒ、Ｔｉ）
０３系変成原料粉末（ＭはＢＢ、Ｓｒ、Ｃａ）を湿弐法
にて作製し、この粉末を用いて乾式法によって混合およ
び仮焼し、本来希望するセラミックスと同一組成を有す
る原料粉末とすることで、焼成が容易で、しかも特性が
良好なマイクロ波用誘電体共振器材料を製造する方法を
提供することである。
粒子の分散性が良いサブミクロン級のＭ（Ｚｒ、Ｔｉ）
０３系変成原料粉末（ＭはＢＢ、Ｓｒ、Ｃａ）を湿弐法
にて作製し、この粉末を用いて乾式法によって混合およ
び仮焼し、本来希望するセラミックスと同一組成を有す
る原料粉末とすることで、焼成が容易で、しかも特性が
良好なマイクロ波用誘電体共振器材料を製造する方法を
提供することである。
上記の目的は、化学式がＢａＸ５ｒｙＣａ Ｎ−Ｘ−ｙ
ｌ（ＺｒｚＴ＋ Ｎ−ｚｌ）０：ｉｓ Ｏ≦ｘ≦１、Ｏ
≦ｙ≦１．０く２≦１で表わされる組成の誘電体共振器
材料の製造方法において、 （１）上記の化学式中Ｚｒ以外の少なくとも１種の金属
成分の適量とＺｒとを含有する溶液を作成し、加水分解
を行なってゾルを生成させ、ゾルを乾燥後７００〜１３
００℃で仮焼して仮焼物とする工程、 （２）仮焼物と、上記の組成の残りの構成成分の化合物
とを混合して７００〜１３００℃で仮焼して仮焼粉末と
する工程、および （３）仮焼粉末を成形して７００〜１６００“Ｃで焼成
する工程 から成ることを特徴とする誘電体共振器材料の製造方法
によって達成される。
ｌ（ＺｒｚＴ＋ Ｎ−ｚｌ）０：ｉｓ Ｏ≦ｘ≦１、Ｏ
≦ｙ≦１．０く２≦１で表わされる組成の誘電体共振器
材料の製造方法において、 （１）上記の化学式中Ｚｒ以外の少なくとも１種の金属
成分の適量とＺｒとを含有する溶液を作成し、加水分解
を行なってゾルを生成させ、ゾルを乾燥後７００〜１３
００℃で仮焼して仮焼物とする工程、 （２）仮焼物と、上記の組成の残りの構成成分の化合物
とを混合して７００〜１３００℃で仮焼して仮焼粉末と
する工程、および （３）仮焼粉末を成形して７００〜１６００“Ｃで焼成
する工程 から成ることを特徴とする誘電体共振器材料の製造方法
によって達成される。
本発明者は、湿式過程を含む上記工程（１）によって７
００−１３００℃で仮焼すると仮焼物としてサブミクロ
ン級の変成ジルコニア粉末、たとえば５ｎＺｒＯ＋粉末
が得られ、この変成粉末は非常に分散性が良く、従来原
料粉末として用いられていた未変成のＺｒＯ□粉末で不
可避的に発生した粒子の凝集が起きにくいことを見出し
た。更に、本発明者らは、工程（２）によって、変成ジ
ルコニア粉末と、目的とするＭＺＴ組成の残りの構成成
分の化合物（たとえばＢａＣＯ３，ＴｉＯ７等）とを混
合すると、この混合粉末自体も凝集性がなく、これを仮
焼するとやはり分散性の良いサブミクロン級のＭＺＴ仮
焼粉末が得られ、ホットプレスやＨＩＰ （たとえば、
熱間ガス圧焼結）などの操作を省略しても、工程（３）
によってこれを成形・焼成して得られるセラミックスは
極めて高い密度を有し誘電体共振器材料として著しく向
上したＱ値を具備することを見出した。
００−１３００℃で仮焼すると仮焼物としてサブミクロ
ン級の変成ジルコニア粉末、たとえば５ｎＺｒＯ＋粉末
が得られ、この変成粉末は非常に分散性が良く、従来原
料粉末として用いられていた未変成のＺｒＯ□粉末で不
可避的に発生した粒子の凝集が起きにくいことを見出し
た。更に、本発明者らは、工程（２）によって、変成ジ
ルコニア粉末と、目的とするＭＺＴ組成の残りの構成成
分の化合物（たとえばＢａＣＯ３，ＴｉＯ７等）とを混
合すると、この混合粉末自体も凝集性がなく、これを仮
焼するとやはり分散性の良いサブミクロン級のＭＺＴ仮
焼粉末が得られ、ホットプレスやＨＩＰ （たとえば、
熱間ガス圧焼結）などの操作を省略しても、工程（３）
によってこれを成形・焼成して得られるセラミックスは
極めて高い密度を有し誘電体共振器材料として著しく向
上したＱ値を具備することを見出した。
工程（１）の溶液は水溶液またはアルコール溶液である
。この溶液の作成は、前記の化学式中Ｚｒ以外の少なく
とも１種の金属成分の化合物粉末を、Ｚｒを含有する溶
液中に溶解するか、逆に前者を含有する溶液中に後者の
化合物粉末を溶解するか、両者共にそれぞれを含有する
溶液として準備し混合するか、または両者共に化合物粉
末として準備して水またはアルコール中に一緒に溶解さ
せるか、のいずれかまたはこれらの組み合せによって行
なう。
。この溶液の作成は、前記の化学式中Ｚｒ以外の少なく
とも１種の金属成分の化合物粉末を、Ｚｒを含有する溶
液中に溶解するか、逆に前者を含有する溶液中に後者の
化合物粉末を溶解するか、両者共にそれぞれを含有する
溶液として準備し混合するか、または両者共に化合物粉
末として準備して水またはアルコール中に一緒に溶解さ
せるか、のいずれかまたはこれらの組み合せによって行
なう。
Ｚｒを含有する溶液を作成するための化合物としては、
たとえばオキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニ
ウム、塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニウム、および金
属ジルコニウム等を用いる。
たとえばオキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニ
ウム、塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニウム、および金
属ジルコニウム等を用いる。
これらのＺｒ化合物は１種のみで用いてもよく、あるい
は互に影響しない範囲で２種以上を一緒に用いてもよい
。
は互に影響しない範囲で２種以上を一緒に用いてもよい
。
工程（１）における「適量」とは、生成したゾルの凝集
を防止するのに適した量であり、溶液の作成に用いる化
合物によって異なる。
を防止するのに適した量であり、溶液の作成に用いる化
合物によって異なる。
工程（２）において生成したゾルはろ過および洗浄によ
って回収された後乾燥される。
って回収された後乾燥される。
乾燥後のゾルの仮焼温度は７００〜１３００℃である。
仮焼温度が７００℃より低いと凝集が顕著に起り、１３
００℃を超えると粒子が粗大化する傾向がある。
００℃を超えると粒子が粗大化する傾向がある。
この様にして得られた仮焼物に、ペロブスカイト組成と
しての構成成分の不足分を加えて混合する。上記の場合
には、たとえばＺｒＯ２粉末を更に混合して目的のペロ
ブスカイト組成となるようにすることができる。
しての構成成分の不足分を加えて混合する。上記の場合
には、たとえばＺｒＯ２粉末を更に混合して目的のペロ
ブスカイト組成となるようにすることができる。
混合物としてのａ菓防止効果を得るには、原料粉末のう
ち少なくとも１種が工程（１）で形成させたサブミクロ
ン級の変成粉末であればよい。したがって、工程（２）
において混合する残りの構成成分の化合物としては、従
来からの市販原料粉末を使用してもよく、また工程（１
）で上記と同様に形成させたサブミクロン級の変成粉末
を使用してもよい。工程（２）で使用する原料粉末はい
ずれもサブミクロン級の粒度であることが必要である。
ち少なくとも１種が工程（１）で形成させたサブミクロ
ン級の変成粉末であればよい。したがって、工程（２）
において混合する残りの構成成分の化合物としては、従
来からの市販原料粉末を使用してもよく、また工程（１
）で上記と同様に形成させたサブミクロン級の変成粉末
を使用してもよい。工程（２）で使用する原料粉末はい
ずれもサブミクロン級の粒度であることが必要である。
混合物の仮焼温度（工程（２））については、７００℃
付近より目的とするＭＺＴセラミックス組成物が形成さ
れ、１３００℃以上で仮焼すると仮焼粉末粒径が大きく
なり焼成特性を著しく悪化させるので、７００〜１３０
０℃の範囲であることが必要である。
付近より目的とするＭＺＴセラミックス組成物が形成さ
れ、１３００℃以上で仮焼すると仮焼粉末粒径が大きく
なり焼成特性を著しく悪化させるので、７００〜１３０
０℃の範囲であることが必要である。
この様にして得られた粉末を成型する。焼結温度は前記
の混合物の仮焼温度と同様にその構成成分の種類によっ
て異なるが、一般に７００〜１６００”ｃの範囲である
。７００°Ｃより低いと焼結が不十分で高密度が得られ
ず１６００℃を超えると粒子が粗大化したり、あるいは
揮発性元素が揮発して失われる。
の混合物の仮焼温度と同様にその構成成分の種類によっ
て異なるが、一般に７００〜１６００”ｃの範囲である
。７００°Ｃより低いと焼結が不十分で高密度が得られ
ず１６００℃を超えると粒子が粗大化したり、あるいは
揮発性元素が揮発して失われる。
工程（２）において、助剤としてＭｎＯ＋Ｍｎ０ｚ＋Ｃ
ｒ ２０ ｃ ＋ Ｃｏ ＯＩＮ ＋ ０ ＋ Ｓ ｎ
Ｏ２１Ｍ ｇ Ｏ＋ Ｔ ａ ２０５ ｌＮ ｂ ２
０ ｓ ＋ ’Ａ Ｏ３１Ｌ ａ ２ ｏ３ ＋Ｓｍｚ
Ｏｉ＋ＮｄｚＯｓ、ＢｉｚＯ３，Ａ １２２０３ 、お
よび５ｉ０２の１種または２種以上を微量添加する。
ｒ ２０ ｃ ＋ Ｃｏ ＯＩＮ ＋ ０ ＋ Ｓ ｎ
Ｏ２１Ｍ ｇ Ｏ＋ Ｔ ａ ２０５ ｌＮ ｂ ２
０ ｓ ＋ ’Ａ Ｏ３１Ｌ ａ ２ ｏ３ ＋Ｓｍｚ
Ｏｉ＋ＮｄｚＯｓ、ＢｉｚＯ３，Ａ １２２０３ 、お
よび５ｉ０２の１種または２種以上を微量添加する。
以下に本発明の実施例を比較例と対比させて説明する。
硝酸ストロンチウム水溶液（１，５１！ ／ｍｏ（１）
２１９ｃｃとオキシ硝酸ジルコニウム水溶液（１，２７
！／ｍｏ１）１７５ｃｃとを混合した。この混合水溶液
を＋００°Ｃで１００時間保持することで加水分解を行
い、ｚ ｒ ４ ＋と３ ｒ ２ ＋を含むゾルを得た
。これを、洗浄、乾燥した後１０００℃で１時間仮焼し
て５ｒＺｒＯ，を得た。
２１９ｃｃとオキシ硝酸ジルコニウム水溶液（１，２７
！／ｍｏ１）１７５ｃｃとを混合した。この混合水溶液
を＋００°Ｃで１００時間保持することで加水分解を行
い、ｚ ｒ ４ ＋と３ ｒ ２ ＋を含むゾルを得た
。これを、洗浄、乾燥した後１０００℃で１時間仮焼し
て５ｒＺｒＯ，を得た。
その後、５ｒＺｒ０３粉末ｌｏｇと市販のＢａＣＯ３３
，１５８ｇ 、 Ｚｒ０ｚ １．７９９ｇ 、、Ｔｉ０
ｚ０．１３ｇをボールミルで一昼夜混合した後、ｌ００
０’Ｃで１時間仮焼してＢａ、、、２□Ｓｒｏ、 ７ｚ
（Ｚｒｏ、 ｑ７ａＴｉｏ、 ｏｚ７）０３粉末を得た
。その平均粒径は０．３μｍであった。該粉末をｌ ｔ
ｏｎ ／ ｃＪで成形したタブＬ／７トを１２５０’ｃ
、１２７５℃、１３００’Ｃ１１３２５℃、１３５０℃
にて１時間焼成した。
，１５８ｇ 、 Ｚｒ０ｚ １．７９９ｇ 、、Ｔｉ０
ｚ０．１３ｇをボールミルで一昼夜混合した後、ｌ００
０’Ｃで１時間仮焼してＢａ、、、２□Ｓｒｏ、 ７ｚ
（Ｚｒｏ、 ｑ７ａＴｉｏ、 ｏｚ７）０３粉末を得た
。その平均粒径は０．３μｍであった。該粉末をｌ ｔ
ｏｎ ／ ｃＪで成形したタブＬ／７トを１２５０’ｃ
、１２７５℃、１３００’Ｃ１１３２５℃、１３５０℃
にて１時間焼成した。
（比較例）
比較例として、市販のＢａＣＯ３，Ｚｒ０ｚ、ＳｒＣＯ
３，Ｔｉ０ｚを上記組成になるよう配合し、ホールミル
で一昼夜配合した後、１０００℃で仮焼した。この平均
粒径は１．２μｍであった。その後、実施例と同様の工
程にて試料を作製した。
３，Ｔｉ０ｚを上記組成になるよう配合し、ホールミル
で一昼夜配合した後、１０００℃で仮焼した。この平均
粒径は１．２μｍであった。その後、実施例と同様の工
程にて試料を作製した。
（実施例）および（比較例）で得たＢＺＴセラミックス
の密度（嵩比重）、Ｑ値、およびεｒ（ｌ！を測定した
。結果を第１図に示す。
の密度（嵩比重）、Ｑ値、およびεｒ（ｌ！を測定した
。結果を第１図に示す。
第１図に示すように本発明法では従来法に比らべ低温で
焼結でき嵩比重も５．６ ｇ ／ ｃｒＡと理論値に近
い値を示した。またその時のＱ値は４ＧＩＩｚにおいて
７０００と高い値を示した。
焼結でき嵩比重も５．６ ｇ ／ ｃｒＡと理論値に近
い値を示した。またその時のＱ値は４ＧＩＩｚにおいて
７０００と高い値を示した。
本発明の方法によって製造したＭＺＴセラミックスは、
従来の方法によるものにくらべて密度が著しく高く、そ
れによってＱ値が驚異的に向上した。しかもこのＱ値が
従来材より高いε、値と同時に達成されており、Ｑ値、
ε１値の両特性値の組合せにおいては本発明法の優位性
が更に大きい。
従来の方法によるものにくらべて密度が著しく高く、そ
れによってＱ値が驚異的に向上した。しかもこのＱ値が
従来材より高いε、値と同時に達成されており、Ｑ値、
ε１値の両特性値の組合せにおいては本発明法の優位性
が更に大きい。
本発明の方法によると、工程（１）によりＭＺＴの構成
成分の一種以上を含むジルコニア粉末（変成ジルコニア
粉末）は、二次粒子の極めて少ないザブミクロン粒子と
なし得、これを使用することによって、以後型なる乾式
法によって、容易にサブミクロン級のＭＺＴ原料粉末が
得られ、更にこれを原料として高Ｑ値を有し高密度のＭ
ＺＴセラミックスが得られる、という優れた効果を得ら
れる。そのほか次のような効果も得られる。
成分の一種以上を含むジルコニア粉末（変成ジルコニア
粉末）は、二次粒子の極めて少ないザブミクロン粒子と
なし得、これを使用することによって、以後型なる乾式
法によって、容易にサブミクロン級のＭＺＴ原料粉末が
得られ、更にこれを原料として高Ｑ値を有し高密度のＭ
ＺＴセラミックスが得られる、という優れた効果を得ら
れる。そのほか次のような効果も得られる。
１）仮焼ムこよって得られる変成ジルコニア粉末が十分
分散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特
に必要としないで、原料粉末として供給し得られる。
分散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特
に必要としないで、原料粉末として供給し得られる。
２）該仮焼変成ジルコニア粉末から乾式法で得られるＭ
ＺＴ粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕工程を除い
ても十分易焼結性且つ高密度の特性を有する。
ＺＴ粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕工程を除い
ても十分易焼結性且つ高密度の特性を有する。
３）極めて高密度且つ高Ｑ値を要求されるマイクロ波用
誘電体共振器材料としてＭＺＴセラミックスをホットプ
レスやＨＩＰ（たとえば熱間ガス圧焼結）などの操作を
省略して単なる固相焼結によって、理論密度に極めて近
い高密度で得ることができる。
誘電体共振器材料としてＭＺＴセラミックスをホットプ
レスやＨＩＰ（たとえば熱間ガス圧焼結）などの操作を
省略して単なる固相焼結によって、理論密度に極めて近
い高密度で得ることができる。
４）優れた粉末特性を有する変成ジルコニア粉末を大量
律産することによって、任意の組成のＭＺＴを極めて安
価に供給し得る。
律産することによって、任意の組成のＭＺＴを極めて安
価に供給し得る。
第１図は、本発明法によって製造したＭＺＴセラミック
スの誘電体共振器材料としての各種特性値と焼成温度と
の関係を、従来法によるものと比較して示すグラフであ
る。
スの誘電体共振器材料としての各種特性値と焼成温度と
の関係を、従来法によるものと比較して示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化学式がＢａ＿ｘＳｒ＿ｙＣａ＿（＿１＿−＿Ｘ＿
−＿ｙ＿）（Ｚｒ＿ｚＴｉ＿（＿１＿−＿ｚ＿））Ｏ＿
３、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦１で表わされる
組成の誘電体共振器材料の製造方法において、（１）該
化学式中Ｚｒ以外の少なくとも１種の金属成分の適量と
Ｚｒとを含有する溶液を作成し、加水分解を行なってゾ
ルを生成させ、該ゾルを乾燥後７００〜１３００℃で仮
焼して仮焼物とする工程、（２）該仮焼物と、該組成の
残りの構成成分の化合物とを混合して７００〜１３００
℃で仮焼して仮焼粉末とする工程、および （３）該仮焼粉末を成形して７００〜１６００℃で焼成
する工程 から成ることを特徴とする誘電体共振器材料の製造方法
。 ２、前記工程（１）において、前記金属成分の化合物の
水溶液またはアルコール溶液と、Ｚｒ化合物の水溶液ま
たはアルコール溶液とを混合して前記溶液を作成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の誘電体共振
器材料の製造方法。 ３、前記Ｚｒ化合物が、オキシ塩化ジルコニウム、オキ
シ硝酸ジルコニウム、塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニ
ウム、および金属ジルコニウムの１種または２種以上か
ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の誘
電体共振器材料の製造方法。 ４、前記工程（２）において、助剤としてＭｎＯ、Ｍｎ
Ｏ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＳｎＯ＿２
、ＭｇＯ、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３
、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｓｍ＿２Ｏ＿３、Ｎｄ＿２Ｏ＿３、
Ｂｉ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、およびＳｉＯ＿２の
１種または２種以上を微量添加することを特徴とする特
許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１項に記
載の誘電体共振器材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127213A JP2617938B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 誘電体共振器材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127213A JP2617938B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 誘電体共振器材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63292508A true JPS63292508A (ja) | 1988-11-29 |
| JP2617938B2 JP2617938B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=14954525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62127213A Expired - Lifetime JP2617938B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 誘電体共振器材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617938B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298911A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Nippon Denso Co Ltd | 誘電体共振器材料の製造方法 |
| US5407876A (en) * | 1993-05-21 | 1995-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition for use in high frequency |
| WO1998043924A1 (fr) * | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Kyocera Corporation | Composition ceramique dielectrique et resonateur dielectrique conçu a partir de cette composition |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269805A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器の製造法 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP62127213A patent/JP2617938B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269805A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器の製造法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298911A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Nippon Denso Co Ltd | 誘電体共振器材料の製造方法 |
| JP2653789B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1997-09-17 | 株式会社デンソー | 誘電体共振器材料の製造方法 |
| US5407876A (en) * | 1993-05-21 | 1995-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition for use in high frequency |
| WO1998043924A1 (fr) * | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Kyocera Corporation | Composition ceramique dielectrique et resonateur dielectrique conçu a partir de cette composition |
| US6025291A (en) * | 1997-04-02 | 2000-02-15 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition and dielectric resonator using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2617938B2 (ja) | 1997-06-11 |
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