JPS6278563A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6278563A JPS6278563A JP21805885A JP21805885A JPS6278563A JP S6278563 A JPS6278563 A JP S6278563A JP 21805885 A JP21805885 A JP 21805885A JP 21805885 A JP21805885 A JP 21805885A JP S6278563 A JPS6278563 A JP S6278563A
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0564—Polycarbonates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0687—Trisazo dyes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0687—Trisazo dyes
- G03G5/0688—Trisazo dyes containing hetero rings
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し，特しこ特定のトリスア
ゾ顔料とポリカーボネートＺ樹脂を含有することにより
、特性の改良された感光層を有する電子写真感光体に関
する。
ゾ顔料とポリカーボネートＺ樹脂を含有することにより
、特性の改良された感光層を有する電子写真感光体に関
する。
［従来の技術］
従来の電子写真感光体としては、無機光導電物質のセレ
ン、硫化カドミュウム、酸化亜鉛や非晶質硅素を用いた
ものや、ポリーＮービニルカジレ／くゾール、ポリビニ
ルアントラセン等の光導電性ポリマー、又はジエチルア
ミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン
の如き低分子の各種有機光導電物質を用いたものや有機
顔料を分散したものが知られている。このうち、電子写
真感光体に使用される有機顔料としては、スーダンレッ
ド、グイアンプル−等のアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アル
ゴールイエロー、ピレンキノン等のキノン顔料、キノシ
アニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等
のインジゴ顔料、インドファーストオレンジトナー等の
ビスベンゾイミダゾール顔料、銅フタロシアニン等のフ
タロシアニン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。
ン、硫化カドミュウム、酸化亜鉛や非晶質硅素を用いた
ものや、ポリーＮービニルカジレ／くゾール、ポリビニ
ルアントラセン等の光導電性ポリマー、又はジエチルア
ミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン
の如き低分子の各種有機光導電物質を用いたものや有機
顔料を分散したものが知られている。このうち、電子写
真感光体に使用される有機顔料としては、スーダンレッ
ド、グイアンプル−等のアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アル
ゴールイエロー、ピレンキノン等のキノン顔料、キノシ
アニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等
のインジゴ顔料、インドファーストオレンジトナー等の
ビスベンゾイミダゾール顔料、銅フタロシアニン等のフ
タロシアニン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。
これらの顔料を分散して有する感光体は一部実用化され
ているものもあるが感度的に充分満足されているもので
はない。
ているものもあるが感度的に充分満足されているもので
はない。
これは顔料の場合は成膜されるための結着剤というもの
が必要であり、この結着剤によって電荷の移動が阻害さ
れるためである。
が必要であり、この結着剤によって電荷の移動が阻害さ
れるためである。
そのため顔料を使用する場合には、その顔料にとって最
適な結着剤が不可欠である。
適な結着剤が不可欠である。
一方、感光層を光によって電荷を発生する電荷発生層と
その電荷を輸送する電荷輸送層に分けた機能分離型感光
層の場合においては顔料は電荷発生層に使用される。こ
の場合には、電荷発生層の結着剤は勿論、電荷輸送層の
結着剤も感度を決定する要因となる。
その電荷を輸送する電荷輸送層に分けた機能分離型感光
層の場合においては顔料は電荷発生層に使用される。こ
の場合には、電荷発生層の結着剤は勿論、電荷輸送層の
結着剤も感度を決定する要因となる。
即ち、電荷発生層で発生した電荷を効率よく電荷輸送層
に注入させることが高感度化の決め手であるが電荷発生
層の顔料と電荷輸送層の結着剤の組み合わせが悪いと両
層の界面に注入の障壁ができ注入効率が低下する。その
ため機能分離型感光層においても顔料にとって最適な電
荷輸送層の結着剤の選定が不可欠である。
に注入させることが高感度化の決め手であるが電荷発生
層の顔料と電荷輸送層の結着剤の組み合わせが悪いと両
層の界面に注入の障壁ができ注入効率が低下する。その
ため機能分離型感光層においても顔料にとって最適な電
荷輸送層の結着剤の選定が不可欠である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記のような従来の技術に鑑み、感光層中に
含まれる顔料と結着剤樹脂を組み合わせることにより、
より高感度な電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
含まれる顔料と結着剤樹脂を組み合わせることにより、
より高感度な電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
さらに他の目的は生産安定性に優れた電子写真感光体を
提供することである。
提供することである。
［問題点を解決するための手段、作用］本発明は顔料と
して後記一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料の少な
くとも１種を用い、結着剤として後記一般式（２）で示
されるポリカーボネートＺ樹脂とを組み合わせることに
より前記目的を達成したものである。
して後記一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料の少な
くとも１種を用い、結着剤として後記一般式（２）で示
されるポリカーボネートＺ樹脂とを組み合わせることに
より前記目的を達成したものである。
即ち、本発明は、下記一般式（１）で示されるトリスア
ゾ顔料の少なくとも１種と下記一般式（２）で示される
ポリカーボネートＺ樹脂を含有する感光層を有すること
を特徴とする電子写真感光体から構成される。
ゾ顔料の少なくとも１種と下記一般式（２）で示される
ポリカーボネートＺ樹脂を含有する感光層を有すること
を特徴とする電子写真感光体から構成される。
一般式
式中、Ａはフェノール性ＯＨ基を有するカップラー残基
を示す。
を示す。
式中、ｎは平均重合度を示し、５０〜５０００の範囲で
ある。
ある。
スアゾ顔料は、他の有機顔料に比べて高感度で光照射に
よる劣化も小さく高耐久である。
よる劣化も小さく高耐久である。
さらに一般式（２）で示されるポリカーボネートＺ樹脂
と組み合わせることにより、高感度で機械的な表面劣化
の少ない高耐久の感光層が形成される。
と組み合わせることにより、高感度で機械的な表面劣化
の少ない高耐久の感光層が形成される。
上記一般式（１）におけるＡで示されるツーエノール性
ＯＨ基を有するカップラー残基としては、下記一般式（
３）乃至（９）で示される。
ＯＨ基を有するカップラー残基としては、下記一般式（
３）乃至（９）で示される。
一般式
式中、Ｘはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環又はペテ
ロ環を形成するに必要な残基を示し、なかでもナフタレ
ン環、アンドラセン環、ベンズカルバゾール環、カルバ
ゾール環がより望ましい、Ｒ１及びＲ２は水素原子、置
換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基及びヘテロ環基から選ばれる基、又はＲ１、Ｒ２の
結合する窒素原子とともに形成する環状アミン基を示し
、アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール基
の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、ア
ンスリル等の基、ヘテロ環基としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジン等の基が挙げられる。
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環又はペテ
ロ環を形成するに必要な残基を示し、なかでもナフタレ
ン環、アンドラセン環、ベンズカルバゾール環、カルバ
ゾール環がより望ましい、Ｒ１及びＲ２は水素原子、置
換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基及びヘテロ環基から選ばれる基、又はＲ１、Ｒ２の
結合する窒素原子とともに形成する環状アミン基を示し
、アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール基
の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、ア
ンスリル等の基、ヘテロ環基としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジン等の基が挙げられる。
上記アルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ
環基の有してもよい置換基としては、例えばメチル、エ
チル、プロピル等のアルキル基。
環基の有してもよい置換基としては、例えばメチル、エ
チル、プロピル等のアルキル基。
メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のフルコキシ基、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアン基、ジメチルアミノ、ジベン
ジルアミノ、ジフェニルアミノ等の置換アミン基等が挙
げられる。
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアン基、ジメチルアミノ、ジベン
ジルアミノ、ジフェニルアミノ等の置換アミン基等が挙
げられる。
一般式 Ｒ３
０１′Ｉ
一般式 ｐ
一般式（４）、（５）中のＲ３及びＲ４は置換基を有し
てもよいアルキル基、アラルキル基及びアリール基から
選ばれる基を示す。
てもよいアルキル基、アラルキル基及びアリール基から
選ばれる基を示す。
上記Ｒ３及びＲ４の具体例としては、前記一般式（３）
、（４）におけるＲ１及びＲ２と同じ例が挙げられる。
、（４）におけるＲ１及びＲ２と同じ例が挙げられる。
一般式
一般式（６）及び（７）中のＹは芳香族炭化水素の２価
の基又は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。
の基又は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。
上記芳香族炭化水素の２価の基としては、〇−フェニレ
ン等の単環式芳香族炭化水素の２価の基、０−ナフチレ
ン、ペリナフチレン、ｌ、２−アンスリレン、９，１０
−フェナンスリレン等の多環式芳香族炭化水素の２価の
基が挙げられ、窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の
基としては、例えば３．４−ピラゾールジイル、２．３
−ピリジンジイル、４．５−ピリミジンジイル、６，７
−イミダゾールジイル、５，６−ベンズイミダゾールジ
イル、６，７−キラリンジイル等の５員あるいは６員環
のへテロ環で２価の基等が挙げられる。
ン等の単環式芳香族炭化水素の２価の基、０−ナフチレ
ン、ペリナフチレン、ｌ、２−アンスリレン、９，１０
−フェナンスリレン等の多環式芳香族炭化水素の２価の
基が挙げられ、窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の
基としては、例えば３．４−ピラゾールジイル、２．３
−ピリジンジイル、４．５−ピリミジンジイル、６，７
−イミダゾールジイル、５，６−ベンズイミダゾールジ
イル、６，７−キラリンジイル等の５員あるいは６員環
のへテロ環で２価の基等が挙げられる。
ゝ２゛
式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子、置換基を有してもよい
アルキル狐、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環基
から選ばれる基、又はＲ５，Ｒ。
アルキル狐、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環基
から選ばれる基、又はＲ５，Ｒ。
の結合する炭素原子とともに５員あるいは６＠環を形成
する残基を示し、この５員あるいは６員環は縮合芳香族
環を有してもよく、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフ
タレン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカ
ルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン
環及びジフェニレンサルファイド環から選ばれる多環芳
香環、又はヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。
する残基を示し、この５員あるいは６員環は縮合芳香族
環を有してもよく、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフ
タレン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカ
ルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン
環及びジフェニレンサルファイド環から選ばれる多環芳
香環、又はヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。
上記アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベ
ンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール
基の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリル、ピレニル等の基、ヘテロ環基の具体例とし
てはピリジル、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基
が挙げられ、さらに、上記基の有してもよい置換基とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等
のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル等
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ
、ピロリジノ等の置換アミン基等が挙げられる。
ピル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベ
ンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール
基の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリル、ピレニル等の基、ヘテロ環基の具体例とし
てはピリジル、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基
が挙げられ、さらに、上記基の有してもよい置換基とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等
のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、ブチル等
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ
、ピロリジノ等の置換アミン基等が挙げられる。
上記Ｒ５，Ｒ，の結合する炭素原子とともに５員あるい
は６員環を形成する残基であって、この５員あるいは６
員環は縮合芳香族環を有してもよい基の具体例としては
シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、８−キサン
テニリデン等の基が挙げられる。
は６員環を形成する残基であって、この５員あるいは６
員環は縮合芳香族環を有してもよい基の具体例としては
シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、８−キサン
テニリデン等の基が挙げられる。
式中、Ｒ７及びＲ８は水素原子、置換基を有してもよい
アルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロＪＩ
Ｆ基から選ばれる基、又はＲ７，Ｒ９の結合する炭素原
子とともに５員あるいは６員環を形成する残基を示し、
この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよく
、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、シ
ヘンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェニレ
ンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はへテロ
環を形成するに必要な残基を示す。
アルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロＪＩ
Ｆ基から選ばれる基、又はＲ７，Ｒ９の結合する炭素原
子とともに５員あるいは６員環を形成する残基を示し、
この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよく
、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、シ
ヘンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェニレ
ンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はへテロ
環を形成するに必要な残基を示す。
上記アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等の、アラルキル基の具体例としてはベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール基
の具体例としてはフェニル、ナフチル、アンスリル、ジ
フェニル等の基、ヘテロ環基の具体例としてはピリジル
、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基が挙げられ、
さらに上記基が有してもよい置換基としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のフルキル基、
メトキシ、ニドキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフ
ェニルアミノ。
ピル、ブチル等の、アラルキル基の具体例としてはベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール基
の具体例としてはフェニル、ナフチル、アンスリル、ジ
フェニル等の基、ヘテロ環基の具体例としてはピリジル
、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基が挙げられ、
さらに上記基が有してもよい置換基としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のフルキル基、
メトキシ、ニドキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフ
ェニルアミノ。
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミン基
等が挙げられる。 上記Ｒ，、Ｒ，の結合する炭素原子
とともに５員あるいは６員環を形成する残基であって、
この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよい
基の具体例としてはシクロペンチリデン、シクロヘキシ
リデン、９−キサンテニリデン等の基が挙げられる。
等が挙げられる。 上記Ｒ，、Ｒ，の結合する炭素原子
とともに５員あるいは６員環を形成する残基であって、
この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよい
基の具体例としてはシクロペンチリデン、シクロヘキシ
リデン、９−キサンテニリデン等の基が挙げられる。
前記一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料の具体例を
以下に示す。
以下に示す。
Ｎｏ、 例示化合物
これらの例示顔料以外にも一般式（１）に含まれるトリ
スアゾ顔料は数多く存在する。
スアゾ顔料は数多く存在する。
前記一般式（２）で示されるポリカーボネートＺ樹脂は
、（ａ）透明性が良好、（ｂ）電気絶縁性、耐電圧がと
もに高い、（ｃ）表面が硬く適度の滑性を有しており、
機械的に摩耗しにくい等の特徴があり、さらに（ｄ）溶
剤に溶解させた場合の安定性に優れている。
、（ａ）透明性が良好、（ｂ）電気絶縁性、耐電圧がと
もに高い、（ｃ）表面が硬く適度の滑性を有しており、
機械的に摩耗しにくい等の特徴があり、さらに（ｄ）溶
剤に溶解させた場合の安定性に優れている。
通常のポリカーボネート樹脂、即ち。
なる構造式で示されるビスフェノールＡ５ポリカーボネ
ート樹脂は高分子の結晶性が高いため溶解をした場合に
ゲル化しやすく、２日程度で使用不可能となる欠点を有
しており、この点で大きく異なる。
ート樹脂は高分子の結晶性が高いため溶解をした場合に
ゲル化しやすく、２日程度で使用不可能となる欠点を有
しており、この点で大きく異なる。
本発明の特定のトリスアゾ顔料とポリカーボネートＺ樹
脂を組み合わせることにより、顔料粒子と樹脂の界面に
光照射時の電荷の移動を阻止する障壁層が形成される程
度はポリカーボネートＺ樹脂以外との組み合わせより格
段に小さく、かつ。
脂を組み合わせることにより、顔料粒子と樹脂の界面に
光照射時の電荷の移動を阻止する障壁層が形成される程
度はポリカーボネートＺ樹脂以外との組み合わせより格
段に小さく、かつ。
ポリカーボネートＺ樹脂構造式のベンゼン環及びシクロ
ヘキシル団が電荷の移動を容易にし、感度を向上するよ
うである。
ヘキシル団が電荷の移動を容易にし、感度を向上するよ
うである。
本発明による電子写真感光体の形態としては、（ａ）一
般式（１）で示されるトリスアゾ顔料（以下「トリスア
ゾ顔料」と記載する）をポリカーボネートＺ樹脂に分散
した感光層、 （ｂ）トリスアゾ顔料をポリカーボネートＺ樹脂と電荷
輸送物質（電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合
物）に分散した感光層、 （Ｃ）トリスアゾ顔料を結着剤樹脂（ポリカーポネー）
Ｚ樹脂でもよいし、他の樹脂でもよい）に分散した層を
電荷発生層とし、この上にポリカーポネー）Ｚ樹脂と電
荷輸送物質を含む電荷輸送層を積層した機能分離型感光
層、 （ｄ）電荷輸送層の上にトリスアゾ顔料とポリカーポネ
ー）Ｚ樹脂を含む電荷発生層を積層した機能分離型感光
層等が挙げられる。
般式（１）で示されるトリスアゾ顔料（以下「トリスア
ゾ顔料」と記載する）をポリカーボネートＺ樹脂に分散
した感光層、 （ｂ）トリスアゾ顔料をポリカーボネートＺ樹脂と電荷
輸送物質（電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合
物）に分散した感光層、 （Ｃ）トリスアゾ顔料を結着剤樹脂（ポリカーポネー）
Ｚ樹脂でもよいし、他の樹脂でもよい）に分散した層を
電荷発生層とし、この上にポリカーポネー）Ｚ樹脂と電
荷輸送物質を含む電荷輸送層を積層した機能分離型感光
層、 （ｄ）電荷輸送層の上にトリスアゾ顔料とポリカーポネ
ー）Ｚ樹脂を含む電荷発生層を積層した機能分離型感光
層等が挙げられる。
電子供与性化合物としては、主鎖又は側鎖にアントラセ
ン、ピレン、フェナンスレン、コロネン等の多項芳香環
又はインドール、カルバノール、オキサゾール、インオ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリ
アゾール等の含窒素へテロ環を有する化合物、ヒドラゾ
ン化合物、芳香族アミノ化合物等が挙げられる。電子受
容性化合物としては、ニトロ基、ニトロン基、シアノ基
等の電子受容性置換基を有する脂肪族環式化合物、芳香
族化合物、ペテロ環式化合物等があり、例えばテトラシ
アノエチレン、トリニトロベンゼン、ジニトロアセトフ
ェノン、トリニトロアニソール、テトラニトロナフタレ
ン、テレフタロニトリル、インフタロニトリル、シアン
化ベンゾイル、シアン化キノリン、シアノピリジン、ニ
トロアンスラセン、ジニトロフルオレノン、トリニトロ
フルオレノン、テトラニトロフルオレノン、テトラシア
ノピレン等が挙げられる。
ン、ピレン、フェナンスレン、コロネン等の多項芳香環
又はインドール、カルバノール、オキサゾール、インオ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリ
アゾール等の含窒素へテロ環を有する化合物、ヒドラゾ
ン化合物、芳香族アミノ化合物等が挙げられる。電子受
容性化合物としては、ニトロ基、ニトロン基、シアノ基
等の電子受容性置換基を有する脂肪族環式化合物、芳香
族化合物、ペテロ環式化合物等があり、例えばテトラシ
アノエチレン、トリニトロベンゼン、ジニトロアセトフ
ェノン、トリニトロアニソール、テトラニトロナフタレ
ン、テレフタロニトリル、インフタロニトリル、シアン
化ベンゾイル、シアン化キノリン、シアノピリジン、ニ
トロアンスラセン、ジニトロフルオレノン、トリニトロ
フルオレノン、テトラニトロフルオレノン、テトラシア
ノピレン等が挙げられる。
電子受容性化合物は一般的に発癌性等の有害性のため好
ましくない。
ましくない。
電子供与性化合物を用いる場合、前述の（ｃ）の形態で
は負帯電、（ｄ）の形態では正帯電に使用される。
は負帯電、（ｄ）の形態では正帯電に使用される。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と樹脂を５：１〜１：２（
重量比）程度に混合されて形成され、膜厚は５〜２０ル
程度である。
重量比）程度に混合されて形成され、膜厚は５〜２０ル
程度である。
前述（ｃ）の形態でトリスアゾ顔料の結着剤樹脂として
は、ポリカーボネートＺのほかポリエステル、ポリビニ
ルベンザ−フレ、ポリビニルブチラール、ポリビニルピ
ロリドン、メチルセルロース、ポリアクリル酸エステル
類、セル呂−スエステル類等が適宜使用される０分散は
、樹脂溶液に顔料を混合した後ボールミル、ロールミル
、サンドミル、コロイドミル等の常法によることができ
る。電荷発生層の厚さは０．０１〜ｉｐ、好ましくは０
．０５〜０．５ＪＬである。
は、ポリカーボネートＺのほかポリエステル、ポリビニ
ルベンザ−フレ、ポリビニルブチラール、ポリビニルピ
ロリドン、メチルセルロース、ポリアクリル酸エステル
類、セル呂−スエステル類等が適宜使用される０分散は
、樹脂溶液に顔料を混合した後ボールミル、ロールミル
、サンドミル、コロイドミル等の常法によることができ
る。電荷発生層の厚さは０．０１〜ｉｐ、好ましくは０
．０５〜０．５ＪＬである。
電荷輸送層の上に形成される場合には、より厚＜、０．
５〜５色程度である。
５〜５色程度である。
顔料と樹脂の比は５：１〜１；２程度である。
［発明の効果］
本発明の電子写真感光体において、特定のトリスアゾ顔
料とポリカーボネートＺ樹脂を含有する感光層は高感度
で残留電位が少なく、さらに帯電、露光を緑り返した際
の明部電位が上昇することなく安定しており、又１表面
にポリカーボネートＺ樹脂が存在するので表面の高度が
高く、潤滑性にも優れているので摺擦傷が付きに〈＜、
機械的耐久性を向上させることができる。
料とポリカーボネートＺ樹脂を含有する感光層は高感度
で残留電位が少なく、さらに帯電、露光を緑り返した際
の明部電位が上昇することなく安定しており、又１表面
にポリカーボネートＺ樹脂が存在するので表面の高度が
高く、潤滑性にも優れているので摺擦傷が付きに〈＜、
機械的耐久性を向上させることができる。
さらにポリカーボネートＺ樹脂の溶液は保存安定性が良
いので、生産性が向上し、品質安定化にも貢献すること
ができる。
いので、生産性が向上し、品質安定化にも貢献すること
ができる。
［実施例］
実施例１〜６
基体として、肉厚０．５ｍｍで６０φＸ２６０ｍｍのア
ルミニウムシリンダーを用意した。
ルミニウムシリンダーを用意した。
次に共重合ナイロン（商品名ＣＭ８０００、東し■製）
４部及びタイプ８ナイロン（商品名ラフカマイド５００
３、大日本インキ化学■製）４部をメタノール５０部、
ｎブタノール５０部に溶解し、上記基体上に浸漬塗布し
て０．６．厚のボリアミド下引層を形成した。
４部及びタイプ８ナイロン（商品名ラフカマイド５００
３、大日本インキ化学■製）４部をメタノール５０部、
ｎブタノール５０部に溶解し、上記基体上に浸漬塗布し
て０．６．厚のボリアミド下引層を形成した。
次に、一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料の例示顔
料から選らばれたトリスアゾ顔料を１０部及びポリビニ
ルブチラール（商品名工スレツクＢＭ−２、積水化学株
製）１０部をシクロヘキサノン１２０部と共にサンドミ
ル装置で１０時間分散した。分散源にメチルエチルケト
ン３０部ヲ加えて上記下引層上に塗布し、０．１５１Ｌ
厚の電荷発生層を形成した。
料から選らばれたトリスアゾ顔料を１０部及びポリビニ
ルブチラール（商品名工スレツクＢＭ−２、積水化学株
製）１０部をシクロヘキサノン１２０部と共にサンドミ
ル装置で１０時間分散した。分散源にメチルエチルケト
ン３０部ヲ加えて上記下引層上に塗布し、０．１５１Ｌ
厚の電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネートＺ樹脂（三菱ガス化学補装）の重
量平均分子量１２万のもの１０部を用意し、下記構造式
のヒドラゾン化合物１０部と共にモノクロルベンゼン８
０部に溶解した。これを上記電荷発生層上に塗布して１
６部厚の電荷輸送層を形成した。
量平均分子量１２万のもの１０部を用意し、下記構造式
のヒドラゾン化合物１０部と共にモノクロルベンゼン８
０部に溶解した。これを上記電荷発生層上に塗布して１
６部厚の電荷輸送層を形成した。
上記選択の例示トリスアゾ顔料（１）、（９）、（１４
）、（１８）、（２２）、（３２）に対応して実施例１
〜６の電子写真感光体とする。
）、（１８）、（２２）、（３２）に対応して実施例１
〜６の電子写真感光体とする。
このようにして作成した電子写真感光体を、−５，６Ｋ
Ｖコロナ帯電、画像露光、乾式トナー現像、普通紙への
トナー転写、ウレタンゴムブレード（高度７０°、圧力
５に、ｇ ｗ ／ ｃ ｍ２ 、感光体に対する角度２
０＠）によるクリーニング工程等を有する電子写真複写
機に取り付けて電子写真特性を評価した。
Ｖコロナ帯電、画像露光、乾式トナー現像、普通紙への
トナー転写、ウレタンゴムブレード（高度７０°、圧力
５に、ｇ ｗ ／ ｃ ｍ２ 、感光体に対する角度２
０＠）によるクリーニング工程等を有する電子写真複写
機に取り付けて電子写真特性を評価した。
電位を測定すると暗部電位（ＶＤ）が−７００Ｖで１０
ルックス−秒の露光を与えた時の電位（ｖし）は第１表
に示す結果となった。
ルックス−秒の露光を与えた時の電位（ｖし）は第１表
に示す結果となった。
比較例１〜４
実施例１のトリスアゾ顔料に代えて下記Ａ−Ｄの有＆’
！顔料を用いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感
光体を作成した（Ａ−Ｄに対応して比較例１〜４とする
）。
！顔料を用いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感
光体を作成した（Ａ−Ｄに対応して比較例１〜４とする
）。
電子写真特性の測定結果は第１表に示した。
有機顔料
Ａ β型銅フタロシアニン（大日木インキ化学ｖ４製、
但し、水、エタ／−ル、メチルエチルケトンで順次熱濾
過して生成した顔料である） 第 １ 表 感光体 例示顔料 ＶＬ、 １０００回後 １０
００回後（−■） のＶＬ（−Ｖ） の画像実施
例１ （１） １４０ １５５ 良
好実施例２ （９） １３０ １４０
良 好実施例３ （１４） １４０ １８
０ 良 好実施例５ （２２） １４５
１８０ 良 好実施例６ （３１） １４
０ １８０ 良 好比較例Ｉ Ａ ２
２０ ２２０ かぶり発生 比較例２ Ｂ １７０ ２００ ＠いか
ぶり発生 比較例３ Ｃ１７０２００薄いかぶり発生 以上のように、比較例に比べて実施例の電子写真感光体
は感度が高く、しかも、かぶりのない鮮明な画像が得ら
れた。
但し、水、エタ／−ル、メチルエチルケトンで順次熱濾
過して生成した顔料である） 第 １ 表 感光体 例示顔料 ＶＬ、 １０００回後 １０
００回後（−■） のＶＬ（−Ｖ） の画像実施
例１ （１） １４０ １５５ 良
好実施例２ （９） １３０ １４０
良 好実施例３ （１４） １４０ １８
０ 良 好実施例５ （２２） １４５
１８０ 良 好実施例６ （３１） １４
０ １８０ 良 好比較例Ｉ Ａ ２
２０ ２２０ かぶり発生 比較例２ Ｂ １７０ ２００ ＠いか
ぶり発生 比較例３ Ｃ１７０２００薄いかぶり発生 以上のように、比較例に比べて実施例の電子写真感光体
は感度が高く、しかも、かぶりのない鮮明な画像が得ら
れた。
実施例７
実施例１のトリスアゾ顔料に代え前記例示顔料（４）を
用いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感光体を作
成した。
用いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感光体を作
成した。
比較例５〜８
実施例７における電荷輸送層の形成の際に用いたポリカ
ーポネー）Ｚ樹脂に代え下記の樹脂を用い、他は実施例
７と同様の方法で電子写真感光体を作成した。
ーポネー）Ｚ樹脂に代え下記の樹脂を用い、他は実施例
７と同様の方法で電子写真感光体を作成した。
比較例５ニアクリル樹脂（商品名ＢＲ−８０、三菱レー
ヨン補装） 比較例６：ポリスチレン（商品名スタイロン−４７０、
旭化成■製） 比較例７：フェノキシ樹脂（商品名ＹＰ４０゜東部化成
■製） 比較例８：ポリエステル（商品名バイロン−３００、東
洋紡績■製） これ等の電子写真感光体を用いて、実施例１と同様なプ
ロセスを有する電子写真複写機（但し。
ヨン補装） 比較例６：ポリスチレン（商品名スタイロン−４７０、
旭化成■製） 比較例７：フェノキシ樹脂（商品名ＹＰ４０゜東部化成
■製） 比較例８：ポリエステル（商品名バイロン−３００、東
洋紡績■製） これ等の電子写真感光体を用いて、実施例１と同様なプ
ロセスを有する電子写真複写機（但し。
露光量は７，２ルツクス・秒）により評価を行った。評
価は、初期のＶ 、■及び１万枚耐久後のｖ 、■ さ
らに１万枚目の画像を見−ることにより比較した。結果
を第２表に示した。
価は、初期のＶ 、■及び１万枚耐久後のｖ 、■ さ
らに１万枚目の画像を見−ることにより比較した。結果
を第２表に示した。
第２表
実施例７ ７００ １３ ８８０ １８０比較
例５ ［ｉ８０ １５０ ８２０ １９０比較
例８ ８９０ １４５ ８２５ １９０比較例７
６３０ ８０ ５１０ ９５比較例８ ８
９０ １２０ ．８０５ １２５１万枚目の画像 実施例７ 良 好 比較例５ 薄いかぶり発生 比較例６ 薄いかぶり発生 比較例７ 画像濃度低い 比較例８ 摺擦傷によるかぶり発生以上のように１
万回の耐久性において、特にポリカーボネートＺ樹脂を
使用した本発明の実施例は、感度、電位安定性及び画質
の面で優れていることを証明した。
例５ ［ｉ８０ １５０ ８２０ １９０比較
例８ ８９０ １４５ ８２５ １９０比較例７
６３０ ８０ ５１０ ９５比較例８ ８
９０ １２０ ．８０５ １２５１万枚目の画像 実施例７ 良 好 比較例５ 薄いかぶり発生 比較例６ 薄いかぶり発生 比較例７ 画像濃度低い 比較例８ 摺擦傷によるかぶり発生以上のように１
万回の耐久性において、特にポリカーボネートＺ樹脂を
使用した本発明の実施例は、感度、電位安定性及び画質
の面で優れていることを証明した。
比較例９
実施例７における電荷輸送層の形成の際に用いたポリカ
ーボネートＺ樹脂に代えポリカーボネートＡ樹脂（商品
名パンライ）Ｌ−１２５０、奇人化成補装）を用い、他
は実施例７と同様の方法で電子写真感光体を作成した場
合、電子写真感光体としての特性は、Ｖムで実験誤差程
度のＯ〜１０Ｖの変化であり、大差はなかった。
ーボネートＺ樹脂に代えポリカーボネートＡ樹脂（商品
名パンライ）Ｌ−１２５０、奇人化成補装）を用い、他
は実施例７と同様の方法で電子写真感光体を作成した場
合、電子写真感光体としての特性は、Ｖムで実験誤差程
度のＯ〜１０Ｖの変化であり、大差はなかった。
しかし、ポリカーボネートＡ樹脂とヒドラゾン化合物の
樹脂溶液は、２４時間後において粘度が３〜４倍に上昇
し、４８時間後にはゲル化して流動性が失われたのに対
し、ポリカーボネートＺ樹脂の場合は４８時間後におい
ても年度変化が全くなく、溶液安定性の面で著しく優れ
ていた。
樹脂溶液は、２４時間後において粘度が３〜４倍に上昇
し、４８時間後にはゲル化して流動性が失われたのに対
し、ポリカーボネートＺ樹脂の場合は４８時間後におい
ても年度変化が全くなく、溶液安定性の面で著しく優れ
ていた。
実施例８
ポリビニルカルバゾール（重量平均分子量６万のもの）
１０部とｍ−ターフェニル２部をモノクロルベンゼン８
０部及び塩化メチレン２０部に溶解した。
１０部とｍ−ターフェニル２部をモノクロルベンゼン８
０部及び塩化メチレン２０部に溶解した。
これを実施例１と同様に形成した下引層上に浸漬塗布し
、１８ル厚の電荷輸送層を設けた。
、１８ル厚の電荷輸送層を設けた。
次に前記例示顔料（６）のトリスアゾ顔料１０部をポリ
カーボネートＺ樹脂（奇人化成補装、重量平均分子量１
５万のもの）の８％シクロヘキサノン溶液２５０部に加
えサンドミル装置で１０時間分散した。この分散液を上
記電荷輸送層上にドラムを回転させながらスプレー塗布
した。このようにして３弘厚の電荷発生層を形成した。
カーボネートＺ樹脂（奇人化成補装、重量平均分子量１
５万のもの）の８％シクロヘキサノン溶液２５０部に加
えサンドミル装置で１０時間分散した。この分散液を上
記電荷輸送層上にドラムを回転させながらスプレー塗布
した。このようにして３弘厚の電荷発生層を形成した。
この電子写真感光体を実施例１と同様の電子写真複写機
に取り付けて評価した。但し、コロナ帯電は＋５．２Ｋ
Ｖとした。
に取り付けて評価した。但し、コロナ帯電は＋５．２Ｋ
Ｖとした。
結果はｖＤが ７００Ｖ、７．５ルツクス・秒置光させ
た場合のＶ、は１４０Ｖであり、良好な画像を得ること
ができ、実施例７と同等の結果を得ることができた。
た場合のＶ、は１４０Ｖであり、良好な画像を得ること
ができ、実施例７と同等の結果を得ることができた。
一方、比較例５〜８と同様に樹脂を代えて電子写真感光
体を作成しても、やはり比較例５〜８と同様の結果であ
った・ 実施例９ 実施例１のトリスアゾ顔料に代えて前記例示化合物（３
）のトリスアゾ顔料を用いた他は実施例１と同様な方法
で電子写真感光体を作作成した。
体を作成しても、やはり比較例５〜８と同様の結果であ
った・ 実施例９ 実施例１のトリスアゾ顔料に代えて前記例示化合物（３
）のトリスアゾ顔料を用いた他は実施例１と同様な方法
で電子写真感光体を作作成した。
上記電子写真感光体に一５ＫＶのコロナ放電を行なった
。このときの表面電位を測定した（初期電位Ｖｏ）。
。このときの表面電位を測定した（初期電位Ｖｏ）。
さらに、この感光体を５秒間暗所で散着した後の表面電
位を測定した（暗減衰ＶＫ）。
位を測定した（暗減衰ＶＫ）。
感度は暗減衰した後の電位ｖＫ を１／２に減衰する
に必要な露光量（Ｅｌ／２用Ｊ／ｃｍ２）を測定するこ
とによって評価した。この際、光源としてガリウム／ア
ルミニウム／ヒ素の三元系半導体レ−？−（出カニ５Ｗ
、発振波長７７８ｎｍ）を用いた。
に必要な露光量（Ｅｌ／２用Ｊ／ｃｍ２）を測定するこ
とによって評価した。この際、光源としてガリウム／ア
ルミニウム／ヒ素の三元系半導体レ−？−（出カニ５Ｗ
、発振波長７７８ｎｍ）を用いた。
これらの結果は次のとおりであった。
ＶＱ ニー６８０Ｖ、Ｖｘ ： ９８％、Ｅｌ／２
：０．９ｐＪ／ｃｍ２ 次に上記の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター（
キャノン補装、ＬＢＰ−ＣＸ）に上記感光体をＬＢＰ−
ＣＸの感光体に置き換えてセットし、実際の画像形成テ
ストを行った。
：０．９ｐＪ／ｃｍ２ 次に上記の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター（
キャノン補装、ＬＢＰ−ＣＸ）に上記感光体をＬＢＰ−
ＣＸの感光体に置き換えてセットし、実際の画像形成テ
ストを行った。
条件は以下のとおりである。
一次帯電後の表面電位ニー７００Ｖ、
像露光後の表面電位ニー１５０Ｖ（露光量２１１．１７
ｃｍ２）、 転写電位：＋７００Ｖ、現像極性：負極性、プロセスス
ピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ、現像条件（現像バイアス）
ニー４５０Ｖ、像露光スキャン方式：イメージスキャン
、−次帯電前露光： ５０１ｕｘ＊ ｓｅｃの赤色全面
露光画像形成はレーザービームを文字信号及び画像信号
に従ってラインスキャンして行った。
ｃｍ２）、 転写電位：＋７００Ｖ、現像極性：負極性、プロセスス
ピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ、現像条件（現像バイアス）
ニー４５０Ｖ、像露光スキャン方式：イメージスキャン
、−次帯電前露光： ５０１ｕｘ＊ ｓｅｃの赤色全面
露光画像形成はレーザービームを文字信号及び画像信号
に従ってラインスキャンして行った。
１万枚コピーの結果、かぶりのない鮮明な画像が得られ
た。
た。
一方、比較例５〜８と同様に樹脂を代えて作成した感光
体の画像は画像濃度が低かったり、かぶりが発生してい
たりしており良好な画像が得られなかった。
体の画像は画像濃度が低かったり、かぶりが発生してい
たりしており良好な画像が得られなかった。
Claims (5)
- （１）下記一般式（１）で示されるトリスアゾ顔料の少
なくとも１種と下記一般式（２）で示されるポリカーボ
ネートＺ樹脂を含有する感光層を有することを特徴とす
る電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 式中、Ａはフェノール性ＯＨ基を有するカップ一般式▲
数式、化学式、表等があります▼（２） 式中、ｎは平均重合度を示し、５０〜５０００の範囲で
ある。 - （２）一般式（１）中のＡが、下記一般式（３）乃至（
９）で示されるフェノール性ＯＨ基を有するカップラー
残基から選ばれる特許請求の範囲第１項記載の電子写真
感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） 式中、Ｘはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環又はヘテ
ロ環を形成するに必要な残基を示し、Ｒ＿１及びＲ＿２
は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アラル
キル基、アリール基及びヘテロ環基から選ばれる基、又
はＲ＿１、Ｒ＿２の結合する窒素原子とともに形成する
環状アミノ基を示す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（４） 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） 一般式（４）、（５）中のＲ＿３及びＲ＿４は置換基を
有してもよいアルキル基、アラルキル基及びアリール基
から選ばれる基を示す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（６） 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（７） 一般式（６）及び（７）中のＹは芳香族炭化水素の２価
の基又は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（８） 式中、Ｒ＿５及びＲ＿６は水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ
環基から選ばれる基、又はＲ＿５、Ｒ＿６の結合する炭
素原子とともに５員あるいは６員環を形成する残基を示
し、この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有しても
よく、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はヘ
テロ環を形成するに必要な残基を示す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（９） 式中、Ｒ＿７及びＲ＿８は水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ
環基から選ばれる基、又はＲ＿７、Ｒ＿８の結合する炭
素原子とともに５員あるいは６員環を形成する残基を示
し、この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有しても
よく、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はヘ
テロ環を形成するに必要な残基を示す。 - （３）感光層が一般式（１）のトリスアゾ顔料を電荷発
生材とし、電荷輸送材と一般式（２）のポリカーボネー
トＺ樹脂の中に分散したものである特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の電子写真感光体。 - （４）感光層が一般式（１）のトリスアゾ顔料を含む電
荷発生層と電荷輸送材と一般式（２）のポリカーボネー
トＺ樹脂を含む電荷輸送層を積層したものである特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の電子写真感光体。 - （５）感光層が電荷輸送層の上に一般式（１）のトリス
アゾ顔料と一般式（２）のポリカーボネートＺ樹脂を含
む電荷発生層を積層したものである特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21805885A JPS6278563A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21805885A JPS6278563A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278563A true JPS6278563A (ja) | 1987-04-10 |
| JPH0549101B2 JPH0549101B2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=16713983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21805885A Granted JPS6278563A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278563A (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH01257965A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH01273047A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-10-31 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真用感光体 |
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|---|---|
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