JPS63157157A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
- G03G5/0631—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing two hetero atoms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子写真感光体に関し、詳しくは改善された電
子写真特性を与える低分子の有機光導電体を有する電子
写真感光体に関する。
子写真特性を与える低分子の有機光導電体を有する電子
写真感光体に関する。
[従来の技術]
従来、電子写真感光体で用いる光導電材料としてセレン
、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系光導電材料が
知られている。これらの光導電材料は、数多くの利点、
例えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で電荷
の逸散が少ないことあるいは光照射によって速やかに電
荷を逸散できるなどの利点を有する反面、各種の欠点を
有している0例えば、セレン系感光体では温度、温度、
圧力などの要因で容易に結晶化が進み、特に雰囲気温度
が40℃を越えると結晶化が著しくなり、帯電性の低下
や画像に白い斑点が発生するといった欠点がある。硫化
カドミウム系感光体は多湿の環境下で安定した感度が得
られない点や酸化亜鉛系感光体ではローズベンガルに代
表される増感色素による増感効果を必要としているが、
このような増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光
光による光退色を生じるため長期に亘り安定した画像を
与えることができない欠点を有している。一方、ポリビ
ニルカルバゾールをはじめとする各種の有機光導電性ポ
リマーが提案されてきたが、これらのポリマーは前述の
無機系光導電材料に比べ成膜性、軽量性などの点で優れ
ているにもかかわらず今日までその実用化が困難であっ
たのは、未だ十分な成膜性が得られておらず、また感度
、耐久性および1境変化による安定性の点で無機系光導
電材料に比べ劣っているためであった。また米国特許第
4150987号明細書などに記載のヒドラゾン化合物
、米国特許第3837851号明細書などに開示のトリ
アリールピラゾリン化合物、特開昭51−94828号
公報、特開昭51−94829号公報などに記載の9−
スチリルアンスラセン化合物などの低分子の有機光導電
体が提案されている。このような低分子の有機光導電体
は、使用するバインダーを適当に選択することによって
、有機光導電性ポリマーの分野で問題となっていた成膜
性の欠点を解消できるようになったが、感度の点で十分
なものとは言えない。
、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系光導電材料が
知られている。これらの光導電材料は、数多くの利点、
例えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で電荷
の逸散が少ないことあるいは光照射によって速やかに電
荷を逸散できるなどの利点を有する反面、各種の欠点を
有している0例えば、セレン系感光体では温度、温度、
圧力などの要因で容易に結晶化が進み、特に雰囲気温度
が40℃を越えると結晶化が著しくなり、帯電性の低下
や画像に白い斑点が発生するといった欠点がある。硫化
カドミウム系感光体は多湿の環境下で安定した感度が得
られない点や酸化亜鉛系感光体ではローズベンガルに代
表される増感色素による増感効果を必要としているが、
このような増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光
光による光退色を生じるため長期に亘り安定した画像を
与えることができない欠点を有している。一方、ポリビ
ニルカルバゾールをはじめとする各種の有機光導電性ポ
リマーが提案されてきたが、これらのポリマーは前述の
無機系光導電材料に比べ成膜性、軽量性などの点で優れ
ているにもかかわらず今日までその実用化が困難であっ
たのは、未だ十分な成膜性が得られておらず、また感度
、耐久性および1境変化による安定性の点で無機系光導
電材料に比べ劣っているためであった。また米国特許第
4150987号明細書などに記載のヒドラゾン化合物
、米国特許第3837851号明細書などに開示のトリ
アリールピラゾリン化合物、特開昭51−94828号
公報、特開昭51−94829号公報などに記載の9−
スチリルアンスラセン化合物などの低分子の有機光導電
体が提案されている。このような低分子の有機光導電体
は、使用するバインダーを適当に選択することによって
、有機光導電性ポリマーの分野で問題となっていた成膜
性の欠点を解消できるようになったが、感度の点で十分
なものとは言えない。
このようなことから、近年、感光層を電荷発生層と電荷
輸送層に機能分離させた積層構造体が提案された。この
積層構造を感光層とした電子写真感光体は、可視光に対
する感度、電荷保持力、表面強度などの点で改善できる
ようになった。
輸送層に機能分離させた積層構造体が提案された。この
積層構造を感光層とした電子写真感光体は、可視光に対
する感度、電荷保持力、表面強度などの点で改善できる
ようになった。
このような電子写真感光体は、例えば米国特許第383
7851号明細書、米国特許第3871882号明細書
などに記載されている。
7851号明細書、米国特許第3871882号明細書
などに記載されている。
しかし、従来の低分子の有機光導電体を電荷輸送層に用
いた電子写真感光体では、感度、特性が必ずしも十分で
なく、また繰り返し帯電および露光を行なった際には明
部電位と暗部電位の変動が大きく改善すべき点がある。
いた電子写真感光体では、感度、特性が必ずしも十分で
なく、また繰り返し帯電および露光を行なった際には明
部電位と暗部電位の変動が大きく改善すべき点がある。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は、前述の欠点または不利を解消した電子
写真感光体を提供すること、新規な電子写真感光体を提
供すること、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した積
層型感光層における新規な電荷輸送物質を提供すること
にある。
写真感光体を提供すること、新規な電子写真感光体を提
供すること、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した積
層型感光層における新規な電荷輸送物質を提供すること
にある。
c問題点を解決する手段1作用]
本発明は、下記一般式で示されるベンズイミダゾール化
合物を含有する層を有することを特徴とする電子写真感
光体から構成される。
合物を含有する層を有することを特徴とする電子写真感
光体から構成される。
式中、R1は置換基を有してもよいアルキル基、アリー
ル基あるいは複素環基を示し、具体的にはメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、5eC−ブチル
、t−ブチル、フェニル。
ル基あるいは複素環基を示し、具体的にはメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、5eC−ブチル
、t−ブチル、フェニル。
p−)ルイル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル
、フリル、チオニル、ピロイルなどの基が挙げられる。
、フリル、チオニル、ピロイルなどの基が挙げられる。
さらに上記基の有してもよい置換基としてはフッ素原子
、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、インプロピル、ブチルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フ
ェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ
基などが挙げられる。
、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、インプロピル、ブチルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フ
ェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ
基などが挙げられる。
R2およびR3は水素原子、置換基を有してもよいアル
キル基、アリール基、アラルキル基あるいは複素環基を
示し、もしくl±R2とR3が中心炭素原子と共に環状
炭化水素基、環状複素環基、環状芳香族基、環状芳香族
複素環基を形成する残基を示し、R2とR3は同一また
は異なっていてもよく、具体的にはメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、5eC−ブチル、t−
ブチル、フェニル、P−)ルイル、ベンジル、フェネチ
ル、ナフチルメチル、フリル、チオニル、ピロイル、シ
クロペンチル、シクロヘキシル、テトラヒドロピラン、
テトラヒドロフラン、キサンチン、チオキサンチン、イ
ンデン、フルオレンなどの基が挙げられる。
キル基、アリール基、アラルキル基あるいは複素環基を
示し、もしくl±R2とR3が中心炭素原子と共に環状
炭化水素基、環状複素環基、環状芳香族基、環状芳香族
複素環基を形成する残基を示し、R2とR3は同一また
は異なっていてもよく、具体的にはメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、5eC−ブチル、t−
ブチル、フェニル、P−)ルイル、ベンジル、フェネチ
ル、ナフチルメチル、フリル、チオニル、ピロイル、シ
クロペンチル、シクロヘキシル、テトラヒドロピラン、
テトラヒドロフラン、キサンチン、チオキサンチン、イ
ンデン、フルオレンなどの基が挙げられる。
さらに上記基の宥してもよい置換基としてはフッ素原子
、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フ
ェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ
基などが挙げられる。
、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フ
ェノキシなどのアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、
モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミノ
基などが挙げられる。
Aは置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、ア
ラルキル基あるいは複素環基を示し、具体的にはメチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、5ec−
ブチル、t−ブチル、フェニル、p−トルイル1.ベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル、ナフチル、アンス
リル、ピリジル、フリル、チオニル、ピロイルなどの基
が挙げられる。
ラルキル基あるいは複素環基を示し、具体的にはメチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、5ec−
ブチル、t−ブチル、フェニル、p−トルイル1.ベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル、ナフチル、アンス
リル、ピリジル、フリル、チオニル、ピロイルなどの基
が挙げられる。
さらに上記基の有してもよい置換基としてはツー、素原
子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
などのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
フェノキシなどのフルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、
ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ
、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミ
ノ基などが挙げられる。
子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
などのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
フェノキシなどのフルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、
ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ
、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの置換アミ
ノ基などが挙げられる。
以下に前記一般式で示されるベンズイミダゾール化合物
についての代表的な具体例を列挙する。
についての代表的な具体例を列挙する。
化合物例(1)
化合物例(2)
化合物例(3)
CH3
化合物例(0
CH。
化合物例(5)
化合物例(7)
CユH5
化合物例(8)
化合物例(9)
化合物例(1G)
化合物例(11)
化合物例(12)
C)!3
化合物例(13)
3C−OH
OH3
化合物例(14)
化合物例(15)
OH3
化合物例(16)
化合物例(17)
化合物例(18)
化合物例(18)
化合物例(20)
化合物例(21)
化合物例(22)
に叉
化合物例(23)
r
化合物例(24)
化合物例(25)
化合物例(26)
CH
化合物例(27)
化合物例(28)
化合物例(28)
03H。
化合物例(30)
l
H3
化合物例(31)
CヤH3
化合物例(32)
化合物例(33) ’
化合物例(30
化合物例(35)
化合物例(3B)
化合物例(37)
化合物例(38)
HJ
化合物例(39)
zHs
化合物例(40)
化合物例(41)
化合物例(42)
一般式で示されるベンズイミダゾール化合物は2−7リ
ールベンズイミダゾールをアルキル化した後、ビルスマ
イヤー反応によりホルミル基を導入し、W i t t
i g試薬との反応で一般的に製造することができる
。
ールベンズイミダゾールをアルキル化した後、ビルスマ
イヤー反応によりホルミル基を導入し、W i t t
i g試薬との反応で一般的に製造することができる
。
合成例「化合物例(3)の化合物の合成」1−メチル−
2−(p−メトキシフェニル)−ベンズイミダゾール8
.0g(33,6mモル)、N−メチルホルムアニリド
4.19m文(34,0m−1−ル)、オキシ塩化リン
3.17m1(34,0mモル)、o−ジクロルベンゼ
ン20m文を100m1の四ツ−フラスコに入れ、90
〜100℃に保って4時間加熱攪拌する。
2−(p−メトキシフェニル)−ベンズイミダゾール8
.0g(33,6mモル)、N−メチルホルムアニリド
4.19m文(34,0m−1−ル)、オキシ塩化リン
3.17m1(34,0mモル)、o−ジクロルベンゼ
ン20m文を100m1の四ツ−フラスコに入れ、90
〜100℃に保って4時間加熱攪拌する。
反応終了後1反応物を酢酸ナトリウム水溶液にあけて、
ジクロルメタンで抽出し、有機層を水洗、芒硝乾燥後、
減圧乾固し、残香を再結精製して1−メチル−2−(p
−メトキシフェニル)−ベンズイミダゾール−5−カル
ボアルデヒドの結晶を得た。収量5.11g、収率57
,1%。
ジクロルメタンで抽出し、有機層を水洗、芒硝乾燥後、
減圧乾固し、残香を再結精製して1−メチル−2−(p
−メトキシフェニル)−ベンズイミダゾール−5−カル
ボアルデヒドの結晶を得た。収量5.11g、収率57
,1%。
N、N−ジメチルホルムアミド15mlにt−ブトキシ
カリウム2.7g(23,8mモル)を入れ、室温で攪
拌しながら1−メチル−2−(p−メトキシフェニル)
ベンズイミダゾール−5−カルボアルデヒド3.0g(
13,3mモル)とジフェニルメチルホスホン酸ジエチ
ル5.7g(18,8mモル)をN、N−ジメチルホル
ムアミド30mulに溶かした液を反応温度が35℃を
越えないようにゆっくり滴下する0滴下終了後4時間室
温で攪拌する0反応終了後、反応物を水にあけ、析出し
た結晶を再結精製して1−メチル−2−(p−メトキシ
フェニル)−ベンズ−6−(β−フェニルスチリル)イ
ミダゾール3.30gを得た。収率61.2%。
カリウム2.7g(23,8mモル)を入れ、室温で攪
拌しながら1−メチル−2−(p−メトキシフェニル)
ベンズイミダゾール−5−カルボアルデヒド3.0g(
13,3mモル)とジフェニルメチルホスホン酸ジエチ
ル5.7g(18,8mモル)をN、N−ジメチルホル
ムアミド30mulに溶かした液を反応温度が35℃を
越えないようにゆっくり滴下する0滴下終了後4時間室
温で攪拌する0反応終了後、反応物を水にあけ、析出し
た結晶を再結精製して1−メチル−2−(p−メトキシ
フェニル)−ベンズ−6−(β−フェニルスチリル)イ
ミダゾール3.30gを得た。収率61.2%。
元素分析 計算値(%) 実験値(%)C83,65
83,6L H5,775,82 N 6.73 6.70 0 3.85 3.86 本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発生層と電
荷輸送層に機能分離した電子写真感光体の電荷輸送物質
に前記一般式で示されるベンズイミダゾール化合物を用
いることができる。
83,6L H5,775,82 N 6.73 6.70 0 3.85 3.86 本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発生層と電
荷輸送層に機能分離した電子写真感光体の電荷輸送物質
に前記一般式で示されるベンズイミダゾール化合物を用
いることができる。
本発明による電荷輸送層は、前記一般式で示されるベン
ズイミダゾール化合物と結着剤とを適当な溶剤に溶解せ
しめた溶液を塗布し、乾燥せしめることにより形成させ
ることが好ましい、ここに用いる結着剤としては、例え
ばボリアリレート、ポリスルホン、ポリアミド、アクリ
ル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリウレタンあるいはこれら樹脂の繰り返し単位の
うち2以上を含む共重合体、例えばスチレン−ブタジェ
ンコポリマー、スチレン−7クリロニトリルコボリマー
、スチレン−マレイン酸コポリマーなどが挙げられる。
ズイミダゾール化合物と結着剤とを適当な溶剤に溶解せ
しめた溶液を塗布し、乾燥せしめることにより形成させ
ることが好ましい、ここに用いる結着剤としては、例え
ばボリアリレート、ポリスルホン、ポリアミド、アクリ
ル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリウレタンあるいはこれら樹脂の繰り返し単位の
うち2以上を含む共重合体、例えばスチレン−ブタジェ
ンコポリマー、スチレン−7クリロニトリルコボリマー
、スチレン−マレイン酸コポリマーなどが挙げられる。
また、このような絶縁性ポリマーの他に、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリビニルアンスラセンやポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーも使用できる。
ルバゾール、ポリビニルアンスラセンやポリビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーも使用できる。
この結着剤と前記ベンズイミダゾール化合物との配合割
合は、結着剤100重量部当り、ベンズイミダゾール化
合物を10〜500重量部とすることが好ましい。
合は、結着剤100重量部当り、ベンズイミダゾール化
合物を10〜500重量部とすることが好ましい。
電荷輸送層は、下達の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を宥している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
た、電荷発生層の下に蹟居されていてもよい、しかし、
電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていることが望
ましい、この電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる
限界があるので必要以上に膜厚を厚くすることができな
い、一般的には5〜30pm、好ましい範囲は8〜20
ルmである。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を宥している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
た、電荷発生層の下に蹟居されていてもよい、しかし、
電荷輸送層は電荷発生層の上に積層されていることが望
ましい、この電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる
限界があるので必要以上に膜厚を厚くすることができな
い、一般的には5〜30pm、好ましい範囲は8〜20
ルmである。
この電荷輸送層を形成する際に用いる有機溶剤は、使用
する結着剤の種類によって異なり、または電荷発生層や
下達する下引層を溶解しないものから選択することが好
ましい、具体的な有機溶剤としてはメタノール、エタノ
ール、イソプロパツールなどのアルコール類、アセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジク
ロルヘキサノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール七ツ
メチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、
ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンな
どの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、ト
ルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
する結着剤の種類によって異なり、または電荷発生層や
下達する下引層を溶解しないものから選択することが好
ましい、具体的な有機溶剤としてはメタノール、エタノ
ール、イソプロパツールなどのアルコール類、アセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジク
ロルヘキサノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール七ツ
メチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、
ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンな
どの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、ト
ルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼンなどの芳香族類などを用いることができる。
塗工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
スピンナーコーティング法などのコーティング法を用い
て行なうことができる。
スピンナーコーティング法などのコーティング法を用い
て行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい、加熱乾燥は30〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲で静止または送風下で行なうことができる。
好ましい、加熱乾燥は30〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲で静止または送風下で行なうことができる。
本発明における電荷輸送層には、種々の添加剤を含有さ
せることができる。かかる添加剤としてはジフェニル、
塩化ジフェニル、〇−ターフェニル、p−ターフェニル
、ジブチルフタレート、ジメチルグリコールフタレート
、ジオクチルフタレート、トリフェニルリン酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ジラ
ウリルチオプロピオネート、3.5−ジニトロサリチル
酸、各種フルオロカーボン類などが挙げられる。
せることができる。かかる添加剤としてはジフェニル、
塩化ジフェニル、〇−ターフェニル、p−ターフェニル
、ジブチルフタレート、ジメチルグリコールフタレート
、ジオクチルフタレート、トリフェニルリン酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ジラ
ウリルチオプロピオネート、3.5−ジニトロサリチル
酸、各種フルオロカーボン類などが挙げられる。
本発明で用いる電荷発生層は、セレン、セレン−テルル
、アモルファスシリコンなどの無機系の電荷発生物質、
ピリリウム系染料、チアピリリウム系染料、アズレニウ
ム系染料、チアシアニン系染料などのカチオン染料、ス
フベリリウム塩基染料、フタロシャニン系顔料、アント
アントロン系顔料、ジベンズピレンキノン系顔料、ビラ
ントロン系顔料などの多環午ノン顔料、インジゴ系顔料
、キナクリドン系顔料、アゾ顔料などの有機系の電荷発
生物質から選ばれた別個の蒸M層あるいは樹脂分散層を
用いることができる。
、アモルファスシリコンなどの無機系の電荷発生物質、
ピリリウム系染料、チアピリリウム系染料、アズレニウ
ム系染料、チアシアニン系染料などのカチオン染料、ス
フベリリウム塩基染料、フタロシャニン系顔料、アント
アントロン系顔料、ジベンズピレンキノン系顔料、ビラ
ントロン系顔料などの多環午ノン顔料、インジゴ系顔料
、キナクリドン系顔料、アゾ顔料などの有機系の電荷発
生物質から選ばれた別個の蒸M層あるいは樹脂分散層を
用いることができる。
本発明に使用される上記電荷発生物質のうち。
特にアゾ顔料は多岐にわたっており、構造を特定するこ
とは難しいが、以下に特に効果の高いアゾ顔料の構造例
を説明する。
とは難しいが、以下に特に効果の高いアゾ顔料の構造例
を説明する。
アゾ顔料の一般式として下記のように中心骨格をB、カ
プラ一部分をCpとし、n=2あるいは3とする。
B−+N−N−Cp)nBの代表的な具体例 B−3舎CH−CH−@−CH・OH舎子、Xは酸素原
子、硫黄原子) 硫黄原子) 塩素原子など、R3 は水素原子、メチル基、フェニ ル基) (又は酸素原子、硫黄原子) (又は酸素原子、硫黄原子) (又は酸素原子、硫黄原子) B−11R (Rは水素原子、メチル基) B −12 ()(ト◇刈 (Xは酸素原子、硫 黄原子) (Xは酸素原子、硫黄原子) 富 C23゜ B −18 −@−c )I −N −N引合 B −19 チル基、 No) 前記CPの代表的具体例 p−1 p−2 キシ基)) p−4 p−5 (Rはエチル基、フェニル基) p−6 p−7 8′″ R2は水素原子、塩素原子、フッ
素原子) などが挙げられる。
プラ一部分をCpとし、n=2あるいは3とする。
B−+N−N−Cp)nBの代表的な具体例 B−3舎CH−CH−@−CH・OH舎子、Xは酸素原
子、硫黄原子) 硫黄原子) 塩素原子など、R3 は水素原子、メチル基、フェニ ル基) (又は酸素原子、硫黄原子) (又は酸素原子、硫黄原子) (又は酸素原子、硫黄原子) B−11R (Rは水素原子、メチル基) B −12 ()(ト◇刈 (Xは酸素原子、硫 黄原子) (Xは酸素原子、硫黄原子) 富 C23゜ B −18 −@−c )I −N −N引合 B −19 チル基、 No) 前記CPの代表的具体例 p−1 p−2 キシ基)) p−4 p−5 (Rはエチル基、フェニル基) p−6 p−7 8′″ R2は水素原子、塩素原子、フッ
素原子) などが挙げられる。
これら中心骨格Bおよびカブ5−〇 pを組合せて、電
荷発生物質となるアゾ顔料が得られる。
荷発生物質となるアゾ顔料が得られる。
電荷発生層は前述の電荷発生物質を適当な結着剤に分散
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、また真空蒸着装量により蒸着膜とすることにより形成
することができる。
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、また真空蒸着装量により蒸着膜とすることにより形成
することができる。
電荷発生層を塗工によって形成する際に用いうる結着剤
としては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリ
ビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択でき
る。好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレート
(ビスフェノールAとフタル酸のtIn合体など)、ポ
リカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ
酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリ
アミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレ
タン樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。
としては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリ
ビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択でき
る。好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレート
(ビスフェノールAとフタル酸のtIn合体など)、ポ
リカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ
酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリ
アミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレ
タン樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。
?I!荷発生層中に含有する樹脂は80重量%以下、好
ましくは40重量%以下が適している。 ・ 塗工の際に用いる有機溶剤としては、メタノール、エタ
ノール、イソプロパツールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシド
などのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳
香族類などを用いることができる。
ましくは40重量%以下が適している。 ・ 塗工の際に用いる有機溶剤としては、メタノール、エタ
ノール、イソプロパツールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシド
などのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化
水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロ
イン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳
香族類などを用いることができる。
塗工は前述のコーティング法を用いて行なうことができ
る。
る。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るためにできる限り多
くの前記有機光導電体を含有し、かつ発生した電荷キャ
リアの飛程を短くするために、薄膜層1例えば5pm以
下、好ましくは0.01〜IJLmの膜厚をもつ薄膜層
とする。
くの前記有機光導電体を含有し、かつ発生した電荷キャ
リアの飛程を短くするために、薄膜層1例えば5pm以
下、好ましくは0.01〜IJLmの膜厚をもつ薄膜層
とする。
このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収され
て多くの電荷キャリアを発生すること、さらに発生した
電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ)により失活す
ることなく電荷輸送層に注入する必要があることに起因
している。
て多くの電荷キャリアを発生すること、さらに発生した
電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ)により失活す
ることなく電荷輸送層に注入する必要があることに起因
している。
電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感光層は、
導電層を有する基体の上に設けられる。
導電層を有する基体の上に設けられる。
導電層を有する基体としては、基体自体が導電性を有す
る、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛
、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタ
ン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いること
ができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金な
どを真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラ
スチック(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹
脂、ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばア
ルミニウム粉末、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、カー
ボンブラック、銀粒子など)を適当な結着剤とともにプ
ラスチックまたは前記導電性基体の上に被覆した基体、
導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性
ポリマーを有するプラスチックなどを用いることができ
る。
る、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛
、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタ
ン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いること
ができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金な
どを真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラ
スチック(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹
脂、ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えばア
ルミニウム粉末、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、カー
ボンブラック、銀粒子など)を適当な結着剤とともにプ
ラスチックまたは前記導電性基体の上に被覆した基体、
導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性
ポリマーを有するプラスチックなどを用いることができ
る。
導電層と感光層の中間にバリヤー機能と接着機能を有す
る下引層を設けることもできる。
る下引層を設けることもできる。
下引層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド
、(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重
合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリ
ウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウムなどによって形
成できる。
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド
、(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重
合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリ
ウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウムなどによって形
成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5μm、好ましくは0.5〜
31Lmが適当である。
31Lmが適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を用いる場合において、本発明のベンズイミダゾール化
合物は、正孔輸送性であるので、電荷輸送層表面を負に
帯電する必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷
発生層において生成した正孔が電荷輸送層に注入され、
その後表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像
時には正荷電性トナーを用いる必要がある0本発明の別
の具体例では、アゾ系顔料あるいは米国特許第3554
745号明細書、同第3567438号明細書、同第3
586500号明細書などに開示のビリリウム染料、チ
アピリリウム染料、セレナピリリウム染料、ベンゾビリ
リウム染料、ベンゾチアピリリウム染料、ナフトビリリ
ウム染料などの光導電性を有する顔料や染料を増感剤と
しても用いることができる。
を用いる場合において、本発明のベンズイミダゾール化
合物は、正孔輸送性であるので、電荷輸送層表面を負に
帯電する必要があり、帯電後露光すると露光部では電荷
発生層において生成した正孔が電荷輸送層に注入され、
その後表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像
時には正荷電性トナーを用いる必要がある0本発明の別
の具体例では、アゾ系顔料あるいは米国特許第3554
745号明細書、同第3567438号明細書、同第3
586500号明細書などに開示のビリリウム染料、チ
アピリリウム染料、セレナピリリウム染料、ベンゾビリ
リウム染料、ベンゾチアピリリウム染料、ナフトビリリ
ウム染料などの光導電性を有する顔料や染料を増感剤と
しても用いることができる。
また別の具体例では、米国特許第3684502号明細
書に開示のビリリウム染料とフルキリデンジアリーレン
部分を有する電気絶縁重合体との共晶錯体を増感剤とし
て用いることもできる。
書に開示のビリリウム染料とフルキリデンジアリーレン
部分を有する電気絶縁重合体との共晶錯体を増感剤とし
て用いることもできる。
この共晶錯体は、例えば4−[4−ビス−(2−クロロ
エチル)アミノフェニル] −2、6−シフエニルチア
ピリリウムパークロレートとポリ(4,4′−イソプロ
ピリデンジフェニレンヵーポネート)をハロゲン化炭化
水素系溶剤(例えばジクロルメタン、クロロホルム、四
塩化炭素、1゜l−ジクロルエタン、1.2−ジクロル
エタン、1.1.2−)ジクロルエタン、クロロベンゼ
ン、フロモベンゼン、1.2−ジクロルベンゼン)に溶
解した後、これを非極性溶剤(例えばヘキサン、オクタ
ン、デカン、2,2.4−トリメチルベンゼン、リグロ
イン)を加えることによって粒子状共晶錯体として得ら
れる。
エチル)アミノフェニル] −2、6−シフエニルチア
ピリリウムパークロレートとポリ(4,4′−イソプロ
ピリデンジフェニレンヵーポネート)をハロゲン化炭化
水素系溶剤(例えばジクロルメタン、クロロホルム、四
塩化炭素、1゜l−ジクロルエタン、1.2−ジクロル
エタン、1.1.2−)ジクロルエタン、クロロベンゼ
ン、フロモベンゼン、1.2−ジクロルベンゼン)に溶
解した後、これを非極性溶剤(例えばヘキサン、オクタ
ン、デカン、2,2.4−トリメチルベンゼン、リグロ
イン)を加えることによって粒子状共晶錯体として得ら
れる。
この具体例における電子写真感光体には、スチレン−ブ
タジェンコポリマー、シリコーン樹脂。
タジェンコポリマー、シリコーン樹脂。
ビニル樹脂、塩化ビニリデン−7クリロニトリルコボリ
マー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ビニル
アセテート−塩化ビニルコポリマー、ポリビニルブチラ
ール、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリ−N−ブチルメ
タクリレート、ポリエステル類、セルロースエステル類
などを結着剤として含有することができる。
マー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ビニル
アセテート−塩化ビニルコポリマー、ポリビニルブチラ
ール、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリ−N−ブチルメ
タクリレート、ポリエステル類、セルロースエステル類
などを結着剤として含有することができる。
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、
電子写真式製版システムなどの電子写真応用分野にも広
く用途を有する。
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、
電子写真式製版システムなどの電子写真応用分野にも広
く用途を有する。
本発明によれば、高感度の電子写真感光体を与えること
ができ、また縁り返し帯電および露光を行なった時の明
部電位と暗部電位の変動が小さい利点を有している。
ができ、また縁り返し帯電および露光を行なった時の明
部電位と暗部電位の変動が小さい利点を有している。
[実施例]
実施例1
β型銅フタロシアニン(商品名LionolBlue
NCB Taner、東洋インキ製造補装)を水、
エタノールおよびベンゼン中で順次還流後、濾過して精
製した顔料7g、ポリエステル(商品名ポリエステルア
ドヒーシブ49000、固形分20%、デュポン社製)
14g、トルエン35g、ジオキサン35gを混合し、
ボールミルで6時間分散して塗工液を調製した。
NCB Taner、東洋インキ製造補装)を水、
エタノールおよびベンゼン中で順次還流後、濾過して精
製した顔料7g、ポリエステル(商品名ポリエステルア
ドヒーシブ49000、固形分20%、デュポン社製)
14g、トルエン35g、ジオキサン35gを混合し、
ボールミルで6時間分散して塗工液を調製した。
この塗工液をアルミニウムシート上に乾燥膜厚が0.5
μmとなるようにマイヤーバーで塗布して電荷発生層を
形成した0次に電荷輸送物質として前記化合物例(3)
のベンズイミダゾール化合物7gとポリカーボネート(
商品名パンライトに−1300、今人■製)7gとをテ
トラヒドロフラン35gとクロロベンゼン35gの混合
溶剤中に攪拌溶解させて得た溶液を先の電荷発生層の上
に、マイヤーバーで乾燥膜厚がllJLmとなるように
塗工して、二層構造からなる感光層を有する電子写真感
光体を作成した。この電子写真感光体を川口電機■製静
電複写紙試験装置M o d e l −5P−428
を用いてスタチック方式で一5KVでコロナ帯電し、暗
所で1秒間保持した後、照度2.5JLuxで露光し帯
電特性を測定した。帯電特性としては、表面電位(Vo
)と1秒間暗減衰させた時の電位(vl)を1/2に
減衰するに必要な露光量(El/2)を測定した。
μmとなるようにマイヤーバーで塗布して電荷発生層を
形成した0次に電荷輸送物質として前記化合物例(3)
のベンズイミダゾール化合物7gとポリカーボネート(
商品名パンライトに−1300、今人■製)7gとをテ
トラヒドロフラン35gとクロロベンゼン35gの混合
溶剤中に攪拌溶解させて得た溶液を先の電荷発生層の上
に、マイヤーバーで乾燥膜厚がllJLmとなるように
塗工して、二層構造からなる感光層を有する電子写真感
光体を作成した。この電子写真感光体を川口電機■製静
電複写紙試験装置M o d e l −5P−428
を用いてスタチック方式で一5KVでコロナ帯電し、暗
所で1秒間保持した後、照度2.5JLuxで露光し帯
電特性を測定した。帯電特性としては、表面電位(Vo
)と1秒間暗減衰させた時の電位(vl)を1/2に
減衰するに必要な露光量(El/2)を測定した。
さらに、上記作成・した電子写真感光体を繰り返し使用
した時の明部電位と暗部電位の変動を測定するために、
キャノン輛製、PPC複写機商品名NP−1502の感
光ドラム用シリンダーに貼り付けて、同機で50,00
0枚複写を行ない、初期と50.000枚複写後の明部
電位(VL )および暗部電位(VD )の変動を測定
した。
した時の明部電位と暗部電位の変動を測定するために、
キャノン輛製、PPC複写機商品名NP−1502の感
光ドラム用シリンダーに貼り付けて、同機で50,00
0枚複写を行ない、初期と50.000枚複写後の明部
電位(VL )および暗部電位(VD )の変動を測定
した。
また前記例示化合物例(3)の化合物の代りにの化合物
を用いて、全く同様の操作により、比較試料1を作成し
、同様の測定をした。その結果を次に示す。
を用いて、全く同様の操作により、比較試料1を作成し
、同様の測定をした。その結果を次に示す。
V −V V −V El/2 lux 5ee
)実施例1 691 676 2.0 比較試料1 700 670 8.05 ′ 実施例I Vo(−V)、700 685VL(−
V) 140 160 比較試料I VD(−V) 710 660VL
(−V) 250 360 この結果から1本発明の場合、比較試料に比べて感度、
電位安定性が著しく優れていることが判る。
)実施例1 691 676 2.0 比較試料1 700 670 8.05 ′ 実施例I Vo(−V)、700 685VL(−
V) 140 160 比較試料I VD(−V) 710 660VL
(−V) 250 360 この結果から1本発明の場合、比較試料に比べて感度、
電位安定性が著しく優れていることが判る。
実施例2〜16
実施例1で用いた電荷輸送物質に代えて、前記化合物例
(2)、(5)、(6)、(8)、(10)、(15)
、(17)、(19)、(20)、(24)、(27)
、(31)、(33)。
(2)、(5)、(6)、(8)、(10)、(15)
、(17)、(19)、(20)、(24)、(27)
、(31)、(33)。
(36)および(41)を用い、電荷発生物質として下
記ジスアゾ顔料を用い。
記ジスアゾ顔料を用い。
その他は、実施例1と同様の方法によって電子写真感光
体を作成した。各感光体の電子写真特性を実施例1と同
様の方法によって測定した。結果を次に示す。
体を作成した。各感光体の電子写真特性を実施例1と同
様の方法によって測定した。結果を次に示す。
2 (2) 688 673 2.33
(5) 697 684 2.04
(6) 692 680 1.95
(8) 898 882 2.16
(10) 700 685 2.17
(15) 689 676 1.9
8 (17) 691 679 2.
29 (19) 694 680 2
.410 (20) 688 671
1.811 (24) 695 6
79 2.012 (27) 687
671 1.913 (31) 69
9 682 1.714 (33)
696 683 2.115 (36)
693 681 2.216 (41)
695 678 1.6初 期
5万枚耐久後 実施例17 アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液(カゼイン11.2g、28%アンモニア水1g、水
222mA)を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
塗工量1 、0 g / m 2の下引層を形成した。
(5) 697 684 2.04
(6) 692 680 1.95
(8) 898 882 2.16
(10) 700 685 2.17
(15) 689 676 1.9
8 (17) 691 679 2.
29 (19) 694 680 2
.410 (20) 688 671
1.811 (24) 695 6
79 2.012 (27) 687
671 1.913 (31) 69
9 682 1.714 (33)
696 683 2.115 (36)
693 681 2.216 (41)
695 678 1.6初 期
5万枚耐久後 実施例17 アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液(カゼイン11.2g、28%アンモニア水1g、水
222mA)を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
塗工量1 、0 g / m 2の下引層を形成した。
次に、下記構造のジスアゾ顔料
1重量部、ブチラール樹脂(商品名工スレツク3M−2
,積水化学■製)1重量部とイソプロピルアルコール3
0重量部をボールミルで4時間分散した。この分散液を
先の下引層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥し
て電荷発生層を形成した。この膜厚は0.3gmであっ
た。
,積水化学■製)1重量部とイソプロピルアルコール3
0重量部をボールミルで4時間分散した。この分散液を
先の下引層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥し
て電荷発生層を形成した。この膜厚は0.3gmであっ
た。
次に、ベンズイミダゾール化合物例(4)の電荷輸送物
質1重量部、ポリスルホン(P−1700、UCC社’
IJ ) 1 重W m 、モノクロルベンゼン6重量
部を混合し、攪拌機で攪拌、溶解した。この液を先の電
荷発生層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
、電荷輸送層を形成した。膜厚は12終mであった。
質1重量部、ポリスルホン(P−1700、UCC社’
IJ ) 1 重W m 、モノクロルベンゼン6重量
部を混合し、攪拌機で攪拌、溶解した。この液を先の電
荷発生層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
、電荷輸送層を形成した。膜厚は12終mであった。
こうして作成した感光体に一5KVのコロナ放電を行な
った。
った。
このときの表面電位(初期電位Vo)を測定した。さら
に、この感光体を5秒間暗所で放置した後の表面電位を
測定した。
に、この感光体を5秒間暗所で放置した後の表面電位を
測定した。
感度は、暗減衰した後の電位VKを1/2に減衰するに
必要な露光量(E 1 / 2 JLJ / c m
2 )を測定することによって評価した。
必要な露光量(E 1 / 2 JLJ / c m
2 )を測定することによって評価した。
この際、光源としてガリウム/アルミニウム/上素の三
元系半導体レーザー(出力5mW、発振波長780nm
)を用いた。結果を示す。
元系半導体レーザー(出力5mW、発振波長780nm
)を用いた。結果を示す。
voニー696V。
El/2:2.2pJ、/cm2
次に同上の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター(
商品名LBP−LX、キャノン■製)の感光体を本発明
感光体に若き換えてセットし、実際の画像形成テストを
以下に示した条件によって実施した。
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター(
商品名LBP−LX、キャノン■製)の感光体を本発明
感光体に若き換えてセットし、実際の画像形成テストを
以下に示した条件によって実施した。
一次帯M、後の表面電位ニー700V、像露光後の表面
電位ニー150V(露光量 1.5LJ/cm2)、転
写電位:+700V、現像剤極性:負極性、プロセスス
ピード:50mm/sec、現像条件(現像バイアス)
ニー450V、像露光スキャン方式:イメージスキャン
、−次帯電前露光:50J1uχ、SeCの赤色全面露
光。
電位ニー150V(露光量 1.5LJ/cm2)、転
写電位:+700V、現像剤極性:負極性、プロセスス
ピード:50mm/sec、現像条件(現像バイアス)
ニー450V、像露光スキャン方式:イメージスキャン
、−次帯電前露光:50J1uχ、SeCの赤色全面露
光。
画像形成はレーザービームを文字信号および画像信号に
従ってラインスキャンして行なったが、文字、画像とも
に良好なプリントが得られた。
従ってラインスキャンして行なったが、文字、画像とも
に良好なプリントが得られた。
実施例18
4−(4−ジメチルアミノフェニル)−2,6−シフエ
ニルチアビリリウムパークロレート3gと前記ベンズイ
ミダゾール化合物例(7)の5gをポリエステル(前出
と同じ)のトルエン−ジオキサン(50:50)溶液1
00m文に混合し、ボールミルで6時間分散した。この
分散液を乾燥後の膜厚が15gmとなるようにマイヤー
バーでアルミニウムシート上に塗布した。
ニルチアビリリウムパークロレート3gと前記ベンズイ
ミダゾール化合物例(7)の5gをポリエステル(前出
と同じ)のトルエン−ジオキサン(50:50)溶液1
00m文に混合し、ボールミルで6時間分散した。この
分散液を乾燥後の膜厚が15gmとなるようにマイヤー
バーでアルミニウムシート上に塗布した。
このようにして作成した感光体の電子写真特性を実施例
1と同様の方法で測定した。その結果を示す。
1と同様の方法で測定した。その結果を示す。
V、ニー699V、V、ニー683V
El/2:2.1fLux、sec
初 期
Vo ニー698V、VL ニー144V5万枚耐久後
Vo ニー682V、VL ニー165V実施例19
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2g、28%アンモニア水1g、水222m文)を
マイヤーバーで塗布乾燥し、膜厚がlILmの接着層を
形成した。
1.2g、28%アンモニア水1g、水222m文)を
マイヤーバーで塗布乾燥し、膜厚がlILmの接着層を
形成した。
次に、下記構造のジスアゾ顔料
5gとブチラール樹脂(ブチラール化度63%)2gを
エタノール95mJLに溶かした液と共に分散した後、
接着層上に塗工し、乾燥後の膜厚が0.4JLmとなる
電荷発生層を形成した。
エタノール95mJLに溶かした液と共に分散した後、
接着層上に塗工し、乾燥後の膜厚が0.4JLmとなる
電荷発生層を形成した。
次に、前記ベンズイミダゾール化合物例(7)を5gと
ポリ−4,4°ジオキシジフェニル−2,2−プロパン
カーボネート(粘度平均分子量3万)5gをジクロルメ
タン150m!;Lに溶かした液を電荷発生層上に塗布
乾燥し、 11!厚が11ルmの電荷輸送層を形成する
ことによって電子写真感光体を作成した。
ポリ−4,4°ジオキシジフェニル−2,2−プロパン
カーボネート(粘度平均分子量3万)5gをジクロルメ
タン150m!;Lに溶かした液を電荷発生層上に塗布
乾燥し、 11!厚が11ルmの電荷輸送層を形成する
ことによって電子写真感光体を作成した。
この感光体の電子写真特性を実施例1と同様の方法によ
り測定した。結果を示す。
り測定した。結果を示す。
vo ニー697V、Vl ニー683VEl/2:
2.11ux、sec 初 期 V o : −699V 、V L : 147 V5
5万耐久後 VD ニー682V、VL ニー164V実施例20 表面が清節にされた0、2mm厚のモリブデン板(基板
)をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固定した。次に槽
内を排気し約5xto−atorrの真空度とした。そ
の後ヒーターの入力電圧を上昇させモリブデン基板温度
を150°Cに安定させた。その後水素ガスとシランガ
ス(水素ガスに対し15容量%)を槽内へ導入し、ガス
流量と蒸着槽メインバルブを調整して0.5torrに
安定させた。次に誘導コイルに5 M Hzの高周波電
力を投入し槽内のコイル内部にグロー放電を発生させ3
0Wの入力電力とした。上記条件で基板上にアモルファ
スシリコン膜を成長させ、膜厚が 2gmとなるまで同
条件を保った後、グロー放電を中止した。その後加熱ヒ
ーター、高周波電源をオフ状態とし、基板温度が100
℃になるのを待ち水素ガス、シランガスの流出バルブを
閉じ、一旦槽内を10″″5t o r r以下にした
後大気圧に戻し基板を取り出した。
2.11ux、sec 初 期 V o : −699V 、V L : 147 V5
5万耐久後 VD ニー682V、VL ニー164V実施例20 表面が清節にされた0、2mm厚のモリブデン板(基板
)をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固定した。次に槽
内を排気し約5xto−atorrの真空度とした。そ
の後ヒーターの入力電圧を上昇させモリブデン基板温度
を150°Cに安定させた。その後水素ガスとシランガ
ス(水素ガスに対し15容量%)を槽内へ導入し、ガス
流量と蒸着槽メインバルブを調整して0.5torrに
安定させた。次に誘導コイルに5 M Hzの高周波電
力を投入し槽内のコイル内部にグロー放電を発生させ3
0Wの入力電力とした。上記条件で基板上にアモルファ
スシリコン膜を成長させ、膜厚が 2gmとなるまで同
条件を保った後、グロー放電を中止した。その後加熱ヒ
ーター、高周波電源をオフ状態とし、基板温度が100
℃になるのを待ち水素ガス、シランガスの流出バルブを
閉じ、一旦槽内を10″″5t o r r以下にした
後大気圧に戻し基板を取り出した。
次に、このアモルファスシリコン層の上に電荷輸送物質
として前記ベンズイミダゾール化合物を使用して、その
他は実施例1と同様にして電荷輸送層を形成した。
として前記ベンズイミダゾール化合物を使用して、その
他は実施例1と同様にして電荷輸送層を形成した。
こうして作成した感光体を帯電露光実験装置に設置し、
−6KVでコロナ帯電し直ちに光像を照射した。光像は
タングステンランプ光源を用い透過型のテストチャート
を通じて照射された。
−6KVでコロナ帯電し直ちに光像を照射した。光像は
タングステンランプ光源を用い透過型のテストチャート
を通じて照射された。
その後直ちに、正荷電性の現像剤(トナーとキャリヤー
を含む)を感光体表面にカスケードすることによって、
感光体表面に良好なトナー画像を得た。
を含む)を感光体表面にカスケードすることによって、
感光体表面に良好なトナー画像を得た。
実施例21
4−(4−ジメチルアミノフェニル)−2,6−シフエ
ニルチアピリリウムパークロレート3gとポリ(4、4
’−イソブロビリデンジフェニレンカーポネート)3g
とをジクロルメタン200rnlに充分に溶解した後、
トルエン100muを加え共晶錯体を沈殿させた。この
沈殿物を濾別した後、ジクロルメタンを加えて再溶解し
、次いでこの溶液にn−ヘキサンloomfLを加えて
共晶錯体の沈殿物を得た。
ニルチアピリリウムパークロレート3gとポリ(4、4
’−イソブロビリデンジフェニレンカーポネート)3g
とをジクロルメタン200rnlに充分に溶解した後、
トルエン100muを加え共晶錯体を沈殿させた。この
沈殿物を濾別した後、ジクロルメタンを加えて再溶解し
、次いでこの溶液にn−ヘキサンloomfLを加えて
共晶錯体の沈殿物を得た。
この共晶錯体5gをポリビニルブチラール2gを含有す
るメタノール溶液95m、Qに加え6時間ボールミルで
分散した・、この分散液をカゼイン層を有するアルミ板
上に乾燥後に膜厚が0.4pmとなるようにマイヤーバ
ーで塗布し、電荷発生層を形成した。
るメタノール溶液95m、Qに加え6時間ボールミルで
分散した・、この分散液をカゼイン層を有するアルミ板
上に乾燥後に膜厚が0.4pmとなるようにマイヤーバ
ーで塗布し、電荷発生層を形成した。
次に、電荷輸送物質である前記ベンズイミダゾール化合
物例(11)を用いその他は実施例1と同様にして上記
電荷発生層の上に電荷輸送層を形成した。 こうして作
成した感光体について電子写真特性を実施例1と同様な
方法によって測定した。その結果を示す。
物例(11)を用いその他は実施例1と同様にして上記
電荷発生層の上に電荷輸送層を形成した。 こうして作
成した感光体について電子写真特性を実施例1と同様な
方法によって測定した。その結果を示す。
vo ニー696V、Vl ニー679VEl/2
: 2.01ux、see 初 期 Vo ニー695V、 VL ニー145V5万枚耐久
後 Vo ニー680V、VL ニー161V実施例2
2 実施例21で用いた共晶錯体と同様のもの5gと前記ベ
ンズイミダゾール化合物例(14)の物質5gをポリエ
ステル(前出と同じ)のテトラヒドロフラン液150m
Aに加えて充分に混合攪拌した。
: 2.01ux、see 初 期 Vo ニー695V、 VL ニー145V5万枚耐久
後 Vo ニー680V、VL ニー161V実施例2
2 実施例21で用いた共晶錯体と同様のもの5gと前記ベ
ンズイミダゾール化合物例(14)の物質5gをポリエ
ステル(前出と同じ)のテトラヒドロフラン液150m
Aに加えて充分に混合攪拌した。
この液をアルミニウムシート上にマイヤーバーにより乾
燥後の膜厚が151Lmとなるように塗布した。
燥後の膜厚が151Lmとなるように塗布した。
この感光体の電子写真特性を実施例工と同様の方法で測
定した。結果を示す。
定した。結果を示す。
vo ニー697V、 V、 ニー681VEl
/2:2.2 fL ux、sec初 期 VD ニー696V、 VL ニー143V5万枚耐久
後 VD ニー681V、VL ニー162V[発明の効果
] 本発明の電子写真感光体は、特定のベンズイミダゾール
化合物を電荷輸送物質として使用したことにより、特に
繰り返し帯電および露光を行なった際に明部電位と暗部
電位の変動が小さいこと、高感度であること、しかも電
子写真利用分野の広範囲に適用できるという顕著な効果
を奏するものである。
/2:2.2 fL ux、sec初 期 VD ニー696V、 VL ニー143V5万枚耐久
後 VD ニー681V、VL ニー162V[発明の効果
] 本発明の電子写真感光体は、特定のベンズイミダゾール
化合物を電荷輸送物質として使用したことにより、特に
繰り返し帯電および露光を行なった際に明部電位と暗部
電位の変動が小さいこと、高感度であること、しかも電
子写真利用分野の広範囲に適用できるという顕著な効果
を奏するものである。
Claims (1)
- (1)下記一般式で示されるベンズイミダゾール化合物
を含有する層を有することを特徴とする電子写真感光体
。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、R_1は置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基あるいは複素環基を示し、R_2およびR_3は
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基あるいは複素環基を示し、もしくはR
_2とR_3が中心炭素原子と共に環状炭化水素基、環
状複素環基、環状芳香族基、環状芳香族複素環基を形成
する残基を示し、R_2とR_3は同一または異なって
いてもよく、Aは置換基を有してもよいアルキル基、ア
リール基、アラルキル基あるいは複素環基を示す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30385686A JPS63157157A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30385686A JPS63157157A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63157157A true JPS63157157A (ja) | 1988-06-30 |
Family
ID=17926115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30385686A Pending JPS63157157A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63157157A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10123733A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
KR100778635B1 (ko) | 2003-05-21 | 2007-11-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 염기성 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
WO2013123215A2 (en) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Siga Technologies, Inc. | Antiviral drugs for treatment of arenavirus infection |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30385686A patent/JPS63157157A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10123733A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
KR100778635B1 (ko) | 2003-05-21 | 2007-11-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 염기성 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
WO2013123215A2 (en) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Siga Technologies, Inc. | Antiviral drugs for treatment of arenavirus infection |
US20150023916A1 (en) * | 2012-02-17 | 2015-01-22 | Siga Technologies Inc. | Antiviral drugs for treatment of arenavirus infection |
EP2814486A4 (en) * | 2012-02-17 | 2016-07-06 | Kineta Four Llc | ANTIVIRAL DRUGS FOR THE TREATMENT OF ARENAVIRUS INFECTIONS |
AU2013221475B2 (en) * | 2012-02-17 | 2016-10-20 | Kineta Four Llc | Antiviral drugs for treatment of Arenavirus infection |
US9498470B2 (en) * | 2012-02-17 | 2016-11-22 | Kineta Four, LLC | Antiviral drugs for treatment of arenavirus infection |
AU2017200346B2 (en) * | 2012-02-17 | 2018-05-24 | Kineta Four Llc | Antiviral drugs for treatment of Arenavirus infection |
US10000486B2 (en) | 2012-02-17 | 2018-06-19 | Kineta Viral Hemorrhagic Fever, Llc | Antiviral drugs for treatment of arenavirus infection |
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