JPH02136860A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体の改良に関する。
近年、電子写真複写機に使用される感光体として、低価
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはじめている。
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはじめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−丁NF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−丁NF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
この様な機能分離型の高感度感光体を、カールソンプロ
セスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が悪
い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら特
性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また
反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有してい
る。
セスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が悪
い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら特
性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また
反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有してい
る。
また一般に、高感度感光体は、前露光疲労によって帯電
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることがら、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位゛は上
昇しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が
遅れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる。
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることがら、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位゛は上
昇しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が
遅れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる。
上述の欠点に対して、例えば、特開昭47−6341゜
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.58−30757.58−63945.
58−95351.58−98739および6〇−66
258号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭49−6
9332および52−10138号にはマレイン酸系樹
脂中間層が、そして特開昭58−105155号にはポ
リビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されてい
る。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導電性
添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.58−30757.58−63945.
58−95351.58−98739および6〇−66
258号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭49−6
9332および52−10138号にはマレイン酸系樹
脂中間層が、そして特開昭58−105155号にはポ
リビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されてい
る。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導電性
添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。
例えば、特開昭51−65942号にはカーボンまたは
カルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特
開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を添加
してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が
、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加
した樹脂中間層が、特開昭58−58556号にはアル
ミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、
特開昭58−93062号には有機金属化合物を添加し
た樹脂中間層が、特開昭58−93063.60−97
363および60−111255号には導電性粒子を分
散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−84251.
59−93453および60−32054号にはTie
、とSnO。
カルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特
開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を添加
してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が
、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加
した樹脂中間層が、特開昭58−58556号にはアル
ミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、
特開昭58−93062号には有機金属化合物を添加し
た樹脂中間層が、特開昭58−93063.60−97
363および60−111255号には導電性粒子を分
散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−84251.
59−93453および60−32054号にはTie
、とSnO。
粉体とを分散した樹脂中間層が開示されている。
しかしながら、繰り返し使用による帯電性の低下、とり
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一層の改善が望まれていた。
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一層の改善が望まれていた。
また、特開昭53−26128および54−10943
8号には、電荷発生層中に電子受容性物質を含む電子写
真感光体が開示されているが5これらは、構成ないし効
果が1本発明とは基本的に異なるものである。
8号には、電荷発生層中に電子受容性物質を含む電子写
真感光体が開示されているが5これらは、構成ないし効
果が1本発明とは基本的に異なるものである。
さらに、また電気抵抗のかわりに電荷の移動性を制御し
ようという考え方から、マイナス電荷移動性の物質とし
ての電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提
案されている。例えば、特開昭53−89433号には
多環芳香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電体
中間層が、また特開昭54−4134.59−1601
47および59−170846号には電子受容性有機物
を含有する樹脂中間層が開示されている。必ずしも上記
諸要求を満足するものではなかった。
ようという考え方から、マイナス電荷移動性の物質とし
ての電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提
案されている。例えば、特開昭53−89433号には
多環芳香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電体
中間層が、また特開昭54−4134.59−1601
47および59−170846号には電子受容性有機物
を含有する樹脂中間層が開示されている。必ずしも上記
諸要求を満足するものではなかった。
本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
本発明によれば、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層を有する積層型有機電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記一般式(I)で示される電
子受容性化合物を含有してなることを特徴とする電子写
真感光体が提供される。
層と電荷輸送層を有する積層型有機電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記一般式(I)で示される電
子受容性化合物を含有してなることを特徴とする電子写
真感光体が提供される。
(式中の各記号は以下のものを示す。
R:アルキル基、アルコキシ基、ハロゲンa+、n二〇
〜4の整数 Ar:置換もしくは非置換の芳香環 p、q、r、t、u、v:0−4の整数)上述したよう
に、高感度の積層型有機電子写真感光体は、くり返し使
用によって、帯電の立上りの遅れを生じ、その結果、帯
電性の低下をまねくが5本発明者らは、積層型有機電子
写真感光体の電荷発生層に特定の電子受容性化合物を含
有させることによって、くり返し使用後の帯電4位の立
上りの遅れのない電子写真感光体が得られることを見い
出し1本発明を完成するに到った。
〜4の整数 Ar:置換もしくは非置換の芳香環 p、q、r、t、u、v:0−4の整数)上述したよう
に、高感度の積層型有機電子写真感光体は、くり返し使
用によって、帯電の立上りの遅れを生じ、その結果、帯
電性の低下をまねくが5本発明者らは、積層型有機電子
写真感光体の電荷発生層に特定の電子受容性化合物を含
有させることによって、くり返し使用後の帯電4位の立
上りの遅れのない電子写真感光体が得られることを見い
出し1本発明を完成するに到った。
以下、図面に沿って、本発明を説明する。
第1図は1本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、感電性支持体11上に電荷発生層21、次い
で電荷輸送層22よりなる感光層】5を設けたものであ
る。
図であり、感電性支持体11上に電荷発生層21、次い
で電荷輸送層22よりなる感光層】5を設けたものであ
る。
第2図は、本発明の別の構成例を示す断面図であり、導
電性支持体11上に先ず電荷輸送層22、次いで電荷発
生M21よりなる感光層15を設けたものである。
電性支持体11上に先ず電荷輸送層22、次いで電荷発
生M21よりなる感光層15を設けたものである。
第3図および第4図は、更に別の構成例を示す断面図で
あり、第3図は導電性支持体11と感光層15の間に下
引層13を設けたものであり、また第4図は感光層15
の上に保護M17を設けたものである。
あり、第3図は導電性支持体11と感光層15の間に下
引層13を設けたものであり、また第4図は感光層15
の上に保護M17を設けたものである。
導電性支持体11としては、体積抵抗1010Ω口以下
の導電性を示すもの1例えば、アルミニウム、ニッケル
、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸
化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板
およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き等
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理
した管等を使用することができる。
の導電性を示すもの1例えば、アルミニウム、ニッケル
、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸
化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板
およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き等
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理
した管等を使用することができる。
次に、電荷発生層21について説明する。
電荷発生N21は、電荷発生物質と一般式(1)で示さ
れる電子受容性化合物を主成分とする層で、必要に応じ
てバインダー樹脂を用いることもある。
れる電子受容性化合物を主成分とする層で、必要に応じ
てバインダー樹脂を用いることもある。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
一般式([)で示される電子受容性化合物には次に示す
化学hη造式のものが好ましく用いられる。
化学hη造式のものが好ましく用いられる。
凰h
NすZ
電荷発生物質としては、
公知の材料を用いるこ
とができるが、
とりわけ以下に示すジスアゾある
いはトリスアゾ顔料が好適に用いられる。
(ただしCPはカップラー残基、
以下同様)
(ただしAは、
−NH−1
−)、
−8−を表わす。
(ただしRは、水素原子、
置換又は非置換の
(ただしnは、
1〜5の間の整数を表わす。
アルキル基を表わす。
(ただしRは、水素原子、
アルキル基。
ハロ
ゲン原子を表わす。
これらのカップラー残基Cρとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水11基を有するアミノナフ
トール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基
を有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)など
が用いられ、好ましくは下記−取代(1)〜(11)で
表わされるものである。
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水11基を有するアミノナフ
トール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基
を有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)など
が用いられ、好ましくは下記−取代(1)〜(11)で
表わされるものである。
H」
−r
し−y
Oす11
〔上記式(1)、 (2) 、 (3)および(4)中
、X、Yl、Z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表
わす。
、X、Yl、Z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表
わす。
(R,およびR2は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす、
) Yl:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基。
ルキル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす、
) Yl:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基。
カルボキシ基、スルホン基、置換もしくは無置換のスル
ファモイル基または −CON−Y。
ファモイル基または −CON−Y。
(R4は水素、アルキル基またその置換体、)工二ル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基またR5は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体あるいはスチリル
基またはその置換体、R6は水素、アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体を表わすか、あるいはR6及びR
6はそれらに結合する炭素原子と共に環を形成してもよ
い。)を示す。) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その1α換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕r1 〔式中、R,lはアルキル基、カルバモイル基、カルボ
キシ基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素
環基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである
。〕 〔上記式(8)および(9)中、R9は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式(1,
)、 (2) 、 (3)または(4)の2の炭化水素
環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、
また複素環(置換を持っていてもよい)としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。2の環における置換基としては
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基またR5は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体あるいはスチリル
基またはその置換体、R6は水素、アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体を表わすか、あるいはR6及びR
6はそれらに結合する炭素原子と共に環を形成してもよ
い。)を示す。) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その1α換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕r1 〔式中、R,lはアルキル基、カルバモイル基、カルボ
キシ基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素
環基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである
。〕 〔上記式(8)および(9)中、R9は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式(1,
)、 (2) 、 (3)または(4)の2の炭化水素
環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、
また複素環(置換を持っていてもよい)としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。2の環における置換基としては
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
Y2またはR9における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基。
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基。
チエニル基、フリル基、インドリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示で
き、さらに、R6およびR6が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。
基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示で
き、さらに、R6およびR6が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。
Y2またはR7の炭化水素環75または複素環基あるい
はRSおよびR6によって形成される環における置換基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチ
ル基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−5o、 Na
などのスルホン酸塩基などが挙げられる。
はRSおよびR6によって形成される環における置換基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチ
ル基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボ
キシル基またはそのエステル、水酸基、−5o、 Na
などのスルホン酸塩基などが挙げられる。
R1のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R7またはR3における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
R1またはR9の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
Ar、またはAr、における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基。
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基。
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、シアノ基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルア
ミノ基などが例示できる。
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルア
ミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい、また、この中
でも一般式(10)(YlおよびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、V、およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい、また、この中
でも一般式(10)(YlおよびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、V、およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残への中でも一般
式(12)または(13) ゛・2・′ R5 ′Z°′ (z 、R2、RSおよびRGは前記に同じであり、ま
たR1゜とじては上記のY2の置換基が例示できる。)
で表わされる。
式(12)または(13) ゛・2・′ R5 ′Z°′ (z 、R2、RSおよびRGは前記に同じであり、ま
たR1゜とじては上記のY2の置換基が例示できる。)
で表わされる。
以上に示した電子受容性化合物および電荷発生物質は各
々単独であるいは2種以上併用して用いられる。
々単独であるいは2種以上併用して用いられる。
前記一般式(I)で示される電子受容性化合物は電荷発
生物質1重量部に対して0.01〜100重量部用いる
のが適用であり、好ましくは0.1−10重量部である
。
生物質1重量部に対して0.01〜100重量部用いる
のが適用であり、好ましくは0.1−10重量部である
。
バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対して
0〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0
〜50重量部である。
0〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0
〜50重量部である。
電荷発生層は、(I)式で示される電子受容性化合物と
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テ
トラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジ
クロルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライタ
ー、サンドミルなどにより分散し5分散液を適度に希釈
して塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工
法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行な
うことができる。
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テ
トラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジ
クロルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライタ
ー、サンドミルなどにより分散し5分散液を適度に希釈
して塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工
法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行な
うことができる。
電荷発生層の膜厚は、0.01〜5声程度であり、好ま
しくは0.1〜2μmである。
しくは0.1〜2μmである。
′1α荷輸送層22は、電荷輸送物質およびバインダー
樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾
燥することにより形成できる。
樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾
燥することにより形成できる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
る。
電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜8
−トリニドロチオキサントン、2,6,1ll−トリニ
トロ−411−インデノ(1、2−b)チオフェン−4
−オン、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエノン
ー5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜8
−トリニドロチオキサントン、2,6,1ll−トリニ
トロ−411−インデノ(1、2−b)チオフェン−4
−オン、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエノン
ー5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。
正孔輸送物質としては、以下の一般式で表わされる電子
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
(式中、R1,R,、R,およびR4は水素原子、置換
もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar1は置換又
は無71換のアリール基を表わし、 Ar1とR□は共
用で環を形成してもよく、またnは0又は1の整数であ
る。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C1−C4のヒドロキシアルキル
基、01〜04のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキルJ!を表わし、またR2とR3は共
同で窒素を含む複素環を形成してもよく、l114.R
,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わす。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nは0〜4の整数を表わし、R
,、R3は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表
わす。) K? (式中、R1,R,は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nは0又
は1を表わす。)(式中、Rはカルバゾリル基、ピリジ
ル基、チエニル基、インドリル基又はフリル基、あるい
はそれぞれ置換または非置換のフェニル基、スチリル基
、ナフチル基又はアントリル基(但し前記置換基はジ低
級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基
からなる群から選ばれる)を表わす。) (式中、R□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表すし、R,、R1,R,は水素原子、
置換又は無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置
換のベンジル基を表わし、R41R5は水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又
はジ低級アルキルアミノ基を表わす。) +13 (式中、R工+R21R3は同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フ
ェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わす
、) (式中、RoIRZ IR3tR41RGは水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置
換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジル
アミノ基を表わし、R7は低級アルキル基又はベンジル
基を表わす。) Ar−CII=N−1;J@ (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。)町 (式中、R工は低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) Ro (式中、R□は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし。
もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar1は置換又
は無71換のアリール基を表わし、 Ar1とR□は共
用で環を形成してもよく、またnは0又は1の整数であ
る。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C1−C4のヒドロキシアルキル
基、01〜04のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキルJ!を表わし、またR2とR3は共
同で窒素を含む複素環を形成してもよく、l114.R
,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わす。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nは0〜4の整数を表わし、R
,、R3は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表
わす。) K? (式中、R1,R,は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nは0又
は1を表わす。)(式中、Rはカルバゾリル基、ピリジ
ル基、チエニル基、インドリル基又はフリル基、あるい
はそれぞれ置換または非置換のフェニル基、スチリル基
、ナフチル基又はアントリル基(但し前記置換基はジ低
級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基
からなる群から選ばれる)を表わす。) (式中、R□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表すし、R,、R1,R,は水素原子、
置換又は無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置
換のベンジル基を表わし、R41R5は水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又
はジ低級アルキルアミノ基を表わす。) +13 (式中、R工+R21R3は同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フ
ェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わす
、) (式中、RoIRZ IR3tR41RGは水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置
換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジル
アミノ基を表わし、R7は低級アルキル基又はベンジル
基を表わす。) Ar−CII=N−1;J@ (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。)町 (式中、R工は低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) Ro (式中、R□は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし。
R2は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R8は低級
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の
芳香環残基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、ア
ントラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(m素
環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)
を表わす。) (式中、R工は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす。) バ2 (式中、 R1,R2は同一でも異なっていてもよく、
水素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基
、クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のア
シル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、
あるいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の
芳香環残基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、ア
ントラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(m素
環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)
を表わす。) (式中、R工は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす。) バ2 (式中、 R1,R2は同一でも異なっていてもよく、
水素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基
、クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のア
シル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、
あるいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トル
エン、モノクロルベンゼン、ジグロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
エン、モノクロルベンゼン、ジグロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
電荷輸送層22の厚さは5〜]、00μm程度が適当で
ある。また、本発明において電荷輸送層22中に可塑剤
やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジ
ブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹
脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用で
き、その使用量は、バインダー樹脂に対し2てO〜30
重量%程度が適当である。
ある。また、本発明において電荷輸送層22中に可塑剤
やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジ
ブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹
脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用で
き、その使用量は、バインダー樹脂に対し2てO〜30
重量%程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メ
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0〜1重量2程度が適当である。
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0〜1重量2程度が適当である。
支持体11と感光層15との間に設けられる下引層13
は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性を向
上する目的で設けられ、その材料としては5jO1AQ
203、シランカップリングj¥lJ、チタンカップリ
ング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミ
ド樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等の
接着性の良いバインダー樹脂などが使用される。その他
、前記接着性の良い樹脂にZnO,TiO,、ZnS等
を分散したものも使用できる。下引層の形成法としては
無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が
、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用され
る。
は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性を向
上する目的で設けられ、その材料としては5jO1AQ
203、シランカップリングj¥lJ、チタンカップリ
ング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミ
ド樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等の
接着性の良いバインダー樹脂などが使用される。その他
、前記接着性の良い樹脂にZnO,TiO,、ZnS等
を分散したものも使用できる。下引層の形成法としては
無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が
、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用され
る。
なお下引層の厚さは5μs以下が適当である。
保護層17は感光体の表面保護の目的で設けられ。
これに使用される材料としてABS樹脂、AC5樹脂、
オレフィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエー
テル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、
ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポ
リアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、
ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレ
ン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチ
レン、AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリ
ウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキ
シ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩
耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのよ
うな弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化
チタン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散
したもの等を添加することができる。保護層の形成法と
しては通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは
0.5〜10pm程度が適当である。
オレフィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエー
テル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、
ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポ
リアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、
ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレ
ン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチ
レン、AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリ
ウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキ
シ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩
耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのよ
うな弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化
チタン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散
したもの等を添加することができる。保護層の形成法と
しては通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは
0.5〜10pm程度が適当である。
更に本発明では感光層15と保護層17との間に別の中
間層(図示せず)を設けることも可能である。
間層(図示せず)を設けることも可能である。
次に、実施例によって、本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
実施例1
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2声厚の電荷発
生層および22μl厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2声厚の電荷発
生層および22μl厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 4部シクロへ
キサノン 300部2−ブタノン
100部〔電荷輸送Jn
塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部部下記構
造式の電子受容性物質 1部 テトラヒドロフラン 75部実施例
2 実施例■と同じ支持体上に、下記組成の下引J〜塗工液
、電荷発生M塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布・乾燥して各々0.3μmの下引層、0.24の電荷
発生層および2o趨の電荷輸送層を成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
キサノン 300部2−ブタノン
100部〔電荷輸送Jn
塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部部下記構
造式の電子受容性物質 1部 テトラヒドロフラン 75部実施例
2 実施例■と同じ支持体上に、下記組成の下引J〜塗工液
、電荷発生M塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布・乾燥して各々0.3μmの下引層、0.24の電荷
発生層および2o趨の電荷輸送層を成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
水
150部
メタノール
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の電子受容性物質
NIJ。
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の電子受容性物質
シクロヘキサノン
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
(ユニチカ曲製U−100)
200部
5部
2部
150部
50部
9部
テトラヒドロフラン 70部実施例
3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して、
各々2.clmの下引層、0.3μIの電荷発生層およ
び18癖の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して、
各々2.clmの下引層、0.3μIの電荷発生層およ
び18癖の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
二酸化チタン 10部ポリエ
ステル 1部(東洋紡績■
バイロン200) トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 3部 1部 テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0,2μmの電荷発生層および17μlの電荷輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ステル 1部(東洋紡績■
バイロン200) トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 3部 1部 テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0,2μmの電荷発生層および17μlの電荷輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 5部100部
50部
下記構造式の電子受容性物質
2部
11部
10部
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
300部
下記構造式の電荷輸送物質
9部
塩化メチレン 81部実施例
5 厚さ0.1nnの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および
保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.3部mの
下引層、0.27mの電荷発生層および18μsの電荷
輸送層および3Isの保護層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
5 厚さ0.1nnの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および
保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.3部mの
下引層、0.27mの電荷発生層および18μsの電荷
輸送層および3Isの保護層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
ポリビニルアルコール 2部(電気
化学工業■製デンカポバールH−20)水
100部メタ
ノール 100部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部下記構造
式の電子受容性物質 勲 ポリサルホン(日産化学■製 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 しn3 P−1700) ポリカーボネート (帝人化学■製パンライトに−1300)200部 100部 10部 10部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 90部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 酸化錫 80部トル
エン 170部2−ブタ
ノン 100部実施例6 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷輸送層塗工液および電荷発生層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々2−の下引層、22癖の電荷輸送層およ
び0.4岬の電荷発生層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
化学工業■製デンカポバールH−20)水
100部メタ
ノール 100部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部下記構造
式の電子受容性物質 勲 ポリサルホン(日産化学■製 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 しn3 P−1700) ポリカーボネート (帝人化学■製パンライトに−1300)200部 100部 10部 10部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 90部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 酸化錫 80部トル
エン 170部2−ブタ
ノン 100部実施例6 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷輸送層塗工液および電荷発生層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々2−の下引層、22癖の電荷輸送層およ
び0.4岬の電荷発生層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
二酸化チタン 1部塩化メ
チレン 1.2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の′電荷発生物質 下記構造式の電子受容性物質 50部 30部 10部 2−ブタノン 酢酸エチル 15部 5部 (東洋紡績曲製バイロンZLIυ) トルイレン−2,4−ジイソシアネート 1部テ
トラヒドロフラン 900部4−メ
チル−2−ペンタノン 100部実施例
7 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗工
液、電荷発生層塗工液、中間層塗工液および保護層塗工
液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷輸送層
、0.2.の電荷発生層、0.2癖の中間層および5μ
lの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成し
た。
チレン 1.2−ジクロロエタン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の′電荷発生物質 下記構造式の電子受容性物質 50部 30部 10部 2−ブタノン 酢酸エチル 15部 5部 (東洋紡績曲製バイロンZLIυ) トルイレン−2,4−ジイソシアネート 1部テ
トラヒドロフラン 900部4−メ
チル−2−ペンタノン 100部実施例
7 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の電荷輸送層塗工
液、電荷発生層塗工液、中間層塗工液および保護層塗工
液を順次、塗布・乾燥して、各々20μmの電荷輸送層
、0.2.の電荷発生層、0.2癖の中間層および5μ
lの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成し
た。
下記構造式の電荷輸送物質 9部下記構造
式の電子受容性物質 1部 シクロヘキサノン 200部 4−メチル−2−ペンタノン 50部 〔中間層塗工液〕 メタノール 70部 n−ブタノール 〔保護層塗工液〕 40部 塩化メチレン 10部〔電荷
発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部導電性酸
化チタン 90部 トルエン 220部n−
ブタノール 60部実施例
8 厚さ0.2+rnのニクロム板上に、下記組成の電荷輸
送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工液を順
次、塗布乾燥して各々19praの電荷輸送層、0.3
μmの電荷発生層および2μmの保護層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
式の電子受容性物質 1部 シクロヘキサノン 200部 4−メチル−2−ペンタノン 50部 〔中間層塗工液〕 メタノール 70部 n−ブタノール 〔保護層塗工液〕 40部 塩化メチレン 10部〔電荷
発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部導電性酸
化チタン 90部 トルエン 220部n−
ブタノール 60部実施例
8 厚さ0.2+rnのニクロム板上に、下記組成の電荷輸
送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層塗工液を順
次、塗布乾燥して各々19praの電荷輸送層、0.3
μmの電荷発生層および2μmの保護層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷輸送物質 1部部下記構
造式の電子受容性物質 4部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保護層塗工液〕 1部 1000部 500部 テトラヒドロフラン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 82部 20部 酸化錫 90部1−
ルエン 250部2−ブ
タノン 70部比較例1
〜8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他はす
べて実施例1〜8と同様にして感光体を形成し、比較例
1〜8の感光体とした。
造式の電子受容性物質 4部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔保護層塗工液〕 1部 1000部 500部 テトラヒドロフラン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 82部 20部 酸化錫 90部1−
ルエン 250部2−ブ
タノン 70部比較例1
〜8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に電子受容性物質を含有させない他はす
べて実施例1〜8と同様にして感光体を形成し、比較例
1〜8の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)を用いて次のように評価し
た。
機製作新製5P−428型)を用いて次のように評価し
た。
まず、−6,2KV(もしくは、+5.8にV)(7)
放電々圧にて、コロナ帯電を20秒間行ない、次いで1
0秒間暗減衰させ、その後、8Quxのタングステン光
を照射した。
放電々圧にて、コロナ帯電を20秒間行ない、次いで1
0秒間暗減衰させ、その後、8Quxのタングステン光
を照射した。
この時の帯電開始後1秒と20秒の表面電位■□(V)
。
。
v2゜(V)および暗減衰10秒後の表面電位V□。(
V)を測定し、また5VffDを半分の電位に光減衰さ
せるのに必要な露光量El/2(12ux−sac)を
測定した。なお。
V)を測定し、また5VffDを半分の電位に光減衰さ
せるのに必要な露光量El/2(12ux−sac)を
測定した。なお。
暗減衰率(D、D)は、次式で定義される。
D 、 D”V3 。/ V2 。
更に、上記条件の帯電と露光を同時に90分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
表−1
〔発明の効果〕
本発明の高感度を有する積層型有機電子写真感光体は、
くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止するこ
とが可能となる。
くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止するこ
とが可能となる。
したがって1本発明によれば、複写機、プリンター等の
画像濃度低下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
画像濃度低下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
第1図〜第4図は各々本発明に係る電子写真感光体の模
式断面図である。 第1図 第3図
式断面図である。 第1図 第3図
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸
送層を有する積層型有機電子写真感光体において、該電
荷発生層中に下記一般式( I )で示される電子受容性
化合物を含有してなることを特徴とする電子写真感光体
。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中の各記号は以下のものを示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ R:アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン m,n:0〜4の整数 Ar:置換もしくは非置換の芳香環 p、q、r、t、u、v:0〜4の整数)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29123888A JPH02136860A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29123888A JPH02136860A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02136860A true JPH02136860A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17766266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29123888A Pending JPH02136860A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02136860A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0466094A2 (en) * | 1990-07-10 | 1992-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
JPH1048858A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Canon Inc | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
US7129012B2 (en) | 2003-12-26 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7396622B2 (en) | 2005-06-23 | 2008-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP29123888A patent/JPH02136860A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0466094A2 (en) * | 1990-07-10 | 1992-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
EP0757292A1 (en) * | 1990-07-10 | 1997-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
JPH1048858A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Canon Inc | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
US7129012B2 (en) | 2003-12-26 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7396622B2 (en) | 2005-06-23 | 2008-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7592113B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7745083B2 (en) | 2005-06-23 | 2010-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
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