JPH07120946A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰返し後
においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用感
光体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電
荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体において、
電荷発生層中に下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含
有させたことを特徴とする。 一般式（Ｉ） 例えば

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体に関
し、複写機、レーザープリンター、レーザーファクシミ
リ等に好適に利用される。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真複写機に使用される感光
体として、低価格、生産性及び無公害等の利点を有する
有機系の感光材料を用いたものが普及しはじめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ
（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。この様な機能
分離型の高感度感光体を、カールソンプロセスに適用し
た場合、帯電性が低く、電荷保持性が悪い（暗減衰が大
きい）上、繰返し使用による、これら特性の劣化が大き
く、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の場
合、地汚れを生じるという欠点を有している。

【０００３】また一般に高感度感光体は、前露光疲労に
よって帯電性が低下する。この前露光疲労は主に電荷発
生材料が吸収する光によって起こることから、光吸収に
よって発生した電荷が移動可能な状態で感光体内に残留
している時間が長い程、またその電荷の数が多いほど、
前露光疲労による帯電性の低下が著しくなると考えられ
る。即ち、光吸収によって発生した電荷が残留している
状態で帯電操作をしても、残留しているキャリアの移動
で表面電荷が中和されるため、残留電荷が消費されるま
で表面電位の上昇が遅れることになり、見かけ上の帯電
位は低くなる。上述の欠点に対して、例えば特開昭４７
−６３４１、４８−３５４４および４８−１２０３４号
には硝酸セルロース系樹脂中間層が、特開昭４８−４７
３４４、５２−２５６３８、５８−３０７５７、５８−
６３９４５、５８−９５３５１、５８−９８７３９およ
び６０−６６２５８号にはナイロン系樹脂中間層が、特
開昭４９−６９３３２および５２−１０１３８号にはマ
レイン酸系樹脂中間層が、そして特開昭５８−１０５１
５５号にはポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ
開示されている。また、中間層の電気抵抗を制御すべく
種々の導電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案
されている。例えば、特開昭５１−６５９４２号にはカ
ーボンまたはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した
中間層が、特開昭５２−８２２３８号には四級アンモニ
ウム塩を添加してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重
合体中間層が、特開昭５５−１１８０４５１号には抵抗
調節剤を添加した樹脂中間層が、特開昭５８−５８５５
６号にはアルミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹
脂中間層が、特開昭５８−９３０６２号には有機金属化
合物を添加した樹脂中間層が、特開昭５８−９３０６
３、６０−９７３６３および６０−１１１２５５号には
導電性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭５９
−８４２５７、５９−９３４５３および６０−３２０５
４号にはＴｉＯ₂とＳｎＯ₂粉体とを分散した樹脂中間層
が開示されている。

【０００４】しかしながら、繰返し使用による帯電性の
低下、とりわけ帯電電位の立上りの遅れに関しては未だ
に不充分であり、より一層の改善が望まれていた。ま
た、特開昭５４−８５２８号公報には、電子供与性物質
及び／又は電子受容性物質で被覆した電荷発生物質を樹
脂中に分散した層を有する感光体が、特開昭５４−３４
２４０号公報、特開昭６３−２８１１６７号公報には、
電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた積層型感光体が
開示されているが、これらはいずれも帯電電位の立ち上
りの遅れ（電位低下）に関してほとんど効果は現われな
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は高感度である
とともに前露光疲労による帯電性の低下が著しく小さ
く、しかも帯電と露光の繰返し後においても帯電電位の
立上りの遅れのない電子写真用感光体を提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、電荷発生層中に特定の化合物を含有させること
により前記目的が達成されることを見出し、本発明に至
った。即ち、本発明は、導電性支持体上に少なくとも電
荷発生層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光
体において、該電荷発生層中に下記一般式（Ｉ）で示さ
れる化合物とを含有してなる電子写真感光体である。

【０００７】

【化３】

【０００８】（式中ｍは０又は１の整数であり、ｍ＝１
のときＸは酸素原子、硫黄原子、

【０００９】

【化４】

【００１０】−ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂−または−ＣＨ
＝ＣＨ−を表わし、Ｒ¹およびＲ²はアルキル基、アラル
キル基、炭素環式芳香族基または複素環基を表わす。ま
たＲ³及びＲ⁴は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表わす。Ａｒは炭素環式芳香族基ま
たは複素環基を表わす。ｎは０又は１の整数である。Ｒ
³はＸと共同でベンゼン環を形成してもよい。）以下、
図面に沿って本発明を説明する。図１は本発明の電子写
真感光体の構成例を示す断面図であり、導電性支持体１
１上に電荷発生層１５、次いで電荷輸送層１７を設けた
構成をとっている。図２は本発明の別の構成例を示す断
面図であり、導電性支持体１１と電荷発生層１５の間に
下引層１３を設けたものである。図３と図４は更に別の
構成例を示す断面図であり、図３は電荷輸送層１７の上
に保護層１９を設けたものであり、図４は下引層と保護
層を同時に設けたものである。

【００１１】導電性支持体１１としては、体積抵抗１０
¹⁰Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金な
どの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物
を、蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状もしく
は円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、あるい
はアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステン
レス等の板及びそれらをＤ．Ｉ．，Ｉ．Ｉ．，押出し、
引抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で
表面処理した管等を使用することができる。電荷発生層
１５は電荷発生物質と一般式（Ｉ）で示される化合物を
主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用い
ることもある。バインダー樹脂として、ポリアミド、ポ
リウレタン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケト
ン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。一般
式（Ｉ）で示される化合物としては、表１に示す化学構
造式のものが好ましく用いられる。

【００１２】〔表１〕

【００１３】

【化５】

【００１４】

【化６】

【００１５】

【化７】

【００１６】

【化８】

【００１７】

【化９】

【００１８】

【化１０】

【００１９】

【化１１】

【００２０】

【化１２】

【００２１】

【化１３】

【００２２】

【化１４】

【００２３】

【化１５】

【００２４】

【化１６】

【００２５】

【化１７】

【００２６】電荷発生物質としては、公知の材料を用い
ることができるが、とりわけ以下に示すジスアゾあるい
はトリスアゾ顔料が好適に用いられる。 一般式（ａ）：

【００２７】

【化１８】

【００２８】（但しＣ_pはカップラー残基、以下同様）
その具体例ａ₁〜ａ₁₈を表２に示す。

【００２９】

【表２】

【００３０】

【表３】

【００３１】

【化１９】

【００３２】

【化２０】

【００３３】その具体例ｈ₁〜ｈ₄を表４に示す。

【００３４】

【表４】

【００３５】

【化２１】

【００３６】その具体例ｊ₁〜ｊ₄を表５に示す。

【００３７】

【表５】

【００３８】

【化２２】

【００３９】その具体例ｌ₁〜ｌ₃を表６に示す。

【００４０】

【表６】

【００４１】

【化２３】

【００４２】その具体例ｍ₁〜ｍ₃₀を表７，表８に示
す。

【００４３】

【表７】

【００４４】

【表８】

【００４５】

【化２４】

【００４６】

【化２５】

【００４７】また以上の一般式（ａ）〜（ｖ）における
カップラー残基Ｃ_pとしては、例えばフェノール類、ナ
フトール類などのフェノール性水酸基を有する化合物、
アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるいはアミノ基
とフェノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂
肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を有する化合
物（活性メチレン基を有する化合物）などが用いられ、
好ましくは下記一般式（１）〜（１１）で表わされるも
のである。

【００４８】

【化２６】

【００４９】｛上記式（１），（２），（３）および
（４）中、Ｘ，Ｙ₁，Ｚ，ｍおよびｎはそれぞれ以下の
ものを表わす。

【００５０】

【化２７】

【００５１】（Ｒ₁およびＲ₂は水素または置換もしくは
無置換のアルキル基を表わし、Ｒ₃は置換もしくは無置
換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基
を表わす。） Ｙ₁：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル
基または

【００５２】

【化２８】

【００５３】〔Ｒ₄は水素、アルキル基またはその置換
体、フェニル基またはその置換体を表わし、Ｙ₂は炭化
水素環基またはその置換体、複素環基またはその置換
体、あるいは

【００５４】

【化２９】

【００５５】（但し、Ｒ₅は炭化水素環基またはその置
換体、複素環基またはその置換体あるいはスチリル基ま
たはその置換体、Ｒ₆は水素、アルキル基、フェニル基
またはその置換体を表わすか、あるいはＲ₅及びＲ₆はそ
れらに結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。）
を示す。〕 Ｚ：炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 ｎ：１または２の整数 ｍ：１または２の整数｝

【００５６】

【化３０】

【００５７】〔式（５）中、Ｒ₇は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Ｘは前記に同じである。〕

【００５８】

【化３１】

【００５９】〔式（６）中、Ａは芳香族炭化水素の２価
基または窒素原子を環内に含む複素環の２価基を表わす
（これらの環は置換または無置換でもよい）。Ｘは前記
に同じ〕

【００６０】

【化３２】

【００６１】〔式中、Ｒ₈はアルキル基、カルバモイル
基、カルボキシル基またはそのエステルを表わし、Ａｒ
₁は炭化水素環基またはその置換体を表わし、Ｘは前記
と同じである。〕

【００６２】

【化３３】

【００６３】〔上記式（８）および（９）中、Ｒ₉は水
素または置換もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ａ
ｒ₂は炭化水素環基またはその置換体を表わす。〕前記
一般式（１），（２），（３）または（４）Ｚの炭化水
素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示で
き、また複素環（置換基を持っていてもよい）としては
インドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベン
ゾフラン環などが例示できる。Ｚの環における置換基と
しては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示で
きる。Ｙ₂またはＲ₅における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基など
が、また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、
フリル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらにＲ
₅およびＲ₆が結合して形成する環としては、フルオレン
環などが例示できる。Ｙ₂またはＲ₅の炭化水素環基また
は複素環基あるいはＲ₅およびＲ₆によって形成される環
における置換基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基、ト
リフルオロメチル基などのハロメチル基、ニトロ基、シ
アノ基、カルボキシル基またはそのエステル、水酸基、
−ＳＯ₃Ｎａなどのスルホン酸塩基などが挙げられる。

【００６４】Ｒ₄のフェニル基の置換体としては塩素原
子または臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。Ｒ
₇またはＲ₉における炭化水素基の代表例としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置換体
が例示できる。Ｒ₇またはＲ₉の炭化水素基における置換
基としては、メチル基、エチル基、プロヒル基、ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭
素原子などのハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例
示できる。

【００６５】Ａｒ₁またはＡｒ₂における炭化水素環基と
しては、フェニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基などのジアルキルアミノ基などが例示で
きる。また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。上記
スップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
（２），（５），（６），（７），（８）および（９）
で示されるものであり、この中でも一般式におけるＸが
水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般式（１
０）

【００６６】

【化３４】

【００６７】（Ｙ₁およびＺは前記に同じ）で表わされ
るカップラー残基が好ましく、さらに好ましくは一般式

【００６８】

【化３５】

【００６９】（Ｚ，Ｙ₂およびＲ₂は前記に同じ）で表わ
されるカップラー残基である。さらにまた、上記好まし
いカップラー残基の中でも一般式（１２）または（１
３）

【００７０】

【化３６】

【００７１】（Ｚ，Ｒ₂，Ｒ₅およびＲ₆は前記に同じで
あり、またＲ₁₀としては上記のＹの置換基が例示でき
る。）で表わされるものが適当である。以上に示した一
般式（Ｉ）の化合物及び電荷発生物質は各々単独である
いは２種以上併用して用いられる。

【００７２】一般式（Ｉ）の化合物は電荷発生物質１重
量部に対して０．０１重量部以上用いるのが適当であ
り、好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは
０．１重量部以上である。バインダー樹脂は使用しなく
てもかまわないが、使用した方が本発明の効果を更に高
めることができる。その際のバインダー樹脂の使用量は
電荷発生物質１重量部に対して０．０２〜３重量部が好
ましく、更に好ましくは０．２〜２重量部である。電荷
発生層は一般式（Ｉ）の化合物及び電荷発生物質を必要
ならばバインダー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、
シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶
媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミルなど
により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することに
より形成できる。塗布は浸漬塗工法やスプレーコート、
ビードコート法などを用いて行うことができる。電荷発
生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好
ましくは０．１〜２μｍである。電荷輸送層１５は電荷
輸送物質およびバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ない
し分散し、これを塗布、乾燥することにより形成でき
る。電荷輸送物質には正孔輸送物質と電子輸送物質とが
ある。

【００７３】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノンジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フル
オレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−
トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン
−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェ
ノン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙
げられる。正孔輸送物質としては以下の一般式で表わさ
れる電子供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。

【００７４】

【化３７】

【００７５】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃およびＲ₄は水素原
子、置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基を表わし、Ａｒ₁は置換又は無置
換のアリール基を表わし、Ａｒ₂は置換又は無置換のア
リーレン基を表わし、Ａｒ₁とＲ₁は共同で環を形成して
もよく、またｎは０または１の整数である。）

【００７６】

【化３８】

【００７７】（但しＲ₁は低級アルキル基、低級アルコ
キシ基又はハロゲン原子を表わし、ｎは０〜４の整数を
表わし、Ｒ₂，Ｒ₃は同一でも異なっていてもよく、水素
原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン
原子を表わす。）

【００７８】

【化３９】

【００７９】（式中、Ｒ₁は炭素数１〜１１のアルキル
基、置換又は非置換のフェニル基あるいは複素環残基を
表わし、Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、低級アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₄のヒドロキシ
アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₄のクロルアルキル基、あるいは置
換又は非置換のアラルキル基を表わし、またＲ₂とＲ₃は
共同で窒素を含む複素環を形成してもよく、Ｒ₄，Ｒ₅は
それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す。）

【００８０】

【化４０】

【００８１】〔式中、Ｒ₁は水素原子又はハロゲン原子
を表わし、Ｒ₂は置換または非置換の芳香族残基あるい
は複素環残基（但し前記置換基はハロゲン、シアノ、ジ
低級アルキルアミノ、置換又は非置換のジアラルキルア
ミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びニトロ
基よりなる群から選ばれる）を表わす。〕

【００８２】

【化４１】

【００８３】（式中、Ｒ₁，Ｒ₃は水素原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミ
ノ基を表わし、Ｒ₂は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わ
し、ｎは０又は１を表わす。）

【００８４】

【化４２】

【００８５】〔式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル
基、チエニル基、インドリル基又はフリル基、あるいは
それぞれ置換または非置換のフェニル基、スチリル基、
ナフチル基又はアントリル基（但し前記置換基はジ低級
アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基
からなる群から選ばれる）を表わす。〕

【００８６】

【化４３】

【００８７】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃は同一でも異なっ
ていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、フェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原
子を表わす。）

【００８８】

【化４４】

【００８９】〔式中、Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、低級アルキル基を表わし、Ａｒは

【００９０】

【化４５】

【００９１】（但し、Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₆は水素原子、置換
又は無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換の
ベンジル基を表わし、Ｒ₄，Ｒ₅は水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低
級アルキルアミノ基を表わす）を表わす。〕

【００９２】

【化４６】

【００９３】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₆は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、置換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベ
ンジルアミノ基を表わし、Ｒ₅は低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。）

【００９４】

【化４７】

【００９５】（式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセ
ン環、スチリル基及びそれらの置換体、あるいはピリジ
ン環、フラン環、チオフェン環を表わし、Ｒは低級アル
キル基又はベンジル基を表わす。）

【００９６】

【化４８】

【００９７】（式中、Ｒ₁は低級アルキル基、２−ヒド
ロキシエチル基又は２−クロロエチル基を表わし、Ｒ₂
は低級アルキル基、ベンジル基又はフェニル基を表わ
し、Ｒ₃は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ
基を表わす。）

【００９８】

【化４９】

【００９９】〔式中、Ｒ₁は水素原子、低級アルキル
基、クロルエチル基又はヒドロキシエチル基を表わし、
Ｒ₂は水素原子又はハロゲン原子を表わし、Ｒ₃は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基（芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アン
トラセン環等）、置換又は無置換の複素環残基（複素環
はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等）を
表わす。〕

【０１００】

【化５０】

【０１０１】〔式中、Ｒ₁は低級アルキル基を表わし、
Ｒ₂は低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジア
リールアミノ基、置換又は無置換のスチリル基、置換又
は無置換の芳香環残基（芳香環はベンゼン環、ナフタレ
ン環、アントラセン環等）、置換又は無置換の複素環残
基（複素環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾー
ル環等）を表わす。〕

【０１０２】

【化５１】

【０１０３】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂は同一でも異なっていて
もよく、水素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級ア
ルキル基、クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数１
〜２のアシル基、アルキルの炭素数５〜６のシクロアル
キル基、あるいは置換又は非置換のアラルキル基を表わ
す。）

【０１０４】

【化５２】

【０１０５】（式中、Ｒ¹，Ｒ³及びＲ⁴は水素原子、ア
ミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオ
キシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のア
ルキル基、ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリ
ール基を、Ｒ²は水素原子、アルコキシ基、置換もしく
は無置換のアルキル基又はハロゲンを表わす。但し、Ｒ
¹，Ｒ²，Ｒ³およびＲ⁴がすべて水素原子である場合は除
く。また、ｋ，ｌ，ｍ及びｎは１，２，３又は４の整数
であり、各々が２，３又は４の整数の時は前記Ｒ¹，
Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は同一でも異なっていてもよい。） Ａ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ａｒ¹−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ａ 〔上式中、Ａｒ¹は置換もしくは無置換の芳香族炭化水
素基または複素環基を表わし、Ａは置換もしくは無置換
のＮ−置換カルバゾリル基または

【０１０６】

【化５３】

【０１０７】（ただし、Ａｒ²は置換もしくは無置換の
芳香族炭化水素基または複素環基であり、Ｒ¹及びＲ²は
置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは
無置換のアリール基である）を表わす〕

【０１０８】

【化５４】

【０１０９】（式中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、
ジアリールアミノ基、またはハロゲン原子を、Ｒ²及び
Ｒ³は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは
無置換のアリール基を、Ａｒは芳香族炭化水素基または
複素環基を、ｎは１または２の整数を表わす。）

【０１１０】

【化５５】

【０１１１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は水素原子、アミノ
基、置換もしくは無置換のジアルキルアミノ基、アルコ
キシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、置換も
しくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子、置換もしく
は無置換のアリール基を、Ｒ³及びＲ⁴は水素原子、アル
コキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲ
ン原子を表わす。Ａｒは、置換もしくは無置換の単環芳
香族炭化水素基、置換もしくは無置換の非縮合多環芳香
族炭化水素基又は置換もしくは無置換の複素環基を表わ
す。）

【０１１２】

【化５６】

【０１１３】〔上式中、ＡはＮ−置換カルバゾリル基又
は

【０１１４】

【化５７】

【０１１５】（ただし、Ａｒは芳香族炭化水素基または
複素環基であり、Ｒ¹及びＲ²は置換もしくは無置換のア
ルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基であ
る）、Ｒはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子の
いずれかでありｎは０〜４の整数であり、ｎ≧２ではＲ
は同種でも異種でもよい。〕

【０１１６】

【化５８】

【０１１７】〔式中、Ａは９−アントリル基、置換又は
無置換のＮ−置換カルバゾリル基、Ｎ−置換フェノチア
ジニル基又は

【０１１８】

【化５９】

【０１１９】（式中Ａｒは置換又は無置換のアリーレン
基を表わし、Ｒ¹及びＲ²は置換又は無置換のアルキル
基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の
アリール基を表わす）を表わし、Ｒは水素原子、置換又
は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基
又は置換又は無置換のアリール基を表わす。ｍは２〜８
の整数を表わす。ｎは０又は１の整数を表わす。〕

【０１２０】

【化６０】

【０１２１】〔式中、Ａは９−アントリル基、置換又は
無置換のＮ−置換カルバゾリル基、Ｎ−置換フェノチア
ジニル基又は

【０１２２】

【化６１】

【０１２３】（式中Ａｒは置換又は無置換のアリーレン
基を表わし、Ｒ¹及びＲ²は置換又は無置換のアルキル
基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の
アリール基を表わす）を表わし、Ｒは水素原子、置換又
は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基
又は置換又は無置換のアリール基を表わす。ｎは０〜８
の整数を表わす。〕

【０１２４】

【化６２】

【０１２５】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄及びＲ₅は水
素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子で
あり、これらは同一でも異なっていてもよい。）

【０１２６】

【化６３】

【０１２７】（式中、Ｒ₁及びＲ₂は置換もしくは無置換
のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｒ₁及びＲ₂のうち少なくとも１つは置換又は無置換
のアリール基を表わす。）

【０１２８】

【化６４】

【０１２９】（式中、Ｒ¹，Ｒ²は置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ｒ¹，Ｒ²が同一でも異なっていてもよい。Ｒ³，Ｒ⁴
は水素元素、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子
を表わし、又、ｍは１，２，３のｎは１，２，３，４の
整数であり、ｍ，ｎが各々複数の場合、Ｒ³，Ｒ⁴は同一
でも異なっていてもよい。）

【０１３０】

【化６５】

【０１３１】（式中ｍは０又は１の整数であり、ｍ＝１
のときＸは酸素原子、硫黄原子、

【０１３２】

【化６６】

【０１３３】−ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂−または−ＣＨ
＝ＣＨ−を表わし、Ｒ¹およびＲ²はアルキル基、アラル
キル基、炭素環式芳香族基または複素環基を表わす。ま
たＲ³及びＲ⁴は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表わす。Ａｒは炭素環式芳香族基ま
たは複素環基を表わす。ｎは０又は１の整数である。Ｒ
³はＸと共同でベンゼン環を形成してもよい。）

【０１３４】

【化６７】

【０１３５】（式中Ａｒは置換もしくは無置換のビフェ
ニレン基を表わし、Ｒ¹，Ｒ²及びＲ³は、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有してもよいアル
キル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルメ
ルカプト基、メチレンジオキシ基、メチレンジチオ基、
アリール基を表わし、Ｒ¹，Ｒ²及びＲ³はそれぞれ同一
でも異なっていてもよい。またｌ，ｍ，ｎは１〜５の整
数を表わし、各々が２〜５の整数の時は前記Ｒ¹，Ｒ²及
びＲ³は同一でも異なっていてもよい。）

【０１３６】

【化６８】

【０１３７】（式中、Ａｒはフェニレン基又はビフェニ
レン基を、Ｒ¹及びＲ²は置換もしくは無置換のアルキル
基又は置換もしくは無置換のアリール基を、ｎは１〜４
の整数を表わす。）

【０１３８】

【化６９】

【０１３９】（式中、Ａ¹，Ａ²は置換もしくは無置換の
アルキル基又は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ａｒは置換
又は無置換の縮合多環式炭化水素基を表わす。）

【０１４０】

【化７０】

【０１４１】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂は置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を、ｎは
１又は２の整数を表わす。Ｒ₃は水素原子、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール
基を、Ｒ₄及びＲ₆は水素原子、アミノ基、アルコキシ
基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、置換もしく
は無置換のアルキル基、ハロゲン原子を表わす。また、
ｍは１，２，３の整数を、ｌは１，２，３，４の整数を
表わし、Ｒ₄及びＲ₅はｍ，ｌが２以上の整数の時は同一
でも異なってもよい。）

【０１４２】

【化７１】

【０１４３】（式中、Ｒ₁は置換又は無置換のアルキル
基、置換又は無置換のアリール基を表わす。ｎは１，
２，３，４の整数を表わし、ｍは４−ｎの整数を表わ
す。ｍが２以上の場合Ｒ₁は同一でも異なってもよい。
Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、
チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキ
シ基、置換又は無置換のアルキル基、ハロゲン原子、置
換又は無置換のアリール基を表わす。またｈは１，２，
３，４の整数を、ｋ，ｌは１，２，３，４，５の整数を
表わし、ｈ，ｋ，ｌが２以上の場合Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄は同
一でも異なっていてもよい。）

【０１４４】

【化７２】

【０１４５】（式中、Ａ¹は置換もしくは無置換の芳香
族炭化水素基を、Ａ²は置換もしくは無置換のアルキル
基又はアリール基を、Ａ³は水素原子、置換もしくは無
置換のアルキル基又はアリール基を表わす。ｍ及びｎは
１もしくは２の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。但しｍ
又はｎが２のとき、Ａ¹，Ａ³もしくはＡ²はそれぞれ同
一でも異なっていてもよい。）

【０１４６】

【化７３】

【０１４７】（式中、Ｒ¹及びＲ²は、置換もしくは無置
換のアルキル基又はアリール基を表わし、各々同一でも
異なっていてもよい。ただし、１，６−ジアミノピレン
化合物を除く）

【０１４８】

【化７４】

【０１４９】（式中、Ｒ¹，Ｒ²は置換もしくは無置換の
アルキル基又は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
す。）これらの電荷輸送物質は、単独又は２種以上混合
して用いられる。バインダー樹脂としてはポリスチレ
ン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカー
ボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ア
クリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン
樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂
等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。溶剤と
してはテトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチレンなど
が用いられる。

【０１５０】電荷輸送層１７の厚さは５〜１００μｍ程
度が適当である。また、本発明において電荷輸送層１７
中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤と
しては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートな
ど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがその
まま使用でき、その使用量はバインダー樹脂に対して０
〜３０重量％が適当である。レベリング剤としては、ジ
メチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオ
イルなどのシリコーンオイル類が使用され、その使用量
はバインダー樹脂に対して、０〜１重量％が適当であ
る。支持体１１と電荷発生層１５との間に設けられる下
引層１３は本発明の効果を一層向上すると共に、接着性
を向上する目的で設けられ、その材料としてはＳｉＯ、
Ａｌ₂Ｏ₃、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹
脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルブチラール、ＰＶＡ等の接着
性のよいバインダー樹脂などが使用される。その他、前
記接着性のよい樹脂にＺｎＯ，ＴｉＯ₂，ＺｎＳ等を分
散したものも使用できる。下引層の形成法としては無機
材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が、ま
た有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用される。
なお下引層の厚さは５μｍ以下が適当である。

【０１５１】保護層１９は感光体の表面保護の目的で設
けられ、これに使用される材料としてはＡＢＳ樹脂、Ａ
ＣＳ樹脂、オレフィン〜ビニルモノマー共重合体、塩素
化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリア
セタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリ
レート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテル
スルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルペンデン、
ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホ
ン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共
重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層に
はその他、耐摩耗性を向上する目的でポリテトラフルオ
ロエチレンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこ
れら樹脂に酸化チタン、酸化錫、チタン酸カリウム等の
無機材料を分散したもの等を添加することができる。保
護層の形成法としては通常の塗布法が採用される。なお
保護層の厚さは０．５〜１０μｍ程度が適当である。更
に本発明では電荷輸送層１７と保護層１９との間に別の
中間層（図示せず）を設けることも可能である。

【０１５２】

〔電荷発生層塗工液〕

下記構造式の電荷発生物質 ２部

【０１５３】

【化７５】

【０１５４】 下記構造の一般式（Ｉ）の化合物 ０．１部

【０１５５】

【化７６】

【０１５６】 ポリビニルブチラール樹脂〔電気化学工業（株）製デンカブチ ラール＃４０００−１〕 ０．４部 シキロヘキサノン １００部 ２−ブタノン ３０部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 ９部

【０１５７】

【化７７】

【０１５８】 ポリカーボネート〔帝人化成（株）製パンライトＬ−１２５０〕 １０部 テトラヒドロフラン ８１部 実施例２ 実施例１と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液及び電荷輸送層塗工液を順次塗布、乾
燥して、各々０．３μｍの下引層、０．２μｍの電荷発
生層及び２０μｍの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。 〔下引層塗工液〕 水溶性ポリビニルブチラールの２５％水溶液〔積水化学工業（株） 製エスレックＷ−２０１〕 ５０部 水 １５０部 メタノール ２００部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 ２部

【０１５９】

【化７８】

【０１６０】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 １．８部

【０１６１】

【化７９】

【０１６２】 シクロヘキサノン ２００部 ２−ブタノン １４０部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 １０部

【０１６３】

【化８０】

【０１６４】 ポリカーボネート〔帝人化成（株）製パンライトＫ−１３００〕 １０部 テトラヒドロフラン ７５部 実施例３ ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液及び電荷輸送層塗工液を順次塗布、乾燥して、各々
２μｍの下引層、０．３μｍの電荷発生層及び１８μｍ
の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成
した。 〔下引層塗工液〕 二酸化チタン １０部 ポリエステル〔東洋紡績（株）製バイロン２００〕 １部 トルイレン−２，４−ジイソシアネート ０．２部 ２−ブタノン １００部 ４−メチル−２−ペンタノン ７０部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 ２部

【０１６５】

【化８１】

【０１６６】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 ２部

【０１６７】

【化８２】

【０１６８】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ製ＸＹＨＬ） ４部 シクロヘキサノン ３００部 テトラヒドロフラン １２０部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 ８部

【０１６９】

【化８３】

【０１７０】 ポリアリレート〔ユニチカ（株）製Ｕ−１００〕 １０部 テトラヒドロフラン ８２部 実施例４ 厚さ０．２ｍｍのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液を順次塗布、乾燥して、各々０．２μｍの
電荷発生層及び１７μｍの電荷輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 ３部

【０１７１】

【化８４】

【０１７２】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 １部

【０１７３】

【化８５】

【０１７４】 ポリエステル〔東洋紡機（株）製バイロン３００） ０．４部 テトラヒドロフラン ２００部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 １０部

【０１７５】

【化８６】

【０１７６】 ポリカーボネート〔ＧＥ社製レキサン−１４１〕 １０部 塩化メチレン １００部 実施例５ 厚さ０．１ｍｍの電鋳ニッケル板上に下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液及び保護
層塗工液を順次塗布、乾燥して、各々０．３μｍの下引
層、０．２μｍの電荷発生層、１８μｍの電荷輸送層及
び３μｍの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。 〔下引層塗工液〕 ポリビニルアルコール〔電気化学工業（株）製デンカポバール Ｈ−２０〕 ２部 水 １００部 メタノール １００部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 ５部

【０１７７】

【化８７】

【０１７８】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 ８部

【０１７９】

【化８８】

【０１８０】 ポリサルホン〔日産化学（株）製Ｐ−１７００〕 ０．５部 シクロヘキサノン ４００部 テトラヒドロフラン ２５０部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 ９部

【０１８１】

【化８９】

【０１８２】 ポリカーボネート〔帝人化成（株）製パンライトＫ−１３００〕 １０部 塩化メチレン ８０部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜３−メタクリロキシプロピ ルトリメトキシシラン共重合体 ８０部 酸化錫 ８０部 トルエン １７０部 ２−ブタノン １００部 実施例６ 実施例４と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液及び電荷輸送層塗工液を順次塗布、乾
燥して、各々２μｍの下引層、０．４μｍの電荷発生層
及び２２μｍの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成した。 〔下引層塗工液〕 二酸化チタン ６部 ポリビニルブチラール〔積水化学工業（株）製エスレックＢＬ −１〕 １０部 ２−ブタノン ５０部 酢酸エチル ５０部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 ２部

【０１８３】

【化９０】

【０１８４】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 ０．４部

【０１８５】

【化９１】

【０１８６】 ポリエステル〔東洋紡績（株）製バイロン２００〕 ２部 トルイレン−２，４−ジイソシアネート ０．１部 テトラヒドロフラン ２００部 ４−メチル−２−ペンタノン ２００部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 １０部

【０１８７】

【化９２】

【０１８８】 ポリカーボネート〔三菱瓦斯化学（株）製ポリカーボネートＺ〕 １２部 塩化メチレン ７０部 １，２−ジクロロエタン ３０部 実施例７ φ６０のＡｌ円筒状支持体上に下記組成の電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液及び保護層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々０．２μｍの電荷発生層、２０μｍの
電荷輸送層及び５μｍの保護層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 １部

【０１８９】

【化９３】

【０１９０】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 ２部

【０１９１】

【化９４】

【０１９２】 シクロヘキサノン ７０部 ４−メチル−２−ペンタノン ８０部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 ７部

【０１９３】

【化９５】

【０１９４】 ポリカーボネート〔帝人化成（株）製パンライトＣ−１４００〕 ８０部 塩化メチレン 部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜２−ヒドロキシエチルメタ クリレート〜トリフロロエチルメタクリレート共重合体 ７０部 導電性酸化チタン ８０部 トルエン ２２０部 ｎ−ブタノール ６０部 実施例８ φ８０のＡｌ円筒状支持体上に下記組成の電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々
０．２μｍの電荷発生層、１９μｍの電荷輸送層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 ２部

【０１９５】

【化９６】

【０１９６】 下記構造式一般式（Ｉ）の化合物 １部

【０１９７】

【化９７】

【０１９８】 ポリビニルブチラール〔積水化学工業（株）製エスレックＢＭ −Ｓ〕 １部 トルイレン−２，４−ジイソシアネート ？ 部 シクロヘキサノン ８０部 ２−ブタレン １２０部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 ７部

【０１９９】

【化９８】

【０２００】 ポリエステル〔東洋紡績（株）製バイロン２００〕 １０部 テトラヒドロフラン ８０部 比較例１〜８ 以上のように作成した実施例１〜８の感光体において、
各々の電荷発生層に一般式（Ｉ）の化合物を含有させな
い他はすべて実施例１〜８と同様にして感光体を形成
し、比較例１〜８の感光体とした。以上の各感光体の特
性を静電複写紙試験装置（川口電機製作所製ＳＰ−４２
８型）を用いて次のように評価した。まず、−６．３ｋ
Ｖの放電電圧にてコロナ帯電を１５秒間行い、次いで暗
減衰させて表面電位が−８００Ｖになったところで６．
５ｌｕｘのタングステン光を照射した。この時の帯電開
始後１．５秒及び１５秒の表面電位Ｖ_1.5（Ｖ）、Ｖ₁₅
（Ｖ）また光照射の際、表面電位が−４００Ｖになるの
に必要な露光量Ｅ₄₀₀（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定した。
更にこの感光体に色温度２８５６°Ｋのタングステン光
を１３０００ｌｕｘ・ｓｅｃ照射して光疲労させた後、
再び前記と同様にしてＶ_1.5，Ｖ₁₅，Ｅ₄₀₀を測定した。
評価結果を表７に示す。

【０２０１】

【表７】

【０２０２】比較例９〜１２ 実施例１において（Ｉ）式の化合物の代りに９−フェニ
ルカルバゾールを用いた以外は同様にして、比較例９の
感光体を作製した。実施例２において（Ｉ）式の化合物
の代りにヘキサメチレンジアミンを用いた以外は同様に
して、比較例１０の感光体を作製した。実施例３におい
て（Ｉ）式の化合物の代りに下記構造の化合物を用いた
以外は同様にして、比較例１１の感光体を作製した。

【０２０３】

【化９９】

【０２０４】実施例４において（Ｉ）式の化合物の代り
に下記構造の化合物を用いた以外は同様にして、比較例
１２の感光体を作製した。

【０２０５】

【化１００】

【０２０６】測定結果を表９に示す。

【０２０７】

【表９】

【０２０８】

【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば電荷発生
層中に一般式〔Ｉ〕で示される化合物を含有させること
により、高感度を有する積層型有機電子写真感光体の繰
返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防ぐことが可能
となる。すなわち、複写機、プリンター等の画像濃度低
下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転現像時において
は地肌汚れのない良好な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一態様の電子写真感光体の模式断面
図。

【図２】本発明の他の態様の電子写真感光体の模式断面
図。

【図３】本発明の他の態様の電子写真感光体の模式断面
図。

【図４】本発明の他の態様の電子写真感光体の模式断面
図。

【符号の説明】

１１ 導電性支持体 １３ 下引層 １５ 電荷発生層 １７ 電荷輸送層 １９ 保護層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層
   と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体におい
   て、該電荷発生層中に下記一般式（Ｉ）で示される化合
   物を含有させたことを特徴とする電子写真感光体。 【化１】 （式中ｍは０又は１の整数であり、ｍ＝１のときＸは酸
   素原子、硫黄原子、 【化２】 −ＣＨ₂−，−ＣＨ₂ＣＨ₂−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表
   わし、Ｒ¹およびＲ²はアルキル基、アラルキル基、炭素
   環式芳香族基または複素環基を表わす。またＲ³及びＲ⁴
   は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン
   原子を表わす。Ａｒは炭素環式芳香族基または複素環基
   を表わす。ｎは０又は１の整数である。Ｒ³はＸと共同
   でベンゼン環を形成してもよい。）
2. 【請求項２】 電荷発生層に含有される電荷発生物質が
   アゾ顔料であることを特徴とする請求項１記載の電子写
   真感光体。