JP2936514B2 - 電子写真感光体の疲労回復方法 - Google Patents
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Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体を用いる画像形成装置に関
し、更に詳しくは電子写真感光体の疲労回復方法の改良
に関する。
し、更に詳しくは電子写真感光体の疲労回復方法の改良
に関する。
電子写真複写機に使用される感光体は、近年、安価、
生産性、無公害性を利点とする有機系の感光材料を用い
たものが使用され始めている。
生産性、無公害性を利点とする有機系の感光材料を用い
たものが使用され始めている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾー
ル(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,4,7
トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移動錯体
型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散
型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合せて用いる機
能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型
の感光体が注目されている。
ル(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,4,7
トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移動錯体
型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散
型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合せて用いる機
能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型
の感光体が注目されている。
この様な、有機系感光体を、カールソンプロセスに適
用した場合、帯電性が低く、電荷保持性が悪い(暗減衰
が大きい)上、繰返し使用による、これら特性の劣化が
大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の
場合地汚れを生ずるという欠点を有している。
用した場合、帯電性が低く、電荷保持性が悪い(暗減衰
が大きい)上、繰返し使用による、これら特性の劣化が
大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の
場合地汚れを生ずるという欠点を有している。
即ち、有機系感光体は、前露光疲労によって帯電性が
低下する。この前露光疲労は主に電荷発生材料が吸収す
る光によって起こることから、光吸収によって発生した
電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間が
長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労による
帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸収
によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作を
しても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中和
される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇し
ない。従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅れ
ることになり、見かけ上の帯電々位は低くなる。
低下する。この前露光疲労は主に電荷発生材料が吸収す
る光によって起こることから、光吸収によって発生した
電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間が
長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労による
帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸収
によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作を
しても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中和
される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇し
ない。従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅れ
ることになり、見かけ上の帯電々位は低くなる。
これらの欠点を改良する方法として、支持体と電荷発
生層との間にSiO、Al2O3等の無機材料を、蒸着、スパッ
タッリング、陽極酸化などの方法で設ける方法が公知で
あり、電荷発生層中にAl2O3を含有させたり(特開昭55
−12354号公報)、同じく電荷発生層中に金属粉末を含
有させることも公知である(特開昭60−214364号公
報)。
生層との間にSiO、Al2O3等の無機材料を、蒸着、スパッ
タッリング、陽極酸化などの方法で設ける方法が公知で
あり、電荷発生層中にAl2O3を含有させたり(特開昭55
−12354号公報)、同じく電荷発生層中に金属粉末を含
有させることも公知である(特開昭60−214364号公
報)。
また、下引層としてポリアミド樹脂(特開昭58−3075
7号公報、特開昭58−98739号公報)、アルコール可溶性
ナイロン樹脂(特開昭60−196766号公報)、水溶性ポリ
ビニルブチラール樹脂(特開昭60−232553号公報)、ポ
リビニルブチラール樹脂(特開昭58−106549号公報)な
どの樹脂層が提案されている。
7号公報、特開昭58−98739号公報)、アルコール可溶性
ナイロン樹脂(特開昭60−196766号公報)、水溶性ポリ
ビニルブチラール樹脂(特開昭60−232553号公報)、ポ
リビニルブチラール樹脂(特開昭58−106549号公報)な
どの樹脂層が提案されている。
しかしながら、繰返し使用による帯電性、電荷保持性
の低下について、感光体側の改善手段では、充分な感光
体は得られていなかった。
の低下について、感光体側の改善手段では、充分な感光
体は得られていなかった。
特開昭51−111338号公報には、As2Se3感光体を、室温
より10〜30%高く、40℃を超えない温度に維持すると疲
労(暗減衰)の速度が緩速化されることが開示されてい
る。
より10〜30%高く、40℃を超えない温度に維持すると疲
労(暗減衰)の速度が緩速化されることが開示されてい
る。
他方、複写装置の使用環境においても、高温高湿度下
では、画像ボケ、画像ウスなどを生じ、また、低温時に
おいては、感光体の結露、地汚れ等の問題を有しいてい
る。
では、画像ボケ、画像ウスなどを生じ、また、低温時に
おいては、感光体の結露、地汚れ等の問題を有しいてい
る。
この環境依存性に関して、特開昭61−7843号公報に
は、感光層の支持体を面状発熱体として、比較的低温で
加熱すると、高温高湿下における感光体の相対湿度を減
少できることが、また特開昭62−121482号公報には感光
体に温風、冷風をふきつける方法が開示されており、低
温時の感光体への結露防止、高温時の感光体の劣化を防
止できる方法が開示されているが、必ずしも満足すべき
方法ではなかった。
は、感光層の支持体を面状発熱体として、比較的低温で
加熱すると、高温高湿下における感光体の相対湿度を減
少できることが、また特開昭62−121482号公報には感光
体に温風、冷風をふきつける方法が開示されており、低
温時の感光体への結露防止、高温時の感光体の劣化を防
止できる方法が開示されているが、必ずしも満足すべき
方法ではなかった。
本発明は、感光体の帯電性を改良することができると
ともに、高温高湿度下での相対湿度を低下でき、かつ低
温時の感光体の結露を防止し得る電子写真感光体の疲労
回復方法を提供することを課題とする。
ともに、高温高湿度下での相対湿度を低下でき、かつ低
温時の感光体の結露を防止し得る電子写真感光体の疲労
回復方法を提供することを課題とする。
本発明によれば、導電性支持体上に少なくとも一般式
(I)又は一般式(II)で示される化合物を含有する感
光層を設けてなる電子写真感光体を画像形成装置外で加
熱処理することを特徴とする電子写真感光体の疲労回復
方法が提供される。
(I)又は一般式(II)で示される化合物を含有する感
光層を設けてなる電子写真感光体を画像形成装置外で加
熱処理することを特徴とする電子写真感光体の疲労回復
方法が提供される。
A−CH2CH2−Ar1CH2CH2−A (I) 〔式中、Ar1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基
または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN
−置換カルバゾリル基または (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である)を表わす。〕 (式中、R3は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、またはハロゲン原子を、R4及びR5は置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基
を、Arは芳香族炭化水素基または複素環基を、nは1ま
たは2の整数を表わす。) 本発明者らは、導電性支持体上に少なくとも有機感光
層を設けてなる電子写真感光体に対して帯電性劣化の欠
点を解消すべく検討した結果、該電子写真感光体の感光
層に前記一般式(I)又は一般式(II)で示される化合
物を含有させると共に画像装置外で加熱しておくと、繰
り返し使用前と同等の帯電々位の立上りの遅れがなく、
繰り返し使用しても鮮明な複写画像が得られることを見
出した。
または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN
−置換カルバゾリル基または (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である)を表わす。〕 (式中、R3は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、またはハロゲン原子を、R4及びR5は置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基
を、Arは芳香族炭化水素基または複素環基を、nは1ま
たは2の整数を表わす。) 本発明者らは、導電性支持体上に少なくとも有機感光
層を設けてなる電子写真感光体に対して帯電性劣化の欠
点を解消すべく検討した結果、該電子写真感光体の感光
層に前記一般式(I)又は一般式(II)で示される化合
物を含有させると共に画像装置外で加熱しておくと、繰
り返し使用前と同等の帯電々位の立上りの遅れがなく、
繰り返し使用しても鮮明な複写画像が得られることを見
出した。
一般に、感光体は程度の差はあるが、高温湿時におけ
る画像ボケ、画像ウスが発生し、又、低温時においては
感光体の結露、低温低湿時には、画像地汚れが発生す
る。
る画像ボケ、画像ウスが発生し、又、低温時においては
感光体の結露、低温低湿時には、画像地汚れが発生す
る。
また、感光層が有機系の感光体においては、くり返し
使用をすると、帯電性の立ち上がりの遅れが認められ
る。
使用をすると、帯電性の立ち上がりの遅れが認められ
る。
しかし、本発明者らは暗所にて加熱することにより、
くり返し使用をしても、初期と同じ程度の特性を示すこ
とを見い出した。この様な感光体の暗所における加熱処
理(以降加熱処理あるいは処理と略す。)を達成する手
段を以下に説明する。
くり返し使用をしても、初期と同じ程度の特性を示すこ
とを見い出した。この様な感光体の暗所における加熱処
理(以降加熱処理あるいは処理と略す。)を達成する手
段を以下に説明する。
次に画像形成装置外にて感光体を加熱し、疲労を回復
する方法について述べる。感光体を画像形成装置外にて
加熱処理する場合に、最低限必要な要件は、以下の2点
である。
する方法について述べる。感光体を画像形成装置外にて
加熱処理する場合に、最低限必要な要件は、以下の2点
である。
加熱装置を有する。
感光体を遮光した状態で加熱する事が出来る。
すなわち、例えば通常市販の乾燥機、オーブン等を利
用して、部屋全体を遮光状態にする事が出来れば、感光
体の疲労回復は出来る訳である。ところが、一般的には
そういう設定をした場合には、次の様な問題点が残され
る。
用して、部屋全体を遮光状態にする事が出来れば、感光
体の疲労回復は出来る訳である。ところが、一般的には
そういう設定をした場合には、次の様な問題点が残され
る。
うまいドラムセットを考えないと、感光体表面にキズ
がつく。
がつく。
均一な加熱がむずかしい。
一般のオフィス等には上記の様な加熱器はない。
従って、小型、軽量でかつ、上記欠点のない感光体の
疲労回復専用装置が必要となる訳であるがその一例を第
5図(a)、(b)、(c)に示す。
疲労回復専用装置が必要となる訳であるがその一例を第
5図(a)、(b)、(c)に示す。
第5図(a)は見取り図、第5図(b)はドアを取り
除いた図、第5図(c)は真横からの断面図である(こ
れらを総称して、後は第5図と呼ぶ)。第5図において
は、熱源を面状発熱体を使用したが、熱を感光体に均一
に与えられる方法であれば、どの様なものでも差しつか
えない。又、ドラム受け治具は、第5図には両切りドラ
ム用治具(図では、太さが2種まで可)を図示したが、
ドラムの形状により治具をその都度変更する必要があ
る。
除いた図、第5図(c)は真横からの断面図である(こ
れらを総称して、後は第5図と呼ぶ)。第5図において
は、熱源を面状発熱体を使用したが、熱を感光体に均一
に与えられる方法であれば、どの様なものでも差しつか
えない。又、ドラム受け治具は、第5図には両切りドラ
ム用治具(図では、太さが2種まで可)を図示したが、
ドラムの形状により治具をその都度変更する必要があ
る。
次に図面によって本発明で用いる電子写真感光体を説
明する。
明する。
第1図は、本発明において使用する感光体の構成例を
示す断面図であり、導電性支持体11上に、感光層14を設
けたものである。
示す断面図であり、導電性支持体11上に、感光層14を設
けたものである。
第2図(a)、第2図(b)は、別の構成例を示す断
面図であり感光層が電荷発生層21と、電荷輸送層22との
積層で構成されている。
面図であり感光層が電荷発生層21と、電荷輸送層22との
積層で構成されている。
第3図および第4図は、更に別の構成例を示す断面図
であり、第3図は、導電性支持体11と感光層14の間に中
間層13を設けたもの、また第4図は、感光層14の上に保
護層15を設けたものである。
であり、第3図は、導電性支持体11と感光層14の間に中
間層13を設けたもの、また第4図は、感光層14の上に保
護層15を設けたものである。
導電性支持体11としては、体積抵抗1010Ωcm以下の導
電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、ク
ロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又はスパ
ッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラス
チック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、
アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板および
それらをD.I.,I.I.,押出し、引抜き等の工法で素管化
後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理した管等を使用
することができる。
電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、ク
ロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又はスパ
ッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラス
チック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、
アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板および
それらをD.I.,I.I.,押出し、引抜き等の工法で素管化
後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理した管等を使用
することができる。
次に感光層14について説明するが、先ず積層感光層に
ついて述べる。積層感光層は電荷発生層21と電荷輸送層
22からなる。
ついて述べる。積層感光層は電荷発生層21と電荷輸送層
22からなる。
電荷発生層21は、電荷発生物質を主材料とした層で、
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカ
ーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドなどが用いられる。
ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカ
ーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドなどが用いられる。
電荷発生物質としては、例ば、シーアイピグメントブ
ルー25〔カラーインデックス(CI)21180〕、シーアイ
ピグメントレッド41(CI 21200)、シーアイアシッドレ
ッド52(CI 45100)、シーアイベーシックレッド3(CI
45210)、さらに、ポリフィリン骨格を有するフタロシ
アニン系顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特
開昭53−95033号公報に記載)、ジスチリルベンゼン骨
格を有するアゾ顔料(特開昭53−133455号公報に記
載)、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭53−132547号公報に記載)、ジベンゾチオフェン骨格
を有するアゾ顔料(特開昭54−21728号公報に記載)、
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−12
742号公報に記載)、フルオレノン骨格を有するアゾ顔
料(特開昭54−22834号公報に記載)、ビススチルベン
骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17733号公報に記
載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料(特開昭54−2129号公報に記載)、ジスチリルカルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17734号公報
に記載)、さらに、シーアイピグメントブルー16(CI 7
4100)等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラ
ウン5(CI 73410)、シーアイバットダイ(CI 73030)
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB(バイオレ
ット社製)、インダンスレンスカーレットR(バイエル
社製)等のペリレン系顔料などが挙げられる。
ルー25〔カラーインデックス(CI)21180〕、シーアイ
ピグメントレッド41(CI 21200)、シーアイアシッドレ
ッド52(CI 45100)、シーアイベーシックレッド3(CI
45210)、さらに、ポリフィリン骨格を有するフタロシ
アニン系顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料(特
開昭53−95033号公報に記載)、ジスチリルベンゼン骨
格を有するアゾ顔料(特開昭53−133455号公報に記
載)、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料(特開
昭53−132547号公報に記載)、ジベンゾチオフェン骨格
を有するアゾ顔料(特開昭54−21728号公報に記載)、
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−12
742号公報に記載)、フルオレノン骨格を有するアゾ顔
料(特開昭54−22834号公報に記載)、ビススチルベン
骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17733号公報に記
載)、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料(特開昭54−2129号公報に記載)、ジスチリルカルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料(特開昭54−17734号公報
に記載)、さらに、シーアイピグメントブルー16(CI 7
4100)等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラ
ウン5(CI 73410)、シーアイバットダイ(CI 73030)
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB(バイオレ
ット社製)、インダンスレンスカーレットR(バイエル
社製)等のペリレン系顔料などが挙げられる。
これら電荷発生物質の中でも、策にアゾ顔料が好適で
ある。更にアゾ顔料の中でも一般式(a−1)〜(W)
に示される中心骨格を持つトリスアゾ又はジスアゾ顔料
が好ましい。
ある。更にアゾ顔料の中でも一般式(a−1)〜(W)
に示される中心骨格を持つトリスアゾ又はジスアゾ顔料
が好ましい。
以上のような本発明に好ましく用いられるジスアゾ、
あるいはトリスアゾ顔料の具体例を以下に示すが、簡略
化のため、中心骨格及びカップラー残基(Cp)を別々に
示し、それらの各々の番号の組合せでジスアゾあるいは
トリアゾ顔料を示す。
あるいはトリスアゾ顔料の具体例を以下に示すが、簡略
化のため、中心骨格及びカップラー残基(Cp)を別々に
示し、それらの各々の番号の組合せでジスアゾあるいは
トリアゾ顔料を示す。
(例)(k−1) 括弧内の文字kは中心骨格を示し、1はカップラー残
基No.を示す。
基No.を示す。
またさらに、一般式(a−1)〜(w)におけるカッ
プラーとしては、たとえばフェノール類、ナストール類
などのフェノール性水酸基を有する化合物、アミノ基を
有する芳香族アミノ化合物あるいはアミノ基とフェノー
ル性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族もしく
は、芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物(活性
メチレン基を有する化合物)などが用いられ、好ましく
は、カップラー残基Cpが下記一般式(II)、(III)、
(IV)、(V)、(VI)、(VII)、(VIII)、(I
X)、(X)、(XI)、(XII)の一般式で表わされるも
のである。
プラーとしては、たとえばフェノール類、ナストール類
などのフェノール性水酸基を有する化合物、アミノ基を
有する芳香族アミノ化合物あるいはアミノ基とフェノー
ル性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族もしく
は、芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物(活性
メチレン基を有する化合物)などが用いられ、好ましく
は、カップラー残基Cpが下記一般式(II)、(III)、
(IV)、(V)、(VI)、(VII)、(VIII)、(I
X)、(X)、(XI)、(XII)の一般式で表わされるも
のである。
〔上記式(II)、(III)、(IV)および(V)中、
X、Y1、Z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表わ
す。
X、Y1、Z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表わ
す。
X: または−NHSO2−R3 (R1およびR2は水素または置換もしくは無置換のアルキ
ル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキル基ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホ基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または 〔R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体、あるいは (但し、R5は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R6は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換
体を表わすか、あるいはR5及びR6はそれらに結合する炭
素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。〕 Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環またはそ
の置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数 〔式(VI)中、R7は置換もしくは、無置換の炭化水素基
を表わし、Xは前記に同じである。〕 〔式(VII)中、A7は芳香族炭化水素の2価基または窒
素原子を環内に含む複素環の2価基を表わす。これらの
環は、置換または無置換でもよい。Xは前記に同じ。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキシ
基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素環基ま
たはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。〕 〔上記式(IX)および(X)中、R9は水素または置換も
しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水素環
基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式(II)、(III)、(IV)または(V)の
Zの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環など
が例示でき、また置換基を有してもよい複素環としては
インドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベン
ゾフラン環などが例示できる。Zの環における置換基と
しては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示で
きる。
ル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキル基ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホ基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または 〔R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体、あるいは (但し、R5は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R6は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換
体を表わすか、あるいはR5及びR6はそれらに結合する炭
素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。〕 Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環またはそ
の置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数 〔式(VI)中、R7は置換もしくは、無置換の炭化水素基
を表わし、Xは前記に同じである。〕 〔式(VII)中、A7は芳香族炭化水素の2価基または窒
素原子を環内に含む複素環の2価基を表わす。これらの
環は、置換または無置換でもよい。Xは前記に同じ。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキシ
基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素環基ま
たはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。〕 〔上記式(IX)および(X)中、R9は水素または置換も
しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水素環
基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式(II)、(III)、(IV)または(V)の
Zの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環など
が例示でき、また置換基を有してもよい複素環としては
インドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベン
ゾフラン環などが例示できる。Zの環における置換基と
しては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示で
きる。
Y2またはR5における炭化水素環基としては、フェニル
基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、ま
た、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリル
基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R5お
よびR6が結合して形成する環としては、フルオレン環な
どが例示できる。
基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、ま
た、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリル
基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R5お
よびR6が結合して形成する環としては、フルオレン環な
どが例示できる。
Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいはR5
およびR6によって形成される環における置基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基、トノフルオロメチル基などの
ハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基ま
たはそのエステル、水酸基、−SO3Naなどのスルホン酸
塩基などが挙げられる。
およびR6によって形成される環における置基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基、トノフルオロメチル基などの
ハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基ま
たはそのエステル、水酸基、−SO3Naなどのスルホン酸
塩基などが挙げられる。
R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R7またはR9における炭化水素基の代表例としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、フェニル基などのアリール基またはそれらの置換
体が例示できる。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、フェニル基などのアリール基またはそれらの置換
体が例示できる。
R7またはR9の炭化水素基における置換基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示される。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示される。
Ar1またはAr2における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、これ
らの基における置換基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。
ル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、これ
らの基における置換基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
(III)、(VI)、(VII)、(VIII)、(IX)および
(X)で示されるものであり、この中でも一般式におけ
るXが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般
式(XI) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y2およびR2は前記と同じ。) で表わされるカップラー残基である。
(III)、(VI)、(VII)、(VIII)、(IX)および
(X)で示されるものであり、この中でも一般式におけ
るXが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般
式(XI) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y2およびR2は前記と同じ。) で表わされるカップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一
般式(XIII)または(XIV) (Z、R2、R5およびR6は前記に同じであり、またR10と
しては上記のY2の置換基が例示できる。) で表されるものが適当である。
般式(XIII)または(XIV) (Z、R2、R5およびR6は前記に同じであり、またR10と
しては上記のY2の置換基が例示できる。) で表されるものが適当である。
以下に、カップラー残基(Cp)の例を示す。
これらの電荷発生物質は単独で、あるいは2種以上併
用して用いられる。
用して用いられる。
バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対して
0〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0〜5
0重量部である。
0〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは0〜5
0重量部である。
電荷発生層は、電荷発生物質を必要ならバインダー樹
脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、ジ
オキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散
液を適度に希釈し塗布することにより形成できる。塗布
は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法など
を用いて行なうことができる。
脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、ジ
オキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散
液を適度に希釈し塗布することにより形成できる。塗布
は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法など
を用いて行なうことができる。
電荷発生層の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であ
り、好ましくは、0.1〜2μmである。
り、好ましくは、0.1〜2μmである。
電荷輸送層22は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。
電荷輸送物質としては、一般式(I)又は一般式(I
I)で表わされる物質が用いられる。
I)で表わされる物質が用いられる。
以下に、これらの化合物について説明する。
本発明においては、前記したように電荷輸送物質とし
て一般式(I)で示される化合物を用いる。
て一般式(I)で示される化合物を用いる。
A−CH2CH2−Ar1−CH2CH2−A ……(I) 〔上式中、Ar1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換の
N−置換カルバゾリル基または、 (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である。)を表わす〕 この場合、表わすAr1の芳香族炭化水素基または複素
環基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリ
レン基、ビフェニレン基、チエニレン基、カルバゾリル
基、またこれらの基における置換基としてはメチル、エ
チル、プロピル等の低級アルキル基、エトキシ、メトキ
シ、プロポキシ基の低級アルコキシ基、ハロゲン原子等
があげられる。AにおけるN−置換カルバゾリル基にお
けるN−置換基としては、低級アルキル基、フェニル
基、低級アルキル基は低級アルコキシ基置換フェニル基
が、またN−置換カルバゾリル基における置換基として
は低級アルキル基があげられる。Ar2の芳香族炭化水素
基または複素環基としては、フェニレン基、ナフチレン
基、ビフェニレン基、チエニレン基、またはこれらの基
における置換基としてはメチル、エチル等の低級アルキ
ル基があげられる。R1及びR2における置換もしくは無置
換のアルキル基としては、アルキル基、ベンジル基、置
換ベンジル基が、アリール基としてはフェニル基があげ
られ、ベンジル基、フェニル基における置換基としては
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、シ
アノ基、フェニル基等があげられる。一般式(I)で示
される化合物としては次の表−1に示す化学構造式のも
のが好ましく用いられる。
基または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換の
N−置換カルバゾリル基または、 (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である。)を表わす〕 この場合、表わすAr1の芳香族炭化水素基または複素
環基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリ
レン基、ビフェニレン基、チエニレン基、カルバゾリル
基、またこれらの基における置換基としてはメチル、エ
チル、プロピル等の低級アルキル基、エトキシ、メトキ
シ、プロポキシ基の低級アルコキシ基、ハロゲン原子等
があげられる。AにおけるN−置換カルバゾリル基にお
けるN−置換基としては、低級アルキル基、フェニル
基、低級アルキル基は低級アルコキシ基置換フェニル基
が、またN−置換カルバゾリル基における置換基として
は低級アルキル基があげられる。Ar2の芳香族炭化水素
基または複素環基としては、フェニレン基、ナフチレン
基、ビフェニレン基、チエニレン基、またはこれらの基
における置換基としてはメチル、エチル等の低級アルキ
ル基があげられる。R1及びR2における置換もしくは無置
換のアルキル基としては、アルキル基、ベンジル基、置
換ベンジル基が、アリール基としてはフェニル基があげ
られ、ベンジル基、フェニル基における置換基としては
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、シ
アノ基、フェニル基等があげられる。一般式(I)で示
される化合物としては次の表−1に示す化学構造式のも
のが好ましく用いられる。
また、本発明において電荷移動物質として用いる前記
一般式(II)で表わされるアミノ化合物は、例えば一般
式(A) (式中、R3、R4、R5、Ar、nは前記と同じ) で表わされる不飽和アミノ化合物を水添させることによ
って製造される。
一般式(II)で表わされるアミノ化合物は、例えば一般
式(A) (式中、R3、R4、R5、Ar、nは前記と同じ) で表わされる不飽和アミノ化合物を水添させることによ
って製造される。
前記合成法で得られる一般式(II)で示されるアミノ
化合物を以下に例示する。
化合物を以下に例示する。
これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して
用いられる。
用いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリ
レート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸
セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性ま
たは熱硬化性樹脂が挙げられる。
クリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリ
レート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸
セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性ま
たは熱硬化性樹脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ト
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。
電荷輸送層22の厚さは、5〜50μm程度が適当であ
る。
る。
次に感光層14が単層構成の場合について述べる。この
場合も多くは電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能
分離型のものが挙げられる。
場合も多くは電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能
分離型のものが挙げられる。
即ち、電荷発生物質および電荷輸送物質には先に示し
た化合物を用いることができる。
た化合物を用いることができる。
単層感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質およ
びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、こ
れを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必
要により可塑剤やレベリング剤等を添加することもでき
る。
びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、こ
れを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必
要により可塑剤やレベリング剤等を添加することもでき
る。
バインダー樹脂としては、先に電荷輸送層23で挙げた
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層21
で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層21
で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。
単層感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質およびバ
インダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジク
ロルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて分散機
等で分散した塗工液を浸漬塗工法やスプレーコート、ビ
ードコートなどで塗工して形成できる。
インダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジク
ロルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて分散機
等で分散した塗工液を浸漬塗工法やスプレーコート、ビ
ードコートなどで塗工して形成できる。
単層感光層の膜厚は、5〜50μm程度が適当である。
なお、本発明において感光層14の上にさらに絶縁層を
設けることも可能である。
設けることも可能である。
また、本発明において第3図に示されるように、導電
性支持体と、感光層との間に中間層13を設けることによ
り、本発明の第1の効果をいっそう向上させることが可
能であり、また接着性を改良することもできる。
性支持体と、感光層との間に中間層13を設けることによ
り、本発明の第1の効果をいっそう向上させることが可
能であり、また接着性を改良することもできる。
中間層13には、SiO、Al2O3等の無機材料を蒸着、スパ
ッタリング、陽極酸化などの方法で設けたものや、ポリ
アミド樹脂(特開昭58−30757号公報、特開昭58−98739
号公報)、アルコール可溶性ナイロン樹脂(特開昭60−
196766号公報)、水溶性ポリビニルブチラール樹脂(特
開昭60−232553号公報)、ポリビニルブチラール樹脂
(特開昭58−106549号公報)、ポリビニルアルコールな
どの樹脂層を用いることができる。
ッタリング、陽極酸化などの方法で設けたものや、ポリ
アミド樹脂(特開昭58−30757号公報、特開昭58−98739
号公報)、アルコール可溶性ナイロン樹脂(特開昭60−
196766号公報)、水溶性ポリビニルブチラール樹脂(特
開昭60−232553号公報)、ポリビニルブチラール樹脂
(特開昭58−106549号公報)、ポリビニルアルコールな
どの樹脂層を用いることができる。
また、上記樹脂中間層にZnO、TiO2、ZnS等の顔料粒子
を分散したものも、中間層として用いることができる。
を分散したものも、中間層として用いることができる。
更に本発明の中間層13として、シランカップリング
剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を
使用することもできる。
剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を
使用することもできる。
中間層13の膜厚は0〜5μmが適当である。
保護層15に使用される樹脂としては、ABS樹脂、ACS樹
脂、オレフィンビニル共重合体樹脂、塩素化ポリエーテ
ル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポ
リアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
メタクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレ
ン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチ
レン、AS樹脂、ブタジエン−スチレン樹脂、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹
脂等が挙げられる。
脂、オレフィンビニル共重合体樹脂、塩素化ポリエーテ
ル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポ
リアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
メタクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレ
ン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチ
レン、AS樹脂、ブタジエン−スチレン樹脂、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹
脂等が挙げられる。
また、耐摩耗性の観点から添加剤としてポリテトラフ
ロロエチレン樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂を
添加し、摩耗係数を下げ、耐摩耗性並びに耐傷化性の向
上を図ることができ、また酸化チタン、酸化錫、チタン
酸カリウムの無機化合物を前記樹脂中に分散しても耐摩
耗性が向上する。この表面保護層の膜厚は0.5〜10μ
m、好ましくは1〜5μmである。
ロロエチレン樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂を
添加し、摩耗係数を下げ、耐摩耗性並びに耐傷化性の向
上を図ることができ、また酸化チタン、酸化錫、チタン
酸カリウムの無機化合物を前記樹脂中に分散しても耐摩
耗性が向上する。この表面保護層の膜厚は0.5〜10μ
m、好ましくは1〜5μmである。
次の実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1 長さ120mm、直径340mmのアルミニウムドラムに、下記
組成からなる塗工液を順次、塗布、乾燥し、中間層(5
μ)、電荷発生層(0.3μ)、電荷輸送層(25μ)を形
成した。
組成からなる塗工液を順次、塗布、乾燥し、中間層(5
μ)、電荷発生層(0.3μ)、電荷輸送層(25μ)を形
成した。
(1)中間層塗工液 二酸化チタン 10重量部 ポリビニルブチラール 1重量部 (積水化学工業:エスレックBL−1) トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2重量部 2−ブタノン 100重量部 4−メチル−2−ペンタノン 60重量部 以上の様に混合した液を12時間ボールミルで分散した
後、塗工液とした。
後、塗工液とした。
(2)電荷発生層塗工液 本発明における顔料No.a−10−23のアゾ顔料2重量部 ポリエステル 1重量部 (東洋紡績:バイロン200) シクロヘキサノン 97重量部 (3)電荷輸送層塗工液 本発明における電荷輸送物質No.(II)−52 9重量部 ポリアリレート(ユニチカ:U−100) 11重量部 塩化メチレン 70重量部 クロロベンゼン 10重量部 以上の様にして感光体No.1を作成した。
実施例2〜22 実施例1で用いた顔料No.a−10−23の代わりに、後記
表−1に示すアゾ顔料を、又、電荷輸送物質No.(II)
−52の代わりに後記表−1に示す電荷輸送物質を用いた
以外は、実施例1と同様にして、感光体No.2〜22を作成
した。
表−1に示すアゾ顔料を、又、電荷輸送物質No.(II)
−52の代わりに後記表−1に示す電荷輸送物質を用いた
以外は、実施例1と同様にして、感光体No.2〜22を作成
した。
以上の様に作成した感光体を負帯電する様に改造した
複写機(リコピーFT6080)に搭載し、現像直前の感光体
の表面電位を測定できる様に表面電位計のプロープをセ
ットした。尚、連続コピー9990枚行ない、感光体を複写
機より取り出して、第12図に示すような疲労回復装置に
て、130℃−20分間、加熱処理を行ない、室温まで冷却
して、再び複写機に戻し、通算10000枚までコピーを行
ない、10枚目と10000枚目の表面電位を測定した。環境
条件は、25℃−50%RHであった。
複写機(リコピーFT6080)に搭載し、現像直前の感光体
の表面電位を測定できる様に表面電位計のプロープをセ
ットした。尚、連続コピー9990枚行ない、感光体を複写
機より取り出して、第12図に示すような疲労回復装置に
て、130℃−20分間、加熱処理を行ない、室温まで冷却
して、再び複写機に戻し、通算10000枚までコピーを行
ない、10枚目と10000枚目の表面電位を測定した。環境
条件は、25℃−50%RHであった。
比較例1〜22 実施例1〜22における加熱処理を25℃で行なった以外
は(つまり室温と同じ)全く同じ評価をした。実施例1
〜22、比較例1〜22の結果を表−1に記す。
は(つまり室温と同じ)全く同じ評価をした。実施例1
〜22、比較例1〜22の結果を表−1に記す。
〔効果〕 本発明方法は前記構成からなるので次のような顕著な
作用効果を奏する。
作用効果を奏する。
(1)有機感光体の繰り返し使用後の帯電特性を劣化を
防ぐことができる。
防ぐことができる。
即ち、複写機、プリンター等の画像濃度低下、画像濃
度ムラ、あるいは反転現像時においては、地肌汚れのな
い良好な画像を得ることができる。
度ムラ、あるいは反転現像時においては、地肌汚れのな
い良好な画像を得ることができる。
(2)高温高湿下で感光体雰囲気の相対湿度を下げ、画
像ウスを防止することができる。
像ウスを防止することができる。
(3)低温時の感光体の結露および低温低湿時の画像地
汚れを防止することができる。
汚れを防止することができる。
第1図、第2図(a)、第2図(b)、第3図及び第4
図は本発明で用いる電子写真感光体の模式断面図であ
る。 また、第5図(a)、(b)、(c)は各々本発明で使
用する代表的な感光体の加熱方法の説明図である。 11……導電性支持体、13……中間層、14……感光層、15
……保護層、21……電荷発生層、22……電荷輸送層、61
……加熱装置本体、62……遮光用パッキング、63……ド
ア、64……取っ手、65……蝶番、71……面状発熱体、72
……ドラム受け治具。
図は本発明で用いる電子写真感光体の模式断面図であ
る。 また、第5図(a)、(b)、(c)は各々本発明で使
用する代表的な感光体の加熱方法の説明図である。 11……導電性支持体、13……中間層、14……感光層、15
……保護層、21……電荷発生層、22……電荷輸送層、61
……加熱装置本体、62……遮光用パッキング、63……ド
ア、64……取っ手、65……蝶番、71……面状発熱体、72
……ドラム受け治具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−85950(JP,A) 特開 平1−107260(JP,A) 特開 昭62−296180(JP,A) 特開 昭63−40181(JP,A) 特開 平1−204087(JP,A) 特開 平1−191889(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03G 5/06 320 G03G 21/00 345
Claims (1)
- 【請求項1】導電性支持体上に少なくとも一般式(I)
又は一般式(II)で示される化合物を含有する感光層を
設けてなる電子写真感光体を画像形成装置外で加熱処理
することを特徴とする電子写真感光体の疲労回復方法。 A−CH2CH2−Ar1−CH2CH2−A (I) 〔式中、Ar1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基
または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN
−置換カルバゾリル基または (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である)を表わす。〕 (式中、R3は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、またはハロゲン原子を、R4及びR5は置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基
を、Arは芳香族炭化水素基または複素環基を、nは1ま
たは2の整数を表わす。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21258789A JP2936514B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21258789A JP2936514B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0375785A JPH0375785A (ja) | 1991-03-29 |
JP2936514B2 true JP2936514B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=16625173
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21258789A Expired - Fee Related JP2936514B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2936514B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7402343B2 (en) | 2003-01-29 | 2008-07-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Molecular chemical compounds with structures allowing electron displacement and capable of emitting photoluminescent radiation, and photoluminescence quenching device employing the same |
JP2014095868A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 新規ブタジエン骨格を持つ化合物を含有する電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ、画像形成装置、及び新規ブタジエン骨格を持つ化合物 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21258789A patent/JP2936514B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH0375785A (ja) | 1991-03-29 |
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