JPH02264263A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体の改良に関する。
近年、電子写真複写機に使用される感光体として、低価
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはじめている。
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはじめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
この様な機能分離型の高感度感光体を、カールソンプロ
セスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が悪
い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら特
性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また
反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有してい
る。
セスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が悪
い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら特
性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また
反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有してい
る。
また一般に、高感度感光体は、前露光疲労によって帯電
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることから、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇
しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅
れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる。
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることから、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇
しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅
れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる。
上述の欠点に対して、例えば、特開昭47−6341.
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中rIIJ層が、特開昭48−47344
.52−25638.58−30757.58−639
45.58−95351.58−98739および60
−66258号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭4
9−69332および52−10138号にはマレイン
酸系樹脂中間層が、そして特開昭58−105155号
にはポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示さ
れている。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の
導電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されて
いる。例えば、特開昭51−65942号にはカーボン
またはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層
が、特開昭52−82238号には四級アンモニウム塩
を添加してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中
間層が、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤
を添加した樹脂中I′1JIY層が、特開昭58−58
556号にはアルミニウムまたはスズの酸化物を分散し
た樹脂中間層が、特開昭58−93062号には有機金
属化合物を添加した樹脂中間層が、特開昭58−930
63.60−97363および60−111255号に
は導電性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭5
9−84257.59−93453および60−320
54号にはTiO2とSnO2粉体とを分散した樹脂中
間層が開示されている。
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中rIIJ層が、特開昭48−47344
.52−25638.58−30757.58−639
45.58−95351.58−98739および60
−66258号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭4
9−69332および52−10138号にはマレイン
酸系樹脂中間層が、そして特開昭58−105155号
にはポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示さ
れている。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の
導電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されて
いる。例えば、特開昭51−65942号にはカーボン
またはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層
が、特開昭52−82238号には四級アンモニウム塩
を添加してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中
間層が、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤
を添加した樹脂中I′1JIY層が、特開昭58−58
556号にはアルミニウムまたはスズの酸化物を分散し
た樹脂中間層が、特開昭58−93062号には有機金
属化合物を添加した樹脂中間層が、特開昭58−930
63.60−97363および60−111255号に
は導電性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭5
9−84257.59−93453および60−320
54号にはTiO2とSnO2粉体とを分散した樹脂中
間層が開示されている。
しかしながら、繰り返し使用による帯電性の低下、とり
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一層の改善が望まれていた。
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一層の改善が望まれていた。
また、特開昭54−8528号公報には、電子供与性物
質および/又は電子受容性物質で被服した電荷発生物質
を樹脂中に分散した層を有する感光体が、特開昭54−
34240号公報、特開昭63−281167号公報に
は、電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた積層型感光
体が開示されているが、二九らはいずわも上記諸要求を
満足するものではなかった。
質および/又は電子受容性物質で被服した電荷発生物質
を樹脂中に分散した層を有する感光体が、特開昭54−
34240号公報、特開昭63−281167号公報に
は、電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた積層型感光
体が開示されているが、二九らはいずわも上記諸要求を
満足するものではなかった。
本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
本発明によれば、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記一般式(I)で示される化
合物を含有してなることを特徴とする電子写真感光体が
提供される。
層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記一般式(I)で示される化
合物を含有してなることを特徴とする電子写真感光体が
提供される。
(式中、R工1R21R3およびR4は水素原子、置換
もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしく無置換の
アリール基を表わし、Ar工は置換又は無置換のアリー
ル基を表わし、Ar、は置換又は無置換のアリーレン基
を表わし、Ar1とR1は共同で環を形成してもよ゛く
、またnはO又は1の整数である。) 上述したように、高感度の積層型有機電子写真感光体は
、くり返し使用によって、帯電の立上りの遅れを生じ、
その結果、帯電性の低下をまねくが、本発明者らは、積
層型有機電子写真感光体の電荷発生層に一般的(I)で
示される化合物を含有させることによって、くり返し使
用後の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が
得られることを見い出し、本発明を完成するに到った。
もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしく無置換の
アリール基を表わし、Ar工は置換又は無置換のアリー
ル基を表わし、Ar、は置換又は無置換のアリーレン基
を表わし、Ar1とR1は共同で環を形成してもよ゛く
、またnはO又は1の整数である。) 上述したように、高感度の積層型有機電子写真感光体は
、くり返し使用によって、帯電の立上りの遅れを生じ、
その結果、帯電性の低下をまねくが、本発明者らは、積
層型有機電子写真感光体の電荷発生層に一般的(I)で
示される化合物を含有させることによって、くり返し使
用後の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が
得られることを見い出し、本発明を完成するに到った。
以下、図面に沿って、本発明を説明する。
第1図は、本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層15、次い
で電荷輸送層17を設けた構成をとっている。
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層15、次い
で電荷輸送層17を設けた構成をとっている。
第2図は、本発明の別の構成例を示す断面図であり、導
電性支持体11と電荷発生層15の間に下引層13を設
けたものである。
電性支持体11と電荷発生層15の間に下引層13を設
けたものである。
第3図と第4図は、更に別の構成例を示す断面図であり
、第3図は電荷輸送層17の上に保護層19を設けたも
のであり、第4図は下引層と保護層を同時に設けたもの
である。
、第3図は電荷輸送層17の上に保護層19を設けたも
のであり、第4図は下引層と保護層を同時に設けたもの
である。
導電性支持体11としては1体積抵抗101oΩ1以下
の導電性を示すもの1例えば、アルミニウム、ニッケル
、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸
化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板
およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き等
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理
した管等を使用することができる。
の導電性を示すもの1例えば、アルミニウム、ニッケル
、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸
化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板
およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き等
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理
した管等を使用することができる。
次に、電荷発生層15について説明する。
電荷発生層15は、電荷発生物質と一般式(1)で示さ
れる化合物を主成分とする層で、必要に応じてバインダ
ー樹脂を用いることもある。
れる化合物を主成分とする層で、必要に応じてバインダ
ー樹脂を用いることもある。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
一般式(1)で示される化合物としては次の表−1に示
す化学構造式のものが好ましく用いられる。
す化学構造式のものが好ましく用いられる。
電荷発生物質としては、
公知の材料を用いるこ
とができるが、
とりわけ以下に示すジスアゾある
いはトリスアゾ顔料が好適に用いられる。
(ただしCpはカップラー残基、
以下同様)
(ただしRは、
水素原子、
置換又は非置換の
アルキル基を表わす。
(ただしRは。
水素原子、
アルキル基、
)1 口
ゲン原子を表わす。
(ただしAは、
−NH−1
一缶、
−S−を表わす。
・)
(ただしnは、
1〜5の間の整数を表わす。
これらのカップラー残基Cpとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記一般式(1)〜(11)で表
わされるものである。
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記一般式(1)〜(11)で表
わされるものである。
X : −OH,−N または −NHSO2−R
。
。
\
(R工およびR2は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、R1は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。
ルキル基を表わし、R1は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。
)
Yl:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −〇〇N−Y。
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −〇〇N−Y。
(R4は水素、アルキル基またその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基また〔上記式(1) 、 (2)
、 (3)および(4)中、X、Yl、Z、mおよび
nはそれぞれ以下のものを表わす。
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基また〔上記式(1) 、 (2)
、 (3)および(4)中、X、Yl、Z、mおよび
nはそれぞれ以下のものを表わす。
R9は炭化水素環基またはその置換体、複素環基または
その置換体あるいはスチリル基またはその置換体、R5
は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR9及びRGはそれらに結合する炭素
原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) 2 :炭化水素環またはその置換体あるいは複素環また
はその置換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕r1 〔式中、Roはアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シ基またはそのエステルを表わし、Ar□は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
その置換体あるいはスチリル基またはその置換体、R5
は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR9及びRGはそれらに結合する炭素
原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) 2 :炭化水素環またはその置換体あるいは複素環また
はその置換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕r1 〔式中、Roはアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シ基またはそのエステルを表わし、Ar□は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
〕
〔上記式(8)および(9)中、R,は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式(1)
、 (2) 、 (3)または(4)の2の炭化水素
環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、
また複素環(置換を持っていてもよい)としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。Zの環における置換基としては
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式(1)
、 (2) 、 (3)または(4)の2の炭化水素
環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、
また複素環(置換を持っていてもよい)としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。Zの環における置換基としては
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
Y2またはR6における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナヮチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基。
ル基、ナヮチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基。
チエニル基、フリル基、インドリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示で
き、さらに、RsおよびR,が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。
基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示で
き、さらに、RsおよびR,が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。
Y2またはRsの炭化水素環基または複素環基あるいは
R8およびR6によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル
基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキ
シル基またはそのエステル、水酸基、−5o、 Naな
どのスルホン酸塩基などが挙げられる。
R8およびR6によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル
基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキ
シル基またはそのエステル、水酸基、−5o、 Naな
どのスルホン酸塩基などが挙げられる。
R9のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R7またはR3における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などの7リール基またはこれらの置
換体が例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などの7リール基またはこれらの置
換体が例示できる。
R1またはR3の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
AriまたはAr、における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり。
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり。
また、これらの基における置換基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など
のアルコキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など
のアルコキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい、また、この中
でも一般式(10)%式% (Y工およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y、およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい、また、この中
でも一般式(10)%式% (Y工およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y、およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(12)または(13) ゛・Z・′ Cz−nz +R1およびR6は前記に同じであり、ま
たR工。
式(12)または(13) ゛・Z・′ Cz−nz +R1およびR6は前記に同じであり、ま
たR工。
とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で表わさ
れる。
れる。
以上に示した一般式(1)で示される化合物および電荷
発生物質は各々単独であるいは2種以上併用して用いら
れる。
発生物質は各々単独であるいは2種以上併用して用いら
れる。
前記一般式(I)で示される化合物は電荷発生物質1重
量部に対して0.01重量部以上用いるのが適当であり
、好ましくは0.05重量部以上、更に好ましくは0.
1重量部以上である。
量部に対して0.01重量部以上用いるのが適当であり
、好ましくは0.05重量部以上、更に好ましくは0.
1重量部以上である。
バインダー樹脂は使用しなくてもかまわないが、使用し
た方が1本発明の効果を更に高めることができる。その
際のバインダー樹脂の使用量は電荷発生物質1重量部に
対して0.02〜3重量部が好ましく、更に好ましくは
0.2〜2重量部である。
た方が1本発明の効果を更に高めることができる。その
際のバインダー樹脂の使用量は電荷発生物質1重量部に
対して0.02〜3重量部が好ましく、更に好ましくは
0.2〜2重量部である。
電荷発生層は、一般式(1)式で示される化合物と電荷
発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミルなどにより°Z・′ 分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行なうことができる。
発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミルなどにより°Z・′ 分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行なうことができる。
電荷発生層の膜厚は、0.01〜5μm程度であり、好
ましくは0.1〜2μmである。
ましくは0.1〜2μmである。
電荷輸送層17は、電荷輸送物質およびバインダー摺脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
る。
電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、 2,4.7−トリニトロ−9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニト
ロ−4H−インデノ[1,2−b]チオフェン−4−オ
ン、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエノンー5
,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる
。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、 2,4.7−トリニトロ−9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニト
ロ−4H−インデノ[1,2−b]チオフェン−4−オ
ン、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエノンー5
,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる
。
正孔輸送物質としては、以下の一般式で表わされる電子
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
(式中、R工tR21R3およびR4は水素原子、置換
もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar工は置換又
は無置換のアリール基を表わし、ArよとR工は共用で
環を形成してもよく、またnは0又は1の整数である。
もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar工は置換又
は無置換のアリール基を表わし、ArよとR工は共用で
環を形成してもよく、またnは0又は1の整数である。
)
(但し、Roは低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nは0〜4の整数を表わし、R
,、R3は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表
ねす。) (式中、R工は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換の)土ニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C工〜04のヒドロキシアルキル
基、C工〜C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR1は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R,、Rsはそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキ、シ基又はハロゲン原子を表わ
す。) アノ、ジ低級アルキルアミノ、置換又は非置換のジアラ
ルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基及
びニトロ基よりなる群から選ばれる。)を表わす。) バ。
ハロゲン原子を表わし、nは0〜4の整数を表わし、R
,、R3は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表
ねす。) (式中、R工は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換の)土ニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C工〜04のヒドロキシアルキル
基、C工〜C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR1は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R,、Rsはそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキ、シ基又はハロゲン原子を表わ
す。) アノ、ジ低級アルキルアミノ、置換又は非置換のジアラ
ルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基及
びニトロ基よりなる群から選ばれる。)を表わす。) バ。
(式中、R工lR3は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子あるい、はニトロ基を表わし、nはO
又は1を表わす。)(式中、R工は水素原子又はハロゲ
ン原子を表わし、R2は置換または非置換の芳香族残基
あるいは複素環残基(但し前記置換基はハロゲン、シ(
式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、
インドリル基又はフリル基、あるいはそれぞれ置換また
は非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基又はア
ントリル基(但し前記置換基はジ低級アルキルアミノ基
、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、
アラルキルアミノ基又は、アミノ基からなる群から選ば
れる)を表わす。) (ただし、R,、R1,R,は水素原子、置換又は無置
換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベンジル
基を表わし、R4,R,は水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低級アル
キルアミノ基を表わす。)を表わす。) (式中、 R1,R,、R,は同一でも異なっていても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
フェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わ
す。) (式中、R工1R2tR3tR4tRGは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換
又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジルア
ミノ基を表わし、R5は低級アルキル基又はベンジル基
を表わす。) (式中、R4は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、Arは (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環。
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子あるい、はニトロ基を表わし、nはO
又は1を表わす。)(式中、R工は水素原子又はハロゲ
ン原子を表わし、R2は置換または非置換の芳香族残基
あるいは複素環残基(但し前記置換基はハロゲン、シ(
式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、
インドリル基又はフリル基、あるいはそれぞれ置換また
は非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基又はア
ントリル基(但し前記置換基はジ低級アルキルアミノ基
、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、
アラルキルアミノ基又は、アミノ基からなる群から選ば
れる)を表わす。) (ただし、R,、R1,R,は水素原子、置換又は無置
換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベンジル
基を表わし、R4,R,は水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低級アル
キルアミノ基を表わす。)を表わす。) (式中、 R1,R,、R,は同一でも異なっていても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
フェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わ
す。) (式中、R工1R2tR3tR4tRGは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換
又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジルア
ミノ基を表わし、R5は低級アルキル基又はベンジル基
を表わす。) (式中、R4は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、Arは (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環。
スチリル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、
フラン環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基
又はベンジル基を表わす。)(式中、R1は低級アルキ
ル基、2−ヒドロキシエチル基又は2−クロロエチル基
を表わし、R2は低級アルキル基、ベンジル基又はフェ
ニル基を表わし、R1は水素原子、ハロゲン原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、ジ低級アルキルアミノ
基又はニトロ基を表わす。) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子
又はハロゲン原子を表わし、R1は低級アルキル基、ジ
低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は
無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳
香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等
)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環
、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ラキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす、) (式中、R□tLは同一でも異なっていてもよく、水素
原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、ク
ロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシル
基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、ある
いは置換又は非置換のアラルキル基を表おす。) (式中、R1,R3及びR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、
R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキル基又はハロゲンを表わす。但し、R’ 、R”
、R3およびR4がすべて水素原子である場合は除く
。またに、Q。
フラン環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基
又はベンジル基を表わす。)(式中、R1は低級アルキ
ル基、2−ヒドロキシエチル基又は2−クロロエチル基
を表わし、R2は低級アルキル基、ベンジル基又はフェ
ニル基を表わし、R1は水素原子、ハロゲン原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、ジ低級アルキルアミノ
基又はニトロ基を表わす。) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子
又はハロゲン原子を表わし、R1は低級アルキル基、ジ
低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は
無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳
香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等
)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環
、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ラキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす、) (式中、R□tLは同一でも異なっていてもよく、水素
原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、ク
ロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシル
基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、ある
いは置換又は非置換のアラルキル基を表おす。) (式中、R1,R3及びR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、
R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキル基又はハロゲンを表わす。但し、R’ 、R”
、R3およびR4がすべて水素原子である場合は除く
。またに、Q。
m及びnは1,2.3又は4の整数であり、各々が2,
3又は4の整数の時は前記R1,R2,nffおよびR
4は同一でも異なっていてもよい。
3又は4の整数の時は前記R1,R2,nffおよびR
4は同一でも異なっていてもよい。
A−CH,CH2−Ar1−CH2Cl、 −A(式中
、Ar’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基また
は複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN−置
換力ルバゾリル基またはの芳香族炭化水素基または複素
環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置換のアル
キル基、または置換もしくは無置換のアリール基である
。)を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
、Ar’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基また
は複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN−置
換力ルバゾリル基またはの芳香族炭化水素基または複素
環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置換のアル
キル基、または置換もしくは無置換のアリール基である
。)を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、つVタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、つVタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トル
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
電荷輸送層17の厚さは5〜100μm程度が適当であ
る。また、本発明において電荷輸送M17中に可塑剤や
レベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂
の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき
、その使用量は、バインダー樹脂に対して0〜30重量
2程度が適当である。
る。また、本発明において電荷輸送M17中に可塑剤や
レベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂
の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき
、その使用量は、バインダー樹脂に対して0〜30重量
2程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メ
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0〜1重量x程度が適当である。
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0〜1重量x程度が適当である。
支持体11と電荷発生M15との間に設けられる下引層
13は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性
を向上する目的で設けられ、その材料としてはSin、
AQ、O,、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミ
ド樹脂、アルコール可溶性ポリアニルブチラール、PV
A等の接着性の良いバインダー樹脂などが使用される。
13は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性
を向上する目的で設けられ、その材料としてはSin、
AQ、O,、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミ
ド樹脂、アルコール可溶性ポリアニルブチラール、PV
A等の接着性の良いバインダー樹脂などが使用される。
その他、前記接着性の良い樹脂にZnO、TiO2,Z
nS等を分散したものも使用できる。下引層の形成法と
しては無機材料単独の場合はスパッタリング1.蒸着等
の方法が、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が
採用される。
nS等を分散したものも使用できる。下引層の形成法と
しては無機材料単独の場合はスパッタリング1.蒸着等
の方法が、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が
採用される。
なお下引層の厚さは5μm以下が適当である。
保護層19は感光体の表面保護の目的で設けられ、これ
に使用される材料としてABS樹脂、AC5樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、
ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン
、AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウレ
タン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ樹
脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性
を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような
弗素樹脂、シリコーン慴脂、及びこれら樹脂に酸化チタ
ン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散した
もの等を添加することができる。保護層の形成法として
は通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.
5〜10μm程度が適当である。
に使用される材料としてABS樹脂、AC5樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、
ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン
、AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウレ
タン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ樹
脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性
を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような
弗素樹脂、シリコーン慴脂、及びこれら樹脂に酸化チタ
ン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散した
もの等を添加することができる。保護層の形成法として
は通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.
5〜10μm程度が適当である。
更に本発明では電荷輸送層17と保護層19との間に別
の中間層(図示せず)を設けることも可能である。
の中間層(図示せず)を設けることも可能である。
次に、実施例によって1本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
実施例1
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2癖厚の電荷発
生層および22μω厚の電荷輸送層を形成し1本発明の
電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2癖厚の電荷発
生層および22μω厚の電荷輸送層を形成し1本発明の
電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(1)の化合物 1.5部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部 30部 8部 テトラヒドロフラン 70部実施例
2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々0.3.の下引層、0.2癖の電荷発生
層および20部mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
式の一般式(1)の化合物 1.5部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部 30部 8部 テトラヒドロフラン 70部実施例
2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々0.3.の下引層、0.2癖の電荷発生
層および20部mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
下記構造式の一般式(1)の化合物 2部シクロ
ヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 40部 30部 9部 水 1
50部メタノール 200部
〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 1部テトラヒ
ドロフラン 80部実施例3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布、乾燥して、
各々2pの下引層、0.3pmの電荷発生層および18
部mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
ヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 40部 30部 9部 水 1
50部メタノール 200部
〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 1部テトラヒ
ドロフラン 80部実施例3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布、乾燥して、
各々2pの下引層、0.3pmの電荷発生層および18
部mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
二酸化チタン 10部シクロ
ヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 60部 7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部 下記構造式の一般式(1)の化合物 0.3部 テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2naのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2癖の電荷発生層および17戸の電荷輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 60部 7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部 下記構造式の一般式(1)の化合物 0.3部 テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2naのアルミニウム板上に、下記組成の電荷
発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥
して各々0.2癖の電荷発生層および17戸の電荷輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 1部下記構造
式の一般式(1)の化合物 0.2部 下引層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液お
よび保護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3岬
の下引層、0.2μmの電荷発生層および18−の電荷
輸送層および3−の保護層を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成した。
式の一般式(1)の化合物 0.2部 下引層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液お
よび保護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3岬
の下引層、0.2μmの電荷発生層および18−の電荷
輸送層および3−の保護層を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成した。
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
100部
9部
水
100部メタノール 1
00部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 90部実施例5 厚さ0.1閣の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下記構
造式の一般式(1)の化合物 3部 Uち ポリサルホン(日産化学■製P−1700)シクロヘキ
サノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.6部 200部 150部 9部 トルエン 170部2−
ブタノン 100部実施例
6 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々2μmの下引層、0.4μmの電荷発生
層および22μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
100部メタノール 1
00部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 90部実施例5 厚さ0.1閣の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下記構
造式の一般式(1)の化合物 3部 Uち ポリサルホン(日産化学■製P−1700)シクロヘキ
サノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.6部 200部 150部 9部 トルエン 170部2−
ブタノン 100部実施例
6 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々2μmの下引層、0.4μmの電荷発生
層および22μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部塩化メチ
レン 〔保護層塗工液〕 80部 2−ブタノン 60部酢酸
エチル 40部〔電荷発生
層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部酸化錫 80部 下記構造式の一般式(1)の化合物 0.7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.2部 100部 50部 10部 荷発生層、2oRの電荷輸送層、および5μ−の保護層
を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した。
レン 〔保護層塗工液〕 80部 2−ブタノン 60部酢酸
エチル 40部〔電荷発生
層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部酸化錫 80部 下記構造式の一般式(1)の化合物 0.7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.2部 100部 50部 10部 荷発生層、2oRの電荷輸送層、および5μ−の保護層
を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部下記構造
式の一般式(1)の化合物 1.5部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
7 φ60mのA2円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2pImの電シクロヘキ
サノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 100部 9部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 70部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例8 φ80mmのAQ円筒状支持体上に、下記組成の゛電荷
発生層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液
を順次、塗布、乾燥して、各々0.2μIの電荷発生層
及び19趣の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
式の一般式(1)の化合物 1.5部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
7 φ60mのA2円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2pImの電シクロヘキ
サノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 100部 9部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 70部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例8 φ80mmのAQ円筒状支持体上に、下記組成の゛電荷
発生層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液
を順次、塗布、乾燥して、各々0.2μIの電荷発生層
及び19趣の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(I)の化合物 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 0.06部 80部 60部 8部 テトラヒドロフラン 100部比較
例1〜8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(I)の化合物を含有させない
他はすべて実施例1〜8と同様にして感光体を形成し、
比較例1〜8の感光体とした。
式の一般式(I)の化合物 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 0.06部 80部 60部 8部 テトラヒドロフラン 100部比較
例1〜8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(I)の化合物を含有させない
他はすべて実施例1〜8と同様にして感光体を形成し、
比較例1〜8の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)(実施例1〜6、比較例1
〜6)及び特開昭60−100167号公報に開示され
ている測定装置(実施例7−8、比較例7−8)を用い
て次のように評価した。
機製作新製5P−428型)(実施例1〜6、比較例1
〜6)及び特開昭60−100167号公報に開示され
ている測定装置(実施例7−8、比較例7−8)を用い
て次のように評価した。
まず、−5,8KVの放電々圧にて、コロナ帯電を20
秒間行ない、次いで10秒間暗減衰させ、その後、8Q
uxのタングステン光を照射した。
秒間行ない、次いで10秒間暗減衰させ、その後、8Q
uxのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒と20秒の表面電位V□(V)
、V2.(V)および暗減衰10秒後の表面電位V□。
、V2.(V)および暗減衰10秒後の表面電位V□。
(V)を測定し、また、V、。を半分の電位に光減衰さ
せるのに必要な露光量El/2(Ωux−sec)を測
定した。なお、暗減衰率(0,0)は、次式で定義され
る。
せるのに必要な露光量El/2(Ωux−sec)を測
定した。なお、暗減衰率(0,0)は、次式で定義され
る。
D、D=V、0/V2゜
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の8111定を行なった
。評価結果を表−1に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の8111定を行なった
。評価結果を表−1に示す。
表−1
〔発明の効果〕
本発明の高感度を有するf/i層型右型有機電子写真感
光体くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止す
ることが可能となる。
光体くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止す
ることが可能となる。
したがって、本発明によれば、複写機、プリンター等の
画像濃度低下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
画像濃度低下、画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
第1図〜第4図は各々本発明に係る電子写真感光体の模
式断面図である。 第2図 第4図 特許出願人 株式会社 リ コ 着奄・11支拍I参 千引尼 速@枳I 電菊輪l lI瓜1ル 手 糸Q ネrff 正 魯 (自発)平成2年 2
月
式断面図である。 第2図 第4図 特許出願人 株式会社 リ コ 着奄・11支拍I参 千引尼 速@枳I 電菊輪l lI瓜1ル 手 糸Q ネrff 正 魯 (自発)平成2年 2
月
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸
送層を順次積層してなる電子写真感光体において、該電
荷発生層中に下記一般式( I )で示される化合物を含
有してなることを特徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
) (式中、R_1、R_2、R_3およびR_4は水素原
子、置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしく
無置換のアリール基を表わし、Ar_1は置換又は無置
換のアリール基を表わし、Ar_2は置換又は無置換の
アリーレン基を表わし、Ar_1とR_1は共同で環を
形成してもよく、またnは0又は1の整数である。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8560489A JP2876060B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8560489A JP2876060B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02264263A true JPH02264263A (ja) | 1990-10-29 |
JP2876060B2 JP2876060B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=13863430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8560489A Expired - Lifetime JP2876060B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2876060B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319101A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
US7560589B2 (en) | 2003-07-28 | 2009-07-14 | Smithkline Beecham Corporation | Cycloalkylidene compounds as modulators of estrogen receptor |
US8951702B2 (en) | 2008-07-18 | 2015-02-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Charge transport material that is an ethylene compound, electrophotographic photoreceptor containing the charge transport material, and process for producing the electrophotographic photoreceptor |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP8560489A patent/JP2876060B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319101A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
US7560589B2 (en) | 2003-07-28 | 2009-07-14 | Smithkline Beecham Corporation | Cycloalkylidene compounds as modulators of estrogen receptor |
US7569601B2 (en) | 2003-07-28 | 2009-08-04 | Smithkline Beecham Corporation | Cycloalkylidene compounds as modulators of estrogen receptor |
US7799828B2 (en) | 2003-07-28 | 2010-09-21 | Glaxosmithkline Llc | Cycloalkylidene compounds as modulators of estrogen receptor |
US8951702B2 (en) | 2008-07-18 | 2015-02-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Charge transport material that is an ethylene compound, electrophotographic photoreceptor containing the charge transport material, and process for producing the electrophotographic photoreceptor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2876060B2 (ja) | 1999-03-31 |
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