JPS6278560A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6278560A JPS6278560A JP21805585A JP21805585A JPS6278560A JP S6278560 A JPS6278560 A JP S6278560A JP 21805585 A JP21805585 A JP 21805585A JP 21805585 A JP21805585 A JP 21805585A JP S6278560 A JPS6278560 A JP S6278560A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0564—Polycarbonates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電子写真感光体に関し、特に特定のジスアゾ顔
料とポリカーボネートＺ樹脂を含有することにより、特
性の改良された感光層を有する電子写真感光体に関する
。
料とポリカーボネートＺ樹脂を含有することにより、特
性の改良された感光層を有する電子写真感光体に関する
。
［従来の技術］
従来の電子写真感光体としては、無機光導電物質のセレ
ン、硫化カドミュウム、酸化亜鉛や非晶質硅素を用いた
ものや、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセン等の光導電性ポリマー、又はジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンの如
き低分子の各種有機光導電物質を用いたものや有機顔料
を分散したものが知られている。このうち、電子写真感
光体に使用される有機顔料としては、スーダンレッド、
グイアンプル−等のアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アルゴー
ルイエロー、ピレンキノン等のキノン顔料、キノシアニ
ン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等のイ
ンジゴ顔料、インドファーストオレンジトナー等のビス
ベンゾイミダゾール顔料、銅フタロシアニン等のフタロ
シアニン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。
ン、硫化カドミュウム、酸化亜鉛や非晶質硅素を用いた
ものや、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルア
ントラセン等の光導電性ポリマー、又はジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンの如
き低分子の各種有機光導電物質を用いたものや有機顔料
を分散したものが知られている。このうち、電子写真感
光体に使用される有機顔料としては、スーダンレッド、
グイアンプル−等のアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アルゴー
ルイエロー、ピレンキノン等のキノン顔料、キノシアニ
ン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等のイ
ンジゴ顔料、インドファーストオレンジトナー等のビス
ベンゾイミダゾール顔料、銅フタロシアニン等のフタロ
シアニン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。
これらの顔料を分散して有する感光体は一部実用化され
ているものもあるが感度的に充分満足されているもので
はない。
ているものもあるが感度的に充分満足されているもので
はない。
これは顔料の場合は成膜されるための結着剤というもの
が必要であり、この結着剤によって電荷の移動が阻害さ
れるためである。
が必要であり、この結着剤によって電荷の移動が阻害さ
れるためである。
そのため顔ネ４を使用する場合には、その顔料にとって
最適な結着剤が不可欠である。
最適な結着剤が不可欠である。
一方、感光層を光によって電荷を発生する電荷発生層と
その電荷を輸送する電荷輸送層に分けた機能分離型感光
層の場合においては顔料は電荷発生層に使用される。こ
の場合には、電荷発生層の結着剤は勿論、電荷輸送層の
結着剤も感度を決定する要因となる。
その電荷を輸送する電荷輸送層に分けた機能分離型感光
層の場合においては顔料は電荷発生層に使用される。こ
の場合には、電荷発生層の結着剤は勿論、電荷輸送層の
結着剤も感度を決定する要因となる。
即ち、電荷発生層で発生した電荷を効率よく電荷輸送層
に注入させることが高感度化の決め手であるが電荷発生
層の顔料と電荷輸送層の結着剤の組み合わせが悪いと両
層の界面に注入の障壁ができ注入効率が低下する。その
ため機能分離型感光層においても顔料にとって最適な電
荷輸送層の結着剤の選定が不可欠である。
に注入させることが高感度化の決め手であるが電荷発生
層の顔料と電荷輸送層の結着剤の組み合わせが悪いと両
層の界面に注入の障壁ができ注入効率が低下する。その
ため機能分離型感光層においても顔料にとって最適な電
荷輸送層の結着剤の選定が不可欠である。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明は、上記のような従来の技術に鑑み、感光居中に
含まれる顔料と結着剤樹脂を組み合わせることにより、
より高感度な電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
含まれる顔料と結着剤樹脂を組み合わせることにより、
より高感度な電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
さらに他の目的は生産安定性に優れた電子写真感光体を
提供することである。
提供することである。
［問題点を解決するための手段、作用コ本発明は顔料と
して後記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料の少なく
とも１種を用い、結着剤として後記一般式（２）で示さ
れるポリカーボネ−）Ｚ樹脂とを組み合わせることによ
り前記目的を達成したものである。
して後記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料の少なく
とも１種を用い、結着剤として後記一般式（２）で示さ
れるポリカーボネ−）Ｚ樹脂とを組み合わせることによ
り前記目的を達成したものである。
即ち、本発明は下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔
料の少なくとも１種と下記一般式（２）で示されるポリ
カーポネー）Ｚ樹脂を含有する感光層を有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。
料の少なくとも１種と下記一般式（２）で示されるポリ
カーポネー）Ｚ樹脂を含有する感光層を有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。
一般式
式中、Ａはフェノール性ＯＨ基を有するカップラー残基
を示し、Ｒ１、Ｒ，°、Ｒ２及びＲ２’は水素原子、ハ
ロゲン原子又は置換基を有してもよいアルキル基、アル
コキシ基及びアラルキル基から選ばれる基を示す。
を示し、Ｒ１、Ｒ，°、Ｒ２及びＲ２’は水素原子、ハ
ロゲン原子又は置換基を有してもよいアルキル基、アル
コキシ基及びアラルキル基から選ばれる基を示す。
式中、ｎは平均重合度を示し、５０〜５０００の範囲で
ある。
ある。
本発明によれば、一般式（１）で示されるジスアゾ顔料
は、他の有機顔料に比べて高感度で光照射による劣化も
小さく高耐久である。
は、他の有機顔料に比べて高感度で光照射による劣化も
小さく高耐久である。
さらに一般式（２）で示されるポリカーボネートＺ樹脂
と組み合わせることにより、高感度で機械的な表面劣化
の少ない高耐久の感光層が形成される。
と組み合わせることにより、高感度で機械的な表面劣化
の少ない高耐久の感光層が形成される。
上記一般式（１）におけるＲ１．Ｒ１’、Ｒ２及びＲ２
’の示す基において、ハロゲン原子の具体例としてはフ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げら
れ、アルキル基の具体例とじてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等の基、アルコキシ基の具体例としてはメ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の基、アラ
ルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル、ナフ
チルメチル等の基が挙げられる。
’の示す基において、ハロゲン原子の具体例としてはフ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げら
れ、アルキル基の具体例とじてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等の基、アルコキシ基の具体例としてはメ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の基、アラ
ルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル、ナフ
チルメチル等の基が挙げられる。
さらに上記アルキル基、アルコキシ基及びアラルキル基
の有してもよい置換基としては、例えばメチル、エチル
、プロピル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、こトロ基、シアノ
基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ等の置換アミノ基等が挙げられる。
の有してもよい置換基としては、例えばメチル、エチル
、プロピル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、こトロ基、シアノ
基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ等の置換アミノ基等が挙げられる。
又、上記一般式（１）におけるＡで示されるフェノール
性ＯＨ，！！を有するカップラー残基としては、下記一
般式（３）乃至（９）で示される基から選らばれる。
性ＯＨ，！！を有するカップラー残基としては、下記一
般式（３）乃至（９）で示される基から選らばれる。
一般式
式中、Ｘはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルへゾール扉、ベンズカルへゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環又はへテ
ロ環を形成するに必要な残基を示し、なかでもナフタレ
ン環、アントラセン環、ベンズカルバゾール環、カルバ
ゾール環がより望ましい、Ｒ３及びＲ４は水素原子、買
換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基及びヘテロ環基から選ばれる基、又はＲ３，Ｒ４の
結合する窒素原子とともに形成する環状アミノ基を示し
、アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール基
の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、ア
ンスリル等の基、ヘテロ環基としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジン等の基が挙げられる。
ントラセン環、カルへゾール扉、ベンズカルへゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環又はへテ
ロ環を形成するに必要な残基を示し、なかでもナフタレ
ン環、アントラセン環、ベンズカルバゾール環、カルバ
ゾール環がより望ましい、Ｒ３及びＲ４は水素原子、買
換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基及びヘテロ環基から選ばれる基、又はＲ３，Ｒ４の
結合する窒素原子とともに形成する環状アミノ基を示し
、アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベン
ジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール基
の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、ア
ンスリル等の基、ヘテロ環基としてはカルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジン等の基が挙げられる。
上記アルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ
環基の有してもよい置換基としては、例えばメチル、エ
チル、プロピル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シ
アン基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニ
ルアミノ等の置換アミ７基等が挙げられる。
環基の有してもよい置換基としては、例えばメチル、エ
チル、プロピル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シ
アン基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニ
ルアミノ等の置換アミ７基等が挙げられる。
一般式 Ｒ９
一般式（４）、（５）中のＲ５及びＲ６は置換基を有し
てもよいアルキル基、アラルキル基及びアリール基から
選ばれる基を示す。
てもよいアルキル基、アラルキル基及びアリール基から
選ばれる基を示す。
上記Ｒ５及びＲ６の具体例としては、前記一般式（３）
、（４）におけるＲ３及びＲ４と同じ例が挙げられる。
、（４）におけるＲ３及びＲ４と同じ例が挙げられる。
υＨ
一般式
一般式（６）及び（７）中のＹは芳香族炭化水素の２価
の基又は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。
の基又は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。
上記芳香族炭化水素の２価の基としては、〇−フェニレ
ン等の単環式芳香族炭化水素の２価の基、０−ナフチレ
ン、ペリナフチレン、１．２−アンスリレン、９．１０
−フェナンスリレン等の多環式芳香族炭化水素の２価の
基が挙げられ、窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の
基としては、例えば３．４−ピラゾールジイル、２，３
−ピリジンジイル、４，５−ピリミジンジイル、６．７
−イミダゾールジイル、５．６−ベンズイミダゾールジ
イル、６．７−キラリンジイル等の５員あるいは６員環
のへテロ環で２価の基等が挙げられる。
ン等の単環式芳香族炭化水素の２価の基、０−ナフチレ
ン、ペリナフチレン、１．２−アンスリレン、９．１０
−フェナンスリレン等の多環式芳香族炭化水素の２価の
基が挙げられ、窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の
基としては、例えば３．４−ピラゾールジイル、２，３
−ピリジンジイル、４，５−ピリミジンジイル、６．７
−イミダゾールジイル、５．６−ベンズイミダゾールジ
イル、６．７−キラリンジイル等の５員あるいは６員環
のへテロ環で２価の基等が挙げられる。
ゝ２゛
式中、Ｒ７及びＲ８は水素原子、置換基を宥してもよい
アルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環基
から選ばれる基、又はＲ７、Ｒ８の結合する炭素原子と
ともに５員あるいは６員環を形成する残基を示し、この
５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよく、Ｚ
はベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、アントラセ
ン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェニレンサ
ルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はヘテロ環を
形成するに必要な残基を示す。
アルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環基
から選ばれる基、又はＲ７、Ｒ８の結合する炭素原子と
ともに５員あるいは６員環を形成する残基を示し、この
５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよく、Ｚ
はベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、アントラセ
ン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェニレンサ
ルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はヘテロ環を
形成するに必要な残基を示す。
上記アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベ
ンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール
基の具体例としてはフェニル、ナフチル、アンスリル、
ピレニル等の基、ヘテロ環基の具体例としてはピリジル
、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基が挙げられ、
さらに上記基の有してもよい置換基としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミ／、ジエチ
ルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフ
ェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等
の置換アミン基等が挙げられる。上記Ｒ７，Ｒ８の結合
炭素原子とともに５員あるいは６員環を形成する残基で
あって、この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有し
てもよい基の具体例としてはシクロペンチリデン、シク
ロヘキシリデン、８−キサンテニリデン等の基が挙げら
れる。
ピル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例としてはベ
ンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリール
基の具体例としてはフェニル、ナフチル、アンスリル、
ピレニル等の基、ヘテロ環基の具体例としてはピリジル
、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基が挙げられ、
さらに上記基の有してもよい置換基としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミ／、ジエチ
ルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフ
ェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等
の置換アミン基等が挙げられる。上記Ｒ７，Ｒ８の結合
炭素原子とともに５員あるいは６員環を形成する残基で
あって、この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有し
てもよい基の具体例としてはシクロペンチリデン、シク
ロヘキシリデン、８−キサンテニリデン等の基が挙げら
れる。
式中、Ｒ９及びＲＩＯは水素原子、置換基を有してもよ
いアルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環
基から選ばれる基、又はＲ９，Ｒ１０の結合する炭素原
子とともに５負あるいは６員環を形成する残基を示し、
この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよく
、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルへゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェニレ
ンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はへテロ
環を形成するに必要な残基を示す。
いアルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環
基から選ばれる基、又はＲ９，Ｒ１０の結合する炭素原
子とともに５負あるいは６員環を形成する残基を示し、
この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有してもよく
、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、アント
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルへゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェニレ
ンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はへテロ
環を形成するに必要な残基を示す。
上記基のアルキル基の具体例としてはメチル、エチル、
プロピル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例として
はベンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリ
ール基の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチ
ル９アンスリル。
プロピル、ブチル等の基、アラルキル基の具体例として
はベンジル、フェネチル、ナフチルメチル等の基、アリ
ール基の具体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチ
ル９アンスリル。
ピレニル等の基、ヘテロ環基の具体例としてはピリジル
、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基が挙げられ、
さらに上記基が有してもよい着換基としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフ
ェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ビロリジノ等
の置換アミ７．８等が挙げられる。
、チェニル、フリル、カルバゾイル等の基が挙げられ、
さらに上記基が有してもよい着換基としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子
、メチル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等のアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフ
ェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ビロリジノ等
の置換アミ７．８等が挙げられる。
上記Ｒｇ、Ｒ１ｏの結合炭素原子とともに５員あるいは
６員環を形成する残基であって、この５員あるいは６員
環は縮合芳香族環を有してもよい基の具体例としてはシ
クロペンチリデン、シクロヘキシリデン、９−キサンテ
ニリデン等の基が挙げられる。
６員環を形成する残基であって、この５員あるいは６員
環は縮合芳香族環を有してもよい基の具体例としてはシ
クロペンチリデン、シクロヘキシリデン、９−キサンテ
ニリデン等の基が挙げられる。
前記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料の具体例を以
下に示す。
下に示す。
例示化合物
Ｎｏ。
これらの例示顔料以外にも一般式（１）に含まれるジス
アゾ顔料は数多く存在する。
アゾ顔料は数多く存在する。
前記一般式（２）で示されるポリカーボネートＺ樹脂は
、（ａ）透明性が良好、（ｂ）電気絶縁性、耐電圧がと
もに高い、（ｃ）表面が硬く適度の滑性を有しており、
機械的に摩耗しにくい等の特徴があり、さらに（ｄ）溶
剤に溶解させた場合の安定性に優れている。
、（ａ）透明性が良好、（ｂ）電気絶縁性、耐電圧がと
もに高い、（ｃ）表面が硬く適度の滑性を有しており、
機械的に摩耗しにくい等の特徴があり、さらに（ｄ）溶
剤に溶解させた場合の安定性に優れている。
通常のポリカーボネート樹脂、即ち、
れるビスフェノールＡ５ポリカーボネート樹脂は高分子
の結晶性が高いため溶解をした場合にゲル化しやすく、
２日程度で使用不可能となる欠点を有しており、この点
で大きく異なる。
の結晶性が高いため溶解をした場合にゲル化しやすく、
２日程度で使用不可能となる欠点を有しており、この点
で大きく異なる。
本発明の特定のジスアゾ顔料とポリカーボネートＺ樹脂
を組み合わせることにより、顔料粒子と樹脂の界面に光
照射時の電荷の移動を阻止する障壁層が形成される程度
はポリカーボネートＺ樹脂以外との組み合わせより格段
に小さく、かつ、ボリカーポネー）Ｚ樹脂構造式のベン
ゼン環及びシクロヘキシル団が電荷の移動を容易にし、
感度を向上するようである。
を組み合わせることにより、顔料粒子と樹脂の界面に光
照射時の電荷の移動を阻止する障壁層が形成される程度
はポリカーボネートＺ樹脂以外との組み合わせより格段
に小さく、かつ、ボリカーポネー）Ｚ樹脂構造式のベン
ゼン環及びシクロヘキシル団が電荷の移動を容易にし、
感度を向上するようである。
本発明による電子写真感光体の形態としては、（ａ）一
般式（１）で示されるジスアゾ顔料（以下「ジスアゾ顔
料」と記載する）をポリカーポネ−）Ｚ樹脂に分散した
感光層、 （ｂ）ジスアゾ顔料をポリカーポネー）Ｚｍ脂と電荷輸
送物質（電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物
）に分散した感光層、 （Ｃ）ジスアゾ顔料を結着剤樹脂（ポリカーボネ−）Ｚ
樹脂でもよいし、他の樹脂でもよい）に分散した層を電
荷発生層とし、この上にポリカーボネー）Ｚ４ａ脂と電
荷輸送物質を含む電荷輸送層を積層した機能分離型感光
層。
般式（１）で示されるジスアゾ顔料（以下「ジスアゾ顔
料」と記載する）をポリカーポネ−）Ｚ樹脂に分散した
感光層、 （ｂ）ジスアゾ顔料をポリカーポネー）Ｚｍ脂と電荷輸
送物質（電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物
）に分散した感光層、 （Ｃ）ジスアゾ顔料を結着剤樹脂（ポリカーボネ−）Ｚ
樹脂でもよいし、他の樹脂でもよい）に分散した層を電
荷発生層とし、この上にポリカーボネー）Ｚ４ａ脂と電
荷輸送物質を含む電荷輸送層を積層した機能分離型感光
層。
（ｄ）電荷輸送層の上にジスアゾ顔料とポリカーボネー
トＺ樹脂を含む電荷発生層を蹟層した機能分離型感光層
等が挙げられる。
トＺ樹脂を含む電荷発生層を蹟層した機能分離型感光層
等が挙げられる。
電子供与性化合物としては、主鎖又は側鎖にアントラセ
ン、ピレン、フェナンスレン、コロネン等の多環芳香環
又はインドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリ
アゾール等の含窒素へテロ環を有する化合物、ヒドラゾ
ン化合物、芳香族アミノ化合物等が挙げられる。
ン、ピレン、フェナンスレン、コロネン等の多環芳香環
又はインドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオ
キサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリ
アゾール等の含窒素へテロ環を有する化合物、ヒドラゾ
ン化合物、芳香族アミノ化合物等が挙げられる。
電子受容性化合物としては、ニトロ基、ニトロン基、シ
アノ基等の電子受容性置換基を有する脂肪族環式化合物
、芳香族化合物、ヘテロ環式化合物等があり、例えばテ
トラシアノエチレン、トリニトロベンゼン、ジニトロア
セトフェノン、トリニトロアニソール、テトラニトロナ
フタレン、テレフタロニトリル、インフタロニトリル、
シアン化ベンゾイル、シアン化キノリン、シアノピリジ
ン、ニトロアンスラセン、ジニトロフルオレノン、トリ
ニトロフルオレノン、テトラニトロフルオレノン、テト
ラシアノピレン等が挙げられる。
アノ基等の電子受容性置換基を有する脂肪族環式化合物
、芳香族化合物、ヘテロ環式化合物等があり、例えばテ
トラシアノエチレン、トリニトロベンゼン、ジニトロア
セトフェノン、トリニトロアニソール、テトラニトロナ
フタレン、テレフタロニトリル、インフタロニトリル、
シアン化ベンゾイル、シアン化キノリン、シアノピリジ
ン、ニトロアンスラセン、ジニトロフルオレノン、トリ
ニトロフルオレノン、テトラニトロフルオレノン、テト
ラシアノピレン等が挙げられる。
電子受容性化合物は一般的に発癌性等の有害性のため好
ましくない。
ましくない。
電子供与性化合物を用いる場合、前述の（Ｃ）形態では
負帯電、（ｄ）の形態では正帯電に使用される。
負帯電、（ｄ）の形態では正帯電に使用される。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と樹脂を５：１〜ｌ：２（
重量比）程度に混合されて形成され、膜厚は５〜２０終
程度である。
重量比）程度に混合されて形成され、膜厚は５〜２０終
程度である。
前述（ｃ）の形態でジスアゾ顔料の結着剤樹脂としては
、ポリカーボネートＺのほかポリエステル、ポリビニル
ベンザ−フレ、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロ
リドン、メチルセルロース、ポリアクリル酸エステル類
、セルロースエステル類等が適宜使用される。
、ポリカーボネートＺのほかポリエステル、ポリビニル
ベンザ−フレ、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロ
リドン、メチルセルロース、ポリアクリル酸エステル類
、セルロースエステル類等が適宜使用される。
分散は樹脂溶液に顔料を混合した後ボールミル、ロール
ミル、サンドミル、コロイドミル等の常法によることが
できる。
ミル、サンドミル、コロイドミル等の常法によることが
できる。
電荷発生層の厚さは０．０１〜ｌル、好ましくは０．０
５〜０．５μである。
５〜０．５μである。
電荷輸送層の上に形成される場合には、より厚く、０．
５〜５井程度である、 顔料と樹脂の比は５：１〜１：２程度である。
５〜５井程度である、 顔料と樹脂の比は５：１〜１：２程度である。
［発明の効果］
本発明の電子写真感光体において、特定のジスアゾ顔料
とポリカーボネートＺ樹脂を合宿する感光層は高感度で
残留電位が少なく、さらに帯電、露光を縁り返した際の
明部電位が上昇することなく安定しており、又、表面に
ポリカーボネートＺ樹脂が存在するので表面の高度が高
く、潤滑性にも優れているので摺擦傷が付きにくく、機
械的耐久性を向上させることができる。
とポリカーボネートＺ樹脂を合宿する感光層は高感度で
残留電位が少なく、さらに帯電、露光を縁り返した際の
明部電位が上昇することなく安定しており、又、表面に
ポリカーボネートＺ樹脂が存在するので表面の高度が高
く、潤滑性にも優れているので摺擦傷が付きにくく、機
械的耐久性を向上させることができる。
さらにポリカーボネートＺ樹脂の溶液は保存安定性が良
いので、生産性が向上し、品質安定化にも貢献すること
ができる。
いので、生産性が向上し、品質安定化にも貢献すること
ができる。
［実施例］
実施例１〜６
基体として肉厚Ｊ、５ｍｍで６０φＸ２６０ｍｍ・のア
ルミニウムシリンダーを用意した。
ルミニウムシリンダーを用意した。
次に共重合ナイロン（商品名ＣＭ８０００、束し■製）
４部及びタイプ８ナイロン（商品名ラフカマイド５００
３、大日本インキ化学■製）４部をメタノール５０部、
ｎ−ブタノール５０部に溶解し、上記基体上に浸漬塗布
して０．６！厚のポリアミド下引層を形成した。
４部及びタイプ８ナイロン（商品名ラフカマイド５００
３、大日本インキ化学■製）４部をメタノール５０部、
ｎ−ブタノール５０部に溶解し、上記基体上に浸漬塗布
して０．６！厚のポリアミド下引層を形成した。
次に前記一般式（１）のジスアゾ顔料の例示顔料から選
らばれたジスアゾ顔料を１０部及びポリビニルブチラー
ル（商品名工スレツクＢＭ−２、抗水化学＠製）１０部
をシクロヘキサノン１２０部と共にサンドミル装置で１
０時間分散した０分散液にメチルエチルケトン３０部を
加えて上記下引層上に塗布し、ｏ、ｘｓｇ厚の電荷発生
層を形成した。
らばれたジスアゾ顔料を１０部及びポリビニルブチラー
ル（商品名工スレツクＢＭ−２、抗水化学＠製）１０部
をシクロヘキサノン１２０部と共にサンドミル装置で１
０時間分散した０分散液にメチルエチルケトン３０部を
加えて上記下引層上に塗布し、ｏ、ｘｓｇ厚の電荷発生
層を形成した。
次にポリカーボネートＺ樹脂（三菱ガス化学株制）の重
量平均分子量１２万のもの１０部を用意し、下記構造式
のヒドラゾン化合物１０部と共にモノクロルベンゼン８
０部に溶解した。これを上記電荷発生層上に塗布して１
６．１の電荷輸送層を形成した。
量平均分子量１２万のもの１０部を用意し、下記構造式
のヒドラゾン化合物１０部と共にモノクロルベンゼン８
０部に溶解した。これを上記電荷発生層上に塗布して１
６．１の電荷輸送層を形成した。
上記選択の例示ジスアゾ顔料（１）、（９）、（１５）
、（２２）、（３１）、（３８）に対応して実施例１〜
６の電子写真感光体とする。
、（２２）、（３１）、（３８）に対応して実施例１〜
６の電子写真感光体とする。
このようにして作成した電子写真感光体を、−５，６Ｋ
Ｖコロナ帯電、画像露光、乾式トナー現像、普通紙への
トナー転写、ウレタンゴムブレード（高度７０°、圧力
５ｋｇ ｗ／ ｃ ｍ’ 、感光体に対する角度２０″
′）によるクリーニング工程等を有する電子写真複写機
に取り付けて電子写真特性を評価した。
Ｖコロナ帯電、画像露光、乾式トナー現像、普通紙への
トナー転写、ウレタンゴムブレード（高度７０°、圧力
５ｋｇ ｗ／ ｃ ｍ’ 、感光体に対する角度２０″
′）によるクリーニング工程等を有する電子写真複写機
に取り付けて電子写真特性を評価した。
電位を測定すると暗部電位（Ｖｐ）が−７００Ｖで１０
ルツクス・秒の露光を与えた時の電位（■し）は第１表
に示す結果となった。
ルツクス・秒の露光を与えた時の電位（■し）は第１表
に示す結果となった。
比較例１〜４
実施例１のジスアゾ顔料に代えて下記Ａ−Ｄの有機顔料
を用いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感光体を
作成した（Ａ−Ｄに対応して比較例１〜４とする）。
を用いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感光体を
作成した（Ａ−Ｄに対応して比較例１〜４とする）。
電子写真特性の測定結果は第１表に示した。
有機顔料
Ａ β型銅フタロシアニン（大日本インキ化学■製、但
し、水、エタノール、メチルエチルケトンで順次熱 過
して生成した顔ネ４である） 第 １ 表 実施例１（Ｄ １４ｏ １５０ 良 好
実施例２ （８） １３５ １４５
良 好実施例３ （１５） １４０ １５０
良 好実施例４ （２２） ＋４５
１５５ 良 好実施例５ （３１） １４０
１５５ 良 好実施例８ （３８）
＋５０ １６０ 良 好以上のように、比較例
に比べて実施例の電子写真感光体は感度が高く、しかも
、かぶりのない鮮明な画像が得られた。
し、水、エタノール、メチルエチルケトンで順次熱 過
して生成した顔ネ４である） 第 １ 表 実施例１（Ｄ １４ｏ １５０ 良 好
実施例２ （８） １３５ １４５
良 好実施例３ （１５） １４０ １５０
良 好実施例４ （２２） ＋４５
１５５ 良 好実施例５ （３１） １４０
１５５ 良 好実施例８ （３８）
＋５０ １６０ 良 好以上のように、比較例
に比べて実施例の電子写真感光体は感度が高く、しかも
、かぶりのない鮮明な画像が得られた。
実施例７
実施例１のジスアゾＨ料に代え前記例示顔料（４）を用
いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感光体を作成
した。
いた他は実施例１と同様な方法で電子写真感光体を作成
した。
比較例５〜８
実施例７における電荷輸送層の形成の際に用いたポリカ
ーボネートｚｍ脂に代え下記の樹脂を用い、他は実施例
７と同様の方法で電子写真感光体を作成した。
ーボネートｚｍ脂に代え下記の樹脂を用い、他は実施例
７と同様の方法で電子写真感光体を作成した。
これ等の電子写真感光体を用いて、実施例１と同様なプ
ロセスを有する電子写真複写機（但し。
ロセスを有する電子写真複写機（但し。
露光量は７．２ルツクス・秒）により評価を行った。評
価は、初期のＶＤ、■し及び１万枚耐久後のＶｐ、ｖし
さらに１万枚目の画像を見ることにより比較した。結果
を第２表に示した。
価は、初期のＶＤ、■し及び１万枚耐久後のＶｐ、ｖし
さらに１万枚目の画像を見ることにより比較した。結果
を第２表に示した。
第２表
実施例７ ７００ １４０ ８ＦＪＯ［０比較例５
６９０ １５０ ［１＋０ １９０比較例８
８９０ １５０ ８２０ １９０比較例７ ８
４０ ９０ ５２０ １１０比較例８ ８１１
１５ １３（１Ｂｏｏ １４５１万枚目の画像 実施例７ 良 好 比較例５ 薄いかぶり発生 比較例６ 薄いかぶり発生 比較例７ 画像濃度低い 比較例８ 摺擦傷によるかぶり発生以上のように１
万回の耐久性において、特にポリカーボネートＺ樹脂を
使用した本発明の実施例は、感度、電位安定性及び画質
の面で優れていることを証明した。
６９０ １５０ ［１＋０ １９０比較例８
８９０ １５０ ８２０ １９０比較例７ ８
４０ ９０ ５２０ １１０比較例８ ８１１
１５ １３（１Ｂｏｏ １４５１万枚目の画像 実施例７ 良 好 比較例５ 薄いかぶり発生 比較例６ 薄いかぶり発生 比較例７ 画像濃度低い 比較例８ 摺擦傷によるかぶり発生以上のように１
万回の耐久性において、特にポリカーボネートＺ樹脂を
使用した本発明の実施例は、感度、電位安定性及び画質
の面で優れていることを証明した。
比較例９
実施例７における電荷輸送層の形成の際に用いたポリカ
ーボネートＺ樹脂に代えポリカーボネートＡ樹脂（商品
名パンライ）Ｌ−１２５０，帝人化成輛製）を用い、他
は実施例７と同様の方法で電子写真感光体を作成した場
合、電子写真感光体としての特性は、■しで実験誤差程
度のＯ〜１０Ｖの変化であり、大差はなかった。
ーボネートＺ樹脂に代えポリカーボネートＡ樹脂（商品
名パンライ）Ｌ−１２５０，帝人化成輛製）を用い、他
は実施例７と同様の方法で電子写真感光体を作成した場
合、電子写真感光体としての特性は、■しで実験誤差程
度のＯ〜１０Ｖの変化であり、大差はなかった。
し力）シ、ポリカーボネートＡ樹１旨とヒドラソ°ン化
合物の樹脂溶液は、２４時間後において粘度が３〜４倍
に上昇し、４８時間後にはゲル化して流動性が失われた
のに対し、ポリカーポネー）Ｚ樹脂の場合は４８時間後
においても年度変化が全くなく、溶液安定性の面で著し
く優れていた。
合物の樹脂溶液は、２４時間後において粘度が３〜４倍
に上昇し、４８時間後にはゲル化して流動性が失われた
のに対し、ポリカーポネー）Ｚ樹脂の場合は４８時間後
においても年度変化が全くなく、溶液安定性の面で著し
く優れていた。
実施例８
ポリビニルカルバゾール（重量平均分子量６万のもの）
１０部とｍ−ターフェニル２部をモノクロルベンゼン８
０部及び塩化メチレン２０部に溶解した。
１０部とｍ−ターフェニル２部をモノクロルベンゼン８
０部及び塩化メチレン２０部に溶解した。
これを実施例１と同様に形成した下引層上に浸ｆｆｌ塗
布し、１８ル厚の電荷輸送層を設けた。
布し、１８ル厚の電荷輸送層を設けた。
次に前記例示顔料（６）のジスアゾ顔料１０部をポリカ
ーボネートＺ樹脂（奇人化成■製、！ｌ！量平均分子量
１５万のもの）の８％シクロヘキサノン溶液２５０部に
加えサンドミル装量で１０時間分散した。この分散液を
上記電荷輸送唐土にドラムを回転させながらスプレー塗
布した。このようにして３ル厚の電荷発生層を形成した
。
ーボネートＺ樹脂（奇人化成■製、！ｌ！量平均分子量
１５万のもの）の８％シクロヘキサノン溶液２５０部に
加えサンドミル装量で１０時間分散した。この分散液を
上記電荷輸送唐土にドラムを回転させながらスプレー塗
布した。このようにして３ル厚の電荷発生層を形成した
。
この電子写真感光体を実施例１と同様の電子写真複写機
に取り付けて評価した。但し、コロナ帯電は＋５．２Ｋ
Ｖとした。
に取り付けて評価した。但し、コロナ帯電は＋５．２Ｋ
Ｖとした。
結果はＶＤが ７００Ｖ、７．５）Ｌｔ、クスー秒露光
させた場合の■しは１４０Ｖであり、良好な画像を得る
ことができ、実施例７と同等の結果を得ることができた
。
させた場合の■しは１４０Ｖであり、良好な画像を得る
ことができ、実施例７と同等の結果を得ることができた
。
一方、比較例５〜８と同様に樹脂を代えて電子写真感光
体を作成しても、やはり比較例５〜８と同様の結果であ
った。
体を作成しても、やはり比較例５〜８と同様の結果であ
った。
実施例９
実施例１のジスアゾ顔料に代えて前記例示顔料（２）の
ジスアゾ顔料を用いた他は実施例と同様な方法で電子写
真感光体を作成した。
ジスアゾ顔料を用いた他は実施例と同様な方法で電子写
真感光体を作成した。
こうして作成した電子写真感光体に一５ＫＶのコロナ放
電を行った。この時の表面電位を測定した（初期電位Ｖ
ｏ）。
電を行った。この時の表面電位を測定した（初期電位Ｖ
ｏ）。
さらに、この電子写真感光体を５秒間暗所で放置した後
の表面電位（暗減衰Ｖに）を測定した。
の表面電位（暗減衰Ｖに）を測定した。
感度は、暗減衰した後の電位ＶＫをｌ／２に減衰するに
必要な露光量（Ｅｌ／２μＪ／ｃｍ”）を測定すること
によって評価した。
必要な露光量（Ｅｌ／２μＪ／ｃｍ”）を測定すること
によって評価した。
この際、光源としてガリウム／アルミニウム／ヒ素の三
元素半導体レーザー（出力５ ｍ Ｗ 、発振波長７７
８ｎｍ）を用いた。
元素半導体レーザー（出力５ ｍ Ｗ 、発振波長７７
８ｎｍ）を用いた。
この結果は次のとおりであった。
Ｖｏ ： ６７０Ｖ、ＶＫ ： ９８％、Ｅ ｌ／
２ ： １．３ｇＪ／ｃｍ” 次に同上の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター（
商品名ＬＢＰ−ＣＸ、キャノン■製）に上記電子写真感
光体を該ＬＢＰ−ＣＸの感光体に塁き換えてセットし、
実際の画像形成テストを行なった０条件は以下のとおり
である。
２ ： １．３ｇＪ／ｃｍ” 次に同上の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子
写真方式プリンターであるレーザービームプリンター（
商品名ＬＢＰ−ＣＸ、キャノン■製）に上記電子写真感
光体を該ＬＢＰ−ＣＸの感光体に塁き換えてセットし、
実際の画像形成テストを行なった０条件は以下のとおり
である。
−次帯電後の表面電位ニー７００Ｖ、
像露光後の表面電位ニー１５０Ｖ（露光量２ルＪ／ｃｍ
”）、 転写電位：＋７００Ｖ、現像剤極性：負極性、プロセス
スピード： ５０ｍｍ／ｓ ｅ ｃ、現像条件（現像バ
イアス）ニー４５０Ｖ、像露光スキャン方式：イメージ
スキャン、−次帯電前露光：５０ルックス・秒の赤色全
面露光 画像形成は、レーザービームを文字信号及び画像信号に
従ってラインスキャンして行なった。
”）、 転写電位：＋７００Ｖ、現像剤極性：負極性、プロセス
スピード： ５０ｍｍ／ｓ ｅ ｃ、現像条件（現像バ
イアス）ニー４５０Ｖ、像露光スキャン方式：イメージ
スキャン、−次帯電前露光：５０ルックス・秒の赤色全
面露光 画像形成は、レーザービームを文字信号及び画像信号に
従ってラインスキャンして行なった。
１万枚コピーの結果、かぶりのない鮮明な画像が得られ
た。
た。
一方、比較例５〜８と同様に樹脂を代えて作成した電子
写真感光体の画像は１画像濃度が低かったり、かぶりが
発生していたりしており良好な画像が得られなかった。
写真感光体の画像は１画像濃度が低かったり、かぶりが
発生していたりしており良好な画像が得られなかった。
Claims (5)
- （１）下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔料の少な
くとも１種と下記一般式（２）で示されるポリカーボネ
ートＺ樹脂を含有する感光層を有することを特徴とする
電子写真感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 式中、Ａはフェノール性ＯＨ基を有するカップラー残基
を示し、Ｒ＿１、Ｒ＿１′、Ｒ＿２及びＲ＿２′は水素
原子、ハロゲン原子又は置換基を有してもよいアルキル
基、アルコキシ基及びアラルキル基から選ばれる基を示
す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） 式中、ｎは平均重合度を示し、５０〜５０００の範囲で
ある。 - （２）一般式（１）中のＡが、下記一般式（３）乃至（
９）で示されるフェノール性ＯＨ基を有するカップラー
残基から選ばれる特許請求の範囲第１項記載の電子写真
感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） 式中、Ｘはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環又はヘテ
ロ環を形成するに必要な残基を示し、Ｒ＿３及びＲ＿４
は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アラル
キル基、アリール基及びヘテロ環基から選ばれる基、又
はＲ＿３、Ｒ＿４の結合する窒素原子とともに形成する
環状アミノ基を示す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（４） 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） 一般式（４）、（５）中のＲ＿５及びＲ＿６は置換基を
有してもよいアルキル基、アラルキル基及びアリール基
から選ばれる基を示す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（６） 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（７） 一般式（６）及び（７）中のＹは芳香族炭化水素の２価
の基又は窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（８） 式中、Ｒ＿７及びＲ＿８は水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ
環基から選ばれる基、又はＲ＿７、Ｒ＿８の結合する炭
素原子とともに５員あるいは６員環を形成する残基を示
し、この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を有しても
よく、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及びジフェ
ニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環、又はヘ
テロ環を形成するに必要な残基を示す。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（９） 式中、Ｒ＿９及びＲ＿１＿０は水素原子、置換基を有し
てもよいアルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘ
テロ環基から選ばれる基、又はＲ＿９、Ｒ＿１＿０の結
合する炭素原子とともに５員あるいは６員環を形成する
残基を示し、この５員あるいは６員環は縮合芳香族環を
有してもよく、Ｚはベンゼン環と縮合してなるナフタレ
ン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバ
ゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環及
びジフェニレンサルファイド環から選ばれる多環芳香環
、又はヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。 - （３）感光層が一般式（１）のジスアゾ顔料を電荷発生
材とし、電荷輸送材と一般式（２）のポリカーボネート
Ｚ樹脂の中に分散したものである特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の電子写真感光体。 - （４）感光層が一般式（１）のジスアゾ顔料を含む電荷
発生層と電荷輸送材と一般式（２）のポリカーボネート
Ｚ樹脂を含む電荷輸送層を積層したものである特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の電子写真感光体。 - （５）感光層が電荷輸送層の上に一般式（１）のジスア
ゾ顔料と一般式（２）のポリカーボネートＺ樹脂を含む
電荷発生層を積層したものである特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21805585A JPS6278560A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21805585A JPS6278560A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278560A true JPS6278560A (ja) | 1987-04-10 |
| JPH0555033B2 JPH0555033B2 (ja) | 1993-08-16 |
Family
ID=16713942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21805585A Granted JPS6278560A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278560A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57146257A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-09 | Ricoh Co Ltd | Composite electrophotographic receptor |
| JPS5880643A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-14 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5971057A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子写真用感光体 |
| JPS60172044A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21805585A patent/JPS6278560A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57146257A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-09 | Ricoh Co Ltd | Composite electrophotographic receptor |
| JPS5880643A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-14 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5971057A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子写真用感光体 |
| JPS60172044A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555033B2 (ja) | 1993-08-16 |
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