JPS62158316A - 堆積膜形成法 - Google Patents

堆積膜形成法

Info

Publication number
JPS62158316A
JPS62158316A JP60298042A JP29804285A JPS62158316A JP S62158316 A JPS62158316 A JP S62158316A JP 60298042 A JP60298042 A JP 60298042A JP 29804285 A JP29804285 A JP 29804285A JP S62158316 A JPS62158316 A JP S62158316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
material gas
gas
multilayer structure
raw material
structure film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60298042A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH084071B2 (ja
Inventor
Shunichi Ishihara
俊一 石原
Junichi Hanna
純一 半那
Isamu Shimizu
勇 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60298042A priority Critical patent/JPH084071B2/ja
Priority to US06/945,894 priority patent/US4818560A/en
Priority to CA000526329A priority patent/CA1323528C/en
Priority to EP86310161A priority patent/EP0230788B1/en
Priority to DE8686310161T priority patent/DE3677951D1/de
Priority to AU67064/86A priority patent/AU594107B2/en
Publication of JPS62158316A publication Critical patent/JPS62158316A/ja
Publication of JPH084071B2 publication Critical patent/JPH084071B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02447—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半専体デバイス、電子写真用
の感光デバイス、光学的画像入力装置用の光入力センサ
ーデバイス等の電子デバイスなどの用途に有用な多層構
造膜の作製法に関する。
〔従来の技術〕
半導体膜、絶縁膜、光導電膜、磁性膜、金属膜等の非晶
質、多結晶質などの多層構造の堆積膜を用いた素子は、
単層構造の堆積膜には望めない物理的特性や用途を期待
できるため、近年盛んに研究が進められている。特に、
大面積素子という観点から、２種類以上の非晶質層を積
層させた多層構造膜が興味をもたれている。
例えば、非晶質シリコン層と非晶質シリコンカーバイド
層、あるいは非晶質シリコン層と非晶質シリコンゲルマ
ニウム層を交互に積層させた多層構造膜をプラズマＣＶ
Ｄ法や光ＣＶＤ法等法学化学的気相法り作製することが
検討されており、太陽電池やその他のデバイスへの応用
が考えられている。
特に、プラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成は、その反
応機構も不明な点が少なくない等問題点もあるが、生産
性や膜の特性を考えた場合、現在最良の方法であるため
、広く太陽電池、電子写真感光体の製造等に応用されて
いる。しかしながら、堆積膜の形成パラメーターも多く
　（例えば、基体温度、導入ガスの流量と比、形成時の
圧力、高周波電力、電極構造、反応容器の構造、排気の
速度、プラズマ発生方式など）これらの多くのパラメー
ターの組み合せによるため、時にはプラズマが不安定な
状態になり、形成された堆積膜に著しい悪影響を与える
ことが少なくない。
特に、プラズマＣＶＤ法により多層構造膜を形成する場
合、層を変えるたび毎に放電の制御やガス導入の制御を
行なう必要がある。
しかしながら、ガス導入量を大幅に変化させると反応空
間内の圧力が変化するため、放電の状態が不安定となり
、膜の構造や特性に悪影響を与える。従って、従来放電
をオンにしたままガス導入量の制御のみで多層膜を形成
すると、膜の特性が常に良い条件とするのが難しい。
一方、放電の制御、即ち放電をオフさせてガスを入れ換
え、圧力が平衡になった後放電を再オンして堆積膜を形
成する方法は、時間が極めて長くかかり、生産性が悪い
。また、プラズマ放電において、通常、放電をオンさせ
た直後、放電が安定しないため、特性の悪い界面をもっ
た多層膜となる。
〔発明の目的及び概要〕
本発明の目的は、生産性、量産性に優れ、高品質で電気
的、光学的、半導体的等の物理特性に優れた膜が簡単に
得られる多層構造膜の作製法を提供することにある。
上記目的は、化学的気相法により堆積膜を形成するにあ
たり、多流型成分である主体の原料ガス（Ａ）、少流量
成分である客体の原料ガス（Ｂ）並びに外部で活性化さ
れた水素を反応空間に導入し、前記客体の原料ガス（Ｂ
）の導入量を周期的に制御することにより多層構造の堆
積膜を形成せしめることを特徴とする本発明の多層構造
膜の作製法によって達成される。
〔発明の詳細な説明及び実施例〕
上記の本発明の堆積膜形成法によれば、例えばプラズマ
ＣＶＤ法等の化学的気相法により膜特性の良い多層構造
膜が得られると同時に大面積化、膜厚均一性、膜品質の
均一性を十分満足させて管理の簡素化と量産化を図り、
量産装置に多大な設備投資も必要とせず、またその量産
の為の管理項目も明確になり、管理許容幅も広く、装置
の調整も簡単になる。
本発明の多層構造膜の作製法によれば、例えば物性の異
なる２種類の層を交互に積層させた多層膜等２種類以上
の層で構成される多層構造膜を容易且つ迅速に作製する
ことができる。また、夫々の層も、例えば１０Å〜２０
０人といった極めて薄い層として多層構造膜を作製する
ことができる。
前記多流型成分である主体の原料ガス（Ａ）の反応空間
への導入量ａに対する少流量成分である容体の原料ガス
（１３）の反応空間への導入Ｈｂは、１／２ａ以下、更
にはｌ／ｌｏ　ａ以下とされるのが望ましい。
主体の原料ガス（Ａ）は、多層構造を形成する例えば物
性の異なる２つの層にともに含まれる元素よりなるガス
で構成することができ、かつ反応性が客体の原料ガス（
Ｂ）に比べ著しく小さいため、客体の原料ガス（Ｂ）に
比べ、極めて多量反応空間内に導入しなくてはいけない
様なガスで構成することができる。
また客体の原料ガス（Ｂ）は、多層構造を形成する例え
ば物性の異なる２つの層のうち片方の層のみに含まれる
元素よりなるガスで構成すること赤でき、かつ反応性が
主体の原料ガス（Ａ）に比べ著しく大きいため主体の原
料ガス（Ａ）より少量のガスの導入で良いガスで構成す
ることができる。
このような２種類のガスで多層構造膜を作ろうとすると
、ＡとＢとの元素を含む膜を成膜するときには、主体の
原料ガス（Ａ）を多量に、客体の原料ガス（Ｂ）を少量
に導入してもグロー放電分解の結果はぼ均等に近い元素
比のＡとＢの元素よりなる膜が得られる。
次にＡのみの元素よりなる膜を成膜しようとし、客体の
原料ガス（Ｂ）の反応空間への導入を停止しても、反応
チャンバー内の圧力変化は極めて小さい。
具体的にＳｉ元素を中心とした多層構造膜、例えばａ−
５ｉとａ−５ｉＧｅとの多層構造膜、あるいはａ−５ｉ
とａ−３ｉＣとの多層構造膜を作る場合を考えると、主
体となる原料ガス（Ａ）としてはＳ　ｉ　Ｆ　４　＋　
Ｓ　ｉ　Ｃ１４１ＳｉＦ２Ｃ１ｚ等のケイ素の化合物等
が挙げられる。また客体となる原料ガス（Ｂ）としては
、ＧｅＦ４．ＧｅＦｚＣ１ｚ＋ＧｅＣｌ　ａ等のゲルマ
ニウムの化合物、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６ＣＣｌ４等の炭素の
化合物が挙げられる。
例えば、ＳｉＦ４とＧｅＦ４よりａ−ＳｉＧｅ膜を作製
する場合、多層構造膜に求められる物性によって異なる
が、通常ＳｉＦ４とＧｅＦ４の比は１０：１、即ち１０
以上、より望ましくは１００：　ｌ　、即ち１００以上
になる様に反応空間に導入する。
ところで、ハロゲン化ケイ素系の原料ガスを使用する場
合、それ自体では殆ど成膜する能力がない為、通常は水
素ガスを導入しグロー放電で分解して生成する水素の活
性種とハロゲン化ケイ素の活性種との反応により堆積膜
形成能力を高めなければならない。
また、形成される膜の質は、プラズマ中の水素の活性種
及びハロゲン化ケイ素の活性種の量に依存する。導入す
る水素ガスの量は通常ＳｉＦ４の流量の１／４〜１の限
られた範囲にされる。
また、５ｉＦａと水素とを混合してグロー放電で分解す
る場合、ＳｉＦ４からの活性種を水素の活性種との混合
比を任意に変えようとしてグロー放電によってＳｉＦ４
と水素が共に分解されるため、プラズマ中の活性種の混
合比を自由にセットすることは難しい。
このため、本発明においては、反応空間に水素ガスの代
わりに水素の活性種を導入することにより、該活性種の
量を制御することにした。
この様にすることにより、水素の活性種の流量を例えば
ＳｉＦ４の流量の０．０１〜６６％の間で変えても、何
れの混合比でも成膜が行なえる。膜の特性は、導入する
水素の活性種の量によって調整することができる。
第１図は本発明の多層構造の堆積膜形成法を具現するに
好適な装置の１例を示すものであ為。
１０１は主体となる原料ガスの導入口であり、１０２は
客体となる原料ガスの導入口である。
１０３は三方コックの電磁弁で反応チャンバーｌＯＯ内
につながっているガス導入管１０４あるいは排気装置１
０６につながっているガス排出管１０５に接続される。
１０７はＲＦ電源１　ｊｌにつながった電極で、下の電
極１０８との間にグロー放電プラズマが起こせる構造に
なっている。
１０９は基板である。１）０は反応チャンバーを排気す
るための真空排気装置である。
また１）２は■２の導入口で、石英管でできた反応管１
）３につながっている。反応管１）３は、マイクロ波の
空洞１）４の中にいれられ、マイクロ波電力を空洞１）
４に印加することにより、プラズマが起こり、反応管１
）３内で！１□分子は活性化されたＨ原子に分解される
。分解されたＨ原子は、反応チャンバー１００に導入さ
れる。
以下実施例にもとづき本発明を具体的に説明する。
〔実施例１〕 第１図に示した堆積膜形成装置を用いてａ−ＳｉＧｅ：
ＩＩ（Ｆ）膜とａ−３ｉ：Ｈ（Ｆ）膜の多層構造膜を有
する読み取りセンサーを形成した。ガス導入管１０１を
通して、主体の原料ガスとして５ｉＦｉ及びｌｌｚガス
をチャンバー１００内に導入した。また、ガス導入管１
０２を通して、客体の原料ガスとしてＧｅＦ　ａガスも
チャンバー１００内に導入した。ガス導入管１０２には
、三方弁のついた電磁弁１０３が接続されており、電気
信号によりガス導入管１０２がガス導入管１０４に接続
されるか、あるいはガス排出管１０５に接続されるか選
択的に切り換えられるようになっている。また、ガス導
入管１）２より水素ガスを反応管１）３に導入し、マイ
クロ波電力をマイクロ波空洞１）４に印加し、反応管１
）３中にプラズマを生起させ、生成した水素原子ラジカ
ルを反応チャンバー内に導入した。
ガス排出管１０５は真空排気装置１０６に接続されてい
る。
このような装置構成により、つねに一定流量のＧｅＦ４
ガスが電気信号によって断続的にチャンバー内に導入さ
れる。導入されたガスは、電極１０７と電極１０８とに
印加された１３．５６Ｍｔｌｚの高周波電力により、グ
ロー放電分解され、発生したラジカルとＨ原子との化学
反応により、ａ−ＳｉＧｅ：Ｉｆ（Ｆ）とａ−５ｉ：Ｉ
ｔ（Ｆ）との多層構造膜がガラス基板（コーニング７０
５９）上に堆積される。
成膜に寄与しなかったガスは、真空排気装置１）０によ
り、チャンバー外に排気される。
以下読み取りセンサー内のａ−ＳｉＧｅ：Ｉｆ（Ｆ）膜
と、ａ−３ｉ：ＩＩ（Ｆ）膜との多層構造よりなる読み
取りセンサーの作製方法について記述する。
ＳｉＦ４ガスを３９．７３ｓｅｃＩ１）をガス導入管１
０１よりＧｅＦ　ａガスを０．４ｓｅｃｍガス導入管１
０２よりチャンバー内に導入した。ガス導入管１）２よ
り１）□ガスＱ、６ｓｃｃｍ　、　ｌｉｅガスｌＱｓｃ
ｃｍを反応管１）３に導入し、３００Ｗのマイクロ波電
力をマイクロ波空洞１）４に印加した。その結果反応管
内にプラズマが起きた。
基板としてはコーニング７０５９ガラスを用いた。
ガラス基板温度は３００℃に設定した。
このときチャンバー内の圧力は、３００ｍ　ｔｏｒｒで
、ＧｅＦ、を流すときと流さないときの差は２ｍｔｏｒ
ｒ以内であった。この状態で１３．５６ＭＨ＊の高周波
電力を３０Ｗ印加した。（電力密度Ｉ　Ｗ／ｃＪ１）　
、　ＧｅＦ４の流れをオン・オフさせても、放電状態に
は、はとんど変化がみられなかった。
この状態で３０秒ごとにＧｅＦａの導入管上にある三方
弁を切り換えた。約２００回の三方弁のオン・オフの繰
り返しの後、放電をとめ、ガスをとめ、基板を室温まで
冷却し反応チャンバーよりとりだし別の真空蒸着装置で
ＡＩのくし形電極（ギャップ長２００μｍ）をつけた後
、試料を真空クライオスタンド中にいれ暗導電率（σｄ
）、及び６００ｎｍ、０．３ｍＷ／ｃｕｌの光照射時の
導電率σｐを測定した。なお膜厚は１．２μｍであった
。
得られた値は σｄ　＝　５　Ｘ　１０−”　Ｓ／ｃｍσＩ）　＝　４
　Ｘ　１０−６Ｓ／ｃｍと、極めてσｐ／σｄ比の良い
光センサーが得られた。
〔実施例２〕 第１図に示した装置を用い、１０００人のＩＴＯ膜を堆
積したガラス基板上にＰＩＮ構造の光ダイオードを作製
した。基板をセントした後、基板温度を２５０℃に保っ
た。まずガス導入管１０１を通して、主体の原料ガスと
して３０００ｐｐｍのＢ２Ｈ４を添加したＳｉＦ４ガス
を３５ｓｅｃｍ、チャンバー１００内に導入した。
またガス導入管１０２を通して客体の原料ガスとしてＣ
ＺＦ＆ガス５　ｓｃｃｍもチャンバー１００内に導入し
た。同時に１）□ガス１３Ｃ（ｊｌｌｌ　ｌｌｅガスｌ
Ｑｓｃｃｍをガス導入管１）２より反応管１）３に導入
し、３００　Ｗのマイクロ波を印加した。ＲＦ電源より
３０Ｗの高周波電力を電極１０７に印加し、プラズマを
たてガス導入管１０２に接続している三方弁をオンを５
０秒オフを２５秒で３回くりかえした。その結果約５０
人厚のａ−３ｉｃ層と約５０人厚のａ−Ｓｉ層との多層
膜のＰ型の膜が約３００人形成された。その後ＣＺＰ＆
ガスをＧｅＦ　ａガスにいれかえた後、実施例１に記載
したのと同じ条件でドーピングしていないａ−３ｉＧｅ
層とａ−３ｉ層との多層膜を約９０００人形成した。そ
の後、ＧｅＦ、のガスの流れをとめた後、ガス導入管１
０１より３０００ｐｐｍのＰ１）３を添加したＳｉＦ４
ガスを４９ｓｅｃｍをチャンバー内に導入し、Ｈ２ガス
を０．６ＳＣＣ１ｌ１％　ｌｌｅＨｅガス０１０５ｅガ
ス導入管１）２より導入し、３００Ｗのマイクロ波を印
加し、反応管１）３内にプラズマをたてた後、３０Ｗの
高周波電力を５分間印加し、約３００人のＮ型のａ−３
ｉ膜をその上に成膜した。ガスを十分に排気した後、基
板が室温にもどってから、その上にφｌＱｍｍのＡＩ電
極を蒸着した。
その結果ガラス基板／ＩＴＯ膜／Ｐ型ａ−５ｉＣ及びａ
−Ｓｉの多層膜／ドーピングしていないａ−５ｉＧｅ及
びａ−Ｓｉの多層膜／ｎ型ａ−３ｉ膜／及び＾ｌとなる
ＰＩＮ構造の光ダイオードが形成された。ＡＭ−１，１
００ｍＷ／ｃ＋Ｊの光を照射し、太陽電池特性を測定し
たところ、開放電圧　　　　１．０■ 短絡電流　　　１６ｍＡ／ｃａｌ で変換効率９．８％の良好な値を得た。
〔実施例３〕 Ａｔ基板の上に表１の手順でＡ１基板／Ｐ型ａ−５ｉ層
／ａ−５ｉＧｅとａ−５ｉとの多層膜／ａ−ＳｉＣとａ
−５ｉの多層膜より電子写真感光体を成膜した。
５ｉＦａガス、　ＩＩ　！ガスは導入管１０１より、Ｇ
ｅＦ４．ＣｚＦｉ。
はガス導入管１０２より導入し、三方弁でガスの反応チ
ャンバーへの導入を制御した。
ガス及びＨｅガスはガス導入管１）２より４人し、３０
０Ｗのマイクロ波電力を印加し、反応管１）３中にプラ
ズマを起こし、活性化したＨ電子をつくり、反応チャン
バー１２０に導入した。
その他の成膜条件は、 内　　　圧　　３０　Ｃ１ｍ　　ｔｏｒｒ基板温度　２
５０℃ この電子写真感光体にｅのコロナ帯電を０．２秒したと
ころ、受容電位３８０ｖを得た。
その後７８８ｎｍ、　２μＪの光強度の半導体レーザー
光で露光したところ、３０Ｖになった。
Ｃ発明の効果〕 本発明の多層構造膜の作製法によれば、特性の著しい向
上がはかれる。また、本発明の方法は製造条件のコント
ロールの制御及びプロセスが容易であり、量産化に適し
ている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の多層構造膜の作製法を実施するための
装置の１例を示す模式的説明図である。 １０１・・・主体の原料ガスの４入管、１０２・・・客
体の原料ガスの導入管、１０３・・・三方弁、１０４・
・・ガスの導入管、１０５・・・ガスの排出管、１０６
・・・排気装置、１０７，１０８・・・電極、１０９・
・・基板、１００・・・反応チャンバー、１）０・・・
真空排気装置、１）１・・・高周波電源、１）２・・・
水素ガス導入管、１）３・・・反応管、１）４・・・マ
イクロ波空洞。 代理人　弁理士　　山　下　穣　平 図面の浄書ぐ内容（こ変更なし） 手続補正書 昭和６１年　２月２７日 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 １　、　＠件の表示 特願昭６０−２９８０４２号 ２、発明の名称 多層構造膜の作製法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　　（１００）キャノン株式会社４、代理人 住所　東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル図面の浄書及び委任状 ６、補正の内容 別紙の通り　　　　　　　　　　　　　　　、′ｃ１゜
・〜１５．ｒ　　Ｉ′へ、− 手続補正書 昭和６１年　３月　４日 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 １、　事件の表示 特願昭６０−２９８０４２号 ２、　発明の名称 多層構造膜の作製法 ３、　補正をする者 １ＪＳ件との関係　　　特許出願人 名　　称　（１００）キャノン株式会社４、代理人 住所　東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４ｏ森
ビル明細書 ６、　補正の内容 明細書の節書を別紙の通り補正する。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）化学的気相法により堆積膜を形成するにあたり、
    多流量成分である主体の原料ガス（Ａ）と少流量成分で
    ある客体の原料ガス（Ｂ）並びに外部で活性化された水
    素を反応空間に導入し、前記客体の原料ガス（Ｂ）の導
    入量を周期的に制御することにより多層構造の堆積膜を
    形成せしめることを特徴とする多層構造膜の作製法。
  2. （２）多層構造膜の夫々の層の層厚が１０Å〜２００Å
    の範囲にある特許請求の範囲第（１）項記載の多層構造
    膜の作製法。
  3. （３）主体の原料ガス（Ａ）の導入量ａに対し、客体の
    原料ガス（Ｂ）の導入量ｂを１／２ａ以下とする特許請
    求の範囲第（１）項記載の多層構造膜の作製法。
  4. （４）主体の原料ガス（Ａ）としてケイ素の化合物を用
    いる特許請求の範囲第（１）項記載の多層構造膜の作製
    法。
  5. （５）客体の原料ガス（Ｂ）としてゲルマニウムの化合
    物を用いる特許請求の範囲第（４）項記載の多層構造膜
    の作製法。
  6. （６）客体の原料ガス（Ｂ）として炭素の化合物を用い
    る特許請求の範囲第（４）項又は第（５）項記載の多層
    構造膜の作製法。
  7. （７）主体の原料ガス（Ａ）に水素ガスを含める特許請
    求の範囲第（４）項乃至第（６）項のうちの１に記載の
    多層構造膜の作製法。
  8. （８）客体の原料ガス（Ｂ）に水素ガスを含める特許請
    求の範囲第（４）項乃至第（６）項のうちの１に記載の
    多層構造膜の作製法。
JP60298042A 1985-12-28 1985-12-28 堆積膜形成法 Expired - Lifetime JPH084071B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60298042A JPH084071B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 堆積膜形成法
US06/945,894 US4818560A (en) 1985-12-28 1986-12-24 Method for preparation of multi-layer structure film
CA000526329A CA1323528C (en) 1985-12-28 1986-12-24 Method for preparation of multi-layer structure film
EP86310161A EP0230788B1 (en) 1985-12-28 1986-12-24 Method for preparation of multi-layer structure film
DE8686310161T DE3677951D1 (de) 1985-12-28 1986-12-24 Verfahren zur herstellung eines vielschichtigen strukturierten films.
AU67064/86A AU594107B2 (en) 1985-12-28 1986-12-30 Method for preparation of multi-layer structure film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60298042A JPH084071B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 堆積膜形成法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62158316A true JPS62158316A (ja) 1987-07-14
JPH084071B2 JPH084071B2 (ja) 1996-01-17

Family

ID=17854368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60298042A Expired - Lifetime JPH084071B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 堆積膜形成法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4818560A (ja)
EP (1) EP0230788B1 (ja)
JP (1) JPH084071B2 (ja)
AU (1) AU594107B2 (ja)
CA (1) CA1323528C (ja)
DE (1) DE3677951D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013513238A (ja) * 2009-12-03 2013-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高移動度のモノリシックｐｉｎダイオード

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2185758B (en) * 1985-12-28 1990-09-05 Canon Kk Method for forming deposited film
US5126169A (en) * 1986-08-28 1992-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a deposited film from two mutually reactive active species
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
KR890003983A (ko) * 1987-08-27 1989-04-19 엔.라이스 머레트 종래의 cvd 반응로를 사용한 스트레인층 초격자의 연속 화학 증착 성장 방법
US4908330A (en) * 1988-02-01 1990-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process
KR920000801B1 (ko) * 1988-02-04 1992-01-23 이데미쯔세끼유가가꾸 가부시기가이샤 다이아몬드박막부착 초경합금의 제조방법
FR2631346B1 (fr) * 1988-05-11 1994-05-20 Air Liquide Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications
US4883686A (en) * 1988-05-26 1989-11-28 Energy Conversion Devices, Inc. Method for the high rate plasma deposition of high quality material
KR940003787B1 (ko) * 1988-09-14 1994-05-03 후지쓰 가부시끼가이샤 박막 형성장치 및 방법
DE69012727T2 (de) * 1989-03-31 1995-02-09 Canon Kk Verfahren zur herstellung eines polykristallinen filmes mittels chemischen dampfniederschlags.
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
JPH086181B2 (ja) * 1992-11-30 1996-01-24 日本電気株式会社 化学気相成長法および化学気相成長装置
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5975912A (en) * 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
US5628829A (en) * 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
AU1745695A (en) * 1994-06-03 1996-01-04 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
US6602796B2 (en) 1998-09-03 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition for smooth metal films
WO2000054328A1 (fr) * 1999-03-09 2000-09-14 Tokyo Electron Limited Systeme de fabrication de dispositif semi-conducteur
US20020144655A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Chiang Tony P. Gas valve system for a reactor
GB0309932D0 (en) * 2003-04-30 2003-06-04 Boc Group Plc Apparatus and method for forming a plasma
US7879696B2 (en) * 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
US20090301551A1 (en) * 2008-05-14 2009-12-10 Energy Photovoltaics, Inc. Silicon Film Deposition Method Utilizing a Silent Electric Discharge and an Active Species
JP6011066B2 (ja) * 2012-06-28 2016-10-19 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
CN112928183B (zh) * 2021-01-22 2022-07-05 徐州中辉光伏科技有限公司 一种晶硅电池背面n层膜贴合设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5772317A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of covering film

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3473978A (en) * 1967-04-24 1969-10-21 Motorola Inc Epitaxial growth of germanium
US3916034A (en) * 1971-05-21 1975-10-28 Hitachi Ltd Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target
US3825439A (en) * 1972-08-16 1974-07-23 Corning Glass Works Method for forming amorphous semiconductors
US3961997A (en) * 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
DE2538300B2 (de) * 1975-08-28 1977-06-30 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Verfahren zur herstellung einer solarabsorberschicht
US4084024A (en) * 1975-11-10 1978-04-11 J. C. Schumacher Co. Process for the production of silicon of high purity
FR2419585A1 (fr) * 1978-03-07 1979-10-05 Thomson Csf Procede d'obtention en phase gazeuse d'une couche epitaxiale de phosphure d'indium, et appareil d'application de ce procede
US4217374A (en) * 1978-03-08 1980-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors
US4471042A (en) * 1978-05-04 1984-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium
GB2038086A (en) * 1978-12-19 1980-07-16 Standard Telephones Cables Ltd Amorphous semiconductor devices
JPS6029295B2 (ja) * 1979-08-16 1985-07-10 舜平 山崎 非単結晶被膜形成法
US4282267A (en) * 1979-09-20 1981-08-04 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for generating plasmas
JPS56133884A (en) * 1980-03-24 1981-10-20 Hitachi Ltd Manufacture of photoelectric transducer
JPS5710920A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Canon Inc Film forming process
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
JPS5766625A (en) * 1980-10-11 1982-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of film
JPS5842126B2 (ja) * 1980-10-31 1983-09-17 鐘淵化学工業株式会社 アモルファスシリコンの製造方法
US4419381A (en) * 1982-01-12 1983-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making magnetic material layer
JPS57149465A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Canon Inc Formation of accumulated film
US4468443A (en) * 1981-03-12 1984-08-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photoconductive member from gaseous silicon compounds
US4564997A (en) * 1981-04-21 1986-01-21 Nippon-Telegraph And Telephone Public Corporation Semiconductor device and manufacturing process thereof
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
JPS5833829A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Toshiba Corp 薄膜形成装置
US4434188A (en) * 1981-12-17 1984-02-28 National Institute For Researches In Inorganic Materials Method for synthesizing diamond
DE3205345A1 (de) * 1982-02-15 1983-09-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"
US4439463A (en) * 1982-02-18 1984-03-27 Atlantic Richfield Company Plasma assisted deposition system
US4485125A (en) * 1982-03-19 1984-11-27 Energy Conversion Devices, Inc. Method for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US4466992A (en) * 1982-05-28 1984-08-21 Phillips Petroleum Company Healing pinhole defects in amorphous silicon films
US4615905A (en) * 1982-09-24 1986-10-07 Sovonics Solar Systems, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
US4664937A (en) * 1982-09-24 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4517223A (en) * 1982-09-24 1985-05-14 Sovonics Solar Systems Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
JPS5960814A (ja) * 1982-09-29 1984-04-06 株式会社日立製作所 酸化リチウム系非晶質イオン導電体
JPS5969142A (ja) * 1982-10-13 1984-04-19 Toshiba Corp 膜形成方法及び膜形成装置
US4521447A (en) * 1982-10-18 1985-06-04 Sovonics Solar Systems Method and apparatus for making layered amorphous semiconductor alloys using microwave energy
US4582560A (en) * 1982-12-06 1986-04-15 Sri International In situ production of silicon crystals on substrate for use in solar cell construction
JPS59159167A (ja) * 1983-03-01 1984-09-08 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の形成方法
JPS59199035A (ja) * 1983-04-26 1984-11-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜生成装置
JPS6026664A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Canon Inc アモルフアスシリコン堆積膜形成法
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4637938A (en) * 1983-08-19 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of using selective optical excitation in deposition processes and the detection of new compositions
US4569697A (en) * 1983-08-26 1986-02-11 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming photovoltaic quality amorphous alloys by passivating defect states
US4567127A (en) * 1983-09-07 1986-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member comprising a hydrogenated or halogenated amorphous silicon and geranium layer
JPS6063374A (ja) * 1983-09-14 1985-04-11 Canon Inc 気相法堆積膜製造装置
CA1245109A (en) * 1983-10-31 1988-11-22 Hsien-Kun Chu Method of forming amorphous polymeric halosilane films and products produced therefrom
US4546008A (en) * 1983-11-07 1985-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposition film
FR2555206B1 (fr) * 1983-11-22 1986-05-09 Thomson Csf Procede de depot de silicium amorphe par decomposition thermique a basse temperature et dispositif de mise en oeuvre du procede
JPS60154521A (ja) * 1984-01-23 1985-08-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭化珪素被膜作製方法
US4544423A (en) * 1984-02-10 1985-10-01 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Amorphous silicon semiconductor and process for same
JPS60200523A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Agency Of Ind Science & Technol シリコン薄膜の製造法
US4683145A (en) * 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposited film
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
JPH07101751B2 (ja) * 1985-03-28 1995-11-01 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPH0682670A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Canon Inc ズーム機構

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5772317A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of covering film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013513238A (ja) * 2009-12-03 2013-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高移動度のモノリシックｐｉｎダイオード

Also Published As

Publication number Publication date
EP0230788B1 (en) 1991-03-06
AU594107B2 (en) 1990-03-01
JPH084071B2 (ja) 1996-01-17
CA1323528C (en) 1993-10-26
US4818560A (en) 1989-04-04
AU6706486A (en) 1987-07-02
EP0230788A1 (en) 1987-08-05
DE3677951D1 (de) 1991-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62158316A (ja) 堆積膜形成法
JPH01296611A (ja) 半導体薄膜堆積法
US4292343A (en) Method of manufacturing semiconductor bodies composed of amorphous silicon
JPH02155225A (ja) 非晶質半導体薄膜の形成方法
JPS61222121A (ja) 機能性堆積膜及びその製造法と製造装置
JPS6240717A (ja) 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JPS62158870A (ja) 多層構造膜の作製法
JPS62151572A (ja) 堆積膜形成法
JPS62240768A (ja) 堆積膜形成法
JPH0273979A (ja) 薄膜形成法
JPS61281872A (ja) 非晶質シリコンゲルマニウム膜の形成方法
JPS62163314A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法
JPS62151571A (ja) 堆積膜形成装置
JPS61189625A (ja) 堆積膜形成法
JPS61222116A (ja) 堆積膜形成法
JPS6357776A (ja) 堆積膜形成法
JPH03229871A (ja) 絶縁膜の製造方法及びこの絶縁膜を使用する半導体装置の製造方法
JPS61102027A (ja) 堆積膜形成法
JPS61220322A (ja) 堆積膜形成法
JPS62203329A (ja) 化学気相成長法による堆積膜形成装置
JPS6188521A (ja) 堆積膜形成法
JPS62243766A (ja) 堆積膜形成法
JPS61190922A (ja) 堆積膜形成法
JPS62151570A (ja) 堆積膜形成装置
JPS61228613A (ja) 堆積膜形成法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term