JPS61224357A - 電荷転送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体物体（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｂ
ｏｄｙ）を具える電荷転送装置に関するものであって、
その表面において出力段に対して情報を離散的電荷パケ
ット（ｃｈａｒｇｅ　ｐａｃｋｅｔ）の形で蓄積しかつ
転送するために電荷転送チャネルが規定され、それは電
荷パケットを一時的に蓄積しかつ読取るためのゾーンと
、読取り電荷パケットを排出しくｄｒａｉｎｉｎｇ）か
つ次の電荷パケットを蓄積しかつ読取るための上記のゾ
ーンを準備するリセット・トランジスタを形成する絶縁
ゲート電界効果トランジスタを有し、このトランジスタ
は上記のゾーンに結合されたソース領域、間欠的にトラ
ンジスタを導通にしたり非導通にするクロック電圧源に
接続された絶縁ゲートおよび適当なドレイン電圧を印加
する手段に接続されているドレイン領域を具えている。

その様な装置は既知であり、なかんずくシー・エッチ・
セキン（Ｃ，Ｈ，５ｅｑｕ　ｉｎ）とエム・エフ・トム
プセット（Ｍ、　Ｆ、Ｔｏｍｐｓｅｔｔ）の［電荷転送
装置（ＣｈａｒｇｅＴｒａｎｓｆｅｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ
）　Ｊ　、アカデミツクブレス社（Ａｃａｄｅｍｉｃ　
Ｐｒｅｓｓ　Ｉｎｃ、）　、１９７５年、第３．１４ｂ
図、頁５３および関連する記述から既知である。本発明
はｎチャネル表面装置（ｎ−ｃｈａｎｎｅｌ　５ｕｒｆ
ａｃｅ　ｄｅｖｉｃｅ）を引用した以下の記述で説明さ
れようが、しかし本発明はまたｐチャネル装置および埋
込みチャネルタイプの装置にも使えることは評価されよ
う。

一般にその様な電荷転送装置はｐ形シリコン基板を具え
、これはその表面にクロック電極システムを持ち、それ
は薄い絶縁層によって半導体材料から分離されている。

適当なりロック電圧がクロック電極に印加されると、よ
く知られた様に電子によって構成された電荷パケットは
電荷転送チャネルを通って読取りゾーンに流れる。この
ゾーンはクロック電極の行の端部で半導体物体に拡散か
注入によって与えられた１１表面ゾーンで構成されてい
る。電荷パケット、がゾーン中に蓄積されると、これは
また半導体物体中に集積された増幅器によって検出でき
る電圧変化を導く。かべして各電荷パケットは非破壊（
ｎｏｎ−ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖｅ）形態で読出される。

リセット・トランジスタは新しい電荷パケットが供給さ
れる前にｎ“ゾーンに適当な正電位では印加するのに役
立っている。この電位は充分に正であるべきであるから
、最大電荷バラケトをｎ＋ゾーンに完全に蓄積できる。

この目的で、リセット・トランジスタのドレインに、利
用できる最高電圧、すなわち一般に＋５■になる供給電
圧ｖｎｏで印加するのが通例である。もし一般にこのリ
セット・トランジスタがエンハンスメント型、すなわち
トランジスタを導通させるために０■以上の正の電圧が
ゲート電極に必要とされるタイプのものであるなら、５
■以上のゲート電圧がリセット・トランジスタのソース
を構成するｎ゛読取ゾーンを５■の供給電圧にリセット
するのに必要とされる。ゲート電圧に対する特定の値は
８■である。供給電圧はたった５■であるから、例えば
電荷ポンプ（ｃｈａｒｇｅ　ｐｕｍｐ）の様な分離回路
がこの高いゲート電圧に対して必要とされる。

もし空乏型（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ　ｔｙｐｅ）のリセッ
ト・トランジスタ、すなわちゲート電極において０■で
既に導通しているトランジスタを使用することが可能で
あるなら、リセット・トランジスタは供給電圧に等しい
クロック電圧で動作できる。しかし、たとえ負電圧がゲ
ート電極に印加されていても、これ等のトランジスタは
しばしばソース領域とドレイン領域の間に充分な絶縁を
与えないことが見出されている。このことは次の様に説
明されよう。

すなわち、トランジスタを非導通にするために、負電圧
がゲート電極に印加されねばらなず、これは非常に大き
いので、すべての電子はソースとドレインの間で打込み
ｎ型チャネルから移動されている。しかしながら、ｎ型
チャネル領域が完全に空乏化される前に、ホールの累積
が表面で起こることは可能である。もしゲート電極にふ
ける電圧が更に減少すると、このことは打込みチャネル
の非空乏部分に最早や影響を及ぼさず、その結果、漏洩
通路がソースとドレインの間に残留する。１ｎＡと言う
非常に小さい漏洩電流によって既に１０％の電荷の損失
が起こるので、リセット・トランジスタとして空乏型の
電界効果トランジスタを使用することは実際上除外され
ている。

本発明はとりわけエンハンスメント型の電界効果トラン
ジスタを使いながら、高いゲート電圧を避けることをそ
の目的としている。本発明はとりわけ次の様な事実の認
識をもとにしており、それは、リセット・トランジスタ
のゲート電極がリセット・トランジスタのドレインにお
ける電位を供給電圧より低い値に減少することによって
供給電圧に等しい電圧でクロックされ得ることである。

本発明による電荷転送装置は、上記の手段が今後補助ト
ランジスタとして名付けられる第２の絶縁ゲート電界効
果トランジスタを具え、そのゲートとドレインは固定電
圧ｖ１、更に特定すれば供給電圧で印加でき、かつその
ソースがリセット・トランジスタのドレイン領域および
補助トランジスタを通って電流を流す電流供給手段に接
続されること、およびリセット・トランジスタのゲート
がクロック電圧源に接続され、それによってリセット・
トランジスタの導通状態において、電圧ｖ１がまたリセ
ット・トランジスタのゲートに印加されていることを特
徴としている。

補助電界効果トランジスタのソースの電圧は減少したリ
セット電圧を持ち、これはリセット・トランジスタのド
レインに印加されている。補助トランジスタが供給電圧
に等しいゲート電圧で導通されているから、リセット・
トランジスタはまた供給電圧に等しいゲート電圧で導通
されよう。好ましいは、リセット・トランジスタと補助
トランジスタのチャネル領域は少なくとも実際上等しい
しきい値電圧を得るために少なくとも実際上同じ寸法を
持っている。

ここで述べられたタイプの電荷転送装置において、出力
段とクロック電極の間に一般にブロッキング・ゲートが
配列され、これは動作の間に固定電圧で印加されかつ読
取りゾーンに対するクロック電圧の漏話を避けるのに役
立っている。このゾーンに印加された電圧は、この電極
の下で、一方では電荷を最終クロック電極の下から読取
りゾーンに転送するのに充分低く、他方では最大電荷パ
ケットが読取りゾーンに完全に蓄積できるほどそれだけ
高く、かつブロッキング・ゲートの下に部分的に蓄積さ
れない電位バリアが誘起される様なものでなくてはなら
ない。適当な高さの電位バリアがブロッキング・ゲート
の下で、ドレインにおいて（従ってソースにおいて）減
少した電圧でまた得られる様な好ましい実施例は、電荷
転送チャネルの上で、電荷転送方向に眺めて、出力段の
上記のゾーンの前に絶縁ゲートが配列され、この絶縁ゲ
ートは補助電界効果トランジスタのソースに接続されて
いることを特徴としている。

本発明は具体例により、いくつかの実施例と図面を参照
して更に詳しく説明されよう。

第１図は、本発明による電荷転送装置の一部分、すなわ
ち、出力段と出力段の前の最後の２つのクロック電極を
構成する部分を線図的に示している。

この装置は通常の厚さと組成を有するｐ型シリコン物体
１で与えられ、そこには電荷転送チャネル５が規定され
ている。物体１はその表面に電極システムが備えられ、
その電極システムは例えば２酸化シリコンおよび／また
は窒化シリコンの様な絶縁層（示されていない）によっ
て表面２から絶縁されている。電極システムについては
、最後の２つのクロック電極３と４が示されており、こ
れはそれぞれ蓄積部分３ａおよび４ａと、転送部分３ｂ
および４ｂそれぞれを具えている。蓄積部分３ａ、　４
ａより僅かばかり厚い酸化層を備える転送部分３ｂ、　
４ｂは、半導体物体中に電位バリアを誘起し、従ってよ
く知られた様に装置が２相表面ＣＣＤとして動作するの
に役立っている。電極３はクロック電圧φ２によって制
御され、一方、電極４はクロック電圧φ１によって制御
されている。もちろん本発明はこのケースに限られてお
らず、３相あるいは４相あるくいは多相ＣＣＤ、　ＢＢ
Ｄあるいは埋込むチャネル型のＣＣ口にもまた使用され
よう。更に、クロック電極３と４の外に、装置は電極３
と４の前面の行に配列されている多数の別のクロック電
極から構成されることも明らかであろう。

最終クロック電−の後にｎ゛ゾーンフ有する出力段が位
置し、そこでは転送された電荷（電子パケット）が読出
されるために一時的に蓄積できる。この目的で、ｎ＋ゾ
ーンは線図的に示された接続８を経由して出力増幅器９
に接続され、この増幅器は１例として、本実施例では電
界効果トランジスタ１０を具えるソース・フォロアによ
って構成されている。このトランジスタのゲートは導体
８を経由してｎ＋ゾーン７に接続されている。トランジ
スタ１０のドレインは供給電圧ｖＤＤに接続されている
。ソースは抵抗１１を経由してアースに接続されている
。出力端子１２を通して、増幅された出力信号はトラン
ジスタＩＯのソースに導くことができる。

ｎ＋ゾーン７を毎回参照レベルにリセットするために、
絶縁ゲート１３、ｎ＋ゾーンの形をしたドレイン１４お
よびゾーン７によって構成されたソースを有するリセッ
ト・トランジスタによって出力段が備えられている。ゲ
ート電極１３はクロック電圧φ、によって駆動されてい
る。

ゾーン７と最終クロック電極４の間に、出力ゲ−）　（
ＯＧ：ｏｕｔｐｕｔ　ｇａｔｅ）としてまた名付けられ
た付加ゲート１６が配列され、これは固定電位で印加さ
れている。この出力ゲートはゾーン７に対しクロック電
極３，４に印加されたクロック電圧の漏話を妨げるのに
役立っている。出力ゲート１６の構成はクロック電極３
．４の構成と同一であり、部分１６ａは薄い酸化物上に
備えられ、そして部分１６ｂは厚い酸化物上に備えられ
ている。

半導体物体は、例えば適当な基板電圧ＶＳＩを印加する
ために接続１７の裏側に更に備えられよう。

通常であること、すなわちリセット・トランジスタのド
レイン１４を最高電圧（すなわち供給電圧Ｖｎｎ）に接
続することと対照的に、もっと低い電圧がドレインに印
加されている。その結果、ゲート１３は供給電圧に等し
い電圧によって制御でき、一方、さもなければ供給電圧
より高い電圧を発生するのに必要な回路は避けることが
できる。リセット電圧ｖＲは回路１８によって発生され
、この回路は２つの絶縁ゲート電界効果トランジスタＴ
１とＴ２の直列結合のみによって主として構成されてい
る。トランジスタＴｔは、それ等２つが共に正の供給電
圧ＶＤＩｌｌで印加されているドレイン２０およびゲー
ト２１と、接続２３を通してリセット・トランジスタの
ドレイン１４に接続されているソース２２から構成され
ている。トランジスタＴ＋はリセット・トランジスタ７
．１３．１４と同じかま光は少なくとも同じしきい値電
圧を持つものと仮定されている。従って、トランジスタ
Ｔ、の長さ／幅寸法は、いわゆる短チヤネル効果によっ
てしきい値電圧が異なっていることを避けるためにリセ
ット・トランジスタの長さ／幅寸法に等しい。適当な値
の電流がトランジスタＴ、を通って流れると、トランジ
スタＴ。

のソース２２は所望のリセット電圧Ｖ、に調節され、こ
れは供給電圧ＶｆｌＤより低い。更にトランジスタＴ１
とリセット・トランジスタのしきい値電圧が等しいかあ
るいは少なく、とも実質的に等しいと言う事実により、
リセット・トランジスタが供給電圧Ｖａｎに等しいクロ
ック電圧によって制御される場合、リセット・トランジ
スタが導通となり、従ってリセット・トランジスタのソ
ース７が正確に電圧Ｖｉにリセットできる様にリセット
電圧Ｖ、の値は常にそうなっている。電流を調節するた
めに、Ｔ、は第２トランジスタＴ２に接続され、そのド
レイン２４はＴ、のソース２２に接続され、そのゲート
２５はＴ、のソース２２に接続され、そしてそのソース
２６は負の供給源あるいはアースに接続されている。

動作中、例えば−２，５ｖの基板電圧ＶＳＢはｐ型基板
１に印加されている。供給電圧ｖ０に等しい例えば５■
の高レベルと０■の低レベルを有するクロック電圧φ０
．φ２は、リセット・トランジスタのクロック電極３，
４とゲート１３に印加されている。Ｔ、とＴ２の間のノ
ード２７における電位、従ってゾーン１４とブロッキン
グ・ゲート１６における電位はこれから更に充分説明さ
れる様に、適当にトランジスタＴ、とＴ２に配分するこ
とにより簡単なやり方で調節できる。

ＭＯＳ　　）ランジスタの電流−電圧関係は近似的に次
の方程式によって記述できる。

ここでβ＝關　　・（ｏｘ＝電荷キャリアの移動度と酸
化物キャパシタンスの積であり、Ｗ／Ｌはチャネルの幅
対長さ比（ｗｉｄｔｈ−ｔｏ−１ｅｎｇｔｈ　ｒａｔｉ
ｏ）であり、ｖＧｓはゲートとソースの間の電圧差であ
り、そしてＶＴはトランジスタのしきい値電圧である（
例えばセー（ＳＺｅ　’　）の［半導体装置の物理（Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄ
ｅｖｉｃｅ　）　Ｊ　、第２版、ライレイ・アンド・サ
ンズ（Ｗｉｌｅｙ　ａｎ６５ｏｎｓ）社、ニューヨーク
、１９８１年、更に特定すれば頁４４２を見られたい）
。通学のＭＯＳプロセスにおける規格値は、しきい値電
圧Ｖｔが１■、　−が約２０次の様に書ける。

Ｉｎ　＝　２０（ｖｃｓ−１）”＝２０（５−１−ｖ２
ｖ）２＝２０（４−ｖｚｔ）２ここでＶ２’ｌは接合２
７における電圧である。トランジスタＴ２に対しＷ／Ｌ
比が−に選ばれる。方程式（１）から出発して、トラン
ジスタＴ２に対して次式が成立する。

１ｎ　＝２０　”　　　　（Ｖ２７−１）’Ｔ１とＴ２
が共に１■のしきい値電圧を有するものと仮定されてい
る。等しい大きな電流が双方のトランジスタを流れるか
ら、次式が出てくる。

（Ｖ２ｔ−１）　”＝（４−Ｖ２．）　”Ｏ これからり２？に対し約３．１ｖの値が出て来る。そこ
でＴ、とＴ２を通って流れる電流は約２０μＡである。

この値はゾーン７をリセットするのに充分大きく、また
容量性漏話を排出するのに充分大きい。

接続２３を経由して、５■の代わりに約３■のもっと低
い電圧が、従ってドレイン・ゾーン１４と読取りゾーン
７に印加され、その結果、供給電圧に等しい電圧５■が
ゾーン７をリセットするためにゲート１３に印加できる
。このことを例示するために、第２図は基板１０表面２
において動作の間に起こる電位の線図を示している。通
常、技術文献で行われている様に、正の電位が下向きの
方向にプロットされている。第２図は、電圧５■がクロ
ック電極３（φ２）に印加され、電圧０■がクロック電
極４（φυに印加されている状況を例示している。クロ
ック電極３の下に電位井戸（ｐｏｔｅｎｔｉａｌｗｅｌ
ｌ）が形成され、そこに電荷パケット２９が蓄積されて
いる。クロック電極４（φυの下に電位バリア３０が形
成されている。電荷パケット２９は知られた様にクロッ
ク電極４に電圧５■を、クロック電極３に電圧０■を印
加することによって１つの位置づつシフトできる。約３
■の固定電圧Ｖ２．がブロッキング・ゲート１６に印加
されている。その結果、電極１６の下で電位３１が誘起
され、これはφ１が５■から０■に移ると、クロック電
極４の下に蓄積された電荷が電位レベル３１を横切って
読取りゾーン７に流れる様なものである。何の電荷パケ
ットも存在しない場合、読取りゾーンの電位レベル３２
は接合２７にふける電位に等しい。電位井戸３２に電荷
パケット３３が蓄積でき、それはもちろん電荷が電極１
６の下に部分的に蓄積されるほどそれほど大きくてはな
らず、その結果、電荷パケットの正しい読取りは不可能
になる。右側では、電荷パケット３３は電位バリア３４
によって制限され、この電位バリアは電圧０■がリセッ
ト・トランジスタのゲート電極１３に印加される場合に
形成されるものである。読取りのあと、供給電圧に等し
い電圧５■はリセット・トランジスタのゲート電極１３
に印加され、この電圧は電位レベル３５に対応している
。もしリセット・トランジスタ？、１３．１４のしきい
値電圧がトランジスタＴ、のしきい値電圧に等しくかつ
また１■に等しいものと仮定されると、その電圧がＴ、
のゲート電極２１に詔けるゲート電圧に等しいところの
、ゲート電極１３における５■と言う電圧は、リセット
・トランジスタが閉成され（導通となり）従って電荷パ
ケット３３が排出されることを保証するのに充分である
と言うことが評価されよう。ゾーン７にふける電圧レベ
ルがゾーン１４における電圧、すなわち導通トランジス
タＴ１のソース２２における電圧に等しくなるまでリセ
ット・トランジスタは導通し続ける。

ここに記載された実施例において、ゲー）２７（ＴＩの
ソース２２）の電圧はまたブロッキング・ゲート１６ａ
、　１６に印加される。電荷パケットがクロック電極３
の下の領域からクロック電極４の下の領域に転送される
と、クロック電極３の下の電位井戸とクロック電極４の
下の電位バリアはそれぞれ上昇されおよび減少される。

供給電圧が限界しきい値電圧を大きく越える場合、バリ
ア３１を経由して転送されるべき電荷パケットからのあ
る量の電荷がリセット・トランジスタを経由して早期に
失われると言う可能性が存在する。第３図はこの問題を
解決する簡単な方法を示している。原則として、°この
解決法は、ブロッキング・ゲート１６の部分１６ｂが部
分１６ａと一緒に固定電位で最早や印加されていないが
、しかしゾーン７の側に位置している部分１６ａのみが
固定電位で印加され、一方、変化する電圧が部分１６ｂ
に印加されていると言うことから構成されている。この
変化する電圧は、クロック電極における電圧が変化する
際に、電位バリアが部分１６ｂの下に存在し、そのバリ
アが上記の電荷の損失を妨げる様に選ばれている。第３
図に示された簡単な実施例では、電極部分１６ｂはそれ
にクロック電圧を印加し、このクロック電圧はクロック
電圧φ２と同様に０■と５■の電圧レベルを有し、かつ
φ、と位相が反対である。第３図では、このことはイン
バータ３７（反転回路）によって記号的に示されている
。第４図はクロック電圧φ。

およびφ２と、リセット・クロック電圧φ、と、ブロッ
キング・ゲート１６ｂに印加されたクロック電圧φ、の
時間ｔの関数としての線図を示している。時点ｔ、に右
いて、φ１は５■から０■に変わり、φ２は０■から５
■に変わり、φ、は５■からＯｖに変わり、その結果、
電位バリアが電極部分１６ｂの下に形成される。φ２が
５■にあり、かつ電位井戸が電極４の下に形成される場
合、φ１は５■に戻ることができる。

本発明はここに示された実施例に限られず、そのいっそ
うの修正は本発明の範囲から逸脱することなく当業者に
とって可能なことが評価されよう。

例えば、トランジスタＴ２（０代わりに、電流源が代案
として回路１８に使用されよう。

説明された実施例では、リセット・トランジスタは単一
ゲート電極によって与えられている。しかし都合の良い
ことだが、リセット・トランジスタはまたクロック漏話
を減少するために２つゲート電極で与えられよう。

（要約） 本発明は電荷結合装置に関するものであって、出力のリ
セット・トランジスタは供給電圧ＶＤＤに等しい最大電
圧によって（正のしきい値電圧で）クロックされている
。リセット・トランジスタのドレイン（１４）は電流源
（Ｔ２）によって制御された補助トランジスタ（’ｒ＋
）によって調節されかつ同じしきい値電圧を有し、その
ゲー）　（２１）はりＤＤで印加され、そしてそのソー
ス（２２）はリセット・トランジスタのドレイン（１４
）に接続されている。最大ゲート電圧がＶＤｌｌに等し
いと言う事実により、ｖＤＤより高い電圧を発生するた
めに電荷ポンプの様な追加の電圧源は余分である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、出力段を具えた本発明による電荷結合装置の
一部分を線図的に示している。 第２図は、動作中にチャネルに誘起された第１図に示さ
れた装置の電位分布を示している。 第３図は、本発明による電荷結合装置の第２の実施例を
線図的に示している。 第４図は、第３−に示された装置に印加されたクロック
電圧の線図を示している。 １・・・シリコン物体　　２・・・表面３．４・・・ク
ロック電極 ５・・・電荷転送チャネル ７・・・ｎ＋ゾーン（あるいはソースあるいは読取りゾ
ーン） ８・・・導体（あるいは接続） ９・・・出力増幅器　　　１０・・・電界効果トランジ
スタ１１・・・抵抗　　　　　　１２・・・出力端子１
３・・・絶縁ゲート（あるいはゲート電極）１４・・・
ドレイン（あるいはゾーン）１６・・・出力ゲート（あ
るいはブロッキング・ゲートあるいは電極）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　半導体物体を具える電荷転送装置であって、その表面
   において出力段に対し離散的電荷パケットの形で情報を
   蓄積および転送する電荷転送チャネルが規定され、それ
   は電荷パケットを一時的に蓄積しかつ読取るゾーンと、
   読取り電荷パケットを排出しかつ次の電荷パケットを蓄
   積および読取るために上記のゾーンを準備するリセット
   ・トランジスタを形成する絶縁ゲート電界効果トランジ
   スタを有し、このトランジスタは上記のゾーンに結合さ
   れたソース領域、間欠的にトランジスタを導通にしたり
   非導通にするクロック電圧源に接続された絶縁ゲートお
   よび適当なドレイン電圧を印加する手段に接続されたド
   レイン領域を具える電荷転送装置において、 上記の手段が今後補助トランジスタとして 名付けられる第２の絶縁ゲート電界効果トランジスタを
   具え、そのゲートとドレインは固定電圧Ｖ＿１、更に特
   定すれば供給電圧で印加でき、かつその電源がリセット
   ・トランジスタのドレイン領域および補助トランジスタ
   を通して電流を流す電流供給手段に接続されること、お
   よび リセット・トランジスタのゲートがクロッ ク電圧源に接続され、それによりリセット・トランジス
   タの導通状態において、電圧Ｖ＿１がまたリセット・ト
   ランジスタのゲートに印加されていること、 を特徴とする電荷転送装置。 ２、リセット・トランジスタと補助トランジスタが実質
   的に同じ寸法のチャネル領域を有することを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載の電荷転送装置。 ３、上記の電流供給手段が第３の絶縁ゲート電界効果ト
   ランジスタを具え、そのゲート電極およびドレインが共
   通に補助トランジスタのソースに接続され、一方、第３
   のトランジスタのソースが固定電圧で印加できることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項に記載
   の電荷転送装置。 ４、第３の電界効果トランジスタが補助トランジスタと
   実質的に同じしきい値電圧を有することを特徴とする特
   許請求の範囲第３項に記載の電荷転送装置。 ５、電荷転送チャネルの上で、かつ電荷転送方向に眺め
   て、出力段の上記のゾーンの前面で、補助電界効果トラ
   ンジスタのソースに接続されている絶縁ゲート電極が配
   列されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
   いし第４項のいずれか１つに記載の電荷転送装置。