JPS6031237B2 - ネマチックまたはカイラル−ネマチック液晶組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ビフェニルェステル化合物を液晶物質の成
分として、殊に液晶表示素子のための液晶成分として含
有するネマチツクまたはカィラルーネマチツク（または
カイラルーネマチツク）液晶組成物に関する。

電気光学的表示素子（例えば電子式デジタル表示の時計
および自動車用または航空機用の計器盤器具用）に対す
る増大している用途に対して、函場の影響下に光学的性
質、たとえば光吸収、光散乱、複屈折、反射または著し
く変化するというネマチツクまたはカイラルーネマチツ
ク液晶材料の性質が利用されている。

かかる表示素子の機作は、例えば動的散乱の現象、配向
している相の変形又はねじれたセル中でのシャット・ヘ
ルフリッヒ（Ｓｃｈａｄｔ一日ｅｌｍｃｈ）効果に依存
する。電子光学表示素子は、デジタル時計、計算器等の
基材のような情報表示素子に対して一般に大きな用途を
有している。このような典型的な器材では、一対の平坦
で平行に置かれた透明な基材が透明な電極部材を対向し
た表面に有し、そしてこの基村と電極との間にネマチッ
ク液晶化合物を封入してある。この配列では液晶混合物
の分子は離れて位置するこれら基村に対して配向を示す
。電子光学表示素子におけるこの構成および作業操作は
当業者には周知である。これら効果を液晶表示素子に技
術的に応用するためには、液晶物質は種々の要件を満す
必要がある。

ここで特に重要なのは、水分、空気並びに熱、赤外、可
視および紫外領域の光線及び直流および交流電場などの
物理的影響に対する化学的安定性である。更に、技術的
に使用されうる液晶物質としては、少くとも１０００乃
至６０午○、好ましくは０℃乃至６０ｑｏの温度範囲で
液晶メゾフェースを有しそして室温で７比ｐ以下の粘度
を有していることが必要である。さらにまた、それらは
可視光の領域で何ら固有の吸収を示さないこと、つまり
無色であることが必要である。液晶表示素子の誘電体の
ために要求されている安定性の要件を満しそして無色で
ある数々の液晶組成物が知られている。

これらに属するものとして、特に、ドイツ連邦共和国公
開公報第２１３９６２８号に記載されているｐ・ｐ′−
ジ置換安息香酸フェニルェステル誘導体および同公開公
報第２３５６０８５号に記載されているｐ・ｐ′ージ置
換ビフェニル誘導体がある。上記二組の化合物において
もまた液晶メゾフェースを有するその他の既知の一連化
合物においても、１ｏｏ○乃至６０ｑ○の要求される温
度範囲で液晶ネマチックメゾフェースを形成する化合物
は一つもない。従って、一般に、液晶組成物として使用
できる。物質を得るために２種またはそれ以上の化合物
を混合する。このためには、通常、液晶相を示す下限温
度が低い方の化合物の少なくとも１種を液晶相を示す上
限温度が高い方の別種の化合物と混合する。液晶混合物
の製造は標準的な方法で行われる。一般には、４・割合
で混合される成分の所要量を大割合の主要成分を構成す
る液晶化合物または混合物に対し、好適には上昇した温
度で添加する。この際の温度を主要成分の透明点以上に
設定すれば混合成分の溶解を視覚的に観察することがで
きる。この場合は、通常、融点は低融点成分のそれより
低いが、透明点はそれら成分の透明点の中間にある混合
物が得られる。然しながら、この方法では、最適の組成
物を製造することができない。というのは、高融点かつ
高透明点を有する成分はほとんど常にその混合物に高い
粘度を付与するからである。これらによって得られた液
晶表示素子はその切換え時間がそのために長くなり望ま
しくない。一般式１： （式中、Ｘは−ＣＯ−○−又は一○−ＣＯ−でありそし
てＲ，およびＲ２はその一方が炭素原子数１乃至８個の
直鏡状又は分枝鎖状のアルキル基であり、Ｒ，およびＲ
２の他の一方が炭素原子数１乃至８個の直鎖状または分
枝鎖状のアルキル又はアルコキシ基を意味する）で示さ
れるビフェニルヱステル類が液晶組成物の混合成分とし
て著しく適していることが見出された。

一般式１のほとんど全ての化合物は高融点（９０ｑｏ以
上）並びに高透明点（１７０００以上）を有しているの
で、それらだけでは電気光学的表示素子のための議電体
として室温で動作するとは考えられないけれども、これ
らの化合物を別の液晶物質に添加することにより驚ろく
べきことにはその融点を著しく低下させると共にその透
明点をかなり上昇させ、同時に粘度の望ましくない大き
な増加を惹起することがないことが判った。本発明の目
的は一般式１のビフヱニルェステルの少なくとも１種お
よび電気光学表示素子用に有用なその他の液晶物質の１
種または２種以上を含む液晶組成物を提供することにあ
る。

一般式１で示されるビフェニル誘導体には、一般式０：
（式中、Ｒ，およびＲ２は前記と同じ意味を有する）で
示されるビフヱニルカルボン酸フェニルヱステル類又は
一般式ｍ：（式中、Ｒ，およびＲ２は前記と同じ意味を
有する）で示される安息香酸ビフェニルェステル類が含
まれる。

特に、式１で示されるこれらの化合物は、ネマチック相
とは別に、スメクチック相をも形成しうる液晶組成物成
分としても非常に適していることが判った。

このことは殊に驚ろくべきことである。何故ならば、既
知の如く、スメクチック相はネマチック相よりも実質的
に高い粘度を有しているからである。これまで、この発
明に係る化合物の場合のように、ある種の液晶表示素子
がスメクチツクメゾフェースを創出するものでなければ
ならないという規則は考えられなかった。然し乍り、一
般式０で示される化合物の場合には、スメクチックメゾ
フェースが式ｍの化合物の場合よりもより屡々観察され
るかのようである。このために、この発明に係る式０の
化合物を液晶組成物の成分として使用するのが好ましい
。すなわち、ネマチック相を作る場合、一般式ｍの化合
物の使用が好ましく、一方、一般式０の化合物は、この
ような液晶混合物の基礎成分としてでなく、液晶組成物
へ添加混和物として使用するのが好ましい。一般式１の
化合物における残基Ｒ，およびＲ２は同一であっても異
なっていてもよい。この発明に係る液晶物質の成分のう
ちで殊に価値あるものは、一般式１において基Ｒ，およ
びＲ２の一方が直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基である
ビフェニルェステル類である。特に重要なものは基Ｒ，
およびＲ２の双方が直鎖状又は分枝鎖状で炭素原子数１
乃至８個のアルキル基である化合物であって、そのアル
キル基としては、メチル、エチル、ｎープロピル、イソ
プロピル、ｎーブチル、イソプチル、ｎーベンチル、２
ーメチルブチル、３−メチルブチル、ｎーヘキシル、１
ーメチルベンチル、ｎーヘプチル、ｎーオクチル又は２
−エチルヘキシルなどが挙げられる。そして、上記の二
つの基の一方が炭素原子数１乃至７個の直鎖状若しくは
分枝鎖状のアルキル基でありそしてその他方が３乃至８
個の炭素原子を有する直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキ
ル基である物質が好ましい。更に、式１のビフェニルェ
ステル類であって、その基Ｒ，およびＲ２の一方が炭素
原子数１乃至８個のアルキル基、殊に好ましくは炭素原
子数３乃至８個の直鎖状アルキル基でありそしてその他
方が炭素原子数１乃至８個、好ましくは１乃至６個の直
鎖状アルコキシ基、例えばメトキシ、ヱトキシ、ｎ−プ
ロピルオキシ、ｎープチルオキシ、ｎ−ベンチルオキシ
又はｎーヘキシルオキシなどであるものも重要である。

この発明に係るビフェニルェステル類は、芳香族カルボ
ン酸ェステル類について文献に屡々記載されているよう
な標準的方法によって得ることができる。

これら新規化合物は、一般式Ｗ：（式中、Ｚはヒドロキ
シ基、ＯＭｅ基、カルボキシル基又はカルボキシル基の
反応性議導体であり、Ｍｅ基は金属カチオンでありそし
てＲ，は前記と同じ意味を有する）で示されるビフェニ
ル化合物を、一５０ｑ０乃至２５０００の温度でそして
出来れば有機溶剤および／又は従来のェステル化触媒の
存在下で、一般式Ｖ：（式中、Ｚがヒドロキシ基又はＯ
Ｍｅ基である場合には、Ｚ′はカルボキシ基又はカルボ
キシ基の反応性誘導体であり、そして、Ｚがカルボキシ
基又はカルボキシ基の反応誘導体である場合には、Ｚ′
はヒドロキシ基又はＯＭｅ基であり、そしてＲ２および
Ｍｅは前記と同じ意味を有する）で示される化合物と反
応させることによって得ることが好ましい。

Ｚはカルボキシ基又はその反応性誘導体、好ましくは−
ＣＯ−ハロゲン基、特に一ＣＯＣ１、一ＣＯＯ−低級ア
ルキル基、特にメトキシカルボニル基又は酸無水物残基
、好ましくは例えばアセトキシカルボニル基などの混合
無水物基である場合には、一般式０で示される化合物を
得ることができる。この場合、一般式Ｖで示される化合
物中の基Ｚ′‘まフェノール性ヒドロキシ基又はフェノ
ール基、好ましくはアルカリ金属又はアルカリ土類金属
フェノレート基である。この方法の反応条件は基ＺとＺ
′の性質によって本質的には定められる。即ち、一般に
、カルボン酸はフェノール類（Ｚ、Ｚ＝カルボキシ基、
ヒドロキシ基）と強酸、例えば、鍵酸、例えば塩酸又は
硫酸などの存在下にて反応させる。この反応の好ましい
態様は、酸無水物又は特に酸クロリドをフェノール類（
Ｚ、Ｚ＝ＣＯＣ１、ＯＨ）と反応させることである。こ
れらのェステル化反応は塩基性の媒体中で行なうのが好
ましく、塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの水酸化アルカリ金属；炭酸ナトリウム、炭酸
水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カルリゥムな
どの炭酸アルカリ金属若しくは炭酸水素アルカリ金属；
酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどの酢酸アルカリ金属
；水酸化カルシウムなどの水酸化アルカリ士類金属；又
はトリエチルアミン、ピリジン、ルチジン、コリジン、
キノリンなどの有機塩基が特に重要である。このェステ
ル化は不活性溶剤の存在下で行なうのが有利である。特
に、ジェチルェーテル、ジーｎ−ブチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテ
ル類、アセトンブタノン、ベンタン−８ーオン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類、ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチルリン酸トリアミドなどのアミド類、ベンゼン
、トルヱン、キシレンなどの炭化水素類、四塩化炭素、
テトラクロロェチレンなどのハロゲン化炭化水素類およ
びジメチルスルホキシド、スルホランなどのスルホキシ
ド類が好適である。水と混合しない溶媒を同時に使用し
てェステル化にて形成される水を共沸蒸留すると有利で
ある。例えばピリジン、キノリン又はトリェチルアミン
などの有機塩基の過剰量をこのェステル化の溶媒として
使用できる時もある。ェステル化反応は原則としては溶
媒の不存在下で行なうこともでき、この場合には、例え
ば、酢酸ナトリウムの存在下で各成分を単純に加熱すれ
ばよい。この反応温度は通常−５０３０乃至２５０ｑｏ
、好ましくは−２０ｑｏ乃至８０００であり、この場合
には、このヱステル化は原則として１５分乃至４錨時間
に終了する。

別の好ましい態様は、式Ｗ又はＶ（式中、Ｚ又はＺ′は
ヒドロキシル基である）で示されるェステル化されるフ
ェノール類をまずそのナトリウム塩又はカリウム塩に、
例えば、エタノール性の水酸化ナトリウム若しくは水酸
化カリウム溶液にて処理することによって変換し、この
塩を単離し、これを炭酸水素ナトリウム又は炭酸カリウ
ムと共に盤拝しながらアセトン又はジェチルェーテルに
懸濁しそしてこの懸濁液を滴加しながら、酸クロリド又
は酸無水物とジェチルェーテル、アセトン又はジメチル
ホルムアミドとの溶液を櫨拝し混合する。

更に、この反応混合物は−２５ｑｏ乃至２０℃、好まし
くは−１０午０乃至−２０午０の温度に維持する。この
場合、ェステル化は通常１５分乃至５０分後に終了する
。上記方法で使用される出発物質のうち例えば一股式Ｖ
に示されるフェノール類若しくは安息香酸類でそのパラ
位が置換されたものは既知であるが、その他のものも文
献にて知られている化合物から有機化学の標準方法によ
って容易に製造することができる。

すなわち、例えば、一般式Ｗ（式中、Ｚはカルボキシル
基である）で示されるカルボン酸はドイツ連邦共和国公
開公報第２３５６０８５号に記載されている４′位が置
換されている４ーシアノビフェニル類を加水分解するこ
とによって得ることができる。一般式Ｗ（式中、Ｚはヒ
ドロキシ基でありそしてＲ，はァルコキシ基である）で
示されるアルコキシーヒドロキシビフェニル類は、例え
ば、４・４′ージヒドロキシビフェニル類を部分ェステ
ル化することによって得ることができる。一般式Ｗ（式
中、Ｚはヒドロキシ基でありそしてＲ，はアルキル基で
ある）で示されるアルキル−ヒドロキシビフェニル類は
、ドイツ連邦共和国公開公報第２３５６０８５号に記載
されている４ーアルキルー４′ーニトロビフェニル類を
還元し対応する４′−アミノビフェニル類にし、引き続
きジアゾ化しそして沸騰させることによって製造するこ
とができる。一般式１で表わされるビフェニルェステル
化合物は次の場合を除いてネマチック液晶相を示す。

すなわち、この化合物においてＲ，およびＲ２の−方ま
たは双方が不斉炭素原子を有する分枝鎖状基を表わし、
このため光学活性を示す場合、すなわち入射偏光の偏光
面を回転できる場合にはカイラルーネマチック液晶相を
示す。すなわち一般式１においてＲＩおよび（または）
Ｒ２が不斉炭素原子を有する分枝鎖状基であるビフェニ
ルェステル化合物であって、これらがラセミ体である場
合には単純ネマチック相を示すのに対し、光学活性体で
ある場合にはそれぞれ碇光性が正反対の方向を示す２種
のカイラルーネマチック相を示すことができる。元来コ
レステリック相はコレステリック環を有する化合物に特
有の性質であるが、ネマチツク相を示す化合物が不斉炭
素原子による光学活性の分枝鎖状ァルキル基またはアル
コキシ基を置換基として有する場合にはコレステリツク
相に特有のへｌｊカル構造が形成されるためカィラルー
ネマチック相を有する液晶化合物となる。一般に、組成
物におけるカィラルーネマチツク相は、ネマチック液晶
組成物に少なくとも１種の光学活性、カィラル化合物を
加える場合にのみ見出される。

従って、一般式１のビフェニルェステル化合物の中で光
学活性を有する化合物を使用すると、その組成物は、カ
ィラルーネマチック相を示すことになる。このような光
学的に活性なビフェニルェステルを製造するのに少なく
とも２種以上の方法が考えられ、その代表的なものとし
ては、ェステル化反応において光学的に活性な原料を使
用する方法およびラセミ体の形態の原料を使用して得ら
れたビフェニルェステルを既知の方法、たとえば光学的
に活性な収着剤を用いるクロマトグラフィーによりこの
ェステルを光学的に活性な成分に分割する方法がある。
このように、一般式１のビフェニルェステル化合物は不
斉炭素原子を有しない場合もしくは不斉炭素原子を有し
ていてもラセミ体である場合には、ネマチック相を形成
し、他方不斉炭素原子を有している場合で光学活性体の
形にある場合には、カイラルーネマチツクーコレステリ
ツク相を示すが、光学活性体が有する異った方向の旋光
性は概して転移温度すなわち融点および透明点に何等の
影響も与えないのでラセミ体のネマチック相の温度範囲
および光学的活性体のカィラルーネマチック相の溢度範
囲は実際に同一である。

したがってネマチック液晶相とコレステリック液晶相と
の温度範囲をそれぞれ区別することは不可能である。こ
の発明に係る化合物は既知の液晶物質に０．５乃至４０
モルパーセントの量で添加するのが適している。

１乃至２０モルパーセント、好ましくは５乃至１５モル
パーセントを添加すると有利である。

この発明に係る化合物を添加することによってその性質
が改良されるところの既知液晶物質には、電気光学的表
示素子において誘導体として従来から使用されていてこ
の目的に適うもの全てが使用できる。最も一般的なもの
としては、アゾベンゼソ、アゾキシベンゼン、ビフエニ
ル、シツフ塩基、特にペンジリデン議導体、フェニルベ
ンゾェート、光学活性ハロゲン化スチルベン、ジフヱニ
ルアセチレン誘導体、ジフェニルニトロン及び暦予期陣
皮酸の系統からの誘導体の混合物が挙げられる。対の異
性体および／又は英融混合物も屡々使用される。既知の
ネマチツク液晶物質の最も重要な成分は一般式Ｗ：〔式
中、Ａは−ＣＨ＝ＣＨ−、一ＣＸ′＝ＣＨ−、一ＣＨ＝
ＣＸ′−、一Ｃ＝Ｃ−、一Ｎ＝Ｎ−、−○一ＣＯ一、一
ＣＯ−○一、 ｒＣＨ＝Ｎ−、 −Ｎ＝ＣＨ−、 又 は炭素−炭素単結合であり、Ｘ′はハロゲン原子、好ま
しくは塩素原子であり、そしてＲ３及びＲ４は同一であ
るか又は異なっていてシア／、ニトロ又はィソニトリル
基を意味し、又は炭素原子１８個、好ましくは８個まで
を有するアルキル、アルコキシ若しくはアルカノイルオ
キシ基を意味する〕によって特徴づけられる。

これら化合物のほとんどの場合は、Ｒ３とＲ４とが異な
っているのが好ましく、この場合にはそれらの一方は通
常アルキル基又はアルコキシ基を意味する。しかしなが
ら、前記の置換基を有する他の全ての誘導体も使用する
ことができる。かかる一連のネマチック液晶物質の全て
が市販されている。このネマチック液晶物質は、メモリ
ー効果を達成するために、カィラルーネマチック液晶化
合物を添加することによって変性できる。

カィラル−ネマチック液晶化合物のこうした添加は一般
には約１０モル％になるようにする。ネマチツク液晶物
質の全ての系統のものは、例えばドィソ連邦共和国公開
公報第１９５１０９２号、同第２０１４９８少号、同第
２１３９６２８号、同第２２０１１２２号及び同第２３
５６０８５号に記載されている。この発明に係る化合物
の一種若しくは２種以上を０．５乃至４０モルパーセン
ト、好ましくは１乃至２０モルパーセントになるように
既知の液晶化合物又は混合物で室温又はそれ以下の融点
を有しそして５０ｑｏ又はそれ以上の透明点を有するも
のに添加することによって、液晶メゾフェースの範囲が
驚ろくべきことには一層広げられる。これによって、従
来ネマチックメゾフェースの温度範囲が望ましくない位
置にあるか若しくはその範囲の広さが限定的であるため
に誘電体として使用できなかった多くの液晶物質がこの
用途にも滴することになった。この発明に係る化合物が
組成物の粘度に及ぼす影響は特にこの目的のために有利
に作用する。従来、高透明点を有する化合物、例えばｐ
−ペンゾィルオキシ安息香酸フヱニルェステル系の化合
物を添加すると粘度が屡々余りにも高くなりすぎて、こ
の種の混合物は表示素子における切換え時間が余りにも
長くかかって技術的にも大して使用することができなか
った。それが、この発明に係るビフェニルェステル化合
物を添加した場合には、粘度のかかる大幅な増加は起ら
ない。一般式１で示される化合物を少くとも一種含有し
ているこの発明に係る液晶混合物は、従来知られている
全ての型の液晶式表示素子における議竃体として使用す
ることができる。この新規なビフェニルェステル化合物
を添加しても、液晶基礎物質の誘電異方性値は本質的に
は何ら変化しない。従って、その基礎物質を適当に選択
することによって、この発明に係る組成物であって、正
は負の誘電異万性を有する組成物を製造することが可能
である。更に、この発明に係る組成物は、導電率及び／
又は配向性に影響を及ぼす添加物を含有することもでき
、この種の添加物は例えばドイツ連邦共和国公開公報第
２２０９１２７号及び同第２２４０８６４号に記載され
ている。液晶はその融点および透明点によって特徴づけ
ることができる。

融点は固状からネマチック液晶相へ変化する温度であり
、透賜点‘まネマチック液晶相から等方性液相へ相変化
する温度である。前記液晶相を生じる化合物についてこ
れらの融点および透明点を側点するには示差熱分析（Ｄ
ＴＡ）を用いるのが好都合である。理論的には融点は試
料を加熱する間、または冷却する間に観察することがで
きる。多くの液晶物質は過冷の傾向があることおよび／
または結晶化し‘こくいことから、加熱時に測定するの
が好ましい。多くの試料は、特に液晶化合物の混合物は
、周囲温度でも液晶であるので、ＤＴＡ分析する前にそ
れを固状の結晶状態に変えておく必要がある。本発明に
おいて、これらのデータは以下の如き要領で測定した。
装置 デュポン熱分析装置９９０（ッーキヤナル記録計、カタ
ログ番号９９０−０００一００２）；セル・ベース・モ
ジュールロ（カタログ番号９００−３１５−９０１）；
デイフアレンシヤル・スキャニング・カロリメータ（Ｄ
ＳＣ）セル（カタログ番号９００−６００一９０２）；
ＤＳＣセル用付属冷却器（トカタログ番号９００−６７
４）または付属液体窒素冷却器（カタログ番号９９０一
１６８−９０２）；固体脂インデックス（ＳＦＩ）秤皿
（カタログ番号９００−７５５）；温度範囲−１２０ｏ
ｏないし十２００ｑｏ、１インチ当たり２０ｄｏ目盛の
記録用紙（カタログ番号９９０−０９１）測定法試料（
５〜１０のｐ）をＳＦＩ−秤皿の台に置く。

この場合、団体試料の場合はスパ−テル、液晶の場合は
毛管を用いる。この秤皿をＤＳＣ−セルに入れ、乾燥窒
素ガスをゆっくり通じながら（０．２夕／分）急速に−
８０ｑＣに冷却する。次いで１ｏｏｏ／分の割合で試料
を加熱し、熱入力を温度に対して記録する（目盛：０．
２一０．５のｃａｌ／秒／インチ）。プロットが透明点
の吸熱ピークを完全に示した時に加熱をやめる。禾知試
料を測定する前に、未知試料の融点や透明点が存在する
と思われる温度範囲内に融点および透明点を有する既知
試料を用いて、装置を調整した。

記録されたプロットから、ピーク上昇の直線部分をベー
スラインに外挿することによって所望のデータを得た。

この様にして構成された交点の温度を融点または透明点
である。以下にこの発明を参考例および実施例にて説明
するが、これらは何ら発明を限定するものではない。

以下の参考例および実施例において、「ｍ．ｐ．」は物
質の固相から液晶相への転移温度を示し、この「ｍ．ｐ
．」共に「Ｓ／Ｎ」値が示されている場合は前記の液晶
相は、「スメクチック液晶相」を表わす。

「Ｓ／Ｎ」値はスメクチツク相からネマチック相への相
転移の温度値を示し、「Ｋ」は物質の透明点を示す。「
ｍ．ｐ．」共に「Ｓ／Ｎ」値が示されていない場合は、
「ｍ．ｐ．」における液晶相は「ネマチック液晶相」で
ある。したがって、「Ｓ／Ｎ」値が掲げれられている場
合にはＳ／Ｎ〜Ｋの温度範囲において、また「Ｓ／Ｎ」
値が掲げられていない場合は、ｍ．ｐ．〜Ｋの温度範囲
において、組成物はネマチック液晶相を持つ組成物とし
て使用することができる。反応試剤及び／又は溶媒のパ
ーセントは特記なき限り重量パーセントである。なお粘
度りは「ｃｐ」で表わし、測定温度はいずれの実施例に
おいても２０ｏｏである。参考例 １（ａ｝ ４−シア
ノー４′一ｎーベンチルビフエニル５夕をエチレングリ
コール９０肌、水１８Ｍおよび水酸化ナトリウム３．２
夕の混合物中で１２５００で８時間加熱した。

冷却後、反応液を炉過し、その磯澄をエタノール５０泌
に懸濁しそして５％塩酸にて酸性にしｐＨを約２にした
。この反応液を室温で４時間濃拝し、炉過しそしてエタ
ノールにて洗浄した。得られた４−（４−ｎーベンチル
フェニル）安息香酸クロロホルムから再結晶した。ｍ．
ｐ．１７４ｑ○、Ｓ／Ｎ２００ｏ○、Ｋ２５４００。同
様にして以下の化合物が得られる。４−（４−エチルフ
ェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２３９００、Ｋ２８か０４
−（４−ｎ−プロピルフェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２
１７０、Ｋ２８７０ ４一（４−ｎーブチルフェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．１
９７０、Ｓ／Ｎ２２４０こＣ、Ｋ２７５００（４一ｎ−
へキシルフェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．１９７０、Ｓ／
Ｎ２４ぴ○、Ｋ２７５ｑ０４−（４−ｎ−へキシルフェ
ニル）安息香酸、ｍ．ｐ．１６５００、Ｓ／Ｎ２４４ｑ
ｏ、Ｋ２６４００４一（４一ｎーヘプチルフェニル）安
息香酸、ｍ．ｐ．１４８００、Ｓ／Ｎ２３０ｑｏ、Ｋ２
４７０４一（４一ｎ−オクチルフェニル）安息香酸、ｍ
．ｐ．１４７０、Ｓ／Ｎ２４す０、Ｋ２５５℃４一（４
ーメトキシフェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２５８００、
Ｋ３００００ ４一（４−ェトキシフヱニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２５
６００、Ｋ３０〆０ ４−（４−ｎ−プロピルオキシフェニル）安息香酸、ｍ
．ｐ．２４９００、Ｋ２７５ｏ０４一（４一ｎ−ブチル
オキシフェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２３４００、Ｋ２
８５００４一（４−ｎーベンチルオキシフェニル）安息
香酸、ｍ．ｐ．２２４ｑ○、Ｋ２７０００４−（４−ｎ
−へキシルオキシフヱニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２１３
００、Ｓ／Ｎ２４３３０、Ｋ２７４ｑ０４−（４−ｎー
ヘプチルオキシフェニル）安息香酸、ｍ．ｐ．１９８０
０、Ｓ／Ｎ２３８ｑｏ、Ｋ２４０００４一（４一ｎーオ
クチルオキシフヱニル）安息香酸、ｍ．ｐ．２０４００
、Ｓ／Ｎ２３３０Ｃ、Ｋ２３５００｛ｂ｝ ４−（４一
ｎ−ベンチルフェニル）安息香酸１４夕および４一ｎ−
ベンチルフエノール９夕を、濃硫酸０．２５夕および棚
酸０．１５夕をトルェン２５０の‘に加えた混合物を入
れた水分離器を付けた丸底フラスコ中で２４時間還流下
で煮沸加熱し、約、０．８舷の水を共沸的に分離した。

この反応液を水２００の‘で３回、５％重炭酸ナトリウ
ム水溶液２００の‘で１回そして水２００の上で更に２
回洗浄しそして硫酸ナトリウムで乾燥した。トルェンを
留去後、得られた４−（４−ｎ−ベンチルフェニル）安
息香酸４′一ｎーベンチルフェニルェステルをメタノー
ルから再結晶した。ｍ．ｐ．９ｙ○、Ｓ／Ｎ１４５０Ｃ
、Ｋ１７５００。同様にして以下の化合物が得られる。
４−（ｐートルィル）安息香酸４′ーヘキシルフエニル
エステル、ｍ．ｐ．１４〆○、ＫＩ９４００４一（４ー
ェチルフェニル）安息香酸４−ｎーブチルフエニルエス
テル、ｍ．ｐ．１１４００、Ｋ１５００○４−（４一ｎ
−プロピルフェニル）安息香酸４′ーメチルフエニルエ
ステル、ｍ．ｐ．１５４℃、ＫＩｇ？Ｃ４一（４一ｎー
プロピルフェニル）安息香酸４′ーｎ−プロピルフエニ
ルヱステル、ｍ．ｐ．１雌℃、ＫＩ９６．５ｑＣ４−（
４−ｎ−プロピルフェニル）安息香酸４一ｎーヘキシル
フエニルエステル、ｍ．Ｐ．１０８℃、Ｋ１６ず○４−
（４−ｎ−プチルフェニル）安息香酸４′ーｎーベンチ
ルフエニルエステル、ｍ．ｐ．９７．５℃、Ｓ／ＮＩ斑
℃、Ｋ１６９００４−（４一ｎ−ベンチルフェニル）安
息香酸４′ーメチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１３７
０、Ｋ１８８つ○４−（４−ｎ−ベンチルフェニル）安
息香酸４′−エチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０６
００、Ｓ／Ｎ１４４ｏｏ、Ｋ１７４℃４−（４−ｎ−ベ
ンチルフェニル）安息香酸４′一ｎ−プロピルフエニル
エステル、ｍ．ｐ．１雌℃、Ｓ／Ｎ１４２０、Ｋ１７８
ご０４一（４一ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′一
ｎ−プチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０４℃、Ｓ／
Ｎ１４４ｏＣ、Ｋ１７４ｏ０４−（４−ｎ−ベンチルフ
ェニル）安息香酸４−ｎ−へキシルエステルｍ．ｐ．９
ｙＣ、Ｓ／Ｎ１４５００、Ｋ１６ｙ０４−（４−ｎ−ベ
ンチルフェニル）安息香酸４′一ｎーヘプチルフヱニル
エステル、ｍ．ｐ．９４℃、Ｓ／Ｎ１３５ｑ○、Ｋ１７
１００４−（４−ｎ−へキシルフェニル）安息香酸４′
ーブチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０１ｑ○、Ｓ／
Ｎ１４８ｑＣ、Ｋ１６３００４一（４一ｎーヘキシルフ
ェニル）安息香酸４′−ｎーベンチルフエニルヱステル
、ｍ．ｐ．９４．５℃、ＳノＮ１５５℃、Ｋ１６９０Ｃ
４−（４一ｎ−へプチルフェニル）安息香酸４′ーエチ
ルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０７ｑ０、Ｓ／Ｎ１４
７ｑ０、Ｋ１６５ｑ０４一（４一ｎ−へプチルフェニル
）安息香酸４′ーｎ−プロピルフエニルエステル、ｍ．
ｐ．９７℃、Ｓ／Ｎ１５５．５３０、Ｋ１７４ｑ０４一
（４一ｎ−へプチルフェニル）安息香酸４′−ｎ−プチ
ルフエニルエステル、ｍ．ｐ．９６００、Ｓ／Ｎ１５が
○、Ｋ１６６ｑ０４一（４−ｎーヘプチルフェニル）安
息香酸４′−ｎ−ベンチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．
９８℃、Ｓ／Ｎ１５ぴ０、ＫＩ総００４−（４一ｎ−へ
プチルフェニル）安息香酸４′−ｎ−へキシルフエニル
エステル、ｍ．Ｐ．９７．５℃、Ｓ／ＮＩ斑．ｙ０、Ｋ
１６１．５００４一（４一ｎ−へプチルフェニル）安息
香酸４′ーｎーヘプチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１
００℃、Ｓ／Ｎ１５４００、Ｋ１６１℃４−（４一ｎ−
オクチルフェニル）安息香酸４′ーｎ−プロピルフエニ
ルエステル、ｍ．ｐ．１０４℃、Ｓ／Ｎ１５９午○、Ｋ
１６４こ○４−（４−ｎ−オクチルフェニル）安息香酸
４′−ｎーベンチルフエニルエステル、ｍ．ｐ．９６℃
、Ｓ／Ｎ１５７０、Ｋ１６６ｑ０４一（４−ｎープロピ
ルフヱニル）安息香酸４′−（３ーメチルブチル）フエ
ニルエステル、ｍ．ｐ．１１１．５００、Ｓ／Ｎ１４１
００、Ｋ１６３ｑ０４−（４一ィソプロピルフェニル）
安息香酸４′一ｎーベンチルフエニルエステル、ｍ．ｐ
．７３００、Ｋ１３６Ｃ４−（４一イソプロピルフェニ
ル）安息香酸４′ーｎ−へプチルフエニルエステル、ｍ
．Ｐ．６９ｏ○、Ｋ１２０午○４一〔４−（２−メチル
ブチル）フエニル〕安息香酸４′−ｎ−ベンチルフェニ
ルヱステル＊、ｍ．ｐ．６５００、Ｋ１４か０４一〔４
一（３−メチルブチル）フエニル〕安息香酸４′−ｎー
ベンチルフェニルェステル・ｍ．ｐ．１１３ｑ○、Ｓ／
Ｎ１２９００、Ｋ１５３ｑＣ４〔４−（１ーメチルベン
チル）フエニル〕安息香酸４′一ｎ−ベンチルフェニル
ェステル＊、ｍ．ｐ．５０．５ｑＣ、Ｋ６４．が０４一
〔４一（２ーエチルヘキシル）フエニル〕安息香酸イー
ｎーベンチルフェニルェステル＊、ｍ．ｐ．斑℃、Ｋ７
５．５００（言主）上記の化合物中、＊印をつけた「４
一〔４−（２−メチルブチル）フヱニル〕安息香酸４′
−ｎーベンチルフェニルェステル」、「４一〔４−（１
ーメチルベンチル）フエニル）安息香酸４′ーｎーベン
チルフェニルェステル」および「４一〔４一（２ーエチ
ルヘキシル）フェニル〕安息香酸４′−ｎ−ベンチルフ
ェニルェステル」はラセミ体の場合には指示した温度範
囲内でネマチック液晶相を示すが、これら化合物が光学
的活性な安息香酸議導体を原料として使用して製造され
た場合には指示した温度範囲内でカィラルーネマチック
液晶相を示す。

参考例 ２ ４−メトキシフエノール１６．５夕およびピリジン１０
の‘をトルェン１２０の‘に溶解した溶液を沸騰させ、
これに３３．８夕の４一（４一ｎーベンチルフエニル）
ペンゾィルクロリド〔実施例１‘ａ’によって得た４−
（４−ｎ−ベンチルフェニル）安息香酸を塩化チオニル
と反応させて得た〕をトルェン１２０の‘に溶解した溶
液を２時間かかって渡洋しながら滴加した。

この反応液を３時間還流下で煮沸加熱しそして蒸発させ
た。この残糟を水１００の‘と混合しそしてジェチルェ
ーテル１５０の【で３回抽出した。このエーテル抽出物
を水２００泌、５％重炭酸ナトリウム溶液１５０の【お
よび再度水２００の【で洗浄しそして硫酸ナトリウムで
乾燥した。エーテルを留去後、残留していた４−（４−
ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′−メトキシフェニ
ルヱステルをヱタ／ールから再結晶した。ｍ．ｐ．１０
０００、Ｓ／Ｎ１２０ｑＣ、Ｋ２１９００。同様にして
以下の化合物が得られる。

４一（ｐ−トルィル）安息香酸４−ｎーベンチルオキシ
フエニルエステル、ｍ．ｐ．１５２０、Ｋ２３２０４−
（４ーェチルフェニル）安息香酸４′−メトキシフエニ
ルエステル、ｍ．ｐ．１３８ｑ０、Ｋ２０４ｑ０４−（
４−エチルフェニル）安息香酸４′ーェトキシフエニル
エステル、ｍ．ｐ．１４が○、Ｋ２２１ｏ０４一（４−
ｎ−プロピルフェニル）安息香酸４′−ｎ−ブロピルキ
シフエニルエステル、ｍ．ｐ．１３７０、Ｋ２０９ｑ０
４−（４一ｎ−プロピルフェニル）安息香酸４一ｎーブ
チロキシフエニルエステル、ｍ．Ｐ．１２４００、Ｋ２
０６ｑＯ４−（４−ｎ−プロピルフェニル）安息香酸４
′−ｎーベンチロキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１１
６ｑ０、ＫＩ９８午Ｃ４一（４一ｎ−ブロピルフヱニル
）安息香酸４−ｎーヘフ。

チロキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０ぞ○、Ｋ１８
８℃４−（４−ｎ−ブチルフェニル）安息香酸４′ーメ
トキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１１５ｑ○、Ｋ２１
３００４一（４−ｎ−ベンチルフェニル）安息香酸４′
ーエトキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１２２００、Ｓ
／Ｎ１３〆０、Ｋ２１８℃４−（４−ｎ−ベンチルフェ
ニル）安息香酸４′ーｎープロピロキシフエニルエステ
ル、ｍ．ｐ．１２９．５ｑ０、ＳノＮ１５１００、Ｋ２
０３ｑ０４−（４−ｎ−ベンチルフェニル）安息香酸４
−ｎ−ブチロキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１１６℃
、Ｓ／１５４℃、Ｋ２０５００４−（４−ｎ−ベンチル
フェニル）安息香酸４′一ｎーヘキシロキシフエニルエ
ステル、ｍ．ｐ．１雌。

０、Ｓ／Ｎ１６０℃、ＫＩ９０００４一（４一ｎ−ベン
チルフェニル）安息香酸４−ｎーオクチロキシフエニル
エステル、ｍ．ｐ．９７℃、ＳノＮ１４３午○、Ｋ１７
４００４一（４一ｎーヘキシルフェニル）安息香酸４′
−ｎーフ。

ロピロキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１２３ｑ○、Ｓ
／Ｎ１６０００、ＫＩ９５００４一（４一ｎーヘキシル
フェニル）安息香酸４′一ｎーベンチロキシフエニルエ
ステル、ｍ．ｐ．１０４．５００、Ｓ／Ｎ１６９００、
Ｋ１８８ｑ０４−（４一ｎーヘプチルフェニル）安息香
酸４−メトキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０４℃、
Ｓ／Ｎ１３７０、ＫＩ９６ｑ０４一（４一ｎーヘプチル
フェニル）安息香酸４′ーエトキシフエニルエステル、
ｍ．ｐ．１０７０、Ｓ／Ｎ１５７０、Ｋ２０チ０４−（
４一ｎーヘプチルフェニル）安息香酸４−ｎ−プロピロ
キシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０８ｑ０、Ｓ／Ｎ１
６４００、ＫＩ９００○４−（４一ｎーヘプチルフェニ
ル）安息香酸４′一ｎ−ブチロキシフエニルエステル、
ｍ．ｐ．１０６℃、Ｓ／Ｎ１７０００、ＫＩ９０ｄ０４
一（４一ｎ−へプチルフェニル）安息香酸４′一ｎ−ベ
ンチロキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０６００、Ｓ
／Ｎ１７０つ○、Ｋ１８３００４一（４−ｎ−へプチル
フヱニル）安息香酸４′一ｎーヘキシロキシフヱニルエ
ステル、ｍ．ｐ．１０がＣ、Ｓ／Ｎ１７２０、Ｋ１８４
）０４一（４一ｎ−オクチルフェニル）安息香酸４′−
エトキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１１４℃、Ｓ／Ｎ
Ｉ聡。

０、Ｋ２０３００ ４−（４−ｎ−オクチルフェニル）安息香酸４′一ｎー
ベンチロキシフエニルエステル、ｍ．ｐ．１０６００、
Ｓ／Ｎ１６〆○、Ｋ２０１℃参考例 ３カリウム４一ｎ
ーブチルフエノレート１２．６夕および重炭酸ナトリウ
ム５．６夕をジェチルェーテル４００の‘中に−１ぴ０
にて懸濁した。

これを燭拝し冷却しながら、これに２０．５夕の４−（
４−ｎープロピルオキシフヱニル）ペンゾイルクロリド
〔４−（４一ｎ−プロピルオキシフェニル）安息香酸を
塩化チオニルと反応させて得た〕をジェチルェーテル２
５０の‘に溶解した溶液を、その懸濁液の温度が−１０
００より上昇しないように総加した。滴加終了後、この
反応液を２０午０に加溢しそしてこの温度で３筋ン間燈
拝した。引き続き、この混合物を炉適し、この炉液を硫
酸ナトリウムで乾燥しそして蒸発した。残港として得ら
れた４−（４一ｎープロピルオキシフェニル）安息香酸
４′−ｎーブチルフェニルェステルをエタノールから再
結晶した。ｍ．ｐ．１１８００、Ｋ２０を○同様にして
以下の化合物が得られる。

４一（４−メトキシフェニル）安息香酸４−ｎーベンチ
ルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１５０００、Ｋ２３４℃
４−（４−メトキシフェニル）安息香酸４′一ｎ−へフ
。

チルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１４３ｏ○、Ｋ２１７
０○４−（４ーェトキシフェニル）安息香酸４′−エチ
ルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１４８００、Ｋ２２ず０
４一（４ーェトキシフェニル）安息香酸４′一ｎーベン
チルフエニルエステル、ｍ．ｐ．１３１ｏ０、Ｋ２３３
℃４−（４−ｎ−プロピルオキシフェニル）安息香酸４
′ーメチルフェニルェステル、ｍ．ｐ．１２９ｑ○、Ｋ
２１８００４−（４一ｎ−プロピルオキシフェニル）安
息香酸４′一ｎ−プロピルフェニルェェステル・ｍ．ｐ
．１２１００、Ｋ２４４００４一（４一ｎ−ブチルオキ
シフェニル）安息香酸４′ーｎ−プチルフェニルェステ
ル、ｍ．Ｐ．１１４℃、Ｋ２０が○４一（４一ｎ−ブチ
ルオキシフェニル）安息香酸４−ｎ−へキシルフェニル
ェステル、ｍ．Ｐ．１０８℃、Ｋ２１１００４一（４−
ｎ−ベンチルオキシフェニル）安息香酸４′−ｎ−プロ
ピルフェニルェステル・ｍ．Ｐ．１１１００、Ｋ２１６
つ○４−（４一ｎ−へキシルオキシフェニル）安息香酸
４′一ｎ−プチルフェニルェステル、ｍ．ｐ．１０２０
０、ＫＩ９８００４一（４−ｎ−へキシルオキシフェニ
ル）安息香酸４′−ｎ−ベンチルフェニルェステル、ｍ
．Ｐ．滋℃、ＫＩ９５００４−（４一ｎ−へプチルオキ
シフェニル）安息香酸４′ーｎ−ベンチルフェニルェス
テル、ｍ．Ｐ．９６。

０、ＫＩ９７０ ４−（４一ｎーオクチルオキシフェニル）安息香酸４′
一ｎーベンチルフェニルェステル、ｍ．Ｐ．９４００、
ＫＩ９６０参考例 ４ ４一（４−ｎーベンチルフエニル）フエノール２．４夕
およびピリジン０．８夕を無水ベンゼン１０叫に溶解し
た溶液を沸騰させ、これにアニソィルクロリド１．７夕
およびベンゼン２のとの混合物を１５分間かかって滴下
した。

この反応液を蝿拝しながら更に２．虫時間加熱した。冷
却後、この反応液を炉過し、この炉液を各１０の‘の水
、５％重炭酸ナトリウム溶液及び水の順で洗浄しそして
硫酸ナトリウムで乾燥した。ベンゼンを留去した後、残
澄として得られた４−メトキシ安息香酸４′−（４一ｎ
ーベンチルフエニル）フエニルエステルをエタノール３
５の【および酢酸エチルェステル１０の‘から再結晶し
た。ｍ．ｐ．１１４．６０、Ｋ２１４ｑ○同様にして以
下の化合物が得られる。

４ーメトキシ安息香酸４′ー（４−ｎープロピルフエニ
ル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１４３００、Ｋ２３１
０○４−メトキシ安息香酸４′−（４−ｎ−ブチルフエ
ニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１１６ｑ○、Ｋ２１
５００４−メトキシ安息香酸４′−（４−ｎ−へプチラ
フエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９９００、ＫＩ
９６０○４−ェトキシ安息香酸４′ー（４−ｎ−ベンチ
ルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１１６００、
Ｋ２１２０○４一ｎープロピルオキシ安息香酸４′一（
４−ｎープロピルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ
．１１７０、Ｋ２１３℃４−ｎープロピオキシ安息香酸
４′一（４一ｎ−ベンチルフエニル）フエニルエステル
、ｍ．ｐ．１１４００、Ｋ２２１００４一ｎ−ブチルオ
キシ安息香酸４′一（４一ｎ−ブチルフエニル）フヱニ
ルエステル、ｍ．ｐ．１０５℃、Ｋ２２５００４−ｎ−
プチルオキシ安息香酸４′−（４一ｎ−ベンチルフエニ
ル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１０９００、Ｋ２１８
午○４一ｎ−ベンチルオキシ安息香酸４′−（４−ｎ−
ブチルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１１２。

○、ＫＩ９８００４−ｎーベンチルオキシ安息香酸イー
（４一ｎーベンチルフエニル）フエニルエステル、ｍ．
ｐ．１０ぜ０、Ｋ２０４ｏ０４−ｎ−へキシルオキシ安
息香酸４−（４−エチルフヱニル）フエニルエステル、
ｍ．ｐ．１１４００、Ｋ２０ｙ０４−ｎ−へキシルオキ
シ安息香酸４′ー（４一ｎ−ベンチルフエニル）フエニ
ルエステル、ｍ．ｐ．１０９００、ＫＩ９０ｏ０４−ｎ
−へプチルオキシ安息香酸４′ー（４−ｎープチルフエ
ニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１０２。

０、Ｋ２０３つ０ ４一ｎ−へブチルオキシ安息香酸４′−（４−ｎ−ベン
チルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９７０、Ｋ
２０５００４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸４′−（４
−ｎ−プロピルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．
８がＣ、Ｋ１８７０参考例 ５ ４一（４−ｎープロピルフエニル）フェノール１１夕お
よびピリジン１０の‘をトルェン１００机に溶解した溶
液に、４ープチルベンゾィルクロリド１０夕をトルェン
４０の上に溶解した溶液を３び分間かかって１００ｏｏ
で縄拝しながら満加した。

次いで、この反応液を２時間沸騰させそして冷却後炉遇
した。この炉液を各７５Ｍの水、５％重炭酸ナトリウム
水溶液および水の順で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し
そして蒸発させた。残造として得られた４ーフチル安息
香酸４一（４−ｎープロピルフェニル）フェニルェステ
ルをエタノールから再結晶した。ｍ．ｐ．９４ＣＣ、Ｋ
１８１℃同様にして以下の化合物が得られる。

４ーメチル安息香酸４′−（４−ｎ−ベンチルフエニル
）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１０６ｑ○、Ｋ１８ぴ０
４ーェチル安息香酸イー（４−ｎーベンチルフエニル）
フエニルエステル、ｍ．ｐ．１０５００、Ｋ１５６００
４−エチル安息香酸４′−（４−ｎ−へキシルフエニル
）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１０８℃、Ｋ１４８ｏ０
４−ｎ−プロピル安息香酸４−（４−ｎープロピルフエ
ニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１１０つＣ、Ｋ１８
７０４−ｎ−プロピル安息香酸４′一（４−ｎーベンチ
ルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．１１２０、Ｋ
１８１００４−ｎ−ブチル安息香酸４′−（４−ｎ−ブ
チルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９５００、
ＫＩ斑。

○４−ｎ−ブチル安息香酸４′−（４−ｎ−ベンチルフ
ヱニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９７００、Ｋ１７
０００４−ｎーブチル安息香酸４′−（４−ｎ−へキシ
ルフエニル）フエニルヱステル、ｍ．ｐ．７８℃、Ｋ１
５９ｑＯ４−ｎ−ブチル安息香酸４′−（４−ｎ−へプ
チルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９が０、Ｋ
１６０００４−ｎーブチル安息香酸４−（４一ｎ−オク
チルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．７４００、
Ｋ１５１℃４一ｎ−ペンチル安息香酸４′−（４−エチ
ルフエニル）フエニルヱステル、ｍ．ｐ．９８００、Ｋ
１７６００４−ｎ−ペンチル安息香酸４′−（４−ィソ
プロピルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９５ｑ
○、Ｋ１６４００４一ｎーベンチル安息香酸４一（４−
ｎ−へキシルフエニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９
０００、Ｓ／Ｎ９７０、Ｋ１６ｙ０４一ｎーヘキシル安
息香酸４′一（４ーェチルフエニル）フエニルエステル
、ｍ．ｐ．１１７０、Ｋ１６５００４一ｎーヘキシル安
息香酸４′−（４一ｎ−ブチルフエニル）フエニルエス
テル、ｍ．ｐ．Ｉ０４℃、Ｋ１７〆○４一ｎ−へキシル
安息香酸４′ー（４−ｎーベンチルフエニル）フエニル
エステル、ｍ．ｐ．９９ｑ○、Ｋ１６４ｏｏ４一ｎーヘ
キシル安息香酸４−（４一ｎーヘキシルフエニル）フエ
ニルエステル、ｍ．ｐ．９７０、Ｋ１６６℃４−ｎーヘ
プチル安息香酸４−（４−ィソプロピルフヱニル）フエ
ニルエステル、ｍ．ｐ．８２．５００、Ｋ１５２．５０
０４−ｎ−へプチル安息香酸イー（４−ｎーブチルフエ
ニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．聡。

０、Ｋ１６９００ ４一ｎ−オクチル安息香酸４′−（４−ｎーベンチルフ
エニル）フエニルエステル、ｍ．ｐ．９３００、Ｋ１７
０ｑＯ以下の実施例は本発明の組成物に関するものであ
る。

以下の実施例におけるパーセントの表示はモルパーセン
トを意味するものである。実施例 １ Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）一ｐ−ブチルアニリ
ン １５．７％Ｎ一
（４一ェトキシベンジリデン）−ｐーブチルアニリン
３４．９％アニス酸４
−ｎーベンチルフェニルェステル２７．０％４一ｎーヘ
キシルオキシ安息香酸４′一ｎ−ベンチルフエニルエス
テル １１．０％４一（４一ｎーヘ
キシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸（４′−ｎー
ブチル−２′−シアノフェニル）エステル
３．９％４−（ｎーベンチルフェニル）
安息香酸４一ｎ−ベンチルフヱニルエステル
７．５％ｍ．ｐ．＜−１０℃、Ｋ６９℃、粘度り
＝５次Ｐ（２０℃）実施例 ２４−シアノー４′−ｎー
ベンチルビフエニル３７．２％４−シアノ−４′−ｎ−
へプチルピフエニル２１．０％４−シアノ−４′ーｎー
ベンチルオキシビフエニル１１．４％４ーシアノー４′
−ｎーヘプチルオキシビフヱニル１１．４％４ーシアノ
ー４′−ｎ−オクチルオキシピフエニル１３．４％４−
（ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′一ｎ−プチルフ
エニルエステル ５．６％ｍ．ｐ．−
６℃、Ｋ６０００、刀＝４＆Ｐ実施例 ３ ４−シアノー４′一ｎ−ベンチルビフエニル５１．９％
４−シアノ−４′−ｎーヘプチルピフエニル２４．６％
４−シアノーイ−ｎーオクチルビフエニル１７．９％４
−ｎ−へキシルオキシ安息香酸４−（４−ｎ−ベンチル
フエニル）フエニルエステル ５．６％ｍ．ｐ．〆０
、Ｋ６１℃、り＝３次Ｐ実施例 ４ ４ーシアノー４′−ｎーベンチルピフエニル３１．３％
４−シアノー４′一ｎ−へプチルビフヱニル１８．０％
４ーシアノー４′一ｎープロピルオキシビフヱニル９．
５％４−シアノーイ−ｎーベンチルオキシビフエニル１
０．４％４−シアノ−４′ーｎーヘプチルオキシビフエ
ニル１０．４％４−シアノー４−ｎーオクチルオキシビ
フエニル１５．２％４−ｎーヘキシル安息香酸４′ー（
４一ｎーベンチルフエニル）フエニルエステル
５．２％ｍ．ｐ．３ｑ０、Ｋ６６００、り＝４＄Ｐ
実施例 ５ ４−シアノーイーｎーベンチルビフエニル３７．２％４
ーシアノ−４′一ｎ−へプチルピフエニル２４．１％４
ーシアノ−４′一ｎ−ベンチルオキシビフエニル１４．
０％４ーシアノ−４′一ｎーオクチルオキシビフエニル
１７．６％４一（４−ｎーベンチルフェニル）安息香酸
イーｎープロピルフエニルエステル ７．１
％ｍ．ｐ．〆○、Ｋ５９ｑ○、り＝４＄Ｐ実施例 ６ ４−シアノー４′一ｎ−ベンチルビフエニル３６．０％
４−シアノー４′ーｎーヘプチルビフエニル２３．４％
４ーシアノ−４′一ｎ−へプチルオキシピフヱニル１３
．４％４−シアノ−４′−ｎーオクチロキシビフエニル
１７．２％４−（４−ｎーベンチルフヱニル）安息香酸
４′一ｎーベンチルフエニルエステル ４．
７％４−（４一ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′ー
メトキシフエニルエステル ５．３％ｍ
．ｐ．ｏｑ○、Ｋ６が○、り＝４＆Ｐ実施例 ７ ４ーシアノー４′−ｎ−ベンチルビフエニル５１．７％
４−シアノ−４′−ｎーヘプチルビフエニル２７．８％
４ーシアノ−４′−ｎ−オクチルオキシビフエニル１６
．３％４−（４一ｎ−ベンチルフェニル）安息香酸４′
ーｎーベンチルフエニルエステル ４．２％
ｍ．ｐ．＜ー１０午０、Ｋ払℃、刀＝３０Ｐ実施例 ８
４ーシアノー４′ーｎーベンチルビフエニル４９．３％
４ーシアノ−４′一ｎーヘプチルビフエニル２６．５％
４ーシアノ−４−ｎーオクチルオキシビフエニル１５．
５％４−（４一ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′−
ｎ−ベンチルフエニルエステル ８．７％ｍ
．ｐ．一５℃、Ｋ６〆○、り＝繁やＰ実施例 ９ ４−シアノー４′一ｎ−ベンチルビフエニル４９．２％
４ーシアノー４′−ｎ−へプチルビフエニル２６．４％
４ーシアノー４′一ｎーオクチルビフエニル１５．５％
４一（４一ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′ーｎー
ベンチルフヱニルエステル ８．９％ｍ．ｐ
．一５℃、Ｋ６〆Ｃ、り＝３びＰ実施例 １０ ４−シアノー４′一ｎーベンチルビフエニル５０．８％
４−シアノー４′一ｎーヘプチルビフエニル２７．３％
４ーシアノー４′−ｎーオクチルビフエニル１６．０％
４一（４−ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′−メト
キシフヱニルエステル ５．９％ｍ．ｐ
．〈一１０００、Ｋ５７０、り＝３父Ｐ実施例 １１４
ーシアノー４′一ｎーベンチルビフエニル４９．７％４
ーシアノー４′一ｎーヘプチルビフエニル２６．７％４
−シアノーイーｎ−オクチルビフエニル１５．６％４一
（４一ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′ーメトキシ
フエニルエステル ４．１％４−（４−ｎ
ーベンチルフェニル）安息香酸４′ーベンチルフエニル
エステル ３．９％ｍ．ｐ．０００、Ｋ
６０００、り＝３３Ｐ実施例 １２ ４ーシアノ−４′ーｎーベンチルビフエニル３６．４％
４ーシアノー４′−ｎ−へプチルビフエニル２０．６％
４−シアノ−４′一ｎ−ベンチルオキシビフエニル１１
．２％４ーシアノ−４′−ｎーヘプチルオキシビフエニ
ル１１．２％４−シアノー４−ｎ−オクチルオキシビフ
エニル１３．１％４一（４−ｎ−ベンチルフェニル）安
息香酸４′−ｎーベンチルフエニルエステル
７．５％ｍ．ｐ．−１０００、Ｋ６１午○、り＝４＆
Ｐ実施例 １３アニス酸４−ｎ−ベンチルフェニルェス
テル４０％４−ｎーヘキシロキシ安息香酸４′ーベンチ
ルフェニルエステル ２
２％４一ｎーベンチル安息香酸４′−ｎーベンチルオキ
シフエニルヱステル ３１％４一（
４−ｎーベンチルフェニル）安息香酸４′−ｎーベンチ
ルフエニルエステル ７％ｍ．ｐ．ぴ○、Ｋ６
０００、り＝５７ｃＰ実施例 １４ アニス酸４一ｎーベンチルフェニルェステル４０％４一
ｎ−へキシルオキシ安息香酸４′ーｎーベンチルフエニ
ルエステル ２２％４−ｎ−ペ
ンチル安息香酸４′ーｎ−ベンチロキシフエニルエステ
ル ３１％４一（４一ｎ−ベンチ
ルフェニル）安息香酸４′ーｎーブロピルフエニルエス
テル ７％ｍ．ｐ．ぞ○、Ｋ６０００、り＝５
７ｃＰ実施例 １５ アニス酸４一ｎ−ベンチルフェニルェステル４０％４−
ｎ−へキシルオキシ安息香酸４′ーｎーベンチルフエニ
ルエステル ２２％４一ｎ−ペ
ンチル安息香酸４′ーｎ−ベンチルオキシフエニルエス
テル ３１％４一（４一ｎ−ベンチ
ルフェニル）安息香酸４−メトキシフエニルエステル
７％ｍ．ｐ．＜一１０ｑ○、Ｋ６１００、り
＝３やＰ実施例 １６アニス酸４一ｎーベンチルフエニ
ルェステル３９％４一ｎーヘキシルオキシ安息香酸４′
一ｎ−ベンチルフエニルエステル
３９％４一〔４−（２−メチルブチル）フェニル〕安
息香酸４′−ｎ−ベンチルフェニルェステル ２２％
ｍ．ｐ．ア○、Ｋ６９００、刀＝９＆Ｐ実施例 １７ ４ーシアノ−４′ーｎーベンチルビフエニル４８．１％
４ーシアノー４′−ｎーヘプチルビフエニル２５．８％
４−シアノー４−ｎ−オクチルオキシピフエニル１５．
１％４−ｎ−べプチル安息香酸４′−（４−ィソプロピ
ルフエニル）ーフエニルエステル １１．０％ｍ
．ｐ．一３℃、Ｋ６０００、り＝３必Ｐ実施例 １８ ４ーシアノ−４′ーｎ−ベンチルビフエニル ３７％４
ーシアノ−４一ｎ−へプチルビフエニル ２０％４ーシ
アノ−４−ｎ−オクチルオキシビフエニル１３％４ーシ
アノー４′一ｎーベンチルオキシビフヱニル１２％４一
（ィソプロピルフェニル）安息香酸４−ィソプロピルフ
エニルエステル １８％ｍ．ｐ．一６℃
、Ｋ５７０、刀＝３枕Ｐ実施例 １９ ４−シアノーイーｎーブチルピフエニル １３％４ー
シアノー４′ーｎーベンチルビフエニル ２６％４−シ
アノ−４′−ｎ−へプチルビフエニル １０％４ーシア
ノー４′−ｎ−ベンチルオキシビフエニル１２％４ーシ
アノー４′一ｎ−へプチルオキシビフエニル１１％４−
（ィソブロピルフェニル）−安息香酸４−ィソプロピル
フエニルエステル １４％４−（ィソプロ
ピルフェニル）−安息香酸４′−ｎ−ベンチルオキシフ
エニルエステル １４％ｍ．ｐ．−１０００、Ｋ
６０００、り＝４比Ｐ実施例 ２０４−シアノー４−ｎ
−ブチルビフヱニル １２％４ーシアノー４′−ｎー
ベンチルビフエニル ３５％４ーシアノー４′−ｎーベ
ンチルオキシビフエニル１２％４−シアノ−４−ｎ−へ
プチルオキシビフエニル１１％４−シアノー４′一ｎ一
ベンチルターフヱニル１０％４−（２ーェチルヘキシル
フェニル）−安息香酸４一ｎ−ベンチルフエニルエステ
ル ２０％ｍｐ．−１０００、Ｋ７０００、り＝
４２Ｐ実施例 ２１４−シアノ−４′一ｎーベンチルビ
フエニル３７．５％４−シアノー４′−ｎーヘプチルビ
フエニル２２．６％４ーシアノー４−ｎーベンチルオキ
シピフエニル９．２％４−シアノー４′一ｎーヘプチル
オキシビフエニル８．５％４−シアノーイーｎーオクチ
ルビフエニル１２．２％４一〔４一（２−メチルーブチ
ルーフエニル〕−安息香酸イーメチルフェニルェステル
（ラセミ体） ３．
０％４一〔４−（２−メチルーブチル）−フエニル〕−
安息香酸４′−エチルフェニルェステル（ラセミ体）
３．５％４一〔４−
（２−メチルーブチル）−フエニル〕−安息香酸４−ｎ
−ベンチルフヱニルェステル（ラセミ体）
３．５％ｍ．ｐ．−１ｏｏ０、Ｋ５
８００、り＝４比Ｐ；ネマチック液晶相を示す。

この組成物において、３種のラセミ体ェステルの代りに
、相当する光学活性ェステルを使用すると、ｍ．ｐ．−
１０００およびＫ５８００を有するがカィラルーネマチ
ック液晶相を示す組成物が得られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは−ＣＯ−Ｏ−または−Ｏ−ＣＯ−であり、
   Ｒ＿１およびＲ＿２はその一方が炭素原子数１乃至８個
   の直鎖状または分枝鎖状のアルキル基であり、Ｒ＿１お
   よびＲ＿２の他方の一方が炭素原子数１乃至８個の直鎖
   状または分枝鎖状のアルキル基またはアルコキシ基であ
   る）で示されるビフエニルエステル化合物の少なくとも
   １種と、１種または２種以上の既知液晶化合物とを含有
   することを特徴とするネマチツクまたはカイラル−ネマ
   チツク液晶組成物。