JPH0623135B2 - 液晶物質及び液晶組成物 - Google Patents
液晶物質及び液晶組成物Info
- Publication number
- JPH0623135B2 JPH0623135B2 JP58078594A JP7859483A JPH0623135B2 JP H0623135 B2 JPH0623135 B2 JP H0623135B2 JP 58078594 A JP58078594 A JP 58078594A JP 7859483 A JP7859483 A JP 7859483A JP H0623135 B2 JPH0623135 B2 JP H0623135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- phase
- group
- formula
- optically active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有する液晶
組成物に関し、更に詳しくは光学活性なアルキルオキシ
基を有するカイラル液晶物質及びそれらを含有するカイ
ラル液晶組成物に関する。
組成物に関し、更に詳しくは光学活性なアルキルオキシ
基を有するカイラル液晶物質及びそれらを含有するカイ
ラル液晶組成物に関する。
現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted Nematic)型表
示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に於
て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス，プラズ
マデイスプレイ等）と比較して劣つており、この点に於
ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な改善
の可能性はあまり残つていない様である。そのためＴＮ
型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が種々
試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用する
表示方式がある(N.A.Clarkら；Applied Phys.lett.,36,
899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイラルスメク
チツクＣ相（以下SC*相と略称する）或はカイラルスメ
クチツクＨ相（以下SH*相と略称する）を利用するもの
で、それが室温付近にあるものが望ましい。本発明者ら
は、この表示方式に利用されるに適した液晶物質の開発
を主たる目的として、光学活性基を含む液晶物質を種々
探索して本発明に到達した。
示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に於
て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス，プラズ
マデイスプレイ等）と比較して劣つており、この点に於
ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な改善
の可能性はあまり残つていない様である。そのためＴＮ
型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が種々
試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用する
表示方式がある(N.A.Clarkら；Applied Phys.lett.,36,
899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイラルスメク
チツクＣ相（以下SC*相と略称する）或はカイラルスメ
クチツクＨ相（以下SH*相と略称する）を利用するもの
で、それが室温付近にあるものが望ましい。本発明者ら
は、この表示方式に利用されるに適した液晶物質の開発
を主たる目的として、光学活性基を含む液晶物質を種々
探索して本発明に到達した。
即ち本発明は一般式 （但し、上式に於いて、ｍは０，１又は２であり、R*は
光学活性な２−メチルブチル基又は炭素数４〜８の光学
活性な２−アルキル基を示し、 （１，４−フェニレン基）を示し、Ｘは炭素数１〜１８
の直鎖又は分岐アルキル基又はアルコキシ基を示す） で表される化合物及びそれを含有する液晶組成物であ
る。
光学活性な２−メチルブチル基又は炭素数４〜８の光学
活性な２−アルキル基を示し、 （１，４−フェニレン基）を示し、Ｘは炭素数１〜１８
の直鎖又は分岐アルキル基又はアルコキシ基を示す） で表される化合物及びそれを含有する液晶組成物であ
る。
この(I)式の化合物にはＳＢ相（スメクチツクＢ相），S
C*相又はCh相（コレステリツク相）のみを示すもの、SC
*（カイラルスメクチツク相），ＳＡ相（スメクチツク
Ａ相），ch相（コレステリツク相）の３相を示すもの，
SC*相とch相を示すもの、ＳＡ相とch相を示すものなど
があり、物性的には極めて多彩な液晶相を呈する一群の
化合物である。
C*相又はCh相（コレステリツク相）のみを示すもの、SC
*（カイラルスメクチツク相），ＳＡ相（スメクチツク
Ａ相），ch相（コレステリツク相）の３相を示すもの，
SC*相とch相を示すもの、ＳＡ相とch相を示すものなど
があり、物性的には極めて多彩な液晶相を呈する一群の
化合物である。
(I)式に於けるR*、即ち光学活性アルキル基としては、
現在のところ工業的に容易に入手し得る原料として光学
活性２−メチルブチルアルコール，次いで光学活性２−
オクタノールがある故、２−メチルブチル基及び２−オ
クチル基が好適である。原料の光学活性アルコールとし
ては、その他にも種々あるが、中でも２−ブタノールの
様な２の位置に水酸基のある２級アルコール、即ち一般
式CnH2n+1-*CH(CH3)OHで表わされるものが好適に利用さ
れる。即ちR*としては一般式CnH2n+1-*CH(CH3)-型のも
のが好ましく、側方に出る基はメチル基より長いものは
望ましくない。
現在のところ工業的に容易に入手し得る原料として光学
活性２−メチルブチルアルコール，次いで光学活性２−
オクタノールがある故、２−メチルブチル基及び２−オ
クチル基が好適である。原料の光学活性アルコールとし
ては、その他にも種々あるが、中でも２−ブタノールの
様な２の位置に水酸基のある２級アルコール、即ち一般
式CnH2n+1-*CH(CH3)OHで表わされるものが好適に利用さ
れる。即ちR*としては一般式CnH2n+1-*CH(CH3)-型のも
のが好ましく、側方に出る基はメチル基より長いものは
望ましくない。
本発明の化合物の中でも特に重要な物質は強誘電性液晶
を用いる表示に適するSC*相を呈するものである。即
ち、(I)式でR*が２−メチルブチル， ｍが１又は２の化合物で、Ｘが炭素数５〜１８の直鎖の
アルキル基又はアルコキシ基のものがそれに該当するも
のである。これらの化合物は強誘電性を有するSC*相の
存在する温度より上の温度に於てはＳＡ相を呈しないで
コレステリツク相（ch相）を呈する。このことは強誘電
性液晶を用いる表示素子に使用する場合に特に好ましい
ことである。その理由の１つは表示素子を製作する際
に、コレステリツク状態で液晶を配向させ、次いで冷却
して、他の相を経由することなく直接SC*相を生成させ
ることができ、従つて高い均一性をもつた配向液晶相を
得ることが容易であるということである。又もう一つの
理由としては、SC*相より高い温度にＳＡ相がある場合
よりもＳＡ相がない場合の方がSC*相のら旋軸の方向
の、温度変化が少く、表示のコントラストの温度変化が
無視できる程度に小さくなるということがあげられる。
SC*相の上の温度領域に於てＳＡ相を呈することなく直
接にコレステリツク相を呈する物質としては次の(II)式
の化合物が知られている(G.W.Grayら；Mol.Cryst.Liq.C
ryst.37(1976)189)。
を用いる表示に適するSC*相を呈するものである。即
ち、(I)式でR*が２−メチルブチル， ｍが１又は２の化合物で、Ｘが炭素数５〜１８の直鎖の
アルキル基又はアルコキシ基のものがそれに該当するも
のである。これらの化合物は強誘電性を有するSC*相の
存在する温度より上の温度に於てはＳＡ相を呈しないで
コレステリツク相（ch相）を呈する。このことは強誘電
性液晶を用いる表示素子に使用する場合に特に好ましい
ことである。その理由の１つは表示素子を製作する際
に、コレステリツク状態で液晶を配向させ、次いで冷却
して、他の相を経由することなく直接SC*相を生成させ
ることができ、従つて高い均一性をもつた配向液晶相を
得ることが容易であるということである。又もう一つの
理由としては、SC*相より高い温度にＳＡ相がある場合
よりもＳＡ相がない場合の方がSC*相のら旋軸の方向
の、温度変化が少く、表示のコントラストの温度変化が
無視できる程度に小さくなるということがあげられる。
SC*相の上の温度領域に於てＳＡ相を呈することなく直
接にコレステリツク相を呈する物質としては次の(II)式
の化合物が知られている(G.W.Grayら；Mol.Cryst.Liq.C
ryst.37(1976)189)。
（但しｎ＝５〜１０） しかし、上記の化合物が表示素子用として好適な強誘電
性液液材料であるか否かは示されていない。又本発明者
らが先に出願した（特願昭５８−６４０号）次の(III)
式の化合物はすべてSC*相の上の温度でＳＡ相を有す
る。
性液液材料であるか否かは示されていない。又本発明者
らが先に出願した（特願昭５８−６４０号）次の(III)
式の化合物はすべてSC*相の上の温度でＳＡ相を有す
る。
（但しｍ＝１でＸが炭素数４〜１８のアルコキシ基、又
はｍ＝２でＸが炭素数１〜１８のアルコキシ基又はアル
キル基） 次に(I)式に於てR*が２−メチルブチル， ｍが１で、Ｘが、主鎖の炭素数が４以下のアルコキシ基
である場合はSC*相を呈する温度領域は低下し、実際上
コレステリツク相のみが認められる様になる。例えばＸ
がブトキシ基又は光学活性２−メチルブチルオキシ基で
ある化合物は、これらをネマチツク液晶に添加すること
によつて捩れた構造を誘起する能力を有する。捩れた構
造を有するネマチツク液晶、即ちカイラルネマチツク液
晶はＴＮ型表示素子のいわゆるリバース・ドメイン（re
verse domain、しま模様）を生成することがないのでリ
バース・ドレイン生成の防止剤として使用できる。即ち
これらをネマチツク液晶に対して0.05〜３重量％程度添
加することによつて分子に一定方向へのねじり力を与
え、リバース・ドメインは解消される。
はｍ＝２でＸが炭素数１〜１８のアルコキシ基又はアル
キル基） 次に(I)式に於てR*が２−メチルブチル， ｍが１で、Ｘが、主鎖の炭素数が４以下のアルコキシ基
である場合はSC*相を呈する温度領域は低下し、実際上
コレステリツク相のみが認められる様になる。例えばＸ
がブトキシ基又は光学活性２−メチルブチルオキシ基で
ある化合物は、これらをネマチツク液晶に添加すること
によつて捩れた構造を誘起する能力を有する。捩れた構
造を有するネマチツク液晶、即ちカイラルネマチツク液
晶はＴＮ型表示素子のいわゆるリバース・ドメイン（re
verse domain、しま模様）を生成することがないのでリ
バース・ドレイン生成の防止剤として使用できる。即ち
これらをネマチツク液晶に対して0.05〜３重量％程度添
加することによつて分子に一定方向へのねじり力を与
え、リバース・ドメインは解消される。
又、(I)式に於てｍが０の化合物はｍは１又は２のもの
に比してSC*相を呈する温度が低温域にあり、かつ狭い
という欠点はあるが、融点も低いためSC*液晶組成物の
氷結点を低下させ、SC*液晶温度領域の下限の拡大に有
効である。SC*液晶組成物を構成する場合、(I)式の複数
の化合物のみより構成することも可能であり、又(I)式
の化合物と他のスメクチツク液晶と混合してSC*相を呈
する液晶組成物を製造することも可能である。
に比してSC*相を呈する温度が低温域にあり、かつ狭い
という欠点はあるが、融点も低いためSC*液晶組成物の
氷結点を低下させ、SC*液晶温度領域の下限の拡大に有
効である。SC*液晶組成物を構成する場合、(I)式の複数
の化合物のみより構成することも可能であり、又(I)式
の化合物と他のスメクチツク液晶と混合してSC*相を呈
する液晶組成物を製造することも可能である。
SC*相の光スイツチング効果を表示素子として応用する
場合ＴＮ表示方式にくらべて３つのすぐれた特徴があ
る。第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は
通常のＴＮ表示方式の素子と比較すると、1/100以下で
ある。第２の特徴はメモリー効果があることであり、上
記の高応答性とあいまつて、時分割駆動が容易である。
第３の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階調をとるには、印
加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧の温度依存性
や応答速度の電圧依存性などの難問がある。しかしSC*
相の光スイツチング効果を応用する場合には極性の反転
時間を調節することにより、容易に階調を得ることがで
き、グラフイツク表示に非常に適している。
場合ＴＮ表示方式にくらべて３つのすぐれた特徴があ
る。第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は
通常のＴＮ表示方式の素子と比較すると、1/100以下で
ある。第２の特徴はメモリー効果があることであり、上
記の高応答性とあいまつて、時分割駆動が容易である。
第３の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階調をとるには、印
加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧の温度依存性
や応答速度の電圧依存性などの難問がある。しかしSC*
相の光スイツチング効果を応用する場合には極性の反転
時間を調節することにより、容易に階調を得ることがで
き、グラフイツク表示に非常に適している。
表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する福届折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相は
自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転することに
より、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*相
を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶ
ように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように配
置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧を
印加して、極性を反転することにより、明視野および暗
視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。一
方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の極
性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板の
配置により決まる）を得ることができる。
は２枚の偏光子を使用する福届折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相は
自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転することに
より、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*相
を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶ
ように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように配
置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧を
印加して、極性を反転することにより、明視野および暗
視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。一
方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の極
性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板の
配置により決まる）を得ることができる。
一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆつくりと（１℃〜２℃／
hr）冷却することにより、液晶分子を配向させている
が、コレステリツク相を有する液晶物質では磁場の代わ
りに５０Ｖ〜１００Ｖの直流電圧を印加しながら１℃／
minの冷却速度で冷却することにより、容易に均一に配
向したモノドメイン状態を得ることができる。
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆつくりと（１℃〜２℃／
hr）冷却することにより、液晶分子を配向させている
が、コレステリツク相を有する液晶物質では磁場の代わ
りに５０Ｖ〜１００Ｖの直流電圧を印加しながら１℃／
minの冷却速度で冷却することにより、容易に均一に配
向したモノドメイン状態を得ることができる。
次に本発明の(I)式の化合物の製造法について述べる
と、まず4,4′−ジヒドロキシビフエニルを、光学活性
アルキルハライド又は光学活性アルキルｐ−トルエンス
ルフオン酸エステルで通常の方法でモノエーテル化する
ことによつて4,4′−ジヒドロキシジフエニルのモノエ
ーテル， を製造する。
と、まず4,4′−ジヒドロキシビフエニルを、光学活性
アルキルハライド又は光学活性アルキルｐ−トルエンス
ルフオン酸エステルで通常の方法でモノエーテル化する
ことによつて4,4′−ジヒドロキシジフエニルのモノエ
ーテル， を製造する。
次に、これをピリジンで代表される塩基性溶媒中で、最
終目的物に応じて、夫々脂肪酸ハライド，クロル蟻酸エ
ステル，ｐ−アルキル安息香酸ハライド，ｐ−アルコキ
シ安息香酸ハライド，トランス−４−アルキルシクロヘ
キサンカルボン酸ハライド，４′−アルキル−４−ビフ
エニルカルボン酸ハライド，４′−アルコキシ−４−ビ
フエニルカルボン酸ハライドなどを作用させることによ
り目的物が製造される。この様にして得られた(I)式の
化合物の相転移温度を第１表及び第２表に示す。尚、第
１表に於てＲ＊はすべて光学活性２−メチルブチル基で
あり、第２表に於てはＲ＊は光学活性２−オクチル基で
ある。
終目的物に応じて、夫々脂肪酸ハライド，クロル蟻酸エ
ステル，ｐ−アルキル安息香酸ハライド，ｐ−アルコキ
シ安息香酸ハライド，トランス−４−アルキルシクロヘ
キサンカルボン酸ハライド，４′−アルキル−４−ビフ
エニルカルボン酸ハライド，４′−アルコキシ−４−ビ
フエニルカルボン酸ハライドなどを作用させることによ
り目的物が製造される。この様にして得られた(I)式の
化合物の相転移温度を第１表及び第２表に示す。尚、第
１表に於てＲ＊はすべて光学活性２−メチルブチル基で
あり、第２表に於てはＲ＊は光学活性２−オクチル基で
ある。
上表に於てＩは等方性液体相（透明相）を示し、各相の
欄の・及びその右側の数字は、その相から右側の相への
相転移温度を示し、−はその相を示さないことを示す。
又（ ）はモノトロピツク相転移温度であることを示
す。
欄の・及びその右側の数字は、その相から右側の相への
相転移温度を示し、−はその相を示さないことを示す。
又（ ）はモノトロピツク相転移温度であることを示
す。
以下実施例により本発明の化合物及びそれを含む液晶組
成物につき更に詳細に説明する。
成物につき更に詳細に説明する。
実施例１〔４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−ｎ
−ペンタノイルオキシビフエニル（(I)式に於てＸ＝n-C
4H9,m＝０， R*＝２メチルブチル基のもの）の製造〕 (i)４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−ヒドロキ
シビフエニルの製造 ５００ｇの4,4′−ジヒドロキシビフエニル，7.5のエ
タノール及び３０２ｇの苛性カリの混合物を還流下に加
熱撹拌し、そこへ(+)臭化２−メチルブチル（(-)２−メ
チルブタノールより臭化燐により製造）５３０ｇを滴加
４時間反応させた。エタノールを留去してから２の水
を加えて過し不溶物を集めた。この不溶物をトルエン
で処理して可溶物を除去した。この可溶部分の方はエタ
ノールで再結晶すると融点80.5℃のリン片状結晶とな
り、ジ−（２−メチルブチルオキシ）ビフエニルである
ことが確認された。一方不溶部分は塩酸と加熱撹拌して
のち冷却し、固形物を集めてトルエン、次いでエタノー
ルより再結晶することによつて、融点137.5℃の４′−
（２−メチルブチルオキシ）−４−ヒドロキシビフエニ
ル１２５ｇを得た。
−ペンタノイルオキシビフエニル（(I)式に於てＸ＝n-C
4H9,m＝０， R*＝２メチルブチル基のもの）の製造〕 (i)４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−ヒドロキ
シビフエニルの製造 ５００ｇの4,4′−ジヒドロキシビフエニル，7.5のエ
タノール及び３０２ｇの苛性カリの混合物を還流下に加
熱撹拌し、そこへ(+)臭化２−メチルブチル（(-)２−メ
チルブタノールより臭化燐により製造）５３０ｇを滴加
４時間反応させた。エタノールを留去してから２の水
を加えて過し不溶物を集めた。この不溶物をトルエン
で処理して可溶物を除去した。この可溶部分の方はエタ
ノールで再結晶すると融点80.5℃のリン片状結晶とな
り、ジ−（２−メチルブチルオキシ）ビフエニルである
ことが確認された。一方不溶部分は塩酸と加熱撹拌して
のち冷却し、固形物を集めてトルエン、次いでエタノー
ルより再結晶することによつて、融点137.5℃の４′−
（２−メチルブチルオキシ）−４−ヒドロキシビフエニ
ル１２５ｇを得た。
(ii)標題化合物の製造 (i)で得られた４′−（２−メチルブチルオキシ）−４
−ヒドロキシビフエニル5.1ｇをピリジンに溶解し、水
冷したところへ吉草酸クロリド2.5ｇのトルエン溶液を
撹拌下に滴加したのち、６０℃で１時間反応させる。氷
と６Ｎ塩酸を加えて酸性としてから分液、水洗し、更に
２Ｎ苛性ソーダ水による洗浄及び水洗をした後トルエン
を留去した。残留物をエタノールより再結晶して目的
物、即ち４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−ｎ−
ペンタノイルオキシビフエニル4.2ｇを得た。融点８６
℃，又８５℃でモノトロピック相転移でＳＢ相を呈した
（第１表No.１参照）。化学構造はＮＭＲ及び元素分析
により確認した。
−ヒドロキシビフエニル5.1ｇをピリジンに溶解し、水
冷したところへ吉草酸クロリド2.5ｇのトルエン溶液を
撹拌下に滴加したのち、６０℃で１時間反応させる。氷
と６Ｎ塩酸を加えて酸性としてから分液、水洗し、更に
２Ｎ苛性ソーダ水による洗浄及び水洗をした後トルエン
を留去した。残留物をエタノールより再結晶して目的
物、即ち４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−ｎ−
ペンタノイルオキシビフエニル4.2ｇを得た。融点８６
℃，又８５℃でモノトロピック相転移でＳＢ相を呈した
（第１表No.１参照）。化学構造はＮＭＲ及び元素分析
により確認した。
実施例２〔４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−ｎ
−オクチルオキシカルボキシビフエニル（(I)式に於て
Ｘ＝n-C8H17O,m＝O,R*＝２−メチルブチルのもの）の製
造〕 実施例１(i)で得られた４′−（２−メチルブチルオキ
シ）−４−ヒドロキシビフエニル5.1ｇをピリジンに溶
解、水冷したところへ、クロル蟻酸ｎ−オクチル（Cl・C
OO C8H17）５ｇのトルエン溶液を撹拌下に滴下し、のち
６０℃で１時間反応させた。あとは実施例１の(ii)と同
様に処理して目的物である４′−（２−メチルブチルオ
キシ）−４−ｎ−オクチルオキシカルボキシビフエニル
4.0ｇを得た。化学構造はＮＭＲで確認した。物性値は
第１表（No.４）に示した通りである。
−オクチルオキシカルボキシビフエニル（(I)式に於て
Ｘ＝n-C8H17O,m＝O,R*＝２−メチルブチルのもの）の製
造〕 実施例１(i)で得られた４′−（２−メチルブチルオキ
シ）−４−ヒドロキシビフエニル5.1ｇをピリジンに溶
解、水冷したところへ、クロル蟻酸ｎ−オクチル（Cl・C
OO C8H17）５ｇのトルエン溶液を撹拌下に滴下し、のち
６０℃で１時間反応させた。あとは実施例１の(ii)と同
様に処理して目的物である４′−（２−メチルブチルオ
キシ）−４−ｎ−オクチルオキシカルボキシビフエニル
4.0ｇを得た。化学構造はＮＭＲで確認した。物性値は
第１表（No.４）に示した通りである。
同様にして(I)式でＸがCH3O,C2H5O,C3H5O,C4H9O,C5H
11O,C6H13O,C7H15O,C9H19Oのもの（R*＝２−メチルブチ
ル，ｍ＝０）などを製造することが出来る。
11O,C6H13O,C7H15O,C9H19Oのもの（R*＝２−メチルブチ
ル，ｍ＝０）などを製造することが出来る。
実施例３〔４′−（２−メチルブチルオキシ）−４−
（ｐ−オクチルベンゾイルオキシ）−ビフエニル（(I)
式に於てＸ＝n-C8H17 m＝１， R*＝２−メチルブチルのもの）の製造〕 実施例１(i)で得られた４′−（２−メチルブチルオキ
シ）−４−ヒドロキシビフエニル5.1ｇをピリジンに溶
解、氷冷し、そこへｐ−ｎ−オクチル安息香酸クロリド
５ｇのトルエン溶液を撹拌下に滴下し、のち９０℃で２
時間反応させた。あとは実施例１(ii)と同様に処理し
て、最後にエタノール−酢酸エチル混合溶液から再結晶
して標記の目的物6.8ｇを得た。その化学構造はＮＭＲ
により確認した。物性値は第１表（No.８）に示す。
（ｐ−オクチルベンゾイルオキシ）−ビフエニル（(I)
式に於てＸ＝n-C8H17 m＝１， R*＝２−メチルブチルのもの）の製造〕 実施例１(i)で得られた４′−（２−メチルブチルオキ
シ）−４−ヒドロキシビフエニル5.1ｇをピリジンに溶
解、氷冷し、そこへｐ−ｎ−オクチル安息香酸クロリド
５ｇのトルエン溶液を撹拌下に滴下し、のち９０℃で２
時間反応させた。あとは実施例１(ii)と同様に処理し
て、最後にエタノール−酢酸エチル混合溶液から再結晶
して標記の目的物6.8ｇを得た。その化学構造はＮＭＲ
により確認した。物性値は第１表（No.８）に示す。
同様にして(I)式でＸがn-C4H9,n-C5H11,n-C6H13,n-C7H
15,n-C9H19,n-C10H21,n-C3H7O,n-C4H9O,n-C5H11O,C2H5 *
CH(CH3)CH2O,n-C6H13Oのもの（ｍ， R*は実施例３の化合物と同じ）などを製造することが出
来る。
15,n-C9H19,n-C10H21,n-C3H7O,n-C4H9O,n-C5H11O,C2H5 *
CH(CH3)CH2O,n-C6H13Oのもの（ｍ， R*は実施例３の化合物と同じ）などを製造することが出
来る。
実施例４〔光学活性４′−（２−オクチルオキシ−４−
（ｐ−ヘプチルオキシベンゾイルオキシ）−ビフエニル
（(I)式に於てＸ＝C7H15O-,m＝１， R*＝２−オクチル基のもの）の製造〕 (i)４′−（２−オクチルオキシ）−４−ヒドロキシビ
フエニルの製造 光学活性Ｓ(+)−２−オクタノールより常法により製造
されたＳ(+)−２−オクチルｐ−トルエンスルホン酸エ
ステルと４，４′−ジヒドロキシビフエニルとから実施
例１と類似の方法でエーテル化反応を行い、４′−（２
−オクチルオキシ）−４−ヒドロキシビフエニル（融点
98.1℃）を得た。又副生物として４，４′−ジ−（２−
オクチルオキシ）−ビフエニル（融点35.4℃）が得られ
た。
（ｐ−ヘプチルオキシベンゾイルオキシ）−ビフエニル
（(I)式に於てＸ＝C7H15O-,m＝１， R*＝２−オクチル基のもの）の製造〕 (i)４′−（２−オクチルオキシ）−４−ヒドロキシビ
フエニルの製造 光学活性Ｓ(+)−２−オクタノールより常法により製造
されたＳ(+)−２−オクチルｐ−トルエンスルホン酸エ
ステルと４，４′−ジヒドロキシビフエニルとから実施
例１と類似の方法でエーテル化反応を行い、４′−（２
−オクチルオキシ）−４−ヒドロキシビフエニル（融点
98.1℃）を得た。又副生物として４，４′−ジ−（２−
オクチルオキシ）−ビフエニル（融点35.4℃）が得られ
た。
(ii)標題化合物の製造 上記(i)で得られた４′−（２−オクチルオキシ）−４
−ヒドロキシビフエニル7.5ｇをピリジンに溶解し、水
冷したところへｐ−ヘプチルオキシ安息香酸クロリド6.
5ｇのトルエン溶液を撹拌下に滴下し、更に９０℃で２
時間反応させ、以下実施例３と同様に処理して目的の標
題化合物（第２表のNo.２０のもの）9.5ｇを得た。その
相転移点は第２表に示す。又、その比旋光度は▲〔α〕
20゜ D▼＝＋0.7°（クロロホルム中Ｃ＝0.1）であつた。
本化合物の絶体立体配置は決定できないが上記(i)のエ
ーテル化段階でワルデン反転が起つたと考えられるので
Ｒ系統であると推定される。
−ヒドロキシビフエニル7.5ｇをピリジンに溶解し、水
冷したところへｐ−ヘプチルオキシ安息香酸クロリド6.
5ｇのトルエン溶液を撹拌下に滴下し、更に９０℃で２
時間反応させ、以下実施例３と同様に処理して目的の標
題化合物（第２表のNo.２０のもの）9.5ｇを得た。その
相転移点は第２表に示す。又、その比旋光度は▲〔α〕
20゜ D▼＝＋0.7°（クロロホルム中Ｃ＝0.1）であつた。
本化合物の絶体立体配置は決定できないが上記(i)のエ
ーテル化段階でワルデン反転が起つたと考えられるので
Ｒ系統であると推定される。
実施例５（使用例１） ４−エチル−４′−シアノビフエニル ２０部（重量、以下
同じ） ４−ペンチル−４′−シアノビフエニル ４０部 ４−オクチルオキシ−４′−シアノビフエニル ２５部 ４−ペンチル−４′−シアノタ−フエニル １５部 から成る組成物を、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングし
て平行配向処理を施した透明電極のＴＮセル（電極間隔
約１０μｍ）に注入し、偏光顕微鏡下で観察したところ
リバース・ドメインが見られた。
同じ） ４−ペンチル−４′−シアノビフエニル ４０部 ４−オクチルオキシ−４′−シアノビフエニル ２５部 ４−ペンチル−４′−シアノタ−フエニル １５部 から成る組成物を、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングし
て平行配向処理を施した透明電極のＴＮセル（電極間隔
約１０μｍ）に注入し、偏光顕微鏡下で観察したところ
リバース・ドメインが見られた。
この組成物に、(I)式に於てＸ＝C4H9,m＝０，R*＝２−
メチルブチルの化合物（実施例１）を１wt％添加したと
ころ、リバース・ドメインが解消され均一なネマチツク
相が観察された。
メチルブチルの化合物（実施例１）を１wt％添加したと
ころ、リバース・ドメインが解消され均一なネマチツク
相が観察された。
この他に、リバース・ドメインの防止剤として、(I)式
に於いてＸ＝n-C4H9O, のもの及び のものを同様な方法でテストして良好な結果を示した。
に於いてＸ＝n-C4H9O, のもの及び のものを同様な方法でテストして良好な結果を示した。
実施例６（使用例２） (I)式に於いて、ｍ＝０，R*＝２−メチルブチルで、Ｘ
＝C6H13O,Ｘ＝C8H17Oのもの各々３０部及びｍ＝１， でＸ＝C8H17O,X＝C9H19Oのもの各々２０部よりなる混合
物は７５℃までSC*相を示し、それ以上の温度でch相を
示し、９５℃で等方液体になる。即ちＳＡ相を示さない
混合物である。
＝C6H13O,Ｘ＝C8H17Oのもの各々３０部及びｍ＝１， でＸ＝C8H17O,X＝C9H19Oのもの各々２０部よりなる混合
物は７５℃までSC*相を示し、それ以上の温度でch相を
示し、９５℃で等方液体になる。即ちＳＡ相を示さない
混合物である。
この混合物を、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平
行配向処理を施した１０μｍの透明電極に注入し、ch相
領域で直流電圧（５０Ｖ）を印加しながら、SC*相に徐
冷したところ均一なモノドメインセルが得られた。この
液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子間に
はさみ１５Ｖの低周波数（0.5Hz）の交流を印加したと
ころ、明瞭なスイツチング動作が観察され、非常にコン
トラストも良く応答速度も速い（１msec以下）液晶表示
素子が得られた。
行配向処理を施した１０μｍの透明電極に注入し、ch相
領域で直流電圧（５０Ｖ）を印加しながら、SC*相に徐
冷したところ均一なモノドメインセルが得られた。この
液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子間に
はさみ１５Ｖの低周波数（0.5Hz）の交流を印加したと
ころ、明瞭なスイツチング動作が観察され、非常にコン
トラストも良く応答速度も速い（１msec以下）液晶表示
素子が得られた。
実施例７（使用例３） (I)式に於いてｍ＝０，R*＝２−メチルブチルで、Ｘ＝C
6H13O,Ｘ＝C8H17Oのもの各々２０部，ｍ＝１， で、Ｘ＝C7X15O,Ｘ＝C8H17O,Ｘ＝C9H19O,Ｘ＝C16H33Oの
もの各々１０部及び(III)式に於いてｍ＝１でＸ＝C8H17
Oのもの１０部より成る混合物は７０℃までSC*相を示
し、それ以上の温度でCH相を示し１０５℃で等方液体に
なる。即ち、ＳＡ相を示さない混合物である。
6H13O,Ｘ＝C8H17Oのもの各々２０部，ｍ＝１， で、Ｘ＝C7X15O,Ｘ＝C8H17O,Ｘ＝C9H19O,Ｘ＝C16H33Oの
もの各々１０部及び(III)式に於いてｍ＝１でＸ＝C8H17
Oのもの１０部より成る混合物は７０℃までSC*相を示
し、それ以上の温度でCH相を示し１０５℃で等方液体に
なる。即ち、ＳＡ相を示さない混合物である。
この混合物にアントラキノン系色素のＤ−１６（ＢＤＨ
Co.製）を３wt％添加し、いわゆるゲスト−ホスト型
にしたものを実施例５と同様なセルに注入し、偏光面が
分子軸に垂直になる様、１枚の偏光子を配置して１５Ｖ
の低周波数（0.5Hz）の交流を印加したところ、明瞭な
スイツチング動作が観察され、非常にコントラストも良
く、応答速度も速い（１msec以下）液晶表示素子が得ら
れた。
Co.製）を３wt％添加し、いわゆるゲスト−ホスト型
にしたものを実施例５と同様なセルに注入し、偏光面が
分子軸に垂直になる様、１枚の偏光子を配置して１５Ｖ
の低周波数（0.5Hz）の交流を印加したところ、明瞭な
スイツチング動作が観察され、非常にコントラストも良
く、応答速度も速い（１msec以下）液晶表示素子が得ら
れた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−65086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−125983（ＪＰ，Ａ) 西独特許2450088（1976年４月29日) （ＤＥ，Ａ) 特開 昭58−13546（ＪＰ，Ａ) Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｇ Ｃｒｙｓ ｔ；48（1978） Ｐ．37−51
Claims (5)
- 【請求項１】一般式 （但し、上式に於いて、ｍは０，１又は２であり、R*は
光学活性な２−メチルブチル基又は炭素数４〜８の光学
活性な２−アルキル基を示し、 （１，４−フェニレン基）を示し、Ｘは炭素数１〜１８
の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を示す）
で表わされる化合物。 - 【請求項２】一般式（Ｉ）のR*が光学活性な２−メチル
ブチル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 - 【請求項３】一般式（Ｉ）のR*が光学活性な２−オクチ
ル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 - 【請求項４】一般式 （但し、上式に於いて、ｍは０，１又は２であり、R*は
光学活性な２−メチルブチル基又は炭素数４〜８の光学
活性な２−アルキル基を示し、 （１，４−フェニレン基）を示し、Ｘは炭素数１〜１８
の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルコキシ基を示す）
で表わされる化合物を少なくとも１種含有することを特
徴とするカイラルスメクチック液晶組成物。 - 【請求項５】複数の（Ｉ）式の化合物からなる特許請求
の範囲第４項記載の組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58078594A JPH0623135B2 (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 液晶物質及び液晶組成物 |
| DE8383307884T DE3373193D1 (en) | 1983-01-06 | 1983-12-22 | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
| EP83307884A EP0115693B1 (en) | 1983-01-06 | 1983-12-22 | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
| US06/568,060 US4596667A (en) | 1983-01-06 | 1984-01-04 | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof |
| US07/140,205 US4820444A (en) | 1983-01-06 | 1987-12-31 | 4'optically active alkoxy-4-alkoxy carbonyloxy-bipheneyl and mixtures thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58078594A JPH0623135B2 (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29801291A Division JPH0699353B2 (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 光学活性ヒドロキシビフェニル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59219251A JPS59219251A (ja) | 1984-12-10 |
| JPH0623135B2 true JPH0623135B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=13666229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58078594A Expired - Lifetime JPH0623135B2 (ja) | 1983-01-06 | 1983-05-04 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623135B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4614609A (en) * | 1983-06-14 | 1986-09-30 | Chisso Corporation | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| JPS6028487A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Alps Electric Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPS6187777A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Ajinomoto Co Inc | 液晶組成物 |
| JPH0678280B2 (ja) * | 1985-04-26 | 1994-10-05 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 強誘電性化合物および液晶組成物 |
| JPH06100754B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1994-12-12 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH06100751B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1994-12-12 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH06100753B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1994-12-12 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH0613702B2 (ja) * | 1985-03-12 | 1994-02-23 | チッソ株式会社 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| DE3667052D1 (en) * | 1985-07-01 | 1989-12-28 | Ajinomoto Kk | Biphenyl carbonic acid ester compounds and liquid crystal composition containing the same |
| CA1258512A (en) * | 1985-10-28 | 1989-08-15 | John W. Goodby | Ferroelectric liquid crystal optical devices |
| US4867903A (en) * | 1986-03-10 | 1989-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluoroalkane derivative |
| US5274168A (en) * | 1987-03-23 | 1993-12-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Optically active benzene derivatives, process for producing the same and liquid-crystalline substances containing said derivatives as active ingredient and optical switching elements |
| US5002693A (en) * | 1987-03-23 | 1991-03-26 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Novel optically active benzene derivatives, process for producing the same and liquid-crystalline substances containing said derivatives as active ingredient and optical switching elements |
| US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
| JPH0629424B2 (ja) * | 1987-06-05 | 1994-04-20 | キヤノン株式会社 | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
| JPH0832659B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1996-03-29 | 住友化学工業株式会社 | 光学活性なエーテル誘導体、その製造法、これを有効成分とする液晶材料およびこれを用いてなる光スイッチング素子 |
| JP2684560B2 (ja) * | 1988-05-26 | 1997-12-03 | 関東化学株式会社 | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
| US6217793B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-04-17 | Mitsui Chemicals, Inc. | Acetylene compound, liquid crystal composition and liquid crystal element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2450088A1 (de) | 1974-10-22 | 1976-04-29 | Merck Patent Gmbh | Biphenylester |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD123757A5 (ja) * | 1974-10-22 | 1977-01-12 | ||
| GB1603076A (en) * | 1977-04-05 | 1981-11-18 | Secr Defence | Esters of (+)-4-(2'-methylbutyl)phenol and their use as liquid crystal materials |
| JPS5813546A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | Chisso Corp | 光学活性２−メチルブチルオキシフエニル基を有するカルボン酸エステル誘導体 |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP58078594A patent/JPH0623135B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2450088A1 (de) | 1974-10-22 | 1976-04-29 | Merck Patent Gmbh | Biphenylester |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．ＬｉｇＣｒｙｓｔ；４８（１９７８）Ｐ．３７−５１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59219251A (ja) | 1984-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0115693B1 (en) | Liquid crystalline compounds and mixtures thereof | |
| JPH0623135B2 (ja) | 液晶物質及び液晶組成物 | |
| EP0153826A2 (en) | Liquid-crystalline substituted biphenyl esters | |
| US4710585A (en) | Liquid crystal compound | |
| JPH0443898B2 (ja) | ||
| EP0718274A1 (en) | Two-rings-containing phenyl ester compound and anti-ferroelectric liquid crystal composition containing the same | |
| JPH0688952B2 (ja) | メチレンオキシ基とエステル基を有する新規光学活性液晶化合物及びその組成物 | |
| JPH0416454B2 (ja) | ||
| EP0168963A2 (en) | Liquid crystal compound | |
| US5955000A (en) | Chiral compounds | |
| JPH0564134B2 (ja) | ||
| JPH0578548B2 (ja) | ||
| JP2548943B2 (ja) | 新規光学活性化合物 | |
| JP2543745B2 (ja) | 光学活性化合物及び液晶組成物 | |
| JPS63175095A (ja) | 光学活性液晶化合物および組成物 | |
| JPH0615508B2 (ja) | 液晶性カルボナ−ト安息香酸誘導体及び組成物 | |
| JPH058706B2 (ja) | ||
| US5055225A (en) | Alkyl thiobenzoate derivative, production of same and liquid crystal display element | |
| JP2717309B2 (ja) | アルコキシ―α―メチルアリルベンゼン類 | |
| JPH0420422B2 (ja) | ||
| JPH06211865A (ja) | キラルバレロラクトン誘導体 | |
| JP2857231B2 (ja) | エステル化合物及びこれを含む液晶組成物 | |
| JP2558488B2 (ja) | 極めて大きな自発分極を誘起する液晶性化合物 | |
| JPS60248789A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
| JP2933688B2 (ja) | 液晶素子 |