JP2684560B2 - シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は新規な液晶性化合物並びにこの液晶性化合物
の少なくとも１種を含有することを特徴とする液晶組成
物に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液晶に
関し、実用的強誘電性液晶組成物作製の際、その組成成
分として有用で且つ化学的安定性に優れた新規なシクロ
ヘキサンカルボン酸化合物並びにこのシクロヘキサンカ
ルボン酸化合物の少なくとも１種を含有する液晶組成物
に関する。

［従来技術］ 液晶表示素子は受光型で目が疲れない、低消費電力、
薄型である等の優れた特徴を有しているため、現在では
時計、電卓、パーソナルワープロ、ポケツトテレビ等の
各種表示素子として使用されている。しかし、これらは
ネマチツク液晶を用いた表示素子であり、前記特徴を有
するものの欠点として応答が遅い、表示のメモリー性が
ない等のため、高速応答が要求される表示素子へ応用す
るには種々の制約があり、適したものであるとは言えな
い。

強誘電性液晶がR.B.Meyer等［Physique、36L−69（19
75）］により見いだされ、この強誘電性液晶がN.A.Clar
k,S.T.Lagerwall等［Appl.Phys.Lett.,36 899（198
0）］により、ネマチツク液晶に比べ100〜1000倍の高速
応答、およびメモリー性を有することが発表されて以
来、この方式による前記問題点の解決が期待できる処か
ら、各方面で活発に研究が進められている。この表示方
式は強誘電性液晶の主にカイラルスメクチツクＣ相（Sm
C^＊略称）を利用するものであり、SmC^＊相を有する化合
物は既に、これまでにも多数知られている。

代表的な物質としては（ｓ）−２−メチルブチルｐ−
デシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノシンナメート
（略称DOBAMBC）等のシツフ塩基系の化合物があるが、
光あるいは水に対する安定性が悪い、そのもの自身が有
色である等の欠点があり実用的ではない。これらを改善
すべく研究され、これ迄に無色で化学的に安定な芳香環
カルボン酸エステル系化合物が主に発表されている。ま
た一方ではSmC^＊物質で有り、且つより高速応答である
物質の研究も行われている。強誘電性液晶における応答
速度はτ＝η/Ps.Eで表され応答速度（τ）は粘性
（η）に比例し、自発分極（Ps）および電界（Ｅ）に反
比例する。すなわち自発分極の大きい物質であるほど、
粘性の低い物質であるほどより高速応答を可能とするこ
とになる。

最近では自発分極の大きい物質を得ることにより応答
の高速化を図る研究も活発に進められている。

このように表示素子に供しうる実用的強誘電性液晶物
質の研究は種々行われているが、未だ充分とは言えず、
種々の新規強誘電性液晶物質の開発が望まれている。

［発明の開示］ 本発明者らは、化学的に安定で、SmC^＊相温度幅が広
く、また粘性の低い強誘電性液晶物質を提供するため鋭
意研究したところ、本発明により、これらの諸特性をそ
なえた新規な強誘電性液晶物質を提供することに成功し
た。

すなわち、本発明は、一般式 （式中Ｒは炭素原子数１〜16のアルキル基であり、Ｒ^＊
は炭素原子数15個までの不斉炭素原子を含むアルキル基
であり、ＹおよびＺはそれぞれ単結合を表わすか、Ｏ、
COO、およびOCOのいずれかを表わし、X₁およびX₄は、そ
れぞれフツ素原子または塩素原子を表わし、X₂およびX₃
は水素原子を表わす）で表わされる光学活性シクロヘキ
サンカルボン酸化合物並びにこれらの化合物の少なくと
も１種を含有することを特徴とする液晶組成物を提供す
るものである。

本発明に係わる新規強誘電性液晶化合物は、それ自体
単独で、SmC^＊相を有する場合はもちろん、有しない場
合でも液晶組成物作製時の特性（例えば粘性）を調製す
るために有効に使用することができる化合物である。

本発明の新規な強誘電性液晶化合物はベンゼン環を有
する同系化合物例えば、 に比べて高速応答であり、ベンゼン環に比べ非共役系で
あるシクロヘキサン環の存在、およびビフエニル骨格に
フツ素原子を有することにより前記の公知化合物に比べ
粘性が低下し、その結果応答速度が向上したと考えられ
る。またビフエニル環にハロゲン原子、時にフツ素原子
を有する化合物は、置換基を有しないものに比べ格別に
広いSmC^＊相温度幅を示す。

以下に本発明に係わる化合物の合成例、および実施例
により本発明をさらに具体的に説明する。これらの合成
例、および実施例はいずれも例示であつて、その他の種
々の経路、方法によつても合成することが可能であり、
これらの合成例、および実施例により本発明は制約され
ない。

合成例 式、 で表わされる化合物は、式、 あるいは式、 で表わされる化合物を塩化チオニルと反応させて得られ
る式、 で表わされる化合物と式、 で表わされる化合物とのエステル化反応により得られ
る。式、 においてＹがＯである化合物は特開昭56−120636号公
報、特開昭56−125342号公報に記載の方法に準じて合成
することができ、またＹがCOOである化合物は、式RCOCl
の化合物と式、 の化合物とから、さらに、ＹがOCOである化合物は、式R
OHの化合物と式、 の化合物とからそれぞれ、合成できる。

一方、式、 で表わされる化合物は次の合成経路を経て合成できる。

実施例及び参考例中に記載されている略記号は以下の
とおりの意味を有する。

GLC ガスクロマトグラフイー HPLC 高速液体クロマトグラフイー IR 赤外線吸収スペクトル Mass 質量分析 m.p 融 点 Ｃ 結 晶 Sx 同定出来なかつたスメクチツク相 S_B スメクチツクＢ相 SmC^＊,Sc^＊ カイラルスメクチツクＣ相 S_A スメクチツクＡ相 Ch コレステリツク相 Ｉ 等方性液体 ？ 温度不明 2M4 ２−メチルブチル 4M6 ４−メチルヘキシル 1M3 １−メチルプロピル 1M4 １−メチルブチル 1M6 １−メチルヘキシル 1M7 １−メチルヘプチル 参考例１ 反応器にシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸8g、塩
化チオニル16.6gおよびベンゼン30mlを仕込み、８時間
還流撹拌後、過剰の塩化チオニルをベンゼンとともに共
沸留去し、残留物を130℃で１時間加熱撹拌後、減圧蒸
留（b.p130〜134℃/9mmHg）した。これをヘキサンで再
結晶しトランス−シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸
クロライドを得た。

Y.5.1g（52.5％） GLC97.4％ 反応器に（ａ）で得たトランス−シクロヘキサン−1,
4−ジカルボン酸クロライド25.2gおよびベンゼン100ml
を仕込み、撹拌、氷水冷（〜10℃）下にブタノール10
g、ピリジン11gおよびベンゼン150mlから成る溶液を適
下後、45〜55℃で２時間反応した。

反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出後、水洗
し、溶媒を留去した。残留物を炭酸水素ナトリウム水溶
液で処理し、不溶物を過して除いた液をベンゼンで
洗浄後、水層を濃塩酸で酸性とした。析出物をベンゼン
で抽出し、水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し残留物
（トランス−４−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサ
ンカルボン酸）を得た。

Y.10.6g（34.1％） GLC94％ 反応器に（ｂ）で得たトランス−４−ブチルオキシカ
ルボニルシクロヘキサンカルボン酸5gおよびベンゼン40
mlを仕込み、室温撹拌下に塩化チオニル8gを加えた後、
５時間還流撹拌した。反応終了後、過剰の塩化チオニル
をベンゼンとともに共沸留去し、残留物（トランス−４
−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド）を得た。

Y.5.4g 反応器に４−（２−メチルブチル）オキシ−４′−ヒ
ドロキシビフエニル1g、ピリジン0.36gおよびベンゼン3
0mlを仕込み、室温撹拌下に（ｃ）で得たトランス−４
−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド1.06gのベンゼン10ml溶液を適下し、適下後、
７時間還流撹拌した。反応液を水に注加し、ベンゼンで
抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニア処理、水洗し、
芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られる残留物をメタノー
ルで再結晶し、（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキ
シビフエニル−４′−イル トランス−４−ブチルオキ
シカルボニルシクロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.83g（45.6％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で466に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

参考例２ 反応器に（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシカ
ルボニル−４′−ヒドロキシビフエニル1.02g、ピリジ
ン0.36gおよびベンゼン30mlを仕込み、室温撹拌下に参
考例１−（ｃ）で得たトランス−４−ブチルオキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.95gのベ
ンゼン10ml溶液を適下し、適下後、７時間還流撹拌し
た。反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン
層を水洗、アンモニア水処理、水洗し、芒硝乾燥後、溶
媒を留去して得られる残留物をメタノール−アセトン混
合溶媒で再結晶し、（ｓ）−４−（２−メチルブチル）
オキシカルボニルビフエニル−４′−イル トランス−
４−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。

Y.1.07g（60.5％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で494に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

参考例３ 参考例１−（ｂ）に於けるブタノール10.1gに替えて
エタノール5.6gを用い、他は同様に操作してトランス−
４−エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸を得
た。

Y.8.31g（34.5％） GLC99％ 参考例１−（ｃ）に於けるトランス−４−ブトキシカ
ルボニルシクロヘキサンカルボン酸5gに替えて（ａ）で
得られたトランス−４−エトキシカルボニルシクロヘキ
サンカルボン酸3.87gを用い、他は同様に操作してトラ
ンス−４−エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン
酸クロライドを得た。

Y.4.49g 参考例２に於けるトランス−４−ブトキシカルボニル
シクロヘキサンカルボン酸クロライド0.95gに替えて
（ｂ）で得られたトランス−４−エトキシカルボニルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0.85gを用い他は同
様に操作して（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ
カルボニルビフエニル−４′−イル トランス−４−エ
トキシカルボニルシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.0.93g（56％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で466に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

参考例４ 参考例１−（ｂ）に於けるブタノール10.1gに替えて
ヘキシルアルコール13.4gを用い、他は同様に操作して
トランス−４−ヘキシルオキシカルボニルシクロヘキサ
ンカルボン酸を得た。

Y.10.7g（31.8％） 参考例１−（ｃ）に於けるトランス−４−ブトキシカ
ルボニルシクロヘキサンカルボン酸5gに替えて（ａ）で
得られたトランス−４−ヘキシルオキシカルボニルシク
ロヘキサンカルボン酸4.07gを用い、他は同様に操作し
てトランス−４−ヘキシルオキシカルボニルシクロヘキ
サンカルボン酸クロライドを得た。

Y.4.55g 参考例２に於けるトランス−４−ブトキシカルボニル
シクロヘキサンカルボン酸クロライド0.95gに替えて
（ｂ）で得られたトランス−４−ヘキシルオキシカルボ
ニルシクロヘキサンカルボン酸クロライド1.04gを用い
他は同様に操作して（ｓ）−４−（２−メチルブチル）
オキシカルボニルビフエニル−４′−イル ４−ヘキシ
ルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボキシレートを
得た。

Y.0.79g（38.3％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で522に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

参考例５ 反応器にトランス−４−ヒドロキシシクロヘキサンカ
ルボン酸10.3gおよび無水プロピオン酸40mlを仕込み、
さらに濃硫酸２滴を加え、50〜60℃で３時間撹拌反応し
た。反応液を水に注加し、炭酸水素ナトリウムでpH8と
し、エーテルで洗浄した。水層を希塩酸で酸性とし、エ
ーテルで抽出後、エーテル層を水洗し、芒硝乾燥し、溶
媒を留去して残留物（トランス−４−プロピオニルオキ
シシクロヘキサンカルボン酸）を得た。

Y.4.73g（33.1％） GLC97％ 反応器に（ａ）で得たトランス−４−プロピオニルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸4.7gおよびベンゼン20ml
を仕込み、室温撹拌下に塩化チオニル5.9gを加え、６時
間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルをベンゼンとともに
共沸留去し残留物（トランス−４−プロピオニルオキシ
シクロヘキサンカルボン酸クロライド）を得た。

Y.3.6g 反応器に（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシカ
ルボニル−４′−ヒドロキシビフエニル1.8g、ピリジン
数滴およびベンゼン30mlを仕込み、室温撹拌下に（ｂ）
で得たトランス−４−プロピオニルオキシシクロヘキサ
ンカルボン酸クロライド1.92gのベンゼン10ml溶液を滴
下後、７時間還流撹拌した反応液を水に注加し、ベンゼ
ンで抽出後、ベンゼン層を水洗し、アンモニア水処理、
水洗、芒硝乾燥し、溶媒を留去した残留物をメタノール
で再結晶して（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ
カルボニルビフエニル−４′−イル トランス−４−プ
ロピオニルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.1.08g（36.6％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で466に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−１に
示す。

参考例６ 参考例５−（ｃ）に於ける（ｓ）−４−（２−メチル
ブチル）オキシカルボニル−４′−ヒドロキシビフエニ
ル1.8gに替えて（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキ
シ−４′−ヒドロキシビフエニル1.6gを用い、他は同様
に操作して（ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシビ
フエニル−４′−イル トランス−４−プロピオニルオ
キシシクロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.83g（29.9％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で438に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例１ 反応器に２−フルオロアニソール128gおよびクロロホ
ルム25mlを仕込み、室温撹拌下に臭素177gを３時間以上
かけて滴下した。反応液を希苛性ソーダ水溶液に注加
し、クロロホルム層を分取し、食塩水にて洗浄後、芒硝
で乾燥し、溶媒を留去、残留物を減圧蒸留して２−フル
オロ−４−ブロモアニソールを得た。

Y.192g（92.3％） b.p 107〜118℃/25〜31mmHg GLC99％以上 反応器にマグネシウム末2.37gおよびヨウ素の小片を
仕込み、N₂気流下に２−フルオロ−４−ブロモアニソー
ル20gのテトラヒドロフラン40m溶液を1/3量加え、加熱
撹拌した。発泡して反応を開始したのを確認後、残りの
テトラヒドロフラン溶液を反応液が還流するように滴下
した。滴下後、２時間還流してグリニヤール試薬を作成
した。

別の容器にCl₂Pd（PPh₃）₂0.8gおよびテトラヒドロフ
ラン30mlを仕込みN₂気流中、撹拌下に1M（iso−C₄H₉）A
lNH/ヘキサン溶液2mlを加え、さらに２−フルオロ−４
−ブロモアニソール18.2gのテトラヒドロフラン50ml溶
液を加え、50〜55℃に加温した後、先に作成したグリニ
ヤール試薬を滴下した。滴下後２時間還流し、反応液を
希塩酸に注加、ベンゼンで抽出、ベンゼン層を水洗、芒
硝乾燥後、ベンゼンを留去して得られる残留物をヘキサ
ン−ベンゼン混合溶媒で再結晶し、3,3′−ジフルオロ
−4,4′−ジメトキシビフエニルを得た。

Y.16.8g（75.7％） GLC96％ 反応器に（ｂ）で得られた3,3′−ジフルオロ−4,4′
−ジメトキシビフエニル15g、48％臭化水素酸水溶液150
mlおよび酢酸100mlを仕込み、10時間還流撹拌した。反
応液を水に注加し、析出物を過後、乾燥して3,3′−
ジフルオロ−4,4′−ジヒドロキシビフエニルを得た。

Y.12g（90.2％） GLC99％ 反応器に85％苛性カリ0.9g、水10ml、（ｃ）で得た3,
3′−ジフルオロ−4,4′−ジヒドロキシビフエニル3gお
よびジメチルホルムアミド2mlを仕込み、２時間還流撹
拌した。さらに還流下に（ｓ）−４−メチルヘキシルブ
ロマイド2.4gのジオキサン10ml溶液を加え、21時間還流
した。反応液を水に注加し、濃塩酸で酸性とした後、塩
化メチレンで抽出し、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾
燥後、溶媒を留去し、残留物をベンゼン溶出液としたシ
リカゲルカラムクロマトグラフイーにて精製し、（ｓ）
−3,3′−ジフルオロ−４−（４−メチルヘキシル）オ
キシ−４′−ヒドロキシビフエニルを得た。

Y.1.63g（37.7％） GLC98％ 反応器にトランス−４−ヘキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボン酸2.03g、ベンゼン20mlおよび塩化チオニル4
gを仕込み、６時間還流撹拌した後、過剰の塩化チオニ
ルをベンゼンとともに共沸留去し残留物（トランス−４
−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド）を得た。

Y.2.36g GLC99％ 反応器に（ｄ）で得られた（ｓ）−3,3′−ジフルオ
ロ−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−４′−ヒドロ
キシビフエニル0.41g、ピリジン数滴およびベンゼン20m
lを仕込み、室温撹拌下に（ｅ）で得たトランス−４−
ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.
35gのベンゼン10ml溶液を滴下し、４時間還流撹拌し
た。

反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出し、ベンゼン層
を水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、
ベンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラ
フイー、次いでメタノール−アセトン混合溶媒で再結晶
して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（４−メチルヘ
キシル）オキシビフエニル−４′−イル トランス−４
−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.0.66g（97.1％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で530に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例２ 実施例１−（ｅ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03gに替えてトランス
−４−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸3gを用い、他
は同様に操作してトランス−４−ブトキシシクロヘキサ
ンカルボン酸クロライド3.2gを得た。

実施例１−（ｆ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35gに替え
て（ａ）で得られたトランス−４−ブトキシシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド0.31gを用い、他は同様に操
作して、（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（４−メチ
ルヘキシル）オキシビフエニル−４′−イル トランス
−４−ブトキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.0.41g（64.1％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で502に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いられた原料の関係から、得られた物質が
目的物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例３ 実施例１−（ｅ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03gに替えてトランス
−４−ヘプチルオキシシクロヘキサンカルボン酸2.25g
を用い、他は同様に操作してトランス−４−ヘプチルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド2.45gを得
た。

実施例１−（ｆ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35gに替え
て（ａ）で得られたトランス−４−ヘプチルオキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.4gを用い、他は同様
に操作して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（４−メ
チルヘキシル）オキシビフエニル−４′−イル トラン
ス−４−ヘプチルオキシシクロヘキサンカルボキシレー
トを得た。

Y.0.39g（57.4％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で544に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例４ 実施例１−（ｅ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03gに替えてトランス
−４−メトキシシクロヘキサンカルボン酸1.55g用い、
他は同様に操作してトランス−４−メトキシシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド1.8gを得た。

実施例１−（ｆ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35gに替え
て（ａ）で得られたトランス−４−メトキシシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド0.27gを用い、他は同様に操
作して、（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（４−メチ
ルヘキシル）オキシビフエニル−４′−イル トランス
−４−メトキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.0.08g（5.5％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で460に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例５ 実施例１−（ｄ）に於ける（ｓ）−４−メチルヘキシ
ルブロマイド2.4gに替えて（ｓ）−２−メチルブチルブ
ロマイド2.04gを用い、他は同様に操作して（ｓ）−3,
3′−ジフルオロ−４−（２−メチルブチル）オキシ−
４′−ヒドロキシビフエニルを得た。

Y.1.17g（43.6％） GLC98％ 反応器に（ａ）で得られた（ｓ）−3,3′−ジフルオ
ロ−４−（２−メチルブチル）オキシ−４′−ヒドロキ
シビフエニル0.4g、ピリジン数滴およびベンゼン20mlを
仕込み、室温撹拌下に実施例３−（ａ）で得たトランス
−４−ヘプチルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロラ
イド0.39gのベンゼン10ml溶液を滴下し、４時間還流撹
拌した。

反応液を水に注加し、ベンセンで抽出し、ベンゼン層
を水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、
ベンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラ
フイー、次いでメタノール−アセトン混合溶媒で再結晶
して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（２−メチルブ
チル）オキシビフエニル−４′−イル トランス−４−
ヘプチルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.0.22g（22.2％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で516に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例６ 実施例５−（ｂ）に於けるトランス−４−ヘプチルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.39gに替え
て実施例２−（ａ）で得られたトランス−４−ブトキシ
シクロヘキサンカルボン酸クロライド0.34gを用い、他
は同様に操作して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−
（２−メチルブチル）オキシ−４′−イル トランス−
４−ブトキシシクロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.45g（67.2％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で747に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例７ 反応器に（ｓ）−２−オクタノール3.46gおよびピリ
ジン30mlを仕込み、氷冷撹拌下にｐ−トルエンスルホニ
ルクロライド5.1gを加え、５時間撹拌した。反応液を希
塩酸に注加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、
芒硝で乾燥し、溶媒を留去して残留物（（ｓ）−１−メ
チルヘプチル トシレート）を得た。

Y.6.26g 実施例１−（ｄ）に於ける（ｓ）−４−メチルヘキシ
ルブロマイド2.4gに替えて（ａ）で得られた（ｓ）−１
−メチルヘプチル トシレート3.83gを用い、他は同様
に操作して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（１−メ
チルヘプチル）オキシ−４′−ヒドロキシビフエニルを
得た。

Y.1.33g（29.5％） GLC98％ 実施例１−（ｆ）に於ける（ｓ）−3,3′−ジフルオ
ロ−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−４′−ヒドロ
キシビフエニル0.41gに替えて（ｂ）でえられた（ｓ）
−3,3′−ジフルオロ−４−（１−メチルヘプチル）オ
キシ−４′−ヒドロキシビフエニル0.43gを用い、他は
同様に操作して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（１
−メチルヘプチル）オキシ−４′−イル トランス−４
−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。

Y.0.44g（62.2％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で544に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例８ 実施例７に於ける（ｓ）−２−オクタノール3.46gに
替えて（ｓ）−２−ペンタノール2.38gを用い、他は同
様に操作して（ｓ）−１−メチルブチル トシレートを
得た。

Y.4.9g 実施例１−（ｄ）に於ける（ｓ）−４−メチルヘキシ
ルブロマイド2.4gに替えて（ａ）で得られた（ｓ）−１
−メチルブチル トシレート3.27gを用い、他は同様に
操作して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（１−メチ
ルブチル）オキシ−４′−ヒドロキシビフエニルを得
た。

Y.1.0g（21.9％） GLC97％ 実施例５−（ｂ）に於ける（ｓ）−3,3′−ジフルオ
ロ−４−（２−メチルブチル）オキシ−４′−ヒドロキ
シビフエニル0.4gに替えて（ｂ）で得られた（ｓ）−3,
3′−ジフルオロ−４−（１−メチルブチル）オキシ−
４′−ヒドロキシビフエニル0.4gを用い、他は同様に操
作して（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（１−メチル
ブチル）オキシ−４′−イル トランス−４−ヘプチル
オキシシクロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.4g（56.3％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で156に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例９ 実施例１−（ｆ）に於けるトランス−４−ヘキシルオ
キシシクロヘキサカルボン酸クロライド0.35gに替えて
参考例１−（ｃ）で得られたトランス−４−ブチルオキ
シカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35
gを用い、他は同様に操作して（ｓ）−3,3′−ジフルオ
ロ−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−４′−イル
トランス−４−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサン
カルボキシレートを得た。

Y.0.39g（52.8％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で530に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例10 反応器に過マンガン酸カリ31.5gおよび水600mlを仕込
み、室温撹拌14.9gを滴下後、１時間反応した。析出物
を別し、液をエーテルで抽出後、エーテル層を水
洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去した残留物をガラスチュ
ーブオーブン（GTO）にて減圧蒸留し（ｓ）−２−メチ
ル酪酸を得た。

Y.9.16g（56.2％） b.p 105℃/12mmHg（GTO設定温度） 反応器に3,3′−ジフルオロ−4,4′−ジヒドロキシビ
フエニル2.8g、４−（ジメチルアミノ）ピリジン3.3g、
ジシクロヘキシルカメボジイミド5.56gおよびクロロホ
ルム70mlを仕込み室温撹拌下に（ｓ）−２−メチルブタ
ン酸3gを加え、18時間還流撹拌した。析出物を別し、
液を濃縮した。別の容器に85％苛性カリ0.5gおよびメ
タノール100mlを仕込み、３℃に冷却し、先に得た濃縮
物を加え10分間撹拌した。

反応液を希塩酸に注加し、酢酸エチルで抽出後、酢酸
エチル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して得られ
る残留物を塩化メチレンを溶出液としたシリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーにて精製し（ｓ）−3,3′−ジフ
ルオロ−４−（１−メチルプロピオニル）オキシ−４′
−ヒドロキシビフエニルを得た。

Y.0.77g（18.2％） GLC99％ 反応器に（ｂ）で得られた（ｓ）−3,3′−ジフルオ
ロ−４−（１−メチルプロピオニル）オキシ−４′−ヒ
ドロキシビフエニル0.3g、ピリジン数滴およびベンゼン
20mlを仕込み、室温撹拌下に実施例２−（ａ）で得たト
ランス−４−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸クロラ
イド0.27gのベンゼン10ml溶液を滴下後、２時間還流撹
拌した。反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出後、ベン
ゼン層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して得られる
残留物をヘキサン／酢酸エチル＝1/10の混合溶媒を溶出
液としたシリカゲルカラムクロマトグラフイーにて精製
し、次いでメタノールで再結晶して（ｓ）−3,3′−ジ
フルオロ−４−（１−メチルプロピオニル）オキシ−
４′−イル トランス−４−ブトキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。

Y.0.37g（77.1％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で488に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例11 反応器に２−クロロアニソール80gおよびクロロホル
ム300mlを仕込み室温撹拌下に臭素90gを３時間以上かけ
て滴下した。反応液を希苛性ソーダ水溶液に注加し、ク
ロロホルム層を食塩水で洗浄、芒硝で乾燥後、溶媒を留
去して２−クロロ−４−ブロム−アニソールを得た。

Y.12.9g（98.1％） GLC98.9％ 反応器にマグネシウム末3.37gおよびヨウ素の小片を
仕込み、N₂気流下に２−クロロ−４−ブロモアニソール
30gのテトラヒドロフラン100ml溶液を1/3量加え、加熱
撹拌した。発泡して反応を開始したのを確認後残りのテ
トラヒドロフラン溶液を反応液が還流するように滴下し
た。滴下後、２時間還流してグリニヤール試薬を作成し
た。

別の容器にCl₂Pd（PPh₃）₂1.0gおよびテトラヒドロフ
ラン50mlを仕込みN₂気流中、撹拌下に1M（iso−C₄H₉）A
lH/ヘキサン溶液4mlを加え、さらに２−クロロ−４−ブ
ロモアニソール27.4gのテトラヒドロフラン100ml溶液を
加え、50〜55℃に加温した後、先に作成したグリニヤー
ル試薬を滴下した。滴下後２時間還流し、反応液を希塩
酸に注加、ベンゼンで抽出、ベンゼン層を水洗、芒硝で
乾燥後、ベンゼンを留去して得られる残留物をエタノー
ルで再結晶し、3,3′−ジクロロ−4,4′−ジメトキシビ
フエニルを得た。

Y.27.6g（78.8） GLC96％ 反応器に（ｂ）で得られた3,3′−ジクロロ−4,4′−
ジメトキシビフエニル15g、48％臭化水素酸水溶液360ml
および酢酸200mlを仕込み、15時間還流撹拌した。反応
液を水に注加し、析出物を取し、水洗後乾燥して3,
3′−ジクロロ−4,4′−ジヒドロキシビフエニルを得
た。

Y.20g（89.3g） GLC99％ 反応器に85％苛性カリ2.1g、水10ml、（ｃ）で得た3,
3′−ジクロロ−4,4′−ジヒドロキシビフエニル8gおよ
びジメチルホルムアミド2mlを仕込み、２時間還流撹拌
した。さらに還流下に（ｓ）−４−メチルヘキシルブロ
マイド6.2gのジオキサン10ml溶液を加え、32時間還流し
た。反応液を水に注加し、濃塩酸で酸性とした後、塩化
メチレンで抽出し、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥
後、溶媒を留去し、残留物をベンゼン／ヘキサン１＝１
を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフイーに
て精製し、（ｓ）−3,3′−ジフルオロ−４−（４−メ
チルヘキシル）オキシ−４′−ヒドロキシビフエニルを
得た。

Y.3.56g（32.1％） GLC98％ の合成 反応器に（ｄ）で得た（ｓ）−3,3′−ジクロロ−４
−（４−メチルヘキシル）オキシビフエニル0.4g、４−
（ジメチルアミノ）ピリジン0.17、ジシクロヘキシルカ
ルボジイミド0.25gおよびクロロホルム10mlを仕込み、
室温撹拌下にトランス−４−ヘプチルオキシシクロヘキ
サンカルボン酸0.30gを加え、18時間還流撹拌した。析
出物を別し、液を濃縮し、残渣をベンゼンを溶出液
としたシリカゲルカラムクロマトグラフイーにて精製
し、次いでメタノールで再結晶して（ｓ）−3,3′−ジ
クロロ−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−４′−イ
ル トランス−４−ヘプチルオキシシクロヘキサンカル
ボキシレートを得た。

Y.0.18g（27.7％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で577に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例12 実施例11−（ｅ）に於けるトランス−４−ヘプチルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸0.30gに替えてトランス
−４−ブチルオキシシシクロヘキサンカルボン酸0.25g
を用い、他は同様に操作して（ｓ）−3,3′−ジクロロ
−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−４′−イル ト
ランス−４−ブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。

Y.0.18g（29.5％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で535に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例13 実施例11−（ｄ）に於ける（ｓ）−４−メチルヘキシ
ルブロマイド6.18gに替えて（ｓ）−２−メチルブチル
ブロマイド5.34gを用い、他は同様に操作して（ｓ）−
3,3′−ジクロロ−４−（２−メチルブチル）オキシ−
４′−ヒドロキシビフエニルを得た。

Y.3.12g（30.6％） GLC98％ 実施例11−（ｅ）に於ける（ｓ）−3,3′−ジクロロ
−４−（４−メチルヘキシル）オキシビフエニル0.4gお
よびトランス−４−ヘプチルオキシシクロヘキサンカル
ボン酸0.30gに替えて（ａ）で得た（ｓ）−3,3′−ジク
ロロ−４−（２−メチルブチル）オキシ−４′−ヒドロ
キシビフエニル0.4gおよびトランス−４−ヘキシルオキ
シシクロヘキサンカルボン酸0.32gを用い、他は同様に
操作して（ｓ）−3,3′−ジクロロ−４−（２−メチル
ブチル）オキシ−４′−イル トランス−４−ヘキシル
オキシシクロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.25g（37.9％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で535に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いられた原料の関係から、得られた物質が
目的物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

参考例７ 反応器に無水塩化アルミニウム113gおよび塩化メチレ
ン600mlを仕込み０℃以下で撹拌下にアセチルクロライ
ド113gを滴下し、次いで４−ブロム−２−フルオロビフ
エニル100gの塩化メチレン400ml溶液を滴下後、徐々に
室温に戻しながら７時間撹拌反応した。反応液を氷と希
塩酸中に注加し、塩化メチレン層を水洗、炭酸水素ナト
リウム水溶液洗浄、水洗し、芒硝で脱水後溶媒を留去
し、残留分をアセトンで再結晶して４−ブロム−２−フ
ルオロ−４′−アセチルビフエニルを得た。

Y.96g（82.2％） GLC100％ 反応器に（ａ）で得た４−ブロム−２−フルオロ−
４′−アセチルビフエニル65gおよび塩化メチレン300ml
を仕込み、10℃で撹拌下に88％ギ酸500ml、無水酢酸480
mlを滴下し、さらに濃硫酸1.5gmlを加えた後、35％過酸
化水素水150mlを３時間を要して滴下し、滴下後徐々に
昇温して45〜50℃で30時間撹拌反応した。反応液を氷水
に注加し、ベンゼンで抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗浄、芒硝脱水を行い、溶媒を留去し、残留分を得
た。この残留分とエチルアルコール２を別の反応器に
仕込み、これに25％苛性カリ水溶液を加え、８時間還流
撹拌した。反応液を氷と希塩酸中に注加しベンゼンで抽
出、食塩水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留
分をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ベン
ゼン）にて精製し、４−ブロム−２−フルオロ−４′−
ヒドロキシビフエニルを得た。

Y.28.1g（47.5％） 反応器に（ｂ）で得た４−ブロム−２−フルオロ−
４′−ヒドロキシビフエニル5g、（ｓ）−４−メチルヘ
キシルブロマイド4.0g、炭酸カリ6gおよび２−ブタノン
（MEK）50mlを仕込み、撹拌還流下に８時間反応した。
反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出、水洗、芒硝
で脱水後、溶媒を留去し、残留分をガラスチユウブオー
ブン（GTO）にて蒸留して得られる留分（GTO）設定温度
165℃/0.25mmHg）をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー（溶出液ヘキサン：ベンゼン＝4:1）で精製し、
（ｓ）−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−２′−フ
ルオロ−４′−ブロムビフエニルを得た。

Y.4.47g（65.4％） TLCモノスポツト 反応器にマグネシウム末0.5gおよびヨウ素の小片を仕
込み、これに（ｃ）で得た（ｓ）−４−（４−メチルヘ
キシル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエ
ニル6gのテトラヒドロフラン20ml溶液を少量加え、発泡
して反応を開始（必要におおじて加熱する）後、残りの
テトラヒドロフラン溶液を還流を保つように撹拌下に滴
下し、滴下後、２時間撹拌還流してグリニヤール試薬を
作成した。

別の容器に硼酸トリブチル7gを仕込み、これに先に作
成したグリニヤール試薬を、撹拌下に50℃で滴下し、同
温度で２時間撹拌反応した。次いで水冷下に、10％硫酸
水溶液を撹拌しながら滴下し、これにベンゼン100mlを
加えて抽出後ベンゼン層を分離し、これに35％過酸化水
素水20mlを55℃で撹拌下に滴下しさらに１時間同温度で
撹拌反応した。反応液を水に注加し、ベンゼン層を５％
亜硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、水洗、芒硝乾燥後、
溶媒を留去し、残留分をベンゼンを溶出液としたシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーにて精製し、（ｓ）−４
−（４−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−
４′−ヒドロキシビフエニルを得た。

Y.1.37g（27.6％） GLC98％ 反応器に（ｄ）で得られた（ｓ）−４−（４−メチル
ヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ヒドロキシ
ビフエニル0.25g、ピリジン数滴およびベンゼン20mlを
仕込み、室温撹拌下にトランス−４−ヘプチルシクロヘ
キサンカルボン酸クロライド0.24gのベンゼン5ml溶液を
滴下し、滴下後３時間還流撹拌した。反応液を水に注加
し、ベンゼンで抽出、水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去
した残留分をヘキサン／ベンゼン＝1/1を溶出液とした
シリカゲルカラムクロマトグラフイーにて精製し（ｓ）
−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ
ビフエニル−４′−イル トランス−４−ヘプチルシク
ロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.32g（76.2％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で510に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−２に
示す。

参考例８ 参考例７の（ｅ）におけるトランス−４−ヘプチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
４−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、（ｓ）−４−（４−メ
チルヘキシル）オキシ−２′−フルオロビフエニル−
４′−イル トランス−４−ヘキシルオキシシクロヘキ
サンカルボキシレートを得た。

Y.0.29g（69.0％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で512に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表２に示
す。

参考例９ 反応器に（Ｓ）−１−メチルヘキシルトシレート11.2
g、参考例７の（ｂ）で得た４−ブロム−２−フルオロ
−４′−ヒドロキシビフエニル10g、炭酸カリ10.5gおよ
びシクロヘキサノン100mlを仕込み、120〜130℃で13時
間加熱撹拌した。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼン抽
出、水洗、芒硝乾燥後溶媒を留去し、残留分をガラスチ
ユーブオーブン（GTO）にて減圧蒸留し、次いでヘキサ
ンを溶出液としたカラムクロマトグラフイーにて精製
し、（ｓ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−２′
−フルオロ−４′−ブロムビフエニルを得た。

Y.6.7g（48.9％） b.p 160℃/0.25mmHg（GTO設定温度） 参考例７の（ｄ）における（ｓ）−４−（４−メチル
ヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフ
エニルに替えて（ａ）で得た（ｓ）−４−（１−メチル
ヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフ
エニルを用い、他は同様に操作して、（ｓ）−４−（１
−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ヒ
ドロキシビフエニルを得た。

Y.2.1g（42.3％） GLC100％ 反応器に（ｂ）で得た（ｓ）−４−（１−メチルヘキ
シル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ヒドロキシビフ
エニル0.3g、ピリジン数滴およびベンゼン20mlを仕込
み、室温撹拌下にトランス−４−ヘプチルシクロヘキサ
ンカルボン酸クロライド0.29gのベンゼン20ml溶液を滴
下し、滴下後２時間還流撹拌した。反応液を水に注加
し、ベンゼンで抽出、水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去
し、残留分をヘキサン／ベンゼン＝3/1を溶出液とした
シリカゲルカラムクロマトグラフイーにて精製し、次い
でメタノール／アセトン＝3/1の混合溶媒で再結晶して
（ｓ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−２′−フ
ルオロビフエニル−４′−イル トランス−４−ヘプチ
ルシクロヘキサンカルボキシレートを得た。

Y.0.3g（60.0％） この物の純度はHPLCで99％以上であつた。また、IRお
よびMass分析で510に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表２に示
す。

参考例10 参考例８の（ｃ）におけるトランス−４−ヘプチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
４−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、（ｓ）−４−（１−メ
チルヘキシル）オキシ−２′−フルオロビフエニル−
４′−イル トランス−４−ヘキシルオキシシクロヘキ
サンカルボキシレートを得た。

Y.0.32g（62.7％） この物の純度はHPLCで98％以上であつた。またIRおよ
びMass分析で512に分子イオンピークが認められたこ
と、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的
物であることを確認した。

このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表２に示
す。

参考例11 上記、実施例５で得られた（Ａ）と公知物質である
（Ｂ）とを、重量比1:1の割合で混合し強誘電性液晶組
成物を作製した。この組成物をメトラーホツトステージ
FP−82にはさみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。そ
の結果を下表に示す。

本組成物は降温時、−５℃以下まで冷却してもSmC^＊
相を示し、室温を含む広い温度範囲でSmC^＊を有する液
晶組成物が得られた。

この組成物を表面にポリビニルアルコールを塗布し、
ラビング処理した２枚の透明電極を有するガラス基板を
用い、ラビング方向が平行で、セル厚が３μｍとなるよ
うに作製した液晶セルに封入し、等方性液体からSmC^＊
相まで徐冷した。この液晶セルを２枚の偏光板にはさ
み、電圧を印加し、極性を反転させると表示状態が変化
した。これらのことから、この液晶組成物は電気光学素
子に利用できる強誘電性液晶組成物である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 藤井 恒宣 埼玉県草加市稲荷１―７―１ 関東化学 株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−219251（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−212346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−22889（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−166646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−79292（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 （式中Ｒは炭素原子数１〜16のアルキル基であり、Ｒ^＊
   は炭素原子数15個までの不斉炭素原子を含むアルキル基
   であり、ＹおよびＺはそれぞれ単結合を表わすか、Ｏ、
   COO、およびOCOのいずれかを表わし、X₁およびX₄は、そ
   れぞれフツ素原子または塩素原子を表わし、X₂およびX₃
   は水素原子を表わす）で表わされる光学活性シクロヘキ
   サンカルボン酸化合物。
2. 【請求項２】前記一般式（１）におけるX₁およびX₄のい
   ずれもがフツ素原子である請求項１記載の光学活性シク
   ロヘキサンカルボン酸化合物。
3. 【請求項３】前記一般式（１）におけるX₁およびX₄のい
   ずれもが塩素原子である請求項１に記載の光学活性シク
   ロヘキサンカルボン酸化合物。
4. 【請求項４】一般式 （式中Ｒは炭素原子数１〜16のアルキル基であり、Ｒ^＊
   は炭素原子数15個までの不斉炭素原子を含むアルキル基
   であり、ＹおよびＺはそれぞれ単結合を表わすか、Ｏ、
   COO、およびOCOのいずれかを表わし、X₁およびX₄は、そ
   れぞれフツ素原子または塩素原子を表わし、X₂およびX₃
   は水素原子を表わす）で表わされる光学活性シクロヘキ
   サンカルボン酸化合物の少なくとも一種を含有すること
   を特徴とする液晶組成物。
5. 【請求項５】前記一般式（１）におけるX₁およびX₄のい
   ずれもがフツ素原子である請求項４記載の液晶組成物。
6. 【請求項６】前記一般式（１）におけるX₁およびX₄のい
   ずれもが塩素原子である請求項４に記載の液晶組成物。