JPS63175095A - 光学活性液晶化合物および組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は液晶化合物及び液晶組成物に関するもので、特
に強誘電性を有する液晶材料を提供するもので・あり、
従来の液晶材料と比較して、特に応答性、メモリー性に
すぐれた液晶表示素子への利用可能性を有する液晶材料
を提供するものである。

〈従来技術〉 液晶表示素子は、その低電圧作動性、低消費電力性、薄
型表示が可能なこと、受光型であるため明るい場所でも
使用でき、口が疲れないことなどの多くのすぐれた特徴
を有しているため、現在では各種の表示素子として、広
く用いられている。

現在のところ、表示方式としてはＴ　ｗｉｓｔｅｄ　　
Ｎ　ｅｍａｔｉｅ（ＴＮ）型と呼ばれるものが最も一般
的である。

このＴＮ型表示方式はネマチック液晶を用いるものであ
るが、これにおいては、前記のすぐれた特徴をすべて有
する反面、ＣＲＴをはじめとする他の発光型表示方式と
比較すると、その応答が非常に遅いという欠点があった
。また印加した電場を切ったときには、もとの状態にも
どるため表示の記憶（メモリー効果）が得られなかった
。これらのために、高速応答や、時分割作動が必要な光
シヤツター、プリンターヘッド、テレビ等への動画面へ
の応用には種々の制約を受は適したものであるとは言え
なかった。

液晶表示素子としてはＴＮ型以外にもデストーホス）（
ＧＨ）型、複屈折制御（Ｐ　ＣＢ　）型、相転移（ＰＣ
）型、熱効果型等が研究開発されており、それぞれ特徴
を有しているが、その応答性においては、いずれもＴＮ
型と比べて特に改善がなされたものとは言え、なかった
。これらに対し、高速応答が得られる液晶表示方式とし
て二周波駆動型と呼ばれるものが開発されており、その
応答性においては、かなりの改善がなされたが、それで
も充分満足できるものとは言えず、また、その作動回路
が複雑になりすぎるなどの欠点を有していた。このため
、さらに応答性にすぐれた新しい液晶表示方式の開発が
試みられてきた。

この目的に沿ったものとして、最近、強誘電性液晶が発
表された。（Ｒ，Ｍａｙｅｒ　　ｅｔ　　ａｌ；Ｊ、Ｐ
ｈｙｓｉｑｕｅ　　３６　　Ｌ６９（Ｉ９７５））この
強誘電性液晶を利用した表示素子は、従来の液晶表示と
比較して１００〜１０００倍という高速応答と、双安定
性によりもたらされるメモリー効果を有することが指摘
され（Ｎ、Ａ、ＣＩａｒｋ＋Ｓ、Ｔ、Ｌａ５ｅｒｕ＋ａ
ｌｌ：Ａｐｐｌ　　Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ；３６　８９９
　（Ｉ９８０））、テレビ等の動画面や商運光シヤツタ
ープリンターヘッド、コンピュータ一端末など他方面の
表示素子への応用が期待でさるものである。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のカイラルス
メクチック相に属するものであるが、その中でも、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いカイラルスメクチ
ックＣ（以下ｓｃ車と省略する）相と呼ばれるものであ
る。

ＳＣ本相合示す液晶化合物はこれまでにも検討されてき
ており、既に数多くの化合物が合成されている。しかし
ながら、これらの８０１６合物は単独では強誘電性液晶
表示素子として用いるための以下の条件、即ち（イ）室
温を含む広い温度範囲°で強誘電性を示すこと、（ロ）
長いらせんピッチを示すこと、（ハ）適当なチルト角を
持つこと、（ニ）自発分極が大きい値であること、（ホ
）粘性が小さいこと、（へ）上記（ニ）および（ホ）の
結果として高速の応答性を示すこと、を満足するものは
知られておらず、ＳＣ本液晶組成物として用いる必要が
ある。

ＳＣ本液晶組成物を得るには２通りの方法があり、一つ
はＳＣ本相合示す化合物の複数を混合する方法であり、
他の方法はカイラルでないＳＣ相を示す液晶化合物又は
組成物にカイフルな液晶化合物を添加する方法である。

前者の方法では、広い温度範囲や強い自発分極を得るの
は容易である。しかしながら、ＳＣ本相合有する化合物
は分子内、特に側鎖中に不斉炭素を有しており、枝分れ
基（主にメチル基である）が存在する。この枝分れ基が
液晶分子の中心核（コア）部分及びカルボニル基等の永
久多極子に近い程、液晶の自発分極は太き（なるが、同
時に液晶の粘性も高められる傾向がある。そのため、液
晶の自発分極を高めても、特に低温域における粘性の増
加が大きく、室温付近において２００μＳｅｅ以下の高
速応答を得るのは容易ではない。

後者の方法では、添加するカイラルな液晶化合物の量に
もよるが、母体とするＳＣ液晶には自発分極が存在しな
いため、組成物としての自発分極があまり大きいものは
得られにくい。しかしながら、母体のＳＣ組成物中の液
晶化合物には枝分れ基の存在が不必要であるため、その
粘性は非常に小さいものが得られる。そのため、カイラ
ルな液晶化合物を添加し、ＳＣ本液晶として、自発分極
を与えることによって、尚速応答を得ることも容易であ
り、現在では後者の方法が主流となりつつある。

ＳＣ液晶組成物に添加するカイラルな液晶性化合物とし
ては、単独では特にＳＣ車相を示す必要はなく、また液
晶相を示すことら必ずしも必要ではないが、組成物の温
度範囲を狭くしないためには液晶相、特にＳＣ本相分示
すことが望ましい。

また、組成物の自発分極をなるべく大きくするためにも
、大きい自発分極を示しうるような分子構造、即ち、カ
イフル基の不斉炭素が中心核（コア）にできるだけ近く
、かつカルボニル基等の永久的極子にできるだけ近い必
要があるが、このような構造なものでは、その液晶相に
対する捩り力が大きいためらせんの出現するＳＣ本相分
おいてはピッチが短くなりすぎ、その配向性に悪影響を
与え、またセル厚を大きくしにくいなどの問題が生じた
。

従って、その添加量を制限するか、あるいは捩れの方向
の逆のカイラル化合物を加えてＳＣ本液晶組成物のピッ
チを調整する必要があった。この場合、捩れ方向の逆の
カイラル化合物の自発分極の方向が同一であるならば組
成物の自発分極が相殺されて小さくなるなど、そのピッ
チｇ４整には面倒な問題が多かった。そのため、大きな
自発分極を有しながら、そのピッチが大きく且つできる
だけ自身でＳＣ本相分示すような、カイラルな液晶化合
物が望まれていた。

［発明が解決しようとする問題７弘］ 本発明の目的は、大きな自発分極を有しながら、ピッチ
が充分に大きく、しかも、はとんどの場合において、そ
れ自身ＳＣ′本相相合し、単独、もしくは混合によって
室温を含むような広い温度範囲でＳＣ本相分示し高速応
答が可能であるような新規なカイラルな液晶化合物を提
供すること、およびそのカイラルな液晶化合物とＳＣ相
を示す液晶化合物または液晶組成物から高速応答の可能
なＳＣ本液晶組成物を調製すること、また、そのような
組成物を提供すること、さらには、これらのＳＣ＊液晶
化合物および組成物を用いて応答の速い光表示素子を提
供することにある。

Ｌ問題を解決するための手ＪｆｆＪ 本発明におけるカイラルな液晶化合物は、次の一般式（
Ｉ）であらわされるような、分子内の２つの不斉炭素を
有するエステル化合物であることを特徴としている。

・・・・・（Ｉ） 上式において、Ｒは炭素数２〜１６のアルキル基をあら
れし、より好ましくは炭素数２〜６のアルキル基をあら
れし、■は１または２、ｎは０または１の整数をあられ
し、Ｘは水素、フッ素、または塩素原子をあられし、よ
り好ましくは水素あるいはフッ素原子をあられし、２Ｍ
Ｂは（Ｓ）−２−メチルブチル基をあられし、Ｚは連結
基であってをあられし、町よその炭素が（Ｒ）または（
Ｓ）配置の不斉炭素であることをあられしている。

また、本発明における液晶組成物とは、一般式（Ｉ）で
あらわされる化合物（Ｉ）Ｅ以下に化合物（Ｉ）と略称
する１の複数からなるか、化合物（Ｉ）の１種またはそ
れ以上と化合物（Ｉ）以外の液晶化合物または液晶組成
物、特に好ましくはＳＣ相を示す枝分れのない液晶化合
物または組成物と、からなる液晶組成物である。

化合物（Ｉ）は、一般式 （式中、Ｒ，Ｉｌｌ、町よ前記と同様である）であらわ
されるカルボン酸を塩化チオニル等の塩素化剤で酸塩化
物とし、これと一般式 （式中、論、ＸＳＺ、２ＭＢは前記と同様である）であ
らわされる光学活性のフェノール誘導体とをピリジン等
の塩基性物質存在下に反応させることによって、容易に
得ることができる。

カルボン酸（Ｉ１）は、４−ヒドロキシ安息香酸（ｍ＝
１の場合）あるいは４′−ヒドロキシビフェニル−４−
カルボン酸（艶＝２の場合）と光学活性７ルコーさせた
後、酸処理を行なうことによって、得ることができる。

また、光学活性７工７−ル誘導体（Ｉｌｌ）は、以下○ のようにして合成でさる。すなわち、Ｚが−Ｃ−０−を
あられす場合には、一般式 （ｎＳＸは前記と同様である） であらわされるヒドロキシカルボン酸と（Ｓ　）−２−
メチルブチルアルコールとを酸触媒存在下脱水縮合する
ことにより得ることができる。Ｚが一〇−をあられす場
合には、一般式 （式中、ｎＳＸは前記と同様である） であらわされるハイドロキノン（ｎ＝０の場合）また番
エビ７エ７−ル（ｎ＝１の場合）あるいはその誘導体と
（Ｓ）−２−メチルブチルアルコールのＯ−トシレート
とをアルカリ溶液中で反応させることにより、得ること
ができる。Ｚが一〇−〇−をあられす場合には、化合物
（Ｖ）と、（Ｓ）−２−メチルブチルアルコールから導
かれる酸塩化物２ＭＢＣＯＣＩ（２ＭＢは前記と同様に
（Ｓ）−２−メチルブチル基をあられす）とをピリジン
等の塩基性物質の存在下で反応させることにより、得る
ことができる。

Ｚが一〇−または一〇−〇−をあられす場合においてＸ
が水素以外である場合には、目的とは反対側のＯＨ基が
反応したものも得られるため、それらは分離して用いる
必要がある。Ｚが単結合の場合には、〆〃水素であるも
のは市販されているか（ｎ＝０の場合）、あるいは市販
品 から容易に導くことができ、Ｘが水素以外のものである
ものは一般式 （式中、ｎ、　Ｘは前記と同様である）であらわされる
アニソール誘導体を臭素化したのち、金属マグネシウム
でグリニヤール化合物とし、これと（Ｓ）−２−メチル
ブチルアルコールのＯ−）シレートあるいは（Ｓ）−２
−メチルブチルプロミドとを塩化バラノウム等の触媒の
存在下で反応させたのち、脱メチル化することによって
、得ることができる。

以上の合成法をルー、ト図で示せば以下の通りである 化合物（Ｉ）におけるｍ造的な最も大きな特徴は、分子
内に２つの不斉炭素を有することにある。一方の（Ｓ）
−２−メチルブチル基は、天然の（Ｓ）−２−メチルブ
チルアルコールに由来するものであって、その立体配置
は常に（Ｓ）であり、他方のカイ白米するものであって
、その立体配置は（Ｓ）または（Ｒ）である。

合成法で示したように、光学活性アルコールロキシカル
ボン酸と反応させて、カイラル基を導入しているが、第
１段階（トシル化）では立体配置は保持されているとみ
なされる。第２段階は光学活性中心における反応である
が、一般には、このように塩基性条件下におけるアルコ
ラードとトシレートとの反応は立体配置が逆松するとさ
れている。しかしながら、反応後の立体配置については
直接決定できたわけではないので、以下においては原料
として用いた光学活性アルコールＲ−（ 金物（ 二ととする。即ち、例えば（Ｓ　）−２−オクタｔから
導かれた場合（（Ｓ））とあられし、（Ｒ）−２−ブタ
ノールから導かれた場合（（Ｒ））とあられし、２−メ
チルブチル基の場合の（Ｓ）−とは区別して用いる。実
際は、（（Ｓ））は（Ｒ）、（（Ｒ））は？あられして
いる可能性が大きい。

金物（Ｉ）の物性面における最も大きな特徴は、非常に
大きな自発分極を有しながら、そのピッチがかなり大き
なものが得られることにある。既に、不斉炭素がエーテ
ル結合によりベンゼン環に直結した液晶化合物の中では
大きい自発分極をもつものが知られており、例えば ６Ｈ１３ 本 ＣＩ（、’ 化合物では８９ｎＣ／Ｃｍ２の値が報告されている（特
開昭６ｌ−４３）、Ｌかし、これらの化合物は、それ自
体強い捩り力を有しているため、そのＳＣ本相合おける
ピッチが非常に小さく、また組成物として用いる際にも
捩りの方向の逆のものを相当量加えるなどして、そのピ
ッチを大きくしてやる必要があった。一方、光学活性基
として（Ｓ）−２−メチルブチル基を有するようなＳＣ
本液晶化合物は数多いが、これらの自発分極は大きいも
のでも５〜１０　ｎＣ／ｃ１１”であり、多くはそれ以
下である。

本発明者らは、このような（Ｓ　）−２−メチルブチル
基が特にコアのベンゼン環と−ＣＯＯ−１−Ｏ−Ｃ−１
−〇−あるいは単結合で直接結合しているような液晶化
合物においては、その捩り力は、不斉炭素がエーテル結
合により、ベンゼン環に直結した化合物の捩り力と比較
すると、その自発分極はどの差はないことに着目し、同
一分子中に、（Ｓ　）−２−メチルブチル基が−ＣＯＯ
−１−Ｏ−Ｃ−１−Ｏ−＊たは単結合でベンゼン環に連
結した光学活性基と、不斉炭素がエーテル結合によりベ
ンゼン環に直結した光学活性基との両方を含む液晶化合
物においては、大きな自発分極を持ちながら、捩り力が
相殺されて小さくなり、ピッチが大きいものが得られる
のではないかと考え、本発明に至ったものである。

実際に化合物（Ｉ）においては、１００ｎＣ／Ｃｍ２以
上もの大きな自発分極を有しながら、その捩り力が相殺
された場合、カイラル基を含まないＳＣ液晶に約３０％
添加して得られるＳＣ車液晶組成物においても２〜６μ
鰺と、そのピッチ調整を殆んど必要としないか、あるい
は極めて容易であるものが得られる。

（Ｓ）−２−メチルブチル基によるらせんの捩り方向は
、そのコアのベンゼン環との連結基が、は右巻き、−〇
−の場合には左巻きであることが既に知られているが、
２級の光学活性アルコールに白米する、不斉炭素がエー
テル結合で、ベンゼン環に直結した光学活性基によるら
せんの捩り方向については、よく知られていなかった９
本発明者らによる検討の結果、（Ｓ　）−２−メチルブ
チルとコアのベンゼン環の連結基が　Ｏ −Ｃ−０−１ −Ｏ−Ｃ−あるいは単結合の場合、他のカイフル基は（
Ｓ）一体の２級の光学活性基に白米する（（Ｓ））配置
の場合にらせんピッチが太き（なり、連結基が−０−の
場合、（（Ｒ））配置が大きならせんピッチをあたえる
。このことから、（（Ｓ））体の捩り方向は左巻き、（
（Ｒ））体では右巻きと考えられる。

両方の光学活性基に白米する自発分極の向終については
、必ずしもらせんの捩りの向きと等しいわけではなく、
らせんピッチが相殺されて大きくなっている場合におい
ても、その自発分極は逆に加算されて大きくなる場合と
逆に相殺されて減少する場合とがありうる。しかしなが
ら、（Ｓ　）−２−メチルプチル基に白米する自発分極
は、不斉炭素がエーテル結合でベンゼン環に直結する光
学活性基に白米する自発分極に比較して、１衝程度ある
いはそれ以上に小さいため、化合物（Ｉ）は常に大きな
自発分極を持ちうろことにある。例えば、（Ｓ　）−２
−メチルブチル基が　０　　　　で連結Ｃ−０− した光学活性基による自発分極は、その極性がｅである
ことが知られているが、化合物（Ｉ）において実施例２
のようにらせんピッチが小さくなる（（Ｒ））配置のも
のでは、全体の自発分極もｅとなるため、双方の光学活
性基による自発分極は加算されていると考えられる。逆
に実施例１０のようにらせんピッチが大きくなる（（Ｓ
））配置の場合、その自発分極は相殺されている。

一般に液晶分子の側鎖への分校基を導入することは液晶
性を低下させ、その相転移温度を下げることになるが、
化合物（Ｉ）においては両方の側鎖に分校メチル基が存
在するため、その相転移温度は同様の骨格構造を有する
ものに比べるとかなり低く、例えば４−　＋（！３　）
−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニル４−ｉ
ｆ−メチルへブチルオキシ）ベンゾニー）［（（Ｒ））
体］［ここで、前述のように（（Ｒ））体は原料として
用いた１−オクタノールの絶対配置をあられしているも
のであって、１−メチルヘプチル基の絶対配置を示して
いるものではない、以下も同様である。］は室温では油
状であって、両側類が直鎖である４−へキシルオキシフ
ェニル４−オクチルオキシベンゾエートが融点５２〜５
３’（ＳＡはスメクチックＡ相、■は等方性液体相をあ
られす、以下同様である）に比べて、液晶性は大さく低
下している。そのため化合物（Ｉ）は実施例２の化合物
のように室温付近でＳＣ本相合示すものもあるものの、
単独では安定なＳＣ本相合温度域をもたないものが多い
が、化合物（Ｉ）は分枝鎖をもたないＳＣ液晶化合物あ
るいは組成物に混合してＳＣ本液晶組成物として用いる
のがより効果的であるため、実用上において問題ではな
い。カイラル化合物とＳＣ液晶化合物、またはＳＣ液晶
組成物からＳＣ本液晶組成物をａ＊する際に、カイラル
化合物にＳＣ本液晶性が全くない場合にはその組成物に
おけるＳＣ本相合温度範囲を狭くする傾向がみられるが
、化合物（Ｉ）は、ＳＣＣ車行示すものが多く、また単
独ではＳＣ本相合示さないものでも混合等によって得ら
れる過冷却状態ではＳＣ本相合示しうるＳＣ寧性を有す
る場合が多いため、好都合である。

さて化合物（Ｉ）の単独、または複数と混合して用いる
ＳＣ２［ｌ晶化合物または組成物としては、例えば２環
型では以下に示すようなフェニルベンゾニート系化合物
（Ａ＞やピリミジン系化合物（Ｂ）などをあげることが
できる、またそのＳＣ相の温度範囲を高温域に拡大する
には３環型の化合物（Ｃ）、（Ｄ）などを用いることが
できる。

（Ｒ，、Ｒ２は直鎖のアルキル基、アルコキシ、基、ア
ルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、
アルコキシカルボニルオキシ基のいずれかをあられし、
同一であうでも異っていてもよい、） （Ｒ３、Ｒ４は直鎖のアルキル基、アルコキシ基をあら
れし、同一であっても異っていてもよい、） （Ｒ３、Ｒ１は前記と同様であり、曽＋ｎ＝３である。

） （Ｒ５、Ｒ３は前記と同様でＹ、、Ｙ２はそれぞれ−Ｃ
ＯＯ−または　　Ｏをあられす、）一〇〇− これらは単独でも用いることができるが、２成分以上の
組成物として用いる方がより広い温度範囲が得られるた
め好都合である。また、（Ａ）〜（Ｄ）以外でも、側鎖
が直鎖フルキルでありて、ＳＣ相を示すものは同様に用
いることができる。また、（Ａ）〜（Ｄ）以外の化合物
であって、それ自身ＳＣ相を示さなくとも、粘性の小さ
な液晶性化合物であれば、組成物の粘度低下のため少量
加えることも、速い応答速度を得るためには有効な方法
である。

化合物（Ｉ）の一般式において、Ｘは水素あるいはフッ
素あるいは塩素原子、特に好ましくは水素あるいはフッ
素原子をあられしているが、Ｘとして水素に換えてフッ
素、塩素等のハロゲン原子を導入することは、その融点
を降下させることに大きな効果があるものである。化合
物（Ｉ）においてはＳＣＣ車行モノトロピックにしかあ
られれないか、あるいは結晶化のため、単独では、その
物性測定も困難である場合が多い、しかしながら、実施
例２に示される化合物のように、この位置にフッ素を導
入することによって融点が下がり、ＳＣ京相が安定にあ
られれる化合物を得ることができる。

ここで、この位置へのハロゲン置換が液晶性をほとんど
低下させることなく融点を降下させＳＣ本和の安定な温
度域の拡大に有利であることは、既に本発明者らが見い
出し、液晶討論会等で公表していることである（第１１
回液晶討論会予稿集Ｐ１７６、第１２回液晶討論会予稿
集Ｐ１１６）。

さて、ＳＣ液晶組成物に化合物（Ｉ）を１０〜３０％程
度添加して得られるＳＣ本液晶組成物においては、その
らせんピッチは、捩れの向きが相殺された場合には、１
〜６μ麹程度のものが得られる。表示素子として用いる
場合には、らせんをほどいた状態で配向させる必要があ
るが、この程度のらせんピッチでは少なくとも２〜３μ
−というかなり薄いセルが要求される。そのため、５〜
６μ論あるいはそれ以上の厚いセルで用いる場合には、
さらにピッチを大きく調整する必要が生じる。

ピッチ調整用化合物としては、化合物（Ｉ）と捩りの向
きが逆であるもので自発分極の極性が同一であるか、あ
るいは極性が逆であっても数ｎＣ／ａｍ”の小さいもの
であれば用いることができる。ピッチ調整用化合物の量
は、化合物（Ｉ）において、らせんの捩れが相殺されて
いる場合には少量で充分であり、らせんの捩れが加Ｗ、
されている場合には相当量必要である。

さて、得られた液晶化合物あるいは８Ｉ戒物は、２枚の
透明な電極板の開に、均一な厚さく１μ曽〜２０μｍ程
度）の薄膜とすることにより、液晶表示用セルとして使
用することができる。

表示用セル中においては、液晶の分子は分子長軸が電極
面に平行な、いわゆるホモジニアスの、かつ向きの均一
な配向をとったモノドメインである必要がある。このた
めに電極板の表面にラビング、蒸着等による配向処理を
施すか、あるいは電場、または磁場を印加するか、ある
いは温度勾配をもたせるか、あるいはこれらの手段の複
数を併用した状態で、等方性液体相から、液晶相まで徐
々に冷却して、配向させる方向が一般に採用されている
。本発明における化合物あるいは組成物においてもこの
ような方法によって均一に配向したモノドメインのセル
を得ることができる。

〈発明の効果〉 本発明の概要は以上の如きものであるが、本発明におけ
る化合物（Ｉ）は単独もしくは混合によりＳＣ本液晶組
成物とした場合において、従来知られているエステル系
強誘電性液晶化合と比しても大きい自発分極を有してお
り、またらせんピッチも、ＳＣ液晶化合物または組成物
に添加してＳＣ本液晶組成物として用いる際には、ピッ
チ調整を必要としないか、あるいは極めて容易である。

また、化合物（Ｉ）は、後述する実施例にも示されるご
とく、工業的にも容易に製造でき、それ自体無色であっ
て、光、水分、熱等に対する化学的安定性に優れるもの
であり、非常に実用的である。

更に、本発明における強Ｗｔ性液晶化合物及び組成物は
応答速度が従来のネマチック液晶の１００倍以上と極め
て大きく、表示用光スイツチング素子として極めて有望
である。

〈実施例〉 以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨および適用範囲は、これらの実施例に
よりて制限されるものではない。

尚、液晶相及び相転移温度の測定は、温度調節ステージ
を備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併
用して行ったが、転移温度は、その試料の純度あるいは
測定条件によって若干変動するものである。なお、温度
は℃を意味する。

また、生成物の化学構造は、核磁気共鳴スペクトル（Ｎ
　Ｍ　Ｒ）、赤外吸収スペクトル（Ｉ　Ｒ）及び質量ス
ペクトル（ＭＳ）により確認された。

なお、ＮＭＲデータ１こお（するＳは１重線（シングレ
ット）、ｄは２重＃ｌ（グブレット）、Ｌは３重線（ト
リブレット）、ｃｌｄは２重の２重＃１（グプルグプレ
ット）、鋤は多重線（マルチプレット）をあられし、Ｍ
ＳにおけるＰ＋は親ピークをあられす。

実施例１ ４−（（Ｓ　）−２−メチルブチルオキシカルボニル）
フェニル４’−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ビフェニ
ル−４−カルボキシレート［（（Ｒ））体］［一般式（
Ｉ）においてＲ＝Ｃ，Ｈ，、、−＝２、ｎ＝０、Ｘ＝Ｆ
１　Ｚ＝−Ｃｏｏ−］の合戊： （Ｒ）−２−才クタノール１３０．Ｏｇ（Ｉモル）を脱
水したピリジン１１に溶解し、５℃に冷却した。ゆるや
かに攪拌しながら、ｐ−）ルエンスルホニルクロライド
１９０．５ｇ（Ｉモル）を内温か１０℃を越えないよう
に注意しながら、１時間で加えた。０〜５℃で８時間放
置した後、ヘキサン２２を加え、析出結晶を炉別し、１
％塩酸、水、次いで飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナ
トリフムで脱水後、溶媒を留去して、（Ｒ）−２−オク
チルｐ−）ルエンスルホネー）２３９．７ｇが得られた
（収率８４．４％）。次に、４′−ヒドロキシビフェニ
ル−４−カルボンＩＩ！２１．４ｇ（０，１モル）及び
水酸化カリツム１１．２ｇ（０，２モル）をエタノール
３５０ｍ１と水４０−１中に懸濁させ還流温度まで加熱
し、これに（Ｒ）−２−オクチルｐ−トルエンスルホネ
ート３１．２ｇ（０，１１モル）をエタノール５０ｔｓ
１に溶解して３０分で滴下した。反応系内は徐々に均一
となった１滴下終了後、１時間還流を続けたのち放冷し
、１０％塩酸を加えて弱酸性とした。析出結晶を炉別し
、これにベンゼン２００ａｌを加え不溶物を除去した。

ベンゼンを留去して得られた粗結晶をヘキサン−酢酸エ
チル混合溶媒から再結晶して、４’−＋１−メチルオク
チルオキシ）ビフェニル−４−カルボン酸１５．５［１
を得た（収率４７．５％）。この絶対配置は（Ｓ）一体
と考えられるが、確認されたわけではないので、用いた
原料の絶対配置を用いて（（Ｒ））体とあられす。この
（（Ｒ））体の４’−＋１−メチルオクチルオキシ）ビ
フェニル−４−カルボン酸１３．０４ｇ（４０ミリモル
）を塩化チオニル３０ｍ１、ピリジン１．Ｏｍｊ！とと
もに２時間加熱攪拌し、過剰の塩化チオニルを留去し、
脱水トルエン１００ｗａｌを加え、不溶物を除去後、ト
ルエンを留去して、（（Ｒ））体の４’−（Ｉ−メチル
オクチルオキシ）ビフェニル−４−カルボン酸塩化物１
２．１２ｇを得た（収率８８％）。

この酸塩化物１．０３ｇ（３，０ミリモル）を塩化メチ
レン１０ａ＋ｊ！に溶解し、これに４−ヒドロキシ安息
香酸と（Ｓ　）−２−メチルブチルアルコールより合成
した（Ｓ）−２−メチルブチル４−ヒドロキシベンゾエ
ート０．６９ｇ（３，３ミリモル）をピリノン２ｍβに
溶解して加え、さらに３時間溶媒還流下で反応させた。

酢酸エチル５０ｔａｌを加え、１０％塩酸水、飽和炭酸
水素す）　＋７ウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄
し、無水硫酸ナトリツムで脱水した。溶媒を留去後、シ
リカゾルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロ
ホルム−ヘキサン）で精製し、エタノールから再結晶し
て、（（Ｒ））体の４−　（（Ｓ　）−２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）フェニル４’−（Ｉ−メチルへブ
チルオキシ）ビフェニル−４−カルホキシレー）１．２
０ｇを得た（収率８０．１％）。

■ −ＣＩｌ司−）、　δ４．１４（ｄｄ、　２Ｈ，ＯＣＩ
＋□−）、δ１．５〜他のＣＨ２）、δ０，８−１．０
５（ｍ、９Ｈ，その他のＣＨ，） Ｉ　Ｒ：１　７３５、１７２０．　１６１０、１２７０
．１２２０、１２００、１１７０、１１２０、１０７５
、１０２０、８３０、７７０（ｃ功−１）Ｍ　Ｓ　：ｍ
／ｅ＝　５　１　６　（Ｐ”）この化合物の相転移温度
：８本−８Ａ＝４２．５’Ｃ１ＳＡ−■＝８０．５℃、
融点＝８１℃ 実施例２ ３−フルオロ−４−（（Ｓ　）−２−メチルブチルオキ
シカルボニル）フェニル４”−＜１−メチルへブチルオ
キシ）ビ７二二ルー４−カルポキシレー）［（（Ｒ））
体］［一般式（Ｉ）においてＲ＝Ｃ，Ｈ，、、功＝２、
ｎ＝ｏ、χ＝Ｆ％Ｚ＝−ＣＯＯ−］の合成： 実施例１において、（Ｓ）−２−メチルブチル４−ヒド
ロキシベンゾエートに換えて、３−フルオロ−４−シア
ノ７エ／−ルより合成した（Ｓ）−２−メチルブチル２
−フルオロ−４−ヒドロキシベンゾエートを用いて同様
に反応、精製を行い、表記化合物を得た。

（載　Ｉ　Ｈ，−ＣＩ−０−）、δ４．１６　（ｄｄ、
　２　Ｈ，−０−Ｃ）Ｉ２’）、■］、その他のｃＨ２
）、δ０，８−１．０５（ｍ、９Ｈ。

その他のＣＨ，） ＩＲ：１７４０．１７１５．１６０５．１５００．１４
３０．１２８０，１２５０，１１９０．１０２５．１０
６０．１０１５．９６５．８３５．７７０．７１５．７
００　（ｃｍ−’　）Ｍ　Ｓ　：ｖａ／ｅ＝　５３４　
（Ｐ”）相転移温度：８０京−８八＝４８，５°Ｃ，５
Ａ−Ｉ＝８０．５℃、融点＝４８℃ 実施例１の化合物と比較して、７ツ索の導入により、Ｓ
　本−８へ転位点がむしろ上昇され、しかも、その融点
が大きく降下していることがわかる。

実施例３ ４’−（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）
ビフェニル−４−イル４〜（Ｉ〜メチルへブチルオキシ
）ベンゾエート［（（Ｒ））体Ｊ［一般式（Ｉ）におい
てＲ”　Ｃｇ　Ｈ＋　＊、の＝１、ｎ＝１、Ｘ＝ＨＳＺ
＝−Ｃ０Ｏ−］の合成： ４−ヒドロキシ安息香ｐＨ１８，２ｇを、エタ／−ル３
２０＋ａＬ水３２−及び水酸化カリウム２．２ｇととも
に、加熱攪拌した。還流下、実施例１で得られた（（Ｒ
））−２−オクチルｐ−トルエンスルホネー）　３８．
０ｇを３０分で滴下した。さらに１時間加熱を続けたの
ち放冷し、１０％塩酸を加えて弱酸性とした。エタノー
ルの大部分を留去した後、酢酸エチルで３回抽出し、あ
わせて飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで脱水し
た。溶媒を留出して得られた組成物をシリカデル力ラム
クロマトグフフイー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン
＝１／１）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して、
４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）安息香酸１７．Ｏｇ
を得た。この絶対配置は（Ｓ）本と考えられるが、実施
例１と同様に確認されたわけではないので、用いた原料
の絶対配置から（（Ｒ））体とあられす。

この４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）安息香酸［（（
Ｒ））体１６．１．に塩化チオニル１５−、ピリジン０
　、５　ｍｌを加え、２時周加熱攪拌した。過剰の塩化
チオニルを留去し、トルエン５０−を加え、不溶物を除
去した後、トルエンを留去し、（（Ｒ））体の４−（Ｉ
−メチルへブチルオキシ）安息香酸塩化物４．３０ｇを
得た このＲ塩化物１．０７．を塩化メチレン１０ｎＮに溶解
し、これに４′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン
酸と（Ｓ）−２−メチルブチルアルコールより合成した
（Ｓ）−２−メチルブチル４′−ヒドメキシビフェニル
ー４−カルボキシレー１．４２ｇをピリジン３−に溶解
して加え、３時間溶媒還流下で反応させた。放冷後、酢
酸エチルを加え、１０％塩酸、飽刊炭酸水素ナトｌ／ウ
ム水、水、飽和食塩水で殉じ洗滌し、無水硫酸す）　＋
７ウムで脱水した。溶媒留去後シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒クロロホルム−ヘキサン）でＭ
製し、さらにエタノールから再結晶して、（（Ｒ））体
の４’−（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル
１ビフエニル−４−イル４−（Ｉ−メチルブチルオキシ
）ベンゾニー）１．８１ｇを得た。

他のＣＨ２）、δ０，８−１．１（ｍ、９Ｈ，その他の
ＣＨ，） Ｉ　Ｒ：１７２５．１６１０．１５２０，１４３０゜１
２６０．１２２０，１１７０．１１２０，１０８０．１
０１０．９８０，８９０，８５５．７８０、７４０、７
１０、６６０、６２０、５６０（ｃｍ”−’　） Ｍ　Ｓ　：＠／ｅ＝　５　１　６　（Ｐ十）旋光度：［
αＪＤ＝＋０．６４ 相転移温度：Ｓｃ車−Ｎ車＝２°４°Ｃ％Ｎ”−Ｉ＝４
８℃、融、α＝３５．５℃ 実施例４ ４’−１（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）
ビフェニル−４−イル　４−（Ｉ−メチルへブチルオキ
シ）ベンゾニー）　１（（Ｓ　））体］の合成：実施例
３において、（（Ｒ））−２−オクチルｐ−）ルエンス
ルホネートに換えて、（Ｓ）−２−オクタ７−ルより合
成した（Ｓ）−２−オクチル　ｐ−トルエンスルホ冬−
Ｆを用いて、同様に反応、精製を行い、（（Ｓ））体の
４’−１（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）
ビフェニル−４−イル　４−（Ｉ−メチルブチルオキシ
）ベンゾエートを得た０本化合物は実施例３で得られた
化合物のノアステレオマ−である。

他のＣＨ２） ＩＲ：１７２０．　１６１０．１５１０，１４２０゜１
２７０、　１２１０．　１１７０．　１１１０、１０７
０、１０１０．９７０．８５０．７７０．７２０　、　
６９５　、　６５０　、　５４０（ｃ　論−区）Ｍ　Ｓ
　：ｍ／ｅ＝　５　１　６　（Ｐ十）旋光度：［ｌ　、
＝−２，６３ 相転移温度：Ｓｏ車−Ｎ町急冷下Ｓ相合は確認できるが
、結晶化のため転移点の洞定ができなかった）、Ｎ本−
Ｉ　５６，５℃、融点＝３５，５°Ｃ実施例５ ４’−１（Ｓ　）−２−メチルブチルオキシカルボニル
）フェニル　４−イル４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ
）ベンゾエート［（（Ｓ））体１［一般式（Ｉ）におい
てＲ”　Ｃｓ　Ｈｌ　３　、ｎｏ　”　１、ｎ＝０、Ｘ
＝ＨＳＺ＝−Ｃｏｏ−］の合或： 実施例４において、（Ｓ）−２−メチルブチル　４′−
ヒドロキシビア二二ルー４−カルボキシレートに換えて
、（Ｓ）−２−メチルブチルヒドロキシベンゾエートを
用い、同様に反応、精製を行い、表記化合物を得た。

／Ｃ１１、。／）、δ４．１５（ｄｄ、２Ｈ，→−Ｃ１
１２−）、δ１．５〜他のＣＨ２）、δ０．８−１．０
５（ｍ、９Ｈ，その他の　ＣＨ，） Ｉ　Ｒ：１７２５．１６１０、１５２０．１４２０．１
２６０、１２１０、１１７０．　１１２０、１０６０、
１０２０．９８０．９４５．８９０．８５０．７７０，
７００，６７０．６２０．５１５（ｅ、−”） Ｍ　Ｓ　：ｍ／　ｅ＝　４４０　（Ｐ　”）この化合物
は室温で油状であり、水魚下に長時間放置しても結晶化
しなかった。また、ドライアイスで冷却しても液晶相は
確認できなかった。

実施例６ ４−（（Ｓ　）−２−メチルブチルオキシ１フエニル４
′−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ビフェニル−４−カ
ルホキシレー）［（（Ｒ））体１Ｅ一般式（Ｉ）におい
てＲ＝　Ｃｓ　Ｈ＋　３、閣＝２、ｎ　＝　０　、Ｘ　
＝　ＨＳＺ　＝　　ＯＪの合成： 実施例１において、（（Ｓ））−２−メチルブチルｐ−
ヒドロキシベンゾエートに換えて、４１（Ｓ）−２−メ
チルブチルオキシ）フェノールを用い、同様に反応、精
製を行い、表記化合物を得た。

４．５５価、Ｉ　Ｈ，−Ｃト０−　）、δ３．７５（ｄ
ｄ、　２　Ｈ，−０−Ｃ１１，）、他のＣＨ，）、δ０
．８〜１．．０５　（ｍ、９Ｈ１その他のＣＨ，） ＩＲ：１７３０、１６１０、１５１０、１３００．１２
９０、１２５０、１２００、１０８０、１０４０、１０
１５、８７５、８３５、７７０，７３０．７０５．５３
０　（ｃｍ−’） Ｍ　Ｓ　：ｍ／ｅ＝　４８８　（Ｐ”）相転移温度二Ｎ
本−■＝７８°Ｃ 実施例７ ４　’−ｔ（Ｓ　）−２−メチルブチルオキシ）ビフェ
ニル−４−イル　４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ベ
ンゾニー）［（（Ｒ））体１［一般式（Ｉ）においてＲ
＝　ＣａＨｌｊ、醜＝１、ｎ＝１、Ｘ＝Ｈ，Ｚ＝　　Ｏ
］の合成：実施例３において、（Ｓ）−２−メチルブチ
ル　４′−ヒドロキシビフエニルは４はカルボキシに一
トに換えて、４−（４−（Ｓ　）−２−メチルブチルオ
キシ）７エ二ル）を用い、同様に反応、精製を行い・表
記化合物を得た。

−Ｃ１１−０−）、δ３，７５（ｄｄ、　２Ｈ，→−Ｃ
１１，−）、δ１．５〜他のＣＨ２）、５０．８〜１．
０５（ｍ、９Ｈ，その他のＣＨ，） Ｉ　Ｒ：１　７３０、１６０５、１５０５、１２７０．
１２５５、１２１５、１１７０、１１２０、１０８０、
１００５、８８５、８５０，８１５、７７０　、７３０
　、７００　、６５０　、５　２　５　　（ａｍ−’　
）Ｍ　Ｓ　：ｍ／ｅ＝　４　８　８　（Ｐ十）相転移温
度二Ｎ本−Ｉ＝６６．５°Ｃ１融点６２℃実施例８ ４−（（Ｓ　）−２−メチルブチルオキシ）フェニル　
４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ベンゾニー）［（（
Ｒ））体１［一般式（Ｉ）においてＲ＝Ｃ，Ｈ，、、論
＝１、口＝Ｏ１Ｘ＝ＨＳＺ＝−Ｃｏｏ−］の合成：実施
例３において、（Ｓ）−２−メチルブチル　４′−ヒド
ロキシビフェニル−４−カルボキシレートに換えて、４
１（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ）フェノールを用い
、同様に反応、精製を行い、表記化合物を得た。

と４．２〜４．６（鎗、Ｉ　Ｈ，−ＣＩ＋−０−）、　
δ１．５〜２．０他のＣＨ，）、δ０．８〜１．０５（
ｍｌ　９Ｈ１その他のＣＨｓ　） ｌＲ：１７３０，１６１５．１５２０．１４３０．１３
２０．１２６０．１２００．１１７０．１１２０．１０
８０．１０２０，９５０．８８０．８５５．８３０，７
７０．７００，６６０．６３５．５　８　０　　、　　
５，３　０　　（ｃｍ−’）Ｍ　Ｓ　：ｍ／ｅ＝　４１
２　（Ｐ”）この化合物は室温で油状であり、長時間、
氷点下でｔｌＬ置しても結晶化しなかった。また、ドラ
イアイスで冷却して、液晶相は示さなかった。

実施例９ ４−ｉ（Ｓ）−２−メチルブチル）フェニル　４’−（
Ｉ−メチルへブチルオキシ）ビフェニル−４−カルボキ
シレート［（（Ｒ））体］［一般式（Ｉ）においてＲ＝
Ｃ，Ｈ，、、ｌ＝２、ｎ＝０．Ｘ＝Ｈ，Ｚ＝単結合］の
合成： 実施例１において、（Ｓ）−２−メチルブチル　４−ヒ
ドロキシベンゾエートに換えて、４１（Ｓ　）−２−メ
チルブチル）７エ７−ルを用い、同様に反応、精製を行
い、表記化合物を得た。

１０Ｉ］、その他のＣＨｚ　）、δ０，８〜１．０（＋
１１，９Ｈ１その他のＣＨ，） Ｉ　Ｒ：１７３５．１６０５．１５３５．１５１０．１
５００．１４０５．１２８０．１１９０．１１７０．１
１３０．１０８０．１０１５．９５０．８８０．８３０
．８０５．７７０．７２０．７００．５３０　（ｃｍ−
’） ＭＳ：ｍ／ｅ＝　４７２（Ｐ”） 相転移温度：Ｓ車−Ｎ本＝４０，５°Ｃ，Ｎ寧−Ｉ＝６
４℃、融点＝７９，５°Ｃ ’ＩｕＬｆ！Ｌ」立 ４１（Ｓ　）−２−メチルブチル）フェニル　４’−（
Ｉメチルへブチルオキシ）ビフェニル−４−カルボキシ
レート・［（（Ｓ））体」の合成： 実施例９において、原料として用いた（Ｒ）−２−オク
チル　ｐ−）ルエンスルホネートｌこ換えて、（Ｓ）−
２−オクチル　ｐ−）ルエンスルホネートを用い、同様
に反応、精製を行い、表記化合物を得た。本化合物は実
施例９で得られた化合物のノアステレオマ−である。

７．２５（ｍ、６Ｈ１その他の芳香族水素）、δ４゜１
５−４．５５（ｍ、ＩＨ，−ＣＨ−０）、δ２゜〜２，
０（＋ａ１３Ｈ，ＣＨ２０−およびＣＨｌ 沓 δ１，１５−１．５（ｍ、ＩＯＨ，その他のＣＨ２−）
、δ０．８〜１．０５（ｍ、９Ｈ，その他のＣＨ，）Ｉ
　Ｒ：１　７４０、１６０５、１５３５、１５１ｓ　　
　１ｓｏｏ、　１２７５、１１９０、１１７０．１１３
５、１０８０、１０２０、９４５、８８０．８３０、７
７０、７２５、７００　（ｃ＋＋−’）Ｍ　Ｓ　：ＩＩ
／ｅ＝　４　７　２　（Ｐ　十）相転移温度：Ｓｃ”−
Ｎ町急冷下Ｓｃ’相は確認で慇るが、結晶化のため転移
点の測定ができなかった）、Ｎ本−Ｉ＝５７．５℃、融
点＝６４℃犬１１ｔ−」」− 化合物（Ｉ）を用いた光スイツチング素子の作成：実施
例２で得られた（（Ｒ））体の３−フルオロ−４−（（
Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニル４
’−１１−メチルへブチルオキシ）ビフェニル−４−カ
ルボキシレートを加熱して等方性液体とした。

これを厚さ２．１μ−のスペーサーを介した２枚のプラ
ス透明電極（うち１枚にはポリイミド−ラビング配向処
理を施しである）間に充填し、薄膜セルを作成した。

１分間に５°の割合で徐冷し、ＳＡ相を配向させ、４８
．５℃以下で均一なＳＣ本和のモノドメインが得られた
。

このセルに２１Ｖ、５０Ｈｚの矩形波を印加し、その透
過光強度を測定したところ、例えば２５℃において４２
４μ秒という速い応答が確認できた。

この場合の自発分極の向きはマイナスで、その大きさは
１０６ｎｃ／ｃｍ”であり、またチルト角は２６．７℃
であった。

ｍ二り針 ＳＣ相を示す液晶組成物と化合物（Ｉ）とからなるＳＣ
末液晶Ｍ成物の調製： ４−デシルオキシフェニル　４−オクチルオキシベンゾ
コート３１％（重量％、以”ト同様）、４−オクチルオ
キシフェニル　４−オクチルオキシベンゾコート３３％
及び４−オクチルオキシフェニル４−デシルオキシベン
ゾコート３６％からなる組成物を調製したところ、相転
移温度は５Ｃ−Ｎ２７８℃、Ｎ−Ｉ＝９０℃、融点＝５
４．５℃であった。

このＳＣ液晶組成物７０％と実施例２で得られた（（Ｒ
））体の３−フルオロ−４１（Ｓ　）−２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）フェニル　４’−（Ｉ−メチルへ
ブチルオキシ）ビフェニル４−カルホキシレー）３０％
からなる液晶組成物をＩ！１製した。この組成物は６１
．５℃以下でＳＣ本和の示し、室温までＳＣ本和の保っ
た。なお、この組成物を室温以下で長時間保ったところ
結晶化し、その融点は４５℃であった。また、この組成
物は６１．５℃以上でＳＡ相を示し、８９℃で等方性液
体相となった。

Ｘｌ」［−ユ」− 化合物（Ｉ）を含むＳＣ＊液晶岨或組成用いた光スイツ
チング素子の作成： 実施例１２で得られたＳＣ＊液晶組成物を用い、実施例
１１と同様にして、厚さ２．３μＩの表示用薄膜セルを
作成した。

このセルに２３Ｖ、５０　）−１ｚの矩形波を印加し、
その透過光強度を測定したところ、例えば２５℃で１２
３μ秒という非常に速い応答が確認できた。

このときの自発分極は１６　、３　ｎｃ／　ｃｍ”、チ
ルト角は２５℃であ“った。

犬１」「−１」− 化合物（Ｉ）を含むＳＣ本液晶組成物のピッチ：４−デ
シルオキシフェニル　４−オクチルオキシベンゾニー）
　５７．５％、４−オクチルオキシ７エ二ル　４−デシ
ルオキシベンゾコート３８．９％及び３−フルオロ−４
−ペンチルオキシフェニルオクチルオキシビフエニル　
４−カルボキシレート３．６％からなるＳＣ液晶組成物
を調製した。

この組成物の相転移温度はＳＣ−ＳＡ＝７　９℃、ＳＡ
−Ｎ＝８７℃、Ｎ−１＝９３℃、融点＝９３℃であった
。

このＳＣ［晶組酸物と化合物（Ｉ）とからなる下記のＳ
Ｃ本液晶組成物（ａ）〜（ｈ）を調製し、そのＳＣ本相
合おけるらせんピッチを測定した。

（ａ）ＳＣ組成物７２％士実施例１の化合物［４−１（
Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）７エ二ル　
４’−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）と７二二ルー４−
カルホキシレー）（（Ｒ））体］２８％（ｂ）ｓｃ組成
酸物３％士実施例２の化合物［３−フルオロ−４　−（
（Ｓ　）−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニ
ル　４　’−（　１−メチルへブチルオキシ）ビフェニ
ル−４−カルボキシレート（（Ｒ））体Ｊ２７％ （ｃ）ＳＣ組成物°７３％十災施例３の化合物１４′−
＋（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）とフェ
ニル−４−イル　４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ベ
ンゾコート（（Ｒ））体］２７％ （ｄ）ＳＣ組成物７３５士実施例４の化合物（４’１（
Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）ビフェニル
−４−イル　４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ベンゾ
エート（（Ｓ））体］２７％ （ｅ）８０組成物７３％十実施例６の化合物［４−＋（
Ｓ）−２−メチルブチルオキシ）フェニル４’−（Ｉメ
チルへブチルオキシビアユニルー４ーカルボキシレート
（（Ｒ））体］２７％ （ｆ）ＳＣ組成物７２％士実施例７の化合物［４′１（
Ｓ）−２−メチルブチルオキシ）ビフェニル−４−イル
　４−（Ｉ−メチルへブチルオキシ）ベンゾエート（（
　Ｒ　））　体［２　８％ （ｇ）ＳＣ組成物７２％士実施例９の化合物［４−ｉ（
Ｓ）−２−メチルブチル）フェニル　４　’−（　１−
メチルへブチルオキシ）ビフェニル−４−カルホキシレ
ー　ト（（Ｒ））　体］２　８％ （ｈ）ｓｃ岨我物７り％十実施例１０の化合物［４１（
Ｓ）−２−メチルブチル）フェニル　４’−（Ｉ−メチ
ルへブチルオキシ）ビフェニル−４−カルホキシレ　ー
　ト　（（Ｓ　）ン体］２　８　％（ａ）、（ｂ）、（
ｃ）及Ｖ　（ｇ）のＳｅｚ，Ｗ酸物では、そのピッチは
非常に小さく測定できなかったが、（ｄ）のＳＣ本組成
物では約２μｍ．　（ｅ）及び（ｆ）のＳＣ本組成物で
は約４μｍ，　（ｈ）のＳＣ本組成物では約６μ国であ
った。このことから、実施例１、実施例２、実施例３及
Ｖ実施例９の化合物では２つのカイフル基によるらせん
の捩れの向きが吟しく、実施例４、実施例６、実施例７
及び実施例１０の化合物では捩れの向きが逆で、捩り力
が相殺されピッチが大きくなっていることがわかる。

なお、（ｅ）および（ｇ）のＳＣ本組成物を用い、実施
例１３と同様のセルを作成し、その自発分極を測定した
ところ、′ｌ″ｃ−Ｔ＝１７”における値は（ｅ）が１
　３　、　６　ｎｃ／　ｃｍ”で（ｇ）が１　５　、　
７　ｎｃ／　ｃｍ２であって大きな差はみとめられず、
らせんピッチを変化させても自発分極にはほとんど影響
のないことがわかる。

特許出願人　大日本インキ化学工業株式会社手続補正書 昭和６２年４月　８日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・（ I ） （式中、Ｒは炭素数２〜１６のアルキル基をあらわし、
   ｍは１または２の整数をあらわしｎは０または１の整数
   をあらわし、Ｘは水素、フッ素または塩素原子をあらわ
   し、Ｚは連結基であって、−ＣＯＯ−、−Ｏ−、▲数式
   、化学式、表等があります▼あるいは単結合をあらわし
   、２ＭＢは（Ｓ）−２−メチルブチル基をあらわし、＊
   は（Ｒ）または（Ｓ）配置の不斉炭素であることをあら
   わす。） で示される液晶性化合物。 ２、一般式（ I ）においてＲが炭素数２〜６のアルキ
   ル鎖である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ３、一般式（ I ）において▲数式、化学式、表等があ
   ります▼基に由 来するらせんの捩れ方向と−Ｚ−２ＭＢ基に由来するら
   せんの捩れ方向とが相反するところの特許請求の範囲第
   １項記載または第２項記載の液晶化合物。 ４、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）であら
   わされる化合物の少くとも１種を含む液晶組成物。 ５、カイラルスメクチック相を示す特許請求の範囲第４
   項記載の液晶組成物。 ６、スイクチックＣ相を示す液晶化合物または組成物に
   特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）であらわさ
   れる化合物の少くとも１種を混合して成るカイラルスメ
   チック液晶組成物。 ７、スメチックＣ相を示す液晶化合物に特許請求の範囲
   第３項記載の化合物の少くとも１種を混合して成るカイ
   ラルスメチック液晶化合物。 ８、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）であら
   わされる化合物の少くとも１種を構成要素とする液晶光
   スイッチング素子。