JPH01168644A - 光学活性な乳酸誘導体、液晶組成物及び液晶光スイッチング素子 - Google Patents
光学活性な乳酸誘導体、液晶組成物及び液晶光スイッチング素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶化合物及び液晶組成物に関するもので、符
に強誘電性を有する液晶材料を提供するものであり、従
来の液晶材料と比較して、符に応答性、メモリー性にす
ぐれた液晶表示素子への利用可能性を有する液晶材料を
提供するものである。
に強誘電性を有する液晶材料を提供するものであり、従
来の液晶材料と比較して、符に応答性、メモリー性にす
ぐれた液晶表示素子への利用可能性を有する液晶材料を
提供するものである。
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているものの、その応答性において
は、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段
に遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表
示方式も多く検討されているが、その応答性における改
善はなかなかなされていない。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているものの、その応答性において
は、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段
に遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表
示方式も多く検討されているが、その応答性における改
善はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した表示菓
子では、従来の100〜1000倍の高速応答が可能で
、かつ多安定性を有するため、電源を切っても表示の記
憶が得られる(メモリー効果)ことが、最近明らかにな
った。このため、光シヤツターやプリンターヘッド、薄
型テレビ等への利用可能性が極めて大きく、現在、各方
面で実用化に向けて開発研究がなされている。
子では、従来の100〜1000倍の高速応答が可能で
、かつ多安定性を有するため、電源を切っても表示の記
憶が得られる(メモリー効果)ことが、最近明らかにな
った。このため、光シヤツターやプリンターヘッド、薄
型テレビ等への利用可能性が極めて大きく、現在、各方
面で実用化に向けて開発研究がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のカイ2ルス
メクテツク相に属するものであるが、その中でも、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いカイラルスメクチ
ックC(以下SCと省略する)相と呼ばれるものである
。
メクテツク相に属するものであるが、その中でも、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いカイラルスメクチ
ックC(以下SCと省略する)相と呼ばれるものである
。
SC相を示す液晶化合物はこれまでにも検討されてきて
おり、既に数多くの化合物が合成されている。しかしな
がら、これらのSC化2合物は単独では強誘電性液晶表
示素子として用いるための以下の条件、即ち(イ)室温
を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと、(ロ)長い
ら族ピッチを示すこと、(ハ)適当なチルト角を持つこ
と、(ニ)自発分極が大きい値でるること、(ホ)粘性
が小さいこ七、(へ)上記(ニ)および(ホ)の結果と
して高速の応答性を示すこと、を満足するものは知られ
ておらず、SC液晶組成物として用いる必要がるる。
おり、既に数多くの化合物が合成されている。しかしな
がら、これらのSC化2合物は単独では強誘電性液晶表
示素子として用いるための以下の条件、即ち(イ)室温
を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと、(ロ)長い
ら族ピッチを示すこと、(ハ)適当なチルト角を持つこ
と、(ニ)自発分極が大きい値でるること、(ホ)粘性
が小さいこ七、(へ)上記(ニ)および(ホ)の結果と
して高速の応答性を示すこと、を満足するものは知られ
ておらず、SC液晶組成物として用いる必要がるる。
SC液晶組成物を得るには2通りの方法があり、一つは
SC相を示す化合物の複数を混合する方法であり、他の
方法はカイラルでないスメクチックC(以下SCを省略
する)相を示す液晶化合物又は組成物にカイラルな液晶
化合物を添加する方法である。
SC相を示す化合物の複数を混合する方法であり、他の
方法はカイラルでないスメクチックC(以下SCを省略
する)相を示す液晶化合物又は組成物にカイラルな液晶
化合物を添加する方法である。
前者の方法では、広い温度範囲や強い自発分極を得るの
は容易でるる。しかしながら、SC相を有する化合物は
分子内、特に側鎖中に不斉炭素を有しておシ、枝分れ基
(主にメチル基である)が存在する。この枝分れ基が液
晶分子の中心核(:1ア)部分及びカル?ニル基等の永
久双極子に近い程、液晶の自発分極は大きくなるが、同
時に液晶の粘性も高められる傾向がある。そのため、液
晶の自発分極を高めても、符に低温域における粘性の増
加が犬きく、室温付近において200μsec以下の高
速応答を得るのは容易ではない。
は容易でるる。しかしながら、SC相を有する化合物は
分子内、特に側鎖中に不斉炭素を有しておシ、枝分れ基
(主にメチル基である)が存在する。この枝分れ基が液
晶分子の中心核(:1ア)部分及びカル?ニル基等の永
久双極子に近い程、液晶の自発分極は大きくなるが、同
時に液晶の粘性も高められる傾向がある。そのため、液
晶の自発分極を高めても、符に低温域における粘性の増
加が犬きく、室温付近において200μsec以下の高
速応答を得るのは容易ではない。
後者の方法では、添加するカイラルな液晶化合物の量に
もよるが、母体とするSC液晶には自発分極が存在しな
いため、組成物としての自発分極があまり大きいものは
得られにくい。しかしながら、母体のSC@C胸底の液
晶化合物には枝分れ基の存在が不必安であるため、その
粘性は非常に小さいものが得られる。そのため、カイラ
ルな液晶化合物を添カロし、SC液晶として、自発分極
を与えることによって、高速応答を得ることも容易であ
り、現在では後者の方法が主流となυつつある。
もよるが、母体とするSC液晶には自発分極が存在しな
いため、組成物としての自発分極があまり大きいものは
得られにくい。しかしながら、母体のSC@C胸底の液
晶化合物には枝分れ基の存在が不必安であるため、その
粘性は非常に小さいものが得られる。そのため、カイラ
ルな液晶化合物を添カロし、SC液晶として、自発分極
を与えることによって、高速応答を得ることも容易であ
り、現在では後者の方法が主流となυつつある。
SC液晶組成物に添加するカイラルな液晶性化金物とし
ては、単独では特にSC*相を示す必要はなく、また液
晶相を示すことも必ずしも必要ではないが、組成物の温
度範囲を狭くしないためには液晶相、特にカイラルスメ
クチック(以下S*と省略する。)相を示すことが望ま
しい。また、組成物の自発分極をなるべく大きくするた
めにも、大きい自発分極を示しうるような分子構造、即
ち、カイラル基の不斉炭素が中心核(コア)にできるだ
け近く、かつカル?ニル基等の永久双極子にできるだけ
近い必要があるが、このような構造のものでは、その液
晶相に対する捩り力が大きいためら旋の出現するSC相
においてはら族ピッチが短くなりすぎ、その配向性に悪
影響を与え、またセル厚を大きくしにくいなどの間組が
生じた。従って、その添加址を制限するか、あるいは捩
れの方向の逆のカイラル化合物を加えてSC*液晶組成
物のら族ピッチを調整する必要があった。この場合、捩
れ方向の逆のカイラル化合物の自発分極の方向も逆向き
であるならば組成物の自発分極が相殺さ。
ては、単独では特にSC*相を示す必要はなく、また液
晶相を示すことも必ずしも必要ではないが、組成物の温
度範囲を狭くしないためには液晶相、特にカイラルスメ
クチック(以下S*と省略する。)相を示すことが望ま
しい。また、組成物の自発分極をなるべく大きくするた
めにも、大きい自発分極を示しうるような分子構造、即
ち、カイラル基の不斉炭素が中心核(コア)にできるだ
け近く、かつカル?ニル基等の永久双極子にできるだけ
近い必要があるが、このような構造のものでは、その液
晶相に対する捩り力が大きいためら旋の出現するSC相
においてはら族ピッチが短くなりすぎ、その配向性に悪
影響を与え、またセル厚を大きくしにくいなどの間組が
生じた。従って、その添加址を制限するか、あるいは捩
れの方向の逆のカイラル化合物を加えてSC*液晶組成
物のら族ピッチを調整する必要があった。この場合、捩
れ方向の逆のカイラル化合物の自発分極の方向も逆向き
であるならば組成物の自発分極が相殺さ。
れて小さくなるなど、そのら旋ピッチ調整には面倒な問
題が多かった。そのため、大きな自発分極を有しながら
、そのら族ピッチが大きく且つできるだけ自身でSC0
相を示すような、カイラルな液晶化合物が望まれていた
。
題が多かった。そのため、大きな自発分極を有しながら
、そのら族ピッチが大きく且つできるだけ自身でSC0
相を示すような、カイラルな液晶化合物が望まれていた
。
本発明が解決しようとする問題点は、大きな自発分極を
有しながら、ら族ピッチが比較的大きく、しかも、それ
自身S9相を示すか、又は混合によって室温を含むよう
な広い温度範囲でsc”相を示し高速応答が可能である
ような新規でカイラルな液晶化合物を提供することにあ
る。
有しながら、ら族ピッチが比較的大きく、しかも、それ
自身S9相を示すか、又は混合によって室温を含むよう
な広い温度範囲でsc”相を示し高速応答が可能である
ような新規でカイラルな液晶化合物を提供することにあ
る。
本発明は、上記問題点を解決するために、一般式
%式%(I)
で表わされる化合物(以下化合物(I)と省略する。)
を提供するものである。
を提供するものである。
上式において、Rは炭素数1〜16のアルキル基を表わ
し、ニジ好ましくは炭素数2〜6のアルキル基を表わし
、m、nはそれぞれ独立に1または2の整数を表わし、
XはO〜6の整数、よυ好ましくはOまたは1の整数を
表わし、C0およびC**はそれぞれ独立的に(R)ま
たは(S)配置の不斉炭素であることを表わし、Yは中
央連結基であす。
し、ニジ好ましくは炭素数2〜6のアルキル基を表わし
、m、nはそれぞれ独立に1または2の整数を表わし、
XはO〜6の整数、よυ好ましくはOまたは1の整数を
表わし、C0およびC**はそれぞれ独立的に(R)ま
たは(S)配置の不斉炭素であることを表わし、Yは中
央連結基であす。
本発明に係わる式(I)の化合物は、例えば次の製造方
法に従って製造することができる。
法に従って製造することができる。
(I)Yが一〇−C−を表わす場合
・・・(ト1)
(上記式(U)、(In)、(IV)及び(I−a)に
おけるRlx、m1c、C及びnは、式(I)における
Rlx、m、C及びC、nと谷々同じ意味を有すム)式
(n)の光学活性のカルボン酸を塩化チオニル等の塩素
化剤と反応させて式(III)の酸塩化物を製造する。
おけるRlx、m1c、C及びnは、式(I)における
Rlx、m、C及びC、nと谷々同じ意味を有すム)式
(n)の光学活性のカルボン酸を塩化チオニル等の塩素
化剤と反応させて式(III)の酸塩化物を製造する。
式(I[I)の酸塩化物及び式(IV)の乳酸から導い
た光学活性のフェノールとをピリジン等の塩基性物質存
在下で反応させた後、抽出溶媒として酢酸エチルを加え
、希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食
塩水で順次洗浄し、史に抽出液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥する。抽出液から溶媒を留去して得られた粗生成物
をシリカケ゛ルカラムクロマトグラフィーで精製し、更
にエタノールから再結晶させて本発明に係わる式(I−
a)の化合物を製造することができる。
た光学活性のフェノールとをピリジン等の塩基性物質存
在下で反応させた後、抽出溶媒として酢酸エチルを加え
、希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食
塩水で順次洗浄し、史に抽出液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥する。抽出液から溶媒を留去して得られた粗生成物
をシリカケ゛ルカラムクロマトグラフィーで精製し、更
にエタノールから再結晶させて本発明に係わる式(I−
a)の化合物を製造することができる。
式(■)のカルボン酸は、4−ヒドロキシ安息香酸(n
−1の場合)または4′−ヒドロキシピフェニル−4−
カルデン&(n=2の場合)と式%式% で表わされる酸塩化物(V)とをピリジン中で反応させ
て容易に製造することができる。
−1の場合)または4′−ヒドロキシピフェニル−4−
カルデン&(n=2の場合)と式%式% で表わされる酸塩化物(V)とをピリジン中で反応させ
て容易に製造することができる。
ここで酸塩化物(V)は(S) −2−メチルブタノー
ルから既知の方法によシ容易に導くことができる。
ルから既知の方法によシ容易に導くことができる。
例えば、x = Qの場合には(S) −2−メチルブ
タン−ルを直接酸化した後、塩化チオニル等で処理する
ことにより、x = 1の場合には(S) −2−メチ
ルブタノールを臭素化して、(S) −2−メチルブチ
ルプロミドとし、マグネシウムでグリニヤール化合物と
し、二酸化炭素と反応させて、(S) −3−メチル吉
草酸とした後、塩化チオニルで処理することにより得る
ことができる。
タン−ルを直接酸化した後、塩化チオニル等で処理する
ことにより、x = 1の場合には(S) −2−メチ
ルブタノールを臭素化して、(S) −2−メチルブチ
ルプロミドとし、マグネシウムでグリニヤール化合物と
し、二酸化炭素と反応させて、(S) −3−メチル吉
草酸とした後、塩化チオニルで処理することにより得る
ことができる。
一方、乳酸フェノール誘導体(IV)は以下のようにし
て合成できる。
て合成できる。
既に本発明者らが、特願昭61−140157号で示し
たように、光学活性の乳酸エチルを酸化銀及びヨウ化ア
ルキル(R−1’)と反応させて、2−アルコキシグロ
ピオン酸エチルとし、これを加水分解して得られる2−
アルコキシプロピオン酸ヲジシクロへキシルカルデジイ
ミド等の脱水剤存在下、ハイドロキノy(n−1の場合
)あるいはビフェノール(n=2の場合)と反応させて
製造することができる。あるいは2−アルコキシプロピ
オンl!ft−塩化チオニル等の塩素化剤を用いて、酸
塩化物とし、その後、ハイドロキノンろるいにビフェノ
ールと反応させて製造することができ、後者の方法が生
成物の純度収率とも優れる場合が多い。この工程図を以
下に示す。
たように、光学活性の乳酸エチルを酸化銀及びヨウ化ア
ルキル(R−1’)と反応させて、2−アルコキシグロ
ピオン酸エチルとし、これを加水分解して得られる2−
アルコキシプロピオン酸ヲジシクロへキシルカルデジイ
ミド等の脱水剤存在下、ハイドロキノy(n−1の場合
)あるいはビフェノール(n=2の場合)と反応させて
製造することができる。あるいは2−アルコキシプロピ
オンl!ft−塩化チオニル等の塩素化剤を用いて、酸
塩化物とし、その後、ハイドロキノンろるいにビフェノ
ールと反応させて製造することができ、後者の方法が生
成物の純度収率とも優れる場合が多い。この工程図を以
下に示す。
(2)Yが−C−O−を表わす場合
(上記式(Vl)、(■)、(■)及び(I−b)にお
けるRlxl、m、H,C及びC**は、式(I)にお
けるRlX、m、n、C及びC**と同じ意味を有する
。)(I)における光学活性カルがン酸(II)に換え
て、乳酸から導かれた光学活性カルデンfi (■)を
用い、さらに乳酸訪導体フェノ−/’ CPI)に換え
て光学活性フェノール(■)を用いることにょシ、(I
)と同様にして、(I−b)の化合物を得ることができ
る。
けるRlxl、m、H,C及びC**は、式(I)にお
けるRlX、m、n、C及びC**と同じ意味を有する
。)(I)における光学活性カルがン酸(II)に換え
て、乳酸から導かれた光学活性カルデンfi (■)を
用い、さらに乳酸訪導体フェノ−/’ CPI)に換え
て光学活性フェノール(■)を用いることにょシ、(I
)と同様にして、(I−b)の化合物を得ることができ
る。
ここで乳酸誘導体カルボン酸(M)は、2−アルコキシ
グロピオン酸塩化物を4−ヒドロキシ安息香酸(m=1
の場合)あるいは4′−ヒドロキシピフェニル−4−カ
ルボン酸(m=2の場合)と反応させて得ることができ
る。また、光学活性フェノール(■)は、光学活性の酸
塩化物(V)とハイドロキノン(n = 1の場合)あ
るいは4,4′−ビフェノール(n=2の場合)と反応
させて得ることができる。
グロピオン酸塩化物を4−ヒドロキシ安息香酸(m=1
の場合)あるいは4′−ヒドロキシピフェニル−4−カ
ルボン酸(m=2の場合)と反応させて得ることができ
る。また、光学活性フェノール(■)は、光学活性の酸
塩化物(V)とハイドロキノン(n = 1の場合)あ
るいは4,4′−ビフェノール(n=2の場合)と反応
させて得ることができる。
(3)Yが単結合を表わす場合
光学活性の乳酸フェノール誘導体(IV)を直接、酸塩
化物(V)とピリジン等の塩基性物質の存在下で反応さ
せて製造することができる。
化物(V)とピリジン等の塩基性物質の存在下で反応さ
せて製造することができる。
斯くして製造される式(I)の化合物の代表的なものの
転移温度を第1表に掲げる。
転移温度を第1表に掲げる。
尚、液晶相及び相転移温度の測定は、温度調節ステージ
を備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(DSC)を併
用して行ったが、転移温度は、その試料の純v6るいは
測定条件によって若干変動するものである。
を備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(DSC)を併
用して行ったが、転移温度は、その試料の純v6るいは
測定条件によって若干変動するものである。
第1表において、Cは結晶相、SC0はカイラルスメク
チックC相、SAはスメクチックA相、S3 + S4
はそれぞれより結晶相に近いカイラルスメクチック相、
Noはカイラルネマチック相、■は等方性液体相を各々
表わす。・はその相が存在することを表わし、−はその
相が存在しないことを表わし、・の右の数字はその相か
らより高温域の相への転移温度を表わし、()内は、そ
の相がモノトロピックであることを表わす。また、※は
その化合物が結晶化せず融点が測定できないことを表わ
す。
チックC相、SAはスメクチックA相、S3 + S4
はそれぞれより結晶相に近いカイラルスメクチック相、
Noはカイラルネマチック相、■は等方性液体相を各々
表わす。・はその相が存在することを表わし、−はその
相が存在しないことを表わし、・の右の数字はその相か
らより高温域の相への転移温度を表わし、()内は、そ
の相がモノトロピックであることを表わす。また、※は
その化合物が結晶化せず融点が測定できないことを表わ
す。
ら旋の向きは、本発明の、化合物(I)を適量、母体の
カイラルでないSC液晶組成物(ネマチック(以下にN
と省略する)相、SA相、及びSC相を示す)に添加し
た際に、N*相、およびSC9相に誘起するら旋の向き
を表わす。
カイラルでないSC液晶組成物(ネマチック(以下にN
と省略する)相、SA相、及びSC相を示す)に添加し
た際に、N*相、およびSC9相に誘起するら旋の向き
を表わす。
本発明の化合物(■)における構造的に最も大きな特徴
は、分子内に2つの異った光学活性な基が存在し、それ
らが、コアの両側に分かれて存在するということにある
。これらの作用によって本発明の化合物(I)の最も大
きな物性面における特徴である(i)極めて大きい自発
分極と(ii)適当なら旋ピッチが得られる。
は、分子内に2つの異った光学活性な基が存在し、それ
らが、コアの両側に分かれて存在するということにある
。これらの作用によって本発明の化合物(I)の最も大
きな物性面における特徴である(i)極めて大きい自発
分極と(ii)適当なら旋ピッチが得られる。
既に大きな自発分極を有する液晶化合物は多数知られて
おり、例えば、本発明の化合物(I)に用いられている
ような乳酸より導かれた光学活性な2−アルコキシ−プ
ロパノイルオキシ基を有スる化合物においても、本発明
者らによる測定によると100nC/In2以上の大き
な自発分極を示すことが確認されている。(例えば は、以下に示すようガ相転移温度を示し、N”−8C”
転移点の10°低温部(I21,8℃)における自発分
極は、78 nC7cm 、 49°低温部(82,8
℃)において144nシ鋺2である。
おり、例えば、本発明の化合物(I)に用いられている
ような乳酸より導かれた光学活性な2−アルコキシ−プ
ロパノイルオキシ基を有スる化合物においても、本発明
者らによる測定によると100nC/In2以上の大き
な自発分極を示すことが確認されている。(例えば は、以下に示すようガ相転移温度を示し、N”−8C”
転移点の10°低温部(I21,8℃)における自発分
極は、78 nC7cm 、 49°低温部(82,8
℃)において144nシ鋺2である。
101.4 131.8 133.2C
−〉SC*←−→N0←−→I)Lかしながら、この程
度の値の自発分極を有する液晶化合物は、組成物中に用
いる割合も多くなり、応答性の面からみても充分とは言
えなかった。より速い応答を得るためには、より大きい
自発分極を有する化合物が必要であった。また、大きな
自発分極を有する、例工ば2−アルコキシ7°ロノfノ
イルオキシ基などを有する化合物においては、それ自体
強いら旋捩り力を有するため、それがN0相あるいはS
C8相に誘起するら旋ピッチは非常に小さいものとなる
。
−〉SC*←−→N0←−→I)Lかしながら、この程
度の値の自発分極を有する液晶化合物は、組成物中に用
いる割合も多くなり、応答性の面からみても充分とは言
えなかった。より速い応答を得るためには、より大きい
自発分極を有する化合物が必要であった。また、大きな
自発分極を有する、例工ば2−アルコキシ7°ロノfノ
イルオキシ基などを有する化合物においては、それ自体
強いら旋捩り力を有するため、それがN0相あるいはS
C8相に誘起するら旋ピッチは非常に小さいものとなる
。
組成物中に10〜30%加えて用いる場合においても、
その捩り方向が反対の化合物を相当量(多くの場合、同
程度かそれ以上)加えるなどして、SC0組成物のら旋
ピッチが大きくなるように調製する必要があった。その
際にも、自発分極の極性を揃えないと打ち消しあってそ
の値が小さくなり、カイラルな化合物全体としての自発
分極も小さくなり、結果的にその使用量が増加してしま
うなど、いろいろと問題な点が多かった。例えば、自発
分極を高めるだけの目的であれば、コアの両側に同じ絶
対配置の2−アルコキシブロックノイルオキシ基を有す
るような化合物を用いればよい。
その捩り方向が反対の化合物を相当量(多くの場合、同
程度かそれ以上)加えるなどして、SC0組成物のら旋
ピッチが大きくなるように調製する必要があった。その
際にも、自発分極の極性を揃えないと打ち消しあってそ
の値が小さくなり、カイラルな化合物全体としての自発
分極も小さくなり、結果的にその使用量が増加してしま
うなど、いろいろと問題な点が多かった。例えば、自発
分極を高めるだけの目的であれば、コアの両側に同じ絶
対配置の2−アルコキシブロックノイルオキシ基を有す
るような化合物を用いればよい。
しかし、そのような化合物は、まず液晶性が極端に悪い
ため、組成物中に少量しか用いることができ々い。しか
も、そのら旋ピ、チは、同じカイラル基1個を有する化
合物に比べてさらに小さくなるため、ら旋ピッチ調整用
化合物の添加量がさらに増加するなど特に優れた性質を
持つとは言えないものである。
ため、組成物中に少量しか用いることができ々い。しか
も、そのら旋ピ、チは、同じカイラル基1個を有する化
合物に比べてさらに小さくなるため、ら旋ピッチ調整用
化合物の添加量がさらに増加するなど特に優れた性質を
持つとは言えないものである。
本発明者らは、2−アルコキシグロノ母ノイルオ性が、
よく知られた強誘電性液晶である(S)−2−メチルブ
チルp−デシルオキシベンジリデンアミノシンナメート
(DOBAMBC)の自発分極の極性をOとするとき、
(S)体では■、(R)体ではOでありら旋の捩れの向
きが(S)体では右巻き、(R)体では左巻きであり、
また、分枝メチル基を有するアル来する自発分極の極性
が、(S)体では、Xが偶数の場合θ、奇数の場合■で
あり、(R)体ではこの逆になり、またその絶対値は2
−アルコキシプロパノイルオキシ基によるものと比較す
ると極めて小さいこと及びそのら旋の捩れの向きが、(
S)体でXが偶数の場合、左となり、奇数の場合、右と
なり、(R)体ではこの逆となることに注目し、その適
当なものを組み合せることにより、捩り力が打ち消しあ
って、ら旋ピッチが大きくなり、かつ自発分極は打ち消
されることなくむしろ大きなものが得られるのではない
かと考え、本発明に至ったものである。
よく知られた強誘電性液晶である(S)−2−メチルブ
チルp−デシルオキシベンジリデンアミノシンナメート
(DOBAMBC)の自発分極の極性をOとするとき、
(S)体では■、(R)体ではOでありら旋の捩れの向
きが(S)体では右巻き、(R)体では左巻きであり、
また、分枝メチル基を有するアル来する自発分極の極性
が、(S)体では、Xが偶数の場合θ、奇数の場合■で
あり、(R)体ではこの逆になり、またその絶対値は2
−アルコキシプロパノイルオキシ基によるものと比較す
ると極めて小さいこと及びそのら旋の捩れの向きが、(
S)体でXが偶数の場合、左となり、奇数の場合、右と
なり、(R)体ではこの逆となることに注目し、その適
当なものを組み合せることにより、捩り力が打ち消しあ
って、ら旋ピッチが大きくなり、かつ自発分極は打ち消
されることなくむしろ大きなものが得られるのではない
かと考え、本発明に至ったものである。
本発明の化合物(I)は、単一化合物では必ずしもエナ
ンチオトロピックにSC9相を示すものではないので、
SC相を示す母体液晶組成物(ビIJ ミジン−フェニ
ルベンゾエート系)に10〜50%添加して、得られた
SC0組成物の自発分極を測定し、それらの値から外挿
して単独での自発分極を求めた。その結果、例えば、(
&)4− ((S) −2−メチルブタノイルオキシ)
フェニル4’−((S)−2−プロポキシプロノ母ノイ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルブキシレート(実施例
1の化合物)では。
ンチオトロピックにSC9相を示すものではないので、
SC相を示す母体液晶組成物(ビIJ ミジン−フェニ
ルベンゾエート系)に10〜50%添加して、得られた
SC0組成物の自発分極を測定し、それらの値から外挿
して単独での自発分極を求めた。その結果、例えば、(
&)4− ((S) −2−メチルブタノイルオキシ)
フェニル4’−((S)−2−プロポキシプロノ母ノイ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルブキシレート(実施例
1の化合物)では。
Te−T=10°(Te #iSC”相の上限温度)で
140 n07cm2Tc−T−20°で210 nC
/m2となり、また(b) 4− ((S)−3−メチ
ルブタノイルオキシ)フェニル4’−((S)−2−プ
ロIキシプロノ母ノイルオキシ)ビフェニル−4−カル
がキシレート(実施例3の化合物)では、 Tc−T=
100において150 nC/m2、Tc−T= 20
°において200 nc/IfIと極めて大きい値を示
し喪。注目すべきはともに両方のカイラル基忙よる自発
分極の値の和よりもはるかに大きい値が得られているこ
とであり、一致する( (b) x = 1の場合)あ
るいは一致しない((a) x = 0の場合)にほと
んど無関係であることである。
140 n07cm2Tc−T−20°で210 nC
/m2となり、また(b) 4− ((S)−3−メチ
ルブタノイルオキシ)フェニル4’−((S)−2−プ
ロIキシプロノ母ノイルオキシ)ビフェニル−4−カル
がキシレート(実施例3の化合物)では、 Tc−T=
100において150 nC/m2、Tc−T= 20
°において200 nc/IfIと極めて大きい値を示
し喪。注目すべきはともに両方のカイラル基忙よる自発
分極の値の和よりもはるかに大きい値が得られているこ
とであり、一致する( (b) x = 1の場合)あ
るいは一致しない((a) x = 0の場合)にほと
んど無関係であることである。
このことは、メチル置換アルカノイルオキシ基に由来す
る自発分極は、2−アルコキシプロパノイルオキシ基に
由来するものに対して充分小さいため1本発明の化合物
(I)の大きな自発分極に主として寄与しているのは、
後者であって、前者はそれによって液晶分子の分子長軸
の回転をさらに阻害、規制することにより、自発分極の
値を大きくする作用をしているためと考えられる。この
ため第1表に示したように本発明の化合物(I)におい
ては2−アルコキシプロパノイルオキシ基の絶対配置が
(S)の場合、その自発分極の極性は、メチル置換アル
カノイルオキシ基によらず、すべて■である。
る自発分極は、2−アルコキシプロパノイルオキシ基に
由来するものに対して充分小さいため1本発明の化合物
(I)の大きな自発分極に主として寄与しているのは、
後者であって、前者はそれによって液晶分子の分子長軸
の回転をさらに阻害、規制することにより、自発分極の
値を大きくする作用をしているためと考えられる。この
ため第1表に示したように本発明の化合物(I)におい
ては2−アルコキシプロパノイルオキシ基の絶対配置が
(S)の場合、その自発分極の極性は、メチル置換アル
カノイルオキシ基によらず、すべて■である。
次に、2−アルコキシグロノ9ノイルオキシ基が誘起す
るら旋の捩り方向は、本発明者らの研究によるとその絶
対配置が(S)である時、右向きであることが知られて
いる。また、メチル置換アルカするら旋の捩り方向は、
その絶対配置が(S)のときXが偶数ならば左巻き、奇
数ならば右巻きであることが知られている。
るら旋の捩り方向は、本発明者らの研究によるとその絶
対配置が(S)である時、右向きであることが知られて
いる。また、メチル置換アルカするら旋の捩り方向は、
その絶対配置が(S)のときXが偶数ならば左巻き、奇
数ならば右巻きであることが知られている。
第1表から、本発明の化合物(I)のら旋の捩り方向は
、2−アルコキシプロパノイルオキシ基の絶対配置が(
S)の場合、メチル置換アルカノイルオキシ基によらず
すべて右である。これは前者の捩り力が後者に比べては
るかに強いことを示しているものである。しかしながら
そのら旋ピ、チの大きさについては、大きな差がみられ
る。即ち、両方のカイラル基によるら旋の捩り方向が相
反している場合には、一致している場合に比べてら族ピ
ッチが大きくなっている。前述の実施例1の化合物(右
巻き十左巻き)と実施例3の化合物(右巻き十右巻き)
を同じ母体組成物中に10チ添加し、そのN*相のら族
ピッチをくさび形セルを用いて測定したところ、透明点
より5°低い温度で前者では4.51μmであるが、後
者では2.82μmと小さかった。他にも、両方のカイ
ラル基の捩り力が相反している(c)4− ((s)
−2−プロポキシプロノfノイルオキシ)フェニル4’
−((S) −2−メチルブタノイルオキシ)ビフェニ
ル−4−カルがキシレート(実施例8の化合物)で、カ
イラル化合物濃度を10チとして同様の測定を行ったと
ころN*相ら族ピッチは9.5μmと大きくまた、sc
0相におけるら族ピッチも充分大きいものであってその
値は大きすぎて測定ができなかった。
、2−アルコキシプロパノイルオキシ基の絶対配置が(
S)の場合、メチル置換アルカノイルオキシ基によらず
すべて右である。これは前者の捩り力が後者に比べては
るかに強いことを示しているものである。しかしながら
そのら旋ピ、チの大きさについては、大きな差がみられ
る。即ち、両方のカイラル基によるら旋の捩り方向が相
反している場合には、一致している場合に比べてら族ピ
ッチが大きくなっている。前述の実施例1の化合物(右
巻き十左巻き)と実施例3の化合物(右巻き十右巻き)
を同じ母体組成物中に10チ添加し、そのN*相のら族
ピッチをくさび形セルを用いて測定したところ、透明点
より5°低い温度で前者では4.51μmであるが、後
者では2.82μmと小さかった。他にも、両方のカイ
ラル基の捩り力が相反している(c)4− ((s)
−2−プロポキシプロノfノイルオキシ)フェニル4’
−((S) −2−メチルブタノイルオキシ)ビフェニ
ル−4−カルがキシレート(実施例8の化合物)で、カ
イラル化合物濃度を10チとして同様の測定を行ったと
ころN*相ら族ピッチは9.5μmと大きくまた、sc
0相におけるら族ピッチも充分大きいものであってその
値は大きすぎて測定ができなかった。
このように本発明の化合物(T)においては、分子両端
に2つの異なったカイラル基を存在させることにより、
より大きい自発分極を得ることができ、またそのカイラ
ル基を調整することによりら族ピッチも大きくできると
いう極めてすぐれた効果を見い出すことに成功した。
に2つの異なったカイラル基を存在させることにより、
より大きい自発分極を得ることができ、またそのカイラ
ル基を調整することによりら族ピッチも大きくできると
いう極めてすぐれた効果を見い出すことに成功した。
一般に液晶分子の側鎖への分枝基を導入することは液晶
性を低下させ、その相転移温度を下げることになるが、
化合物(I)においては両方の側鎖に分枝メチル基が存
在するため、その相転移温度は同様の骨格構造を有する
ものに比べると、かなり低く、単独で液晶性を示すのは
m + n = 3の3環からであり、2環型では、単
独では液晶相は示さない。
性を低下させ、その相転移温度を下げることになるが、
化合物(I)においては両方の側鎖に分枝メチル基が存
在するため、その相転移温度は同様の骨格構造を有する
ものに比べると、かなり低く、単独で液晶性を示すのは
m + n = 3の3環からであり、2環型では、単
独では液晶相は示さない。
化合物(I)は分枝鎖をもたないSC液晶化合物、ある
いは組成物に混合してSC*液晶として用いるのが効果
的であるが、その際、カイラル化合物に液晶性が全くな
い場合には、その組成物における転位温度を大きく低下
させる傾向があり、ある程度以上加えることができない
。本発明の化合物(I)は3環型では、その相転移点も
高く、混合してsc”相の温度範囲をあまり狭くするこ
とはない。
いは組成物に混合してSC*液晶として用いるのが効果
的であるが、その際、カイラル化合物に液晶性が全くな
い場合には、その組成物における転位温度を大きく低下
させる傾向があり、ある程度以上加えることができない
。本発明の化合物(I)は3環型では、その相転移点も
高く、混合してsc”相の温度範囲をあまり狭くするこ
とはない。
さて、SC液晶組成物に化合物(T)を10〜30チ程
度添加して得られるSC8液晶組成物のら族ピッチは、
捩れが相殺された場合では充分大きなものが得られるが
、さらに調整の必要が生じた場合には、化合物(I)と
捩りの向きが逆であるもので、自発分極の向きが同一で
あるか、あるいは逆であっても数nc/7F+以下の小
さい化合物であれば、ら旋ピッチ調整用として用いるこ
とができる。この量は化合物(I)が実施例1の化合物
の如く捩れの相殺された場合では少量で充分であり、逆
に実施例3の化合物の如く捩れが可算された場合では相
当量が必要である。
度添加して得られるSC8液晶組成物のら族ピッチは、
捩れが相殺された場合では充分大きなものが得られるが
、さらに調整の必要が生じた場合には、化合物(I)と
捩りの向きが逆であるもので、自発分極の向きが同一で
あるか、あるいは逆であっても数nc/7F+以下の小
さい化合物であれば、ら旋ピッチ調整用として用いるこ
とができる。この量は化合物(I)が実施例1の化合物
の如く捩れの相殺された場合では少量で充分であり、逆
に実施例3の化合物の如く捩れが可算された場合では相
当量が必要である。
さて化合物(I)の単独、又は複数と混合して用いるS
C液晶化合物又は組成物としては、例えば2環型では以
下に示すようなフェニルベンゾエート系化合物(4)や
ピリミジン系化合物(B)などをあげることができる。
C液晶化合物又は組成物としては、例えば2環型では以
下に示すようなフェニルベンゾエート系化合物(4)や
ピリミジン系化合物(B)などをあげることができる。
A:
(R,、R4は直鎖のアルキル基、アルコキシ基、アル
キルカルボニルオキシ基、アルコキシカルブニル基、ア
ルコキシカルボニルオキシ基のいずれかを表わし、同一
でありても異っていて本よい。)B : (R,、R4は前記と同様である。) また、A、Bを含めて一般式Cであられされる化合物<
C>であれば、この目的に用いることができる。
キルカルボニルオキシ基、アルコキシカルブニル基、ア
ルコキシカルボニルオキシ基のいずれかを表わし、同一
でありても異っていて本よい。)B : (R,、R4は前記と同様である。) また、A、Bを含めて一般式Cであられされる化合物<
C>であれば、この目的に用いることができる。
(R3、R4は前記と同様であり、2.は−coo−。
−0CO−、−CH20−、−0CH2−、−CH2C
H2−、−CEEC−。
H2−、−CEEC−。
置換体を表わす。)
さらにこれらの組成物のSC*相の温度範囲を高温域に
拡大するには3環型の化合物を用いることができる。こ
の3履歴化合物は、−収約には1式りで表わすことがで
きる・ D : のハロゲン置換体を表わし、2.及びz2はそれぞれ独
立的に、−COO−、−0CO−、−CH20−、−O
CH,−。
拡大するには3環型の化合物を用いることができる。こ
の3履歴化合物は、−収約には1式りで表わすことがで
きる・ D : のハロゲン置換体を表わし、2.及びz2はそれぞれ独
立的に、−COO−、−0CO−、−CH20−、−O
CH,−。
−CH2−CH2−、−Cミc−、あるいは単結合を表
わす)これらは単独でも用いることができるが、2式分
以上の組成物として用いる方がより広い温度範囲が得ら
れるため好都合である。また、(4)〜Φ)以外でも側
鎖アルキル基が直鎖であってSC相を示す化合物は同様
に用いることができる。(4)〜0)に示された化合物
、もしくは(4)〜■)以外の化合物であってそれ自身
SC相を示さないものであっても粘性の低い、液晶性化
合物であれば、組成物の粘度低下のなめに加えることも
、応答を速くするためには有効な方、法である。
わす)これらは単独でも用いることができるが、2式分
以上の組成物として用いる方がより広い温度範囲が得ら
れるため好都合である。また、(4)〜Φ)以外でも側
鎖アルキル基が直鎖であってSC相を示す化合物は同様
に用いることができる。(4)〜0)に示された化合物
、もしくは(4)〜■)以外の化合物であってそれ自身
SC相を示さないものであっても粘性の低い、液晶性化
合物であれば、組成物の粘度低下のなめに加えることも
、応答を速くするためには有効な方、法である。
さて、得られた液晶化合物あるいは組成物は、2枚の透
明な電極板の間に、均一な厚さ(Iμm〜20μm程度
)の薄膜とすることにより、液晶表示用セルとして使用
することができる。
明な電極板の間に、均一な厚さ(Iμm〜20μm程度
)の薄膜とすることにより、液晶表示用セルとして使用
することができる。
表示用セル中においては、液晶の分子は分子長軸が電極
面に平行な、いわゆるホモジニアスの、かつ向きの均一
な配向をとったモノドメインである必要がある。このた
めに電極板の表面にラビング、蒸着等による配向処理を
施すか、あるいは電場、または磁場を印加するか、ある
いは温度勾配をもたせるか、あるいはこれらの手段の複
数を併用した状態で、等方性液体相(I)から、液晶相
まで徐々に冷却して、配向させる方法が一般に採用され
ている。
面に平行な、いわゆるホモジニアスの、かつ向きの均一
な配向をとったモノドメインである必要がある。このた
めに電極板の表面にラビング、蒸着等による配向処理を
施すか、あるいは電場、または磁場を印加するか、ある
いは温度勾配をもたせるか、あるいはこれらの手段の複
数を併用した状態で、等方性液体相(I)から、液晶相
まで徐々に冷却して、配向させる方法が一般に採用され
ている。
特に最近では、等方性液体相(I)→カイラルネマチッ
ク相(No)→スメクチック人相(SA )→カイラル
スメクチックC相(sc” )という相系列を示す液晶
を配向処理を施したセルで、特にN4相のら旋ピッチを
大きくすることにより配向させる方法がよく用いられて
おり、本発明の化合物(I)を10〜30%程度含むよ
うなSC*液晶組成物においても、同様な方法により、
容易に均一に配向したモノドメインのセルを得ることが
できる。
ク相(No)→スメクチック人相(SA )→カイラル
スメクチックC相(sc” )という相系列を示す液晶
を配向処理を施したセルで、特にN4相のら旋ピッチを
大きくすることにより配向させる方法がよく用いられて
おり、本発明の化合物(I)を10〜30%程度含むよ
うなSC*液晶組成物においても、同様な方法により、
容易に均一に配向したモノドメインのセルを得ることが
できる。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨および適用範囲は、これらの実施例に
よって制限されるものではない。
論、本発明の主旨および適用範囲は、これらの実施例に
よって制限されるものではない。
実施例1
<4−((S)−2−メチルブタノイルオキシ)フェニ
ル4’−((S) −2−fロポキシプロノ母ノイルオ
キシ)ビフェニル−4−カル?キシレートの合成〉 1−a 4’−((S) −2−プロポキシプロノや
ノイルオキシ)ビフェニル−4−カルメン酸の合成(S
)−乳酸エチル20.0 g、ヨウ化プロピル45、O
I、及び酸化銀30.0.9を100mJのジメチルホ
ルムアミド中で40時間攪拌した。不溶物を炉別し、炉
液に水を加え、ヘキサンで3回抽出した。ヘキサン層を
脱水後、有機溶媒を減圧蒸留して(S) −2−プロピ
ルオキシプロピオン酸エチル20.0gを得た。(沸点
78℃/ 50 mHz )この18.011を5N水
酸化ナトリウム水溶液100プ中で6時間攪拌後、水冷
工種硫酸でpH3〜4とした。エーテルで数回抽出した
後、脱水し、エーテルを留去して10.2.9の(S)
−2−7’ロピルオキシプロピオン酸を得た。この全
量に20−の塩化チオニル及び0.5 mlのピリジン
を加え2時間加熱還流させた。反応混合物から減圧下で
過剰の塩化チオニルを留去した後、反応混合物にづ/ゼ
ンを加えて溶解し、不溶物を戸別した後、炉液からベン
ゼンを留去し、油状の(S) −2−プロピルオキシプ
ロぎオン酸塩化物10.5 、!Fを得た。
ル4’−((S) −2−fロポキシプロノ母ノイルオ
キシ)ビフェニル−4−カル?キシレートの合成〉 1−a 4’−((S) −2−プロポキシプロノや
ノイルオキシ)ビフェニル−4−カルメン酸の合成(S
)−乳酸エチル20.0 g、ヨウ化プロピル45、O
I、及び酸化銀30.0.9を100mJのジメチルホ
ルムアミド中で40時間攪拌した。不溶物を炉別し、炉
液に水を加え、ヘキサンで3回抽出した。ヘキサン層を
脱水後、有機溶媒を減圧蒸留して(S) −2−プロピ
ルオキシプロピオン酸エチル20.0gを得た。(沸点
78℃/ 50 mHz )この18.011を5N水
酸化ナトリウム水溶液100プ中で6時間攪拌後、水冷
工種硫酸でpH3〜4とした。エーテルで数回抽出した
後、脱水し、エーテルを留去して10.2.9の(S)
−2−7’ロピルオキシプロピオン酸を得た。この全
量に20−の塩化チオニル及び0.5 mlのピリジン
を加え2時間加熱還流させた。反応混合物から減圧下で
過剰の塩化チオニルを留去した後、反応混合物にづ/ゼ
ンを加えて溶解し、不溶物を戸別した後、炉液からベン
ゼンを留去し、油状の(S) −2−プロピルオキシプ
ロぎオン酸塩化物10.5 、!Fを得た。
この5.27gを、ピリジン35rnl及び塩化メチレ
ン2 oynlK溶解Ll 4’−ヒドロキシビフェニ
ル−4−カルがン酸7.06 、f中に滴下し、滴下終
了後還流温度で4時間反応させた。
ン2 oynlK溶解Ll 4’−ヒドロキシビフェニ
ル−4−カルがン酸7.06 、f中に滴下し、滴下終
了後還流温度で4時間反応させた。
少量のエタノールを加えて未反応の酸塩化物をエステル
化した後、稀塩酸を加えて弱酸性とし、エーテルで抽出
した。溶媒を留去して得られた粗結晶にn−ヘキサンと
エーテルの混合溶媒を加え還流温度に加熱して、不溶の
4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸塩 に冷却して析出した結晶を戸数した。ジエステル化物は
大部分戸液中に残存した。この操作をさらに繰り返し、
4’−((S) −2−プロポキシプロパノイルオキシ
)ビフェニル−4−カルメン酸の白色結晶4.48 、
Fを得た。この化合物は液晶相を示した。その融点は1
55°透明点は220°であった。
化した後、稀塩酸を加えて弱酸性とし、エーテルで抽出
した。溶媒を留去して得られた粗結晶にn−ヘキサンと
エーテルの混合溶媒を加え還流温度に加熱して、不溶の
4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸塩 に冷却して析出した結晶を戸数した。ジエステル化物は
大部分戸液中に残存した。この操作をさらに繰り返し、
4’−((S) −2−プロポキシプロパノイルオキシ
)ビフェニル−4−カルメン酸の白色結晶4.48 、
Fを得た。この化合物は液晶相を示した。その融点は1
55°透明点は220°であった。
IR:2250〜2700(一連の小吸収)1765゜
1685.1610.1510.1305.1195.
1130゜950.840.780(α ) 1−b 表記化合物の合成 1−aで得たカルメン酸4.48.9’に塩化チオニル
15mA!を加え、攪拌しながら、ピリジン2プを加え
た。溶解後40〜50°に加熱して3時間反応させた。
1685.1610.1510.1305.1195.
1130゜950.840.780(α ) 1−b 表記化合物の合成 1−aで得たカルメン酸4.48.9’に塩化チオニル
15mA!を加え、攪拌しながら、ピリジン2プを加え
た。溶解後40〜50°に加熱して3時間反応させた。
過剰の塩化チオニルを留去し、残渣にトルエンを加えよ
く攪拌した。不溶物を濾過で除去したのち、再度溶媒を
留去して油状の4’−((S) −2−グロIキシグロ
ノfノイルオキシ)ビフェニル−4−カルボン酸塩化物
を得た。この酸塩化物2、 OOg及び、ハイドロキノ
ンと(S) −2−メチル酪酸塩化物より合成した4
−((S) −2−メチルブタノイルオキシ)フェノー
ル1.20.9を塩化メチレン25m/に溶解し、ピリ
ジン3 mlを加えた。
く攪拌した。不溶物を濾過で除去したのち、再度溶媒を
留去して油状の4’−((S) −2−グロIキシグロ
ノfノイルオキシ)ビフェニル−4−カルボン酸塩化物
を得た。この酸塩化物2、 OOg及び、ハイドロキノ
ンと(S) −2−メチル酪酸塩化物より合成した4
−((S) −2−メチルブタノイルオキシ)フェノー
ル1.20.9を塩化メチレン25m/に溶解し、ピリ
ジン3 mlを加えた。
還流温度で4時間攪拌した後放冷し、反応混合物に酢酸
エチルを抽出溶媒として加え、10%塩酸水、飽和炭酸
水素ナトリウム水、水、飽和食塩水で順次洗浄した。抽
出液を無水硫酸ナトリウムで脱水した後、溶媒を留去し
て得られた組成物をシリカダルカラムクロマトグラフィ
ーで分離精製しく留出溶媒:クロロホルム−ヘキサン)
、さらにエタノールから再結晶させて4− ((S)
−2−メチルブタノイルオキシ)フェニル4’−((S
) −2−プロポキシプロパノイルオキシ)ビフェニル
−4−カルゲキシレー)1.45.!i’を得り。
エチルを抽出溶媒として加え、10%塩酸水、飽和炭酸
水素ナトリウム水、水、飽和食塩水で順次洗浄した。抽
出液を無水硫酸ナトリウムで脱水した後、溶媒を留去し
て得られた組成物をシリカダルカラムクロマトグラフィ
ーで分離精製しく留出溶媒:クロロホルム−ヘキサン)
、さらにエタノールから再結晶させて4− ((S)
−2−メチルブタノイルオキシ)フェニル4’−((S
) −2−プロポキシプロパノイルオキシ)ビフェニル
−4−カルゲキシレー)1.45.!i’を得り。
構造は核磁気共鳴スペクトル(NMR) 、赤外吸収ス
ペクトル(IR)、質量スペクトル(MS )で確認し
た。
ペクトル(IR)、質量スペクトル(MS )で確認し
た。
NMR: δ8.20(d、21()δ7.6(m
、4H)67.1〜7.3 (m 、 6H)以上芳香
族水素δ0.8〜1.1 (m 、 6H、その他のC
H3)IR: 1760.1740.1605.1
515,1280゜1180.1130,1085.1
020.905,820゜770(crn−’) MS : m/s =524 (P” )NMRにお
けるSは1重線、dは2重線、tは3重線、Cは4重線
、mは多重線をあられし、MSにおけるP+は親ピーク
を表わす。
、4H)67.1〜7.3 (m 、 6H)以上芳香
族水素δ0.8〜1.1 (m 、 6H、その他のC
H3)IR: 1760.1740.1605.1
515,1280゜1180.1130,1085.1
020.905,820゜770(crn−’) MS : m/s =524 (P” )NMRにお
けるSは1重線、dは2重線、tは3重線、Cは4重線
、mは多重線をあられし、MSにおけるP+は親ピーク
を表わす。
本化合物は液晶性を示した。その相転移温度は以下の実
施例2〜10の化合物と共に第1表にまとめて示した。
施例2〜10の化合物と共に第1表にまとめて示した。
実施例2
実施例1において1−aで4′−ヒドロキシビフェニル
−4−カルゲン酸に換えて、4−ヒドロキシ安息香酸を
用いて得られた4−((S)−2−ニア’ロデキシゾロ
ノヤノイルオキシ)安息香酸を用い同様に反応を行い4
− ((s) −2−メチルブタノイルオキシ)フェニ
ル4− ((S)−ゾロポキシプロパノイルオキシ)ベ
ンゾニー) t−iり。
−4−カルゲン酸に換えて、4−ヒドロキシ安息香酸を
用いて得られた4−((S)−2−ニア’ロデキシゾロ
ノヤノイルオキシ)安息香酸を用い同様に反応を行い4
− ((s) −2−メチルブタノイルオキシ)フェニ
ル4− ((S)−ゾロポキシプロパノイルオキシ)ベ
ンゾニー) t−iり。
実施例3
実施例2において4− ((s) −2−メチルブタノ
イルオキシ)フェノールにかえて4’−((S) −2
−メチルブタノイルオキシ)ビフェニル−4−オールを
用い同様に反応を行って、 4’−((S) −2−メ
チルブタノイルオキシ)ビフェニル−4−イル4−((
S) −2−7’ロポキシグロノ平ノイルオキシ)ベン
ゾエートを得た。
イルオキシ)フェノールにかえて4’−((S) −2
−メチルブタノイルオキシ)ビフェニル−4−オールを
用い同様に反応を行って、 4’−((S) −2−メ
チルブタノイルオキシ)ビフェニル−4−イル4−((
S) −2−7’ロポキシグロノ平ノイルオキシ)ベン
ゾエートを得た。
実施例4〜6
実施例1.2において、4− ((S) −2−メチル
ブタノイルオキシ)フェノールに換えて、4−((S)
−3−メチル4ンタノイルオキシ)フェノールを用い
て4− ((S) −3−メチルインタノイルオキシ)
フェニル4’−((S) −2−プロポキシグロノノイ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート(実施例
4)及び4− ((s) −3−メチルインタノイルオ
キシ)フェニル4− ((S) −2−プロIキシプロ
ノやノイ′ルオキシ)ベンゾエート(実施例5)を、ま
た実施例3において、4′−((S) −2−メチルブ
タノイルオキシ)ビフェニル−4−オールに換えて、4
’−((S) −3−メチルペンタノイルオキシ)ビフ
ェニル−4−オールを用いて、4’−((s) −3−
メチルペンタノイルオキシ)ビフェニル−4−イル4−
((s) −2−プロポキシプロ/4’ノイルオキシ)
ベンゾエート(実施例6)を各々得た。
ブタノイルオキシ)フェノールに換えて、4−((S)
−3−メチル4ンタノイルオキシ)フェノールを用い
て4− ((S) −3−メチルインタノイルオキシ)
フェニル4’−((S) −2−プロポキシグロノノイ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート(実施例
4)及び4− ((s) −3−メチルインタノイルオ
キシ)フェニル4− ((S) −2−プロIキシプロ
ノやノイ′ルオキシ)ベンゾエート(実施例5)を、ま
た実施例3において、4′−((S) −2−メチルブ
タノイルオキシ)ビフェニル−4−オールに換えて、4
’−((S) −3−メチルペンタノイルオキシ)ビフ
ェニル−4−オールを用いて、4’−((s) −3−
メチルペンタノイルオキシ)ビフェニル−4−イル4−
((s) −2−プロポキシプロ/4’ノイルオキシ)
ベンゾエート(実施例6)を各々得た。
実施例7 4’−((S)−2−オクトキシグロノ2ノ
イルオキシ)ビフェニル−4−イル4− ((S) −
2−メチル4ンタノイルオキシ)ベンゾエートの合成 実施例1−a前半と同様にして、(S) −2−オクト
キシプロピオン酸塩化物を得て、これと4.4′−ヒフ
エノールから4’−((S)−2−オクトキシグロノ4
ノイルオキシ)ビフェニル−4−オールを得た。
イルオキシ)ビフェニル−4−イル4− ((S) −
2−メチル4ンタノイルオキシ)ベンゾエートの合成 実施例1−a前半と同様にして、(S) −2−オクト
キシプロピオン酸塩化物を得て、これと4.4′−ヒフ
エノールから4’−((S)−2−オクトキシグロノ4
ノイルオキシ)ビフェニル−4−オールを得た。
また、(S)−2−メチル酪酸塩化物と4−ヒドロキシ
安息香酸から、4− ((S) −2−メチルブタノイ
ルオキシ)安息香酸塩化物を得た。これらを同様に塩化
メチレン−ピリジン中で反応させることにより、表記化
合物を得た。
安息香酸から、4− ((S) −2−メチルブタノイ
ルオキシ)安息香酸塩化物を得た。これらを同様に塩化
メチレン−ピリジン中で反応させることにより、表記化
合物を得た。
実施例8,9
同様にして、4− ((S) −2−グロポキシグロパ
ノイルオキシ)フェニル4’−((S) −2−メチル
ペンタノイルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト(実施例8 )、 4− ((S) −2−fロIキ
シプロノ2ノイルオキシ)フェニル4− ((S)−2
−メチルインタノイルオキシ)ベンゾエート(実施例9
)を得た。
ノイルオキシ)フェニル4’−((S) −2−メチル
ペンタノイルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト(実施例8 )、 4− ((S) −2−fロIキ
シプロノ2ノイルオキシ)フェニル4− ((S)−2
−メチルインタノイルオキシ)ベンゾエート(実施例9
)を得た。
実施例10 4’−((S) −2−メチルブタノイル
オキシ)ビフェニル−4−イル(S) −2−オクトキ
シグロピオネートの合成 実施例3で用いた4’−((S) −2−メチルブタノ
イルオキシ)ビフェニル−4−オールと、実施例7で用
いた(S) −2−オクトキシプロピオン酸塩化物を用
い、同様に反応を行ない表記化合物を得た。
オキシ)ビフェニル−4−イル(S) −2−オクトキ
シグロピオネートの合成 実施例3で用いた4’−((S) −2−メチルブタノ
イルオキシ)ビフェニル−4−オールと、実施例7で用
いた(S) −2−オクトキシプロピオン酸塩化物を用
い、同様に反応を行ない表記化合物を得た。
実施例11
2履歴SC液晶化合物又は混合物の例としてAで示した
フェノールベンゾエート系化合物のうち、R1及びR2
がともにアルコキシのもの4成分(R1= C,oI(
210−、R2=C8H1,O−、10重t%;R1=
C,H1,O−、R2= C6H430−、10重量%
: R1==C8I(I,O−。
フェノールベンゾエート系化合物のうち、R1及びR2
がともにアルコキシのもの4成分(R1= C,oI(
210−、R2=C8H1,O−、10重t%;R1=
C,H1,O−、R2= C6H430−、10重量%
: R1==C8I(I,O−。
R2=C1oH210−、10重量% : R1” R
2=C6H170−。
2=C6H170−。
10重重量)及びBで示したピリミジン4成分(R5=
C6H17−、R4=C10H210−124を量%:
R3”C3H1,−、R4=C7H4,O−、27重量
%” R5=”BH17−’R4=06H,50−、6
重量%;R5=C7H1,−9R4=C7H,、O−、
3重量%)からなる組成物を調製した。
C6H17−、R4=C10H210−124を量%:
R3”C3H1,−、R4=C7H4,O−、27重量
%” R5=”BH17−’R4=06H,50−、6
重量%;R5=C7H1,−9R4=C7H,、O−、
3重量%)からなる組成物を調製した。
この組成物は65℃以下でSC相を示し、67℃までS
A相72℃までN相を示した。また融点は5℃であった
。
A相72℃までN相を示した。また融点は5℃であった
。
このSC組成物78.2%と実施例1で得た化合物21
.8 %からなる液晶組成物を調整したところ、64℃
以下でSC*相を示し、75℃以下でN0相を示し、そ
れ以上の温度で等方性液体相を示した。
.8 %からなる液晶組成物を調整したところ、64℃
以下でSC*相を示し、75℃以下でN0相を示し、そ
れ以上の温度で等方性液体相を示した。
この組成物の70℃におけるN*相のら旋ピッチは4.
51μmであったG 実施例12 実施例11のSC組成物78.4%と実施例3の化合物
21.6 %からなる液晶組成物を調整したところ、6
4.5℃以下でS01相を示し、77℃以下でN0相を
示し、それ以上の温度で等方性液体相を示した。この組
成物の72℃におけるN0相のら旋ピッチは2.82μ
mであった。
51μmであったG 実施例12 実施例11のSC組成物78.4%と実施例3の化合物
21.6 %からなる液晶組成物を調整したところ、6
4.5℃以下でS01相を示し、77℃以下でN0相を
示し、それ以上の温度で等方性液体相を示した。この組
成物の72℃におけるN0相のら旋ピッチは2.82μ
mであった。
実施例13
実施例11のSC組成物60%、4−オクチルフェニル
4−デシルベンゾエート19.4%実施例1の化合物2
0.696からなる組成物を調整したところ57℃以下
でS01相を示し、61℃までSA相を示し、68℃ま
でN*相を示し、それ以上の温度で等方性液体相を示し
た。この組成物の25℃における自発分極は16.8°
、チルト角は27°であった。
4−デシルベンゾエート19.4%実施例1の化合物2
0.696からなる組成物を調整したところ57℃以下
でS01相を示し、61℃までSA相を示し、68℃ま
でN*相を示し、それ以上の温度で等方性液体相を示し
た。この組成物の25℃における自発分極は16.8°
、チルト角は27°であった。
このSC*組成物を80℃に加熱して等方性液体相とし
、これを厚さ2.2μmのスペーサーを介した2枚のガ
ラス透明電極(うち1枚にはポリイミドコーティング−
ラビング配向処理を施しである)間に充填し、薄膜セル
を作成した。これを1分間に5°の割合で徐冷し、N8
相、SA相を配向させ、57℃以下でS00相のモノド
メインを得ることができた。
、これを厚さ2.2μmのスペーサーを介した2枚のガ
ラス透明電極(うち1枚にはポリイミドコーティング−
ラビング配向処理を施しである)間に充填し、薄膜セル
を作成した。これを1分間に5°の割合で徐冷し、N8
相、SA相を配向させ、57℃以下でS00相のモノド
メインを得ることができた。
このセルに22V、50Hzの矩形波を印加し、その透
過光強度を測定したところ、34℃で69μ秒、25℃
で80μ秒という極めて速い応答が得られた?また、こ
の組成物はSA相が存在するため実施例11、及び12
で得たSC*組成物を用いたセルに比べ、良好なコント
ラストが得られた。
過光強度を測定したところ、34℃で69μ秒、25℃
で80μ秒という極めて速い応答が得られた?また、こ
の組成物はSA相が存在するため実施例11、及び12
で得たSC*組成物を用いたセルに比べ、良好なコント
ラストが得られた。
実施例14
4−へキシルオキシフェニル4−ノニルオキシ・ベンゾ
エート50%とS−オクチル−2−(4−ノニルオキシ
フェニル)ピリミジン50%かうSC組成物を調製した
。このSC組成物に実施例8の化合物を10チ添加した
ところ、59.5℃以下でsc”相を示し、63℃以下
でSA相を示し、74.5℃以下でN*相を示し、それ
以上の温度で等方性液体相を示した。
エート50%とS−オクチル−2−(4−ノニルオキシ
フェニル)ピリミジン50%かうSC組成物を調製した
。このSC組成物に実施例8の化合物を10チ添加した
ところ、59.5℃以下でsc”相を示し、63℃以下
でSA相を示し、74.5℃以下でN*相を示し、それ
以上の温度で等方性液体相を示した。
このS00組成物のN9相のら旋ピッチは、9.5μm
と大きく、しかもその温度変化は極めて小さいものであ
った。また、この組成物を20μmの厚いセルに封入し
、配向させて、そのS08相におけるら旋ピッチを測定
しようとしたが、ら旋ピッチが大きいためそれに基づく
稿があられれず測定できなかった。
と大きく、しかもその温度変化は極めて小さいものであ
った。また、この組成物を20μmの厚いセルに封入し
、配向させて、そのS08相におけるら旋ピッチを測定
しようとしたが、ら旋ピッチが大きいためそれに基づく
稿があられれず測定できなかった。
本発明の化合物(I)は、混合によすSC*液晶組成物
とした場合において、従来知られているエステル系強誘
電性液晶化合物よりも大きい自発分極を有しており、ま
たら旋ピッチも充分太きくSC液晶化合物又は組成物に
添加してsc”液晶組成物として用いる際には、ら旋ピ
ッチ調整が極めて容易である。
とした場合において、従来知られているエステル系強誘
電性液晶化合物よりも大きい自発分極を有しており、ま
たら旋ピッチも充分太きくSC液晶化合物又は組成物に
添加してsc”液晶組成物として用いる際には、ら旋ピ
ッチ調整が極めて容易である。
また、化合物(T)は、実施例にも示したように、工業
的にも容易に製造でき、それ自体無色であって、光、水
分、熱等に対する化学的安定性に優れるものであり、非
常に実用的である。
的にも容易に製造でき、それ自体無色であって、光、水
分、熱等に対する化学的安定性に優れるものであり、非
常に実用的である。
更に、本発明における強誘電性液晶化合物及びそれを含
有する組成物は、応答速度が従来のネマチック液晶の1
00倍以上と極めて大きく、表示用光スイツチング素子
として極めて有用である。
有する組成物は、応答速度が従来のネマチック液晶の1
00倍以上と極めて大きく、表示用光スイツチング素子
として極めて有用である。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜16のアルキル基を表わし
、m、nはそれぞれ独立的に1又は2を表わし、xは0
から6までの整数を表わし、Yは▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼又は
単結合を表わし、C^*、C^*^*はそれぞれ独立的
に(R)又は(S)の不斉炭素原子を表わす。) で表わされる化合物。 2、一般式( I )において、xが0又は1である特許
請求の範囲第1項に記載の化合物。 3、一般式( I )において、Rが炭素原子数2〜8の
アルキル基である特許請求の範囲第1項又は第2項に記
載の化合物。 4、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜16のアルキル基を表わし
、m、nはそれぞれ独立的に1又は2を表わし、xは0
から6までの整数を表わし、Yは▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼又は
単結合を表わし、C^*、C^*^*はそれぞれ独立的
に(R)又は(S)の不斉炭素原子を表わす。) で表わされる化合物の少なくとも1種を含む液晶組成物
。 5、一般式( I )において、xが0又は1で表わされ
る化合物の少なくとも1種を含む特許請求の範囲第4項
に記載の液晶組成物。 6、一般式( I )において、Rが炭素原子数2〜8の
アルキル基で表わされる化合物の少なくとも1種を含む
特許請求の範囲第4項又は第5項に記載の液晶組成物。 7、カイラルスメクチック相を示す特許請求の範囲第4
項乃至第6項に記載の液晶組成物。 8、スメクチックC相を示す液晶化合物又は組成物に、 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜16のアルキル基を表わし
、m、nはそれぞれ独立的に1又は2を表わし、xは0
から6までの整数を表わし、Yは▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼又は
単結合を表わし、C^*、C^*^*はそれぞれ独立的
に(R)又は(S)の不斉炭素原子を表わす。) で表わされる化合物の少なくとも1種を混合してなるカ
イラルスメクチツクC相を示す液晶組成物。 9、一般式( I )において、xが0又は1で表わされ
る化合物の少なくとも1種を混合してなる特許請求の範
囲第8項に記載の液晶組成物。 10、一般式( I )において、Rが炭素原子数2〜8
のアルキル基で表わされる化合物の少なくとも1種を混
合してなる特許請求の範囲第8項又は第9項に記載の液
晶組成物。11、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜16のアルキル基を表わし
、m、nはそれぞれ独立的に1又は2を表わし、xは0
から6までの整数を表わし、Yは▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼又は
単結合を表わし、C^*、C^*^*はそれぞれ独立的
に(R)又は(S)の不斉炭素原子を表わす。) で表わされる化合物の少なくとも1種を構成要素とする
液晶光スイッチング素子。 12、一般式( I )において、xが0又は1で表わさ
れる化合物の少なくとも1種を構成要素とする特許請求
の範囲第11項に記載の液晶光スイッチング素子。 13、一般式( I )において、Rが炭素原子数2〜8
のアルキル基で表わされる化合物の少なくとも1種を構
成要素とする特許請求の範囲第11項又は第12項に記
載の液晶光スイッチング素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32554487A JPH01168644A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 光学活性な乳酸誘導体、液晶組成物及び液晶光スイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32554487A JPH01168644A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 光学活性な乳酸誘導体、液晶組成物及び液晶光スイッチング素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01168644A true JPH01168644A (ja) | 1989-07-04 |
Family
ID=18178070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32554487A Pending JPH01168644A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 光学活性な乳酸誘導体、液晶組成物及び液晶光スイッチング素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01168644A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9339109B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-05-17 | Kanaflex Corporation | Lightweight decorative panel having opening and production method therefor |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP32554487A patent/JPH01168644A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9339109B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-05-17 | Kanaflex Corporation | Lightweight decorative panel having opening and production method therefor |
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