JPH01299258A - シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 - Google Patents
シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物Info
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は新規な液晶性化合物並びにこの液晶性化合物の
少なくとも1種を含有することを特徴とする液晶組成物
に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液晶に関
し、実用的強誘電性液晶組成物作製の際、その組成成分
として有用で且つ化学的安定性に優れた新規なシクロヘ
キサンカルボン酸化合物並びにこのシクロヘキサンカル
ボン酸化合物の少なくとも1種を含有する液晶組成物に
関する。
少なくとも1種を含有することを特徴とする液晶組成物
に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液晶に関
し、実用的強誘電性液晶組成物作製の際、その組成成分
として有用で且つ化学的安定性に優れた新規なシクロヘ
キサンカルボン酸化合物並びにこのシクロヘキサンカル
ボン酸化合物の少なくとも1種を含有する液晶組成物に
関する。
[従来技術]
液晶表示素子は受光型で目が疲れない、低消費電力、薄
型である等の優れた特徴を有しているため、現在では時
計、電卓、パーソナルワープロ、ポケットテレビ等の各
種表示素子として使用されている。しかし、これらはネ
マチック液晶を用いた表示素子であり、前記特徴を有す
るものの欠点として応答が遅い、表示のメモリー性がな
い等のため、高速応答が要求される表示素子へ応用する
には種々の制約があり、適したものであるとは言えない
。
型である等の優れた特徴を有しているため、現在では時
計、電卓、パーソナルワープロ、ポケットテレビ等の各
種表示素子として使用されている。しかし、これらはネ
マチック液晶を用いた表示素子であり、前記特徴を有す
るものの欠点として応答が遅い、表示のメモリー性がな
い等のため、高速応答が要求される表示素子へ応用する
には種々の制約があり、適したものであるとは言えない
。
強#i4電性液晶がR,B、 Meyer等[phys
1QLIe、36L−69(1975) ]により見
いだされ、この強誘電性液晶がN、^、CIark、
S、T、Laoerwall等[hp I 。
1QLIe、36L−69(1975) ]により見
いだされ、この強誘電性液晶がN、^、CIark、
S、T、Laoerwall等[hp I 。
Phys、1ett、、 36899 (1980)
]により、ネマチック液晶に比べ100〜1000倍の
高速応答、およびメモリー性を有することが発表されて
以来、この方式による前記問題点の解決が期待できる処
から、各方面で活発に研究が進められている。
]により、ネマチック液晶に比べ100〜1000倍の
高速応答、およびメモリー性を有することが発表されて
以来、この方式による前記問題点の解決が期待できる処
から、各方面で活発に研究が進められている。
この表示方式は強誘電性液晶の主にカイラルスメクチッ
クC相(5IIC”と略称)を利用するものであり、S
nC”相を有する化合物は既に、これまでにも多数知ら
れている。
クC相(5IIC”と略称)を利用するものであり、S
nC”相を有する化合物は既に、これまでにも多数知ら
れている。
代表的な物質としては(S) −2−メチルブチルp−
デシルオキシベンジリデン−po−アミノシンナメート
(略称DOBAHBC)等のシッフ塩基系の化合物があ
るが、光あるいは水に対する安定性が悪い、そのもの自
身が有色である等の欠点があり実用的ではない、これら
を改善すべく研究され、これ迄に無色で化学的に安定な
芳香環カルボン酸エステル系化合物が主に発表されてい
る。また一方ではSlc”物質で有り、且つより高速応
答である物質の研究も行われている。
デシルオキシベンジリデン−po−アミノシンナメート
(略称DOBAHBC)等のシッフ塩基系の化合物があ
るが、光あるいは水に対する安定性が悪い、そのもの自
身が有色である等の欠点があり実用的ではない、これら
を改善すべく研究され、これ迄に無色で化学的に安定な
芳香環カルボン酸エステル系化合物が主に発表されてい
る。また一方ではSlc”物質で有り、且つより高速応
答である物質の研究も行われている。
強誘電性液晶における応答速度はτ=η/Ps・Eで表
され応答速度(τ)は粘性(η)に比例し、自発分極(
Ps)および電界(E)に反比例する。すなわち自発分
極の大きい物質であるほど、粘性の低い物質であるほど
より高速応答を可能とすることになる。
され応答速度(τ)は粘性(η)に比例し、自発分極(
Ps)および電界(E)に反比例する。すなわち自発分
極の大きい物質であるほど、粘性の低い物質であるほど
より高速応答を可能とすることになる。
最近では自発分極の大きい物質を得ることにより応答の
高速化を図る研究も活発に進められている。
高速化を図る研究も活発に進められている。
このように表示素子に供しうる実用的強誘電性液晶物質
の研究は種々性われているが、未だ充分とは言えず、種
々の新規強誘電性液晶物質の開発が望まれている。
の研究は種々性われているが、未だ充分とは言えず、種
々の新規強誘電性液晶物質の開発が望まれている。
[発明の開示]
本発明者らは、化学的に安定で、5raC*相温度幅が
広く、また粘性の低い強誘電性液晶物質を提供するため
鋭意研究したところ、本発明により、これらのJt特性
をそなえた新規な強誘電性液晶物質を提供することに成
功した。
広く、また粘性の低い強誘電性液晶物質を提供するため
鋭意研究したところ、本発明により、これらのJt特性
をそなえた新規な強誘電性液晶物質を提供することに成
功した。
すなわち、本発明は、−数式
(式中Rは炭素原子数1〜16のアルキル基であり、R
は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、YおよびZは
それぞれ単結合を表わすか、0、C00、およびOCO
のいずれかを表わし、Xl、X2、XlおよびX、は、
それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素原子を表わす
、ただし、Xr 、X2 、XsおよびX、のうちの少
なくとも2つは水素原子であり、Yが0であって、かつ
、Zが000である場合はXr 、X2 、Xsおよび
X4は同時に水素原子ではないものとする)で表わされ
る光学活性シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにこれ
らの化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とす
る液晶組成物を提供するものである。
は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、YおよびZは
それぞれ単結合を表わすか、0、C00、およびOCO
のいずれかを表わし、Xl、X2、XlおよびX、は、
それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素原子を表わす
、ただし、Xr 、X2 、XsおよびX、のうちの少
なくとも2つは水素原子であり、Yが0であって、かつ
、Zが000である場合はXr 、X2 、Xsおよび
X4は同時に水素原子ではないものとする)で表わされ
る光学活性シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにこれ
らの化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とす
る液晶組成物を提供するものである。
本発明に係わる新規強誘電性液晶化合物は、それ自体単
独で、Sac”相を有する場合はもちろん、有しない場
合でも液晶組成物作製時の特性(例えば粘性)を調製す
るために有効に使用することができる化合物である。
独で、Sac”相を有する場合はもちろん、有しない場
合でも液晶組成物作製時の特性(例えば粘性)を調製す
るために有効に使用することができる化合物である。
本発明の新規な強誘電性液晶化合物はベンゼン環を有す
る同系化合物例えば、 であり、ベンゼン環に比べ非共役系であるシクロヘキサ
ン環の存在、およびビフェニル骨格にフッ素原子を有す
ることにより前記の公知化合物に比べ粘性が低下し、そ
の結果応答速度が向上したと考えられる。またビフェニ
ル環にハロゲン原子、特にフッ素原子を有する化合物は
、置換基を有しないものに比べ格別に広い5IIC*相
温度幅を示す。
る同系化合物例えば、 であり、ベンゼン環に比べ非共役系であるシクロヘキサ
ン環の存在、およびビフェニル骨格にフッ素原子を有す
ることにより前記の公知化合物に比べ粘性が低下し、そ
の結果応答速度が向上したと考えられる。またビフェニ
ル環にハロゲン原子、特にフッ素原子を有する化合物は
、置換基を有しないものに比べ格別に広い5IIC*相
温度幅を示す。
以下に本発明に係わる化合物の合成例、および実施例に
より本発明をさらに具体的に説明する。これらの合成例
、および実施例はいずれも例示であって、その他の種々
の経路、方法によっても合成することが可能であり、こ
れらの合成例、および実施例により本発明は制約されな
い。
より本発明をさらに具体的に説明する。これらの合成例
、および実施例はいずれも例示であって、その他の種々
の経路、方法によっても合成することが可能であり、こ
れらの合成例、および実施例により本発明は制約されな
い。
合成例
合物は特開昭56−120636号公報、特開昭56−
125342号公報に記載の方法に準じて合成すること
ができ、またYがC00である化合物は、式から、さら
に、YがOCOである化合物は、式からそれぞれ、合成
できる。
125342号公報に記載の方法に準じて合成すること
ができ、またYがC00である化合物は、式から、さら
に、YがOCOである化合物は、式からそれぞれ、合成
できる。
合物は次の合成経路を経て合成できる。
実施例中に記載されている略記号は以下のとおりの意味
を有する。
を有する。
GIG ガスクロマトグラフィーHPLC高
速液体クロマトグラフィー Ill 赤外線吸収スペクトルMass
質量分析 1、p 融点 C結晶 Sx 同定出来なかったスメクチック相SR
スメクチックB相 Sn+C、Sc カイラルスメクチックC相SA
スメクチックA相 ch コレステリック相 1 等方性液体 ? 温度不明 2H42−メチルブチル 4864−メチルヘキシル 1H31−メチル10ビル 1H41−メチルブチル 1H61−メチルヘキシル 1H71−メチルへブチル 実施例1 反応器にシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸8g、
塩化チオニル16.6gおよびベンゼン301応を仕込
み、8時間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルをベンゼン
とともに共沸留去し、残留物を130℃で1時間加熱撹
拌後、減圧蒸留(b、 p130〜134℃/9111
1HQ)した、これをヘキサンで再結晶しトランス−シ
クロヘキサン−1,4−ジカルボン酸クロライドを得た
。
速液体クロマトグラフィー Ill 赤外線吸収スペクトルMass
質量分析 1、p 融点 C結晶 Sx 同定出来なかったスメクチック相SR
スメクチックB相 Sn+C、Sc カイラルスメクチックC相SA
スメクチックA相 ch コレステリック相 1 等方性液体 ? 温度不明 2H42−メチルブチル 4864−メチルヘキシル 1H31−メチル10ビル 1H41−メチルブチル 1H61−メチルヘキシル 1H71−メチルへブチル 実施例1 反応器にシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸8g、
塩化チオニル16.6gおよびベンゼン301応を仕込
み、8時間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルをベンゼン
とともに共沸留去し、残留物を130℃で1時間加熱撹
拌後、減圧蒸留(b、 p130〜134℃/9111
1HQ)した、これをヘキサンで再結晶しトランス−シ
クロヘキサン−1,4−ジカルボン酸クロライドを得た
。
Y、 5.1g (52,5%) GIC97,4
%反応器に(a)で得たトランス−シクロヘキサン−1
,4−ジカルボン酸クロライド25.2gおよびベンゼ
ン100m1.を仕込み、撹拌、氷水冷(〜10℃)下
にブタノール10g、ピリジン11gおよびベンゼン1
50mLから成る溶液を滴下後、45〜55℃で2時間
反応した。
%反応器に(a)で得たトランス−シクロヘキサン−1
,4−ジカルボン酸クロライド25.2gおよびベンゼ
ン100m1.を仕込み、撹拌、氷水冷(〜10℃)下
にブタノール10g、ピリジン11gおよびベンゼン1
50mLから成る溶液を滴下後、45〜55℃で2時間
反応した。
反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出後、水洗し、
溶媒を留去した。残留物を炭酸水素ナトリウム水溶液で
処理し、不溶物を濾過して除いたr液をベンゼンで洗浄
後、水層を濃塩酸で酸性と゛した。析出物をベンゼンで
抽出し、水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し残留物(ト
ランス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカ
ルボン酸)を得た。
溶媒を留去した。残留物を炭酸水素ナトリウム水溶液で
処理し、不溶物を濾過して除いたr液をベンゼンで洗浄
後、水層を濃塩酸で酸性と゛した。析出物をベンゼンで
抽出し、水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し残留物(ト
ランス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカ
ルボン酸)を得た。
Y、 10.6g (34,1%) GLC94
%反応器に(b)で得たトランス−4−ブチルオキシカ
ルボニルシクロヘキサンカルボン酸5gおよびベンゼン
40niを仕込み、室温撹拌下に塩化チオニル8gを加
えた後、5時間還流撹拌した0反応終了後、過剰の塩化
チオニルをベンゼンとともに共沸留去し、残留物(トラ
ンス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド)を得た。
%反応器に(b)で得たトランス−4−ブチルオキシカ
ルボニルシクロヘキサンカルボン酸5gおよびベンゼン
40niを仕込み、室温撹拌下に塩化チオニル8gを加
えた後、5時間還流撹拌した0反応終了後、過剰の塩化
チオニルをベンゼンとともに共沸留去し、残留物(トラ
ンス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド)を得た。
Y、 5.4g
合成
反応器に4−(2−メチルブチル)オキシ−4′−ヒド
ロキシビフェニル1g、ピリジン0.36gおよびベン
ゼン30ngを仕込み、室温撹拌下に(C)で得たトラ
ンス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド1.06gのベンゼン10nt溶液を
滴下し、滴下後、7時間還流撹拌した6反応液を水に注
加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニ
ア水処理、水洗し、芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られ
る残留物をメタノールで再結晶し、(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシビフェニル−4′−イル トラン
ス−4−プチルオキシ力ルポニルシクロヘキサン力ルポ
キシレートを得た。
ロキシビフェニル1g、ピリジン0.36gおよびベン
ゼン30ngを仕込み、室温撹拌下に(C)で得たトラ
ンス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド1.06gのベンゼン10nt溶液を
滴下し、滴下後、7時間還流撹拌した6反応液を水に注
加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニ
ア水処理、水洗し、芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られ
る残留物をメタノールで再結晶し、(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシビフェニル−4′−イル トラン
ス−4−プチルオキシ力ルポニルシクロヘキサン力ルポ
キシレートを得た。
Y、 0.83g (45,6%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で466に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で466に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光PR鏡下で相変化を観察した。その結果“を表1
に示す。
、偏光PR鏡下で相変化を観察した。その結果“を表1
に示す。
実施例2
成
反応器に(S)−4−(2−メチルブチル)オキシカル
ボニル−4′−ヒドロキシビフェニル1.02g、ピリ
ジン0.36gおよびベンゼン3Org応を仕込み、室
温撹拌下に実施例1−(C)で得たトランス−4−ブチ
ルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド0.95gのベンゼン10 riL溶液を滴下し、滴
下後、7時間還流撹拌した0反応液を水に注加し、ベン
ゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニア水処理、
水洗し、芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られる残留物を
メタノール−アセトン混合溶媒で再結晶し、(s) −
4−(2−メチルブチル)オキシカルボニルビフェニル
−41−イル トランス−4−プチルオキシ力ルポニル
シクロヘキサン力ルポキシレートを得た。
ボニル−4′−ヒドロキシビフェニル1.02g、ピリ
ジン0.36gおよびベンゼン3Org応を仕込み、室
温撹拌下に実施例1−(C)で得たトランス−4−ブチ
ルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド0.95gのベンゼン10 riL溶液を滴下し、滴
下後、7時間還流撹拌した0反応液を水に注加し、ベン
ゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニア水処理、
水洗し、芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られる残留物を
メタノール−アセトン混合溶媒で再結晶し、(s) −
4−(2−メチルブチル)オキシカルボニルビフェニル
−41−イル トランス−4−プチルオキシ力ルポニル
シクロヘキサン力ルポキシレートを得た。
Y、 1.07g (60,5%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またT
RおよびMass分析で494に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で494に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例3
(a) C,H,0COOCOOHの合成実施例1−
(b)に於けるブタノール10.1gに替えてエタノー
ル5.6gを用い、他は同様に操作してトランス−4−
エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸を得た。
(b)に於けるブタノール10.1gに替えてエタノー
ル5.6gを用い、他は同様に操作してトランス−4−
エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸を得た。
Y、 8.31 g (34,5%) GIC99
%(b)C2H50COOCOCLの合成実施例1−(
c)に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシクロ
ヘキサンカルボン酸5gに替えて(a)で得られたトラ
ンス−4−エトキシカル−ボニルシクロヘキサンカルボ
ン酸3.87gを用い、他は同様に操作してトランス−
4−エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロ
ライドを得た。
%(b)C2H50COOCOCLの合成実施例1−(
c)に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシクロ
ヘキサンカルボン酸5gに替えて(a)で得られたトラ
ンス−4−エトキシカル−ボニルシクロヘキサンカルボ
ン酸3.87gを用い、他は同様に操作してトランス−
4−エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロ
ライドを得た。
Y、 4.49g
の合成
実施例2に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0、95 gに替え
て[b)で得られたトランス−4−エトキシカルボニル
シクロヘキサンカルボン酸クロライド0.85gを用い
他は同様に操作して(S)−4−(2−メチルブチル)
オキシカルボニルビフェニル−41−イル トランス−
4−エトキシ力ルポニルシクロヘキサン力ルポキシレー
トを得た。
クロヘキサンカルボン酸クロライド0、95 gに替え
て[b)で得られたトランス−4−エトキシカルボニル
シクロヘキサンカルボン酸クロライド0.85gを用い
他は同様に操作して(S)−4−(2−メチルブチル)
オキシカルボニルビフェニル−41−イル トランス−
4−エトキシ力ルポニルシクロヘキサン力ルポキシレー
トを得た。
Y、 0.93g (56%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
Rおよび14aSS分析で466に分子イオンピークが
認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られ
た物質が目的物であることを確認した。
Rおよび14aSS分析で466に分子イオンピークが
認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られ
た物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例4
ta)C,H,、OCO<IE)−COOHの合成実施
例1− (b)に於けるブタノール10.1 gに替え
てヘキシルアルコール13.4gを用い、他は同様に操
作してトランス−4−へキシルオキシカルボニルシクロ
ヘキサンカルボン酸を得た。
例1− (b)に於けるブタノール10.1 gに替え
てヘキシルアルコール13.4gを用い、他は同様に操
作してトランス−4−へキシルオキシカルボニルシクロ
ヘキサンカルボン酸を得た。
’1. 10.7g (31,8%)
+b)Call、10cO<E>C0Ct の合成実
施例1− (c)に於けるトランス−4−ブトキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸5gに替えて(a)で
得られたトランス−4−へキシルオキシ力ルポニルシク
ロヘキサンカルボン酸4.07 gを用い、他は同様に
操作してトランス−4−ヘキシルオキシカルボニルシク
ロヘキサンカルボ゛ン酸クロライドを得た。
施例1− (c)に於けるトランス−4−ブトキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸5gに替えて(a)で
得られたトランス−4−へキシルオキシ力ルポニルシク
ロヘキサンカルボン酸4.07 gを用い、他は同様に
操作してトランス−4−ヘキシルオキシカルボニルシク
ロヘキサンカルボ゛ン酸クロライドを得た。
Y、 4.55g
の合成
実施例2に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0、95 gに替え
て(b)で得られたトランス−4−へキシルオキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライド1.04g
を用い他は同様に操作して(s)−4−(2−メチルブ
チル)オキシカルボニルビフェニル−4「−イル 4−
ヘキシルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
クロヘキサンカルボン酸クロライド0、95 gに替え
て(b)で得られたトランス−4−へキシルオキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライド1.04g
を用い他は同様に操作して(s)−4−(2−メチルブ
チル)オキシカルボニルビフェニル−4「−イル 4−
ヘキシルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、 0179g (38,3%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で522に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で522に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下、で相変化を観察した。その結果を表1
に示す。
、偏光顕微鏡下、で相変化を観察した。その結果を表1
に示す。
実施例5
反応器にトランス−4−ヒドロキシシクロヘキサンカル
ボン酸i0.3gおよび無水10ピオン酸40mtを仕
込み、さらに濃硫酸2滴を加え、50〜60℃で3時間
撹拌反応した6反応液を水に注加し、炭酸水素ナトリウ
ムでDH8とし、エーテルで洗浄した。水層を希塩酸で
酸性とし、エーテルで抽出後、エーテル層を水洗し、芒
硝乾燥し、溶媒を留去して残留物(トランス−4=プロ
ピオニルオキシシクロヘキサンカルボン酸)を得た。
ボン酸i0.3gおよび無水10ピオン酸40mtを仕
込み、さらに濃硫酸2滴を加え、50〜60℃で3時間
撹拌反応した6反応液を水に注加し、炭酸水素ナトリウ
ムでDH8とし、エーテルで洗浄した。水層を希塩酸で
酸性とし、エーテルで抽出後、エーテル層を水洗し、芒
硝乾燥し、溶媒を留去して残留物(トランス−4=プロ
ピオニルオキシシクロヘキサンカルボン酸)を得た。
’f、 4.73g (33,1%) GLC9
7%反応器に(a)で得たトランス−4−プロピオニル
オキシシクロヘキサンカルボン酸4.7gおよびベンゼ
ン201Lを仕込み、室温撹拌下に塩化子オ′ニル5.
9gを加え、6時間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルを
ベンゼンとともに共沸留去し残留物(トランス−4−プ
ロピオニルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド
)を得た。
7%反応器に(a)で得たトランス−4−プロピオニル
オキシシクロヘキサンカルボン酸4.7gおよびベンゼ
ン201Lを仕込み、室温撹拌下に塩化子オ′ニル5.
9gを加え、6時間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルを
ベンゼンとともに共沸留去し残留物(トランス−4−プ
ロピオニルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド
)を得た。
Y、 3.6g
の合成
反応器に(s) −4−(2−メチルブチル)オキシカ
ルボニル−41−ヒドロキシビフェニル1.8g、ピリ
ジン数滴およびベンゼン30IILを仕込み、室温撹拌
下に(b)で得たトランス−4−プロピオニルオキシシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド1.92gのベンゼ
ン10IIL溶液を滴下後、7時間還流撹拌した反応液
を水に注加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗し
、アンモニア水処理、水洗、芒硝乾燥し、溶媒を留去し
た残留物をメタノールで再結晶して(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシカルボニルビフェニル−4?−イ
ル トランス−4−プロビオニルオキシシクロヘキサン
力ルポキシレートを得な。
ルボニル−41−ヒドロキシビフェニル1.8g、ピリ
ジン数滴およびベンゼン30IILを仕込み、室温撹拌
下に(b)で得たトランス−4−プロピオニルオキシシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド1.92gのベンゼ
ン10IIL溶液を滴下後、7時間還流撹拌した反応液
を水に注加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗し
、アンモニア水処理、水洗、芒硝乾燥し、溶媒を留去し
た残留物をメタノールで再結晶して(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシカルボニルビフェニル−4?−イ
ル トランス−4−プロビオニルオキシシクロヘキサン
力ルポキシレートを得な。
Y、 1.08g (36,6%)
この物の純度はII P L Cで99%以上であった
。またIRおよびMass分析で466に分子イオンビ
ークが認められたこと、並びに用いた原料の関係から、
得られた物質が目的物であることを確認した。
。またIRおよびMass分析で466に分子イオンビ
ークが認められたこと、並びに用いた原料の関係から、
得られた物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例6
実施例5− (C)に於ける(s) −4−(2−メチ
ルブチル)オキシカルボニル−4′−ヒドロキシビフェ
ニル1,8gに替えて(S)−4−(2−メチルブチル
)オキシ−4′−ヒドロキシビフェニル1.6gを用い
、他は同様に操作して(S) −4−(−2−メチルブ
チル)オキシビフェニル−4v−イル トランス−4−
プロピオニルオキシシクロヘキサン力ルポキシレートを
得な。
ルブチル)オキシカルボニル−4′−ヒドロキシビフェ
ニル1,8gに替えて(S)−4−(2−メチルブチル
)オキシ−4′−ヒドロキシビフェニル1.6gを用い
、他は同様に操作して(S) −4−(−2−メチルブ
チル)オキシビフェニル−4v−イル トランス−4−
プロピオニルオキシシクロヘキサン力ルポキシレートを
得な。
Y、 0.83g (29,9%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で438に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で438に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、面光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、面光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例7
反応器に2−フルオロアニソール128gおよびクロロ
ホルム25n+tを仕込み、室温撹拌下に臭素177g
を3時間以上かけて滴下した0反応液を希苛性ソーダ水
溶液に性別し、クロロホルム層を分取し、食塩水にて洗
浄後、芒硝で乾燥し、溶媒を留去、残留物を減圧蒸留し
て2−フルオロ−4−ブロモアニソールを得た。
ホルム25n+tを仕込み、室温撹拌下に臭素177g
を3時間以上かけて滴下した0反応液を希苛性ソーダ水
溶液に性別し、クロロホルム層を分取し、食塩水にて洗
浄後、芒硝で乾燥し、溶媒を留去、残留物を減圧蒸留し
て2−フルオロ−4−ブロモアニソールを得た。
V、 192g (92,3%)
b、p 107〜b
GLC99%以上
反応器にマグネシウム末2.37gおよびヨウ素の小片
を仕込み、N2気流下に2−フルオロ−4−ブロモアニ
ソール20gのテトラヒドロフラン40n4溶液を1/
3量加え、加熱撹拌した。
を仕込み、N2気流下に2−フルオロ−4−ブロモアニ
ソール20gのテトラヒドロフラン40n4溶液を1/
3量加え、加熱撹拌した。
発泡して反応を開始したのを確認後、残りのテトラヒド
ロフラン溶液を反応液が還流するように滴下した0滴下
後、2時間還流してグリニヤール試薬を作成した。
ロフラン溶液を反応液が還流するように滴下した0滴下
後、2時間還流してグリニヤール試薬を作成した。
別の容器にCjzPd(PPhs)20.8 gおよび
テトラヒドロフラン30aRを仕込みN2気流中、撹拌
下にI M (1so−C4He)2AtH/ヘキサン
溶液211、を加え、さらに2−フルオロ−4−ブロモ
アニソール18.2gのテトラヒドロフラン501g。
テトラヒドロフラン30aRを仕込みN2気流中、撹拌
下にI M (1so−C4He)2AtH/ヘキサン
溶液211、を加え、さらに2−フルオロ−4−ブロモ
アニソール18.2gのテトラヒドロフラン501g。
溶液を′加え、50〜55℃に加温した後、先に作成し
たグリニヤール試薬を滴下した0滴下後2時間還流し、
反応液を希塩酸に性別、ベンゼンで抽出、ベンゼン層を
水洗、芒硝乾燥後、ベンゼンを留去して得られる残留物
をヘキサン−ベンゼン混合溶媒で再結晶し、3,3′−
ジフルオロ−4,4′−ジメトキシビフェニルを得た。
たグリニヤール試薬を滴下した0滴下後2時間還流し、
反応液を希塩酸に性別、ベンゼンで抽出、ベンゼン層を
水洗、芒硝乾燥後、ベンゼンを留去して得られる残留物
をヘキサン−ベンゼン混合溶媒で再結晶し、3,3′−
ジフルオロ−4,4′−ジメトキシビフェニルを得た。
Y、 16.8g (75,7%) GLC96
%反応器に(b)で得られた3、3′−ジフルオロ−4
,41−ジメトキシビフェニル15g、48%臭化水素
酸水溶液15011および酢酸100niを仕込み、1
0時間還流撹拌した6反応液を水に性別し、析出物を枦
取後、乾燥して3.3t−ジフルオロ−4,41−ジヒ
ドロキシビフェニルを得た。
%反応器に(b)で得られた3、3′−ジフルオロ−4
,41−ジメトキシビフェニル15g、48%臭化水素
酸水溶液15011および酢酸100niを仕込み、1
0時間還流撹拌した6反応液を水に性別し、析出物を枦
取後、乾燥して3.3t−ジフルオロ−4,41−ジヒ
ドロキシビフェニルを得た。
Y、 1.2g (90,2%) GLC99
%反応器に85%苛性カリ0.9 g、水10nt、(
c)で得た3、3電−ジフルオロ−4,4′−ジヒドロ
、キシビフェニル3gおよびジメチルホルムアミド
2 Itを仕込み、2時間還流撹拌した。さらに還流下
に(s) −4−メチルヘキシルブロマイド2.4gの
ジオキサン10rel、溶液を加え、21時間還流した
0反応液を水に性別し、濃塩酸で酸性とした後、塩化メ
チレンで抽出し、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥後
、溶媒を留去し、残留物をベンゼンを溶出液としたシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、(S)
−3,3°−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル)
オキシ−4°−ヒドロキシビフェニルを得た。
%反応器に85%苛性カリ0.9 g、水10nt、(
c)で得た3、3電−ジフルオロ−4,4′−ジヒドロ
、キシビフェニル3gおよびジメチルホルムアミド
2 Itを仕込み、2時間還流撹拌した。さらに還流下
に(s) −4−メチルヘキシルブロマイド2.4gの
ジオキサン10rel、溶液を加え、21時間還流した
0反応液を水に性別し、濃塩酸で酸性とした後、塩化メ
チレンで抽出し、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥後
、溶媒を留去し、残留物をベンゼンを溶出液としたシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、(S)
−3,3°−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル)
オキシ−4°−ヒドロキシビフェニルを得た。
Y、 1.63g (37,7%) GIC98
%反応器にトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボン酸2.03g、ベンゼン201iおよび塩化
チオニル4gを仕込み、6時間還流撹拌した後、過剰の
塩化チオニルをベンゼンとともに共沸留去し残留物(ト
ランス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸
クロライド)を1な。
%反応器にトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボン酸2.03g、ベンゼン201iおよび塩化
チオニル4gを仕込み、6時間還流撹拌した後、過剰の
塩化チオニルをベンゼンとともに共沸留去し残留物(ト
ランス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸
クロライド)を1な。
Y、 2.36g GLC99%の合成
反応器に(d)で得られた(S) −3,3’−ジフル
オロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−4f−ヒド
ロキシビフェニル0.41g、ピリジン数滴およびベン
上220m応を仕込み、室温撹拌子に(e)で得たトラ
ンス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド0.35gのベンゼン101Q溶液を滴下し、
4時間還流撹拌した。
オロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−4f−ヒド
ロキシビフェニル0.41g、ピリジン数滴およびベン
上220m応を仕込み、室温撹拌子に(e)で得たトラ
ンス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド0.35gのベンゼン101Q溶液を滴下し、
4時間還流撹拌した。
反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出し、ベンゼン層を
水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、ベ
ンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー、次いでメタノ−ルーア七トン混合溶媒で再結晶し
て(S)−3,3°−ジフルオロ−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシビフェニル−41−イル トランス−4
−へキシルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。
水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、ベ
ンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー、次いでメタノ−ルーア七トン混合溶媒で再結晶し
て(S)−3,3°−ジフルオロ−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシビフェニル−41−イル トランス−4
−へキシルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。
Y、 0.66g (97,1%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で530に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で530に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例8
実施例7− (e)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03 gに替えてト
ランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸3gを
用い、他は同様に操作してトランス−4−ブトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド3.2gを得た。
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03 gに替えてト
ランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸3gを
用い、他は同様に操作してトランス−4−ブトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド3.2gを得た。
の合成
実施例7− (f)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−ブトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.31gを用い、他
は同様に操作して、(S)−3,3°−ジフルオロ−4
−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−4′−イ
ル トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−ブトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.31gを用い、他
は同様に操作して、(S)−3,3°−ジフルオロ−4
−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−4′−イ
ル トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
Y、 0.41g (64,1%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で502に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で502に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例9
実施例7− (e)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03gに替えてトラ
ンス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸2
.25gを用い、他は同様に操作してトランス−4−へ
ブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド2.
45gを得た。
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03gに替えてトラ
ンス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸2
.25gを用い、他は同様に操作してトランス−4−へ
ブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド2.
45gを得た。
の合成
実施例7− (f)に於けるトランス−4−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−へブチルオキ
シシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.4gを用い
、他は同様に操作して(s)−3,3°−ジフルオロ−
4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−41−
イル トランスー4−へブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−へブチルオキ
シシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.4gを用い
、他は同様に操作して(s)−3,3°−ジフルオロ−
4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−41−
イル トランスー4−へブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
’I’、 0.39g (57,4%)この物の純度
はHPLCで98%以上であった。またIRおよびMa
ss分析で544に分子イオンピークが認められたこと
、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的物
であることを確認した。
はHPLCで98%以上であった。またIRおよびMa
ss分析で544に分子イオンピークが認められたこと
、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的物
であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例10
+a)C)130()COCz の合成実施例7−
(e)に於けるトランス−4−へキシルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸2.03gに替えてトランス−4−メ
トキシシクロヘキサンカルボン酸1.55g用い、他は
同様に操作してトランス−4−メトキシシクロヘキサン
カルボン酸クロライド1.8gを得た。
(e)に於けるトランス−4−へキシルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸2.03gに替えてトランス−4−メ
トキシシクロヘキサンカルボン酸1.55g用い、他は
同様に操作してトランス−4−メトキシシクロヘキサン
カルボン酸クロライド1.8gを得た。
合成
実施例7− (f)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−メトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.27gを用い、他
は同様に操作して、(S)−3,3°−ジフルオロ−4
−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−4′−イ
ル トランス−4−メトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−メトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.27gを用い、他
は同様に操作して、(S)−3,3°−ジフルオロ−4
−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−4′−イ
ル トランス−4−メトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
Y、 0.08g (5,5%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で460に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で460に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例11
実施例7− (d)に於ける(S) −4−メチルヘキ
シルブロマイド2.4gに替えて(S)−2−メチルブ
チルブロマイド2.04gを用い、他は同様に操作して
(s)−3,3’−ジフルオロ−4−(2−メチルブチ
ル)オキシ−4“−ヒドロキシビフェニルを得た。
シルブロマイド2.4gに替えて(S)−2−メチルブ
チルブロマイド2.04gを用い、他は同様に操作して
(s)−3,3’−ジフルオロ−4−(2−メチルブチ
ル)オキシ−4“−ヒドロキシビフェニルを得た。
V、 1.17g (43,6%) GLC98
%合成 反応器に(a)で得られた(s) −3,3’−ジフル
オロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4°−ヒドロ
キシビフェニル0.4g、ピリジン数滴およびベンゼン
20IILを仕込み、室温撹拌下に実施例9− (a)
で得たトランス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボン酸クロライド0.39gのベンゼン10ni溶液
を滴下し、4時間還流撹拌した。
%合成 反応器に(a)で得られた(s) −3,3’−ジフル
オロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4°−ヒドロ
キシビフェニル0.4g、ピリジン数滴およびベンゼン
20IILを仕込み、室温撹拌下に実施例9− (a)
で得たトランス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボン酸クロライド0.39gのベンゼン10ni溶液
を滴下し、4時間還流撹拌した。
反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出し、ベンゼン層を
水洗、芒鞘で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、ベ
ンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー、次いでメタノール−アセトン混合溶媒で再結晶し
て(S) −3,3′−ジフルオロ−4−(2−メチル
ブチル)オキシビフェニル−4マーイル トランス−4
−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。
水洗、芒鞘で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、ベ
ンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー、次いでメタノール−アセトン混合溶媒で再結晶し
て(S) −3,3′−ジフルオロ−4−(2−メチル
ブチル)オキシビフェニル−4マーイル トランス−4
−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。
Y、 0.22g (22,2%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で516に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で516に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施pA12
実h1例11− (b)に於けるトランス−4−ヘプチ
ルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.39
gに替えて実施例8− (a)で得られたトランス−4
−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.3
4gを用い、他は同様に操作して(s)−3,3’−ジ
フルオロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4′−イ
ル トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
ルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.39
gに替えて実施例8− (a)で得られたトランス−4
−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.3
4gを用い、他は同様に操作して(s)−3,3’−ジ
フルオロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4′−イ
ル トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
Y、 0.45g (67,2%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で474に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で474に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージF、P−82にはさ
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1
に示す。
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1
に示す。
実施例13
反応器に(s) −2−オクタツール3.46gおよび
ピリジン30n&を仕込み、水冷撹拌下にp −トルエ
ンスルホニルクロライド5.1gを加え、5時間撹拌し
た0反応液を希塩酸に性別し、ベンゼンで抽出後、ベン
ゼン層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して残留物(
(S) −1−メチルへブチル トシレート)を得た。
ピリジン30n&を仕込み、水冷撹拌下にp −トルエ
ンスルホニルクロライド5.1gを加え、5時間撹拌し
た0反応液を希塩酸に性別し、ベンゼンで抽出後、ベン
ゼン層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して残留物(
(S) −1−メチルへブチル トシレート)を得た。
Y、 6.26g
実施例7− (d)に於ける(s) −4−メチルヘキ
シルブロマイド2.4gに替えて(a)で得られた(s
) −1−メチルへ1チル トシレート3.83gを用
い、他は同様に繰作して(s) −3,3’−ジフルオ
ロ−4−(1−メチルへブチル)オキシ−4′−ヒドロ
キシビフェニルを得た。
シルブロマイド2.4gに替えて(a)で得られた(s
) −1−メチルへ1チル トシレート3.83gを用
い、他は同様に繰作して(s) −3,3’−ジフルオ
ロ−4−(1−メチルへブチル)オキシ−4′−ヒドロ
キシビフェニルを得た。
Y、 1.33g (29,5%) GIC98
%実施例7− (f)に於ける(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−41−
ヒドロキシビフェニル0.41gに替えて(b)でえら
れた(s)−3,3”−ジフルオロ−4−(1−メチル
へブチル)オキシ−41−しドロキシビフェニル0゜4
3gを用い、他は同様に操作して(S)=3,3°−ジ
フルオロ−4−(1−メチルへブチル)オキシ−4曾−
イル トランス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
%実施例7− (f)に於ける(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−41−
ヒドロキシビフェニル0.41gに替えて(b)でえら
れた(s)−3,3”−ジフルオロ−4−(1−メチル
へブチル)オキシ−41−しドロキシビフェニル0゜4
3gを用い、他は同様に操作して(S)=3,3°−ジ
フルオロ−4−(1−メチルへブチル)オキシ−4曾−
イル トランス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
Y、 0.44 g (62,2%)この物の純度は
HPLCで99%以上であった。またIRおよびMas
s分析で544に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的物で
あることを確認した。
HPLCで99%以上であった。またIRおよびMas
s分析で544に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的物で
あることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例14
実施例13に於ける(s)−2−オクタツール3、46
gに替えて(S) −2−ペンタノール2.38gを
用い、他は同様に操作して(S) −1−メチルブチル
トシレートを得た。
gに替えて(S) −2−ペンタノール2.38gを
用い、他は同様に操作して(S) −1−メチルブチル
トシレートを得た。
’/、 4.9g
実施例7− (d)に於ける(S) −4−メチルヘキ
シルブロマイド2.4gに替えて(a)で得られた(s
) −1−メチルブチル トシレー)3.27gを用い
、他は同様に操作して(S) −3,3’−ジフルオロ
−4−(1−メチルブチル)オキシ−4f−ヒドロキシ
ビフェニルを得た。
シルブロマイド2.4gに替えて(a)で得られた(s
) −1−メチルブチル トシレー)3.27gを用い
、他は同様に操作して(S) −3,3’−ジフルオロ
−4−(1−メチルブチル)オキシ−4f−ヒドロキシ
ビフェニルを得た。
Y、 1.0g (21,9% ) GIC97%
実施例11− (b)に於ける(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−41−ヒ
ドロキシビフェニル0.4gに替えて(b)で得られた
Ts)−3,3’−ジフルオロ−4−(1−メチルブチ
ル)オキシ−41−ヒドロキシビフェニル0.4gを用
い、他は同様に操作して(S)−3,39−ジフルオロ
−4−(1−メチルブチル)オキシ−4+−イル トラ
ンス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
実施例11− (b)に於ける(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−41−ヒ
ドロキシビフェニル0.4gに替えて(b)で得られた
Ts)−3,3’−ジフルオロ−4−(1−メチルブチ
ル)オキシ−41−ヒドロキシビフェニル0.4gを用
い、他は同様に操作して(S)−3,39−ジフルオロ
−4−(1−メチルブチル)オキシ−4+−イル トラ
ンス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、 0.4g (56,3%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で516に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で516に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例15
成
実施例7−(f)に於けるトランス−4−へキシルオキ
シシクロヘキ、サンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて実施例1−(C)で得られたトランス−4−ブ
チルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロラ
イド0.35gを用い、他は同様に操作して(s) −
3,3’−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−4?−イルトランス−4−プチルオキシ力ルポニ
ルシクロヘキサン力ルポキシレートを得た。
シシクロヘキ、サンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて実施例1−(C)で得られたトランス−4−ブ
チルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロラ
イド0.35gを用い、他は同様に操作して(s) −
3,3’−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−4?−イルトランス−4−プチルオキシ力ルポニ
ルシクロヘキサン力ルポキシレートを得た。
Y、 0.39g (52,8%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で530に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で530に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例16
反応器に過マンガン酸カリ31.5gおよび水600m
iを仕込み、室温撹拌14.9gを滴下後、1時間反
応した。析出物を炉別し、炉液をエーテルで抽出後、エ
ーテル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去した残留物
をガラスチューブオーブン(GTO)にて減圧蒸留しく
5)−2−メチル酪酸を得た。
iを仕込み、室温撹拌14.9gを滴下後、1時間反
応した。析出物を炉別し、炉液をエーテルで抽出後、エ
ーテル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去した残留物
をガラスチューブオーブン(GTO)にて減圧蒸留しく
5)−2−メチル酪酸を得た。
Y、 9.16g (56,2%)
b、p io!1℃/ 12m1h (GTO設定温
度)反応器に3,3′−ジフルオロ−4,4°−ジヒド
ロキシビフェニル2.8g、4−(ジメチルアミノ)ピ
リジン3.3g、ジシクロへキシルカメポジイミド5.
56gおよびクロロホルム70iLを仕込み室温撹拌下
に(S) −2−メチルブタン1a3gを加え、18時
間還流撹拌した。析出物を沢別し、r液を濃縮した。別
の容器に85%苛性カリ0.5gおよびメタノール10
011Lを仕込み、3℃に冷却し、先に得たsWi物を
加え10分間撹拌した。
度)反応器に3,3′−ジフルオロ−4,4°−ジヒド
ロキシビフェニル2.8g、4−(ジメチルアミノ)ピ
リジン3.3g、ジシクロへキシルカメポジイミド5.
56gおよびクロロホルム70iLを仕込み室温撹拌下
に(S) −2−メチルブタン1a3gを加え、18時
間還流撹拌した。析出物を沢別し、r液を濃縮した。別
の容器に85%苛性カリ0.5gおよびメタノール10
011Lを仕込み、3℃に冷却し、先に得たsWi物を
加え10分間撹拌した。
反応液を希塩酸に性別し、酢酸エチルで抽出後、酢酸エ
チル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して得られる
残留物を塩化メチレンを溶出液としたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製しくs) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(1−メチル10ピオニル)オキシ−4
′−ヒドロキシビフェニルを得た。
チル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して得られる
残留物を塩化メチレンを溶出液としたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製しくs) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(1−メチル10ピオニル)オキシ−4
′−ヒドロキシビフェニルを得た。
’/、 0.77g (18,2%) GLC9
9%反応器に(b)で得られた(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(1−メチルプロピオニル)オキシ−4
’−1=、ドロキシビフェニル0.3g、ピリジン数滴
およびベンゼン20m1.を仕込み、室温撹拌下に実施
例8− (a)で得たトランス−4−ブトキシシクロヘ
キサンカルボン酸クロライド0.27gのベンゼン10
nL温溶液滴下後、2時間還流撹拌した0反応液を水
に性態し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、芒硝
で乾燥し、溶媒を留去して得られる残留物をヘキサン/
酢酸エチル=1/10の混合溶媒を溶出液としたシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、次いでメタ
ノールで再、結晶して(s) −3,3’−ジフルオロ
−4−(1−メチルプロピオニル)オキシ−41−イル
トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
9%反応器に(b)で得られた(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(1−メチルプロピオニル)オキシ−4
’−1=、ドロキシビフェニル0.3g、ピリジン数滴
およびベンゼン20m1.を仕込み、室温撹拌下に実施
例8− (a)で得たトランス−4−ブトキシシクロヘ
キサンカルボン酸クロライド0.27gのベンゼン10
nL温溶液滴下後、2時間還流撹拌した0反応液を水
に性態し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、芒硝
で乾燥し、溶媒を留去して得られる残留物をヘキサン/
酢酸エチル=1/10の混合溶媒を溶出液としたシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、次いでメタ
ノールで再、結晶して(s) −3,3’−ジフルオロ
−4−(1−メチルプロピオニル)オキシ−41−イル
トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、 0.37g (77,1%)
この物の純度はII P I Cで99%以上であった
。またIRおよびMass分析で488に分子イオンピ
ークが認められたこと、並びに用いた原料の関係から、
得られた物質が目的物であることを確認した。
。またIRおよびMass分析で488に分子イオンピ
ークが認められたこと、並びに用いた原料の関係から、
得られた物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例17
反応器に2−クロロアニソール80gおよびクロロホル
ム30011 Lを仕込み室温撹拌下に臭素90gを3
時間以上かけて滴下した0反応液を希苛性ソーダ水溶液
に性態し、クロロホルム層を食塩水で洗浄、芒硝で乾燥
後、溶媒を留去して2−クロロ−4−ブロム−アニソー
ルを得た。
ム30011 Lを仕込み室温撹拌下に臭素90gを3
時間以上かけて滴下した0反応液を希苛性ソーダ水溶液
に性態し、クロロホルム層を食塩水で洗浄、芒硝で乾燥
後、溶媒を留去して2−クロロ−4−ブロム−アニソー
ルを得た。
Y、 121.9g (98,1%’) GLC9
8,9%反応器にマグネシウム末3.37gおよびヨウ
素の小片を仕込み、N2気流下に2−クロロ−4−ブロ
モアニソール30gのテトラヒドロフラン100nt溶
液を1/3量加え、加熱撹拌した0発泡して反応を開始
したのを確認後残りのテトラヒドロフラン溶液を反応液
が還流するよう6二滴下した0滴下後、2時間還流して
グリニヤール試薬を作成した。
8,9%反応器にマグネシウム末3.37gおよびヨウ
素の小片を仕込み、N2気流下に2−クロロ−4−ブロ
モアニソール30gのテトラヒドロフラン100nt溶
液を1/3量加え、加熱撹拌した0発泡して反応を開始
したのを確認後残りのテトラヒドロフラン溶液を反応液
が還流するよう6二滴下した0滴下後、2時間還流して
グリニヤール試薬を作成した。
別の容器にCjzPd(PPfis)z 1.Ogおよ
びテトラヒドロフラン50n応を仕込みN2気流中、撹
拌下にI M (1so−C,Ho)2A7Jl /ヘ
キサン溶液411、を加え、さらに2−クロロ−4−ブ
ロモアニソ−゛ル27.4gのテトラヒドロフラン10
0nt溶液を加え、50〜55℃に加温した後、先に作
成したグリニヤール試薬を滴下した0滴下後2時間還流
し、反応液を希塩酸に性態、ベンゼンで抽出、ベンゼン
層を水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去して得られる
残留物をエタノールで再結晶し、3.3’−ジクロロ−
4,4I−ジメトキシビフェニルを得た。
びテトラヒドロフラン50n応を仕込みN2気流中、撹
拌下にI M (1so−C,Ho)2A7Jl /ヘ
キサン溶液411、を加え、さらに2−クロロ−4−ブ
ロモアニソ−゛ル27.4gのテトラヒドロフラン10
0nt溶液を加え、50〜55℃に加温した後、先に作
成したグリニヤール試薬を滴下した0滴下後2時間還流
し、反応液を希塩酸に性態、ベンゼンで抽出、ベンゼン
層を水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去して得られる
残留物をエタノールで再結晶し、3.3’−ジクロロ−
4,4I−ジメトキシビフェニルを得た。
Y、 27..6g <78.8) GLo 9
6%反応器に(b)で得られた3、3r−ジクロロ−4
,41−ジメトキシビフェニル25g、48%臭化水素
酸水溶液360m Lおよび酢酸200m l、を仕込
み、15時間還流撹拌した0反応液を水に性態し、析出
物を枦取し、水洗後乾煤して3.31−ジクロロ−4,
4’−ジヒドロキシビフェニルを得た。
6%反応器に(b)で得られた3、3r−ジクロロ−4
,41−ジメトキシビフェニル25g、48%臭化水素
酸水溶液360m Lおよび酢酸200m l、を仕込
み、15時間還流撹拌した0反応液を水に性態し、析出
物を枦取し、水洗後乾煤して3.31−ジクロロ−4,
4’−ジヒドロキシビフェニルを得た。
Y、 20g (89,3%) GIC99%
反応器に85%苛性カリ2.1g、水1011L、[c
)で得た3、3電−ジクロロ−4,4+−ジヒドロキシ
ビフェニル8gおよびジメチルホルムアミド2 mLを
仕込み、2時間還流撹拌した。さらに還流下に(s)−
4−メチルヘキシルブロマイド6.2gのジオキサン1
0ISL溶液を加え、32時間還流した0反応液を水に
性態し、濃塩酸で酸性とした後、塩化メチレンで抽出し
、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し
、残留物をベンゼン/ヘキサン=1/1を溶出液とした
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、(s
)−3,3’−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル
)オキシ−41−ヒドロキシビフェニルを得た。
反応器に85%苛性カリ2.1g、水1011L、[c
)で得た3、3電−ジクロロ−4,4+−ジヒドロキシ
ビフェニル8gおよびジメチルホルムアミド2 mLを
仕込み、2時間還流撹拌した。さらに還流下に(s)−
4−メチルヘキシルブロマイド6.2gのジオキサン1
0ISL溶液を加え、32時間還流した0反応液を水に
性態し、濃塩酸で酸性とした後、塩化メチレンで抽出し
、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し
、残留物をベンゼン/ヘキサン=1/1を溶出液とした
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、(s
)−3,3’−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル
)オキシ−41−ヒドロキシビフェニルを得た。
Y、 3.56g (32,1%) GLC98
%の合成 反応器に(d)で得た(s) −3,3’−ジクロロ−
4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル0.4g
、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0.17g、ジシク
ロへキシルカルボジイミド0.25gおよびクロロホル
ム10 Iltを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−
へブチルオキシシクロヘキサンカルボン′fiMO,3
0gを加え、18時間還流撹拌した。析出物を沢別し、
炉液を濃縮し、残渣をベンゼンを溶出液としたシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、次いでメタノ
ールで再結晶して(S) −3,31−ジクロロ−4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−4I−イル トランス
−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレート
を得た。
%の合成 反応器に(d)で得た(s) −3,3’−ジクロロ−
4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル0.4g
、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0.17g、ジシク
ロへキシルカルボジイミド0.25gおよびクロロホル
ム10 Iltを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−
へブチルオキシシクロヘキサンカルボン′fiMO,3
0gを加え、18時間還流撹拌した。析出物を沢別し、
炉液を濃縮し、残渣をベンゼンを溶出液としたシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、次いでメタノ
ールで再結晶して(S) −3,31−ジクロロ−4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−4I−イル トランス
−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレート
を得た。
Y、 0.18g (27,7%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で577に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で577に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例18
実施例17− (0)に於けるトランス−4−へブチル
オキシシクロヘキサンカルボン酸0.30gに替えてト
ランス−4−ブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸0
.25gを用い、他は同様に操作して(s)−3,3’
−ジクロロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−4g
−イル トランス−4−ブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
オキシシクロヘキサンカルボン酸0.30gに替えてト
ランス−4−ブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸0
.25gを用い、他は同様に操作して(s)−3,3’
−ジクロロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−4g
−イル トランス−4−ブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
Y、 0.18g (29,5%)
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で535に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で535に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例19
実施例17− (d)に於ける(s) −4−メチルヘ
キシルブロマイド6.18gに替えて(s) −2−メ
チルブチルブロマイド5.34gを用い、他は同様に操
作して(s) −3,3’−ジクロロ−4−(2−メチ
ルブチル)オキシ−4+−ヒドロキシビフェニルを得た
。
キシルブロマイド6.18gに替えて(s) −2−メ
チルブチルブロマイド5.34gを用い、他は同様に操
作して(s) −3,3’−ジクロロ−4−(2−メチ
ルブチル)オキシ−4+−ヒドロキシビフェニルを得た
。
Y、 3.12g (30,6%) GLC98
%合成 実施例17−(e)に於ける(s) −3,3°−ジク
ロロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル0
.4 gおよびトランス−4−へ1チルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸0.30 gに替えて(a)で得た(
s)−3,3”−ジクoロー4−(2−メチルブチル)
オキシ−49−しドロキシビフェニル0.4gおよびト
ランス−4−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボンM
0.32gを用い、他は同様に操作して(s) −3,
3’−ジクロロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4
1−イル トランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボキシレートを得た。
%合成 実施例17−(e)に於ける(s) −3,3°−ジク
ロロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル0
.4 gおよびトランス−4−へ1チルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸0.30 gに替えて(a)で得た(
s)−3,3”−ジクoロー4−(2−メチルブチル)
オキシ−49−しドロキシビフェニル0.4gおよびト
ランス−4−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボンM
0.32gを用い、他は同様に操作して(s) −3,
3’−ジクロロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4
1−イル トランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボキシレートを得た。
Y、 0.25g (37,9%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で535に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で535に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化をIl!察した。その結果を表
1に示す。
、偏光顕微鏡下で相変化をIl!察した。その結果を表
1に示す。
実施例20
反応器に無水塩化アルミニウム113gおよび塩化メチ
レン600njtを仕込み0℃以下で撹拌下にアセチル
クロライド113gを滴下し、次いで4−ブロム−2−
フルオロビフェニル100 gの塩化メチレン400i
j溶液を滴下後、徐々に室温に戻しながら7時間撹拌反
応した6反応液を氷と希塩酸中に注加し、塩化メチレン
層を水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液洗浄、水洗し、芒
硝で脱水後溶媒を留去し、残留分をアセトンで再結晶し
て4−ブロム−2−フルオロ−4′−アセチルビフェニ
ルを得た。
レン600njtを仕込み0℃以下で撹拌下にアセチル
クロライド113gを滴下し、次いで4−ブロム−2−
フルオロビフェニル100 gの塩化メチレン400i
j溶液を滴下後、徐々に室温に戻しながら7時間撹拌反
応した6反応液を氷と希塩酸中に注加し、塩化メチレン
層を水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液洗浄、水洗し、芒
硝で脱水後溶媒を留去し、残留分をアセトンで再結晶し
て4−ブロム−2−フルオロ−4′−アセチルビフェニ
ルを得た。
Y、 96g (82,2%) GLC100%
反応器に(a)で得た4−ブロム−2−フルオロ−4′
−アセチルビフェニル65gおよび塩化メチレン300
m1を仕込み、10℃で撹拌下に88%ギ酸500nj
、無水酢酸480njを滴下し、さらに濃硫酸1.5
nJを加えた後、35%過酸化水素水150nJを3時
間を要して滴下し、滴下後徐々に昇温して45〜50℃
で30時間撹拌反応しな0反応液を氷水に注加し、ベン
ゼンで抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗、
芒硝脱水を行い、溶媒を留去し、残留分を得た。この残
留分とエチルアルコール2Jを別の反応器に仕込み、こ
れに25%苛性カリ水溶液を加え、8時間還流撹拌した
0反応液を氷と希塩酸中に注加しベンゼンで抽出、食塩
水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液ベンゼン)に
て精製し、4−ブロム−2−フルオロ−4′−ヒドロキ
シビフェニルを得た。
反応器に(a)で得た4−ブロム−2−フルオロ−4′
−アセチルビフェニル65gおよび塩化メチレン300
m1を仕込み、10℃で撹拌下に88%ギ酸500nj
、無水酢酸480njを滴下し、さらに濃硫酸1.5
nJを加えた後、35%過酸化水素水150nJを3時
間を要して滴下し、滴下後徐々に昇温して45〜50℃
で30時間撹拌反応しな0反応液を氷水に注加し、ベン
ゼンで抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗、
芒硝脱水を行い、溶媒を留去し、残留分を得た。この残
留分とエチルアルコール2Jを別の反応器に仕込み、こ
れに25%苛性カリ水溶液を加え、8時間還流撹拌した
0反応液を氷と希塩酸中に注加しベンゼンで抽出、食塩
水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液ベンゼン)に
て精製し、4−ブロム−2−フルオロ−4′−ヒドロキ
シビフェニルを得た。
Y、 28.1g (47,5%)
反応器に(b)で得た4−ブロム−2−フルオロ−41
−しドロキシビフェニル5g、(s)−4−メチルヘキ
シルブロマイド4.0g、炭酸カリ6gおよび2−ブタ
ノン(MEに) 50m、l!を仕込み、撹拌還流下に
8時間反応した0反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで
抽出、水洗、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をガ
ラスチュウブオーブン(GTO)にて蒸留して得られる
留分(GTQ設定温度165℃10.2511118(
J)をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液ヘ
キサン:ベンゼン=4:1)で精製し、(s) −4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロ−41
−ブロムビフェニルを得た。
−しドロキシビフェニル5g、(s)−4−メチルヘキ
シルブロマイド4.0g、炭酸カリ6gおよび2−ブタ
ノン(MEに) 50m、l!を仕込み、撹拌還流下に
8時間反応した0反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで
抽出、水洗、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をガ
ラスチュウブオーブン(GTO)にて蒸留して得られる
留分(GTQ設定温度165℃10.2511118(
J)をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液ヘ
キサン:ベンゼン=4:1)で精製し、(s) −4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロ−41
−ブロムビフェニルを得た。
Y、 4.47g (65,4%) TLCモノ
スポット反応器にマグネシウム末065gおよびヨウ素
の小片を仕込み、これに(C)で得た(S)−4−(4
−メチルヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−41−ブ
ロムビフェニル6gのテトラヒドロフラン20 nJ温
溶液少量加え、発泡して反応を開始(必要におおじて加
熱する)後、残りのテトラヒドロフラン溶液を還流を保
つように撹拌下に滴下し、滴下後、2時間撹拌還流して
グリニヤール試薬を作成した。
スポット反応器にマグネシウム末065gおよびヨウ素
の小片を仕込み、これに(C)で得た(S)−4−(4
−メチルヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−41−ブ
ロムビフェニル6gのテトラヒドロフラン20 nJ温
溶液少量加え、発泡して反応を開始(必要におおじて加
熱する)後、残りのテトラヒドロフラン溶液を還流を保
つように撹拌下に滴下し、滴下後、2時間撹拌還流して
グリニヤール試薬を作成した。
別の容器に硼酸トリブチル7gを仕込み、これに先に作
成したグリニヤール試薬を、撹拌下に50℃で滴下し、
同温度で2時間撹拌反応した。
成したグリニヤール試薬を、撹拌下に50℃で滴下し、
同温度で2時間撹拌反応した。
次いで水冷下に、10%硫酸水溶液を撹拌しながら滴下
し、これにベンゼン100njを加えて抽出後ベンゼン
層を分離し、これに35%過酸化水素水20 mjを5
5℃で撹拌下に滴下しさらに1時間同温度で撹拌反応し
た0反応液を水に注加し、ベンゼン層を5%亜硫酸ナト
リウム水溶液で洗浄し、水洗、芒硝乾燥後、溶媒を留去
し、残留分をベンゼンを溶出液としたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製し、(S) −4−(4−
メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロ−4’−ヒド
ロキシビフェニルを得た。
し、これにベンゼン100njを加えて抽出後ベンゼン
層を分離し、これに35%過酸化水素水20 mjを5
5℃で撹拌下に滴下しさらに1時間同温度で撹拌反応し
た0反応液を水に注加し、ベンゼン層を5%亜硫酸ナト
リウム水溶液で洗浄し、水洗、芒硝乾燥後、溶媒を留去
し、残留分をベンゼンを溶出液としたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製し、(S) −4−(4−
メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロ−4’−ヒド
ロキシビフェニルを得た。
Y、 1.37g (27,6%) GLC98
%の合成 反応器に(d)で得られた(s) −4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4′−ヒドロキシ
ビフェニル0.25 g、ピリジン数滴およびベンーゼ
ン20IIjを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−ヘ
プチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.24
gのベンゼン5 nj温溶液滴下し、滴下後3時間還流
撹拌した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出、水洗
、芒硝で乾燥後、溶媒を留去した残留分をヘキサン/ベ
ンゼン=1/1を溶出液としたシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製しく5)−4−(4−メチルヘキ
シル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−41−イル
トランス−4−へブチルシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
%の合成 反応器に(d)で得られた(s) −4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4′−ヒドロキシ
ビフェニル0.25 g、ピリジン数滴およびベンーゼ
ン20IIjを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−ヘ
プチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.24
gのベンゼン5 nj温溶液滴下し、滴下後3時間還流
撹拌した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出、水洗
、芒硝で乾燥後、溶媒を留去した残留分をヘキサン/ベ
ンゼン=1/1を溶出液としたシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製しく5)−4−(4−メチルヘキ
シル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−41−イル
トランス−4−へブチルシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、 0.32g (76,2%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびHaSS分析で510に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびHaSS分析で510に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表2に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表2に
示す。
実施例21
成
実施例20の(e)におけるトランス−4−ヘプチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、(S)−4−(4−メ
チルヘキシル)オキシ−2+−フルオロビフェニル−4
′−イルトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサン
カルボキシレートを得た。
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、(S)−4−(4−メ
チルヘキシル)オキシ−2+−フルオロビフェニル−4
′−イルトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサン
カルボキシレートを得た。
Y、 0.29g (69,0%)
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で512に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で512に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化をa察した。その結果を表2に
示す。
、偏光顕微鏡下で相変化をa察した。その結果を表2に
示す。
実施例22
反応器に(s) −1−メ□チルへキシルトシレート1
1.2g、実施例20の(b)で得た4−ブロム−2−
フルオロ−4′−しドロキシビフェニル10g、炭酸カ
リ10.5 gおよびシクロヘキサノン100mjを仕
込み、120〜130℃で13時間加熱撹拌した。
1.2g、実施例20の(b)で得た4−ブロム−2−
フルオロ−4′−しドロキシビフェニル10g、炭酸カ
リ10.5 gおよびシクロヘキサノン100mjを仕
込み、120〜130℃で13時間加熱撹拌した。
反応液を希塩酸に注加し、ベンゼン抽出、水洗、芒硝乾
燥後溶媒を留去し、残留分をガラスチューブオーブン(
GTO)にて減圧蒸留し、次いでヘキサンを溶出液とし
たカラムクロマトグラフィーにて精製し、(s) −4
−(1−メチルヘキシル)オキシ−2I−フルオロ−4
1−ブロムビフェニルを得た。
燥後溶媒を留去し、残留分をガラスチューブオーブン(
GTO)にて減圧蒸留し、次いでヘキサンを溶出液とし
たカラムクロマトグラフィーにて精製し、(s) −4
−(1−メチルヘキシル)オキシ−2I−フルオロ−4
1−ブロムビフェニルを得た。
Y、 6.7g (48,9%)
b、p 1eo℃/ 0.25nn+Ha (GTO
設定温度)実施例20の(d)における(s) −4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4#
−ブロムビフェニルに替えて(a)で得た(S)−4−
(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4′
−ブロムビフェニルを用い、池は同様に操作して、(S
)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−21−フルオ
ロ−41−ヒドロキシビフェニルを得た。
設定温度)実施例20の(d)における(s) −4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4#
−ブロムビフェニルに替えて(a)で得た(S)−4−
(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4′
−ブロムビフェニルを用い、池は同様に操作して、(S
)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−21−フルオ
ロ−41−ヒドロキシビフェニルを得た。
Y、 2.1g (42,3%) GLC100%
反応器に(b)で得た(S)−4−(1−メチルヘキシ
ル)オキシ−2′−フルオロ−4′−ヒドロキシビフェ
ニル0.3 g、ピリジン数滴およびベンゼン20 n
ilを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−へブチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0.29gのベンゼ
ン20 nJ浴溶液滴下し、滴下f& 2時間還流撹拌
した0反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出、水洗、芒
硝で乾燥後、溶媒を留去し、残留分をヘキサン/ベンゼ
ン=3/1を゛溶出液としたシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製し、次いでメタノール/アセトン=
3/1の混合溶媒で再結晶して(S)−4−(1−メチ
ルヘキシル)オキシ−21−フルオロビフェニル−4′
−イル トランス−4−ヘプチルシクロヘキサンカルボ
キシレートを得た。
反応器に(b)で得た(S)−4−(1−メチルヘキシ
ル)オキシ−2′−フルオロ−4′−ヒドロキシビフェ
ニル0.3 g、ピリジン数滴およびベンゼン20 n
ilを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−へブチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0.29gのベンゼ
ン20 nJ浴溶液滴下し、滴下f& 2時間還流撹拌
した0反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出、水洗、芒
硝で乾燥後、溶媒を留去し、残留分をヘキサン/ベンゼ
ン=3/1を゛溶出液としたシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製し、次いでメタノール/アセトン=
3/1の混合溶媒で再結晶して(S)−4−(1−メチ
ルヘキシル)オキシ−21−フルオロビフェニル−4′
−イル トランス−4−ヘプチルシクロヘキサンカルボ
キシレートを得た。
Y、 0.3g (80,0%)
この物の純度はhptcで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で510に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で510に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、閤光顕an下で相変化を観察した。その結果を表2に
示す。
、閤光顕an下で相変化を観察した。その結果を表2に
示す。
実施例23
実施例21の(C)に於けるトランス−4−へブチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、(S) −4−(1−
メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロビフェニル−
41−イルトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボキシレートを得た。
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、(S) −4−(1−
メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロビフェニル−
41−イルトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボキシレートを得た。
V、 0.32g (62,7%)
この物の純度はHptcで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で512に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
RおよびMass分析で512に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトシー。ホットステージFP−82にはさ
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表2
に示す。
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表2
に示す。
実施眞24
上記、実施例11で得られた(A)と公知物質である(
B)とを、重量比1:1の割合で混合し強誘電性液晶組
成物を作製した。この組成物をメトラーホットステージ
FP−82にはさみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察した
。その結果を下表に示す。
B)とを、重量比1:1の割合で混合し強誘電性液晶組
成物を作製した。この組成物をメトラーホットステージ
FP−82にはさみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察した
。その結果を下表に示す。
本組成物は降温時、−5°C以下まで冷却してもSnC
”相を示し、室温を含む広い温度範囲でSnC”を有す
る液晶組成物が得られた。
”相を示し、室温を含む広い温度範囲でSnC”を有す
る液晶組成物が得られた。
この組成物を表面にポリビニルアルコールを塗布し、ラ
ビング処理した2枚の透明電極を有するガラス基板を用
い、ラビング方向が平行で、セル厚が3μmとなるよう
に作製した液晶セルに封入し、等方性液体からSnC”
相まで徐冷した。
ビング処理した2枚の透明電極を有するガラス基板を用
い、ラビング方向が平行で、セル厚が3μmとなるよう
に作製した液晶セルに封入し、等方性液体からSnC”
相まで徐冷した。
この液晶セルを2枚の偏光板にはさみ、電圧を印加し、
極性を反転させると表示状態が変化した。これらのこと
から、この液晶組成物は電気光学素子に利用できる強誘
電性液晶組成物である。
極性を反転させると表示状態が変化した。これらのこと
から、この液晶組成物は電気光学素子に利用できる強誘
電性液晶組成物である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中Rは炭素原子数1〜16のアルキル基であり、R
^*は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、Yおよび
Zはそれぞれ単結合を表わすか、O、COO、およびO
COのいずれかを表わし、X_1、X_2、X_3およ
びX_4は、それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素
原子を表わす。ただし、X_1、X_2、X_3および
X_4のうちの少なくとも2つは水素原子であり、Yが
Oであつて、かつ、ZがCOOである場合はX_1、X
_2、X_3およびX_4は同時に水素原子ではないも
のとする)で表わされる光学活性シクロヘキサンカルボ
ン酸化合物。 2)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
およびX_4の中のいずれか1つがフッ素原子または塩
素原子で他が水素原子である請求項1記載の光学活性シ
クロヘキサンカルボン酸化合物。 3)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
およびX_4の中のいずれか2つが同時にフッ素原子或
いは塩素原子で他が水素原子である請求項1に記載の光
学活性シクロヘキサンカルボン酸化合物。 4)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
およびX_4の中のX_1とX_3、X_1とX_4、
X_2とX_3またはX_2とX_4が同時にフッ素原
子或いは塩素原子である請求項1に記載の光学活性シク
ロヘキサンカルボン酸化合物。 5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中Rは炭素原子数1〜16のアルキル基であり、R
^*は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、Yおよび
Zはそれぞれ単結合を表わすか、O、COO、およびO
COのいずれかを表わし、X_1、X_2、X_3およ
びX_4は、それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素
原子を表わす。ただし、X_1、X_2、X_3および
X_4のうちの少なくとも2つは水素原子であり、Yが
Oであつて、かつ、ZがCOOである場合はX_1、X
_2、X_3およびX_4は同時に水素原子ではないも
のとする)で表わされる光学活性シクロヘキサンカルボ
ン酸化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とす
る液晶組成物。 6)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
およびX_4の中のいずれか1つがフッ素原子または塩
素原子で他が水素原子である請求項5に記載の液晶組成
物。 7)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
およびX_4の中のいずれか2つが同時にフッ素原子或
いは塩素原子で他が水素原子である請求項5に記載の液
晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63126933A JP2684560B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63126933A JP2684560B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01299258A true JPH01299258A (ja) | 1989-12-04 |
JP2684560B2 JP2684560B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=14947493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63126933A Expired - Lifetime JP2684560B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2684560B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-05-26 JP JP63126933A patent/JP2684560B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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---|---|
JP2684560B2 (ja) | 1997-12-03 |
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