JPH01299258A - シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 - Google Patents

シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物

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JPH01299258A
JPH01299258A JP12693388A JP12693388A JPH01299258A JP H01299258 A JPH01299258 A JP H01299258A JP 12693388 A JP12693388 A JP 12693388A JP 12693388 A JP12693388 A JP 12693388A JP H01299258 A JPH01299258 A JP H01299258A
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杉浦 淳
Hiromi Inoue
裕美 井上
Tsunenori Fujii
藤井 恒宣
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は新規な液晶性化合物並びにこの液晶性化合物の
少なくとも1種を含有することを特徴とする液晶組成物
に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液晶に関
し、実用的強誘電性液晶組成物作製の際、その組成成分
として有用で且つ化学的安定性に優れた新規なシクロヘ
キサンカルボン酸化合物並びにこのシクロヘキサンカル
ボン酸化合物の少なくとも1種を含有する液晶組成物に
関する。
[従来技術] 液晶表示素子は受光型で目が疲れない、低消費電力、薄
型である等の優れた特徴を有しているため、現在では時
計、電卓、パーソナルワープロ、ポケットテレビ等の各
種表示素子として使用されている。しかし、これらはネ
マチック液晶を用いた表示素子であり、前記特徴を有す
るものの欠点として応答が遅い、表示のメモリー性がな
い等のため、高速応答が要求される表示素子へ応用する
には種々の制約があり、適したものであるとは言えない
強#i4電性液晶がR,B、 Meyer等[phys
 1QLIe、36L−69(1975) ]により見
いだされ、この強誘電性液晶がN、^、CIark、 
S、T、Laoerwall等[hp I 。
Phys、1ett、、 36899 (1980) 
]により、ネマチック液晶に比べ100〜1000倍の
高速応答、およびメモリー性を有することが発表されて
以来、この方式による前記問題点の解決が期待できる処
から、各方面で活発に研究が進められている。
この表示方式は強誘電性液晶の主にカイラルスメクチッ
クC相(5IIC”と略称)を利用するものであり、S
nC”相を有する化合物は既に、これまでにも多数知ら
れている。
代表的な物質としては(S) −2−メチルブチルp−
デシルオキシベンジリデン−po−アミノシンナメート
(略称DOBAHBC)等のシッフ塩基系の化合物があ
るが、光あるいは水に対する安定性が悪い、そのもの自
身が有色である等の欠点があり実用的ではない、これら
を改善すべく研究され、これ迄に無色で化学的に安定な
芳香環カルボン酸エステル系化合物が主に発表されてい
る。また一方ではSlc”物質で有り、且つより高速応
答である物質の研究も行われている。
強誘電性液晶における応答速度はτ=η/Ps・Eで表
され応答速度(τ)は粘性(η)に比例し、自発分極(
Ps)および電界(E)に反比例する。すなわち自発分
極の大きい物質であるほど、粘性の低い物質であるほど
より高速応答を可能とすることになる。
最近では自発分極の大きい物質を得ることにより応答の
高速化を図る研究も活発に進められている。
このように表示素子に供しうる実用的強誘電性液晶物質
の研究は種々性われているが、未だ充分とは言えず、種
々の新規強誘電性液晶物質の開発が望まれている。
[発明の開示] 本発明者らは、化学的に安定で、5raC*相温度幅が
広く、また粘性の低い強誘電性液晶物質を提供するため
鋭意研究したところ、本発明により、これらのJt特性
をそなえた新規な強誘電性液晶物質を提供することに成
功した。
すなわち、本発明は、−数式 (式中Rは炭素原子数1〜16のアルキル基であり、R
は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、YおよびZは
それぞれ単結合を表わすか、0、C00、およびOCO
のいずれかを表わし、Xl、X2、XlおよびX、は、
それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素原子を表わす
、ただし、Xr 、X2 、XsおよびX、のうちの少
なくとも2つは水素原子であり、Yが0であって、かつ
、Zが000である場合はXr 、X2 、Xsおよび
X4は同時に水素原子ではないものとする)で表わされ
る光学活性シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにこれ
らの化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とす
る液晶組成物を提供するものである。
本発明に係わる新規強誘電性液晶化合物は、それ自体単
独で、Sac”相を有する場合はもちろん、有しない場
合でも液晶組成物作製時の特性(例えば粘性)を調製す
るために有効に使用することができる化合物である。
本発明の新規な強誘電性液晶化合物はベンゼン環を有す
る同系化合物例えば、 であり、ベンゼン環に比べ非共役系であるシクロヘキサ
ン環の存在、およびビフェニル骨格にフッ素原子を有す
ることにより前記の公知化合物に比べ粘性が低下し、そ
の結果応答速度が向上したと考えられる。またビフェニ
ル環にハロゲン原子、特にフッ素原子を有する化合物は
、置換基を有しないものに比べ格別に広い5IIC*相
温度幅を示す。
以下に本発明に係わる化合物の合成例、および実施例に
より本発明をさらに具体的に説明する。これらの合成例
、および実施例はいずれも例示であって、その他の種々
の経路、方法によっても合成することが可能であり、こ
れらの合成例、および実施例により本発明は制約されな
い。
合成例 合物は特開昭56−120636号公報、特開昭56−
125342号公報に記載の方法に準じて合成すること
ができ、またYがC00である化合物は、式から、さら
に、YがOCOである化合物は、式からそれぞれ、合成
できる。
合物は次の合成経路を経て合成できる。
実施例中に記載されている略記号は以下のとおりの意味
を有する。
GIG      ガスクロマトグラフィーHPLC高
速液体クロマトグラフィー Ill      赤外線吸収スペクトルMass  
   質量分析 1、p   融点 C結晶 Sx      同定出来なかったスメクチック相SR
スメクチックB相 Sn+C、Sc   カイラルスメクチックC相SA 
     スメクチックA相 ch      コレステリック相 1     等方性液体 ?     温度不明 2H42−メチルブチル 4864−メチルヘキシル 1H31−メチル10ビル 1H41−メチルブチル 1H61−メチルヘキシル 1H71−メチルへブチル 実施例1 反応器にシクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸8g、
塩化チオニル16.6gおよびベンゼン301応を仕込
み、8時間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルをベンゼン
とともに共沸留去し、残留物を130℃で1時間加熱撹
拌後、減圧蒸留(b、 p130〜134℃/9111
1HQ)した、これをヘキサンで再結晶しトランス−シ
クロヘキサン−1,4−ジカルボン酸クロライドを得た
Y、 5.1g (52,5%)   GIC97,4
%反応器に(a)で得たトランス−シクロヘキサン−1
,4−ジカルボン酸クロライド25.2gおよびベンゼ
ン100m1.を仕込み、撹拌、氷水冷(〜10℃)下
にブタノール10g、ピリジン11gおよびベンゼン1
50mLから成る溶液を滴下後、45〜55℃で2時間
反応した。
反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出後、水洗し、
溶媒を留去した。残留物を炭酸水素ナトリウム水溶液で
処理し、不溶物を濾過して除いたr液をベンゼンで洗浄
後、水層を濃塩酸で酸性と゛した。析出物をベンゼンで
抽出し、水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し残留物(ト
ランス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカ
ルボン酸)を得た。
Y、  10.6g (34,1%)   GLC94
%反応器に(b)で得たトランス−4−ブチルオキシカ
ルボニルシクロヘキサンカルボン酸5gおよびベンゼン
40niを仕込み、室温撹拌下に塩化チオニル8gを加
えた後、5時間還流撹拌した0反応終了後、過剰の塩化
チオニルをベンゼンとともに共沸留去し、残留物(トラ
ンス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド)を得た。
Y、 5.4g 合成 反応器に4−(2−メチルブチル)オキシ−4′−ヒド
ロキシビフェニル1g、ピリジン0.36gおよびベン
ゼン30ngを仕込み、室温撹拌下に(C)で得たトラ
ンス−4−ブチルオキシカルボニルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド1.06gのベンゼン10nt溶液を
滴下し、滴下後、7時間還流撹拌した6反応液を水に注
加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニ
ア水処理、水洗し、芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られ
る残留物をメタノールで再結晶し、(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシビフェニル−4′−イル トラン
ス−4−プチルオキシ力ルポニルシクロヘキサン力ルポ
キシレートを得た。
Y、  0.83g (45,6%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で466に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光PR鏡下で相変化を観察した。その結果“を表1
に示す。
実施例2 成 反応器に(S)−4−(2−メチルブチル)オキシカル
ボニル−4′−ヒドロキシビフェニル1.02g、ピリ
ジン0.36gおよびベンゼン3Org応を仕込み、室
温撹拌下に実施例1−(C)で得たトランス−4−ブチ
ルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド0.95gのベンゼン10 riL溶液を滴下し、滴
下後、7時間還流撹拌した0反応液を水に注加し、ベン
ゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、アンモニア水処理、
水洗し、芒硝乾燥後、溶媒を留去して得られる残留物を
メタノール−アセトン混合溶媒で再結晶し、(s) −
4−(2−メチルブチル)オキシカルボニルビフェニル
−41−イル トランス−4−プチルオキシ力ルポニル
シクロヘキサン力ルポキシレートを得た。
Y、  1.07g (60,5%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またT
RおよびMass分析で494に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例3 (a)  C,H,0COOCOOHの合成実施例1−
(b)に於けるブタノール10.1gに替えてエタノー
ル5.6gを用い、他は同様に操作してトランス−4−
エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸を得た。
Y、 8.31 g (34,5%)   GIC99
%(b)C2H50COOCOCLの合成実施例1−(
c)に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシクロ
ヘキサンカルボン酸5gに替えて(a)で得られたトラ
ンス−4−エトキシカル−ボニルシクロヘキサンカルボ
ン酸3.87gを用い、他は同様に操作してトランス−
4−エトキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロ
ライドを得た。
Y、  4.49g の合成 実施例2に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0、95 gに替え
て[b)で得られたトランス−4−エトキシカルボニル
シクロヘキサンカルボン酸クロライド0.85gを用い
他は同様に操作して(S)−4−(2−メチルブチル)
オキシカルボニルビフェニル−41−イル トランス−
4−エトキシ力ルポニルシクロヘキサン力ルポキシレー
トを得た。
Y、  0.93g  (56%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
Rおよび14aSS分析で466に分子イオンピークが
認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られ
た物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例4 ta)C,H,、OCO<IE)−COOHの合成実施
例1− (b)に於けるブタノール10.1 gに替え
てヘキシルアルコール13.4gを用い、他は同様に操
作してトランス−4−へキシルオキシカルボニルシクロ
ヘキサンカルボン酸を得た。
’1. 10.7g (31,8%) +b)Call、10cO<E>C0Ct  の合成実
施例1− (c)に於けるトランス−4−ブトキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸5gに替えて(a)で
得られたトランス−4−へキシルオキシ力ルポニルシク
ロヘキサンカルボン酸4.07 gを用い、他は同様に
操作してトランス−4−ヘキシルオキシカルボニルシク
ロヘキサンカルボ゛ン酸クロライドを得た。
Y、  4.55g の合成 実施例2に於けるトランス−4−ブトキシカルボニルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0、95 gに替え
て(b)で得られたトランス−4−へキシルオキシカル
ボニルシクロヘキサンカルボン酸クロライド1.04g
を用い他は同様に操作して(s)−4−(2−メチルブ
チル)オキシカルボニルビフェニル−4「−イル 4−
ヘキシルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、  0179g (38,3%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で522に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下、で相変化を観察した。その結果を表1
に示す。
実施例5 反応器にトランス−4−ヒドロキシシクロヘキサンカル
ボン酸i0.3gおよび無水10ピオン酸40mtを仕
込み、さらに濃硫酸2滴を加え、50〜60℃で3時間
撹拌反応した6反応液を水に注加し、炭酸水素ナトリウ
ムでDH8とし、エーテルで洗浄した。水層を希塩酸で
酸性とし、エーテルで抽出後、エーテル層を水洗し、芒
硝乾燥し、溶媒を留去して残留物(トランス−4=プロ
ピオニルオキシシクロヘキサンカルボン酸)を得た。
’f、  4.73g (33,1%)   GLC9
7%反応器に(a)で得たトランス−4−プロピオニル
オキシシクロヘキサンカルボン酸4.7gおよびベンゼ
ン201Lを仕込み、室温撹拌下に塩化子オ′ニル5.
9gを加え、6時間還流撹拌後、過剰の塩化チオニルを
ベンゼンとともに共沸留去し残留物(トランス−4−プ
ロピオニルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド
)を得た。
Y、 3.6g の合成 反応器に(s) −4−(2−メチルブチル)オキシカ
ルボニル−41−ヒドロキシビフェニル1.8g、ピリ
ジン数滴およびベンゼン30IILを仕込み、室温撹拌
下に(b)で得たトランス−4−プロピオニルオキシシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド1.92gのベンゼ
ン10IIL溶液を滴下後、7時間還流撹拌した反応液
を水に注加し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗し
、アンモニア水処理、水洗、芒硝乾燥し、溶媒を留去し
た残留物をメタノールで再結晶して(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシカルボニルビフェニル−4?−イ
ル トランス−4−プロビオニルオキシシクロヘキサン
力ルポキシレートを得な。
Y、  1.08g (36,6%) この物の純度はII P L Cで99%以上であった
。またIRおよびMass分析で466に分子イオンビ
ークが認められたこと、並びに用いた原料の関係から、
得られた物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例6 実施例5− (C)に於ける(s) −4−(2−メチ
ルブチル)オキシカルボニル−4′−ヒドロキシビフェ
ニル1,8gに替えて(S)−4−(2−メチルブチル
)オキシ−4′−ヒドロキシビフェニル1.6gを用い
、他は同様に操作して(S) −4−(−2−メチルブ
チル)オキシビフェニル−4v−イル トランス−4−
プロピオニルオキシシクロヘキサン力ルポキシレートを
得な。
Y、  0.83g (29,9%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で438に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、面光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例7 反応器に2−フルオロアニソール128gおよびクロロ
ホルム25n+tを仕込み、室温撹拌下に臭素177g
を3時間以上かけて滴下した0反応液を希苛性ソーダ水
溶液に性別し、クロロホルム層を分取し、食塩水にて洗
浄後、芒硝で乾燥し、溶媒を留去、残留物を減圧蒸留し
て2−フルオロ−4−ブロモアニソールを得た。
V、 192g (92,3%) b、p  107〜b GLC99%以上 反応器にマグネシウム末2.37gおよびヨウ素の小片
を仕込み、N2気流下に2−フルオロ−4−ブロモアニ
ソール20gのテトラヒドロフラン40n4溶液を1/
3量加え、加熱撹拌した。
発泡して反応を開始したのを確認後、残りのテトラヒド
ロフラン溶液を反応液が還流するように滴下した0滴下
後、2時間還流してグリニヤール試薬を作成した。
別の容器にCjzPd(PPhs)20.8 gおよび
テトラヒドロフラン30aRを仕込みN2気流中、撹拌
下にI M (1so−C4He)2AtH/ヘキサン
溶液211、を加え、さらに2−フルオロ−4−ブロモ
アニソール18.2gのテトラヒドロフラン501g。
溶液を′加え、50〜55℃に加温した後、先に作成し
たグリニヤール試薬を滴下した0滴下後2時間還流し、
反応液を希塩酸に性別、ベンゼンで抽出、ベンゼン層を
水洗、芒硝乾燥後、ベンゼンを留去して得られる残留物
をヘキサン−ベンゼン混合溶媒で再結晶し、3,3′−
ジフルオロ−4,4′−ジメトキシビフェニルを得た。
Y、  16.8g (75,7%)   GLC96
%反応器に(b)で得られた3、3′−ジフルオロ−4
,41−ジメトキシビフェニル15g、48%臭化水素
酸水溶液15011および酢酸100niを仕込み、1
0時間還流撹拌した6反応液を水に性別し、析出物を枦
取後、乾燥して3.3t−ジフルオロ−4,41−ジヒ
ドロキシビフェニルを得た。
Y、  1.2g (90,2%)    GLC99
%反応器に85%苛性カリ0.9 g、水10nt、(
c)で得た3、3電−ジフルオロ−4,4′−ジヒドロ
  、キシビフェニル3gおよびジメチルホルムアミド
2 Itを仕込み、2時間還流撹拌した。さらに還流下
に(s) −4−メチルヘキシルブロマイド2.4gの
ジオキサン10rel、溶液を加え、21時間還流した
0反応液を水に性別し、濃塩酸で酸性とした後、塩化メ
チレンで抽出し、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥後
、溶媒を留去し、残留物をベンゼンを溶出液としたシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、(S) 
−3,3°−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル)
オキシ−4°−ヒドロキシビフェニルを得た。
Y、  1.63g (37,7%)   GIC98
%反応器にトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボン酸2.03g、ベンゼン201iおよび塩化
チオニル4gを仕込み、6時間還流撹拌した後、過剰の
塩化チオニルをベンゼンとともに共沸留去し残留物(ト
ランス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸
クロライド)を1な。
Y、  2.36g   GLC99%の合成 反応器に(d)で得られた(S) −3,3’−ジフル
オロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−4f−ヒド
ロキシビフェニル0.41g、ピリジン数滴およびベン
上220m応を仕込み、室温撹拌子に(e)で得たトラ
ンス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド0.35gのベンゼン101Q溶液を滴下し、
4時間還流撹拌した。
反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出し、ベンゼン層を
水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、ベ
ンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー、次いでメタノ−ルーア七トン混合溶媒で再結晶し
て(S)−3,3°−ジフルオロ−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシビフェニル−41−イル トランス−4
−へキシルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。
Y、  0.66g (97,1%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で530に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例8 実施例7− (e)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03 gに替えてト
ランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸3gを
用い、他は同様に操作してトランス−4−ブトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド3.2gを得た。
の合成 実施例7− (f)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−ブトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.31gを用い、他
は同様に操作して、(S)−3,3°−ジフルオロ−4
−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−4′−イ
ル トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
Y、  0.41g (64,1%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で502に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例9 実施例7− (e)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸2.03gに替えてトラ
ンス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸2
.25gを用い、他は同様に操作してトランス−4−へ
ブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド2.
45gを得た。
の合成 実施例7− (f)に於けるトランス−4−ヘキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−へブチルオキ
シシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.4gを用い
、他は同様に操作して(s)−3,3°−ジフルオロ−
4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−41−
イル トランスー4−へブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
’I’、  0.39g (57,4%)この物の純度
はHPLCで98%以上であった。またIRおよびMa
ss分析で544に分子イオンピークが認められたこと
、並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的物
であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例10 +a)C)130()COCz  の合成実施例7− 
(e)に於けるトランス−4−へキシルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸2.03gに替えてトランス−4−メ
トキシシクロヘキサンカルボン酸1.55g用い、他は
同様に操作してトランス−4−メトキシシクロヘキサン
カルボン酸クロライド1.8gを得た。
合成 実施例7− (f)に於けるトランス−4−へキシルオ
キシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて(a)で得られたトランス−4−メトキシシク
ロヘキサンカルボン酸クロライド0.27gを用い、他
は同様に操作して、(S)−3,3°−ジフルオロ−4
−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル−4′−イ
ル トランス−4−メトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
Y、  0.08g (5,5%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で460に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例11 実施例7− (d)に於ける(S) −4−メチルヘキ
シルブロマイド2.4gに替えて(S)−2−メチルブ
チルブロマイド2.04gを用い、他は同様に操作して
(s)−3,3’−ジフルオロ−4−(2−メチルブチ
ル)オキシ−4“−ヒドロキシビフェニルを得た。
V、  1.17g (43,6%)   GLC98
%合成 反応器に(a)で得られた(s) −3,3’−ジフル
オロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4°−ヒドロ
キシビフェニル0.4g、ピリジン数滴およびベンゼン
20IILを仕込み、室温撹拌下に実施例9− (a)
で得たトランス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボン酸クロライド0.39gのベンゼン10ni溶液
を滴下し、4時間還流撹拌した。
反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出し、ベンゼン層を
水洗、芒鞘で乾燥後、ベンゼンを留去した残留物を、ベ
ンゼンを溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー、次いでメタノール−アセトン混合溶媒で再結晶し
て(S) −3,3′−ジフルオロ−4−(2−メチル
ブチル)オキシビフェニル−4マーイル トランス−4
−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレートを得
た。
Y、  0.22g (22,2%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で516に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施pA12 実h1例11− (b)に於けるトランス−4−ヘプチ
ルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.39
gに替えて実施例8− (a)で得られたトランス−4
−ブトキシシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.3
4gを用い、他は同様に操作して(s)−3,3’−ジ
フルオロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4′−イ
ル トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシ
レートを得た。
Y、  0.45g (67,2%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で474に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージF、P−82にはさ
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1
に示す。
実施例13 反応器に(s) −2−オクタツール3.46gおよび
ピリジン30n&を仕込み、水冷撹拌下にp −トルエ
ンスルホニルクロライド5.1gを加え、5時間撹拌し
た0反応液を希塩酸に性別し、ベンゼンで抽出後、ベン
ゼン層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して残留物(
(S) −1−メチルへブチル トシレート)を得た。
Y、  6.26g 実施例7− (d)に於ける(s) −4−メチルヘキ
シルブロマイド2.4gに替えて(a)で得られた(s
) −1−メチルへ1チル トシレート3.83gを用
い、他は同様に繰作して(s) −3,3’−ジフルオ
ロ−4−(1−メチルへブチル)オキシ−4′−ヒドロ
キシビフェニルを得た。
Y、  1.33g (29,5%)   GIC98
%実施例7− (f)に於ける(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−41−
ヒドロキシビフェニル0.41gに替えて(b)でえら
れた(s)−3,3”−ジフルオロ−4−(1−メチル
へブチル)オキシ−41−しドロキシビフェニル0゜4
3gを用い、他は同様に操作して(S)=3,3°−ジ
フルオロ−4−(1−メチルへブチル)オキシ−4曾−
イル トランス−4−へキシルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
Y、  0.44 g (62,2%)この物の純度は
HPLCで99%以上であった。またIRおよびMas
s分析で544に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料の関係から、得られた物質が目的物で
あることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例14 実施例13に於ける(s)−2−オクタツール3、46
 gに替えて(S) −2−ペンタノール2.38gを
用い、他は同様に操作して(S) −1−メチルブチル
 トシレートを得た。
’/、 4.9g 実施例7− (d)に於ける(S) −4−メチルヘキ
シルブロマイド2.4gに替えて(a)で得られた(s
) −1−メチルブチル トシレー)3.27gを用い
、他は同様に操作して(S) −3,3’−ジフルオロ
−4−(1−メチルブチル)オキシ−4f−ヒドロキシ
ビフェニルを得た。
Y、 1.0g (21,9% )   GIC97%
実施例11− (b)に於ける(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−41−ヒ
ドロキシビフェニル0.4gに替えて(b)で得られた
Ts)−3,3’−ジフルオロ−4−(1−メチルブチ
ル)オキシ−41−ヒドロキシビフェニル0.4gを用
い、他は同様に操作して(S)−3,39−ジフルオロ
−4−(1−メチルブチル)オキシ−4+−イル トラ
ンス−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、 0.4g (56,3%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で516に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例15 成 実施例7−(f)に於けるトランス−4−へキシルオキ
シシクロヘキ、サンカルボン酸クロライド0.35 g
に替えて実施例1−(C)で得られたトランス−4−ブ
チルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボン酸クロラ
イド0.35gを用い、他は同様に操作して(s) −
3,3’−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−4?−イルトランス−4−プチルオキシ力ルポニ
ルシクロヘキサン力ルポキシレートを得た。
Y、  0.39g (52,8%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で530に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例16 反応器に過マンガン酸カリ31.5gおよび水600m
 iを仕込み、室温撹拌14.9gを滴下後、1時間反
応した。析出物を炉別し、炉液をエーテルで抽出後、エ
ーテル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去した残留物
をガラスチューブオーブン(GTO)にて減圧蒸留しく
5)−2−メチル酪酸を得た。
Y、  9.16g (56,2%) b、p  io!1℃/ 12m1h (GTO設定温
度)反応器に3,3′−ジフルオロ−4,4°−ジヒド
ロキシビフェニル2.8g、4−(ジメチルアミノ)ピ
リジン3.3g、ジシクロへキシルカメポジイミド5.
56gおよびクロロホルム70iLを仕込み室温撹拌下
に(S) −2−メチルブタン1a3gを加え、18時
間還流撹拌した。析出物を沢別し、r液を濃縮した。別
の容器に85%苛性カリ0.5gおよびメタノール10
011Lを仕込み、3℃に冷却し、先に得たsWi物を
加え10分間撹拌した。
反応液を希塩酸に性別し、酢酸エチルで抽出後、酢酸エ
チル層を水洗、芒硝で乾燥し、溶媒を留去して得られる
残留物を塩化メチレンを溶出液としたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製しくs) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(1−メチル10ピオニル)オキシ−4
′−ヒドロキシビフェニルを得た。
’/、  0.77g (18,2%)   GLC9
9%反応器に(b)で得られた(s) −3,3’−ジ
フルオロ−4−(1−メチルプロピオニル)オキシ−4
’−1=、ドロキシビフェニル0.3g、ピリジン数滴
およびベンゼン20m1.を仕込み、室温撹拌下に実施
例8− (a)で得たトランス−4−ブトキシシクロヘ
キサンカルボン酸クロライド0.27gのベンゼン10
 nL温溶液滴下後、2時間還流撹拌した0反応液を水
に性態し、ベンゼンで抽出後、ベンゼン層を水洗、芒硝
で乾燥し、溶媒を留去して得られる残留物をヘキサン/
酢酸エチル=1/10の混合溶媒を溶出液としたシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、次いでメタ
ノールで再、結晶して(s) −3,3’−ジフルオロ
−4−(1−メチルプロピオニル)オキシ−41−イル
 トランス−4−ブトキシシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、  0.37g (77,1%) この物の純度はII P I Cで99%以上であった
。またIRおよびMass分析で488に分子イオンピ
ークが認められたこと、並びに用いた原料の関係から、
得られた物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例17 反応器に2−クロロアニソール80gおよびクロロホル
ム30011 Lを仕込み室温撹拌下に臭素90gを3
時間以上かけて滴下した0反応液を希苛性ソーダ水溶液
に性態し、クロロホルム層を食塩水で洗浄、芒硝で乾燥
後、溶媒を留去して2−クロロ−4−ブロム−アニソー
ルを得た。
Y、 121.9g (98,1%’)   GLC9
8,9%反応器にマグネシウム末3.37gおよびヨウ
素の小片を仕込み、N2気流下に2−クロロ−4−ブロ
モアニソール30gのテトラヒドロフラン100nt溶
液を1/3量加え、加熱撹拌した0発泡して反応を開始
したのを確認後残りのテトラヒドロフラン溶液を反応液
が還流するよう6二滴下した0滴下後、2時間還流して
グリニヤール試薬を作成した。
別の容器にCjzPd(PPfis)z 1.Ogおよ
びテトラヒドロフラン50n応を仕込みN2気流中、撹
拌下にI M (1so−C,Ho)2A7Jl /ヘ
キサン溶液411、を加え、さらに2−クロロ−4−ブ
ロモアニソ−゛ル27.4gのテトラヒドロフラン10
0nt溶液を加え、50〜55℃に加温した後、先に作
成したグリニヤール試薬を滴下した0滴下後2時間還流
し、反応液を希塩酸に性態、ベンゼンで抽出、ベンゼン
層を水洗、芒硝で乾燥後、ベンゼンを留去して得られる
残留物をエタノールで再結晶し、3.3’−ジクロロ−
4,4I−ジメトキシビフェニルを得た。
Y、  27..6g <78.8)   GLo 9
6%反応器に(b)で得られた3、3r−ジクロロ−4
,41−ジメトキシビフェニル25g、48%臭化水素
酸水溶液360m Lおよび酢酸200m l、を仕込
み、15時間還流撹拌した0反応液を水に性態し、析出
物を枦取し、水洗後乾煤して3.31−ジクロロ−4,
4’−ジヒドロキシビフェニルを得た。
Y、  20g (89,3%)    GIC99%
反応器に85%苛性カリ2.1g、水1011L、[c
)で得た3、3電−ジクロロ−4,4+−ジヒドロキシ
ビフェニル8gおよびジメチルホルムアミド2 mLを
仕込み、2時間還流撹拌した。さらに還流下に(s)−
4−メチルヘキシルブロマイド6.2gのジオキサン1
0ISL溶液を加え、32時間還流した0反応液を水に
性態し、濃塩酸で酸性とした後、塩化メチレンで抽出し
、塩化メチレン層を水洗、芒硝で乾燥後、溶媒を留去し
、残留物をベンゼン/ヘキサン=1/1を溶出液とした
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、(s
)−3,3’−ジフルオロ−4−(4−メチルヘキシル
)オキシ−41−ヒドロキシビフェニルを得た。
Y、  3.56g (32,1%)   GLC98
%の合成 反応器に(d)で得た(s) −3,3’−ジクロロ−
4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル0.4g
、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0.17g、ジシク
ロへキシルカルボジイミド0.25gおよびクロロホル
ム10 Iltを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−
へブチルオキシシクロヘキサンカルボン′fiMO,3
0gを加え、18時間還流撹拌した。析出物を沢別し、
炉液を濃縮し、残渣をベンゼンを溶出液としたシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、次いでメタノ
ールで再結晶して(S) −3,31−ジクロロ−4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−4I−イル トランス
−4−へブチルオキシシクロヘキサンカルボキシレート
を得た。
Y、  0.18g (27,7%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で577に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例18 実施例17− (0)に於けるトランス−4−へブチル
オキシシクロヘキサンカルボン酸0.30gに替えてト
ランス−4−ブチルオキシシクロヘキサンカルボン酸0
.25gを用い、他は同様に操作して(s)−3,3’
−ジクロロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−4g
−イル トランス−4−ブチルオキシシクロヘキサンカ
ルボキシレートを得た。
Y、  0.18g (29,5%) この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で535に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表1に
示す。
実施例19 実施例17− (d)に於ける(s) −4−メチルヘ
キシルブロマイド6.18gに替えて(s) −2−メ
チルブチルブロマイド5.34gを用い、他は同様に操
作して(s) −3,3’−ジクロロ−4−(2−メチ
ルブチル)オキシ−4+−ヒドロキシビフェニルを得た
Y、  3.12g (30,6%)   GLC98
%合成 実施例17−(e)に於ける(s) −3,3°−ジク
ロロ−4−(4−メチルヘキシル)オキシビフェニル0
.4 gおよびトランス−4−へ1チルオキシシクロヘ
キサンカルボン酸0.30 gに替えて(a)で得た(
s)−3,3”−ジクoロー4−(2−メチルブチル)
オキシ−49−しドロキシビフェニル0.4gおよびト
ランス−4−ヘキシルオキシシクロヘキサンカルボンM
0.32gを用い、他は同様に操作して(s) −3,
3’−ジクロロ−4−(2−メチルブチル)オキシ−4
1−イル トランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボキシレートを得た。
Y、  0.25g (37,9%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で535に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化をIl!察した。その結果を表
1に示す。
実施例20 反応器に無水塩化アルミニウム113gおよび塩化メチ
レン600njtを仕込み0℃以下で撹拌下にアセチル
クロライド113gを滴下し、次いで4−ブロム−2−
フルオロビフェニル100 gの塩化メチレン400i
j溶液を滴下後、徐々に室温に戻しながら7時間撹拌反
応した6反応液を氷と希塩酸中に注加し、塩化メチレン
層を水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液洗浄、水洗し、芒
硝で脱水後溶媒を留去し、残留分をアセトンで再結晶し
て4−ブロム−2−フルオロ−4′−アセチルビフェニ
ルを得た。
Y、  96g (82,2%)   GLC100%
反応器に(a)で得た4−ブロム−2−フルオロ−4′
−アセチルビフェニル65gおよび塩化メチレン300
m1を仕込み、10℃で撹拌下に88%ギ酸500nj
 、無水酢酸480njを滴下し、さらに濃硫酸1.5
nJを加えた後、35%過酸化水素水150nJを3時
間を要して滴下し、滴下後徐々に昇温して45〜50℃
で30時間撹拌反応しな0反応液を氷水に注加し、ベン
ゼンで抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗、
芒硝脱水を行い、溶媒を留去し、残留分を得た。この残
留分とエチルアルコール2Jを別の反応器に仕込み、こ
れに25%苛性カリ水溶液を加え、8時間還流撹拌した
0反応液を氷と希塩酸中に注加しベンゼンで抽出、食塩
水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液ベンゼン)に
て精製し、4−ブロム−2−フルオロ−4′−ヒドロキ
シビフェニルを得た。
Y、  28.1g (47,5%) 反応器に(b)で得た4−ブロム−2−フルオロ−41
−しドロキシビフェニル5g、(s)−4−メチルヘキ
シルブロマイド4.0g、炭酸カリ6gおよび2−ブタ
ノン(MEに) 50m、l!を仕込み、撹拌還流下に
8時間反応した0反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで
抽出、水洗、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をガ
ラスチュウブオーブン(GTO)にて蒸留して得られる
留分(GTQ設定温度165℃10.2511118(
J)をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液ヘ
キサン:ベンゼン=4:1)で精製し、(s) −4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロ−41
−ブロムビフェニルを得た。
Y、  4.47g (65,4%)   TLCモノ
スポット反応器にマグネシウム末065gおよびヨウ素
の小片を仕込み、これに(C)で得た(S)−4−(4
−メチルヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−41−ブ
ロムビフェニル6gのテトラヒドロフラン20 nJ温
溶液少量加え、発泡して反応を開始(必要におおじて加
熱する)後、残りのテトラヒドロフラン溶液を還流を保
つように撹拌下に滴下し、滴下後、2時間撹拌還流して
グリニヤール試薬を作成した。
別の容器に硼酸トリブチル7gを仕込み、これに先に作
成したグリニヤール試薬を、撹拌下に50℃で滴下し、
同温度で2時間撹拌反応した。
次いで水冷下に、10%硫酸水溶液を撹拌しながら滴下
し、これにベンゼン100njを加えて抽出後ベンゼン
層を分離し、これに35%過酸化水素水20 mjを5
5℃で撹拌下に滴下しさらに1時間同温度で撹拌反応し
た0反応液を水に注加し、ベンゼン層を5%亜硫酸ナト
リウム水溶液で洗浄し、水洗、芒硝乾燥後、溶媒を留去
し、残留分をベンゼンを溶出液としたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製し、(S) −4−(4−
メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロ−4’−ヒド
ロキシビフェニルを得た。
Y、  1.37g (27,6%)   GLC98
%の合成 反応器に(d)で得られた(s) −4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4′−ヒドロキシ
ビフェニル0.25 g、ピリジン数滴およびベンーゼ
ン20IIjを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−ヘ
プチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド0.24 
gのベンゼン5 nj温溶液滴下し、滴下後3時間還流
撹拌した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出、水洗
、芒硝で乾燥後、溶媒を留去した残留分をヘキサン/ベ
ンゼン=1/1を溶出液としたシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製しく5)−4−(4−メチルヘキ
シル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−41−イル
 トランス−4−へブチルシクロヘキサンカルボキシレ
ートを得た。
Y、  0.32g (76,2%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびHaSS分析で510に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表2に
示す。
実施例21 成 実施例20の(e)におけるトランス−4−ヘプチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、(S)−4−(4−メ
チルヘキシル)オキシ−2+−フルオロビフェニル−4
′−イルトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサン
カルボキシレートを得た。
Y、  0.29g (69,0%) この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で512に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化をa察した。その結果を表2に
示す。
実施例22 反応器に(s) −1−メ□チルへキシルトシレート1
1.2g、実施例20の(b)で得た4−ブロム−2−
フルオロ−4′−しドロキシビフェニル10g、炭酸カ
リ10.5 gおよびシクロヘキサノン100mjを仕
込み、120〜130℃で13時間加熱撹拌した。
反応液を希塩酸に注加し、ベンゼン抽出、水洗、芒硝乾
燥後溶媒を留去し、残留分をガラスチューブオーブン(
GTO)にて減圧蒸留し、次いでヘキサンを溶出液とし
たカラムクロマトグラフィーにて精製し、(s) −4
−(1−メチルヘキシル)オキシ−2I−フルオロ−4
1−ブロムビフェニルを得た。
Y、 6.7g (48,9%) b、p  1eo℃/ 0.25nn+Ha (GTO
設定温度)実施例20の(d)における(s) −4−
(4−メチルヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4#
−ブロムビフェニルに替えて(a)で得た(S)−4−
(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4′
−ブロムビフェニルを用い、池は同様に操作して、(S
)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−21−フルオ
ロ−41−ヒドロキシビフェニルを得た。
Y、 2.1g (42,3%)   GLC100%
反応器に(b)で得た(S)−4−(1−メチルヘキシ
ル)オキシ−2′−フルオロ−4′−ヒドロキシビフェ
ニル0.3 g、ピリジン数滴およびベンゼン20 n
ilを仕込み、室温撹拌下にトランス−4−へブチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライド0.29gのベンゼ
ン20 nJ浴溶液滴下し、滴下f& 2時間還流撹拌
した0反応液を水に性別し、ベンゼンで抽出、水洗、芒
硝で乾燥後、溶媒を留去し、残留分をヘキサン/ベンゼ
ン=3/1を゛溶出液としたシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製し、次いでメタノール/アセトン=
3/1の混合溶媒で再結晶して(S)−4−(1−メチ
ルヘキシル)オキシ−21−フルオロビフェニル−4′
−イル トランス−4−ヘプチルシクロヘキサンカルボ
キシレートを得た。
Y、 0.3g (80,0%) この物の純度はhptcで99%以上であった。またI
RおよびMass分析で510に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトラーホットステージFP−82にはさみ
、閤光顕an下で相変化を観察した。その結果を表2に
示す。
実施例23 実施例21の(C)に於けるトランス−4−へブチルシ
クロヘキサンカルボン酸クロライドに替えてトランス−
4−へキシルオキシシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドを用い、他は同様に操作して、(S) −4−(1−
メチルヘキシル)オキシ−21−フルオロビフェニル−
41−イルトランス−4−へキシルオキシシクロヘキサ
ンカルボキシレートを得た。
V、  0.32g (62,7%) この物の純度はHptcで98%以上であった。またI
RおよびMass分析で512に分子イオンビークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
このものをメトシー。ホットステージFP−82にはさ
み、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表2
に示す。
実施眞24 上記、実施例11で得られた(A)と公知物質である(
B)とを、重量比1:1の割合で混合し強誘電性液晶組
成物を作製した。この組成物をメトラーホットステージ
FP−82にはさみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察した
。その結果を下表に示す。
本組成物は降温時、−5°C以下まで冷却してもSnC
”相を示し、室温を含む広い温度範囲でSnC”を有す
る液晶組成物が得られた。
この組成物を表面にポリビニルアルコールを塗布し、ラ
ビング処理した2枚の透明電極を有するガラス基板を用
い、ラビング方向が平行で、セル厚が3μmとなるよう
に作製した液晶セルに封入し、等方性液体からSnC”
相まで徐冷した。
この液晶セルを2枚の偏光板にはさみ、電圧を印加し、
極性を反転させると表示状態が変化した。これらのこと
から、この液晶組成物は電気光学素子に利用できる強誘
電性液晶組成物である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中Rは炭素原子数1〜16のアルキル基であり、R
    ^*は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、Yおよび
    Zはそれぞれ単結合を表わすか、O、COO、およびO
    COのいずれかを表わし、X_1、X_2、X_3およ
    びX_4は、それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素
    原子を表わす。ただし、X_1、X_2、X_3および
    X_4のうちの少なくとも2つは水素原子であり、Yが
    Oであつて、かつ、ZがCOOである場合はX_1、X
    _2、X_3およびX_4は同時に水素原子ではないも
    のとする)で表わされる光学活性シクロヘキサンカルボ
    ン酸化合物。 2)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
    およびX_4の中のいずれか1つがフッ素原子または塩
    素原子で他が水素原子である請求項1記載の光学活性シ
    クロヘキサンカルボン酸化合物。 3)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
    およびX_4の中のいずれか2つが同時にフッ素原子或
    いは塩素原子で他が水素原子である請求項1に記載の光
    学活性シクロヘキサンカルボン酸化合物。 4)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
    およびX_4の中のX_1とX_3、X_1とX_4、
    X_2とX_3またはX_2とX_4が同時にフッ素原
    子或いは塩素原子である請求項1に記載の光学活性シク
    ロヘキサンカルボン酸化合物。 5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中Rは炭素原子数1〜16のアルキル基であり、R
    ^*は不斉炭素原子を含むアルキル基であり、Yおよび
    Zはそれぞれ単結合を表わすか、O、COO、およびO
    COのいずれかを表わし、X_1、X_2、X_3およ
    びX_4は、それぞれ水素原子、フッ素原子または塩素
    原子を表わす。ただし、X_1、X_2、X_3および
    X_4のうちの少なくとも2つは水素原子であり、Yが
    Oであつて、かつ、ZがCOOである場合はX_1、X
    _2、X_3およびX_4は同時に水素原子ではないも
    のとする)で表わされる光学活性シクロヘキサンカルボ
    ン酸化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とす
    る液晶組成物。 6)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
    およびX_4の中のいずれか1つがフッ素原子または塩
    素原子で他が水素原子である請求項5に記載の液晶組成
    物。 7)前記一般式(1)におけるX_1、X_2、X_3
    およびX_4の中のいずれか2つが同時にフッ素原子或
    いは塩素原子で他が水素原子である請求項5に記載の液
    晶組成物。
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