JPS60166646A - 液晶性置換ビフエニルエステル類 - Google Patents
液晶性置換ビフエニルエステル類Info
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- JPS60166646A JPS60166646A JP59021439A JP2143984A JPS60166646A JP S60166646 A JPS60166646 A JP S60166646A JP 59021439 A JP59021439 A JP 59021439A JP 2143984 A JP2143984 A JP 2143984A JP S60166646 A JPS60166646 A JP S60166646A
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- liquid crystal
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- methylbutyloxy
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- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3066—Cyclohexane rings in which the rings are linked by a chain containing carbon and oxygen atoms, e.g. esters or ethers
- C09K19/3068—Cyclohexane rings in which the rings are linked by a chain containing carbon and oxygen atoms, e.g. esters or ethers chain containing -COO- or -OCO- groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
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- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/20—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers
- C09K19/2007—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups
- C09K19/2021—Compounds containing at least one asymmetric carbon atom
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有する液晶
組成物に関するものであり、更に詳1、<述べると光学
活性なアルキル基を有するカイラル液晶物質及びそれら
を含有するカイラル液晶組成物に関するものである。
組成物に関するものであり、更に詳1、<述べると光学
活性なアルキル基を有するカイラル液晶物質及びそれら
を含有するカイラル液晶組成物に関するものである。
現在、液晶表示素子としてはT N (Twisted
Nemattc 、ねじれネマチック)型表示方法が最
も広汎に用いられている。この方式での欠点は、応答速
度が遅いことであり、この点で柚々の改良が試みられて
いるが、大[1」な改善の可能性シLアマりないようで
ある。この方式に代れる方式の一つとして、強誘電性液
晶を利用するものがある( N、 A、 C1arl<
ら: Apptied Phys 、 tett 、
。
Nemattc 、ねじれネマチック)型表示方法が最
も広汎に用いられている。この方式での欠点は、応答速
度が遅いことであり、この点で柚々の改良が試みられて
いるが、大[1」な改善の可能性シLアマりないようで
ある。この方式に代れる方式の一つとして、強誘電性液
晶を利用するものがある( N、 A、 C1arl<
ら: Apptied Phys 、 tett 、
。
86.899(1980))。この方式は強誘電性液晶
のカイラルスメクチックC相(以下SC*相と略称する
)或いはカイラルスメクチックH相(SH*相)を利用
するもので、それらが室温付近にあるものが望ましい。
のカイラルスメクチックC相(以下SC*相と略称する
)或いはカイラルスメクチックH相(SH*相)を利用
するもので、それらが室温付近にあるものが望ましい。
この様な目的に使用される化合物もいくつか知られてい
るが安定+′1゛がどの点で実用には問題がある。本発
明者らは、この表示方式に利用されるに適した液晶物質
の開発を主たる目的とl、て、光学活性基を宮む液晶物
質を梅々探索して本発明に到達した。
るが安定+′1゛がどの点で実用には問題がある。本発
明者らは、この表示方式に利用されるに適した液晶物質
の開発を主たる目的とl、て、光学活性基を宮む液晶物
質を梅々探索して本発明に到達した。
即ち、本発明は一般式
(上式に於てRI*は炭素数4〜18の光学活性を有す
るアルキル基を示し、舎は(防又は(Xを示し、ZはR
2、R2C0、R2COOを示1〜、R2け炭素数1〜
18のアルキル基又はアルコキシ基を示し、又X及びY
は夫々水素原子(H) 、臭素原子(Br) 、塩素原
子(Cl)、77素原子(ド)又はシアン基(CN)を
示すがX、Yは常にいずれか一方が水素原子である) で表わされる置換ビフェニルエステル類及び少くともそ
の1柚を含有するカイラルスメクチック液晶組成物であ
る。
るアルキル基を示し、舎は(防又は(Xを示し、ZはR
2、R2C0、R2COOを示1〜、R2け炭素数1〜
18のアルキル基又はアルコキシ基を示し、又X及びY
は夫々水素原子(H) 、臭素原子(Br) 、塩素原
子(Cl)、77素原子(ド)又はシアン基(CN)を
示すがX、Yは常にいずれか一方が水素原子である) で表わされる置換ビフェニルエステル類及び少くともそ
の1柚を含有するカイラルスメクチック液晶組成物であ
る。
(1)式の化合物は等方性液体相(l相)より少し低い
温度でコレステリック相(Ch相)或はスメクチックA
相(SA相)を程し、更に多くのものはこれらの相より
少し低い温度でSC*相を程する。このSC*相の強誘
電性を利用して表示素子全構成するのであるが、それに
使用するSC*相を有する液晶組成物を得る場合、(1
)式の複数の化合物のみよシ構成することも可能であシ
、又(1)式の化合物と他のスメクチック液晶と混合し
てSC*相を呈する液晶組成物を製造することも可能で
ある。
温度でコレステリック相(Ch相)或はスメクチックA
相(SA相)を程し、更に多くのものはこれらの相より
少し低い温度でSC*相を程する。このSC*相の強誘
電性を利用して表示素子全構成するのであるが、それに
使用するSC*相を有する液晶組成物を得る場合、(1
)式の複数の化合物のみよシ構成することも可能であシ
、又(1)式の化合物と他のスメクチック液晶と混合し
てSC*相を呈する液晶組成物を製造することも可能で
ある。
=5−
8C*相の光スイツチング効果を表示素子として応用す
る場合、TN表示方式にくらべて8つのすぐれた特徴が
ある。第1の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間
は通常のTN表示方式の素子と比較すると、応答時間け
l/100以下である。第2の6g、はメモリー効果が
あることであり、上記の高速応答性とあいまって、時分
割躯動が容易である。第3の特徴はTN表示方式で濃淡
の階調をとるには、印加電圧を調節して行なうが、しき
い値電圧の温度依存性1゛応答速度の電圧依存性などの
難問がある。(〜かしSC*相の光スイツチング効果を
応用する場合には極性の反転時間を調節することにより
、容易に階調を得ることができ、グラフィック表示に非
常に適している。
る場合、TN表示方式にくらべて8つのすぐれた特徴が
ある。第1の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間
は通常のTN表示方式の素子と比較すると、応答時間け
l/100以下である。第2の6g、はメモリー効果が
あることであり、上記の高速応答性とあいまって、時分
割躯動が容易である。第3の特徴はTN表示方式で濃淡
の階調をとるには、印加電圧を調節して行なうが、しき
い値電圧の温度依存性1゛応答速度の電圧依存性などの
難問がある。(〜かしSC*相の光スイツチング効果を
応用する場合には極性の反転時間を調節することにより
、容易に階調を得ることができ、グラフィック表示に非
常に適している。
表示方法としては、2つの方式が考えられ、1つの方法
は2枚の偏光子を使用する複屈折型、他の1つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
により、らせん 6− +Nl+を回転軸として分子が反転する。SC*相を有
する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行に々らぶよう
に配向処理を施1〜た液晶表示セルに注入し7、液晶分
子のグイレフターと一方の偏光面をγ行1になるように
配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧
を印加して、極性を反転することにより、明視野および
暗視野(偏光子の対同角度により決まる)が得られる。
は2枚の偏光子を使用する複屈折型、他の1つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
により、らせん 6− +Nl+を回転軸として分子が反転する。SC*相を有
する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行に々らぶよう
に配向処理を施1〜た液晶表示セルに注入し7、液晶分
子のグイレフターと一方の偏光面をγ行1になるように
配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧
を印加して、極性を反転することにより、明視野および
暗視野(偏光子の対同角度により決まる)が得られる。
一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の
極性を反転することによシψj祝野及び冶色祝野(偏光
板の配置により決まる)を得ることができる。
極性を反転することによシψj祝野及び冶色祝野(偏光
板の配置により決まる)を得ることができる。
一般にスメクチック状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十ギロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと冷却する(1°
C〜2°C/hr)ことにより、液晶分子を配向させて
いるが、コレステリック相をイラする液晶9グ質では磁
場の代わりに50V〜100vの直流電圧を印加しなが
ら1℃/minの冷却速度で冷却することにより、容易
に均一に配向したモノドメイン状態を倚ることかできる
。
に配向させることは難かしく、数十ギロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと冷却する(1°
C〜2°C/hr)ことにより、液晶分子を配向させて
いるが、コレステリック相をイラする液晶9グ質では磁
場の代わりに50V〜100vの直流電圧を印加しなが
ら1℃/minの冷却速度で冷却することにより、容易
に均一に配向したモノドメイン状態を倚ることかできる
。
(f)式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチック液晶、即ちカイラルネマ
チック液晶はTN型表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン(reverse domain % l/ i模
様)を生成することがないので(1)式の化合物はリバ
ース・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
チック液晶はTN型表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン(reverse domain % l/ i模
様)を生成することがないので(1)式の化合物はリバ
ース・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
又、(I)式の化合物に対応するラセミ体に相当するも
のはSC*化合1.I勿のピッチの拡大用に用いること
ができる。
のはSC*化合1.I勿のピッチの拡大用に用いること
ができる。
(1)式に於けるR−としては原料の人手の谷易さの点
から2−メチルブチル基のものが最も実用的であり、次
いで2−オクチル基のものが得易い。
から2−メチルブチル基のものが最も実用的であり、次
いで2−オクチル基のものが得易い。
次に(1)式の化合物の製法について述べると、基本的
には光学活性な4′−アルコギシー8′(又は8)−置
換−4−ヒドロキシビフェニルと4−置換安息香酸ハラ
イドとのエステル化反応によって得られるu原料の一方
であるヒドロキシビフェニル類としては8′−ブロム−
4′−アルキルオキシ−4−ヒドロキシビフェニル、B
’−170ロー4′−アルキルオキシ−4−ヒドロキシ
ビフェニル、8’−フルオロ−4′−アルキルオキシ−
4−ヒドロキシビフェニル、8′−シアノ−4′−アル
キルオキシ−4−ヒドロキシビフェニル。
には光学活性な4′−アルコギシー8′(又は8)−置
換−4−ヒドロキシビフェニルと4−置換安息香酸ハラ
イドとのエステル化反応によって得られるu原料の一方
であるヒドロキシビフェニル類としては8′−ブロム−
4′−アルキルオキシ−4−ヒドロキシビフェニル、B
’−170ロー4′−アルキルオキシ−4−ヒドロキシ
ビフェニル、8’−フルオロ−4′−アルキルオキシ−
4−ヒドロキシビフェニル、8′−シアノ−4′−アル
キルオキシ−4−ヒドロキシビフェニル。
4′−アルキルオキシ−3−ブロム−4−ヒドロキシビ
フェニル、4′−アルキルオキシ−8−クロロ−4−ヒ
ドロキシビフェニル、4’−フルキルオキシ−8−フル
オロ−4−ヒドロキシビフェニル、4′−アルキルオキ
シ−8−シアノ−4−ヒドロキシビフェニルが使用され
、それ等はいずれもp、p’−ビフェノールを出発原料
としてそれに光学活性な臭化アルキルを反応させて47
−アルキルオキシ−4−ヒドロキシビフェニルとし、以
降はハロゲン化等を経て得られる。
フェニル、4′−アルキルオキシ−8−クロロ−4−ヒ
ドロキシビフェニル、4’−フルキルオキシ−8−フル
オロ−4−ヒドロキシビフェニル、4′−アルキルオキ
シ−8−シアノ−4−ヒドロキシビフェニルが使用され
、それ等はいずれもp、p’−ビフェノールを出発原料
としてそれに光学活性な臭化アルキルを反応させて47
−アルキルオキシ−4−ヒドロキシビフェニルとし、以
降はハロゲン化等を経て得られる。
計則は後記の各実施例に示す。
9−
又、エステル化のもう一方の原料である4−置換安息香
酸ハライドとしてはp−アルキルベンソイルハライド、
p−アルコキシベンソイルハライド、p−アルキリルオ
キシベンゾイルハライド、p−アルキルオキシカルボニ
ルオキシベンソイルハライド、p−アルキルカルボニル
ベンゾイルハライド、p−アルキルオキシカルボニルベ
ンゾイルハライド、p−アルキル−トランス−シクロへ
キシル力ルボニルハ9()”、r使用する。
酸ハライドとしてはp−アルキルベンソイルハライド、
p−アルコキシベンソイルハライド、p−アルキリルオ
キシベンゾイルハライド、p−アルキルオキシカルボニ
ルオキシベンソイルハライド、p−アルキルカルボニル
ベンゾイルハライド、p−アルキルオキシカルボニルベ
ンゾイルハライド、p−アルキル−トランス−シクロへ
キシル力ルボニルハ9()”、r使用する。
以下実施例により本発明の液晶化合物及び液晶組成物に
つき更に詳細に説ゆJする。
つき更に詳細に説ゆJする。
実施例1
8′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4
−ビフェニリル−4−オクチルオキシベンゾニー) (
(1)式に於いてRFが2オキシ 一メチルブチル基、Zがオクチイ ()が舎、XがBr、YがHのもの) の製造 (i)4’−(2−メチルブチルオキシ)−4−ヒト1
0− ロキシビフェニルのH造 500yの4.4′−ジヒドロキシビフェニル、7.5
11のエタノール及び302fの苛性カリの混合物を還
流下に加熱攪拌し、そこへ(ト)臭化2−メチルブチル
(←)2−メチルブタノールより臭化燐により製造)5
80yを篩別4時間反応させた。エタノールを留去して
から21の水を加えて沖過し不溶物を集めた。
−ビフェニリル−4−オクチルオキシベンゾニー) (
(1)式に於いてRFが2オキシ 一メチルブチル基、Zがオクチイ ()が舎、XがBr、YがHのもの) の製造 (i)4’−(2−メチルブチルオキシ)−4−ヒト1
0− ロキシビフェニルのH造 500yの4.4′−ジヒドロキシビフェニル、7.5
11のエタノール及び302fの苛性カリの混合物を還
流下に加熱攪拌し、そこへ(ト)臭化2−メチルブチル
(←)2−メチルブタノールより臭化燐により製造)5
80yを篩別4時間反応させた。エタノールを留去して
から21の水を加えて沖過し不溶物を集めた。
この不溶物をトルエンで処理して01′溶吻を除去した
。この可溶部分の方はエタノールで再結晶すると融点8
0.5°Cのリン片状結晶となり、ジー(2−メチルブ
チルオキシ)ビフェニルであることが確認された。一方
不溶部分は塩酸と加熱攪拌してのち冷却し、固形物を東
めでトルエン、次いでエタノールより再結晶することに
よって、融点187.5°Cの4′−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニルt25fe倚だ
。
。この可溶部分の方はエタノールで再結晶すると融点8
0.5°Cのリン片状結晶となり、ジー(2−メチルブ
チルオキシ)ビフェニルであることが確認された。一方
不溶部分は塩酸と加熱攪拌してのち冷却し、固形物を東
めでトルエン、次いでエタノールより再結晶することに
よって、融点187.5°Cの4′−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニルt25fe倚だ
。
(1υ4.’−(2−メチルブチルオキシ)−4−p−
トルエンスルホニルオキシービフェニルノ製(1)で合
成した4’−(2−メチルブチルオキシビフェニル30
yを水酸化カリウムで乾燥したピリジン1150mlに
溶解した。これにモレキューラ−シーブで乾燥したトル
エン150tItに加熱溶解I7たT11販のp −ト
ルエンスルホニルクロライド35f!を注入して、4時
間加熱攪拌した。これに氷と6N塩酸を加えで酸性と1
−1分液、水洗し、史に2N水酸化ナトリウム水溶液に
よって洗浄及び水洗した後、トルエンを留去した。残留
物をエタノールにより再結晶して、4−(2−メチルブ
チルオキシ)−4’−p−トルエンスルホニルオキシ−
ビフェニル44.6&を得た。mp、94〜97℃。
トルエンスルホニルオキシービフェニルノ製(1)で合
成した4’−(2−メチルブチルオキシビフェニル30
yを水酸化カリウムで乾燥したピリジン1150mlに
溶解した。これにモレキューラ−シーブで乾燥したトル
エン150tItに加熱溶解I7たT11販のp −ト
ルエンスルホニルクロライド35f!を注入して、4時
間加熱攪拌した。これに氷と6N塩酸を加えで酸性と1
−1分液、水洗し、史に2N水酸化ナトリウム水溶液に
よって洗浄及び水洗した後、トルエンを留去した。残留
物をエタノールにより再結晶して、4−(2−メチルブ
チルオキシ)−4’−p−トルエンスルホニルオキシ−
ビフェニル44.6&を得た。mp、94〜97℃。
(iil) 8’−ブロモ−4’−(2−メチルブチル
オギ/)−4−p−)ルエンスルホニルビフェニルの製
造 (11)で合成した4’−(2−メチルブチルオキシ)
−4−p−)ルエンスルホニルビフェニル411を四塩
化炭素400 mlに溶解してこれに、四塩化炭素10
0g/に溶解した臭素25fを室渦中1時間で滴下した
。この後5時間室温中撹拌したのち、亜硫酸木葉ナトリ
ウム水浴液を臭素の色が消失するまで加えて、イ」模h
4を分液して6N塩酸で洗浄、2N水酸化ナトリウムで
洗浄、水洗し、中性とし、乾燥(2て四塩化炭紫ゲ留去
した。オイル状の3′−ブロモ−4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−1)−トルエンスルホニル−ビフェ
ニル55、’(F!が得られた。
オギ/)−4−p−)ルエンスルホニルビフェニルの製
造 (11)で合成した4’−(2−メチルブチルオキシ)
−4−p−)ルエンスルホニルビフェニル411を四塩
化炭素400 mlに溶解してこれに、四塩化炭素10
0g/に溶解した臭素25fを室渦中1時間で滴下した
。この後5時間室温中撹拌したのち、亜硫酸木葉ナトリ
ウム水浴液を臭素の色が消失するまで加えて、イ」模h
4を分液して6N塩酸で洗浄、2N水酸化ナトリウムで
洗浄、水洗し、中性とし、乾燥(2て四塩化炭紫ゲ留去
した。オイル状の3′−ブロモ−4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−1)−トルエンスルホニル−ビフェ
ニル55、’(F!が得られた。
このものは特に!*製することなく次の反応へ進ん/こ
。
。
代)3′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)
−4−ビフェニリルベンゾエートの製造(+11+で合
成したざ一ブロモー4’−(2−メチルブチルオキシ)
−4−p−トルエンスルホニルヒフェニル40yと50
%水酸化ナトリウムH液2oyとエタノール850 y
l (1) a合9勿を4時間加熱還流した。その後エ
タノール=13− を留去し、これにトルエンを加え6N塩酸を加え、分液
、水洗l−中性とi〜、乾燥1〜だ。トルエンを留去し
て、オイル状の37−ブロモ−4’−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニルの粗製j吻を得
た。これをピリジン200 mlに溶解して、ベンゾイ
ルクロライド2ONQ加え、水浴上で加熱して一夜放置
しlζ0こ扛にトルエンを加え、6N塩酸で洗浄、水洗
、更に2N水酸化ナトリウムで洗浄、水洗し、中性にし
たのち、乾燥して、トルエンを留去して、8′−ブロモ
−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4−ビフェニリ
ルベンゾエート25yを得た。mp、 9 B、 6
’C。
−4−ビフェニリルベンゾエートの製造(+11+で合
成したざ一ブロモー4’−(2−メチルブチルオキシ)
−4−p−トルエンスルホニルヒフェニル40yと50
%水酸化ナトリウムH液2oyとエタノール850 y
l (1) a合9勿を4時間加熱還流した。その後エ
タノール=13− を留去し、これにトルエンを加え6N塩酸を加え、分液
、水洗l−中性とi〜、乾燥1〜だ。トルエンを留去し
て、オイル状の37−ブロモ−4’−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニルの粗製j吻を得
た。これをピリジン200 mlに溶解して、ベンゾイ
ルクロライド2ONQ加え、水浴上で加熱して一夜放置
しlζ0こ扛にトルエンを加え、6N塩酸で洗浄、水洗
、更に2N水酸化ナトリウムで洗浄、水洗し、中性にし
たのち、乾燥して、トルエンを留去して、8′−ブロモ
−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4−ビフェニリ
ルベンゾエート25yを得た。mp、 9 B、 6
’C。
M 8’−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)
−4−ヒドロキシビフェニルの製造 4V)で合成した3′−ブロモ−4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−ビフェニリルベンゾエート4.8f
、40%水酸化ナトリウム溶液8.21とエタノール1
00*どの混合物を3時間加熱還流した。その後エタノ
ールを留去し14− て、トルエンを加え、6N塩酸で酸性とし加熱して不溶
物を溶解した。これを分液、水洗(7、更に飽和の炭1
夜水素す) IJウム浴液で洗浄して、水洗し中性にし
て、乾燥した。これをトルエン留去して、残留物をn−
へブタンで1J)結晶して、3′−ブロモ−4’−(2
−メチルブチルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニル3
0gを得た。mp、 75〜76.5−C8(vll偉
題化合物(3′−ブl:lモー4’−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ビフェニリル−4−オクチルオキシベ
ンゾエート)の製造 (v)で合成した3′−ブロモー4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−ヒドロキシビフエニA−0,59を
ピリジン10tnlに溶解して、これニ水冷下p−オク
チルオキシベンゾイルクロライド(1,4fを滴下し、
水浴上で一夜放置した。その後トルエン80/金入れ、
6N塩酸で洗浄、水洗、更に2N水酸化ナトリウム溶液
で洗蹟、水洗し中性とし、乾燥した。これをトルエン留
去して、残M物をエタノール50g/から2度再結晶し
て、37−ブロモ−4′−(2−メチルブチルオキシ)
−4−ビフエー!ルー4−、tクテルオキシベンゾエー
ト0.3fが得られた。第1表に他の化合物と共にその
相転移点を示す。父化学構造O1N M Rにより確認
した。
−4−ヒドロキシビフェニルの製造 4V)で合成した3′−ブロモ−4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−ビフェニリルベンゾエート4.8f
、40%水酸化ナトリウム溶液8.21とエタノール1
00*どの混合物を3時間加熱還流した。その後エタノ
ールを留去し14− て、トルエンを加え、6N塩酸で酸性とし加熱して不溶
物を溶解した。これを分液、水洗(7、更に飽和の炭1
夜水素す) IJウム浴液で洗浄して、水洗し中性にし
て、乾燥した。これをトルエン留去して、残留物をn−
へブタンで1J)結晶して、3′−ブロモ−4’−(2
−メチルブチルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニル3
0gを得た。mp、 75〜76.5−C8(vll偉
題化合物(3′−ブl:lモー4’−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ビフェニリル−4−オクチルオキシベ
ンゾエート)の製造 (v)で合成した3′−ブロモー4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−ヒドロキシビフエニA−0,59を
ピリジン10tnlに溶解して、これニ水冷下p−オク
チルオキシベンゾイルクロライド(1,4fを滴下し、
水浴上で一夜放置した。その後トルエン80/金入れ、
6N塩酸で洗浄、水洗、更に2N水酸化ナトリウム溶液
で洗蹟、水洗し中性とし、乾燥した。これをトルエン留
去して、残M物をエタノール50g/から2度再結晶し
て、37−ブロモ−4′−(2−メチルブチルオキシ)
−4−ビフエー!ルー4−、tクテルオキシベンゾエー
ト0.3fが得られた。第1表に他の化合物と共にその
相転移点を示す。父化学構造O1N M Rにより確認
した。
実施例2〜8
実施例1−(Vllに於けるp−オクチルオキシベンゾ
イルクロライドの代わシにアルキル鎖長の異なる他のp
−アルキルオキシベンゾイルクロライドを反応させて、
表1に示す8′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオ
キシ)−4−ビフエ二IJ A/ −4−フルキルオキ
シベンジェ−トラ得た。又、実施例1−υ0に於けるp
−オクチルオキシベンゾイルクロライドの代わりに、各
アルキル鎖長の異なるp−アルキルベンゾイルクロライ
ドを反応させて、8′−ブロモ−4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−ビフェニリル−4−アルキルベンゾ
エートを得た。夫々の相転移点を表1に記す。
イルクロライドの代わシにアルキル鎖長の異なる他のp
−アルキルオキシベンゾイルクロライドを反応させて、
表1に示す8′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオ
キシ)−4−ビフエ二IJ A/ −4−フルキルオキ
シベンジェ−トラ得た。又、実施例1−υ0に於けるp
−オクチルオキシベンゾイルクロライドの代わりに、各
アルキル鎖長の異なるp−アルキルベンゾイルクロライ
ドを反応させて、8′−ブロモ−4’−(2−メチルブ
チルオキシ)−4−ビフェニリル−4−アルキルベンゾ
エートを得た。夫々の相転移点を表1に記す。
実施例9
8′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4
−ビフェニリル−4−オクタノイ()が魯、XがBr、
YがHのもの) 19− の製造 (1)p−オクタノイルオキシベンゾイルクロライドの
製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50fをピリジ
ン4001B?に溶解して、水冷下、オクタノイルクロ
ライド80ノを滴下して、水浴上で一夜放置した。これ
にトルエン800 ml及び6Nt12を加えて分液し
、更に2N水酸化ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し乾燥
した。これをトルエン留去して、粗製物を得た。これを
減圧蒸留してp−オクタノイルオキシベンズアルデヒド
(bp、176〜7°C/7肩*Hg) 58.2 f
を得た。これを酢酸80肩lに溶解して、この液に三酸
化クロム23.4f、水25tglおよび酢酸48 解
/の混合液を滴下した。室温中で4時間攪拌ののち、氷
にあけて固体を濾過し、エタノール300−に溶解し、
活性炭を加えて振とうし、熱濾過した。
−ビフェニリル−4−オクタノイ()が魯、XがBr、
YがHのもの) 19− の製造 (1)p−オクタノイルオキシベンゾイルクロライドの
製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50fをピリジ
ン4001B?に溶解して、水冷下、オクタノイルクロ
ライド80ノを滴下して、水浴上で一夜放置した。これ
にトルエン800 ml及び6Nt12を加えて分液し
、更に2N水酸化ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し乾燥
した。これをトルエン留去して、粗製物を得た。これを
減圧蒸留してp−オクタノイルオキシベンズアルデヒド
(bp、176〜7°C/7肩*Hg) 58.2 f
を得た。これを酢酸80肩lに溶解して、この液に三酸
化クロム23.4f、水25tglおよび酢酸48 解
/の混合液を滴下した。室温中で4時間攪拌ののち、氷
にあけて固体を濾過し、エタノール300−に溶解し、
活性炭を加えて振とうし、熱濾過した。
これを水冷し結晶を渥取し、更にエタノール800 w
lから再結晶して、p−オクタノイル−加 − オキシ安息香酸35ノを得た。mp、151″C8この
ものの51とシュウ酸クロライド7.21を60°Cの
水温上で加熱し、−夜装置したのち、減圧下で過剰のシ
ュウ酸クロライドを留去してp−オクタイルオキシベン
ゾイルクロライド5/Iを得た。このものは精製するこ
となく次の工程で使用した。
lから再結晶して、p−オクタノイル−加 − オキシ安息香酸35ノを得た。mp、151″C8この
ものの51とシュウ酸クロライド7.21を60°Cの
水温上で加熱し、−夜装置したのち、減圧下で過剰のシ
ュウ酸クロライドを留去してp−オクタイルオキシベン
ゾイルクロライド5/Iを得た。このものは精製するこ
となく次の工程で使用した。
(11)標題化合物の製造
実施例1−(VDに於けるp−オクチルオキシベンゾイ
ルクロライドの代わりに(1)で合成したp−オクタノ
イルオキシベンゾイルクロライドを反応させて、標題化
合物を得た。相転移点は表1に記した。
ルクロライドの代わりに(1)で合成したp−オクタノ
イルオキシベンゾイルクロライドを反応させて、標題化
合物を得た。相転移点は表1に記した。
実施例10
8′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4
−ビフェニリル−4−オクチルオキシカルボニルベンゾ
エート((1)式に於いてRI*は2−メチルブチル基
、2はオクチルオキシカルボニル基で、−&は(羽、X
はBr、YはHのもの)の製造 (1)p−オクチルオキシカルボニルベンゾイルクロラ
イドの製造 市販のテレフタルアルデヒド酸8509゜トルエン70
0*t、ピリジン2 mlの混合液に、塩化チオニルを
800m1加え室温で攪拌した。
−ビフェニリル−4−オクチルオキシカルボニルベンゾ
エート((1)式に於いてRI*は2−メチルブチル基
、2はオクチルオキシカルボニル基で、−&は(羽、X
はBr、YはHのもの)の製造 (1)p−オクチルオキシカルボニルベンゾイルクロラ
イドの製造 市販のテレフタルアルデヒド酸8509゜トルエン70
0*t、ピリジン2 mlの混合液に、塩化チオニルを
800m1加え室温で攪拌した。
のち6 (1’Cの水浴上で加熱攪拌、更にマントルヒ
ーターで加熱して、110°Cのところへ注意して塩化
チオニル100譚/e加え3時間150°Cで加熱攪拌
した。のち減圧下に過剰の塩化チオニルを留去した。こ
の釜残を減圧蒸留して、テレフタルアルデヒド酸クロラ
イド8289 (bp、 188〜134°c/ 14
**Hg )を得た。
ーターで加熱して、110°Cのところへ注意して塩化
チオニル100譚/e加え3時間150°Cで加熱攪拌
した。のち減圧下に過剰の塩化チオニルを留去した。こ
の釜残を減圧蒸留して、テレフタルアルデヒド酸クロラ
イド8289 (bp、 188〜134°c/ 14
**Hg )を得た。
次にピリジン150ηlに溶解した1−オクタツール2
Ofに上記のテレフタルアルデヒド酸クロライド20/
Iをトルエン100g/に溶解したものを滴下し、60
℃の水浴上で加熱攪拌ののち一夜放置した。その後、ト
ルエン500m/加え、6N塩酸を入れて分液、2N水
酸化す) IJウム溶液で洗浄後、水洗し、乾燥した。
Ofに上記のテレフタルアルデヒド酸クロライド20/
Iをトルエン100g/に溶解したものを滴下し、60
℃の水浴上で加熱攪拌ののち一夜放置した。その後、ト
ルエン500m/加え、6N塩酸を入れて分液、2N水
酸化す) IJウム溶液で洗浄後、水洗し、乾燥した。
これをトルエン留去し、更に減圧下に蒸留をして、p−
オクチルオキシカルボニルベンズアルデヒド(166〜
167°C/4s+gHg)を221得た。
オクチルオキシカルボニルベンズアルデヒド(166〜
167°C/4s+gHg)を221得た。
このものの20fの酢酸200 ml溶液に、三酸化ク
ロム10g、水12耐および酢酸24wtの混合液を水
冷下に滴下し、室温で撹拌した後−夜装置した。それを
水中にあけ固体外を沖取し、それをエタノール200*
tに溶解し、活性炭を入れ、振とうしてから熱濾過した
。これを水冷してから結晶を沖過して、更にエタノール
200 mlから再結晶して、p−オクチルオキシカル
ボニル安息香酸(mp。
ロム10g、水12耐および酢酸24wtの混合液を水
冷下に滴下し、室温で撹拌した後−夜装置した。それを
水中にあけ固体外を沖取し、それをエタノール200*
tに溶解し、活性炭を入れ、振とうしてから熱濾過した
。これを水冷してから結晶を沖過して、更にエタノール
200 mlから再結晶して、p−オクチルオキシカル
ボニル安息香酸(mp。
113℃)111を得た。
このものの5gとシュウ酸クロライド6.81を60°
Cの水浴上で加熱して、−夜装置した。のち減圧下で過
剰のシュウ酸クロライドを留去して、p−オクチルオキ
シカルボニルベンゾイルクロライド5fを得た。このも
のは精製することなく次の工程で使用した。
Cの水浴上で加熱して、−夜装置した。のち減圧下で過
剰のシュウ酸クロライドを留去して、p−オクチルオキ
シカルボニルベンゾイルクロライド5fを得た。このも
のは精製することなく次の工程で使用した。
23−
(+D標題化合物の製造
実施例1−(Vllに於けるp−オクチルオキシベンゾ
イルクロライドの代わりに(1)で合成したp−オクチ
ルオキシカルボニルベンゾイルクロライドを反応させて
標題化合物を得た。
イルクロライドの代わりに(1)で合成したp−オクチ
ルオキシカルボニルベンゾイルクロライドを反応させて
標題化合物を得た。
その相転移点は或1に示す。
実JM例11
8′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4
−ビフェニリル−4−オクチルオキシカルボニルオキシ
ベンゾエート((1)式に於いてRI*は2−メチルブ
チル基で、2はオクチルオキシカルボニル安息香酸。
−ビフェニリル−4−オクチルオキシカルボニルオキシ
ベンゾエート((1)式に於いてRI*は2−メチルブ
チル基で、2はオクチルオキシカルボニル安息香酸。
舎が舎、XがBr、YがHのもの)
の製造
(+)p−オクチルオキシカルボニルオキシベンゾイル
クロライドの製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50yをピリジ
ン400ηlにm解して、水冷下、クロルギ酸オクチル
85gを滴下し、水浴上で加熱して一夜放置した。これ
にトルニー潤 − ン800 ml及び6N塩酸を加えて分液し、更に2N
水酸化ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し、乾燥した。こ
れをトルエン留去してp−オクチルオキシカルボニルオ
キシベンズアルデヒドの粗製物75yを得た。
クロライドの製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50yをピリジ
ン400ηlにm解して、水冷下、クロルギ酸オクチル
85gを滴下し、水浴上で加熱して一夜放置した。これ
にトルニー潤 − ン800 ml及び6N塩酸を加えて分液し、更に2N
水酸化ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し、乾燥した。こ
れをトルエン留去してp−オクチルオキシカルボニルオ
キシベンズアルデヒドの粗製物75yを得た。
このものの酢酸100s/溶液に、三酸化クロム309
.水40tstおよび酢酸60肩どの混合液を滴下した
。室温中で4時間攪拌ののち、氷にあけて固体を戸数し
て、エタノール400篤tに溶解し、活性炭を加え振と
うし、熱濾過した。これを氷冷し、結晶を戸数して、更
にエタノール800*tから再結晶して、p−オクチル
オキシカルボニルオキシ安息香酸41fを得た。mp、
125.5°CQ このものの5/Iと塩化チオニル7fを60°Cの水浴
上で加熱し、−夜放置した。のち減圧下で過剰の塩化チ
オニルを留去して、p−オクチルオキシカルボニルオキ
シベンゾイルクロライド5fを得た。このものは精製す
ることなく次の工程で使用した。
.水40tstおよび酢酸60肩どの混合液を滴下した
。室温中で4時間攪拌ののち、氷にあけて固体を戸数し
て、エタノール400篤tに溶解し、活性炭を加え振と
うし、熱濾過した。これを氷冷し、結晶を戸数して、更
にエタノール800*tから再結晶して、p−オクチル
オキシカルボニルオキシ安息香酸41fを得た。mp、
125.5°CQ このものの5/Iと塩化チオニル7fを60°Cの水浴
上で加熱し、−夜放置した。のち減圧下で過剰の塩化チ
オニルを留去して、p−オクチルオキシカルボニルオキ
シベンゾイルクロライド5fを得た。このものは精製す
ることなく次の工程で使用した。
(11)標題化合物の製造
実施例1−(ホ)に於けるp−オクチルオキシベンゾイ
ルクロライドの代わりに(1)で合成したp−オクチル
オキシカルボニルオキシベンゾイルクロライドを反応さ
せて、標題化合物を得た。その相転移点は表1に記した
。
ルクロライドの代わりに(1)で合成したp−オクチル
オキシカルボニルオキシベンゾイルクロライドを反応さ
せて、標題化合物を得た。その相転移点は表1に記した
。
実施例12.11
実施例11と同様にして各アルキル鎖長の異るp−アル
キルオキシ力ルポニルオキシベンゾイルクロライドヲ製
造し、これを月3いて8′−フ“ロモー4’−(2−メ
チルブチルオキシ)−4−ビフェニリル−4−アルキル
オキシカルボニルオキシベンゾエートを得た。相転移点
は表1に記した。
キルオキシ力ルポニルオキシベンゾイルクロライドヲ製
造し、これを月3いて8′−フ“ロモー4’−(2−メ
チルブチルオキシ)−4−ビフェニリル−4−アルキル
オキシカルボニルオキシベンゾエートを得た。相転移点
は表1に記した。
実施例14
3′−ブロモ−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4
−ビフェニリル−4−オクチル−トランス−シクロヘキ
シルカルボネート((1)式に於いてR1*ハ2−メチ
ルブチル。
−ビフェニリル−4−オクチル−トランス−シクロヘキ
シルカルボネート((1)式に於いてR1*ハ2−メチ
ルブチル。
2はオクチル基、(ヴが舎、XがBr 。
YがHのもの)の製造
実施例1−υ口に於けるp−オクチルオキシベンゾイル
クロライドの代わりにp−オクチル−トランス−シクロ
ヘキシルカルボエルクlコライドを反応させて標題化合
物を得た。その相転移点は表1に記しfc。
クロライドの代わりにp−オクチル−トランス−シクロ
ヘキシルカルボエルクlコライドを反応させて標題化合
物を得た。その相転移点は表1に記しfc。
実施例15
B′−シアノ−4’−(2−メチルブチルオキシ)−4
−ビフェニリル−4−オクチルベンゾエート((■)式
に於いで、R1*は2−メチルブチル基、2はオクチル
基で唖カが舎、XがCN、YがHのもの)の製造 (1)8’−シアノ−4’−(2−メチルブチルオキシ
)−4−ヒドロキシビフェニルの製造 実施例1iVlで製造した8′−ブロモ−4′−(2−
メチルブチルオキシ)−4−ビフェニリルベンゾエート
lry、シアン化第−銅4.8f及びN−メチル−2−
ピロリドン200gtの混合物をはじめ200℃までの
低沸物を留去し、その後200〜205°Cで4時間別
27− 熱還流した。これを室温まで冷却したところへ、エチレ
ンジアミン50r/と水200 tslの混合液を滴下
して60℃で2時間加熱攪拌した。これを−夜放置する
と固体が析出したのでこれを戸数し、更にエタノールか
ら再結晶して、8′−シアノ−4’−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニル6.41ヲ得た
。mp、 181.4°C0その構造はNMR及びIR
よシ確認した。
−ビフェニリル−4−オクチルベンゾエート((■)式
に於いで、R1*は2−メチルブチル基、2はオクチル
基で唖カが舎、XがCN、YがHのもの)の製造 (1)8’−シアノ−4’−(2−メチルブチルオキシ
)−4−ヒドロキシビフェニルの製造 実施例1iVlで製造した8′−ブロモ−4′−(2−
メチルブチルオキシ)−4−ビフェニリルベンゾエート
lry、シアン化第−銅4.8f及びN−メチル−2−
ピロリドン200gtの混合物をはじめ200℃までの
低沸物を留去し、その後200〜205°Cで4時間別
27− 熱還流した。これを室温まで冷却したところへ、エチレ
ンジアミン50r/と水200 tslの混合液を滴下
して60℃で2時間加熱攪拌した。これを−夜放置する
と固体が析出したのでこれを戸数し、更にエタノールか
ら再結晶して、8′−シアノ−4’−(2−メチルブチ
ルオキシ)−4−ヒドロキシビフェニル6.41ヲ得た
。mp、 181.4°C0その構造はNMR及びIR
よシ確認した。
(11)標題化合物(3′−シアノ−4’−(2−メチ
ルブチルオキシ)−4−ビフェニリル−4−オクチルベ
ンゾエート)の製造 (+)で得た3′−シアノ−4’−(2−メチルブチル
オキシ)−4−ヒドロキシビフェニル0.5gを20t
xtのピリジンに溶解して、これを水冷下、p−オクチ
ルベンゾイルクロライド0.4gを滴下し、水浴上で一
夜放置した。
ルブチルオキシ)−4−ビフェニリル−4−オクチルベ
ンゾエート)の製造 (+)で得た3′−シアノ−4’−(2−メチルブチル
オキシ)−4−ヒドロキシビフェニル0.5gを20t
xtのピリジンに溶解して、これを水冷下、p−オクチ
ルベンゾイルクロライド0.4gを滴下し、水浴上で一
夜放置した。
その後トルエン80tl金入れ、6N塩酸で洗浄、水洗
、更に2N水酸化す) IJウム溶液で洗浄、水洗し中
性とし、乾燥した。これをトー 1)− ルエン留去して残留物をエタノール50耐から2度再結
晶して、8′−シアノ−4’−(2−メチルブチルオキ
シ)−4−ビフェニリル−4−オクチルベンゾニー)
0.5 f e得た。相転移点は表1に示す。
、更に2N水酸化す) IJウム溶液で洗浄、水洗し中
性とし、乾燥した。これをトー 1)− ルエン留去して残留物をエタノール50耐から2度再結
晶して、8′−シアノ−4’−(2−メチルブチルオキ
シ)−4−ビフェニリル−4−オクチルベンゾニー)
0.5 f e得た。相転移点は表1に示す。
実施例16〜22
実施例15−(I+)に於いて、p−オクチルベンゾイ
ルクロライドの代わりに名神の4−詐換安息査酸クロラ
イド又は、p−アルキルシクロへキサンカルボン絃クロ
ライドを反応させ表1の実施例16〜22の化合物を得
た。相転移点し31゛表1に示す。
ルクロライドの代わりに名神の4−詐換安息査酸クロラ
イド又は、p−アルキルシクロへキサンカルボン絃クロ
ライドを反応させ表1の実施例16〜22の化合物を得
た。相転移点し31゛表1に示す。
実施例2B
4’−(2−メチルブチルオキシ)−8−ブロモ−4−
ビフェニリル−4−オクチルベンゾニー) ((1)式
に於いてRF’は2−メチルブチル基、Zがオクチル基
、舎が (防、XがH,YがBrOもの)の製造(1)4’−(
2−メチルブチルオキシ)−3−ブロモ−4−ヒドロキ
シビフェニルの製造 実施例1−(+)で得た4’−(2−メチルブチルオキ
シ)−4−ヒドロキシビフェニル15fを1,4−ジオ
キサン50g/に溶解し、これに、臭素1O15と1,
4−ジオキサン140m1の混合物を滴下し、40°C
の水浴上で加熱して4時間攪拌した。その後、減圧下で
1゜4−ジオキサンを留去して、その残液にトルエン8
00 rxlを加え、10%亜硫酸水素ナトリウム水溶
液を、臭素の色が消失するまで、加え、飽和食塩水で3
回洗浄し、中性とし、乾燥j−た。これをトルエン留去
して粗製の4′−(2−メチルブチルオキシ)−3−ブ
ロモー4−ヒドロキシビフェニル21gを得た。
ビフェニリル−4−オクチルベンゾニー) ((1)式
に於いてRF’は2−メチルブチル基、Zがオクチル基
、舎が (防、XがH,YがBrOもの)の製造(1)4’−(
2−メチルブチルオキシ)−3−ブロモ−4−ヒドロキ
シビフェニルの製造 実施例1−(+)で得た4’−(2−メチルブチルオキ
シ)−4−ヒドロキシビフェニル15fを1,4−ジオ
キサン50g/に溶解し、これに、臭素1O15と1,
4−ジオキサン140m1の混合物を滴下し、40°C
の水浴上で加熱して4時間攪拌した。その後、減圧下で
1゜4−ジオキサンを留去して、その残液にトルエン8
00 rxlを加え、10%亜硫酸水素ナトリウム水溶
液を、臭素の色が消失するまで、加え、飽和食塩水で3
回洗浄し、中性とし、乾燥j−た。これをトルエン留去
して粗製の4′−(2−メチルブチルオキシ)−3−ブ
ロモー4−ヒドロキシビフェニル21gを得た。
このもの2Ofのピリジン200 wl溶液にベンゾイ
ルクロライド1B、211を注入し、水温上加熱して一
夜放置した。トルエン800extを加え、史に6N塩
酸を加えて分液し、2N水酸化ナトリウム水溶液で洗浄
、水洗し乾燥した。トルエン留去して、和製の4′−(
2−メチルブチルオキシ)−8−ブロモー4−ビフェニ
リルベンゾエート25.21f%た。これをエタノール
200gtから再結晶し、更にエタノール180 wl
から再結晶して、15fの4’−(2−メチルブチルオ
キシ)−3−ブロモ−4−ビフェニリルベンゾエート(
mp。
ルクロライド1B、211を注入し、水温上加熱して一
夜放置した。トルエン800extを加え、史に6N塩
酸を加えて分液し、2N水酸化ナトリウム水溶液で洗浄
、水洗し乾燥した。トルエン留去して、和製の4′−(
2−メチルブチルオキシ)−8−ブロモー4−ビフェニ
リルベンゾエート25.21f%た。これをエタノール
200gtから再結晶し、更にエタノール180 wl
から再結晶して、15fの4’−(2−メチルブチルオ
キシ)−3−ブロモ−4−ビフェニリルベンゾエート(
mp。
8B、0°C)を得た。
このものの5gに40%水酸化ナトリウム水溶液29お
よびエタノール100*/を加え、2時間加熱還流した
。エタノール留去したのち、トルエン10100aと6
N塩酸を加え、固体を溶かし、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液で洗浄、水洗して乾燥した。これをトルエン留去
し、トルエン−ヘプタンの混合溶媒から再結晶して、8
.2yの4’−(2−メチルブチルオキシ)−8−ブロ
モ−4−ヒドロキシビフェニル(mp、49.4°C)
を得た。
よびエタノール100*/を加え、2時間加熱還流した
。エタノール留去したのち、トルエン10100aと6
N塩酸を加え、固体を溶かし、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液で洗浄、水洗して乾燥した。これをトルエン留去
し、トルエン−ヘプタンの混合溶媒から再結晶して、8
.2yの4’−(2−メチルブチルオキシ)−8−ブロ
モ−4−ヒドロキシビフェニル(mp、49.4°C)
を得た。
(11)標題化合物の製造
4’−(2−メチルブチルオキシ)−8−ブロモ−4−
ヒドロキシビフェニル0.25fをピリジン10ag/
に溶解して、これに水冷下、31− 0.20yのp−オクチルベンゾイルクロライドを滴下
し、60°Cの水浴上で加熱して一夜放置した。これに
トルエン50m1k加えて、6Njふ酸を加えて分液し
、2N水酸化ナトリウム溶液で洗浄、水洗して、乾燥し
た。トルエン留去してエタノールBowlに溶解しテ熱
沖過、更に、エタノール80m?を用いて再結晶して、
標題化合vlJを得た。相転移点は表1に記した。
ヒドロキシビフェニル0.25fをピリジン10ag/
に溶解して、これに水冷下、31− 0.20yのp−オクチルベンゾイルクロライドを滴下
し、60°Cの水浴上で加熱して一夜放置した。これに
トルエン50m1k加えて、6Njふ酸を加えて分液し
、2N水酸化ナトリウム溶液で洗浄、水洗して、乾燥し
た。トルエン留去してエタノールBowlに溶解しテ熱
沖過、更に、エタノール80m?を用いて再結晶して、
標題化合vlJを得た。相転移点は表1に記した。
実施例24〜28
実施例28− (it)に於いてp−オクチルベンゾイ
ルクロライドの代シに各fm4−f&を換安息香酸クロ
ライド又はp−アルキル−トランス−シクロヘキサンカ
ルボンはクロライドを反応させ表1の実施例24〜28
の化合物を得た。相転移点は表1に示す。
ルクロライドの代シに各fm4−f&を換安息香酸クロ
ライド又はp−アルキル−トランス−シクロヘキサンカ
ルボンはクロライドを反応させ表1の実施例24〜28
の化合物を得た。相転移点は表1に示す。
実施例29(使用例1)
4−エチル−4′−シアノビフェニル 20M−fit
%4−ペンテルー4′−シアノビフェニル 40M量%
4−オクチルオキシー4′−シアノビフェニル 25重
量%−澄 − 4−ベンチルー4′−シアノターフェニル 15tit
%からなるネマチック液晶組成物を配向処理剤としてポ
リビニルアルコール(PVA)e塗布し、その表面をラ
ビングして配向処理を施した透明電極からなるセル(電
極間融10μm )に注入してTN型表示セルと(2、
これを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ドメ
インを生じているのが観察された。
%4−ペンテルー4′−シアノビフェニル 40M量%
4−オクチルオキシー4′−シアノビフェニル 25重
量%−澄 − 4−ベンチルー4′−シアノターフェニル 15tit
%からなるネマチック液晶組成物を配向処理剤としてポ
リビニルアルコール(PVA)e塗布し、その表面をラ
ビングして配向処理を施した透明電極からなるセル(電
極間融10μm )に注入してTN型表示セルと(2、
これを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ドメ
インを生じているのが観察された。
上記のネマチック液晶組成物に本発明の実施例15の化
合@を11址%添加1〜たものを使用して、同様にT
Nセルとして観察したところ、リバース・ドメインは解
消され均一なネマチック相が観察された。
合@を11址%添加1〜たものを使用して、同様にT
Nセルとして観察したところ、リバース・ドメインは解
消され均一なネマチック相が観察された。
実施例80(使用例2)
本発明の実施例7.8.12.18の化合物の等量混合
物は、71’O−までSC*相を示し、それ以上のil
[でch相を示し、101°Cで等方性液体となる。
物は、71’O−までSC*相を示し、それ以上のil
[でch相を示し、101°Cで等方性液体となる。
この混合物を配向処理としてPVAを塗布し、表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセル
に注入し、50vの直流電圧を印加しながら等方性液体
領域よりSC*相になるまで徐冷したところ、均一なモ
ノドメインセルが得られた。この液晶セルを直交ニコル
状態に配(賀した2枚の偏光子の間にはさみ、0.5服
、15Vの低周波数の交流を印刀口したところ、明瞭な
スイッチング動作が観察され、非常にコントラストも良
く、応答速度が速い(2772sec)液晶表示素子が
得られた1゜ 尚、この液晶組成物の自発分極(Ps)の値は8、0
nC/i ? 6つだ。
ビングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセル
に注入し、50vの直流電圧を印加しながら等方性液体
領域よりSC*相になるまで徐冷したところ、均一なモ
ノドメインセルが得られた。この液晶セルを直交ニコル
状態に配(賀した2枚の偏光子の間にはさみ、0.5服
、15Vの低周波数の交流を印刀口したところ、明瞭な
スイッチング動作が観察され、非常にコントラストも良
く、応答速度が速い(2772sec)液晶表示素子が
得られた1゜ 尚、この液晶組成物の自発分極(Ps)の値は8、0
nC/i ? 6つだ。
実施例31(使用例8)
本発明の実施例1.4,10.11の化合物の等ml′
混合物は89℃凍でSC*相を示し、それ以」二の温度
でch相を示し、110°Cで等方性液体となる。
混合物は89℃凍でSC*相を示し、それ以」二の温度
でch相を示し、110°Cで等方性液体となる。
この混合物にアントラキノン系色素のD−16(B D
’H社製品)を8重量%添加していわゆるゲスト・ホ
スト型にしたものを実施例80と同褌なセルに注入し、
1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直になるように配置
し、0.511z、15Vの低周波数の交流を印加した
ところ明瞭なスイッチング動作が観察され、非常にコン
トラストが良く、応答速度が速い(2msec)カラー
液晶表示素子が得られた。
’H社製品)を8重量%添加していわゆるゲスト・ホ
スト型にしたものを実施例80と同褌なセルに注入し、
1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直になるように配置
し、0.511z、15Vの低周波数の交流を印加した
ところ明瞭なスイッチング動作が観察され、非常にコン
トラストが良く、応答速度が速い(2msec)カラー
液晶表示素子が得られた。
尚、この液晶組成物の自発分極の値は2.5nC/mで
あった。
あった。
以上
−部 −
第1頁の続き
■Int、、Cj4 識別記号 庁内整理番号C09K
19/20 6556−4H19/30 6556
4H 439−
19/20 6556−4H19/30 6556
4H 439−
Claims (6)
- (1)一般式 (上式に於てRI*は炭素数4〜18の光学活性を有す
るアルキル基を示し、()は(トスU −0−e 示L
、Z u Rz 、 RxC0、R2COOを示し、R
2は炭素数1〜18のアルキル基又はアルコキシ基を示
し、X及びYは夫々水素原子(H)、臭素原子(Br)
、塩素原子(C6)。 フッ素原子(F)又はシアノ基(CN)を示すがX、Y
は常にいずれか一方が水素原子である)で表わされる置
換ビフェニルエステル類。 - (2)一般式(1)に於けるRxが2−メチルブチル基
である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 - (3)一般式(1)に於けるRxが2−オクチル基であ
る特許請求の範囲第1項記載の化合物。 - (4)一般式 (上式に於てR1*は炭素数4〜18の光学活性を有す
るアルキル基を示L、()は舎又は(Σを示し、ZはR
z 、 R2C0、R2COOを示し、R2は炭素数1
〜18のアルキル基又はアルコキシ基を示し、X及びY
は夫々水素原子(H)、臭素原子(Br) 、塩素原子
(Ct) 。 フッ素原子(F)又はシアン基(CN)を示すがX、Y
は常にいずれか一方が水素原子である)で表わされる置
換ビフェニルエステル類ヲ少くとも一種含有することを
特徴とするカイラルスメクチック液晶組成物。 - (5)複数の(1)式の化合物からなる特許請求の範囲
第4項記載の液晶組成物。 - (6)一般式 (上式に於てR1*は炭素数4〜18の光学活性を壱す
るアルキル基を示し、÷)は釡又n −Q−ヲ示り、、
Z l’l: R2、R2C0、R2COOを示し、R
2は炭素数1〜18のアルキル基又d、アルコキシ基を
示し、X及びYは夫々水素原子(H)、臭素原子(Br
) 、塩素原子(C))。 フッ素原子(F)又はシアノ基(CN)を示すがX、Y
は常にいずれか一方が水素原子である)で表わされる置
換ビフェニルエステル類を少なくとも一柚含有するカイ
ラルスメクチック液晶組成物を使用して構成された光ス
イツチング素子。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59021439A JPH0794406B2 (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 液晶性置換ビフエニルエステル類 |
DE8585300816T DE3578166D1 (de) | 1984-02-08 | 1985-02-07 | Fluessigkristalline substituierte biphenylester. |
EP85300816A EP0153826B1 (en) | 1984-02-08 | 1985-02-07 | Liquid-crystalline substituted biphenyl esters |
US06/893,462 US4737313A (en) | 1984-02-08 | 1986-08-08 | Liquid-crystalline substituted biphenyl esters |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59021439A JPH0794406B2 (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 液晶性置換ビフエニルエステル類 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60166646A true JPS60166646A (ja) | 1985-08-29 |
JPH0794406B2 JPH0794406B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=12054995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP0153826B1 (ja) |
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DE (1) | DE3578166D1 (ja) |
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JPH01299258A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-04 | Kanto Chem Co Inc | シクロヘキサンカルボン酸化合物並びにそれらを含む液晶組成物 |
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DE3766260D1 (de) * | 1986-01-31 | 1991-01-03 | Dainippon Ink & Chemicals | Optisch aktive carbonsaeure-derivate und sie enthaltende fluessigkristalline zusammensetzungen. |
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-
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- 1985-02-07 EP EP85300816A patent/EP0153826B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-07 DE DE8585300816T patent/DE3578166D1/de not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-08-08 US US06/893,462 patent/US4737313A/en not_active Expired - Fee Related
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