JPH0572380B2 - - Google Patents
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- JPH0572380B2 JPH0572380B2 JP58201429A JP20142983A JPH0572380B2 JP H0572380 B2 JPH0572380 B2 JP H0572380B2 JP 58201429 A JP58201429 A JP 58201429A JP 20142983 A JP20142983 A JP 20142983A JP H0572380 B2 JPH0572380 B2 JP H0572380B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- compound
- formula
- phase
- crystal composition
- Prior art date
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Description
本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有
する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基
を有するカイラル液晶物質又はそれらを含有する
カイラル液晶組成物に関する。 現在、液晶表示素子としてTN(Twisted
Nematic)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等)と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも抱らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.,36,899(1980))。この
方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相
(以下SC*(以下同じ)相と略称する)或はカイラ
ルスメクチツクH相(以下SH*相と略称する)を
利用するもので、それが室温付近にあるものが望
ましい。従来、優れた液晶特性を示す化合物とし
て、ピラジン環の2位と5位に互に異なる置換基
を有する下記一般式のピラジン誘導体が知られて
いる(特開昭58−43961号公報)。
する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基
を有するカイラル液晶物質又はそれらを含有する
カイラル液晶組成物に関する。 現在、液晶表示素子としてTN(Twisted
Nematic)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等)と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも抱らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.,36,899(1980))。この
方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相
(以下SC*(以下同じ)相と略称する)或はカイラ
ルスメクチツクH相(以下SH*相と略称する)を
利用するもので、それが室温付近にあるものが望
ましい。従来、優れた液晶特性を示す化合物とし
て、ピラジン環の2位と5位に互に異なる置換基
を有する下記一般式のピラジン誘導体が知られて
いる(特開昭58−43961号公報)。
【式】
しかし、該誘導体中のR1とR2は、それぞれ3
〜9Cの脂肪族アルキル基と1〜11Cの脂肪族アル
キルもしくはアルコキシ等であるに過ぎず、格別
光学活性炭素を含むものではない。 このような化合物はSC*相を示すことがなく、
従つて上述の要請を満すものではない。 本発明者らは、上記の表示方式に利用されるに
適した液晶物質の開発を主たる目的として、光学
活性基を有する液晶物質を種々探索して本発明に
到達した。 即ち本発明は一般式
〜9Cの脂肪族アルキル基と1〜11Cの脂肪族アル
キルもしくはアルコキシ等であるに過ぎず、格別
光学活性炭素を含むものではない。 このような化合物はSC*相を示すことがなく、
従つて上述の要請を満すものではない。 本発明者らは、上記の表示方式に利用されるに
適した液晶物質の開発を主たる目的として、光学
活性基を有する液晶物質を種々探索して本発明に
到達した。 即ち本発明は一般式
【化】
(但し、上式に於いてRは炭素数1〜18の直鎖
又は分枝鎖のアルキル基を示し、j,k,l,m
はいずれも0又は1であるがk,l,mが同時に
0であることはなく、nは1,2又は3である。
又、*は光学活性炭素原子を示す) で表わされる化合物及びそれを含有する液晶組成
物である。 ()式の化合物の大部分は強誘電性を利用す
る表示方式に適したSC*を示す。更に()式の
化合物は他の化合物(SC*、SH*相を有する化合
物及びコレステリツク相を呈する化合物等)との
相溶性にすぐれているので混合して、そのSC*を
呈する温度範囲を拡大するために使用できる。表
1に本発明の()式の化合物の代表的なもの及
びその相転移点を示す。
又は分枝鎖のアルキル基を示し、j,k,l,m
はいずれも0又は1であるがk,l,mが同時に
0であることはなく、nは1,2又は3である。
又、*は光学活性炭素原子を示す) で表わされる化合物及びそれを含有する液晶組成
物である。 ()式の化合物の大部分は強誘電性を利用す
る表示方式に適したSC*を示す。更に()式の
化合物は他の化合物(SC*、SH*相を有する化合
物及びコレステリツク相を呈する化合物等)との
相溶性にすぐれているので混合して、そのSC*を
呈する温度範囲を拡大するために使用できる。表
1に本発明の()式の化合物の代表的なもの及
びその相転移点を示す。
【表】
【表】
上表に於いてCは結晶性を、をは等方性液体
相、chはコレステリツク相を夫々表わし、各相
の欄の・及び右側の数字はその相から右側の相へ
の相転位温度を示し、一はその相を示さないこと
を示す。( )はモノトロピツク転移温度である
ことを示す。 カイラルスメクチツク液晶組成物を構成する場
合、()式の複数の化合物のみより構成するこ
とも可能であり、又()式の化合物と他のスメ
クチツク液晶と混合してSC*を呈する液晶組成を
製造することも可能である。SC*の光スイツチン
グ効果を表示素子として応用する場合TN表示方
式にくらべて3つのすぐれた特徴がある。第1の
特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は通常
のTN表示方式の素子と比較すると、1/100以
下である。第2の特徴はメモリー効果があること
であり、上記の高速応答性とあいまつて、時分割
駆動が容易である。第3の特徴はTN表示方式で
濃淡の階調をとるには、印加電圧を調節して行な
うが、しきい値電圧の温度依存や応答速度の電圧
依存性などの難問がある。しかしSC*の光スイツ
チング効果を応答する場合には極性の反転時間を
調節することにより、容易に階調を得ることがで
き、グラフイツク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複屈折型、他
の1つの方法は二色性色素を使用するゲストホス
ト型である。SC*は自発分極をもつため、印加電
圧の極性を反転することにより、らせん軸を回転
軸として分子が反転する。SC*を有する液晶組成
物を液晶分子が電極面に平行にならぶように配向
処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分子の
ダイレクターと一方の偏光面を平行になるように
配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをはさ
み、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する(1℃〜2℃/hr)ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 尚、()式の化合物に対応するセラミ体は、
下記に示す光学活性体()の製法に於いて原料
としてS(−)−2−メチル−1−ブタノールの代
りにラセミ体の2−メチル−1−ブタノールを使
用することによつて、同様に製造されるものであ
るが、()とほぼ同じ相転移点を示す。ラセミ
体はSC*の代りにSC相を示し、光学活性体()
内に添加してカイラルスメクチツクのピツチの調
整に使用できる。 ()式の化合物は、又、光学活性炭素原子を
有するため、これをネマチツク液晶に添加するこ
とによつて捩れた構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラ
ルネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリ
バース・ドメイン(reverse domain、しま模様)
を生成することがないので()式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。 次に一般式()の化合物の合成法について述
べる。()式の化合物は次の様な工程により製
造することができる。
相、chはコレステリツク相を夫々表わし、各相
の欄の・及び右側の数字はその相から右側の相へ
の相転位温度を示し、一はその相を示さないこと
を示す。( )はモノトロピツク転移温度である
ことを示す。 カイラルスメクチツク液晶組成物を構成する場
合、()式の複数の化合物のみより構成するこ
とも可能であり、又()式の化合物と他のスメ
クチツク液晶と混合してSC*を呈する液晶組成を
製造することも可能である。SC*の光スイツチン
グ効果を表示素子として応用する場合TN表示方
式にくらべて3つのすぐれた特徴がある。第1の
特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は通常
のTN表示方式の素子と比較すると、1/100以
下である。第2の特徴はメモリー効果があること
であり、上記の高速応答性とあいまつて、時分割
駆動が容易である。第3の特徴はTN表示方式で
濃淡の階調をとるには、印加電圧を調節して行な
うが、しきい値電圧の温度依存や応答速度の電圧
依存性などの難問がある。しかしSC*の光スイツ
チング効果を応答する場合には極性の反転時間を
調節することにより、容易に階調を得ることがで
き、グラフイツク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複屈折型、他
の1つの方法は二色性色素を使用するゲストホス
ト型である。SC*は自発分極をもつため、印加電
圧の極性を反転することにより、らせん軸を回転
軸として分子が反転する。SC*を有する液晶組成
物を液晶分子が電極面に平行にならぶように配向
処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分子の
ダイレクターと一方の偏光面を平行になるように
配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをはさ
み、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する(1℃〜2℃/hr)ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 尚、()式の化合物に対応するセラミ体は、
下記に示す光学活性体()の製法に於いて原料
としてS(−)−2−メチル−1−ブタノールの代
りにラセミ体の2−メチル−1−ブタノールを使
用することによつて、同様に製造されるものであ
るが、()とほぼ同じ相転移点を示す。ラセミ
体はSC*の代りにSC相を示し、光学活性体()
内に添加してカイラルスメクチツクのピツチの調
整に使用できる。 ()式の化合物は、又、光学活性炭素原子を
有するため、これをネマチツク液晶に添加するこ
とによつて捩れた構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラ
ルネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリ
バース・ドメイン(reverse domain、しま模様)
を生成することがないので()式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。 次に一般式()の化合物の合成法について述
べる。()式の化合物は次の様な工程により製
造することができる。
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
(*は光学活性炭素原子を示す)
即ち、既知物質であるp−ヒドロキシアセトフ
エノン()に水酸化カリウムの存在下、光学活
性炭素を有するハロゲン化アルキルと反応して化
合物()を得る。化合物()を二酸セレン等
の酸化剤により酸化反応して化合物()を得
る。次いで化合物()を塩酸グリシンアミド
と、水酸化ナトリウムの存在下で反応して化合物
()を得る。この化合物()をビリジン存在
下で最終目的物に対応した()式の化合物の酸
クロリドと反応して目的の()式の化合物を得
る。 以下実施例により本発明の液晶化合物及び液晶
組成物につき更に詳細に説明する。 実施例 1 〔(S)2−p−オクチルベンゾイルオキシ−
5−(2−メチルブチルオキシフエニル)ピラジ
ン(()式に於いてj,k=0,l,m,n=
1,R=C8H17のもの)の製造〕 第1段階 p−ヒドロキシアセトフエノン()50g
(0.367モル)、エチノール200ml、水酸化カリウム
22.6g(0.404モル)、水23ml、(+)臭化2−メ
チルブチル(S(−)−2−メチル−1−ブタノー
ルより臭化燐により製造)61g(0.404モル)を
フラスコに入れ、8時間還流して冷却した。水
200mlとトルエン100mlを加え攪拌し抽出する。ト
ルエン層を2N−NaOH水溶液50mlで3回洗浄し
たのち、洗液が中性になるまで水洗した。溶媒を
留去し残留物を減圧蒸留して沸点120〜122℃/4
mmHgの留分を採り化合物()39gを得た。 第2段階 二酸化セレン20.7g(0.187モル)、p−ジオキ
サン112ml、水3.7mlをフラスコに入れ50℃に温め
攪拌溶解する。ここへ化合物()38.6g
(0.187モル)を一挙に加え、85℃で4時間還流し
て冷却した。セレンを過で取り除いて溶媒を留
去し、残留物を減圧蒸留して沸点135〜140℃/
4.5mmHgの留分を集め、これに水50mlを加え、一
旦60℃に温めてから攪拌しながら冷却し水と分離
すると化合物()30gを得た。 第3段階 塩酸グリシンアミド5.1g(0.046モル)、メタ
ノール39ml、水13mlをフラスコに入れ懸濁、−30
℃で12.5N−NaOH溶液5.5mlを滴下、さらに
NaOH1.9gを含むメタノール溶液20mlを滴下す
ると、溶液は透明となる。これに−20℃以下で、
化合物()12g(0.055モル)をメタノール40
mlに溶解した溶液を滴下、そのまま2時間攪拌を
続け徐々に室温にもどし、さらに2時間攪拌後、
酢酸酸性とする。析出した橙色結晶を取し、更
に液を濃縮して得られた結晶を合し、酢酸エチ
ルから再結晶して化合物()6gを得た。この
物の融点は152〜154.7℃であつた。 第4段階 化合物()2g(0.008モル)をピリジン5
mlに溶解したものにp−オクチル安息香酸クロリ
ド1.8g(0.007モル)を加え反応させた。よく攪
拌し一夜放置後トルエン30ml、水20mlを加え、ト
ルエン層を6N−HCl次いで2N−NaOH水溶液で
洗浄し、更に中性になるまで水洗した。トルエン
を留去し残留物をエタノールで再結晶して目的物
である()式の(S)2−p−オクチルベンゾ
イルオキシ−5−(2−メチルブチルオキシフエ
ニル)ピラジン0.9gを得た。この化合物はSC*
及びコレステリツク相を示し、その相転移点は表
1の実施例1の欄に示す通りであつた。又、この
化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致
した。 実測値 計算値(C30H38N2O3として) C 75.8% 75.91% H 8.0% 8.07% N 5.4% 5.9% 実施例 2〜5 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りに他のアルキル基を有するp−アル
キル安息香酸クロリドを用いる他は実施例1に準
じて操作を行い、()式(但しj,k=0,l,
m,n=1のもの)の化合物を得た。それらの相
転移点を実施例1の結果と共に表1に示す。 実施例 6,7 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りにp−オクチルオキシ安息香酸クロ
リドを用いる他は実施例1に準じて操作を行い、
()式(但しj=1,k=0,l,m,n=1
のもの)の化合物、即ち(S)−2−p−オクチ
ルオキシベンゾイルオキシ−5−(2−メチルブ
チルオキシフエニル)ピラジン及び、(S)2−
p−ウンデシルオキシベンゾイルオキシ−5−
(2−メチルブチルオキシフエニル)ピラジンを
得た。これらの相転移点も表1に示す。 実施例 8 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りにp−ノニルオキシカルボニルオキ
シ安息香酸クロリドを用いる他は、実施例1に準
じて操作を行い(S)2−p−ノニルオキシカル
ボニルオキシベンゾイルオキシ−5−(2−メチ
ルブチルオキシフエニル)ピラジンを得た。その
相転移点は表1に示す。 実施例 9 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りにクロルギ酸オクチルを用いる他は
実施例1に準じて操作を行い、(S)2−p−オ
クチルオキシカルボニルオキシ−5−(2−メチ
ルブチルオキシフエニル)ピラジンを得た。その
相転移点も表1に示す。 実施例10 (使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノタ−フエニル
15重量% からなるネマチツク液晶組成物を配向処理剤とし
てポリビニルアルコール(PVA)を塗布し、そ
の表面をラビングして平行配向処理を施した透明
電極からなるセル(電極間隔10μm)に注入して
TN型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観察
したところ、リバースメインを生じているのが観
察された。 上記のネマチツク液晶組成物に本発明の()
式でj=0,k=0,l=1,m=1,n=1で
R=C4H9なる化合物(実施例2)を1重量%添
加したものを使用して同様にTNセルとして観察
したところ、リバースドメインは解消され均一な
ネマチツク相が観察された。 実施例11 (使用例2) ()式に於いてj=0,k=0,l=1,m
=1,n=1でR=C5H11(実施例3)、R=C7
H13(実施例4)、R=C8H17(実施例1)、R=C10
H21(実施例5)の各化合物の等量混合物は、室
温から68℃までSC*を示し、それ以上の温度でch
相を示し、138℃で等方性液体となる。 この混合物を配向処理としてPVAを塗布し、
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極を備えたセルに注入し、50Vの直流電圧を印加
しながら等方性液体領域よりSC*になまで徐冷し
たところ均一なモノドメインセルが得られる。こ
の液晶セルを直交ニコル状態に配置した2枚の偏
光子の間にはさみ、0.5Hz、15Vの低周波数の交
流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作が
観察され、非常にコントラストも良く、応答速度
が速い(2msec)液晶表示素子が得られた。 尚、この液晶組成物の自発分極(Ps)の値は
25℃に於いて2.5nC/cm3であつた。 実施例12 (使用例3) ()式に於いて、j=1,k=0,l=1,
m=1,n=1でR=C8H17(実施例6)、R=
C11H23(実施例7)なる化合物、j=1,k=
1,l=1,m=1,n=1でR=C9H19なる化
合物(実施例8)及びj=1,k=1,l=0,
m=0,n=1でR=C8H17なる化合物(実施例
9)の等量混合物は、室温から88℃までSC*を示
し、それ以上の温度でch相を示し、124℃で等方
性液体となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加して、いわゆるゲ
スト・ホスト型にしたものを実施例11と同様なセ
ルに注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂
直になるように配置し、0.5HzHz,15Vの低周波
数の交流を印加したところ、明瞭なスイツチング
動作が観察され、非常にコントラストが良く、応
答速度が速い(2msec)カラー液晶表示素子が得
られた。 尚、この液晶組成物の自発分極の値は25℃に於
いて3nC/cm3であつた。
エノン()に水酸化カリウムの存在下、光学活
性炭素を有するハロゲン化アルキルと反応して化
合物()を得る。化合物()を二酸セレン等
の酸化剤により酸化反応して化合物()を得
る。次いで化合物()を塩酸グリシンアミド
と、水酸化ナトリウムの存在下で反応して化合物
()を得る。この化合物()をビリジン存在
下で最終目的物に対応した()式の化合物の酸
クロリドと反応して目的の()式の化合物を得
る。 以下実施例により本発明の液晶化合物及び液晶
組成物につき更に詳細に説明する。 実施例 1 〔(S)2−p−オクチルベンゾイルオキシ−
5−(2−メチルブチルオキシフエニル)ピラジ
ン(()式に於いてj,k=0,l,m,n=
1,R=C8H17のもの)の製造〕 第1段階 p−ヒドロキシアセトフエノン()50g
(0.367モル)、エチノール200ml、水酸化カリウム
22.6g(0.404モル)、水23ml、(+)臭化2−メ
チルブチル(S(−)−2−メチル−1−ブタノー
ルより臭化燐により製造)61g(0.404モル)を
フラスコに入れ、8時間還流して冷却した。水
200mlとトルエン100mlを加え攪拌し抽出する。ト
ルエン層を2N−NaOH水溶液50mlで3回洗浄し
たのち、洗液が中性になるまで水洗した。溶媒を
留去し残留物を減圧蒸留して沸点120〜122℃/4
mmHgの留分を採り化合物()39gを得た。 第2段階 二酸化セレン20.7g(0.187モル)、p−ジオキ
サン112ml、水3.7mlをフラスコに入れ50℃に温め
攪拌溶解する。ここへ化合物()38.6g
(0.187モル)を一挙に加え、85℃で4時間還流し
て冷却した。セレンを過で取り除いて溶媒を留
去し、残留物を減圧蒸留して沸点135〜140℃/
4.5mmHgの留分を集め、これに水50mlを加え、一
旦60℃に温めてから攪拌しながら冷却し水と分離
すると化合物()30gを得た。 第3段階 塩酸グリシンアミド5.1g(0.046モル)、メタ
ノール39ml、水13mlをフラスコに入れ懸濁、−30
℃で12.5N−NaOH溶液5.5mlを滴下、さらに
NaOH1.9gを含むメタノール溶液20mlを滴下す
ると、溶液は透明となる。これに−20℃以下で、
化合物()12g(0.055モル)をメタノール40
mlに溶解した溶液を滴下、そのまま2時間攪拌を
続け徐々に室温にもどし、さらに2時間攪拌後、
酢酸酸性とする。析出した橙色結晶を取し、更
に液を濃縮して得られた結晶を合し、酢酸エチ
ルから再結晶して化合物()6gを得た。この
物の融点は152〜154.7℃であつた。 第4段階 化合物()2g(0.008モル)をピリジン5
mlに溶解したものにp−オクチル安息香酸クロリ
ド1.8g(0.007モル)を加え反応させた。よく攪
拌し一夜放置後トルエン30ml、水20mlを加え、ト
ルエン層を6N−HCl次いで2N−NaOH水溶液で
洗浄し、更に中性になるまで水洗した。トルエン
を留去し残留物をエタノールで再結晶して目的物
である()式の(S)2−p−オクチルベンゾ
イルオキシ−5−(2−メチルブチルオキシフエ
ニル)ピラジン0.9gを得た。この化合物はSC*
及びコレステリツク相を示し、その相転移点は表
1の実施例1の欄に示す通りであつた。又、この
化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致
した。 実測値 計算値(C30H38N2O3として) C 75.8% 75.91% H 8.0% 8.07% N 5.4% 5.9% 実施例 2〜5 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りに他のアルキル基を有するp−アル
キル安息香酸クロリドを用いる他は実施例1に準
じて操作を行い、()式(但しj,k=0,l,
m,n=1のもの)の化合物を得た。それらの相
転移点を実施例1の結果と共に表1に示す。 実施例 6,7 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りにp−オクチルオキシ安息香酸クロ
リドを用いる他は実施例1に準じて操作を行い、
()式(但しj=1,k=0,l,m,n=1
のもの)の化合物、即ち(S)−2−p−オクチ
ルオキシベンゾイルオキシ−5−(2−メチルブ
チルオキシフエニル)ピラジン及び、(S)2−
p−ウンデシルオキシベンゾイルオキシ−5−
(2−メチルブチルオキシフエニル)ピラジンを
得た。これらの相転移点も表1に示す。 実施例 8 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りにp−ノニルオキシカルボニルオキ
シ安息香酸クロリドを用いる他は、実施例1に準
じて操作を行い(S)2−p−ノニルオキシカル
ボニルオキシベンゾイルオキシ−5−(2−メチ
ルブチルオキシフエニル)ピラジンを得た。その
相転移点は表1に示す。 実施例 9 実施例1の第4段階のp−オクチル安息香酸ク
ロリドの代りにクロルギ酸オクチルを用いる他は
実施例1に準じて操作を行い、(S)2−p−オ
クチルオキシカルボニルオキシ−5−(2−メチ
ルブチルオキシフエニル)ピラジンを得た。その
相転移点も表1に示す。 実施例10 (使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノタ−フエニル
15重量% からなるネマチツク液晶組成物を配向処理剤とし
てポリビニルアルコール(PVA)を塗布し、そ
の表面をラビングして平行配向処理を施した透明
電極からなるセル(電極間隔10μm)に注入して
TN型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観察
したところ、リバースメインを生じているのが観
察された。 上記のネマチツク液晶組成物に本発明の()
式でj=0,k=0,l=1,m=1,n=1で
R=C4H9なる化合物(実施例2)を1重量%添
加したものを使用して同様にTNセルとして観察
したところ、リバースドメインは解消され均一な
ネマチツク相が観察された。 実施例11 (使用例2) ()式に於いてj=0,k=0,l=1,m
=1,n=1でR=C5H11(実施例3)、R=C7
H13(実施例4)、R=C8H17(実施例1)、R=C10
H21(実施例5)の各化合物の等量混合物は、室
温から68℃までSC*を示し、それ以上の温度でch
相を示し、138℃で等方性液体となる。 この混合物を配向処理としてPVAを塗布し、
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極を備えたセルに注入し、50Vの直流電圧を印加
しながら等方性液体領域よりSC*になまで徐冷し
たところ均一なモノドメインセルが得られる。こ
の液晶セルを直交ニコル状態に配置した2枚の偏
光子の間にはさみ、0.5Hz、15Vの低周波数の交
流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作が
観察され、非常にコントラストも良く、応答速度
が速い(2msec)液晶表示素子が得られた。 尚、この液晶組成物の自発分極(Ps)の値は
25℃に於いて2.5nC/cm3であつた。 実施例12 (使用例3) ()式に於いて、j=1,k=0,l=1,
m=1,n=1でR=C8H17(実施例6)、R=
C11H23(実施例7)なる化合物、j=1,k=
1,l=1,m=1,n=1でR=C9H19なる化
合物(実施例8)及びj=1,k=1,l=0,
m=0,n=1でR=C8H17なる化合物(実施例
9)の等量混合物は、室温から88℃までSC*を示
し、それ以上の温度でch相を示し、124℃で等方
性液体となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加して、いわゆるゲ
スト・ホスト型にしたものを実施例11と同様なセ
ルに注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂
直になるように配置し、0.5HzHz,15Vの低周波
数の交流を印加したところ、明瞭なスイツチング
動作が観察され、非常にコントラストが良く、応
答速度が速い(2msec)カラー液晶表示素子が得
られた。 尚、この液晶組成物の自発分極の値は25℃に於
いて3nC/cm3であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 【化】 (但し、上式に於いてRは炭素数1〜18の直鎖
又は分枝鎖のアルキル基を示し、j,k,l,m
はいずれも0又は1であるが、k,l,mが同時
に0であることはなく、nは1,2又は3であ
る。又、*は光学活性炭素原子を示す) で表わされるピラジン誘導体。 2 一般式 【化】 (但し、上式に於いてRは炭素数1〜18の直鎖
又は分枝鎖のアルキル基を示し、j,k,l,m
はいずれも0又は1であるが、k,l,mが同時
に0であることはなく、nは1,2又は3であ
る。又、*は光学活性炭素原子を示す) で表わされるピラジン誘導体を少くとも1種含有
することを特徴とするカイラルスメクチツク液晶
組成物。 3 複数の(1)式の化合物からなる特許請求の範囲
第2項記載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20142983A JPS6092276A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | ピラジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20142983A JPS6092276A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | ピラジン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092276A JPS6092276A (ja) | 1985-05-23 |
| JPH0572380B2 true JPH0572380B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=16440934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20142983A Granted JPS6092276A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | ピラジン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092276A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3515374C2 (de) * | 1985-04-27 | 1998-02-26 | Hoechst Ag | Chirale getilte smektische flüssigkristalline Phasen und deren Verwendung in elektrooptischen Anzeigeelementen |
| US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
| DE3600052A1 (de) * | 1986-01-03 | 1987-07-09 | Merck Patent Gmbh | Heterocyclische verbindungen |
| US4997942A (en) * | 1988-04-25 | 1991-03-05 | Dainippon Ink And Chemical, Inc. | 2,4-disubstituted pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, and liquid crystal containing the same |
| JPH08295884A (ja) * | 1996-02-29 | 1996-11-12 | Hoechst Ag | スメクチック液晶組成物 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843961A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Ube Ind Ltd | 新規なピラジン誘導体及びその製造法 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP20142983A patent/JPS6092276A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6092276A (ja) | 1985-05-23 |
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