JPS6051147A - 液晶物質及び液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有する液晶
組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカイラ
ル液晶物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成物に
関する。

現在、液晶表示素子としてはＴ　Ｎ　（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ　）型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子（エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマティスフレイ等）と比較して
劣ってお９、この点に於ける改善は種々試みられている
にも抱らず、大巾な改善の可能性はあまシ残っていない
様である。

そのためＴＮ型表示素子に代わる別の原理による液晶表
示装置が種々試みられているが、その（１９８０））。

この方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ相（
以下ＳＣ＊相と略称する）或はカイラルスメクチックＨ
相（以下ＳＨ＊相と略称する）を利用するもので、それ
が室温付近にあるのが望ましい。本発明者らは、この表
示方式に利用されるに適した液晶物質の開発を主たる目
的として、光学活性基金含む液晶物質を種々探索して本
発明に到達した。

即ち、本発明は一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは炭素数１〜１８のアルキル
基又は、アルキルオキシ基であシ、ｔは０又は１　、　
ｎｌは０又は１．ｎは０又は１である。又＊は光学活性
炭素原子を示す。）で表わされる化合物、及びそれを含
有する液晶組成物である。

（１）式の化合物は、あるものは限られた温度範囲に於
いてコレステリック相及びスメクチック相を呈し、又あ
るものはコレステリック相を呈さす、スメクチック相の
みを呈する。しかしいずれにしても、そのスメクチック
相のなかにＳＣ＊相があることに主たる％徴を有する。

ＳＣ＊相の光スイツチング効果を表示素子として応用す
る場合ＴＮ表示方式にくらべて３つのすぐれた特徴があ
る。第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は
通常のＴＮ表示方式の素子と比較すると、応答速度は１
／１ｏＯ以下である。第２の特徴はメモリー効果がある
ことであシ、上記の高速応答性とあいまって、時分割駆
動が容易である。第８の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階
調をとるには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値
電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問が
ある。しかしＳＣ＊相の光スイツチング効果を応用する
場合には極性の反転時間を調節することによシ、容易に
階調を得ることができ、グ２クイック表示に非常に適し
ている。

表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。ＳＣ＊相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
によシ、らせん軸を回転軸として分子が反転する。ＳＣ
＊相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行にな
らぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液
晶分子のグイレフターと一方の偏光面を平行になるよう
に配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電
圧を印加して、極性を反転することにより、明視野およ
び暗視野（偏光子の対向角度によシ決まる）が得られる
。

一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の
極性を反転することによシリ］視野及び着色視野（偏光
板の配置によシ決まる）を得ることができる。

一般にスメクチック状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆつくシと冷却する（１℃
〜２°Ｃ／ｈｒ）ことによシ、液晶分子を配向させてい
るが、コレステリック相を有する液晶物質では磁場の代
わシに５０Ｖ〜１００Ｖの直流電圧全印加しながら１℃
／ｍｉｎの冷却速度で冷却することにより、容易に均一
に配向したモノドメイン状態を得ることができる。

（Ｉ）式の化合物は４−ヒドロキシ−４′−置換ビフェ
ニルに、ピリジンのような塩基性溶媒中でそれぞれ相当
する、光学活性なカルボン酸クロライド、あるいはクロ
ルギ酸アルキルを作用させることによシ、最も好適に製
造される。

原料の一つである４−ヒドロキシ−４１−置換ビフェニ
ルのうち４−アルキルオキシ−４′−ヒドロキシビフェ
ニル（ｌａ）は以下の様な工程によシ製造することがで
きる。

＠−＠−０Ｈ ＨＯ−＠−＠−ＯＲ（…ａ） （上図においてＲは炭素数１〜１８のアルキル基を示す
。） 月ＩＪチ、ヒドロキシビフェニルに２倍モルノ無水塩化
アルミニウム存在下に塩化アセチルを作用させて、４−
アセチルオキシ−４′−アセチルビフェニルが合成され
る。これに水酸化カリウムの存在下にアルキルブロマイ
ドを作用させると、４−アセチル−４′−アルキルオキ
シビフェニルが合成される。

さらにこの化合物にギ酸中、過酸化水素を作用させるこ
とによシ、４−アセチルオキシ−４′−アルキルオキシ
ビフエニルが合成される。

これをアルカリで加水分解して、酸ヲ加えることによシ
目的の４−アルキルオキシ−４′−ヒドロキシビフェニ
ル（Ｉａ）が合成される。

４−ヒドロキシ−４７−置換ビフェニルの５もの４−ア
ルキル−４′−ヒドロキシビフェニル（ｌｂ）　ｔよ以
下のような工程によシ合成することができる。

ｒ−ｔｏ−＠＠ ＨＯ知’）−＠−ＣＨ２Ｒ＜　ｕ　ｂ　）（上図におい
てＲは炭素数１〜１７のアルキル基を示す。） 即ち、ヒドロキシビフェニルに無水塩化アルミニウムの
存在下にアルキルカルボン酸クロライドを作用させて４
−アシル−４′−アシルオキシヒフエニ”　’ａ：　貧
成し、これｔウォルフーキシユナー還元し、次いでアル
カリ中で加水分解することによシイ−アルキル−４′−
ヒドロキシピフエニル（ｌｂ）が合成される。

また、もう−力の原料である、光学活性なカルボン酸ク
ロライド、あるいは光学活性なりロルギ酸アルキルには
以下のようなものがある。

ＣＩ■３ ■ ＣＬＣＨ２ＣＨＣＯＣｔ　（α−メチルブタノイルクロ
ライド）＊（Ｉ［ａ） ＣＨ３ ＣＨｇＣＩ（２ｃＨｃＨ２ｃＯｃｔ　（β−メチルペン
タノイルクロライ＊　ド）　（ｌｉ［ｂ） ＣＨ。

ＣＨ，０ １１ ＣＨ，Ｏ Ｉ　Ｉｌ （上図において＊は光学活性炭素？６られす。

以下同様） 上６己の光♀ｌ占性ａ−メチルブタノイルクロライド ＣＨ。

ＣＨ３ＣＨ２ＣｌｉＣＨ２０Ｈ ＊ ＣＨ３ Ｃｌ↓３　Ｃ　Ｉ−１２　Ｃ　）ｉ　Ｃ　０　０　Ｈ＊ ＣＨ３ ■ ＣＨｓＣＨ＋ＣＨＣＯＣｔ　（Ｉｌ［ａ）＊ 即ち、光字活性２−メチルブチルアルコール金過マンガ
ン酵カリウムで酸化して光学活性２−メチルブタン酸と
し、これに塩化チオニルを作用させて、光学活性−α−
メチルブタノイルクロライド（ｎｌａ）が合成される。

又、光学活性−β−メチルペンタメイルクロライド（’
Ｉ［ｌｂ）は次のような工程で合成される。

？１−１３ ＣＨｌＣ）ｌｚｃＨｃＨ２Ｂｒ ＊ 　Ｈ３ ＣＨ３ＣＨ２ＣＨＣＨ，＋ＣＯＯＨ ＊ Ｈｓ ＣＨ，ＣＨ２ＣＨＣＨ２ＣＯＣｔ（　Ｉｌｌｂ）★ 即ち、光学活性１−ブ目モー２ーメチルブタンにマグネ
シウムを作用させ、グリニヤー試薬を調製し、と九にド
ライアイスを作用させることにより、ブＣ学活性βーメ
チルペンタン醒が合成される。これに塩化チオニルを作
用させて光学活性−β−メチルペンタニルクロライド（
Ｉｌ［ｂ）が合成笛れる。

又、光学活性ｐ−（１−メチルプロピルオキシ）ベンゾ
イルクロライド（Ｉｌｌｃ）は、次のような工程で合成
される。

ＣＨ３ＣＨ２０Ｈ　（ＪＩ３ Ｈ ＣＬ　Ｃ）ｂ ■ ？１″ ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ−０（ＤＣＯＣｔ（ｌｉｅ）＊ 即ち、市販の光学活性２−ブタノールを塩化物として、
これを市販のｐ−ヒドロキシ安息香酸と反応させ光学活
性ｐ−（１−メチルプロピルオキシ）安息香酸とし、こ
れを塩化チオニルと反応させることによル、光学活性ｐ
−（　１−メチルプロピルオキシ）ベンゾイルクロライ
ド（ｊｌｃ）が合成される。

又、光学活性ｐ−（２−メチルブチルオキシ）ベンゾイ
ルクロライド（Ｉｄ）は次のような工程で合成される。

ＨＯ−＠−ＣＯＯＨ ？■（３ 即ち、市販のヒドロキシ安息香酸にアルカリ中、市販の
光学活性１−ブロモ−２−メチルブタンを作用させ、光
学活性ｐ−２−メチルブチルオキシ安息香酸が合成され
る。これにチオニルクロライドを作用させることによっ
て光学活性ｐ−（２−メチルブチルオキシ）ベンゾイル
クロンイド（Ｉｄ）が合成される。

又、光学活性ｐ−（１−メチルグロビル）ベンゾイルク
ロライド（ｍｅ）は次のような工程で合成できる。

（±）ｐ−（１−メチルグロビル）安息香酸を公知の方
法によシキニン塩を用いて光学分割して（−）　−ｐ　
−（１−メチルグロビル）安息香酸を得る（　Ｃ，Ｓ、
　Ｍａｒｖｅｔら＋　Ｊ＊　Ａｍｅｒ、　Ｃｈｅｍ、　
Ｓｏｃ。

斜、１６４７（１９４８）（α〕δニー２８．５゜ｍｐ
８９°）。

これを塩化チオニルと加熱還流して、光学活性ｐ−”（
１−メチルグロビル）ベンゾイルクロライド（ｍｅ）を
イ０る。

又、光学活性ｐ−（２−メチルブチル）ベンゾイルクロ
ライド（Ｉｆ）は市販のＥＡＳＴＭＡＮ社製の（ト）−
２−メチルブチルベンゾイルクロライドを使用した。

又、光学活性クロルギ酸−１−メチルグロビル（Ｉｇ）
は以下のような工程にょシ合成される。

ＣＨ３ＣＨ２ＣＨＯｆ：１ ＊ （ｉｌ’Ｈ。

即ち光学活性２−ブタノールにホスゲンヲ作用させるこ
とにより合成される。

又、光学活性クロルギ酸−２−メチルブチル（ｌｈ）は
以下のような工程にょシ合成される。

ＣＨ３ ＣＨ３ＣＨｚＣＨＣＨ２０Ｈ ＊ ＣＨ３ 即ち、光学活性２−メチル−１−ブタノールにホスゲン
を作用させることによシ合成される。

以上の２種の（Ｉｔ）式の化合物と各種の＠）式の化金
物を組み合せてエステル化することにより（１）式の化
合物を得ることが出来る。

即ち、化合物（Ｈ＆）と化合物（ｌａ）あるいは（Ｉｌ
ｂ）をエステル化することによって次の化合物（（Ｉ）
式でｔ＝ｍ＝ｎ−０の化合物）を合成することかできる
。（実施例１，５〜７）４−アルキル−４′−α−メチ
ルブタノイルオキシビフェニル。

４−アルキルオキシ−４′−α−メチルブタノイルオキ
シビフェニル。

化合物（Ｗｂ）と化合物（ｌａ）　するイハ（ｌｂ）を
エステル化することによって次の化合物（（Ｉ）式でｔ
＝ｍ＝ｏ、Ｈｘｌの化合物）を合成することができる。

（実施例３，１１〜１３）４−７にキル−４１−β−メ
チルペンタノイルオキシビフェニル。

４−アルキルオキシ−４′−β−メチルペンタノイルオ
キシビフェニル。

化合’ｍｃＦＡｃ）と化合物（ｌａ）８るいは（’Ｍｂ
）をエステル化することによって次の化合物（（Ｉ）式
でＬ＝ｍ＝　１．ｎ＝Ｏのもの）を合成することができ
る。

４−アルキル−４’−（ｐ−（１−メチルプロピルオキ
シ）ベンゾイルオキシ）ビフェニル。

４−アルキルオキシ−４’−（ｐ−（１−メチルプロピ
ルオキシ）ペンツイルオキシビフェニル。

化合物（Ｊｉｌｄ）と化合物（Ｉｌａ）あるいは（ｌｂ
）をエステル化することによシ以下の化合物（（■）式
で７＝ｒｎ＝ｎ＝１のもの）を合成することができる。

（実施例４．１５〜１６） ４−アルキル−４’−（ｐ−（２−メチルブチルオキシ
）ベンゾイルオキシ）ビフェニル。

４−アルキルオキシ−４’−（ｐ−（２−メチルブチル
オキシ）ベンゾイルオキシ）ビフェニル。

化合物（Ｉｅ）と化合物（ｌａ）あるいは（ｆｉｂ）を
エステル化することによシ以下の化合物（（Ｉ）式でｔ
＝１．ｍ＝ｎ−０のもの）を合成することができる。

４−アルキル−４’−（ｐ−（１−メチルグロビル）ベ
ンゾイルオキシ）ビフェニル。

４−アルキルオキシ−４’−（ｐ−（１−メチルグロビ
ル）ベンゾイルオキシ）ビフェニル。

化合物（ＩＩ［ｆ）と化合物（Ｉｌａ）　ｈるいは（ｌ
ｂ）をエステル化することによシ以下の化合物（（１）
式でｔ耽１．ｍ＝０．ｎ＝１のもの）を合成することが
できる。（実施例２．８〜１０）−４−アルキル−４’
−（ｐ−（２−メチルブチル）ペンツイルオキシ）ビフ
ェニル。

４−アルキルオキシ−４’−（ｐ−（２−メチルブチル
）ベンゾイルオキシ）ビフェニル。

又、化合物（、ＩＩｇ）と化合物（Ｉｌａ）　ｍるいは
（Ｉｌｂ）をエステル化することにより以下の化合物（
（■）式でｔ＝ｏ、ｍ＝１．ｎ＝ｏのもの）を合成する
ことができる。

４−アルキル−４′−ビフェニリル（１−メチルグロビ
ル）カルボナート。

４−フルキルオキシ−４′−ビフェニリル（１−メチル
グロビル）カルボナート。

又、化合物（Ｉｈ）と化合物（Ｉｌａ）あるいは（ｆｉ
ｂ）をエステル化することにより以下の化合物（（Ｉ）
式でｔ＝０１ｍ＝ｎ−１のもの）を合成することができ
る。

４−フルキル−４′−ビフェニリル（２−メチルブチル
）カルボナート。

４−アルキルオキシ−４′−ビフェニリル（２−メチル
ブチル）カルボナート。

これら本発明の（１）式の化合物の代表的なものの相転
移温度を表１に示す。

上表に於てＣは結晶相を、ＳＸは素性が不明なスメクチ
ック相をｃｈはコレステリック相を■は等方性液体相を
夫々表わし、各相の欄の・及びその右側の数字は、その
相から右側の相への相転移温度を示し、−はその相を示
さないことを示す、、（）はモノトロピック相転移温度
であることを示す。

表１から１」」るように（Ｉ）式で１＝０の化合物は、
一般的に低目の融点を有し、室温付近で液晶状態を呈す
る液晶組成物の成分として好適であシ、例えばＺ　’＝
　Ｏｒ　ｍ　＝　０　＋　ｎ　−０＋　Ｘ　”　Ｃ１ｏ
Ｈｚ＋。

の化合物は、７４．８°Ｃで融解して、Ｓ　ＩＩ”相と
なシ、つづいて７５．８°ＣでＳＣ＊相へ転移して、さ
らに７９．８　”ＣでＳＡ相となシ、８３．２°Ｃで等
方性液体となる。又（Ｉ）式でｔ−１の物質はｔ＝＝０
のものに比較して、高い透明点を有するので、液晶組成
物の温度範囲の上限を拡張するのに好適である。

液晶組成物を構成する場合、（１）式の複数の化合物の
みよ多構成することも可能であシ、又（Ｉ）式の化合物
と他のスメクチック液晶と混合してＳＣ＊相を呈する液
晶組成物を製造することも可能である。

更に（１）式で７−１のものはコレステリック相を有す
るものがあるので、これらを適当に混合することによっ
てスメクチック相の高温側に、コレステリック相をもち
、室温付近でＳＣ＊相を示す液晶組成物を容易に得るこ
とができる。

（１）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を銹起する能力を肩する。

捩れた構造を有するイ・マチック液晶、即ちカイラルネ
マチック液晶はＴＮ型表示素子のいわゆるリバース・ド
メイン（ｒｅｖｅｒｓｅ　ｄｏｍａｉｎ、しま桓様）を
生成することがないので（１）式の化合物ｈｖパース・
ドメイン生成の防止剤として使用できる。

（Ｉ）式に対応するラセミ体は上記の合成においてｌ［
ａ〜ｌｌｈに対応するラセミ体を用いることによって同
様に製造できる。又、（１）式とほぼ同じかわりにそれ
ぞれ５Ｈ４４Ｊ、　ＳＣａを示し、光学活性体（ＩＮＫ
添加して、カイラルスメクチックピッチの訴訟に使用で
きる。

以下、実施例によシ、本発明の液晶化合物及び液晶組成
物につき、更に詳細に説明する。

実施例１ 〔４−ｎ−オクチルオキシ−４′−８−α−メチルブタ
ノイルオキシピフェニル（（１）式に於いて１　”　０
　＋　ｍ　＝　Ｏ、ｎ　＝　Ｏｒ　Ｘ　−ＣｇＨ１７０
のもの）の合成〕 （＋）４−（アセチルオキシ）−４７−アセチルビフェ
ニルの合成 ヒドロキシビフェニル５０１Ｇｆ／Ｃ２，９６ｍｏｌ　
）を、１．２−ジクロルエタン２１に懸濁させ、これに
塩化アセチル２７ＢＩＣ３，５４ｒｎｏｌ　）を滴下し
、５０°Ｃで２時間加熱攪拌した。

液が透明となったので、１０°Ｃまで冷却して、無水塩
化アルミニウム８５０　ｆ　（６，８７ｍｏｔ）を粉砕
、小分けして１時間で投入した。１０’Ｃ〜１５°Ｃに
保持して、塩化アセチル２７８ｇ（８，５４ｍａｔ　）
を１時間で滴下し、２時間室温でＰｉ拌、５０°Ｃで２
時間攪拌した。冷却して、６規定塩酸約８１に反応？ｔ
￥、を注き゛、よくかきませた。生成した固体を吸引潮
過して集め、よく水洗、乾燥して、エタノール３１から
再結晶すると、４−（アセチルオキシ）−４１−アセチ
ルビフェニル５８１．６ｆが（４）られた。収率７７．
４％、　ｒｎｐ、　１２７．５℃。

（ｉｆ）　４−　ｎ−オクチルオキシ−４′−アセチル
ビフェニルの合成 ４−アセチルオキシ−４′−アセチルビフェニル８０．
０９　（０，３１５ｍｏｔ）をエチレングリコールモノ
エチルエーテル８００　ｗｌＶｃＱ：Ｅｌすぜ、加熱攪
拌した。均一になったところへ、水酸化カリウム５０％
水溶液７０１７を注入し、８０分間加熱還流した。ここ
へ１−ブロモ−ｎ−オクタン６２，７　ｆ　（０，３２
５ｒｎｏｔ）を滴下して５時間加熱還流した。窒冷して
、液をｌｌ！の氷中へあけ、トルエン２１で抽出し、ト
ルエン層を酸洗い、アルカリ洗いして、水洗、中性にし
た。

これをトルエン留去して固化させ、トルエン１４と活性
炭でｉ！：Ｓ　１Ｆ”　３ａ、再結晶して、４−ｎ−オ
クチルオキシ−４′−アセチルビフェニル７７．５１を
得た。収率７５．７１％。このものはスメクチックＢ液
晶相（ＳＢ）　’（ｒ示し、そのｃ　−ＳＢ点は９２．
５’Ｃ，ＳＢ　−Ｉ点は１８２９°Ｃであった。

（ｆｉｔ）　４−ヒドロキシ−４′−ｎ−オクチルオキ
シビフェニルの合成 ４−ｎ−オクチルオキシ−４′−アセチルビフェニル８
８．５９　（０，１１９＋ｎｏｔ）とギ酸２３８９　（
５，１７ｍｏｔ）　＋　トルエン２００　ｗｅを６０℃
に加熱し、ここへ３５％Ｈ２Ｏ２水溶故１６０．７Ｆ（
１０４ｎ１ｏｔ）を７０〜７５°Ｃに液温を保ちながら
、１．５時間で滴下した。こののち６０〜７０°（３で
３１１．１間加熱攪拌してから室温に冷却し、トルエン
１．５１で抽出し、中住寸で水σ己して、乾燥した。ト
ルエン除去後、エタノール２００ｙｎｅを加え加熱還流
させ、少し冷却し４０％水酸化す１１ウム水浴液８０ｙ
ｘＪを加え再ひ２時間、加熱還流した。この液を６Ｎ塩
酸１１に注ぎよくかきまぜた。生成した固体を吸引沖過
して集め、トルエン３０Ｇｖｔｔを加えて、水を抜いて
、７Ｊｊ結晶して、４−ヒドロキシ−４′−ｎ−オクチ
ルオキシビフェニル１８．５１　’ｔ？？４Ｄｊ。収率
５０．６％＋　ｍｐ、　１５８．６　’Ｃ。

０Ｖ）（ト）−８−ａ−メチルブタノイルクロライドの
合成 Ｓ　−（−）　−２−メチル−１−ブタノール１６７ｇ
に水３６０　ｍｌを加えさらに炭酸ナトリウム４１．３
ｙを加えて、室温で攪拌した。ここにあら力、じめ約８
１の水に浴しておいた過マンガン酸カリウム８６２ｇを
１５〜２０°Ｃで１時間３０分でｉ’ｌ：’ｉＪ下した
。これを室温で６時間ｉ’ｉ、Ｍ拌し、つづけて４５〜
５５°Ｃの水浴で２１１１．間加熱攪拌した。その後吸
引沖過して、ｐ過を酸性とし、トルエン２４て抽出して
、常圧で蒸留して、（ト）−８−０−メチルブタン目ノ
を倚た。

収量７３．５ｙ（収率３８．０％）、ｂｐ、１７３〜１
７４℃、〔α）：ｆｆＪ　１７．６　。

これを１７０ｇの塩化チオニルと４時間加熱還流させ、
その後減圧下に過剰の塩化チオニルを留去して粗製物を
得た。これを精留して（ト）−８−α−メチルブクノイ
ルタロライドｔ４々Ｊた。

収量７５．１ｙ（収率８６５％）、ｂｐ、ｌ１４〜１１
６°Ｃ，（α〕Ｂ＋１７．２゜ （Ｖ）４−　ｎ−オクチルオキシ−４′−８−α−メチ
ルブタノイルオキシビンエニルの合Ｍ ４−ヒドロキシ−４’−（ｎ−Ａクチルオギシ）とンエ
ニル２．Ｏｆ　（６，７１ｍｍｏｔ　）を乾燥ピリジン
１５ｍ１に溶解しくＩＶ）で合成した住戸Ｓ−α−メチ
ルブタノイルクロライ）’　０．９９　（７，４７ｍｍ
ａｔ　）の乾燥トルエン溶液１０ｍＪを滴下した。

室温でよく振とうし、６０’Ｃの水浴上で４時間加熱し
た。これにトルエン５０　ｍｌを加えて酸洗、アルカリ
洗、水洗を経た後、硫酸ナトリウム上で乾燥した。トル
エン除去後エタノール６０　ｍｌと活性炭から熱沖過し
、更にエタノール５０ｍ１から母結晶して目的Ｌｌｈで
ある４−ｎ−オクチル、ｄｌ’シー４−８−α−メチル
ブタノイルオキシビフェニル０．８１／　’ｃ得た。こ
のものはｓｃ＊相を示し、その相転移点は表１に示す通
りである。

又その元素分析値は次の如く理論値と１１は一致した。

分析値　理論値（Ｃ２５Ｈ３５０３として）Ｃ７８，４
％　７８．２９％ Ｈ９，１％　９．２０％ 実施例１と同様にして表１の実施例５〜７の化合物を得
た。

実施例２ 〔４−ｎ−デシルオキシ−４’−（ｐ−（２−メチルフ
チル）ヘンソイルオキシ）ビフェニル（（Ｉ）式におい
てｔ−１９ｍ塁０．ｎな１でＸ＝ｎ　Ｃｌ０Ｈ１８０の
もの）の合成〕 まず、実施例１（１）〜０１１）で合成した４−ヒドロ
キシ−４′−ｎ−オクチルオキシビフェニルト同様な方
法で４−ヒドロキシ−４’−ｎ−デシルオキシビフェニ
ルを合成した。

４−アセチル−４′−ｎ−デシルオキシビフェニル Ｃ−８Ｂ点１１７．８°Ｃ，５Ｂ−Ｉ点１Ｂ１．８°Ｃ
４−ヒドロキシ−４′−ｎ−デシルオキシビフェニル ｍｐ、１４９．０ この４−ヒドロキシ−４’−ｎ−デシルオキシ。

ビフェニル０．５１を乾燥ピリジン２０＊ｅに溶解して
、これに市販の（ト）−ｐ−（２−メチルブチル）ベン
ゾイルクロライド０．４１を滴下、さらに乾燥トルエン
１５ｓｒ、ｉ！を注入して、室温でよく振とうし、さら
に６０°Ｃの水浴上で８時間加熱した。これを室温まで
冷却、トルエン５０＋ｔを加えて、６Ｎ塩酸１００ｍ／
で２度洗浄、さらに２Ｎアルカリ水で２度洗浄した後、
飽和食塩水で数回洗浄して中性とし、それを硫酸ナトリ
ウム上で乾燥した。これをトルエン留去してから、エタ
ノール２０ｖｔｌと酢酸エチル２Ｃ）ｘｌの混合溶媒を
用いて活性炭で熱沖過、再結晶した。冷凍庫中で生成し
た結晶を沖過し、乾燥し、目的の４−ｎ〜デシルオキシ
−４’−（ｐ−（２−メチ、１１／〕−ｙ−ル）ヘンジ
イルオキシ）ビフェニル０．８１を得た。相転移点は表
１に示す通ルである。

又、その元素分析値は次の如く理論値とほぼ一致した。

分析値　理論値（Ｃ３４Ｈ４４０３として）Ｃ８１，７
％　８１．５６％ Ｈ８，７％　８，８６％ 実施例２と同様にして表１の実施例８〜１゜の化合物を
得た。

実施例８ 〔４−ｎ−テトラデシルオキシ−４′−β−メチルペン
タノイルオキシピフエニルｌ）式ｆｔ−０＋　ｍ　＝　
ｏ　＋　ｎ　＝　ｔでＸ、−Ｃ，、Ｈ２，０のもの）の
合成〕 （＋）４−ヒドロキシ−４′−ｎ−テトラデシルオキシ
ビフェニルの合成 実施例１（１）〜（ｉｎ）で合成した４−ヒドロキシ−
４′−ｎ−オクチルオキシビフェニルと同様な方法で４
−ヒドロキシ−４′−計テトラデシルオキシヒフェニル
を合成した。

４−アセチル−４’−ｎ−テトラデシルオキシビフェニ
ル Ｃ−ＳＢ点１１２．１°Ｃ，５Ｂ−Ｉ点１２Ｂ、２°Ｃ
４−ヒドロキシ−４′−ｎ−テトラデシルオキシビフェ
ニル ｍｐ、　１４４ （１１）（ト）−８−β−メチルペンタノイルクロライ
ドの合成 フラスコに金属マグネシウムリボン１２．１’を入れ攪
拌し、乾燥した。これを冷却して乾燥エーテル５０ＷＩ
／を入れて、ヨウ化エチルを少量添加し、温めて、市販
の←）−８−１−ブロモ−２−メチルブタン７０ｆを冷
却しながら加えた。

その後１．５時間室温で攪拌した。別にドライアイスを
粉砕しておき、ここに上記のものを注入した。これを６
Ｎ塩酸で酸性として、トルエン２０（ｌｒ／で抽出し、
水洗してトルエンを留去した。

これを過剰の塩化チオニルと８時間加熱還流してその後
、減圧下に塩化チオニルを留去し、減圧蒸留することに
よ）、←）−８−β−メチルペンタノイルクロライドを
得た。

収量２５．８ＩＣ収率４８．６％）　、　ｂ、ｐ、　１
９７〜１９８°ｃ、　ｃα〕ｉ　＋　５．４°。

仙）エステル化 （＋）ノ４−ヒドロキシー４′−ｎ−テトラデシルオキ
シビフェニル０．５１を乾燥ピリジン２（Ｊｔｌに溶ブ
！１′７シて、これに（１１）で合成した（ト）−８−
β−メチルペンタノイルクロライド０．２Ｆを滴下、さ
らに乾燥トルエン１５ｇ１を注入して、室温でよく振と
うし、更に６０°Ｃの水浴上で３時間、加熱した。これ
を室温に冷却、トルエン５（１＋／を加えて、６Ｎ塩酸
１００ｔｔｔｔで２度洗浄、さらに２Ｎアルカリ水で２
度洗浄した後、飽和食塩水で数回洗浄して中性とし、硫
酸ナトリウム上で乾燥した。これをトルエン留去して、
エタノール４０ｍ１を用いて熱ｐ過、再結晶して、目的
の（Ｓ）−４−テトラデシルオキシ−４′−β−メチル
ペンタノイルオキシビフェニル０．２ｆｋ４％た。

相転移点は表１に示した通シである。又、その元素分析
値は次の如く理論値とはは一致した。

分析値　理論値（Ｃ４゜Ｈ４８０３として）Ｃ８Ｂ、５
％　８８．２８％ Ｈ８，２％　８．３９％ 実施例３と同イ゛佼にして表１の実施例１１〜１３の化
合物を得た。

実施例４ ｔ＝ｍ＝ｎ＝　１　、　Ｘ＝Ｃ５ｌ■１７０のもの）の
合成〕（１）（Ｓ）−ｐ　−（２−メチルブチルオキシ
）ベンゾイルクロライドの合成 フラスコ中に水酸化カリウム８６．８ｔｉと水５２、４
　ｔｔｔｌを入れ、撹拌して、溶解させた。ここに冷却
しながらエタノール３５０ゴを加え、さらにｐ−ヒドロ
キシ安息香ｅ４５．８１を入れた。

ここへ市販の←）−ｓ　、−ｉ−プロモー２−メチルブ
タンを加え、１２時間加熱還流を行った。その後水温上
でエタノールを留去した。これに濃塩酸を加えて、反応
物を析出させた。これをベンゼンで抽出して浩媒を留去
し、さらにベンゼンから再結晶して但）−ｐ−Ｃ２−メ
チルブチルオキシ）安息香酸（状景１２．２ｙ、収率１
４６８％）を得た。ｍ、ｐ、　１０８〜１１２°Ｃ０こ
れを過剰の塩化チオニルと６時間、加熱還流した。この
後、減圧下に過剰の塩化チオニルを留去し蒸留して（Ｓ
）−Ｐ−（２−メチルブチル（１リエステル化 実施例１　（ｍ）で合成した４−ヒドロキシ−４′−ｎ
−オクチルオキシビフェニルａ、ＯｇｔＥ燥ピリジン５
０ｖｔｌに溶解し、これに（１）で合成した５−（ｐ−
（２−メチルブチルオキシ））ベンゾイルクロライド１
．８１を滴下し、さらに、乾燥トルエン８０ｔｔｔｔを
注入して、室温でよく振とうし、更に６０°Ｃの水浴上
で３時間加熱した。これを室温に冷却し、トルエンＬ　
００　ｗｔｔを加えて、酸洗沖、アルカリ洗浄し、さら
に飽和食塩水で洗浄して中性とし、硫ａρナトリウム上
で乾燥した。これ全トルエン留去して、エタノール８０
ｍ１を用いて熱濾過、再結晶して目的の４−オクチルオ
キシ−４’−（ｐ−（２−メチルブチルオキシ）ベンゾ
イルオキシ）ビフェニル２．３１が得られた。その相転
移点は表１に示した通シである。又、その元素分析値は
次の如く理論値とほぼ一致した。

分析値　理論値（Ｃ３２Ｈ４ＱＯＡとして）Ｃ７８，８
％　７８．６５％ Ｈ８，１％　８．２５％ 実施例４と同様にして表１の実施例１４〜１６の化合物
を得た。

実施例１７（使用例１） ４−エチル−４′−シアノビフェニル　２００ｔｉ４−
ペンチルー４′−７アメビフエニル　４０Ｍ量％４−オ
クチルオキシー４′−シアノビフェニル　２５ｉｉｉ［
１％４−ベンチルー４７−ジアツターフエニル　１５５
ｔｉからなるネマチック液晶組成物をポリビニルアルコ
ール（ＰＶＡ）ｆ：塗布し、その表面をラビングして平
行配向処理を施した透明電極からなるセル（電極間隔１
０μｍ）に注入してＴＮ型表示セルとし、これを偏光顕
微鏡下で観察したところ、リバース・ドメインを生じて
いるのが観察された。

上記のネマチック液晶組成物に本願の実施例８の化合物
を０．１重上１％添加したものを使用して同様にＴＮセ
ルとして観察したところリノ（−ス・ドメインは解消さ
れ、均一なネマチック相が観察された。

実施例１８（使用例２） 化学式 （３ （但し、＊は光学活性炭素を示す） で表わされる化合物８０重県％１本願災施例５の化合物
及び実施例１１の化合物各１ＯＮ、ｍ％からなる混合物
は、４４°ＣまでＳＣ＊相全示し、それ以上の温度でＳ
Ａ相を示し、６９°Ｃで等方性液体となる。

この混合？Ｉ全、ｐＶＡを塗布し、表面をラビングして
平行配向処理を施した透明電極を備えたセルに注入し、
５０ｖの直流電圧を印加しなから、ＳＣ＊相になるまで
徐冷したところ均一なモノドメインセルが得られた。こ
の液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子の
間にはさみ１５　Ｖ　、　０．５　Ｈｚの低周波数の交
流を印加したところ、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、非常にコントラストも良く、応答速度が速い（２ｍ
ｓｅｃ）液晶表示素子が得られた。

尚、この液晶組成物の自発分極の値Ｐｓは４．５ｎ　ｃ
　／ｃｌであった。

実施例１９（使用例３） 本願実施例１．実施例６．実施例１２．実施例３の化合
物各々２０Ｍ量％及び実施例２．実施例１４の化合物各
々１０重量％からなる混合物は８６°ａｔでＳＣ＊相を
示し、それ以上の温度でＳＡ相を示し、１０１　℃で等
方性液体となる。

この混合物にアントラキノン系色素のＤ−１６（ＢＤＨ
社製品）を８重量％添加していわゆるゲスト・ホスト型
にしたものを使用例２と同様なセルに注入し、１枚の偏
光子を偏光面が分子軸に垂直になるように配置し、０．
５Ｈｚ、１５Ｖの低周波数の交流を印加したところ、明
瞭なスイッチング動作か観察され、非常にコントラスト
が良く、応答速度が速い（２７）２ｓｅｃ）カラー液晶
表示素子が得られた。

尚、この液晶組成物の自発分極の値Ｐｓは３．６ｎｃ／
ｃｄでイうった。

以上 手続補正書 昭和５９年１０月７日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５８年特許Ｈ第１３８，１４８号 ２、発明の名称 液晶物質及び液晶組成物 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号（〒５３０）
（２０７）チッソ株式会社 代表者　舒　木　貞　雄 ４、代理人 東京都新宿区新宿２丁目８番１号（〒１６０）６、補正
により増加する発明の数 な　し ７、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおりに補
正する。

（２）明細書第５頁３行目「応答速度」を「応答時間」
に訂正する。

（３）明細書第１０頁の下部に示されている５つの化学
式のうち３番目の（［ｃ）式の化学式及び化合物名を削
除する。

（４）明細書２４７ｔ３頁８行目から第１４頁８行目（
但し化学式は１行と数えて）「合成される。」までを削
除する。

（５）明細＃第１８頁９行目から１７行目までの記載を
削除する。

９、添付書類の目録 別紙（特許請求の範囲）　１通 以上 別紙 特許請求の範囲 （１）一般式 （１） （但し、上式に於いて、ＸＦＪ、炭素数１〜１８のアル
キル基又は、アルキルオキシ基を示し、れかは店である
。又、＊は光学活性炭素原子を示す。） で表わされる化合物。

（２）一般式 （１） （但し、上式に於いて、Ｘは炭素数１〜１８のアルキル
基又は、アルキルオキシ基ケ示し、しｎがＯであるとき
は少くともｔ、ｍのいずれかは０である。又、＊は光学
活性炭素原子を示す。） で表わされる化合物を少なくとも１種含有することを特
徴とするカイラルスメクチック液晶組成物。

（３）複数の（１）式の化合物からなる！１”、ｒ？ｆ
　請求の範囲第２項記載の液晶組成物。

（４）一般式 （１） （但し、上式（（於いて、Ｘは炭素数１〜１８のアルギ
ル基又は、アルキルオキシ基を示し、れかは０である。

又、＊は光学活性炭素原子を示す、、、） で表わされる化合物を少なくとも１種含有する、カイラ
ルスメクチックＣ相（ＳＣ＊相）を呈する液晶組成物を
使用して構成された光スイツチング素子。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式 （１） （但し、上式に於いて、Ｘは炭素数１〜１８のアルキル
   基又は、アルキルオキシ基であシ、ｔは０又は１＋ｍは
   ０又は１．ｎは０又は１である。又、＊は光学活性炭素
   原子を示す。）で表わされる化合物。 （２）一般式 （１） （但し、上式に於いて、Ｘは炭素数１〜１８のアルキル
   基又は、アルキルオキシ基であシ、ｔは０又は１＋ｍは
   ０又はＩｎｎは０又は１である。又、＊は光学活性炭素
   原子を示す。）で表わされる化合物を少なくとも１種含
   ′有することを特徴とするカイラルスメクチック液晶組
   成物。 （３）複数の（１）式の化合物からなる特許請求の範囲
   第２項記載の液晶組成物。 （４）一般式 （１） （但し、上式に於いて、Ｘは炭素数１〜１８のアルキル
   基又は、アルキルオキシ基であシ、ｔはＯ又は１１ｍは
   ０又は１　＋　ｎ　Ｆｉ　Ｏ又は１である。又、＊は光
   学活性炭素原子を示す。）で表わされる化合物を少なく
   とも１種含有する、カイラルスメクチックＣ相（ＳＣ＊
   相）を呈する液晶組成物を使用して構成された光スイツ
   チング素子。