JPS608719B2 - 新規な有機化合物より成る液晶材料 - Google Patents
新規な有機化合物より成る液晶材料Info
- Publication number
- JPS608719B2 JPS608719B2 JP52064541A JP6454177A JPS608719B2 JP S608719 B2 JPS608719 B2 JP S608719B2 JP 52064541 A JP52064541 A JP 52064541A JP 6454177 A JP6454177 A JP 6454177A JP S608719 B2 JPS608719 B2 JP S608719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- group
- para
- ortho
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C205/00—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton
- C07C205/45—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by at least one doubly—bound oxygen atom, not being part of a —CHO group
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/35—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions not affecting the number of carbon or of halogen atoms in the reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C205/00—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton
- C07C205/06—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton having nitro groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C205/00—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton
- C07C205/07—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by halogen atoms
- C07C205/11—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by halogen atoms having nitro groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C205/00—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton
- C07C205/07—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by halogen atoms
- C07C205/11—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by halogen atoms having nitro groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
- C07C205/12—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by halogen atoms having nitro groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings the six-membered aromatic ring or a condensed ring system containing that ring being substituted by halogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C205/00—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton
- C07C205/27—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by etherified hydroxy groups
- C07C205/35—Compounds containing nitro groups bound to a carbon skeleton the carbon skeleton being further substituted by etherified hydroxy groups having nitro groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C253/00—Preparation of carboxylic acid nitriles
- C07C253/14—Preparation of carboxylic acid nitriles by reaction of cyanides with halogen-containing compounds with replacement of halogen atoms by cyano groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C29/00—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring
- C07C29/132—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring by reduction of an oxygen containing functional group
- C07C29/136—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring by reduction of an oxygen containing functional group of >C=O containing groups, e.g. —COOH
- C07C29/143—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring by reduction of an oxygen containing functional group of >C=O containing groups, e.g. —COOH of ketones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/45—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by condensation
- C07C45/46—Friedel-Crafts reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
- C07C49/76—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring
- C07C49/80—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring containing halogen
- C07C49/813—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring containing halogen polycyclic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
- C09K19/126—Compounds containing at least one asymmetric carbon atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/54—Additives having no specific mesophase characterised by their chemical composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
- C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
- C07C2603/06—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members
- C07C2603/10—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings
- C07C2603/12—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings only one five-membered ring
- C07C2603/18—Fluorenes; Hydrogenated fluorenes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は、液晶材料および液晶装置に関する。
表示分野では、低電力消費である装置が必要である。液
晶材料から作られた装置は、非常に大きい電気抵抗を有
するためにこの要求を満足するものとされ、そして現在
このためにこのような装置に多大の関０がよせられてい
る。多くの公知の液晶材料があり、いくつかは長年Ｚ知
られている。 液晶材料は、分子が秩序構造内で有限空間範囲以上に配
列される液晶相を示す有機材料である。他のものは、分
子の統計的秩序が該分子の最軸と平行に存在するネマチ
ツク中間相として知られている。第３のものは、分子秩
序がら２せん状であるコレステリック中間相として知ら
れている。液晶材料は、長く延びた分子構造を有する化
合物から成る。 これまで液晶装置に用いられていた液晶化合物類に関し
ては、その分子構造を次式の２ように相斑窟して示すこ
とができる。式 〔式中、ＱおよびＱ，は末端基、ＡおよびＢは連鎖基で
ある。 〕単位Ａ−ＢがＣＯＯ基を含むある種のェステル類の場
合を除いて、単位Ａ−Ｂは一般に２重結合および３重結
合を有する。 たとえば、市販の液晶装置に広般に用いられるｐ−メト
キシ−ペンジリデン−ブチルアニリン（Ｍ旧ＢＡ）また
はｐ−エトキシーベンジリデンーブチルアニリン（ＥＢ
ＢＡ）のようなシッフ塩基は、単位Ｃ＝Ｎを有する化合
物である。単位Ａ−Ｂに２重結合または３重結合が存在
することは、その材料を化学的および／または光化学的
に不安定にし「 したがってこのために望ましくない。 たとえば「シッフ塩基は徴量の水によってさえも容易に
加水分解され、有毒性の酸を生じる。従来、単位Ａ−Ｂ
の２重結合または３重結合はその分子に剛性を与え、か
つ固体結晶から液晶へのかなり低い転移温度と共に、液
晶から等万性液へのかなり高い転移温度を付与するため
に望ましいと考えられていた。 本発明において、液晶材料は、該材料が液晶相を示すよ
うな分子構造を有する化合物を含むかまたは該化合物か
ら成り、該化合物の分子構造は次式のもの、もしくはそ
の単一オルト置換誘導体または単一の結合基がそれの２
個のオルト位置にある誘導体である。 式 〔式中、ＸおよびＹは液晶挙動を促進する異なるパラ置
換基であり、パラ置換基Ｘはァルコキシ基、アルキル基
、アシルオキシ基またはアルケニル基であり、ならびに
バラ置換基Ｙはシアノ基、シアノ基でパラ位置を置換さ
れたベンゼン環、または置換基Ｘから離れた末端環がシ
ァノ基でパラ位置を置換された複数の直接パラ結合ベン
ゼン環である。 〕本発明化合物・またはその誘導体およびそれらの液晶
としての転移温度を下記第１表に示す。 第 １ 表（注）第１表中の記号は次の意味を表わす。 Ｒ：ｎ−ァルキル基 ｎ ．ｎーァ
ルキル基Ｒの炭素数Ｔｌ二○−１ ；結晶から等方性液
への転移温度■Ｔ２コ｝ＳＡ：結晶からスメクチックＡ
液晶相への転移温度に）Ｔ３＝ＯＮ ：結晶からネマチ
ック液晶相への転移温度のＴ４３Ａ−Ｎ；スメクチック
Ａ液晶相からネマチック液晶相への転移温度（〇Ｔ５＝
ＳＡ…１：スメクチックＡ液晶相から等万性液への転移
温度（りＴ６二Ｎ−１：ネマチック液晶相から等方性液
への転移温度の（米）言達畠ふ室妄学多事髪ク日液晶相
へのさま温度を子参も７乍壱参チックＥ液晶相からスメ
クチックＡ液晶相への転移温度は１３３℃である。次式
の分子構造を有するある種のビフヱニール化合物類は、
液晶相を示すことが既に知られている。式 しかしながら、全てのこれら公知の化合物では、パラ置
換基ＺおよびＺは、これら公知の化合物が非常に高い温
度でそれらの固体結晶から液晶Ｊへの転移温度を示すよ
うな基であった。 結果としてこれら公知の化合物は公知の装置用に使用で
きなかつた。本発明において、上記した液晶材料を製造
する ヱためにパラ置換基ＸおよびＹを導入することに
よって、固体結晶から液晶へのかなり低い転移温度およ
び液晶から等万性液へのかなり高い転移温度を得ること
ができるので、本発明に係る材料を公知の装置用に使用
できるようになる。 さらに本発明に係る材料は、その概括した液晶分子構造
の単位Ａ−Ｂに相当する位置に２重結合または３重結合
を有しないために、該材料の化学的および光化学的安定
性が改良される。本発明液晶材料は、前記の化合物の１
つから成るか又は選択的に「少なくとも１種が前記の化
合物である多成分混合物または多成分溶液であってもよ
い。 本発明液晶材料によって示される液晶相（中間相）は、
ネマチック、スメクチックまたはコレステリツクである
。 液晶相をコレステリックにするには、前記の化合物のパ
ラ置換基Ｘ、Ｙのいずれかが、分枝状炭素鎖内にあるよ
うな不整中心を有していなければならないので、該化合
物は光学的活性である。式 の分子構造の「オルト置換」誘導体は、該構造のいずれ
か１個（または２個以上）のベンゼン環のいずれか１個
または２個以上の残りの位置が置換された誘導体を意味
し、該ベンゼン環がパラ置換基Ｙ内にある場合も包含す
る。 「オルト位置」は、分子構造のいずれか１個または２個
以上のベンゼン環のいずれの残りの位置をも意味する。 該ベンゼン環がパラ置換基Ｙ内にある場合も包含する。
「単一のオルト置換誘導体」は、オルト置換基が該置換
基を有する材料の液晶挙動を阻害しないオルト置換譲導
体を意味する。好適なオルト置換基の例は、メチル基お
よびハロゲン原子である。同機に、「単一の結合基」は
、それを有する材料の液晶挙動を阻害しない結合基を意
味する。好適な結合基の例は次のようになる。フルオレ
ンを形成するための 基 フルオレノンを形成するための／ 基 フェナントレンを形成するための 基 本発明の他の態様によって、液晶装置は、液晶材料層を
含有する手段と、該含有手段に含まれる液晶材料層と「
液晶材料の分子配列を変えるため該材料に外部刺激を適
用する手段とを包含し、該液晶材料は上記した本発明に
係る材料である。 外部刺激を適用する手段は、たとえば「電界をその層に
適用する手段、磁界をその層に適用する手段または温度
変化をその層に適用する手段である。外部刺激によって
生じた分子配列を変化させることは、その材料の伝導状
態を変えることによってまたは該材料が光学活性である
ならばその光学活性を変えることによって該材料を通過
する波長で電磁放射線の透過に影響を与えるためである
。本発明の他の態様によって、電気光学液晶装置は「少
なくとも１枚が光学的に透明である近接した２枚のガラ
スプレートと、該プレート間の空間に含まれる液晶材料
の層と、電界を該層と交差して適用させるための導電材
料のフィルムとを有し前記液晶材料は上記した本発明に
係る材料であり、かつ該プレートの内表面に置かれてい
る。この電気光学装置は、たとえば時計や時計数装置の
ような器械に用いられる表示装置である。本発明に関し
て、上記した式 を有する化合物類を含む材料は合成することができ、か
つ少なくとも１つの液晶相（中間相）を示すこと力姿ｏ
見された。 この相は、コレステリックもしくはネマチツクおよび／
またはスメクチツクである。この相は、比較的低温度で
示され、これは液晶装置用に用いるべき材料として非常
に望ましい性質である。たとえば、ネマチック液晶相を
示す化合物類は、それらの結晶からネマチツク液晶への
転移温度およびネマチック液晶から等万性液への転移温
度と共に、第１〜５表に記載する。 第 １ 表 （）内温度は単変転移点．〔 〕内温度は結晶状態の低
誘点を示す。 ○：結晶相ＳＡ 。 マメチックＡ液晶相Ｎ ：ネマチック液晶相 １ ：等方性液体相 △Ｈ：融解潜熱 第 ２ 表 ※ 該化合物は○−１，１７℃を有する多変化合物の状
態でも存在する。 ○ｈｉコレステリック液晶相第 ３ 環 第 ４ 表 ※ １２７℃ではスメクチック８相が形成され、次いで
１３３℃でスメクチック８一Ｂが生起する３第 ５ 表 その他下記３種の化合物に関する転移温度を以下に示す
。 更に、本発明の他の化合物および誘導体の転移 温度
を下記第６表に示す。第 ６ 表第 ６ 表 また、たとえばコレステリック液晶相を示す混合物類は
、それらの結晶からコレステリック液晶への転移温度お
よびコレステリック液晶から等方性液への転移温度と共
に、第７表に記載する。 各混合物の各構成化合物は次式であり、〔式中、Ｘ２は
直鎖もしくは分岐鎖の炭素原子を有するアルキル基また
はアルコキシ基である。 〕各構成化合物をその特定基Ｘ２と略記して示す。各構
成化合物の好適なモル％もまた記入する。第 ７ 表混
合物４および５において、星印（※）はその炭素を含む
化合物を光学活性とする不整中心を示す。 また、たとえば式 Ｚの化合物
は、２１〜３２．５℃のスメクチツク液晶相を、かつ３
２．５〜４０℃でネマチック液晶相を示す。上記したよ
うな式の化合物類およびそのオルト置換誘導体類の製造
法の実施例を次に記載する。 発ガン性物質として知られている４ーニトロビフェニル
並びに他の関連するニトロ及びアミノ化＊＊合物、例え
ば発ガン性物質であるかも知れない４−ニトロ及びアミ
／−４−ブロモビフェニルの使用に関して下記に言及す
る。 また下記に、４−ニトロビフェニルの如き物質の製造方
法に関して言及する。問題の各々の場合に於いて発ガン
性又はその可能性のある物質の使用は単に４−ヒドロキ
シー４′−ブロモピフェニル又はその誘導体の如き公知
の化合物である中間生成物に到達する一方法であり、発
ガン性物質の使用を回避して該中間生成物に到達する他
の方法は当技術分野の熟練者に知られているか可能であ
ることは明らかであるつｏ実施例 １ 次の工程による４′ーアルキル−４−シアノビフェニル
類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎーアルキ
ル基である。 〕段階Ａ，：４′−ｎーアシルー４−フロムビフェニル
の製造（フリーデルークラフトのアシル化による）。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥「ァナラ（ＡＭ１ａ）Ｒ」ニトロベンゼン８５羽に
溶解した市販の４ープロムピフェニル０．０８モルおよ
び無水三塩化アルミニウム０．１モルに適当なｎ−アシ
ルクロリド０．１モルを温度を２０ｑｏ以下に維持して
滴下し、この溶液を室温で１報時間損拝し、そして氷、
水および濃塩酸の混合物に注ぐ。次に、この混合物を０
．期時間燈拝し、ニトロベンゼン層を分離する。ニトロ
ベンゼンを水蒸気蒸留で除去し、かつ残燈を一定の融点
になるまで無水エタノールで結晶させる。段階Ｂ：４′
ーｎ−アルキルー４−フロムビフェニルの製造（ハング
ーミンロン（日肌ｎｇ−Ｍｉｎｉｏｎ）還元による）。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジェチレングリコール６０の‘混合物に加熱熔解し
た適当なブロムケトン０．０３７モルに、乾燥ジェチレ
ングリコール２０の
晶材料から作られた装置は、非常に大きい電気抵抗を有
するためにこの要求を満足するものとされ、そして現在
このためにこのような装置に多大の関０がよせられてい
る。多くの公知の液晶材料があり、いくつかは長年Ｚ知
られている。 液晶材料は、分子が秩序構造内で有限空間範囲以上に配
列される液晶相を示す有機材料である。他のものは、分
子の統計的秩序が該分子の最軸と平行に存在するネマチ
ツク中間相として知られている。第３のものは、分子秩
序がら２せん状であるコレステリック中間相として知ら
れている。液晶材料は、長く延びた分子構造を有する化
合物から成る。 これまで液晶装置に用いられていた液晶化合物類に関し
ては、その分子構造を次式の２ように相斑窟して示すこ
とができる。式 〔式中、ＱおよびＱ，は末端基、ＡおよびＢは連鎖基で
ある。 〕単位Ａ−ＢがＣＯＯ基を含むある種のェステル類の場
合を除いて、単位Ａ−Ｂは一般に２重結合および３重結
合を有する。 たとえば、市販の液晶装置に広般に用いられるｐ−メト
キシ−ペンジリデン−ブチルアニリン（Ｍ旧ＢＡ）また
はｐ−エトキシーベンジリデンーブチルアニリン（ＥＢ
ＢＡ）のようなシッフ塩基は、単位Ｃ＝Ｎを有する化合
物である。単位Ａ−Ｂに２重結合または３重結合が存在
することは、その材料を化学的および／または光化学的
に不安定にし「 したがってこのために望ましくない。 たとえば「シッフ塩基は徴量の水によってさえも容易に
加水分解され、有毒性の酸を生じる。従来、単位Ａ−Ｂ
の２重結合または３重結合はその分子に剛性を与え、か
つ固体結晶から液晶へのかなり低い転移温度と共に、液
晶から等万性液へのかなり高い転移温度を付与するため
に望ましいと考えられていた。 本発明において、液晶材料は、該材料が液晶相を示すよ
うな分子構造を有する化合物を含むかまたは該化合物か
ら成り、該化合物の分子構造は次式のもの、もしくはそ
の単一オルト置換誘導体または単一の結合基がそれの２
個のオルト位置にある誘導体である。 式 〔式中、ＸおよびＹは液晶挙動を促進する異なるパラ置
換基であり、パラ置換基Ｘはァルコキシ基、アルキル基
、アシルオキシ基またはアルケニル基であり、ならびに
バラ置換基Ｙはシアノ基、シアノ基でパラ位置を置換さ
れたベンゼン環、または置換基Ｘから離れた末端環がシ
ァノ基でパラ位置を置換された複数の直接パラ結合ベン
ゼン環である。 〕本発明化合物・またはその誘導体およびそれらの液晶
としての転移温度を下記第１表に示す。 第 １ 表（注）第１表中の記号は次の意味を表わす。 Ｒ：ｎ−ァルキル基 ｎ ．ｎーァ
ルキル基Ｒの炭素数Ｔｌ二○−１ ；結晶から等方性液
への転移温度■Ｔ２コ｝ＳＡ：結晶からスメクチックＡ
液晶相への転移温度に）Ｔ３＝ＯＮ ：結晶からネマチ
ック液晶相への転移温度のＴ４３Ａ−Ｎ；スメクチック
Ａ液晶相からネマチック液晶相への転移温度（〇Ｔ５＝
ＳＡ…１：スメクチックＡ液晶相から等万性液への転移
温度（りＴ６二Ｎ−１：ネマチック液晶相から等方性液
への転移温度の（米）言達畠ふ室妄学多事髪ク日液晶相
へのさま温度を子参も７乍壱参チックＥ液晶相からスメ
クチックＡ液晶相への転移温度は１３３℃である。次式
の分子構造を有するある種のビフヱニール化合物類は、
液晶相を示すことが既に知られている。式 しかしながら、全てのこれら公知の化合物では、パラ置
換基ＺおよびＺは、これら公知の化合物が非常に高い温
度でそれらの固体結晶から液晶Ｊへの転移温度を示すよ
うな基であった。 結果としてこれら公知の化合物は公知の装置用に使用で
きなかつた。本発明において、上記した液晶材料を製造
する ヱためにパラ置換基ＸおよびＹを導入することに
よって、固体結晶から液晶へのかなり低い転移温度およ
び液晶から等万性液へのかなり高い転移温度を得ること
ができるので、本発明に係る材料を公知の装置用に使用
できるようになる。 さらに本発明に係る材料は、その概括した液晶分子構造
の単位Ａ−Ｂに相当する位置に２重結合または３重結合
を有しないために、該材料の化学的および光化学的安定
性が改良される。本発明液晶材料は、前記の化合物の１
つから成るか又は選択的に「少なくとも１種が前記の化
合物である多成分混合物または多成分溶液であってもよ
い。 本発明液晶材料によって示される液晶相（中間相）は、
ネマチック、スメクチックまたはコレステリツクである
。 液晶相をコレステリックにするには、前記の化合物のパ
ラ置換基Ｘ、Ｙのいずれかが、分枝状炭素鎖内にあるよ
うな不整中心を有していなければならないので、該化合
物は光学的活性である。式 の分子構造の「オルト置換」誘導体は、該構造のいずれ
か１個（または２個以上）のベンゼン環のいずれか１個
または２個以上の残りの位置が置換された誘導体を意味
し、該ベンゼン環がパラ置換基Ｙ内にある場合も包含す
る。 「オルト位置」は、分子構造のいずれか１個または２個
以上のベンゼン環のいずれの残りの位置をも意味する。 該ベンゼン環がパラ置換基Ｙ内にある場合も包含する。
「単一のオルト置換誘導体」は、オルト置換基が該置換
基を有する材料の液晶挙動を阻害しないオルト置換譲導
体を意味する。好適なオルト置換基の例は、メチル基お
よびハロゲン原子である。同機に、「単一の結合基」は
、それを有する材料の液晶挙動を阻害しない結合基を意
味する。好適な結合基の例は次のようになる。フルオレ
ンを形成するための 基 フルオレノンを形成するための／ 基 フェナントレンを形成するための 基 本発明の他の態様によって、液晶装置は、液晶材料層を
含有する手段と、該含有手段に含まれる液晶材料層と「
液晶材料の分子配列を変えるため該材料に外部刺激を適
用する手段とを包含し、該液晶材料は上記した本発明に
係る材料である。 外部刺激を適用する手段は、たとえば「電界をその層に
適用する手段、磁界をその層に適用する手段または温度
変化をその層に適用する手段である。外部刺激によって
生じた分子配列を変化させることは、その材料の伝導状
態を変えることによってまたは該材料が光学活性である
ならばその光学活性を変えることによって該材料を通過
する波長で電磁放射線の透過に影響を与えるためである
。本発明の他の態様によって、電気光学液晶装置は「少
なくとも１枚が光学的に透明である近接した２枚のガラ
スプレートと、該プレート間の空間に含まれる液晶材料
の層と、電界を該層と交差して適用させるための導電材
料のフィルムとを有し前記液晶材料は上記した本発明に
係る材料であり、かつ該プレートの内表面に置かれてい
る。この電気光学装置は、たとえば時計や時計数装置の
ような器械に用いられる表示装置である。本発明に関し
て、上記した式 を有する化合物類を含む材料は合成することができ、か
つ少なくとも１つの液晶相（中間相）を示すこと力姿ｏ
見された。 この相は、コレステリックもしくはネマチツクおよび／
またはスメクチツクである。この相は、比較的低温度で
示され、これは液晶装置用に用いるべき材料として非常
に望ましい性質である。たとえば、ネマチック液晶相を
示す化合物類は、それらの結晶からネマチツク液晶への
転移温度およびネマチック液晶から等万性液への転移温
度と共に、第１〜５表に記載する。 第 １ 表 （）内温度は単変転移点．〔 〕内温度は結晶状態の低
誘点を示す。 ○：結晶相ＳＡ 。 マメチックＡ液晶相Ｎ ：ネマチック液晶相 １ ：等方性液体相 △Ｈ：融解潜熱 第 ２ 表 ※ 該化合物は○−１，１７℃を有する多変化合物の状
態でも存在する。 ○ｈｉコレステリック液晶相第 ３ 環 第 ４ 表 ※ １２７℃ではスメクチック８相が形成され、次いで
１３３℃でスメクチック８一Ｂが生起する３第 ５ 表 その他下記３種の化合物に関する転移温度を以下に示す
。 更に、本発明の他の化合物および誘導体の転移 温度
を下記第６表に示す。第 ６ 表第 ６ 表 また、たとえばコレステリック液晶相を示す混合物類は
、それらの結晶からコレステリック液晶への転移温度お
よびコレステリック液晶から等方性液への転移温度と共
に、第７表に記載する。 各混合物の各構成化合物は次式であり、〔式中、Ｘ２は
直鎖もしくは分岐鎖の炭素原子を有するアルキル基また
はアルコキシ基である。 〕各構成化合物をその特定基Ｘ２と略記して示す。各構
成化合物の好適なモル％もまた記入する。第 ７ 表混
合物４および５において、星印（※）はその炭素を含む
化合物を光学活性とする不整中心を示す。 また、たとえば式 Ｚの化合物
は、２１〜３２．５℃のスメクチツク液晶相を、かつ３
２．５〜４０℃でネマチック液晶相を示す。上記したよ
うな式の化合物類およびそのオルト置換誘導体類の製造
法の実施例を次に記載する。 発ガン性物質として知られている４ーニトロビフェニル
並びに他の関連するニトロ及びアミノ化＊＊合物、例え
ば発ガン性物質であるかも知れない４−ニトロ及びアミ
／−４−ブロモビフェニルの使用に関して下記に言及す
る。 また下記に、４−ニトロビフェニルの如き物質の製造方
法に関して言及する。問題の各々の場合に於いて発ガン
性又はその可能性のある物質の使用は単に４−ヒドロキ
シー４′−ブロモピフェニル又はその誘導体の如き公知
の化合物である中間生成物に到達する一方法であり、発
ガン性物質の使用を回避して該中間生成物に到達する他
の方法は当技術分野の熟練者に知られているか可能であ
ることは明らかであるつｏ実施例 １ 次の工程による４′ーアルキル−４−シアノビフェニル
類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎーアルキ
ル基である。 〕段階Ａ，：４′−ｎーアシルー４−フロムビフェニル
の製造（フリーデルークラフトのアシル化による）。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥「ァナラ（ＡＭ１ａ）Ｒ」ニトロベンゼン８５羽に
溶解した市販の４ープロムピフェニル０．０８モルおよ
び無水三塩化アルミニウム０．１モルに適当なｎ−アシ
ルクロリド０．１モルを温度を２０ｑｏ以下に維持して
滴下し、この溶液を室温で１報時間損拝し、そして氷、
水および濃塩酸の混合物に注ぐ。次に、この混合物を０
．期時間燈拝し、ニトロベンゼン層を分離する。ニトロ
ベンゼンを水蒸気蒸留で除去し、かつ残燈を一定の融点
になるまで無水エタノールで結晶させる。段階Ｂ：４′
ーｎ−アルキルー４−フロムビフェニルの製造（ハング
ーミンロン（日肌ｎｇ−Ｍｉｎｉｏｎ）還元による）。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジェチレングリコール６０の‘混合物に加熱熔解し
た適当なブロムケトン０．０３７モルに、乾燥ジェチレ
ングリコール２０の
【中の９０％ヒドラジンヒドラート
０．０８モルの溶液を加える。水酸化カリウム０．０９
モルをこの温溶液に加え、固形物の殆んどが溶解するま
で約１００００で加熱した後に、反応混合物を約１時間
還流下に加熱する。温度を蒸留によって約１８０ｏＣに
上げ、そして約１８０℃で４時間維持する。冷却しなが
ら反応混合物をベンゼンと共に振溢し、抽出物を乾燥す
る。溶剤を除去し、そして残造を一定の融点になるまで
無水エタノールで結晶させる。段階Ｃ，：４−ｎ−アル
キルー４−シアノピフェニ＊＊ ルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジェチルホルムアミド７５の‘中の、段階Ａ、Ｂに
よって製造した４−ｎーアルキル−４−フロムビフェニ
ル０．０２１モルとシアン化第一銅０．０３１モルとの
混合物を約１独時間、還流下に加熱する。冷却しながら
、反応混合物を塩化第二鉄と濃塩酸と水との濃伴混合物
に注ぐ。約６０〜７０００で２０分間加熱後、混合物を
クロロホルムと振糧し、抽出物を州塩酸、水、１０％水
酸化ナトリウム水溶液および水で洗浄してから乾燥する
。溶剤を除去し、残澄をケイ酸の力ラムクロマトグラフ
ィで精製してから、一定の融点になるまで−７８ｑＣで
軽油（沸点４０〜６０午○）で結晶させる。最後に精製
物を約１４０〜１５０ｑ○で真空（０．５柳Ｈｇ）下で
蒸留する。実施例 ２次の工程による４′−アルコキシ
−４−シアノビフェニル類の製造〔式中、Ｒはアルキル
基、たとえばｎ−アルキル基である。 〕段階ん：４−フロム−４−ニトロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 市販の４−ニトロビフェニルを、ル・フェブレ（ＬｅＦ
ｅｖｅｒ）およびターナー（Ｔｕｒｎｅｒ）の方法〔Ｊ
．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．第２０４５頁、１９２６年に記載
〕によってブロム化して、４−フロム−４′−ニトロビ
フェニルを得る。段階＆：４−フロム−４−アミノビフ
ェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ａ２で製造したニトロ化合物８１夕の還元を、針状
鉄粉５８夕、９０％エタノール５００叫および濃塩酸２
９の‘の混合物によって約１２時間、１００００で灘拝
して行う。炭酸ナトリウム２２９を加え、櫨梓を３０分
間継続し、その後、少し過剰の希アンモニア水溶液を加
える。冷却しながら生成したアミンをエーテルで抽出す
る。アミンのエーテル／アルコール抽出物を蒸発させて
エーテルを除去し、そして残澄を水に注ぐ。アミンを沈
殿させ、炉取し、そして乾燥する。段階Ｃ２：４−フロ
ムー４′一ヒドロキシヒーフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｂで製造した４′ーアミノ−４ーフロムビフェニル
６０夕を９０００で９５％酢酸水溶液３６０の‘に溶解
させ、激しく雛拝したこの溶液に９０００に子熱した４
０Ｗ／Ｗ％硫酸３６０の‘を速やかに加える。櫨拝しな
がら０℃まで速やかに冷却して明確に分かれた硫酸アミ
ンを得、該硫酸アミンを０℃（±１℃）で水１００の【
中の亜硝酸ナトリウム水溶液４１．６夕を徐々に加えて
ジアゾ化する。次に過剰の亜硝酸ナトリウムを尿素で分
解する。次に９５％酢酸４００の‘をジアゾニウム塩の
溶液を得るために加える。硫酸ジアゾニウムの氷冷溶液
を、烈しく燈拝し、かつ沸騰している４０Ｗ／Ｗ％硫酸
溶液２００の‘に直接加える。まず、懸濁粒子が混合物
中に見えるまで溶液を徐々に加える。その後、添加割合
を増加する。添加の所要時間は約３０分間である。次に
この溶液を約１５分間還流下に加熱し、そして冷却する
。等量の水で希釈して固形物を得、この固形物を熱ＩＮ
水酸化ナトリウム水溶液３０００叫で温浸する。炉過に
よって不溶解物を除去した後、炉過を酸性化して無色の
４ーフロムー４′一ヒドロキシビフェニルを得る。段階
Ｄ２：４′ーｎーアルコキシー４ーブロムピフェニル類
の製造。 この段階の方法を行う一例は次のようになる。 シアノヘキサン７０机【中の、段階Ｃ２で製造した４ー
ブロムー４′ーヒドロキシビフエニル０．３３モルおよ
び無水炭酸カリウム０．１３２モルの混合物に、適当な
ｎ−アルキルプロミド０．０５３モルを加え、そして雛
梓混合物を約４時間、還流下に加熱す＊る。冷却しなが
ら反応混合物を炉遇し、かつ溶剤を炉過物から除去する
。残澄を一定の融点になるまでベンゼンおよび軽油（沸
点４０〜６０ｑ０）の混合物で結晶させる。段階Ｅ２：
４′一ｎ−アルコキシー４ーシアノビフェニル類の製造
。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジメチルホルムアミド１００必中の、段階Ｄ２で製
造した４′ーｎ−アルコキシ−４−フロムビフェニル０
．０２４モルおよびシアン化第一銅０．０３６モルの混
合物を約１幼時間、還流下に加熱する。冷却しながら反
応混合物を、塩化第二鉄と濃塩酸と水との混合物に注ぐ
。６０〜７０００で約２０分間加熱した後、混合物をク
ロロホルムと共に振浸し、抽出物を則塩酸、水、２０％
水酸化ナトリウムおよび水で洗浄してから乾燥する。 溶剤を除去し、残澄をケイ酸のカラムクロマトグラフィ
で精製してかり、一定の融点になるまで、一７８ｑｏで
軽油（沸点４０〜６０午０）で結晶させる。最後に、精
製物を約１４０午０で真空（０．５側Ｈｇ）下で蒸留す
る。実施例 ３次の工程による４′ーアルキル−４−ニ
トロビフェニル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たと
えばｎ−アルキル基である。 〕段階ん：４−ァシルビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 市販のビフェニルをフリーデルークラフトのアシル化に
よって、適当な４−アシルビフェニルに変える。段階＆
：４−アシルー４ーニトロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階んで製造した４ーアシルビフェニルをニトロ化して
ニトロ異性体の混合物を得、該異性体から適当な４′−
アシル−４−ニトロビフェニルを通常の方法で分離し、
４′ーァシル−４ーニトロビフヱニルを結晶させかつカ
ラムクロマトグラフイを用いて精製する。段階Ｃ３：４
′一ｎーアルキルー４ーニトロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階＆の生成物をハングーミンロン方法で還元して所要
の４′一ｎーアルキル−４ーニトロビフェニルを製造す
る。実施例 ４ 次の工程による４′ーアルコキシ−４−ニトロビフヱニ
ル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎ−アル
キル基である。 〕通常の方法を用いて４−ヒドロキシ−４ーニトロビフ
ェニルを製造する。 次に、これをアルキル化して適当な４′一ｎ−アルコキ
シー４ーニトロビ＊フェニルを製造し、これを結晶化と
力ラムクロマトグラフィによって精製する。実施例 ５ 次の工程による７ーアルキル−２−シアノフルオレン類
の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎ−アルキル
基である。 〕出発物質は通常の方法で製造される２ーフロムフルオ
レンである。 段階ん、＆およびＣ５はそれぞれ前記実施例１で述べた
段階Ａ，、ＢおよびＣ，※※と同じ方法で行う。実施例
６ 次の工程による７−アルコキシ−２−シアノフルオレソ
類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎーアルキ
ル基である。 〕段階ん：２−フロムフルオレンのニトロ化。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。２−ブロ
ムフルオレンを６０℃で氷酢酸に溶解し、これに発煙硝
酸と濃硝酸との混合物を加えることによって、２ーブロ
ムフルオレンを７−ニトロ−２ーブロムフルオレンに変
える。 温度を９０ｏｏに１時間上げて反応を完了する。生成物
を炉別し、結晶化によって精製する。段階Ｂ６：７ーア
ミノ−２ーフロムフルオレンの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。段階んで
製造した７ーニトロ−２ープロムフルオレンを熱氷酢酸
に溶かし、濃塩酸に溶解した塩化第一スズを加えること
によって、７−ニトロ−２−ブロムフルオレンの還元を
行う。還流下で加熱してから、このように生成したアミ
ン塩酸塩を炉別し、溢水酸化ナトリウム水溶液で溢浸す
る。生成物を結晶化によって精製する。段階Ｃ６：７ー
ヒドロキシー２ーブロムフルオレンの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 前記段階Ｃ２の実施例で述べた方法と同様にして、段階
Ｂ６で製造した７−アミノ−２ーブロム＊フルオレンを
７−ヒドロキシ−２ーフロムフルオレンに変える。段階
Ｄ６：７一ｎーアルコキシ−２ーフロムフルオレンの製
造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｃ６で製造した７−ヒドロキシー２−フロムフルオ
レンを、前記段階○２の実施例で述べたのと同じ方法で
アルキル化し、７−ｎーアルコキシー２ープロムフルオ
レンを得る。段階Ｅ６：７一ｎ−アルコキシー２ーシア
ノフルオレンの製造。 この段階を行う方法の一例は次にようになる。 段階Ｄ６で製造した７一ｎーアルコキシー２ープロムフ
ルオレンを、前記実施例の段階Ｅ２の実施例と同様にし
て、シアン化第一銅と共にジメチルホルムアミド中で加
熱して、７−ｎーアルコキシ−２ーシアノフルオレンに
変える。実施例 ７次の工程によるメチル置換４′−ア
ルコキシー４ーシアノビフェニルの製造〔式中、Ｒはア
ルキル基、たとえばｎ−アルキル基である。 〕段階Ａ７：メチル置換４′−ｎーァルコキシー４ーニ
トロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 適当な４−ｎ−アルコキシ−２−メチルアニリンをゴン
バーグ反応によってメチル置換４′−ｎ−アルコキシー
４ーニトロビフェニルに変える。段階Ｂ：メチル置換４
′−ｎーアルコキシ−４−アミノビフェニルの製造。こ
の段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ａ７で製造したメチル置換４−ｎ−ァルコキシー４
ーニトロビフェニルを、前記段階Ｂ２の実施例と同様に
して針状鉄粉（ｉｒｏｎ ｐｉｎｄｕｓｔ）還元で還元
して、メチル置換４′一ｎ−ァルコキシ−４−アミノビ
フェニルを製造する。段階Ｃ７：メチル置換４′一ｎー
ァルコキシー４ーフロムビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｂで製造したメチル置換４−ｎｌ−アルコキシー４
ーアミノビフェニルを、前記段階Ｃ２の実施例と同様に
してジアゾ化して、メチル置換４′−ｎ−アルコキシ−
４ーフロムピフェニルに変える。つぎに臭化第一銅を加
える。段階Ｄ７：メチル置換４′−ｎ−アルコキシー４
ーシァノビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｃ７で製造したメチル置換４′一ｎ−アルコキシ−
４ーフロムビフェニルを、前記段階Ｅ２の実＊施例と同
じ方法でジメチルホルムアミド中、シアン化第一銅と共
に加熱して等量のシァノ化合物に変える。実施例 ８ 次の工程によるメチル置換４−ァルキルー４−シアノビ
フェニルの製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎー
アルキル基である。 〕出発物質は周知方法で製造される４ーアルキル−２−
メチルァニリンである。 段階Ａ８、Ｂ８、Ｃ８およびＤ６はそれぞれ段階Ａ７、
Ｂ？、Ｃ７およびＤ７と同様にして行う。実施例 ９ 次の工程による４′ーアルケニルー４−シアノビフェニ
ルの製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎ−アルキ
ル基である。 〕段階ふ：４′ーアシル−４−フロムビフェニルの製造
。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。前記Ａ，
の実施例と同じ方法で４−フロムビフェニルをアシル化
して適当な出発物質ケトンを製造する。このケトンを乾
燥エーテル中、水素化ァルミニウムリチウムで還元して
適当なアルコールを得、このアルコールを結晶化によっ
て精製する。段階耳：段階Ａ９で製造したアルコールの
脱水。 この段階の一例は次のようになる。４−アルケニル−４
−フロムビフェニルを、段階Ａ９で製造したアルコール
を氷酢酸中１０分間加熱して脱水することによって製造
する。 ２一 Ｌ 段階Ｃ９：４′ーアルケニル−４−シアノビフェニルの
製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 ４′−アルケニル−４ーシアノビフェニルを、前記段階
Ｃ，と同じ方法でジメチルホルムアミド中、シアン化第
一鋼を用いて、段階Ｂ９で製造し＊たブロム化合物から
製造する。 生成物を力ラムクロマトグラフィと蒸留とによって精製
する。実施例 １０次の工程による４′ーアルコキシー
４ーアシルオキシビフェニルの製造〔式中、ＲおよびＲ
Ｉはアルキル基、たとえばｎ−アルキル基である。 〕段階Ａ，ｏ：４′ーｎ−アルコキシー４ーニトロビフ
ェニルを通常の方法によって４′−ヒドロキシー４ーニ
トロピフェニルから製造する。 これは前記段階Ｄ２と同じ方法で行ってもよい。段階Ｂ
，ｏ：４′ーアルコキシ−４−アミノビフェニルを、段
階Ａ，。 で製造した相当するニトロ化合物を前記段階Ｂ２の具体
例と同様の針状鉄粉プロセスを用いて還元することによ
って製造する。段階Ｃ．ｏ：４′ーｎーアルコキシ−４
−ヒドロキシ※ビフェニルを、段階Ｂ，。 で製造した相当するァミノ化合物を前記段階Ｃ２の実施
例と同様にしてジアゾ化し、加水分解することによって
製造する。段階Ｄ，ｏ：４一ｎーアルコキシ−４−アシ
ルオキシビフェニルを、段階Ｃ，。 で製造した相当するヒドロキシル化合物を通常のアシル
化によって製造する。実施例 １１ 次の工程による非対称４・４−ジァシルオキシピフェニ
ル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基またはアリール基、
Ｒ′はＲと異なるアルキル基またはアリール基である。 〕段階Ａ，．：適当なハーフヱステルの製造。 市販の４・４ージヒドロキシビフェニル２モルと適当な
アシルクロリド（ＲＣＯＣＩ）１モルとを乾燥ピリジン
中で互いに反応させ、ハーフェステルをジェステルと未
反応の４・４′ージヒドロキシジフエニルとからカラム
クロマトグラフイによって分離し、最後に結晶させる。
段階Ｂ，：非対称ジェステルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 ハーフェステル１モルを乾燥ビリジン中ァシルクロリド
（ＲＩＣＯＣＩ）１．１モルと互いに反応させて非対称
ジェステル製造する。このジェステルを力ラムクロマト
グラフィと結晶化によって精製する。実施例 １２ ４′−アルキルー４−シアノーｐーテルフエニル類の製
造用いる工程は実施例１で用いた工程と同様であるが、
この実施例では、実施例１で用いた相当するビフェニル
の代物こ、適当なテルフェニルを各段階で用いる。 出発物質４ーフロム−ｐ−テルフェニルは、市販のｐー
テルフェニルを周知方法でブロム化して製造する。 実施例 １３ ４″−アルコキシー４ーシアノーｐーテルフエニル類の
製造用いる工程は実施例２で用いた工程と同様であるが
、この実施例では、実施例２で用いた相当するビフェニ
ルの代りに、適当なテルフェニルを各段階で用いる。 出発物質４″−ニトロ−ｐーテルフヱニルは市販のＰー
テルフェニルを周知方法でニトロ化して製造する。 実施例 １４ ４′′−アルキル−４ーニトロリｐ−テルフエニル類の
製造用いる工程は実施例３で用いた工程と同様であるが
、この実施例では実施例３で用いた相当するビフェニル
の代りに適当なテルフェニルを各段階で用いる。 出発物質ｐ−テルフェニルは市販品である。 実施例 １５４′′−アルコキシ−４ーニトロ−ｐ山テ
ルフエニル類の製造用いる工程は実施例４で用いた工程
、すなわち適当なヒドロキシル化合物のアルキル化工程
と同様である。 出発物質４″ーヒドロキシ−４−ニトロ−ｐ−７ルフェ
ニルは周知方法で製造する。 実施例 １６ ジオルト置換４′ーアルコキシー４−シアノビフェニル
類の製造用いる工程は実施例７で用いた工程と同様であ
るが、この場合、工程Ａ７で用いたニトロベンゼンの代
りに反応物質として適当な置換ニトロベンゼン、たとえ
ば、１ーメチル−２−ニトロベンゼンを用いる。 実施例 １７ ２以上のオルト置換基を有する４′−ァルコキシー４ー
シアノビフェニル類の製造用いる工程は実施例７で用い
た工程と同様であるが、この場合、工程Ａ７で用いた相
当する４−ｎーアルコキシ−２−メチルアニリンとニト
ロベンゼンとの代りに適当な置換化合物類を出発反応物
質として用いる。 実施例 １８ オルト置換基を少なくとも２つ有する４−ァルキルー４
−シアノビフェニル類の製造用いる工程は実施例８で用
いた工程と同様であるが、この場合、工程Ａ８で用いた
４−アルキル−２−メチルアニリンとニトロベンゼンの
いずれか、または両方が適当な置換基を持っている。 実施例 １９オルト置換基を少なくとも１つ有する４−
アルキル−４−シアノ−ｐ−テルフェニル類の製造用い
る工程は実施例８および実施例１８で用いたものと同様
であるが、この場合、出発物質は周知方法で製造した４
′ーアルキル−４−アミノビフェニルとニトロベンゼン
であり、これらのうち少なくとも１つは適当に置換され
ている。 実施例 ２０ オルト置換基を少なくとも１つ有する４″−ァルコキシ
ー４ーシアノーｐーテルフェニル類の製造用いる工程は
実施例７、１６および１７で用いたものと同様であるが
、この場合、出発物質は周知方法で製造した４′ーアル
コキシ−４ーアミノビフェニルとニトロベンゼンであり
、これらのうち少な〈とも１つは適当に置換されている
。 実施例 ２１ 式 〔式中、Ｒはアルキル基、ＣＮ‘まシアノ基、Ｚは直接
にパラ結合した複数のベンゼン環である。 〕を有する化合物類の製造 用いる工程は実施例１で用いたものと同様であるが、こ
の実施例では、実施例１で用いた相当するビフェニルの
代りに、適当なマルチフヱニルを各段階で用いる。 実施例 ２２ 次式 〔式中、ＲＯはアルコキシ基、ＣＮはシアノ基であり、
Ｚは直接にパラ結合した複数のベンゼン環を示す。 〕を有する化合物類の製造 用いる工程は実施例２で用いたものと同機であるが、こ
の実施例では、実施例２で用いた相当するビフェニルの
代りに適当なマルチフェニルを各段階で用いる。 実施例 ２３ 次の工程による光学活性４′−アルコキシ−４−シアノ
ビフェニル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基である。 〕段階Ａ教、Ｂ２３およびＣ２３、特に化合物（一）４
一（２″ーメチルブチルオキシ）一４−シアノビフェニ
ルの場合の一例は次のようになる。 段階Ａ蟹：（一）２−メチル−ブチルートルェン一Ｐ−
スルホネートの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ピリジン７５のと中トルェンーｐ−スルホニルクロ
リド０．０９４モルの溶液に−５℃で（一）２−メチル
ブタン−１−オール０．０８５モルを一度に加える。こ
の溶液を０℃以下に保ち、２時間渡梓する。温度を５℃
以下に保ちながら水１５机を５分間隅で１の‘、１の‘
、２のと、５の【および５泌ずつ加える。溶液を水７５
の‘で希釈する。このようにして生成したオイルをクロ
ロホルム中に抽出し、抽出物を水、が硫酸、水、１５％
重炭酸ナトリウム水溶液および水で順次洗い、最後に無
水硫酸ナトリウム上で乾燥する。クロロホルムを減圧蒸
留して除去し、残留オイルを蒸留し、圧力０．５肌Ｈｇ
における沸点１４９こ○の分画を集める。段階Ｂ２３：
４′−ヒドロキシー４ーシアノビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジメチルホルムアミド７５の上中の、実施例２の段
階ん、馬およびＣ２で製造した４′−ヒドロキシ−４ー
ブロムビフエニル０．０２１モルとシアノ化第一銅０．
０３１モルとの混合物を還流下で６時間加熱する。冷却
しながら、反応混合物を、塩化第二鉄、濃塩酸および水
の蝿拝混合物に注ぐ。６０〜７０℃で２０分間加熱後、
混合物をクロロホルムと共に振浸し、抽出物を州塩酸、
水、１０％重炭酸ナトリウム水溶液および水で洗い、次
に乾燥する。 溶剤を除去し、残澄を最小量の熱アセトンに溶かし、十
分な軽油（沸点４０〜６０ｑ０）を加えて徴濁物を製造
する。この溶液を冷却し、結晶を炉別する。この物質を
、格温１６０ｑＣ、０．３肌Ｈｇで昇華させてさらに精
製し、無色固体を得る。段階Ｃ幻：（一）４′一（２″
−メチルブチルオキシ）−４−シアノビフェニルの製造
。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 ４−ヒドロキシ−４ーシアノピフエニル０．０１モ Ｚ
ルに乾燥ェタノ−ル２５地中のナトリウム０．０１多原
子の溶液を加え、完全な溶液を得るまでこの混合物を澄
拝する。 エタノールを減圧下で蒸留して除去する。生成したヒド
ロキシル化合物のナトリウム塩に乾燥ジメチルホルムア
ミド５５Ｍ中の段階Ｚん３で製造したトシレート０．０
１１モルを加え、混合物を１１０〜１３０ｏＣで７時間
加熱損拝する。一夜放置後、反応混合物を水１００机‘
に注入し、有機物質をヱ−テル中に抽出する。エーテル
抽出物を、水、１５％炭酸ナトリウム水溶液および水の
順で洗い、２無水炭酸ナトリウム上で乾燥する。エーテ
ルを蒸留で除去し、固形残澄を「溶媒としてクロロホル
ムを用いて、ケイ酸の力ラムクロマトグラフィで精製す
る。カラムからの溶出物をエタノールで結晶させ、２最
後に蒸留して浴温１３０〜１３５ｑ０、圧力０．３側Ｈ
ｇの分画を集める。 実施例を具体化する他の化合物類、 〔ただし、式中、オルト置換基はハロゲン原子である。 〕のオルト置換誘導体を実施例７と類似の方法で製造し
てもよい。本発明を具体化する他の化合物類、 〔式中、２つのオルト位置は＞Ｃ＝○またはのいずれか
の結合基で結合していの誘導体を実施例６と類似の方法
で製造してもよい。 直接にパラ結合している２個以上のベンゼン環を有し、
パラ置換基×から遠い末端ベンゼン環のパラ位置がアル
コキシ基で置換されているところの、本発明を具体化す
る化合物を実施例１１と類似の方法で製造してもよい。 一般に、本発明の具体例に関する例として、この明細書
で述べた化合物は、パラ置換基Ｘの炭素原子の数が３０
またはそれ以下の場合に最も有用である。化合物類がそ
れ自体液晶相を示さないならば、それらは、混合物を構
成する目的材料が液晶相を示すように他の材料と混合す
ると液晶相を示すであろう。式 およびＲ 〔式中、Ｒはｎーアルキル基である。 〕は、Ｒが炭素数３〜１０の範囲にあり、それ自体液晶
相を有するところの特に有用な化合物である。 一般に、この明細書で述べたこれら化合物は、パラ置換
基Ｘ中にノルマル（直鎖）または分岐状の炭素原子鎖を
有している。一般に、パラ置換基×が分岐炭素原子を有
する化合物類は、パラ置換基Ｘが直鎖を有するようなパ
ラ置換基Ｘの炭素原子数とほぼ同じ範囲において特に有
用である。しかしながら、ある特定の場合について次の
表に示し、この表には、特定のパラ置換基Ｙを有する化
合物Ｐおよび特に有用な各々の該化合物ｐにおけ｝るパ
ラ置換基×に相当する炭素原子数Ｎの例を記入している
。Ｒは各々の場合にアルキ′均基を示す。次の表は本発
明を具体化する他の混合物を例示しており、これら他の
混合物はすべてェンテクチック（ｅｎにｃｔｉｃ）混合
物である。これらの表にあるＭは各混合物中の各組成物
のモル％を示し、Ｋ−Ｓ、Ｓ−Ｎ、Ｎ−１およびＫ−Ｎ
はそれぞれ適当な各混合物に次の相転数が生じる温度で
ある。固体結晶からスメクチック液晶へ、スメクチツク
液晶からネマチック液晶へ、ネマチック液晶から等方性
液へ、および固体結晶からネマチック液晶への相転移で
ある。各混合物中の各組成物の組成もまたこれらの表に
示す。これら組成は上記したように、すべてである。 したがって各組成を略して記載し、基Ｘ，の下に基Ｘ，
の分子式を示す。Ｘ， Ｍ Ｋ−Ｎ Ｎ−１ 混合物６ ０５日，． ５５ ０５日，．○ １５ 一２ ５４ ０７日，５０ １３ ＸＩ Ｍ Ｋ・Ｎ Ｎ血・ 混合物７ ０７日１５ ４４ ０５日，，○ １９ ４ ６１ ０７日，５０ １６ ０８日，．０ ２１ Ｘ， Ｍ Ｋ−Ｎ ＮＭＩ 混合物８ ０７ＨＩ１ ３６ ０３，日７０ １８ 。 ５Ｈ１１。 １５ 〇 ６１ ○７日，．５０ １２ ３
０８日，７０ １９ＸＩ Ｍ Ｋ−−Ｎ Ｎ−１ 混合物９ ０５日，１ ４９ ０３日７０ １５ ０５日，．０ １２ ‐−‐４ ５‘１ ３０
７日１５０ １０。 ８日１７０ １４ Ｘ． Ｍ Ｋ−Ｎ Ｎ−１ 混合物１０ ０５１１１１ ３２
４０６Ｈ１３ ２８ 山１８ ３５（）７日．５
１５ ０８Ｈ．？ ２５ ＸＩ Ｍ ｔく−Ｎ Ｎ旧・ 混合物１１ ０６日１３ ４９ ０３日７０ １ ．５ ０５日，．（１ 【２ 一５ ４９０７日１５（
） １０ ０８日，７０ １４ ＸＩ Ｍ Ｋ■−Ｎ Ｎ叫〕， 混合物１２ ０５ＨＩ１ ４８ ○７日，三 ２９ ４５ ０５Ｈｕ○ １２ 一０ ０７Ｈｉｓ０ １１ Ｘ， Ｍ Ｋ−Ｎ Ｎｍｌ 混合物１３ ０５１１１１ ５３ ０７日，５ ３５ ‐‐１ ６ ３ ０５日，．・◇季【２ Ｘ】 Ｍ Ｋ一ＳＳ−ＮＮ−１ 混合物１４ ０８日，？ 。 ９ＨＩ９ 。 ８日１７０室ｇ７５３４１５０ Ｘ． Ｍ ＜‐Ｎ Ｎ州１− 混合物ｉＳ ０７日，５ ８亭８三三８室亭｝８；５ 前記の各混合物において、記載した各構成化合物のモル
％は、該混合物がそれぞれの中間相を有する温度範囲を
顕著に変化させることないこ、記載した値から３％まで
変えなくてもよい。 式 〔式中、Ｒはｎ−アルキル基である。 〕のような、本発明を具体化するネマチック液晶材料は
、正誘導異方性（長分子軸に平行に測定した誘導率とこ
の軸に垂直に測定した誘導率との違い）を有するように
製造することができ、一方〔式中、ＲおよびＲ，はｎー
ァルキル基である。 〕のような、本発明を具体化する他の材料は、負誘導異
方性を有するように製造することができる。正誘導異方
性を有するネマチック液晶材料は、次の公知の効果を具
現する装置に用いることができる。山 シャハトーヘ
ルフリツヒ（Ｓｃｈａｄｔ−Ｈｅｌｆｒｊｃｈ）効果：
偏光器と分析器との間に配置したねじれたネマチツク液
晶（通常、透明な２枚の平行プレート間に配置されるの
で、分子の方向ベクトルは両プレートの平面内にあるが
、１平面から他平面まで角度９０ｏ以上に変わる。 ）は、電界が液晶と交差して適用されると光学活性と異
なる電界を示す。‘２’ フリーデリックス（Ｆｒｅｅ
ｄｅｒｉｃｋｓ）効果：液晶分子の方向ベクトルは、２
次方向に適用した電界の作用によって１次方向からその
１次方向に垂直な２次方向へ変えられる。 【３’相変化効果：液晶相は電界の作用によってコレス
テリックと電界誘導ネマチツクとの間で変化し、この効
果によって、ネマチツク材料を光学活性材料と混合して
、コレステリツク材料を製造する。 負誘導異方性を有するネマチツク液晶材料は、公知の動
的散乱効果を利用する装置に使用することができ、該効
果によって、ネマチック液晶の分子は、電流の作用によ
って不均一な（非配列）散乱状態に非配向される。 同様に、本発明を具体化するコレステリツク液晶材料は
、正議導異方性を有し、たとえば式〔式中、パラ置換基
Ｘはシアノ基である。 〕の化合物を含むものである。そして他の材料は、負議
導異方性を有し、たとえば式〔式中、パラ置換基Ｙはア
シルオキシ基である。 〕の化合物を含むものである。正誘導異方性を有するこ
の発明を具体化するコレステリック材料は、相変化効果
を利用してもよし・。 員議導異方性を有するこの発明を具体化するコレステリ
ック材料は、いわゆる「メモリー効果」を利用してもよ
い。本発明を具体化する装置の具体例を次に記載する。 本発明を具体化するネマチック液晶材料およびコレステ
リック液晶材料の用途の例として、本発明を具体化する
相変化効果装置も次に述べる。 相変化効果装置に用いるのに好適なコレステリック液晶
材料を製造する方法は、光学活性液晶材料を、ネマチツ
ク液晶材料またはネマチック液晶材料の混合物と混合す
ることを包含することが知られている。その方法を利用
する際に、上記した混合物４または混合物５（第３表参
照）を、相変化効果装置用の基本材料として用いてもよ
い。第１図は、本発明を具体化する電気光学の液晶相変
化効果装置の一部分回路を示す平断面図である。上記し
た混合物４または混合物５の薄層１７は、ガラススライ
ド１９，２９の間に含まれている。ガラススライド１９
は、その表面に層１７と接触して酸化スズ被膜２３を有
する。ガラススライド２９は、その表面に層１７と接触
して酸化スズ被膜２５を有する。ガラススライド１９は
、電気結線３１を酸化スズ被膜２３に設けるために、ガ
ラススライド２９の端部と重ならない領域を有する。同
様に、ガラススライド２９は、電気結線３３を酸化スズ
被膜２５に設けるために、ガラススライド１９の端部と
重ならない領域を有する。電池３７と直列のスイッチ３
５が閉じると、電池３７は結線３１，３３間に適用でき
る。電池３７は、それから層１７と交差して得られる電
界強さが相変化効果のための電界強さより大きいように
する。層１７と接触していないガラススライド１９の表
面は、銀被膜鏡３９を有する。層１７は、アラルダィト
（商標名）または他の適当なシ−ル材のりング４１によ
って、ガラススライド１９，２９間に密封されうる。暗
色スクリーンＳは、層１７が透明であると該スクリーン
Ｓの反射が図示のように眼Ｅにより鏡３９内に見えるよ
うな位置に、ガラススライド１９の前方で鋭角に配置さ
れている。 スイッチ３５が開くと、鏡３９内に見える像は輝く。 これは、層１７が不透明でありかつ眼Ｅに周囲の光が反
射するためである。しかしながら、スイッチ３６が閉じ
ると、鏡３９内に見える像は暗くなる。これは、層１７
が透明になりかつスクリーンＳの像が鏡３９内に見るた
めである。スイッチ３５が再び開かれると、像は層１７
が再び不透明になるために輝く。 タ
第１図に例示した装置に基づく表示装置は、被膜２３，
２５を局限の字体または記号の形状にするような公知の
方法で、被膜２３，２５を形成して作製してもよい。こ
のような表示のために、各字体または記号、すなわちス
イッチ３５に対応しＪて接続された各スイッチは、論理
制御（図示しない）によって電子的に作動させてもよい
。代替の装置では、適用される電界が、直流の代りに交
流（約５０Ｋ世までの振動数で）でもよい。
Ｚ第２図は、本発明
の新規な液晶材料を使用した公知の液晶情報記憶または
表示装置を示す概略ダイヤグラムである。この装置は、
この発明を具体化するスメクチック材料またはコレステ
リック材料のいずれかの用途を例示する。
２上記したような式の化合物を含むコレステリツク液
晶材料もしくは式の化合物を含むスメクチック液晶材料
、または上託したようなそれらの誘導体のいずれかの層
６３は、各内表面に導電性被膜６９，６８を有するガラ
ススライド６５，６７間に含まれている。 スペクトル赤外部の出力ビーム７３を生じるレーザ７１
は、ビーム７３が通常のレーザ偏向板７５によってスラ
イド６５および被膜６９を越えて走査できるように配置
されている。スライド６５はピーム７３に対して透明で
あるが、被膜６９はビーム７３を吸収する。他の出力を
生じる電圧源７７は、スイッチ７０を介して被膜６８お
よび６９に電気的に接続されている。この装置は次のよ
うに作動する。 情報は、ビーム７３によって被膜６９上に、さらに被膜
６９から熱伝導によって層６３上に記録される。層６３
に伝導される熱は、層６３の選択した局部区域の温度を
上げ、かつ該区域の相を変化させれば十分である。層６
３の材料が初めコレステリック中間相であるならば、該
相は等万性液相に変わる。その材料が初めスメクチック
中間相であるならば、該相はネマチック中間相（該材料
がネマチック中間相を有する場合）または等方性液相に
変わる。ビーム７３が被膜６９および６３の所定区域を
加熱し、そして他の区域に偏向された後、該所定区域は
速やかに再冷却され、該区域の材料はその初めの相に戻
る。しかしながら、それは濁ったすなわち散乱状態の初
めの相に戻る。したがって、ビーム７３によって走査さ
れない層６３の区域が、清澄なすなわち非散乱状態の初
めの相であるならば、走査された区域はそれらの光学散
乱性によって非走査区域から識別される。したがって、
ビーム７３が除去された後にまたはそれが適当なフィル
夕を通して作動している間に、層６３をスライド６７お
よび被膜６８を通して視覚観察するならば、記録された
情報を見ることができる。被膜６９，６８はこのために
光学的に透明である。記憶または表示した情報を消去す
るには、スイッチ７０を閉じて層６３を騒ぎる電界を印
加しながら、ビーム７３によって層６３を走査すること
で行なわれる。層６３の材料は、相を変えるために再加
熱され、そしてその初めの相に戻すために再冷却される
。しかしながら、この場合、電圧はその材料を清澄な形
態の固有相に戻す。あるいはまた、ビーム７３を適当な
低走査率にするならば、適用した電界を用いないで、ビ
ーム７３によって層６３を走査することで情報を消去で
きる。 第３図は時計または時計数装置の概略ダイヤグラムであ
り、該時計または時計数装置は、この発明を具体化する
液晶表示の用途を例示するものである。 水晶発振器８１は、発振振動数３２．１６雛Ｈｚを有す
る。その振動数での発振器からの出力信号は、振動数６
４ＨＺで出力信号を与えるカウントダウンユニット８３
内に分配される。出力信号は、さらに振動数を６４に分
配する論理ユニット８５に適用される。論理ユニット８
５は１秒ごとに単一パルスを発生する。それは秒パルス
をカウントし、そして６０の秒パルスをカウントするた
びに分パルスを与える。それはまた分パルスをカウント
し、そして６０の分パルスをカウントするたびに時間パ
ルスを与える。秒、分および時間パルスは、論理ユニッ
ト８５内のゲート（図示しない）を作動するために供給
される。このゲートは、作動信号を一連のコンダクタ８
６内の選択部材を経て液晶表示８７へ適用させる。秒、
分および時間パルスがユニット８５のゲートに達すると
、それはコンダクタ８６の選択部材を適宜変化させる。
表示８７は、３セクションのデジタル表示である。 第１セクション８８は適切な秒位数を表示し、第２セク
ション８９は適切な分位数を表示し、さらに第３セクシ
ョン９川ま適切な時位数を表示する。論理ユニット８５
のゲートは、作動信号を適用するための適宜のコンダク
タ８６を選択することによって、セクション８８，８９
，９０内で作動すべき適切な位数を選択する。それが秒
、分および時間パルスを受信すると、ゲート２は、コン
ダク夕８６の選択部材を経時順の次の適切な位数に要す
るものに変える。表示８７は公知の方法で作動する。 たとえば、その位数は、第１図に関して記載したように
相変化効果によって作動させることができる。表示８２
７に用いる液晶材料は、作動方法に適合するように選定
される。しかしながら、適宜にネマチック、コレステリ
ツクまたはスメクチツク中間相である材料は、上記した
ような少なくとも１種の式３の化合物またはその置換誘
導体を含む。 カウントダウンユニット８３および論理ユニット８５は
、それぞれソリツド・ステート・サイエンティフィック
社（Ｓｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｉ
ｎｃ。 ）で製造されたＣＭＯＳＳＣＬ５４２３（または５４２
５）およびＣＭＯＳＳＣＬ５４２４（または５４２８）
デイジツトノデコーダ トライバでよい。
４次に本発明のいくつかの実施の態様を列挙する。‘１
｝ 液晶材料は液晶相を示すような分子構造を有する化
合物から成るかまたは該化合物を含み、該化合物の分子
構造は、式〔式中、パラ置換基Ｘはァルコキシ基、ァル
キル基、ァシルオキシ基またはァルケニル基であり、な
らびにパラ置換基Ｙはシアノ基、シアノ基でパラ位置を
置換されたベンゼン環、または置換基Ｘから離れた末端
環がシァ／基でパラ位置を置換された複数の直接パラ結
合ベンゼン環である。 〕もしくはその単一オルト置換誘導体、または該構造の
少なくとも２個のオルト位置が単一結合基で結合された
誘導体であることを特徴とする液晶材料の液晶装置への
用途。 ｛２） パラ置換基Ｙがシァノ基である第１項に記載の
材料の液晶装置への用途。 糊 パラ置換基Ｙが、シアノ基でパラ位置を置換された
ベンゼン環である第‘１｝項に記載の材料の液晶装置へ
の用途。 【４｝ パラ置換基Ｙが複数の直接パラ結合ベンゼン環
であり、パラ置換基Ｘから離れたその末端環がシアノ基
でパラ位置に置換されている第ｍ項に記載の材料の液晶
装置への用途。 ‘５｝ パラ置換基Ｘがアルキル基である第｛１）項か
ら第‘４｝項のいずれかに記載の材料の液晶装置への用
途。 （６’バラ置換基Ｘが炭素数１以上のァルコキシ基であ
る第ｍ項から第（４ー項のいずれかに記載の材料の液晶
装置への用途。 ‘７｝ パラ置換基Ｘがァシルオキシ基である第（１｝
項から第（４｝項のいずれかに記載の材料の液晶装置へ
の用途。 ‘８｝ パラ置換基Ｘがアルケニル基である第‘１｝項
から第‘４）項のいずれかに記載の材料の液晶装置への
用途。 ‘９｝ 前記化合物の分子構造は、該化合物が、単一オ
ルト置換基で置換された少なくとも１個の直接パラ結合
ベンゼン環の少なくとも１個の位置を有するようになる
前記各項のいずれかに記載の材料の液晶装置への用途。 皿 前記オルト置換基または該オルト置換基の１個がメ
チル基である第９項に記載の材料の液晶１−装置への用
途。 ＯＵ 前記オルト置換基または該オルト置換基の１個が
ハロゲン原子である策（９）項に記載の材料の液晶装置
の用途。 ０２ 前記化合物は〜単一結合基で結合した少なくとも
１個の直接パラ結合ベンゼン環の少なくとも２個の位置
を有する第｛１）項に記載の材料の液晶装置への用途。 ０３ 前記化合物が式の分子構造を有する第（１２）項
に記載の材料のＪ液晶装置への用途。 ｑ心 前記化合物が式 の分子構造を有する第（１２）項に記載の材料の液晶装
置への用途。 ０９ 前記化合物が式 の分子構造を有する策（１２）項に記載の材料の液晶装
置への用途。 Ｑ母 パラ置換基Ｘは、液晶材料がネマチック中間相ま
たはスメクチック中間相を示す直鎖状の炭素原子鎖を有
する前記各項のいずれかに記載の３材料の液晶装置への
用途。 ０７）パラ置換基×が分岐状の炭素原子鎖を有する第１
項から弟（１５）項に記載の材料の液晶装置への用途。 ■ 炭素原子の分岐鎖はパラ置換基×が不整光学４活性
中心を有するので、前記材料がコレステリック中間相を
示す第（１７）項に記載の材料の液晶装置への用途。■
パラ置換基Ｘが多くとも３Ｍ固の炭素原子を有する前
記各項のいずれかに記載の材料の液晶装置への用途。 ■ 前記化合物は、式〔式中、Ｒ，は少なくとも３個で
多くとも２４個の炭素原子を有するｎ−ァルキル基であ
る。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。ＧＵ Ｒ，が少なくとも３個で多くとも１０個の炭
素原子を有する第（２０）項に記載の材料の液晶装置へ
の用途。 ■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ２は少なくとも３個で多くとも３川固の炭素
原子を有する分岐アルキル基である。 〕を有する策（１７）項または第（１８）項に記載の材
料の液晶装置への用途。■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ３０は少なくとも３個で多くとも３０個の炭
素嫁子を有するｎ−アルコキシ基である。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。２４ Ｒ３０が少なくとも３個で多くとも１の固の
炭素原子を有するｎ−アルコキシ基である第（２３）項
に記載の材料の液晶装置への用途。 ２９ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ４０は少なくとも３個で多くとも２４個の炭
素原子を有する分岐ァルコキシ基である。 〕を有する第（１７）項または第（１８）項に記載の材
料の液晶装置への用途。■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ５は少なくとも２個で多くとも２４個の炭素
原子を有するｎ−アルキル基である。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。伽 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ６は少なくとも３個で多くとも２４個のＺ炭
素原子を有する分岐アルキル基である。 〕を有する第（１７）項または第（１８）項に記載の材
料の液晶装置への用途。■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ７０は少なくとも２個で多くとも２４個の炭
素原子を有するｎ−アルコキシ基であ２る。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。隣 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ８０は少なくとも３個で多くとも２４個の炭
素原子を有する分岐アルコキシ基である。 〕を有する弟（１７）項または策（１８）項に３記載の
材料の液晶装置への用途。６■ 前記材料が前記化合物
である前記各項のいずれかに記載の材料の液晶装置への
用途。 ＧＯ 前記材料は多成分溶液または多成分混合物であり
、それらの少なくとも１種の成分が前記化４合物である
第‘１｝項から第（２９）項のいずれかに記載の材料の
液晶装置への用途。 ６２ 前記化合物の分子構造が、高くとも３０００の温
度で固体結晶から液晶への転移温度を示す前記各項のい
ずれかに記載の材料の液晶装置への用途。 ８３ 混合物は、この明細書で定義した混合物１〜１５
の１種である第（３１）項に記載の材料の液晶装置への
用途。 燈心 液晶材料層を含有する手段と、該含有手段に含ま
れた液晶材料層と、液晶材料の分子配列を変えるため該
液晶材料に外部刺激を適用する手段とを包含し、さらに
該液晶材料は液晶相を示すような分子構造を有する化合
物から成るかまたは該化合物を含み、該化合物の分子構
造は、式〔式中、パラ置換基×はァルコキシ基、ァルキ
ル基、アシルオキシ基またはアルケニル基であり、なら
びにパラ置換基Ｙはシアノ基、シァノ基でパラ位置を置
換されたベンゼン環、又は置換基Ｘから離れた末端環が
シアノ基でパラ位置を置換された複数の直接パラ結合ベ
ンゼン環である。 〕もしくはその単一オルト置換誘導体、または該構造の
少なくとも２個のオルト位置が単一結合基で結合された
誘導体であることを特徴とする液晶装置。ＧＱ 液晶材
料層を含有する手段と、該含有手段に含まれた液晶材料
層と、液晶材料の分子配列を変えるため該液晶材料に外
部刺激を適用する手段とを包含し、さらに該液晶材料は
前記各項のいずれかに記載の材料であることを特徴とす
る液晶装置。 Ｇ曲 液晶材料層を含有する手段と、該含有手段に含ま
れた液晶材料層と、液晶材料の分子配列を変えるため該
液晶材料に温度変化を適用する手段とを包含し、さらに
該液晶材料は第川項から第（３３）項のいずれかに記載
の材料であることを特徴とする第（３５）項に記載の装
置。 Ｇの 液晶材料を含有する手段と、該含有手段に含まれ
た液晶材料層と、電気光学効果によって液晶材料の分子
配列を変化させるため該液晶材料と交差して電界を適用
する手段とを包含し、さらに該液晶材料は第川項から第
（３３）項のいずれかに記載の材料であることを特徴と
する策（３５）項に記載の装置。 Ｂ観 含有手段は２枚の隣接したプレートを包含し、該
プレートの少なくとも１枚は光学的に透明であり、液晶
材料は該プレート間の空間に含まれ」ならびに電界を適
用する手段はプレ−トの内表面に設けた電極を形成する
導電材料のフィルムを包含する第（３６）項に記載の装
置。 （３則 プレートはガラスで作られ、かつ導電フィルム
は酸化スズで作られる策（３８）項に記載の装置。
Ｊ■ 液晶装置が電
気光学表示である第（３８）項または第（３９）項に記
載の装置。側 各電極が１種もしくは２種以上の字体ま
たは記号に対応する形状を有する第（４０）項に記載の
装置。 Ｊ■ 表示がいずれ
かの器械のィンジケータ表示である第（４０）項または
第（４１）項に記載の装層。凶３ ィンジケータ表示が
時計または時計数装置の表示である第（４２）項に記載
の装置。
０．０８モルの溶液を加える。水酸化カリウム０．０９
モルをこの温溶液に加え、固形物の殆んどが溶解するま
で約１００００で加熱した後に、反応混合物を約１時間
還流下に加熱する。温度を蒸留によって約１８０ｏＣに
上げ、そして約１８０℃で４時間維持する。冷却しなが
ら反応混合物をベンゼンと共に振溢し、抽出物を乾燥す
る。溶剤を除去し、そして残造を一定の融点になるまで
無水エタノールで結晶させる。段階Ｃ，：４−ｎ−アル
キルー４−シアノピフェニ＊＊ ルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジェチルホルムアミド７５の‘中の、段階Ａ、Ｂに
よって製造した４−ｎーアルキル−４−フロムビフェニ
ル０．０２１モルとシアン化第一銅０．０３１モルとの
混合物を約１独時間、還流下に加熱する。冷却しながら
、反応混合物を塩化第二鉄と濃塩酸と水との濃伴混合物
に注ぐ。約６０〜７０００で２０分間加熱後、混合物を
クロロホルムと振糧し、抽出物を州塩酸、水、１０％水
酸化ナトリウム水溶液および水で洗浄してから乾燥する
。溶剤を除去し、残澄をケイ酸の力ラムクロマトグラフ
ィで精製してから、一定の融点になるまで−７８ｑＣで
軽油（沸点４０〜６０午○）で結晶させる。最後に精製
物を約１４０〜１５０ｑ○で真空（０．５柳Ｈｇ）下で
蒸留する。実施例 ２次の工程による４′−アルコキシ
−４−シアノビフェニル類の製造〔式中、Ｒはアルキル
基、たとえばｎ−アルキル基である。 〕段階ん：４−フロム−４−ニトロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 市販の４−ニトロビフェニルを、ル・フェブレ（ＬｅＦ
ｅｖｅｒ）およびターナー（Ｔｕｒｎｅｒ）の方法〔Ｊ
．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．第２０４５頁、１９２６年に記載
〕によってブロム化して、４−フロム−４′−ニトロビ
フェニルを得る。段階＆：４−フロム−４−アミノビフ
ェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ａ２で製造したニトロ化合物８１夕の還元を、針状
鉄粉５８夕、９０％エタノール５００叫および濃塩酸２
９の‘の混合物によって約１２時間、１００００で灘拝
して行う。炭酸ナトリウム２２９を加え、櫨梓を３０分
間継続し、その後、少し過剰の希アンモニア水溶液を加
える。冷却しながら生成したアミンをエーテルで抽出す
る。アミンのエーテル／アルコール抽出物を蒸発させて
エーテルを除去し、そして残澄を水に注ぐ。アミンを沈
殿させ、炉取し、そして乾燥する。段階Ｃ２：４−フロ
ムー４′一ヒドロキシヒーフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｂで製造した４′ーアミノ−４ーフロムビフェニル
６０夕を９０００で９５％酢酸水溶液３６０の‘に溶解
させ、激しく雛拝したこの溶液に９０００に子熱した４
０Ｗ／Ｗ％硫酸３６０の‘を速やかに加える。櫨拝しな
がら０℃まで速やかに冷却して明確に分かれた硫酸アミ
ンを得、該硫酸アミンを０℃（±１℃）で水１００の【
中の亜硝酸ナトリウム水溶液４１．６夕を徐々に加えて
ジアゾ化する。次に過剰の亜硝酸ナトリウムを尿素で分
解する。次に９５％酢酸４００の‘をジアゾニウム塩の
溶液を得るために加える。硫酸ジアゾニウムの氷冷溶液
を、烈しく燈拝し、かつ沸騰している４０Ｗ／Ｗ％硫酸
溶液２００の‘に直接加える。まず、懸濁粒子が混合物
中に見えるまで溶液を徐々に加える。その後、添加割合
を増加する。添加の所要時間は約３０分間である。次に
この溶液を約１５分間還流下に加熱し、そして冷却する
。等量の水で希釈して固形物を得、この固形物を熱ＩＮ
水酸化ナトリウム水溶液３０００叫で温浸する。炉過に
よって不溶解物を除去した後、炉過を酸性化して無色の
４ーフロムー４′一ヒドロキシビフェニルを得る。段階
Ｄ２：４′ーｎーアルコキシー４ーブロムピフェニル類
の製造。 この段階の方法を行う一例は次のようになる。 シアノヘキサン７０机【中の、段階Ｃ２で製造した４ー
ブロムー４′ーヒドロキシビフエニル０．３３モルおよ
び無水炭酸カリウム０．１３２モルの混合物に、適当な
ｎ−アルキルプロミド０．０５３モルを加え、そして雛
梓混合物を約４時間、還流下に加熱す＊る。冷却しなが
ら反応混合物を炉遇し、かつ溶剤を炉過物から除去する
。残澄を一定の融点になるまでベンゼンおよび軽油（沸
点４０〜６０ｑ０）の混合物で結晶させる。段階Ｅ２：
４′一ｎ−アルコキシー４ーシアノビフェニル類の製造
。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジメチルホルムアミド１００必中の、段階Ｄ２で製
造した４′ーｎ−アルコキシ−４−フロムビフェニル０
．０２４モルおよびシアン化第一銅０．０３６モルの混
合物を約１幼時間、還流下に加熱する。冷却しながら反
応混合物を、塩化第二鉄と濃塩酸と水との混合物に注ぐ
。６０〜７０００で約２０分間加熱した後、混合物をク
ロロホルムと共に振浸し、抽出物を則塩酸、水、２０％
水酸化ナトリウムおよび水で洗浄してから乾燥する。 溶剤を除去し、残澄をケイ酸のカラムクロマトグラフィ
で精製してかり、一定の融点になるまで、一７８ｑｏで
軽油（沸点４０〜６０午０）で結晶させる。最後に、精
製物を約１４０午０で真空（０．５側Ｈｇ）下で蒸留す
る。実施例 ３次の工程による４′ーアルキル−４−ニ
トロビフェニル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たと
えばｎ−アルキル基である。 〕段階ん：４−ァシルビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 市販のビフェニルをフリーデルークラフトのアシル化に
よって、適当な４−アシルビフェニルに変える。段階＆
：４−アシルー４ーニトロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階んで製造した４ーアシルビフェニルをニトロ化して
ニトロ異性体の混合物を得、該異性体から適当な４′−
アシル−４−ニトロビフェニルを通常の方法で分離し、
４′ーァシル−４ーニトロビフヱニルを結晶させかつカ
ラムクロマトグラフイを用いて精製する。段階Ｃ３：４
′一ｎーアルキルー４ーニトロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階＆の生成物をハングーミンロン方法で還元して所要
の４′一ｎーアルキル−４ーニトロビフェニルを製造す
る。実施例 ４ 次の工程による４′ーアルコキシ−４−ニトロビフヱニ
ル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎ−アル
キル基である。 〕通常の方法を用いて４−ヒドロキシ−４ーニトロビフ
ェニルを製造する。 次に、これをアルキル化して適当な４′一ｎ−アルコキ
シー４ーニトロビ＊フェニルを製造し、これを結晶化と
力ラムクロマトグラフィによって精製する。実施例 ５ 次の工程による７ーアルキル−２−シアノフルオレン類
の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎ−アルキル
基である。 〕出発物質は通常の方法で製造される２ーフロムフルオ
レンである。 段階ん、＆およびＣ５はそれぞれ前記実施例１で述べた
段階Ａ，、ＢおよびＣ，※※と同じ方法で行う。実施例
６ 次の工程による７−アルコキシ−２−シアノフルオレソ
類の製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎーアルキ
ル基である。 〕段階ん：２−フロムフルオレンのニトロ化。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。２−ブロ
ムフルオレンを６０℃で氷酢酸に溶解し、これに発煙硝
酸と濃硝酸との混合物を加えることによって、２ーブロ
ムフルオレンを７−ニトロ−２ーブロムフルオレンに変
える。 温度を９０ｏｏに１時間上げて反応を完了する。生成物
を炉別し、結晶化によって精製する。段階Ｂ６：７ーア
ミノ−２ーフロムフルオレンの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。段階んで
製造した７ーニトロ−２ープロムフルオレンを熱氷酢酸
に溶かし、濃塩酸に溶解した塩化第一スズを加えること
によって、７−ニトロ−２−ブロムフルオレンの還元を
行う。還流下で加熱してから、このように生成したアミ
ン塩酸塩を炉別し、溢水酸化ナトリウム水溶液で溢浸す
る。生成物を結晶化によって精製する。段階Ｃ６：７ー
ヒドロキシー２ーブロムフルオレンの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 前記段階Ｃ２の実施例で述べた方法と同様にして、段階
Ｂ６で製造した７−アミノ−２ーブロム＊フルオレンを
７−ヒドロキシ−２ーフロムフルオレンに変える。段階
Ｄ６：７一ｎーアルコキシ−２ーフロムフルオレンの製
造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｃ６で製造した７−ヒドロキシー２−フロムフルオ
レンを、前記段階○２の実施例で述べたのと同じ方法で
アルキル化し、７−ｎーアルコキシー２ープロムフルオ
レンを得る。段階Ｅ６：７一ｎ−アルコキシー２ーシア
ノフルオレンの製造。 この段階を行う方法の一例は次にようになる。 段階Ｄ６で製造した７一ｎーアルコキシー２ープロムフ
ルオレンを、前記実施例の段階Ｅ２の実施例と同様にし
て、シアン化第一銅と共にジメチルホルムアミド中で加
熱して、７−ｎーアルコキシ−２ーシアノフルオレンに
変える。実施例 ７次の工程によるメチル置換４′−ア
ルコキシー４ーシアノビフェニルの製造〔式中、Ｒはア
ルキル基、たとえばｎ−アルキル基である。 〕段階Ａ７：メチル置換４′−ｎーァルコキシー４ーニ
トロビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 適当な４−ｎ−アルコキシ−２−メチルアニリンをゴン
バーグ反応によってメチル置換４′−ｎ−アルコキシー
４ーニトロビフェニルに変える。段階Ｂ：メチル置換４
′−ｎーアルコキシ−４−アミノビフェニルの製造。こ
の段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ａ７で製造したメチル置換４−ｎ−ァルコキシー４
ーニトロビフェニルを、前記段階Ｂ２の実施例と同様に
して針状鉄粉（ｉｒｏｎ ｐｉｎｄｕｓｔ）還元で還元
して、メチル置換４′一ｎ−ァルコキシ−４−アミノビ
フェニルを製造する。段階Ｃ７：メチル置換４′一ｎー
ァルコキシー４ーフロムビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｂで製造したメチル置換４−ｎｌ−アルコキシー４
ーアミノビフェニルを、前記段階Ｃ２の実施例と同様に
してジアゾ化して、メチル置換４′−ｎ−アルコキシ−
４ーフロムピフェニルに変える。つぎに臭化第一銅を加
える。段階Ｄ７：メチル置換４′−ｎ−アルコキシー４
ーシァノビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 段階Ｃ７で製造したメチル置換４′一ｎ−アルコキシ−
４ーフロムビフェニルを、前記段階Ｅ２の実＊施例と同
じ方法でジメチルホルムアミド中、シアン化第一銅と共
に加熱して等量のシァノ化合物に変える。実施例 ８ 次の工程によるメチル置換４−ァルキルー４−シアノビ
フェニルの製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎー
アルキル基である。 〕出発物質は周知方法で製造される４ーアルキル−２−
メチルァニリンである。 段階Ａ８、Ｂ８、Ｃ８およびＤ６はそれぞれ段階Ａ７、
Ｂ？、Ｃ７およびＤ７と同様にして行う。実施例 ９ 次の工程による４′ーアルケニルー４−シアノビフェニ
ルの製造〔式中、Ｒはアルキル基、たとえばｎ−アルキ
ル基である。 〕段階ふ：４′ーアシル−４−フロムビフェニルの製造
。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。前記Ａ，
の実施例と同じ方法で４−フロムビフェニルをアシル化
して適当な出発物質ケトンを製造する。このケトンを乾
燥エーテル中、水素化ァルミニウムリチウムで還元して
適当なアルコールを得、このアルコールを結晶化によっ
て精製する。段階耳：段階Ａ９で製造したアルコールの
脱水。 この段階の一例は次のようになる。４−アルケニル−４
−フロムビフェニルを、段階Ａ９で製造したアルコール
を氷酢酸中１０分間加熱して脱水することによって製造
する。 ２一 Ｌ 段階Ｃ９：４′ーアルケニル−４−シアノビフェニルの
製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 ４′−アルケニル−４ーシアノビフェニルを、前記段階
Ｃ，と同じ方法でジメチルホルムアミド中、シアン化第
一鋼を用いて、段階Ｂ９で製造し＊たブロム化合物から
製造する。 生成物を力ラムクロマトグラフィと蒸留とによって精製
する。実施例 １０次の工程による４′ーアルコキシー
４ーアシルオキシビフェニルの製造〔式中、ＲおよびＲ
Ｉはアルキル基、たとえばｎ−アルキル基である。 〕段階Ａ，ｏ：４′ーｎ−アルコキシー４ーニトロビフ
ェニルを通常の方法によって４′−ヒドロキシー４ーニ
トロピフェニルから製造する。 これは前記段階Ｄ２と同じ方法で行ってもよい。段階Ｂ
，ｏ：４′ーアルコキシ−４−アミノビフェニルを、段
階Ａ，。 で製造した相当するニトロ化合物を前記段階Ｂ２の具体
例と同様の針状鉄粉プロセスを用いて還元することによ
って製造する。段階Ｃ．ｏ：４′ーｎーアルコキシ−４
−ヒドロキシ※ビフェニルを、段階Ｂ，。 で製造した相当するァミノ化合物を前記段階Ｃ２の実施
例と同様にしてジアゾ化し、加水分解することによって
製造する。段階Ｄ，ｏ：４一ｎーアルコキシ−４−アシ
ルオキシビフェニルを、段階Ｃ，。 で製造した相当するヒドロキシル化合物を通常のアシル
化によって製造する。実施例 １１ 次の工程による非対称４・４−ジァシルオキシピフェニ
ル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基またはアリール基、
Ｒ′はＲと異なるアルキル基またはアリール基である。 〕段階Ａ，．：適当なハーフヱステルの製造。 市販の４・４ージヒドロキシビフェニル２モルと適当な
アシルクロリド（ＲＣＯＣＩ）１モルとを乾燥ピリジン
中で互いに反応させ、ハーフェステルをジェステルと未
反応の４・４′ージヒドロキシジフエニルとからカラム
クロマトグラフイによって分離し、最後に結晶させる。
段階Ｂ，：非対称ジェステルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 ハーフェステル１モルを乾燥ビリジン中ァシルクロリド
（ＲＩＣＯＣＩ）１．１モルと互いに反応させて非対称
ジェステル製造する。このジェステルを力ラムクロマト
グラフィと結晶化によって精製する。実施例 １２ ４′−アルキルー４−シアノーｐーテルフエニル類の製
造用いる工程は実施例１で用いた工程と同様であるが、
この実施例では、実施例１で用いた相当するビフェニル
の代物こ、適当なテルフェニルを各段階で用いる。 出発物質４ーフロム−ｐ−テルフェニルは、市販のｐー
テルフェニルを周知方法でブロム化して製造する。 実施例 １３ ４″−アルコキシー４ーシアノーｐーテルフエニル類の
製造用いる工程は実施例２で用いた工程と同様であるが
、この実施例では、実施例２で用いた相当するビフェニ
ルの代りに、適当なテルフェニルを各段階で用いる。 出発物質４″−ニトロ−ｐーテルフヱニルは市販のＰー
テルフェニルを周知方法でニトロ化して製造する。 実施例 １４ ４′′−アルキル−４ーニトロリｐ−テルフエニル類の
製造用いる工程は実施例３で用いた工程と同様であるが
、この実施例では実施例３で用いた相当するビフェニル
の代りに適当なテルフェニルを各段階で用いる。 出発物質ｐ−テルフェニルは市販品である。 実施例 １５４′′−アルコキシ−４ーニトロ−ｐ山テ
ルフエニル類の製造用いる工程は実施例４で用いた工程
、すなわち適当なヒドロキシル化合物のアルキル化工程
と同様である。 出発物質４″ーヒドロキシ−４−ニトロ−ｐ−７ルフェ
ニルは周知方法で製造する。 実施例 １６ ジオルト置換４′ーアルコキシー４−シアノビフェニル
類の製造用いる工程は実施例７で用いた工程と同様であ
るが、この場合、工程Ａ７で用いたニトロベンゼンの代
りに反応物質として適当な置換ニトロベンゼン、たとえ
ば、１ーメチル−２−ニトロベンゼンを用いる。 実施例 １７ ２以上のオルト置換基を有する４′−ァルコキシー４ー
シアノビフェニル類の製造用いる工程は実施例７で用い
た工程と同様であるが、この場合、工程Ａ７で用いた相
当する４−ｎーアルコキシ−２−メチルアニリンとニト
ロベンゼンとの代りに適当な置換化合物類を出発反応物
質として用いる。 実施例 １８ オルト置換基を少なくとも２つ有する４−ァルキルー４
−シアノビフェニル類の製造用いる工程は実施例８で用
いた工程と同様であるが、この場合、工程Ａ８で用いた
４−アルキル−２−メチルアニリンとニトロベンゼンの
いずれか、または両方が適当な置換基を持っている。 実施例 １９オルト置換基を少なくとも１つ有する４−
アルキル−４−シアノ−ｐ−テルフェニル類の製造用い
る工程は実施例８および実施例１８で用いたものと同様
であるが、この場合、出発物質は周知方法で製造した４
′ーアルキル−４−アミノビフェニルとニトロベンゼン
であり、これらのうち少なくとも１つは適当に置換され
ている。 実施例 ２０ オルト置換基を少なくとも１つ有する４″−ァルコキシ
ー４ーシアノーｐーテルフェニル類の製造用いる工程は
実施例７、１６および１７で用いたものと同様であるが
、この場合、出発物質は周知方法で製造した４′ーアル
コキシ−４ーアミノビフェニルとニトロベンゼンであり
、これらのうち少な〈とも１つは適当に置換されている
。 実施例 ２１ 式 〔式中、Ｒはアルキル基、ＣＮ‘まシアノ基、Ｚは直接
にパラ結合した複数のベンゼン環である。 〕を有する化合物類の製造 用いる工程は実施例１で用いたものと同様であるが、こ
の実施例では、実施例１で用いた相当するビフェニルの
代りに、適当なマルチフヱニルを各段階で用いる。 実施例 ２２ 次式 〔式中、ＲＯはアルコキシ基、ＣＮはシアノ基であり、
Ｚは直接にパラ結合した複数のベンゼン環を示す。 〕を有する化合物類の製造 用いる工程は実施例２で用いたものと同機であるが、こ
の実施例では、実施例２で用いた相当するビフェニルの
代りに適当なマルチフェニルを各段階で用いる。 実施例 ２３ 次の工程による光学活性４′−アルコキシ−４−シアノ
ビフェニル類の製造〔式中、Ｒはアルキル基である。 〕段階Ａ教、Ｂ２３およびＣ２３、特に化合物（一）４
一（２″ーメチルブチルオキシ）一４−シアノビフェニ
ルの場合の一例は次のようになる。 段階Ａ蟹：（一）２−メチル−ブチルートルェン一Ｐ−
スルホネートの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ピリジン７５のと中トルェンーｐ−スルホニルクロ
リド０．０９４モルの溶液に−５℃で（一）２−メチル
ブタン−１−オール０．０８５モルを一度に加える。こ
の溶液を０℃以下に保ち、２時間渡梓する。温度を５℃
以下に保ちながら水１５机を５分間隅で１の‘、１の‘
、２のと、５の【および５泌ずつ加える。溶液を水７５
の‘で希釈する。このようにして生成したオイルをクロ
ロホルム中に抽出し、抽出物を水、が硫酸、水、１５％
重炭酸ナトリウム水溶液および水で順次洗い、最後に無
水硫酸ナトリウム上で乾燥する。クロロホルムを減圧蒸
留して除去し、残留オイルを蒸留し、圧力０．５肌Ｈｇ
における沸点１４９こ○の分画を集める。段階Ｂ２３：
４′−ヒドロキシー４ーシアノビフェニルの製造。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 乾燥ジメチルホルムアミド７５の上中の、実施例２の段
階ん、馬およびＣ２で製造した４′−ヒドロキシ−４ー
ブロムビフエニル０．０２１モルとシアノ化第一銅０．
０３１モルとの混合物を還流下で６時間加熱する。冷却
しながら、反応混合物を、塩化第二鉄、濃塩酸および水
の蝿拝混合物に注ぐ。６０〜７０℃で２０分間加熱後、
混合物をクロロホルムと共に振浸し、抽出物を州塩酸、
水、１０％重炭酸ナトリウム水溶液および水で洗い、次
に乾燥する。 溶剤を除去し、残澄を最小量の熱アセトンに溶かし、十
分な軽油（沸点４０〜６０ｑ０）を加えて徴濁物を製造
する。この溶液を冷却し、結晶を炉別する。この物質を
、格温１６０ｑＣ、０．３肌Ｈｇで昇華させてさらに精
製し、無色固体を得る。段階Ｃ幻：（一）４′一（２″
−メチルブチルオキシ）−４−シアノビフェニルの製造
。 この段階を行う方法の一例は次のようになる。 ４−ヒドロキシ−４ーシアノピフエニル０．０１モ Ｚ
ルに乾燥ェタノ−ル２５地中のナトリウム０．０１多原
子の溶液を加え、完全な溶液を得るまでこの混合物を澄
拝する。 エタノールを減圧下で蒸留して除去する。生成したヒド
ロキシル化合物のナトリウム塩に乾燥ジメチルホルムア
ミド５５Ｍ中の段階Ｚん３で製造したトシレート０．０
１１モルを加え、混合物を１１０〜１３０ｏＣで７時間
加熱損拝する。一夜放置後、反応混合物を水１００机‘
に注入し、有機物質をヱ−テル中に抽出する。エーテル
抽出物を、水、１５％炭酸ナトリウム水溶液および水の
順で洗い、２無水炭酸ナトリウム上で乾燥する。エーテ
ルを蒸留で除去し、固形残澄を「溶媒としてクロロホル
ムを用いて、ケイ酸の力ラムクロマトグラフィで精製す
る。カラムからの溶出物をエタノールで結晶させ、２最
後に蒸留して浴温１３０〜１３５ｑ０、圧力０．３側Ｈ
ｇの分画を集める。 実施例を具体化する他の化合物類、 〔ただし、式中、オルト置換基はハロゲン原子である。 〕のオルト置換誘導体を実施例７と類似の方法で製造し
てもよい。本発明を具体化する他の化合物類、 〔式中、２つのオルト位置は＞Ｃ＝○またはのいずれか
の結合基で結合していの誘導体を実施例６と類似の方法
で製造してもよい。 直接にパラ結合している２個以上のベンゼン環を有し、
パラ置換基×から遠い末端ベンゼン環のパラ位置がアル
コキシ基で置換されているところの、本発明を具体化す
る化合物を実施例１１と類似の方法で製造してもよい。 一般に、本発明の具体例に関する例として、この明細書
で述べた化合物は、パラ置換基Ｘの炭素原子の数が３０
またはそれ以下の場合に最も有用である。化合物類がそ
れ自体液晶相を示さないならば、それらは、混合物を構
成する目的材料が液晶相を示すように他の材料と混合す
ると液晶相を示すであろう。式 およびＲ 〔式中、Ｒはｎーアルキル基である。 〕は、Ｒが炭素数３〜１０の範囲にあり、それ自体液晶
相を有するところの特に有用な化合物である。 一般に、この明細書で述べたこれら化合物は、パラ置換
基Ｘ中にノルマル（直鎖）または分岐状の炭素原子鎖を
有している。一般に、パラ置換基×が分岐炭素原子を有
する化合物類は、パラ置換基Ｘが直鎖を有するようなパ
ラ置換基Ｘの炭素原子数とほぼ同じ範囲において特に有
用である。しかしながら、ある特定の場合について次の
表に示し、この表には、特定のパラ置換基Ｙを有する化
合物Ｐおよび特に有用な各々の該化合物ｐにおけ｝るパ
ラ置換基×に相当する炭素原子数Ｎの例を記入している
。Ｒは各々の場合にアルキ′均基を示す。次の表は本発
明を具体化する他の混合物を例示しており、これら他の
混合物はすべてェンテクチック（ｅｎにｃｔｉｃ）混合
物である。これらの表にあるＭは各混合物中の各組成物
のモル％を示し、Ｋ−Ｓ、Ｓ−Ｎ、Ｎ−１およびＫ−Ｎ
はそれぞれ適当な各混合物に次の相転数が生じる温度で
ある。固体結晶からスメクチック液晶へ、スメクチツク
液晶からネマチック液晶へ、ネマチック液晶から等方性
液へ、および固体結晶からネマチック液晶への相転移で
ある。各混合物中の各組成物の組成もまたこれらの表に
示す。これら組成は上記したように、すべてである。 したがって各組成を略して記載し、基Ｘ，の下に基Ｘ，
の分子式を示す。Ｘ， Ｍ Ｋ−Ｎ Ｎ−１ 混合物６ ０５日，． ５５ ０５日，．○ １５ 一２ ５４ ０７日，５０ １３ ＸＩ Ｍ Ｋ・Ｎ Ｎ血・ 混合物７ ０７日１５ ４４ ０５日，，○ １９ ４ ６１ ０７日，５０ １６ ０８日，．０ ２１ Ｘ， Ｍ Ｋ−Ｎ ＮＭＩ 混合物８ ０７ＨＩ１ ３６ ０３，日７０ １８ 。 ５Ｈ１１。 １５ 〇 ６１ ○７日，．５０ １２ ３
０８日，７０ １９ＸＩ Ｍ Ｋ−−Ｎ Ｎ−１ 混合物９ ０５日，１ ４９ ０３日７０ １５ ０５日，．０ １２ ‐−‐４ ５‘１ ３０
７日１５０ １０。 ８日１７０ １４ Ｘ． Ｍ Ｋ−Ｎ Ｎ−１ 混合物１０ ０５１１１１ ３２
４０６Ｈ１３ ２８ 山１８ ３５（）７日．５
１５ ０８Ｈ．？ ２５ ＸＩ Ｍ ｔく−Ｎ Ｎ旧・ 混合物１１ ０６日１３ ４９ ０３日７０ １ ．５ ０５日，．（１ 【２ 一５ ４９０７日１５（
） １０ ０８日，７０ １４ ＸＩ Ｍ Ｋ■−Ｎ Ｎ叫〕， 混合物１２ ０５ＨＩ１ ４８ ○７日，三 ２９ ４５ ０５Ｈｕ○ １２ 一０ ０７Ｈｉｓ０ １１ Ｘ， Ｍ Ｋ−Ｎ Ｎｍｌ 混合物１３ ０５１１１１ ５３ ０７日，５ ３５ ‐‐１ ６ ３ ０５日，．・◇季【２ Ｘ】 Ｍ Ｋ一ＳＳ−ＮＮ−１ 混合物１４ ０８日，？ 。 ９ＨＩ９ 。 ８日１７０室ｇ７５３４１５０ Ｘ． Ｍ ＜‐Ｎ Ｎ州１− 混合物ｉＳ ０７日，５ ８亭８三三８室亭｝８；５ 前記の各混合物において、記載した各構成化合物のモル
％は、該混合物がそれぞれの中間相を有する温度範囲を
顕著に変化させることないこ、記載した値から３％まで
変えなくてもよい。 式 〔式中、Ｒはｎ−アルキル基である。 〕のような、本発明を具体化するネマチック液晶材料は
、正誘導異方性（長分子軸に平行に測定した誘導率とこ
の軸に垂直に測定した誘導率との違い）を有するように
製造することができ、一方〔式中、ＲおよびＲ，はｎー
ァルキル基である。 〕のような、本発明を具体化する他の材料は、負誘導異
方性を有するように製造することができる。正誘導異方
性を有するネマチック液晶材料は、次の公知の効果を具
現する装置に用いることができる。山 シャハトーヘ
ルフリツヒ（Ｓｃｈａｄｔ−Ｈｅｌｆｒｊｃｈ）効果：
偏光器と分析器との間に配置したねじれたネマチツク液
晶（通常、透明な２枚の平行プレート間に配置されるの
で、分子の方向ベクトルは両プレートの平面内にあるが
、１平面から他平面まで角度９０ｏ以上に変わる。 ）は、電界が液晶と交差して適用されると光学活性と異
なる電界を示す。‘２’ フリーデリックス（Ｆｒｅｅ
ｄｅｒｉｃｋｓ）効果：液晶分子の方向ベクトルは、２
次方向に適用した電界の作用によって１次方向からその
１次方向に垂直な２次方向へ変えられる。 【３’相変化効果：液晶相は電界の作用によってコレス
テリックと電界誘導ネマチツクとの間で変化し、この効
果によって、ネマチツク材料を光学活性材料と混合して
、コレステリツク材料を製造する。 負誘導異方性を有するネマチツク液晶材料は、公知の動
的散乱効果を利用する装置に使用することができ、該効
果によって、ネマチック液晶の分子は、電流の作用によ
って不均一な（非配列）散乱状態に非配向される。 同様に、本発明を具体化するコレステリツク液晶材料は
、正議導異方性を有し、たとえば式〔式中、パラ置換基
Ｘはシアノ基である。 〕の化合物を含むものである。そして他の材料は、負議
導異方性を有し、たとえば式〔式中、パラ置換基Ｙはア
シルオキシ基である。 〕の化合物を含むものである。正誘導異方性を有するこ
の発明を具体化するコレステリック材料は、相変化効果
を利用してもよし・。 員議導異方性を有するこの発明を具体化するコレステリ
ック材料は、いわゆる「メモリー効果」を利用してもよ
い。本発明を具体化する装置の具体例を次に記載する。 本発明を具体化するネマチック液晶材料およびコレステ
リック液晶材料の用途の例として、本発明を具体化する
相変化効果装置も次に述べる。 相変化効果装置に用いるのに好適なコレステリック液晶
材料を製造する方法は、光学活性液晶材料を、ネマチツ
ク液晶材料またはネマチック液晶材料の混合物と混合す
ることを包含することが知られている。その方法を利用
する際に、上記した混合物４または混合物５（第３表参
照）を、相変化効果装置用の基本材料として用いてもよ
い。第１図は、本発明を具体化する電気光学の液晶相変
化効果装置の一部分回路を示す平断面図である。上記し
た混合物４または混合物５の薄層１７は、ガラススライ
ド１９，２９の間に含まれている。ガラススライド１９
は、その表面に層１７と接触して酸化スズ被膜２３を有
する。ガラススライド２９は、その表面に層１７と接触
して酸化スズ被膜２５を有する。ガラススライド１９は
、電気結線３１を酸化スズ被膜２３に設けるために、ガ
ラススライド２９の端部と重ならない領域を有する。同
様に、ガラススライド２９は、電気結線３３を酸化スズ
被膜２５に設けるために、ガラススライド１９の端部と
重ならない領域を有する。電池３７と直列のスイッチ３
５が閉じると、電池３７は結線３１，３３間に適用でき
る。電池３７は、それから層１７と交差して得られる電
界強さが相変化効果のための電界強さより大きいように
する。層１７と接触していないガラススライド１９の表
面は、銀被膜鏡３９を有する。層１７は、アラルダィト
（商標名）または他の適当なシ−ル材のりング４１によ
って、ガラススライド１９，２９間に密封されうる。暗
色スクリーンＳは、層１７が透明であると該スクリーン
Ｓの反射が図示のように眼Ｅにより鏡３９内に見えるよ
うな位置に、ガラススライド１９の前方で鋭角に配置さ
れている。 スイッチ３５が開くと、鏡３９内に見える像は輝く。 これは、層１７が不透明でありかつ眼Ｅに周囲の光が反
射するためである。しかしながら、スイッチ３６が閉じ
ると、鏡３９内に見える像は暗くなる。これは、層１７
が透明になりかつスクリーンＳの像が鏡３９内に見るた
めである。スイッチ３５が再び開かれると、像は層１７
が再び不透明になるために輝く。 タ
第１図に例示した装置に基づく表示装置は、被膜２３，
２５を局限の字体または記号の形状にするような公知の
方法で、被膜２３，２５を形成して作製してもよい。こ
のような表示のために、各字体または記号、すなわちス
イッチ３５に対応しＪて接続された各スイッチは、論理
制御（図示しない）によって電子的に作動させてもよい
。代替の装置では、適用される電界が、直流の代りに交
流（約５０Ｋ世までの振動数で）でもよい。
Ｚ第２図は、本発明
の新規な液晶材料を使用した公知の液晶情報記憶または
表示装置を示す概略ダイヤグラムである。この装置は、
この発明を具体化するスメクチック材料またはコレステ
リック材料のいずれかの用途を例示する。
２上記したような式の化合物を含むコレステリツク液
晶材料もしくは式の化合物を含むスメクチック液晶材料
、または上託したようなそれらの誘導体のいずれかの層
６３は、各内表面に導電性被膜６９，６８を有するガラ
ススライド６５，６７間に含まれている。 スペクトル赤外部の出力ビーム７３を生じるレーザ７１
は、ビーム７３が通常のレーザ偏向板７５によってスラ
イド６５および被膜６９を越えて走査できるように配置
されている。スライド６５はピーム７３に対して透明で
あるが、被膜６９はビーム７３を吸収する。他の出力を
生じる電圧源７７は、スイッチ７０を介して被膜６８お
よび６９に電気的に接続されている。この装置は次のよ
うに作動する。 情報は、ビーム７３によって被膜６９上に、さらに被膜
６９から熱伝導によって層６３上に記録される。層６３
に伝導される熱は、層６３の選択した局部区域の温度を
上げ、かつ該区域の相を変化させれば十分である。層６
３の材料が初めコレステリック中間相であるならば、該
相は等万性液相に変わる。その材料が初めスメクチック
中間相であるならば、該相はネマチック中間相（該材料
がネマチック中間相を有する場合）または等方性液相に
変わる。ビーム７３が被膜６９および６３の所定区域を
加熱し、そして他の区域に偏向された後、該所定区域は
速やかに再冷却され、該区域の材料はその初めの相に戻
る。しかしながら、それは濁ったすなわち散乱状態の初
めの相に戻る。したがって、ビーム７３によって走査さ
れない層６３の区域が、清澄なすなわち非散乱状態の初
めの相であるならば、走査された区域はそれらの光学散
乱性によって非走査区域から識別される。したがって、
ビーム７３が除去された後にまたはそれが適当なフィル
夕を通して作動している間に、層６３をスライド６７お
よび被膜６８を通して視覚観察するならば、記録された
情報を見ることができる。被膜６９，６８はこのために
光学的に透明である。記憶または表示した情報を消去す
るには、スイッチ７０を閉じて層６３を騒ぎる電界を印
加しながら、ビーム７３によって層６３を走査すること
で行なわれる。層６３の材料は、相を変えるために再加
熱され、そしてその初めの相に戻すために再冷却される
。しかしながら、この場合、電圧はその材料を清澄な形
態の固有相に戻す。あるいはまた、ビーム７３を適当な
低走査率にするならば、適用した電界を用いないで、ビ
ーム７３によって層６３を走査することで情報を消去で
きる。 第３図は時計または時計数装置の概略ダイヤグラムであ
り、該時計または時計数装置は、この発明を具体化する
液晶表示の用途を例示するものである。 水晶発振器８１は、発振振動数３２．１６雛Ｈｚを有す
る。その振動数での発振器からの出力信号は、振動数６
４ＨＺで出力信号を与えるカウントダウンユニット８３
内に分配される。出力信号は、さらに振動数を６４に分
配する論理ユニット８５に適用される。論理ユニット８
５は１秒ごとに単一パルスを発生する。それは秒パルス
をカウントし、そして６０の秒パルスをカウントするた
びに分パルスを与える。それはまた分パルスをカウント
し、そして６０の分パルスをカウントするたびに時間パ
ルスを与える。秒、分および時間パルスは、論理ユニッ
ト８５内のゲート（図示しない）を作動するために供給
される。このゲートは、作動信号を一連のコンダクタ８
６内の選択部材を経て液晶表示８７へ適用させる。秒、
分および時間パルスがユニット８５のゲートに達すると
、それはコンダクタ８６の選択部材を適宜変化させる。
表示８７は、３セクションのデジタル表示である。 第１セクション８８は適切な秒位数を表示し、第２セク
ション８９は適切な分位数を表示し、さらに第３セクシ
ョン９川ま適切な時位数を表示する。論理ユニット８５
のゲートは、作動信号を適用するための適宜のコンダク
タ８６を選択することによって、セクション８８，８９
，９０内で作動すべき適切な位数を選択する。それが秒
、分および時間パルスを受信すると、ゲート２は、コン
ダク夕８６の選択部材を経時順の次の適切な位数に要す
るものに変える。表示８７は公知の方法で作動する。 たとえば、その位数は、第１図に関して記載したように
相変化効果によって作動させることができる。表示８２
７に用いる液晶材料は、作動方法に適合するように選定
される。しかしながら、適宜にネマチック、コレステリ
ツクまたはスメクチツク中間相である材料は、上記した
ような少なくとも１種の式３の化合物またはその置換誘
導体を含む。 カウントダウンユニット８３および論理ユニット８５は
、それぞれソリツド・ステート・サイエンティフィック
社（Ｓｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｉ
ｎｃ。 ）で製造されたＣＭＯＳＳＣＬ５４２３（または５４２
５）およびＣＭＯＳＳＣＬ５４２４（または５４２８）
デイジツトノデコーダ トライバでよい。
４次に本発明のいくつかの実施の態様を列挙する。‘１
｝ 液晶材料は液晶相を示すような分子構造を有する化
合物から成るかまたは該化合物を含み、該化合物の分子
構造は、式〔式中、パラ置換基Ｘはァルコキシ基、ァル
キル基、ァシルオキシ基またはァルケニル基であり、な
らびにパラ置換基Ｙはシアノ基、シアノ基でパラ位置を
置換されたベンゼン環、または置換基Ｘから離れた末端
環がシァ／基でパラ位置を置換された複数の直接パラ結
合ベンゼン環である。 〕もしくはその単一オルト置換誘導体、または該構造の
少なくとも２個のオルト位置が単一結合基で結合された
誘導体であることを特徴とする液晶材料の液晶装置への
用途。 ｛２） パラ置換基Ｙがシァノ基である第１項に記載の
材料の液晶装置への用途。 糊 パラ置換基Ｙが、シアノ基でパラ位置を置換された
ベンゼン環である第‘１｝項に記載の材料の液晶装置へ
の用途。 【４｝ パラ置換基Ｙが複数の直接パラ結合ベンゼン環
であり、パラ置換基Ｘから離れたその末端環がシアノ基
でパラ位置に置換されている第ｍ項に記載の材料の液晶
装置への用途。 ‘５｝ パラ置換基Ｘがアルキル基である第｛１）項か
ら第‘４｝項のいずれかに記載の材料の液晶装置への用
途。 （６’バラ置換基Ｘが炭素数１以上のァルコキシ基であ
る第ｍ項から第（４ー項のいずれかに記載の材料の液晶
装置への用途。 ‘７｝ パラ置換基Ｘがァシルオキシ基である第（１｝
項から第（４｝項のいずれかに記載の材料の液晶装置へ
の用途。 ‘８｝ パラ置換基Ｘがアルケニル基である第‘１｝項
から第‘４）項のいずれかに記載の材料の液晶装置への
用途。 ‘９｝ 前記化合物の分子構造は、該化合物が、単一オ
ルト置換基で置換された少なくとも１個の直接パラ結合
ベンゼン環の少なくとも１個の位置を有するようになる
前記各項のいずれかに記載の材料の液晶装置への用途。 皿 前記オルト置換基または該オルト置換基の１個がメ
チル基である第９項に記載の材料の液晶１−装置への用
途。 ＯＵ 前記オルト置換基または該オルト置換基の１個が
ハロゲン原子である策（９）項に記載の材料の液晶装置
の用途。 ０２ 前記化合物は〜単一結合基で結合した少なくとも
１個の直接パラ結合ベンゼン環の少なくとも２個の位置
を有する第｛１）項に記載の材料の液晶装置への用途。 ０３ 前記化合物が式の分子構造を有する第（１２）項
に記載の材料のＪ液晶装置への用途。 ｑ心 前記化合物が式 の分子構造を有する第（１２）項に記載の材料の液晶装
置への用途。 ０９ 前記化合物が式 の分子構造を有する策（１２）項に記載の材料の液晶装
置への用途。 Ｑ母 パラ置換基Ｘは、液晶材料がネマチック中間相ま
たはスメクチック中間相を示す直鎖状の炭素原子鎖を有
する前記各項のいずれかに記載の３材料の液晶装置への
用途。 ０７）パラ置換基×が分岐状の炭素原子鎖を有する第１
項から弟（１５）項に記載の材料の液晶装置への用途。 ■ 炭素原子の分岐鎖はパラ置換基×が不整光学４活性
中心を有するので、前記材料がコレステリック中間相を
示す第（１７）項に記載の材料の液晶装置への用途。■
パラ置換基Ｘが多くとも３Ｍ固の炭素原子を有する前
記各項のいずれかに記載の材料の液晶装置への用途。 ■ 前記化合物は、式〔式中、Ｒ，は少なくとも３個で
多くとも２４個の炭素原子を有するｎ−ァルキル基であ
る。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。ＧＵ Ｒ，が少なくとも３個で多くとも１０個の炭
素原子を有する第（２０）項に記載の材料の液晶装置へ
の用途。 ■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ２は少なくとも３個で多くとも３川固の炭素
原子を有する分岐アルキル基である。 〕を有する策（１７）項または第（１８）項に記載の材
料の液晶装置への用途。■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ３０は少なくとも３個で多くとも３０個の炭
素嫁子を有するｎ−アルコキシ基である。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。２４ Ｒ３０が少なくとも３個で多くとも１の固の
炭素原子を有するｎ−アルコキシ基である第（２３）項
に記載の材料の液晶装置への用途。 ２９ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ４０は少なくとも３個で多くとも２４個の炭
素原子を有する分岐ァルコキシ基である。 〕を有する第（１７）項または第（１８）項に記載の材
料の液晶装置への用途。■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ５は少なくとも２個で多くとも２４個の炭素
原子を有するｎ−アルキル基である。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。伽 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ６は少なくとも３個で多くとも２４個のＺ炭
素原子を有する分岐アルキル基である。 〕を有する第（１７）項または第（１８）項に記載の材
料の液晶装置への用途。■ 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ７０は少なくとも２個で多くとも２４個の炭
素原子を有するｎ−アルコキシ基であ２る。 〕を有する第（１６）項に記載の材料の液晶装置への用
途。隣 前記化合物は、式 〔式中、Ｒ８０は少なくとも３個で多くとも２４個の炭
素原子を有する分岐アルコキシ基である。 〕を有する弟（１７）項または策（１８）項に３記載の
材料の液晶装置への用途。６■ 前記材料が前記化合物
である前記各項のいずれかに記載の材料の液晶装置への
用途。 ＧＯ 前記材料は多成分溶液または多成分混合物であり
、それらの少なくとも１種の成分が前記化４合物である
第‘１｝項から第（２９）項のいずれかに記載の材料の
液晶装置への用途。 ６２ 前記化合物の分子構造が、高くとも３０００の温
度で固体結晶から液晶への転移温度を示す前記各項のい
ずれかに記載の材料の液晶装置への用途。 ８３ 混合物は、この明細書で定義した混合物１〜１５
の１種である第（３１）項に記載の材料の液晶装置への
用途。 燈心 液晶材料層を含有する手段と、該含有手段に含ま
れた液晶材料層と、液晶材料の分子配列を変えるため該
液晶材料に外部刺激を適用する手段とを包含し、さらに
該液晶材料は液晶相を示すような分子構造を有する化合
物から成るかまたは該化合物を含み、該化合物の分子構
造は、式〔式中、パラ置換基×はァルコキシ基、ァルキ
ル基、アシルオキシ基またはアルケニル基であり、なら
びにパラ置換基Ｙはシアノ基、シァノ基でパラ位置を置
換されたベンゼン環、又は置換基Ｘから離れた末端環が
シアノ基でパラ位置を置換された複数の直接パラ結合ベ
ンゼン環である。 〕もしくはその単一オルト置換誘導体、または該構造の
少なくとも２個のオルト位置が単一結合基で結合された
誘導体であることを特徴とする液晶装置。ＧＱ 液晶材
料層を含有する手段と、該含有手段に含まれた液晶材料
層と、液晶材料の分子配列を変えるため該液晶材料に外
部刺激を適用する手段とを包含し、さらに該液晶材料は
前記各項のいずれかに記載の材料であることを特徴とす
る液晶装置。 Ｇ曲 液晶材料層を含有する手段と、該含有手段に含ま
れた液晶材料層と、液晶材料の分子配列を変えるため該
液晶材料に温度変化を適用する手段とを包含し、さらに
該液晶材料は第川項から第（３３）項のいずれかに記載
の材料であることを特徴とする第（３５）項に記載の装
置。 Ｇの 液晶材料を含有する手段と、該含有手段に含まれ
た液晶材料層と、電気光学効果によって液晶材料の分子
配列を変化させるため該液晶材料と交差して電界を適用
する手段とを包含し、さらに該液晶材料は第川項から第
（３３）項のいずれかに記載の材料であることを特徴と
する策（３５）項に記載の装置。 Ｂ観 含有手段は２枚の隣接したプレートを包含し、該
プレートの少なくとも１枚は光学的に透明であり、液晶
材料は該プレート間の空間に含まれ」ならびに電界を適
用する手段はプレ−トの内表面に設けた電極を形成する
導電材料のフィルムを包含する第（３６）項に記載の装
置。 （３則 プレートはガラスで作られ、かつ導電フィルム
は酸化スズで作られる策（３８）項に記載の装置。
Ｊ■ 液晶装置が電
気光学表示である第（３８）項または第（３９）項に記
載の装置。側 各電極が１種もしくは２種以上の字体ま
たは記号に対応する形状を有する第（４０）項に記載の
装置。 Ｊ■ 表示がいずれ
かの器械のィンジケータ表示である第（４０）項または
第（４１）項に記載の装層。凶３ ィンジケータ表示が
時計または時計数装置の表示である第（４２）項に記載
の装置。
第１図はこの発明を具体化する電気光学装置の部分的に
回路を示す断面図、第２図は液晶情報記憶装置の概略ダ
イヤグラム、第３図はこの発明を具体化する液晶表示を
加えた時計または時計数装置の概略ダイヤグラムである
。 Ｅ・・・…眼、Ｓ・・・・・・階色スクリーン、１７・
・・・・・薄層、１９……ガラススライド、２３，２５
……酸化スズ被膜、２９…・・・ガラススライド、３１
，３３・・・・・・結線、３５・・・・・・スイッチ、
３７・・・・・・電池、３９……鏡、６３……層、６５
，６７……ガラススライド、６８，６９・・・・・・被
膜、７０・．．・．．スイッチ、７３……ビーム。 第１図 第２図 繁３図
回路を示す断面図、第２図は液晶情報記憶装置の概略ダ
イヤグラム、第３図はこの発明を具体化する液晶表示を
加えた時計または時計数装置の概略ダイヤグラムである
。 Ｅ・・・…眼、Ｓ・・・・・・階色スクリーン、１７・
・・・・・薄層、１９……ガラススライド、２３，２５
……酸化スズ被膜、２９…・・・ガラススライド、３１
，３３・・・・・・結線、３５・・・・・・スイッチ、
３７・・・・・・電池、３９……鏡、６３……層、６５
，６７……ガラススライド、６８，６９・・・・・・被
膜、７０・．．・．．スイッチ、７３……ビーム。 第１図 第２図 繁３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物、該化合物の単一オルト置換誘導体ま
たは該化合物の２つのオルト位置が単一結合基で結合さ
れた誘導体を含むか、又は該化合物、該単一オルト置換
誘導体または２つのオルト位置が単一結合基で結合され
た該誘導体から成る液晶材料であって、上記式中のパラ
置換基Ｘは炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１
８のアルコキシ基、炭素数４〜１９のアシルオキシ基ま
たは炭素数３〜２０のアルケニル基であり、上記式中の
パラ置換基Ｙはシアノ基またはシアノ基でパラ位置を置
換されたベンゼン環であり、但し、Ｘが炭素数５〜８の
ｎ−アルキル基又は炭素数５〜７のｎ−アルコキシ基で
ある場合Ｙはシアノ基ではなく、Ｘが前記アルコキシ基
、前記アシルオキシ基または前記アルケニル基である場
合Ｙはシアノ基でパラ位置を置換されたベンゼン環では
なく、前記単一オルト置換誘導体は、Ｙがシアノ基の場
合メチル基、塩素原子およびフツ素原子からなるグルー
プから選択されたオルト置換基と炭素数１〜１８のアル
キル基のパラ置換基Ｘとを有し、Ｙがシアノ基でパラ位
置を置換されたベンゼン環の場合メチル基および塩素原
子からなるグループから選択されたオルト置換基と炭素
数１〜１８のアルキル基のパラ置換基Ｘとを有し、前記
２つのオルト位置が単一結合基で結合された誘導体は炭
素数１〜１８のアルキル基のパラ置換基Ｘとシアノ基の
パラ置換基Ｙとビニレン基の単一結合基とを有すること
を特徴とする前記液晶材料。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB51698/72 | 1972-11-09 | ||
| GB5169872A GB1433130A (en) | 1972-11-09 | 1972-11-09 | Substituted biphenyl and polyphenyl compounds and liquid crystal materials and devices containing them |
| GB3370973 | 1973-07-16 | ||
| GB33709/73 | 1973-07-16 | ||
| GB4846873A GB1452826A (en) | 1973-10-17 | 1973-10-17 | Liquid crystal compositions |
| GB48468/73 | 1973-10-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5358979A JPS5358979A (en) | 1978-05-27 |
| JPS608719B2 true JPS608719B2 (ja) | 1985-03-05 |
Family
ID=27259157
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12668873A Expired JPS5344153B2 (ja) | 1972-11-09 | 1973-11-09 | |
| JP52064541A Expired JPS608719B2 (ja) | 1972-11-09 | 1977-05-31 | 新規な有機化合物より成る液晶材料 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12668873A Expired JPS5344153B2 (ja) | 1972-11-09 | 1973-11-09 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5344153B2 (ja) |
| AT (1) | AT340493B (ja) |
| BE (1) | BE807165A (ja) |
| CH (1) | CH601457A5 (ja) |
| DE (2) | DE2366470C2 (ja) |
| FR (1) | FR2207758A1 (ja) |
| NL (1) | NL173279C (ja) |
| SE (1) | SE409724B (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1452826A (en) * | 1973-10-17 | 1976-10-20 | Secr Defence | Liquid crystal compositions |
| SE409724B (sv) * | 1972-11-09 | 1979-09-03 | Secr Defence Brit | Flytande kristallkomposition |
| JPS605630B2 (ja) * | 1973-07-06 | 1985-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
| FR2252132B1 (ja) * | 1973-11-28 | 1976-10-01 | Thomson Csf | |
| US4137192A (en) * | 1974-01-25 | 1979-01-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystalline composition |
| US4020002A (en) * | 1974-02-28 | 1977-04-26 | Beckman Instruments, Inc. | Non-schiff base field effect liquid crystal composition |
| FR2274355A1 (fr) * | 1974-06-14 | 1976-01-09 | Thomson Csf | Melange de cristaux liquides presentant une anisotropie dielectrique positive et une large gamme de mesomorphisme |
| US3951846A (en) * | 1974-06-28 | 1976-04-20 | Rca Corporation | Novel liquid crystal electro-optic devices |
| US4147651A (en) * | 1974-09-03 | 1979-04-03 | Beckman Instruments, Inc. | Biphenyl based liquid crystal compositions |
| US3975286A (en) * | 1974-09-03 | 1976-08-17 | Beckman Instruments, Inc. | Low voltage actuated field effect liquid crystals compositions and method of synthesis |
| JPS5137882A (ja) * | 1974-09-26 | 1976-03-30 | Chisso Corp | Ekishososeibutsu |
| US4069167A (en) * | 1974-09-25 | 1978-01-17 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| JPS5137880A (ja) * | 1974-09-26 | 1976-03-30 | Chisso Corp | Ekishososeibutsu |
| JPS5137881A (ja) * | 1974-09-26 | 1976-03-30 | Chisso Corp | Ekishososeibutsu |
| US4017416A (en) * | 1974-10-11 | 1977-04-12 | Chisso Corporation | P-cyanophenyl 4-alkyl-4'-biphenylcarboxylate, method for preparing same and liquid crystal compositions using same |
| JPS5175050A (en) * | 1974-12-19 | 1976-06-29 | Fuji Pigment | 44 arukiru 4** shianobifueniruoyobi 44 arukokishi 4** shianobifueniruno seizoho |
| GB1556994A (en) * | 1975-09-03 | 1979-12-05 | Secr Defence | Optically active cyanobiphenyl compounds and liquid crystal materials and devices containing them |
| US4003844A (en) * | 1975-11-17 | 1977-01-18 | Rca Corporation | Liquid crystal devices |
| US4253740A (en) * | 1977-09-12 | 1981-03-03 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Liquid crystal materials and devices containing them |
| GB2009219B (en) * | 1977-11-02 | 1982-04-28 | Secr Defence | Liquid ctystal material mixtures and devices incorporating such mixtures |
| DE2918775A1 (de) | 1979-05-10 | 1980-11-20 | Merck Patent Gmbh | Diketone, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als komponenten fluessigkristalliner dielektrika |
| DE2948836A1 (de) * | 1979-12-05 | 1981-06-11 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Partiell hydrierte oligo-1,4-phenylene, diese enthaltende dielektrika und elektrooptisches anzeigeelement |
| FR2486955A1 (fr) * | 1980-07-18 | 1982-01-22 | Thomson Csf | Cristal liquide smectique de type a presentant une anisotropie dielectrique positive |
| JPS5770336U (ja) * | 1980-10-14 | 1982-04-28 | ||
| DE3136624A1 (de) * | 1981-09-15 | 1983-03-31 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluessigkristalline halogenverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung, diese enthaltende dielektrika und elektrooptisches anzeigeelement |
| DE3209178A1 (de) * | 1982-03-13 | 1983-09-15 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Polyhalogenaromaten |
| US4550981A (en) * | 1982-09-30 | 1985-11-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters and mixtures |
| JPS62137039U (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-28 | ||
| DE3609141A1 (de) * | 1986-03-19 | 1987-09-24 | Merck Patent Gmbh | Elektrooptisches anzeigeelement |
| GB8814327D0 (en) * | 1988-06-16 | 1988-07-20 | Secr Defence | Fluorinated 4"-cyano substituted terphenyls |
| CH683522A5 (de) * | 1992-03-13 | 1994-03-31 | Hoffmann La Roche | Verfahren zur Herstellung von Diarylen. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995882A (ja) * | 1972-11-09 | 1974-09-11 | ||
| JPS5239586A (en) * | 1975-09-03 | 1977-03-26 | Secr Defence Brit | Liquid crystal compounds and liquid crystal materials and apparatus using same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1410329A (en) * | 1971-12-29 | 1975-10-15 | Secr Defence | Liquid crystal devices |
-
1973
- 1973-11-08 SE SE7315170A patent/SE409724B/sv unknown
- 1973-11-08 FR FR7339803A patent/FR2207758A1/fr active Granted
- 1973-11-09 DE DE2366470A patent/DE2366470C2/de not_active Expired
- 1973-11-09 DE DE2356085A patent/DE2356085C2/de not_active Expired
- 1973-11-09 CH CH1576073A patent/CH601457A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-11-09 AT AT947573A patent/AT340493B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-11-09 BE BE137620A patent/BE807165A/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-11-09 NL NLAANVRAGE7315405,A patent/NL173279C/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-11-09 JP JP12668873A patent/JPS5344153B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-05-31 JP JP52064541A patent/JPS608719B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995882A (ja) * | 1972-11-09 | 1974-09-11 | ||
| JPS5239586A (en) * | 1975-09-03 | 1977-03-26 | Secr Defence Brit | Liquid crystal compounds and liquid crystal materials and apparatus using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AT340493B (de) | 1977-12-12 |
| ATA947573A (de) | 1977-04-15 |
| DE2356085C2 (de) | 1982-10-21 |
| AU6225873A (en) | 1975-05-08 |
| FR2207758B1 (ja) | 1977-09-09 |
| FR2207758A1 (en) | 1974-06-21 |
| JPS5344153B2 (ja) | 1978-11-27 |
| JPS4995882A (ja) | 1974-09-11 |
| NL173279C (nl) | 1984-01-02 |
| JPS5358979A (en) | 1978-05-27 |
| DE2366470C2 (ja) | 1987-02-19 |
| NL173279B (nl) | 1983-08-01 |
| CH601457A5 (ja) | 1978-07-14 |
| DE2356085A1 (de) | 1974-05-22 |
| SE409724B (sv) | 1979-09-03 |
| BE807165A (fr) | 1974-03-01 |
| NL7315405A (ja) | 1974-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS608719B2 (ja) | 新規な有機化合物より成る液晶材料 | |
| US3947375A (en) | Liquid crystal materials and devices | |
| US4256656A (en) | Mesomorphous 4-alkoxytetrafluorobenzoic acid esters | |
| JPS5827785B2 (ja) | 液晶の性質をもつ化学物質 | |
| JPS6119671B2 (ja) | ||
| JPS60166646A (ja) | 液晶性置換ビフエニルエステル類 | |
| JPS6160113B2 (ja) | ||
| JPS6358815B2 (ja) | ||
| JPS61267540A (ja) | 新規光学活性化合物及び液晶組成物 | |
| SU482049A3 (ru) | Электрооптические составы | |
| JPH0466857B2 (ja) | ||
| JPH05507724A (ja) | ナフチル有機化合物 | |
| JPS6051147A (ja) | 液晶物質及び液晶組成物 | |
| JP3007441B2 (ja) | ケイ素液晶化合物 | |
| JPS59141540A (ja) | 三環カルボン酸エステル誘導体 | |
| JPH0717905B2 (ja) | 液晶組成物 | |
| JPH02228A (ja) | 光学活性化合物および液晶組成物と光学活性化合物合成用中間体 | |
| JPS5982382A (ja) | 含ハロゲンメタジオキサンエステル | |
| JPS6326739B2 (ja) | ||
| JPS6152193B2 (ja) | ||
| JPH037653B2 (ja) | ||
| JPH0558958A (ja) | フツ素液晶化合物 | |
| JPS61286345A (ja) | シユウ酸ジエステル誘導体及びそれを含有する液晶組成物 | |
| JPS6277356A (ja) | トラン系光学活性化合物 | |
| JPH0142261B2 (ja) |