JPS6326739B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6326739B2 JPS6326739B2 JP57108577A JP10857782A JPS6326739B2 JP S6326739 B2 JPS6326739 B2 JP S6326739B2 JP 57108577 A JP57108577 A JP 57108577A JP 10857782 A JP10857782 A JP 10857782A JP S6326739 B2 JPS6326739 B2 JP S6326739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- bis
- nematic liquid
- benzene
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000001559 benzoic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000005378 cyclohexanecarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 150000004707 phenolate Chemical class 0.000 claims 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarboxylic acid Chemical class OC(=O)C1CCCCC1 NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Inorganic materials [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005208 1,4-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 2-substituted hydroquinones Chemical class 0.000 description 1
- WHTFLTOKFXTJGV-UHFFFAOYSA-N 4-heptylbenzoyl chloride Chemical compound CCCCCCCC1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 WHTFLTOKFXTJGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQQOONVCLQZWOY-UHFFFAOYSA-N 4-hexoxybenzoyl chloride Chemical compound CCCCCCOC1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 DQQOONVCLQZWOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical group OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MJBVAFIHLYVULJ-UHFFFAOYSA-N [2-butyl-3-(4-hexoxybenzoyl)oxyphenyl] 4-hexoxybenzoate Chemical compound C1=CC(OCCCCCC)=CC=C1C(=O)OC1=CC=CC(OC(=O)C=2C=CC(OCCCCCC)=CC=2)=C1CCCC MJBVAFIHLYVULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXBBILVFNKFCO-UHFFFAOYSA-N [4-(2-cyanoethyl)phenyl] 4-octoxybenzoate Chemical compound C1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C(=O)OC1=CC=C(CCC#N)C=C1 PVXBBILVFNKFCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXKPIMJXAWTZRM-UHFFFAOYSA-N [4-(4-heptylbenzoyl)oxy-3-hexylphenyl] 4-heptylbenzoate Chemical compound C1=CC(CCCCCCC)=CC=C1C(=O)OC(C=C1CCCCCC)=CC=C1OC(=O)C1=CC=C(CCCCCCC)C=C1 ZXKPIMJXAWTZRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical class ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- VZFUCHSFHOYXIS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane carboxylic acid Chemical class OC(=O)C1CCCCCC1 VZFUCHSFHOYXIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- GJVRHUOVMAEPFF-UHFFFAOYSA-N phenyl 4-octoxybenzoate Chemical compound C1(=CC=CC=C1)OC(C1=CC=C(C=C1)OCCCCCCCC)=O GJVRHUOVMAEPFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透過または入射する光の変調の為の並
びに数字、記号および図形の再現の為の電気光学
的装置用の新規のネマチツク液晶物質並びにその
製造方法に関する。結晶はその誘電率異方性の為
に電場にて特別な交番効果を示しそしてそれ故に
配向し得る。正の誘電率異方性を有するネマチツ
ク液晶は電場に対して平行に配向し、これに対し
て負の誘電率異方性を有するものは電場に対して
垂直に配向する。低い周波数の場合に正の誘電率
異方性を示す若干の結晶の場合には誘電率緩和の
為に、緩和周波数の上方で負の誘電率異方性が生
ずる。緩和周波数(等方性周波数)の付近では誘
電率異方性は零である。この効果を、2つの周波
数を有するデスプレイを運転することによつて電
気光学的デスプレイで使用せしめ得ることが既に
提案されている(東ドイツ経済特許第107561号)。 この種の制御手段は電場強度の変更によるだけ
で変更並びにスイツチの切り換えを可能とし、そ
の結果通常の運転の場合の非常に遅い誘電情報漸
消を著しく短縮できる。この効果についての従来
公知の物質は厄介な高い緩和周波数(MHzの域)、
高過ぎる融点を有するかまたは化学的および熱的
に不安定である。従来公知の2−置換−1,4−
ビス(4−アシロキシ〕−ベンゼン〔東ドイツ経
済特許第106933号、同第108022号、同第108023
号、同第116732号、同第139575号、同第139592
号;更にA.C.グリフイン(Griffin)等の“モ
ル・クリスト・リキツド・クリスト(Mol.Cryst.
Liqu.Cryst.)”、44、267(1978);T.A.ロチニアン
(Rotinyan)等の“クリスタログラフイア
(Kristallografiya)23”、578(1978)〕−但し、2
−置換基が非常に小さい−は、その高い緩和周波
数の為に同様に二周波数法にあまり適していな
い。それ故に、この欠点を有さないかまたは僅か
にしか有さない新規の物質が常に研究されてい
る。 本発明の方法によつて製造される結晶化合物は
新規のものでありそしてその製法は公知でない。 従来公知でありそして相応する2−置換−ハイ
ドロキノンと相応する置換安息香酸またはシクロ
ヘキサン−カルボン酸との反応あるいはその誘導
体との反応によつて製造される一般式 で表わされる2−置換−1,4−ビス−〔4−ア
シルオキシ〕−ベンゼンは、ベンゼン環の2−位
に短鎖の置換基しか有していない〔東ドイツ経済
特許第106933号、同第108022号、同第108023号、
同第116732号、同第139575号、同第139592号;更
にA.C.グリフイン(Griffin)、D.L.ベルツ
(Wertz)、A.C.グリフイン・ジユニア(Griffin
jz.)の“モル・クリスト・リキツド・クリスト
(Mol.Cryst.Liqu.Cryst.)”、44、267(1978);T.
A.ロチニアン(Rotinyan)、Ch.K.ロウト
(Ront)、A.P.コフシツク(Kovshik)P.V.アド
メナス(Adomenes)、Yu.Yu.ダンギヴイラ
(Dnngvila)E.L.リムツエフ(Ryumtseu)の
“クリスタルログラフイア(Kristallografiya)
23.578(1978)〕。しかしこれらの物質は二周波数
法にはあまり適していない。何故なら、その緩和
周波数が比較的に高いからである(MHzの域)。 本発明の目的は、低い緩和周波数、低い融点温
度、良好の化学的および熱的安定性を有し且つ電
気光学的装置、殊に二周波数運転に追好に適する
新規のネマチツク液晶並びにその製造方法にあ
る。 本発明者は、一般式 〔式中、R1、R2は【式】 【式】 【式】 【式】または 【式】(但しnは1〜16であ る)であり、 R3はn−CnH2n+1(m=3〜14)である。〕 で表わされる純粋のまたは混合2−n−アルキル
−1,4−ビス−〔4−アシルオキシ〕−ベンゼン
が、相応する電気光学的装置において用いるのに
非常に適することを見出した。 正の誘電率異方性を有するネマチツク液晶の緩
和周波数はこれらの物質の添加によつて著しく低
い値に変位する。液晶の分子量は、既にホアレン
ダーの研究〔D.ホアレンダー(Vorla¨nder)、“シ
エミーエ・クリスタログラフイー・デア・フルー
スイヒカイテン(Chemische Kristallographie
der Flu¨ssingkeiten)”、ライプツイヒ1924〕並び
に新しい総合文献〔D.デムス(Demus)、H.デム
スおよびH.ツアシユケ(Zaschke)、“フリユスイ
ゲ・クリスタレ・イン・タベレン(Flu¨ssige
Kristalle in Tabellen)”フアー・エー・ベー・
ドイチヤー・ヘルラーグフユア・グルンドストツ
フインダストリーエ(VEB Dentscher Verlag
fu¨r Grundstoffindustrie)、第2版、ライプツイ
ヒ1976〕にも示されている様に、出来るだけ長く
伸ばされた分子構造を有している。 それ故に、2−置換−1,4−ビス−〔4−ア
シロキシ〕−ベンゼンのタイプの物質においては、
小さい2−置換基の場合にしか液晶的性質を期待
できない。2−位に長いn−アルキル鎖を有する
置換誘導体が液晶的性質を有しそしして更に混合
状態で緩和周波数が非常に著しく減少することは
全く驚ろくべきことである。 本発明の物質は良好な熱的および化学的安定性
を有しておりそして1部のものは非常に低い転移
温度を有している。 本発明者は、相応する置換安息香酸またはシク
ロヘキサンカルボン酸またはその反応性誘導体を
適当な2−n−アルキル−ハイドロキノン−その
フエノラートの形のものを含む−と0℃〜250℃
のもとで場合によつては不活性有機溶剤の存在下
に反応させることによつて、電気光学的装置、殊
に二周波数運転に非常に適する2−n−アルキル
−1,4−ビス−〔アシルオキシ〕−ベンゼンが製
造できることを見出した。 本発明の方法の反応条件は、用いた誘導体の反
応性によつて決められる。例えば遊離カルボン酸
は、適当な溶剤(例えば、テトラヒドロフラン、
ピリジン、ジメチルホルムアミド)の存在下にハ
イドロキノン類と、ジシクロヘキシルカルボジイ
ミドの如き水解離性反応剤と反応させる。特に有
利な反応法は、置換ベンゾイルクロライドと2−
アルキル−ハイドロキノンとを有機塩基(例えば
ピリジン、トリエチルアミン、キノリン等)また
は無機塩基(例えば水酸化カリウムまたは−ナト
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム)
の存在下で反応させる。反応は不活性溶剤の存在
下で実施するのが有利である。特にジエチル−お
よびジブチルエーテル、ジオキサン、ベンゼンま
たはトルエンが適する。用いる過剰の有機塩基
(例えばピリジン、トリエチルアミンまたはキノ
リン)は同時に溶剤として役立ち得る。 反応温度は0℃〜250℃、殊に100〜140℃であ
る。かゝる温度のもとでエステル化反応は一般に
30分〜24時間後に終了する。 本発明を以下の6つの実施例によつて更に詳細
に説明する。 実施例 1 以下の第1および第2表に若干の本発明の化合
物の転移温度を示す。 【表】 【表】 【表】 【表】 実施例 2 高い粘度はネマチツク液晶の低い緩和周波数の
原因と成る。 2−n−オクチル−1,4−ビス−〔4−n−
オクチルオキシベンゾイルオキシ〕−ベンゼンの
粘度(ネマチツク相状態υ1) t/℃ 25 56 64 76 80 υ1/cst 960 167 115 72 87 これに比較して、4−n−アルキルオキシ−安
息香酸−4−n−アルキルオキシフエニルエステ
ルの粘度は率で10ほど小さい。 実施例 3 60モルの2−n−オクチル−1,4−ビス−
〔4−n−オクチルオキシベンゾイルオキシ〕−ベ
ンゼンと40モル%の4−n−オクチルオキシ安息
香酸−4−(β−シアンエチル)−フエニルエステ
ルとの混合物の等方性周波数f0: t/℃ 20 25 33 48 f0/KHz 8 16 47 250 この混合物の静澄点は68℃である。室温のもと
で低い周波数域での閾電圧は2.5Vである。 実施例 4 実施例3に相応する混合物を次の構造のセル中
で用いる。液晶の薄い層(5〜30μmの層厚さ)
を、内側に透明な導電層(SnO2またはIn2O3)を
有している2枚のガラス製薄板の間に塗布しそし
てその間隔を間隔保持材を挾み込むことによつて
一定に保つ。この装置は十字形の成極物質の間に
置く。5V/50KHzの電圧のもとでは、セルは光
を完全に消し、これに対して5V/12KHzのもと
では透明な状態に成る。 実施例 5 2−n−ブチル−ビス−〔4−n−ヘキシルオ
キシ−ベンゾイルオキシ〕−ベンゼンの製造: 50mlの蒸留ピリジンに1.66g(0.01モル)の2
−n−ブチル−ハイドロキノンを溶解した溶液
に、0℃のもとで撹拌下に4.81g(0.02モル)の
4−n−ヘキシルオキシ−ベンゾイルクロライド
を滴加する。湿気の排除下に室温で24時間放置
し、次に30分間に110℃に加熱しそして冷却後に
200gの氷と100mlの濃塩酸との混合物中に注ぎ込
む。沈殿物を吸引過し、水および僅かの冷たい
エタノールで洗浄しそしてエタノールで多数回、
再結晶させる。収量:4.15g=理論値の72.3%。
融点67〜68℃。96.5℃までネマチツク状態。 実施例 6 2−n−ヘキシル−1,4−ビス−〔4−n−
ヘプチル−ベンゾイルオキシ〕−ベンゼン 50mlのトルエンに1.94g(0.01mol)の2−n
−ヘキシル−ハイドロキノンおよび3gのピリジ
ンを溶解した溶液に100℃のもとで撹拌下に、20
mlのトルエンに4.77g(0.02モル)の4−n−ヘ
プチル−ベンゾイル−クロライドを溶解した溶液
を滴加する。次にこの反応混合物を沸点状態まで
加熱しそして冷却後に過する。液を各50mlの
水、炭酸水素ナトリウム5%溶液および水にて洗
浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させそして減圧下に
濃縮する。残留する油をエタノール中に溶解しそ
して−15℃のもとで結晶化させる。再結晶を、融
点および静澄点が一定に成るまで繰り返えす。収
量:3.70g=理論値の61.9%。融点18〜19℃。静
澄点40.5〜41.5℃。
びに数字、記号および図形の再現の為の電気光学
的装置用の新規のネマチツク液晶物質並びにその
製造方法に関する。結晶はその誘電率異方性の為
に電場にて特別な交番効果を示しそしてそれ故に
配向し得る。正の誘電率異方性を有するネマチツ
ク液晶は電場に対して平行に配向し、これに対し
て負の誘電率異方性を有するものは電場に対して
垂直に配向する。低い周波数の場合に正の誘電率
異方性を示す若干の結晶の場合には誘電率緩和の
為に、緩和周波数の上方で負の誘電率異方性が生
ずる。緩和周波数(等方性周波数)の付近では誘
電率異方性は零である。この効果を、2つの周波
数を有するデスプレイを運転することによつて電
気光学的デスプレイで使用せしめ得ることが既に
提案されている(東ドイツ経済特許第107561号)。 この種の制御手段は電場強度の変更によるだけ
で変更並びにスイツチの切り換えを可能とし、そ
の結果通常の運転の場合の非常に遅い誘電情報漸
消を著しく短縮できる。この効果についての従来
公知の物質は厄介な高い緩和周波数(MHzの域)、
高過ぎる融点を有するかまたは化学的および熱的
に不安定である。従来公知の2−置換−1,4−
ビス(4−アシロキシ〕−ベンゼン〔東ドイツ経
済特許第106933号、同第108022号、同第108023
号、同第116732号、同第139575号、同第139592
号;更にA.C.グリフイン(Griffin)等の“モ
ル・クリスト・リキツド・クリスト(Mol.Cryst.
Liqu.Cryst.)”、44、267(1978);T.A.ロチニアン
(Rotinyan)等の“クリスタログラフイア
(Kristallografiya)23”、578(1978)〕−但し、2
−置換基が非常に小さい−は、その高い緩和周波
数の為に同様に二周波数法にあまり適していな
い。それ故に、この欠点を有さないかまたは僅か
にしか有さない新規の物質が常に研究されてい
る。 本発明の方法によつて製造される結晶化合物は
新規のものでありそしてその製法は公知でない。 従来公知でありそして相応する2−置換−ハイ
ドロキノンと相応する置換安息香酸またはシクロ
ヘキサン−カルボン酸との反応あるいはその誘導
体との反応によつて製造される一般式 で表わされる2−置換−1,4−ビス−〔4−ア
シルオキシ〕−ベンゼンは、ベンゼン環の2−位
に短鎖の置換基しか有していない〔東ドイツ経済
特許第106933号、同第108022号、同第108023号、
同第116732号、同第139575号、同第139592号;更
にA.C.グリフイン(Griffin)、D.L.ベルツ
(Wertz)、A.C.グリフイン・ジユニア(Griffin
jz.)の“モル・クリスト・リキツド・クリスト
(Mol.Cryst.Liqu.Cryst.)”、44、267(1978);T.
A.ロチニアン(Rotinyan)、Ch.K.ロウト
(Ront)、A.P.コフシツク(Kovshik)P.V.アド
メナス(Adomenes)、Yu.Yu.ダンギヴイラ
(Dnngvila)E.L.リムツエフ(Ryumtseu)の
“クリスタルログラフイア(Kristallografiya)
23.578(1978)〕。しかしこれらの物質は二周波数
法にはあまり適していない。何故なら、その緩和
周波数が比較的に高いからである(MHzの域)。 本発明の目的は、低い緩和周波数、低い融点温
度、良好の化学的および熱的安定性を有し且つ電
気光学的装置、殊に二周波数運転に追好に適する
新規のネマチツク液晶並びにその製造方法にあ
る。 本発明者は、一般式 〔式中、R1、R2は【式】 【式】 【式】 【式】または 【式】(但しnは1〜16であ る)であり、 R3はn−CnH2n+1(m=3〜14)である。〕 で表わされる純粋のまたは混合2−n−アルキル
−1,4−ビス−〔4−アシルオキシ〕−ベンゼン
が、相応する電気光学的装置において用いるのに
非常に適することを見出した。 正の誘電率異方性を有するネマチツク液晶の緩
和周波数はこれらの物質の添加によつて著しく低
い値に変位する。液晶の分子量は、既にホアレン
ダーの研究〔D.ホアレンダー(Vorla¨nder)、“シ
エミーエ・クリスタログラフイー・デア・フルー
スイヒカイテン(Chemische Kristallographie
der Flu¨ssingkeiten)”、ライプツイヒ1924〕並び
に新しい総合文献〔D.デムス(Demus)、H.デム
スおよびH.ツアシユケ(Zaschke)、“フリユスイ
ゲ・クリスタレ・イン・タベレン(Flu¨ssige
Kristalle in Tabellen)”フアー・エー・ベー・
ドイチヤー・ヘルラーグフユア・グルンドストツ
フインダストリーエ(VEB Dentscher Verlag
fu¨r Grundstoffindustrie)、第2版、ライプツイ
ヒ1976〕にも示されている様に、出来るだけ長く
伸ばされた分子構造を有している。 それ故に、2−置換−1,4−ビス−〔4−ア
シロキシ〕−ベンゼンのタイプの物質においては、
小さい2−置換基の場合にしか液晶的性質を期待
できない。2−位に長いn−アルキル鎖を有する
置換誘導体が液晶的性質を有しそしして更に混合
状態で緩和周波数が非常に著しく減少することは
全く驚ろくべきことである。 本発明の物質は良好な熱的および化学的安定性
を有しておりそして1部のものは非常に低い転移
温度を有している。 本発明者は、相応する置換安息香酸またはシク
ロヘキサンカルボン酸またはその反応性誘導体を
適当な2−n−アルキル−ハイドロキノン−その
フエノラートの形のものを含む−と0℃〜250℃
のもとで場合によつては不活性有機溶剤の存在下
に反応させることによつて、電気光学的装置、殊
に二周波数運転に非常に適する2−n−アルキル
−1,4−ビス−〔アシルオキシ〕−ベンゼンが製
造できることを見出した。 本発明の方法の反応条件は、用いた誘導体の反
応性によつて決められる。例えば遊離カルボン酸
は、適当な溶剤(例えば、テトラヒドロフラン、
ピリジン、ジメチルホルムアミド)の存在下にハ
イドロキノン類と、ジシクロヘキシルカルボジイ
ミドの如き水解離性反応剤と反応させる。特に有
利な反応法は、置換ベンゾイルクロライドと2−
アルキル−ハイドロキノンとを有機塩基(例えば
ピリジン、トリエチルアミン、キノリン等)また
は無機塩基(例えば水酸化カリウムまたは−ナト
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム)
の存在下で反応させる。反応は不活性溶剤の存在
下で実施するのが有利である。特にジエチル−お
よびジブチルエーテル、ジオキサン、ベンゼンま
たはトルエンが適する。用いる過剰の有機塩基
(例えばピリジン、トリエチルアミンまたはキノ
リン)は同時に溶剤として役立ち得る。 反応温度は0℃〜250℃、殊に100〜140℃であ
る。かゝる温度のもとでエステル化反応は一般に
30分〜24時間後に終了する。 本発明を以下の6つの実施例によつて更に詳細
に説明する。 実施例 1 以下の第1および第2表に若干の本発明の化合
物の転移温度を示す。 【表】 【表】 【表】 【表】 実施例 2 高い粘度はネマチツク液晶の低い緩和周波数の
原因と成る。 2−n−オクチル−1,4−ビス−〔4−n−
オクチルオキシベンゾイルオキシ〕−ベンゼンの
粘度(ネマチツク相状態υ1) t/℃ 25 56 64 76 80 υ1/cst 960 167 115 72 87 これに比較して、4−n−アルキルオキシ−安
息香酸−4−n−アルキルオキシフエニルエステ
ルの粘度は率で10ほど小さい。 実施例 3 60モルの2−n−オクチル−1,4−ビス−
〔4−n−オクチルオキシベンゾイルオキシ〕−ベ
ンゼンと40モル%の4−n−オクチルオキシ安息
香酸−4−(β−シアンエチル)−フエニルエステ
ルとの混合物の等方性周波数f0: t/℃ 20 25 33 48 f0/KHz 8 16 47 250 この混合物の静澄点は68℃である。室温のもと
で低い周波数域での閾電圧は2.5Vである。 実施例 4 実施例3に相応する混合物を次の構造のセル中
で用いる。液晶の薄い層(5〜30μmの層厚さ)
を、内側に透明な導電層(SnO2またはIn2O3)を
有している2枚のガラス製薄板の間に塗布しそし
てその間隔を間隔保持材を挾み込むことによつて
一定に保つ。この装置は十字形の成極物質の間に
置く。5V/50KHzの電圧のもとでは、セルは光
を完全に消し、これに対して5V/12KHzのもと
では透明な状態に成る。 実施例 5 2−n−ブチル−ビス−〔4−n−ヘキシルオ
キシ−ベンゾイルオキシ〕−ベンゼンの製造: 50mlの蒸留ピリジンに1.66g(0.01モル)の2
−n−ブチル−ハイドロキノンを溶解した溶液
に、0℃のもとで撹拌下に4.81g(0.02モル)の
4−n−ヘキシルオキシ−ベンゾイルクロライド
を滴加する。湿気の排除下に室温で24時間放置
し、次に30分間に110℃に加熱しそして冷却後に
200gの氷と100mlの濃塩酸との混合物中に注ぎ込
む。沈殿物を吸引過し、水および僅かの冷たい
エタノールで洗浄しそしてエタノールで多数回、
再結晶させる。収量:4.15g=理論値の72.3%。
融点67〜68℃。96.5℃までネマチツク状態。 実施例 6 2−n−ヘキシル−1,4−ビス−〔4−n−
ヘプチル−ベンゾイルオキシ〕−ベンゼン 50mlのトルエンに1.94g(0.01mol)の2−n
−ヘキシル−ハイドロキノンおよび3gのピリジ
ンを溶解した溶液に100℃のもとで撹拌下に、20
mlのトルエンに4.77g(0.02モル)の4−n−ヘ
プチル−ベンゾイル−クロライドを溶解した溶液
を滴加する。次にこの反応混合物を沸点状態まで
加熱しそして冷却後に過する。液を各50mlの
水、炭酸水素ナトリウム5%溶液および水にて洗
浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させそして減圧下に
濃縮する。残留する油をエタノール中に溶解しそ
して−15℃のもとで結晶化させる。再結晶を、融
点および静澄点が一定に成るまで繰り返えす。収
量:3.70g=理論値の61.9%。融点18〜19℃。静
澄点40.5〜41.5℃。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、R1、R2は【式】 【式】 【式】 【式】または 【式】 (但しnは1〜16である)であり、 R3はn−CnH2n+1(m=3〜14)である。〕 で表されるネマチツク液晶。 2 一般式 〔式中、R1、R2は【式】 【式】 【式】 【式】または 【式】 (但しnは1〜16である)であり、 R3はn−CnH2n+1(m=3〜14)である。〕 で表される電気光学的装置用の新規結晶2−n−
キル−1,4−ビス−〔アシルオキシ〕−ベンゼン
を製造するに当たつて、相応する置換安息香酸ま
たはシクロヘキサンカルボン酸またはその反応性
誘導体、特に酸クロライドを適当な2−n−アル
キル−ハイドロキノン−そのフエノラートの形の
ものを含み−と0℃〜250℃のもとで場合によつ
ては不活性有機溶剤並びに、酸クロライドを用い
る場合には塩基の存在下に反応させることを特徴
とする、上記ネマチツク液晶の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD09K/231119 | 1981-06-25 | ||
DD23111981A DD160312A3 (de) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | Anwendung nematischer fluessiger kristalle |
DD07C/231120 | 1981-06-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS584746A JPS584746A (ja) | 1983-01-11 |
JPS6326739B2 true JPS6326739B2 (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=5531836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10857782A Granted JPS584746A (ja) | 1981-06-25 | 1982-06-25 | ネマチツク液晶およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS584746A (ja) |
DD (1) | DD160312A3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04112932A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Nissan Motor Co Ltd | 内燃機関の空燃比制御装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5800923A (en) * | 1995-08-29 | 1998-09-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Acid composition comprising a coated polyvalent carboxylic acid solid particle and a powder coating comprising the same |
KR101677764B1 (ko) * | 2009-04-21 | 2016-11-18 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 화합물 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54154736A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-06 | Seiko Epson Corp | 1,4-di(trans-4-n-alkylcyclohexanecarbonyloxy)-2-chlorobenzene |
JPS5583734A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-24 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal ester compound and its preparation |
-
1981
- 1981-06-25 DD DD23111981A patent/DD160312A3/de unknown
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10857782A patent/JPS584746A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54154736A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-06 | Seiko Epson Corp | 1,4-di(trans-4-n-alkylcyclohexanecarbonyloxy)-2-chlorobenzene |
JPS5583734A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-24 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal ester compound and its preparation |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04112932A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Nissan Motor Co Ltd | 内燃機関の空燃比制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DD160312A3 (de) | 1983-06-01 |
JPS584746A (ja) | 1983-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1100766B1 (en) | Crosslinkable liquid crystalline compounds | |
KR100391862B1 (ko) | 광-가교결합성액정1,2-페닐렌유도체 | |
JP2545254B2 (ja) | 強誘電性液晶混合物及び電気光学表示素子 | |
EP0255236B1 (en) | Fluorine-containing chiral smectic liquid crystals | |
EP0175591A2 (en) | Lactic acid derivative, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device | |
US4029594A (en) | Novel liquid crystal compounds and electro-optic devices incorporating them | |
JP2792894B2 (ja) | ヘテロ環骨格を有する液晶物質 | |
US5888422A (en) | Fluorinated phenanthrene derivatives and their use in liquid-crystal mixtures | |
KR960000076B1 (ko) | 키랄성 에스테르의 제조방법 | |
JP3702426B2 (ja) | トリフルオロメチルベンゼン誘導体および液晶組成物 | |
JP2753113B2 (ja) | シクロプロピルアルキル又は―アルケニル化合物、これらの調製方法及び液晶混合物中におけるその利用 | |
JPH0623135B2 (ja) | 液晶物質及び液晶組成物 | |
JPH09504788A (ja) | 液晶化合物 | |
JPH0688952B2 (ja) | メチレンオキシ基とエステル基を有する新規光学活性液晶化合物及びその組成物 | |
JPH09165356A (ja) | 反強誘電性液晶化合物及び反強誘電性液晶組成物 | |
JPH04346964A (ja) | 液晶化合物 | |
JPS6326739B2 (ja) | ||
JPH0645573B2 (ja) | 液晶化合物および液晶組成物 | |
JP2000178211A (ja) | フルオレン誘導体およびそれを含む液晶組成物 | |
JPS63175095A (ja) | 光学活性液晶化合物および組成物 | |
JPS5982382A (ja) | 含ハロゲンメタジオキサンエステル | |
JP2848471B2 (ja) | 光学活性化合物およびそれを含む液晶組成物 | |
JP2925682B2 (ja) | 新規なエステル化合物、これを含む液晶組成物及び光スイッチング素子 | |
JP2796722B2 (ja) | 光学素子用液晶 | |
JP2571943B2 (ja) | ベンゾイルオキシフェニルピリミジン誘導体 |